Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ROHM SEMICONDUCTOR (102573) > Сторінка 1491 з 1710
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SCS304AMC | ROHM SEMICONDUCTOR |
 Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220FP-2; Ir: 80uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Case: TO220FP-2 Max. forward voltage: 1.71V Max. load current: 17A Max. forward impulse current: 100A Leakage current: 80µA Power dissipation: 26W Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SCS306AHGC9 | ROHM SEMICONDUCTOR |
SCS306AHGC9 THT Schottky diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SCS306AMC | ROHM SEMICONDUCTOR |
SCS306AMC THT Schottky diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SCS308AHGC9 | ROHM SEMICONDUCTOR |
SCS308AHGC9 THT Schottky diodes |
на замовлення 998 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| SCS308AMC | ROHM SEMICONDUCTOR |
SCS308AMC THT Schottky diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SCS310AMC | ROHM SEMICONDUCTOR |
SCS310AMC THT Schottky diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SCS312AHGC9 | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12A; TO220AC; Ir: 240uA Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Max. load current: 52A Max. forward voltage: 1.71V Load current: 12A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 350A Leakage current: 240µA Power dissipation: 78W Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Case: TO220AC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SCS312AJTLL | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; TO263AB; SiC; SMD; 650V; 12A; reel,tape Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Max. load current: 55A Max. forward voltage: 1.71V Load current: 12A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 350A Leakage current: 240µA Power dissipation: 88W Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Case: TO263AB кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SCS312AMC | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12A; TO220FP-2; 36W Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Max. load current: 34A Max. forward voltage: 1.71V Load current: 12A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 350A Leakage current: 240µA Power dissipation: 36W Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Case: TO220FP-2 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SCS315AHGC9 | ROHM SEMICONDUCTOR |
SCS315AHGC9 THT Schottky diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SCS315AMC | ROHM SEMICONDUCTOR |
SCS315AMC THT Schottky diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SCS320AHGC9 | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220AC; Ir: 400uA Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Case: TO220AC Max. off-state voltage: 650V Max. load current: 81A Max. forward voltage: 1.71V Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 0.45kA Leakage current: 0.4mA Power dissipation: 115W Kind of package: tube Technology: SiC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SCS320AMC | ROHM SEMICONDUCTOR |
SCS320AMC THT Schottky diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SCT2080KEGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
SCT2080KEGC11 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SCT2160KEGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
SCT2160KEGC11 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SCT2280KEGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 14A; Idm: 35A; 108W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 14A Pulsed drain current: 35A Power dissipation: 108W Case: TO247 Gate-source voltage: -6...22V On-state resistance: 364mΩ Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SCT2450KEC | ROHM SEMICONDUCTOR |
SCT2450KEC THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SCT2750NYTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
SCT2750NYTB SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SCT2H12NYTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
SCT2H12NYTB SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SCT2H12NZGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
SCT2H12NZGC11 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SCT3017ALGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 118A; Idm: 295A; 428W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 118A Pulsed drain current: 295A Power dissipation: 428W Case: TO247 Gate-source voltage: -4...22V On-state resistance: 22.1mΩ Mounting: THT Gate charge: 172nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: SiC кількість в упаковці: 30 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SCT3017ALHRC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 118A; Idm: 295A; 428W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 118A Pulsed drain current: 295A Power dissipation: 428W Case: TO247 Gate-source voltage: -4...22V On-state resistance: 22.1mΩ Mounting: THT Gate charge: 172nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: SiC кількість в упаковці: 30 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SCT3022ALGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
SCT3022ALGC11 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SCT3022ALHRC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
SCT3022ALHRC11 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SCT3022KLGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
SCT3022KLGC11 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SCT3022KLHRC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
SCT3022KLHRC11 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SCT3030ALGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 175A; 262W On-state resistance: 39mΩ Drain current: 70A Power dissipation: 262W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Drain-source voltage: 650V Case: TO247 Gate charge: 104nC Mounting: THT Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -4...22V Type of transistor: N-MOSFET Pulsed drain current: 175A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SCT3030ALHRC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 175A; 262W On-state resistance: 39mΩ Drain current: 70A Power dissipation: 262W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Drain-source voltage: 650V Case: TO247 Gate charge: 104nC Mounting: THT Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -4...22V Type of transistor: N-MOSFET Pulsed drain current: 175A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SCT3030ARC14 | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 175A; 262W On-state resistance: 39mΩ Drain current: 70A Power dissipation: 262W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Drain-source voltage: 650V Case: TO247-4 Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 104nC Mounting: THT Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -4...22V Type of transistor: N-MOSFET Pulsed drain current: 175A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SCT3030AW7TL | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 175A; 267W On-state resistance: 39mΩ Drain current: 70A Power dissipation: 267W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 650V Case: TO263-7 Gate charge: 104nC Mounting: SMD Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -4...22V Type of transistor: N-MOSFET Pulsed drain current: 175A кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SCT3030KLGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 72A; Idm: 180A; 339W On-state resistance: 39mΩ Drain current: 72A Power dissipation: 339W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Drain-source voltage: 1.2kV Case: TO247 Gate charge: 131nC Mounting: THT Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -4...22V Type of transistor: N-MOSFET Pulsed drain current: 180A кількість в упаковці: 30 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SCT3030KLHRC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 72A; Idm: 180A; 339W On-state resistance: 39mΩ Drain current: 72A Power dissipation: 339W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Drain-source voltage: 1.2kV Case: TO247 Gate charge: 131nC Mounting: THT Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -4...22V Type of transistor: N-MOSFET Pulsed drain current: 180A кількість в упаковці: 30 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SCT3040KLGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
SCT3040KLGC11 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SCT3040KLHRC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
SCT3040KLHRC11 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SCT3040KRC14 | ROHM SEMICONDUCTOR |
SCT3040KRC14 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SCT3040KW7TL | ROHM SEMICONDUCTOR |
SCT3040KW7TL SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SCT3060ALGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
SCT3060ALGC11 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SCT3060ALHRC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
SCT3060ALHRC11 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SCT3060ARC14 | ROHM SEMICONDUCTOR |
SCT3060ARC14 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SCT3060AW7TL | ROHM SEMICONDUCTOR |
SCT3060AW7TL SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SCT3080ALGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 30A; Idm: 75A; 134W; TO247 Case: TO247 Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: 650V Drain current: 30A On-state resistance: 0.104Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 134W Polarisation: unipolar Gate charge: 48nC Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -4...22V Pulsed drain current: 75A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SCT3080ARC14 | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 30A; Idm: 75A; 134W Case: TO247-4 Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: 650V Drain current: 30A On-state resistance: 0.104Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 134W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 48nC Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -4...22V Pulsed drain current: 75A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SCT3080KLGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 31A; 165W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 31A Power dissipation: 165W Case: TO247 On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SCT3080KLHRC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 31A; Idm: 77A; 165W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 31A Pulsed drain current: 77A Power dissipation: 165W Case: TO247 Gate-source voltage: -4...22V On-state resistance: 0.104Ω Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SCT3080KW7TL | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 75A; 159W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 30A Pulsed drain current: 75A Power dissipation: 159W Case: TO263-7 Gate-source voltage: -4...22V On-state resistance: 0.104Ω Mounting: SMD Gate charge: 60nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SCT3105KRC14 | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 24A; Idm: 60A; 134W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 24A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 134W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -4...22V On-state resistance: 137mΩ Mounting: THT Gate charge: 51nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SCT3120ALGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
SCT3120ALGC11 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
 |
SCT3160KLGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 17A; 103W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 17A Power dissipation: 103W Case: TO247 On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Gate charge: 42nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
| SCT3160KW7TL | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 17A; Idm: 42A; 100W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 17A Pulsed drain current: 42A Power dissipation: 100W Case: TO263-7 Gate-source voltage: -4...22V On-state resistance: 208mΩ Mounting: SMD Gate charge: 42nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SH8J31GZETB | ROHM SEMICONDUCTOR |
SH8J31GZETB Multi channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
 |
SH8J62TB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.5A; Idm: -18A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.5A Pulsed drain current: -18A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 84mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
SH8J65TB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -7A; Idm: -28A; 2W; SO8; ESD Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -7A Pulsed drain current: -28A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
SH8J66TB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -9A; Idm: -36A; 2W; SO8; ESD Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -9A Pulsed drain current: -36A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 24.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| SH8JB5TB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
SH8JB5TB1 Multi channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SH8JC5TB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
SH8JC5TB1 Multi channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SH8K11GZETB | ROHM SEMICONDUCTOR | SH8K11GZETB Multi channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SH8K25GZ0TB | ROHM SEMICONDUCTOR |
SH8K25GZ0TB Multi channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SH8K26GZ0TB | ROHM SEMICONDUCTOR |
SH8K26GZ0TB Multi channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SH8K32GZETB | ROHM SEMICONDUCTOR |
SH8K32GZETB Multi channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SH8K32TB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
SH8K32TB1 Multi channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| SCS304AMC |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220FP-2; Ir: 80uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Max. forward voltage: 1.71V
Max. load current: 17A
Max. forward impulse current: 100A
Leakage current: 80µA
Power dissipation: 26W
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220FP-2; Ir: 80uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Max. forward voltage: 1.71V
Max. load current: 17A
Max. forward impulse current: 100A
Leakage current: 80µA
Power dissipation: 26W
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SCS306AHGC9 |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
SCS306AHGC9 THT Schottky diodes
SCS306AHGC9 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SCS306AMC |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
SCS306AMC THT Schottky diodes
SCS306AMC THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SCS308AHGC9 |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
SCS308AHGC9 THT Schottky diodes
SCS308AHGC9 THT Schottky diodes
на замовлення 998 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 324.05 грн |
| 6+ | 204.58 грн |
| 15+ | 193.57 грн |
| SCS308AMC |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
SCS308AMC THT Schottky diodes
SCS308AMC THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SCS310AMC |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
SCS310AMC THT Schottky diodes
SCS310AMC THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SCS312AHGC9 |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12A; TO220AC; Ir: 240uA
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 52A
Max. forward voltage: 1.71V
Load current: 12A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 350A
Leakage current: 240µA
Power dissipation: 78W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO220AC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12A; TO220AC; Ir: 240uA
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 52A
Max. forward voltage: 1.71V
Load current: 12A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 350A
Leakage current: 240µA
Power dissipation: 78W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO220AC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SCS312AJTLL |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263AB; SiC; SMD; 650V; 12A; reel,tape
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 55A
Max. forward voltage: 1.71V
Load current: 12A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 350A
Leakage current: 240µA
Power dissipation: 88W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO263AB
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263AB; SiC; SMD; 650V; 12A; reel,tape
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 55A
Max. forward voltage: 1.71V
Load current: 12A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 350A
Leakage current: 240µA
Power dissipation: 88W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO263AB
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SCS312AMC |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12A; TO220FP-2; 36W
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 34A
Max. forward voltage: 1.71V
Load current: 12A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 350A
Leakage current: 240µA
Power dissipation: 36W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO220FP-2
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12A; TO220FP-2; 36W
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 34A
Max. forward voltage: 1.71V
Load current: 12A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 350A
Leakage current: 240µA
Power dissipation: 36W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO220FP-2
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SCS315AHGC9 |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
SCS315AHGC9 THT Schottky diodes
SCS315AHGC9 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SCS315AMC |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
SCS315AMC THT Schottky diodes
SCS315AMC THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SCS320AHGC9 |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220AC; Ir: 400uA
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Case: TO220AC
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 81A
Max. forward voltage: 1.71V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 0.45kA
Leakage current: 0.4mA
Power dissipation: 115W
Kind of package: tube
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220AC; Ir: 400uA
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Case: TO220AC
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 81A
Max. forward voltage: 1.71V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 0.45kA
Leakage current: 0.4mA
Power dissipation: 115W
Kind of package: tube
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SCS320AMC |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
SCS320AMC THT Schottky diodes
SCS320AMC THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SCT2080KEGC11 |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
SCT2080KEGC11 THT N channel transistors
SCT2080KEGC11 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SCT2160KEGC11 |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
SCT2160KEGC11 THT N channel transistors
SCT2160KEGC11 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SCT2280KEGC11 |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 14A; Idm: 35A; 108W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 108W
Case: TO247
Gate-source voltage: -6...22V
On-state resistance: 364mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 14A; Idm: 35A; 108W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 108W
Case: TO247
Gate-source voltage: -6...22V
On-state resistance: 364mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SCT2450KEC |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
SCT2450KEC THT N channel transistors
SCT2450KEC THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SCT2750NYTB |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
SCT2750NYTB SMD N channel transistors
SCT2750NYTB SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SCT2H12NYTB |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
SCT2H12NYTB SMD N channel transistors
SCT2H12NYTB SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SCT2H12NZGC11 |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
SCT2H12NZGC11 THT N channel transistors
SCT2H12NZGC11 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SCT3017ALGC11 |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 118A; Idm: 295A; 428W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 118A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 428W
Case: TO247
Gate-source voltage: -4...22V
On-state resistance: 22.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 172nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
кількість в упаковці: 30 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 118A; Idm: 295A; 428W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 118A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 428W
Case: TO247
Gate-source voltage: -4...22V
On-state resistance: 22.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 172nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
кількість в упаковці: 30 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SCT3017ALHRC11 |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 118A; Idm: 295A; 428W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 118A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 428W
Case: TO247
Gate-source voltage: -4...22V
On-state resistance: 22.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 172nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
кількість в упаковці: 30 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 118A; Idm: 295A; 428W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 118A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 428W
Case: TO247
Gate-source voltage: -4...22V
On-state resistance: 22.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 172nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
кількість в упаковці: 30 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SCT3022ALGC11 |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
SCT3022ALGC11 THT N channel transistors
SCT3022ALGC11 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SCT3022ALHRC11 |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
SCT3022ALHRC11 THT N channel transistors
SCT3022ALHRC11 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SCT3022KLGC11 |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
SCT3022KLGC11 THT N channel transistors
SCT3022KLGC11 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SCT3022KLHRC11 |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
SCT3022KLHRC11 THT N channel transistors
SCT3022KLHRC11 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SCT3030ALGC11 |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 175A; 262W
On-state resistance: 39mΩ
Drain current: 70A
Power dissipation: 262W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 650V
Case: TO247
Gate charge: 104nC
Mounting: THT
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...22V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 175A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 175A; 262W
On-state resistance: 39mΩ
Drain current: 70A
Power dissipation: 262W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 650V
Case: TO247
Gate charge: 104nC
Mounting: THT
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...22V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 175A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SCT3030ALHRC11 |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 175A; 262W
On-state resistance: 39mΩ
Drain current: 70A
Power dissipation: 262W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 650V
Case: TO247
Gate charge: 104nC
Mounting: THT
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...22V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 175A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 175A; 262W
On-state resistance: 39mΩ
Drain current: 70A
Power dissipation: 262W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 650V
Case: TO247
Gate charge: 104nC
Mounting: THT
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...22V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 175A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SCT3030ARC14 |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 175A; 262W
On-state resistance: 39mΩ
Drain current: 70A
Power dissipation: 262W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 650V
Case: TO247-4
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 104nC
Mounting: THT
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...22V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 175A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 175A; 262W
On-state resistance: 39mΩ
Drain current: 70A
Power dissipation: 262W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 650V
Case: TO247-4
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 104nC
Mounting: THT
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...22V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 175A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SCT3030AW7TL |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 175A; 267W
On-state resistance: 39mΩ
Drain current: 70A
Power dissipation: 267W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 650V
Case: TO263-7
Gate charge: 104nC
Mounting: SMD
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...22V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 175A
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 175A; 267W
On-state resistance: 39mΩ
Drain current: 70A
Power dissipation: 267W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 650V
Case: TO263-7
Gate charge: 104nC
Mounting: SMD
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...22V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 175A
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SCT3030KLGC11 |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 72A; Idm: 180A; 339W
On-state resistance: 39mΩ
Drain current: 72A
Power dissipation: 339W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Case: TO247
Gate charge: 131nC
Mounting: THT
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...22V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 180A
кількість в упаковці: 30 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 72A; Idm: 180A; 339W
On-state resistance: 39mΩ
Drain current: 72A
Power dissipation: 339W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Case: TO247
Gate charge: 131nC
Mounting: THT
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...22V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 180A
кількість в упаковці: 30 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SCT3030KLHRC11 |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 72A; Idm: 180A; 339W
On-state resistance: 39mΩ
Drain current: 72A
Power dissipation: 339W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Case: TO247
Gate charge: 131nC
Mounting: THT
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...22V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 180A
кількість в упаковці: 30 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 72A; Idm: 180A; 339W
On-state resistance: 39mΩ
Drain current: 72A
Power dissipation: 339W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Case: TO247
Gate charge: 131nC
Mounting: THT
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...22V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 180A
кількість в упаковці: 30 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SCT3040KLGC11 |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
SCT3040KLGC11 THT N channel transistors
SCT3040KLGC11 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SCT3040KLHRC11 |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
SCT3040KLHRC11 THT N channel transistors
SCT3040KLHRC11 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SCT3040KRC14 |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
SCT3040KRC14 THT N channel transistors
SCT3040KRC14 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SCT3040KW7TL |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
SCT3040KW7TL SMD N channel transistors
SCT3040KW7TL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SCT3060ALGC11 |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
SCT3060ALGC11 THT N channel transistors
SCT3060ALGC11 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SCT3060ALHRC11 |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
SCT3060ALHRC11 THT N channel transistors
SCT3060ALHRC11 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SCT3060ARC14 |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
SCT3060ARC14 THT N channel transistors
SCT3060ARC14 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SCT3060AW7TL |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
SCT3060AW7TL SMD N channel transistors
SCT3060AW7TL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SCT3080ALGC11 |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 30A; Idm: 75A; 134W; TO247
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
On-state resistance: 0.104Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 134W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 48nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...22V
Pulsed drain current: 75A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 30A; Idm: 75A; 134W; TO247
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
On-state resistance: 0.104Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 134W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 48nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...22V
Pulsed drain current: 75A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SCT3080ARC14 |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 30A; Idm: 75A; 134W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
On-state resistance: 0.104Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 134W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 48nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...22V
Pulsed drain current: 75A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 30A; Idm: 75A; 134W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
On-state resistance: 0.104Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 134W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 48nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...22V
Pulsed drain current: 75A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SCT3080KLGC11 |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 31A; 165W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 31A
Power dissipation: 165W
Case: TO247
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 31A; 165W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 31A
Power dissipation: 165W
Case: TO247
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SCT3080KLHRC11 |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 31A; Idm: 77A; 165W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 31A
Pulsed drain current: 77A
Power dissipation: 165W
Case: TO247
Gate-source voltage: -4...22V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 31A; Idm: 77A; 165W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 31A
Pulsed drain current: 77A
Power dissipation: 165W
Case: TO247
Gate-source voltage: -4...22V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SCT3080KW7TL |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 75A; 159W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 159W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -4...22V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 75A; 159W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 159W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -4...22V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SCT3105KRC14 |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 24A; Idm: 60A; 134W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 134W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...22V
On-state resistance: 137mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 24A; Idm: 60A; 134W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 134W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...22V
On-state resistance: 137mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SCT3120ALGC11 |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
SCT3120ALGC11 THT N channel transistors
SCT3120ALGC11 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SCT3160KLGC11 |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 17A; 103W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 17A
Power dissipation: 103W
Case: TO247
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 17A; 103W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 17A
Power dissipation: 103W
Case: TO247
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1397.96 грн |
| 2+ | 927.90 грн |
| 4+ | 844.91 грн |
| 10+ | 844.00 грн |
| SCT3160KW7TL |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 17A; Idm: 42A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 100W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -4...22V
On-state resistance: 208mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 17A; Idm: 42A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 100W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -4...22V
On-state resistance: 208mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SH8J31GZETB |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
SH8J31GZETB Multi channel transistors
SH8J31GZETB Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SH8J62TB1 |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.5A; Idm: -18A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 84mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.5A; Idm: -18A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 84mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SH8J65TB1 |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -7A; Idm: -28A; 2W; SO8; ESD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Pulsed drain current: -28A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -7A; Idm: -28A; 2W; SO8; ESD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Pulsed drain current: -28A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SH8J66TB1 |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -9A; Idm: -36A; 2W; SO8; ESD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -9A
Pulsed drain current: -36A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -9A; Idm: -36A; 2W; SO8; ESD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -9A
Pulsed drain current: -36A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SH8JB5TB1 |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
SH8JB5TB1 Multi channel transistors
SH8JB5TB1 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SH8JC5TB1 |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
SH8JC5TB1 Multi channel transistors
SH8JC5TB1 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SH8K11GZETB |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
SH8K11GZETB Multi channel transistors
SH8K11GZETB Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SH8K25GZ0TB |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
SH8K25GZ0TB Multi channel transistors
SH8K25GZ0TB Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SH8K26GZ0TB |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
SH8K26GZ0TB Multi channel transistors
SH8K26GZ0TB Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SH8K32GZETB |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
SH8K32GZETB Multi channel transistors
SH8K32GZETB Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SH8K32TB1 |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
SH8K32TB1 Multi channel transistors
SH8K32TB1 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.