Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ROHM SEMICONDUCTOR (102909) > Сторінка 1490 з 1716
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
RRE02VSM4STR | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RRE02VSM6STR | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RRE02VTM4SFHTR | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RRE02VTM6SFHTR | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RRE04EA4DFHTR | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RRE04EA6DTR | ROHM SEMICONDUCTOR | RRE04EA6DTR SMD universal diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RRE07VSM4STR | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RRE07VSM6STR | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RRE07VTM4SFHTR | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RRE07VTM6SFHTR | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RRF015P03TL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
на замовлення 1035 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
RRH050P03GZETB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 2W; SOP8; ESD Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -5A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 2W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
RRH090P03TB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
RRH100P03GZETB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; Idm: -40A; 2W; SOP8; ESD Polarisation: unipolar Case: SOP8 Kind of package: reel; tape Version: ESD Gate charge: 68nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -40A Type of transistor: P-MOSFET On-state resistance: 12.6mΩ Drain current: -10A Drain-source voltage: -30V Power dissipation: 2W Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
RRH100P03TB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; Idm: -40A; 2W; SOP8; ESD Polarisation: unipolar Case: SOP8 Kind of package: reel; tape Version: ESD Gate charge: 68nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -40A Type of transistor: P-MOSFET On-state resistance: 12.6mΩ Drain current: -10A Drain-source voltage: -30V Power dissipation: 2W Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
RRH140P03GZETB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RRH140P03TB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
RRL035P03FRATR | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.5A; Idm: -14A; 1W; SOT363 Mounting: SMD Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.5A On-state resistance: 50mΩ Type of transistor: P-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Version: ESD Gate charge: 14nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -14A Case: SOT363 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
RRL035P03TR | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.5A; Idm: -14A; 1W; SOT363 Mounting: SMD Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.5A On-state resistance: 50mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Version: ESD Gate charge: 8nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -14A Case: SOT363 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
RRQ030P03FRATR | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1.25W; SOT457 Polarisation: unipolar Type of transistor: P-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 1.25W Kind of package: reel; tape Version: ESD Gate charge: 5.2nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -12A Mounting: SMD Case: SOT457 Drain-source voltage: -30V Drain current: -3A On-state resistance: 75mΩ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
RRR030P03FRATL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1W; SOT346 Polarisation: unipolar Type of transistor: P-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 1W Kind of package: reel; tape Version: ESD Gate charge: 5.2nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -12A Mounting: SMD Case: SOT346 Drain-source voltage: -30V Drain current: -3A On-state resistance: 75mΩ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
RRR030P03HZGTL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1W; SOT346; ESD Mounting: SMD Case: SOT346 Drain-source voltage: -30V Drain current: -3A On-state resistance: 75mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Version: ESD Gate charge: 5.2nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -12A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
RRR040P03FRATL | ROHM SEMICONDUCTOR | RRR040P03FRATL SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RRS100P03HZGTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RS1E150GNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RS1E220ATTB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RS1E280BNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 112A; 30W; HSOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 80A Pulsed drain current: 112A Power dissipation: 30W Case: HSOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 94nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RS1E280GNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RS1E301GNTB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RS1E321GNTB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RS1E350BNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RS1G120MNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 34A; Idm: 48A; 25W; HSOP8 Mounting: SMD Case: HSOP8 Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 48A Drain-source voltage: 40V Drain current: 34A On-state resistance: 20.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 25W Polarisation: unipolar Gate charge: 9.4nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RS1G150MNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 43A; Idm: 60A; 25W; HSOP8 Mounting: SMD Case: HSOP8 Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 60A Drain-source voltage: 40V Drain current: 43A On-state resistance: 13.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 25W Polarisation: unipolar Gate charge: 15nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RS1G180MNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 57A; Idm: 72A; 30W; HSOP8 Mounting: SMD Case: HSOP8 Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 72A Drain-source voltage: 40V Drain current: 57A On-state resistance: 9.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 30W Polarisation: unipolar Gate charge: 19.5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RS1G201ATTB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -78A; Idm: -80A; 40W; HSOP8 Mounting: SMD Case: HSOP8 Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: -80A Drain-source voltage: -40V Drain current: -78A On-state resistance: 6.5mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 40W Polarisation: unipolar Gate charge: 130nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RS1G260MNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 104A; 35W; HSOP8 Mounting: SMD Case: HSOP8 Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 104A Drain-source voltage: 40V Drain current: 80A On-state resistance: 4.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 35W Polarisation: unipolar Gate charge: 44nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RS1G300GNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 120A; 35W; HSOP8 Mounting: SMD Case: HSOP8 Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 120A Drain-source voltage: 40V Drain current: 80A On-state resistance: 3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 35W Polarisation: unipolar Gate charge: 56.8nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RS1L120GNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RS1L145GNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RS1L151ATTB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RS1L180GNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; Idm: 72A; 39W; HSOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 68A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 39W Case: HSOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 63nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RS1P600BETB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RS3E075ATTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RS3E180ATTB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RS3G160ATTB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RS3L110ATTB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
RSA6.1ENTR | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: TVS array; 6.1÷7.2V; 200W; quadruple,common anode; SOT353 Type of diode: TVS array Mounting: SMD Semiconductor structure: common anode; quadruple Case: SOT353 Kind of package: reel; tape Version: ESD Peak pulse power dissipation: 0.2kW Breakdown voltage: 6.1...7.2V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1184 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
RSC002P03T316 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RSF010P05TL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RSF014N03TL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RSF015N06FRATL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 45V; 1.5A; Idm: 6A; 800mW; TUMT3 Mounting: SMD Case: TUMT3 Drain-source voltage: 45V Drain current: 1.5A On-state resistance: 0.35Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 2nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 6A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RSF015N06TL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.5A; Idm: 6A; 800mW; TUMT3 Mounting: SMD Case: TUMT3 Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.5A On-state resistance: 0.35Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 2nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 6A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
RSH065N06GZETB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.5A; Idm: 26A; 2W; SOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 6.5A Pulsed drain current: 26A Power dissipation: 2W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 48mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
RSH065N06TB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.5A; Idm: 26A; 2W; SOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 6.5A Pulsed drain current: 26A Power dissipation: 2W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 48mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
RSH070N05GZETB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RSH070N05TB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RSH070P05GZETB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RSH070P05TB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RSJ151P10TL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
RSJ250P10FRATL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; TO263 Drain-source voltage: -100V Drain current: -25A On-state resistance: 63mΩ Type of transistor: P-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Version: ESD Gate charge: 60nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -50A Mounting: SMD Case: TO263 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 159 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
RRE02VSM4STR |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RRE02VSM4STR SMD universal diodes
RRE02VSM4STR SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RRE02VSM6STR |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RRE02VSM6STR SMD universal diodes
RRE02VSM6STR SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RRE02VTM4SFHTR |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RRE02VTM4SFHTR SMD universal diodes
RRE02VTM4SFHTR SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RRE02VTM6SFHTR |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RRE02VTM6SFHTR SMD universal diodes
RRE02VTM6SFHTR SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RRE04EA4DFHTR |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RRE04EA4DFHTR SMD universal diodes
RRE04EA4DFHTR SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RRE04EA6DTR |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RRE04EA6DTR SMD universal diodes
RRE04EA6DTR SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RRE07VSM4STR |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RRE07VSM4STR SMD universal diodes
RRE07VSM4STR SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RRE07VSM6STR |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RRE07VSM6STR SMD universal diodes
RRE07VSM6STR SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RRE07VTM4SFHTR |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RRE07VTM4SFHTR SMD universal diodes
RRE07VTM4SFHTR SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RRE07VTM6SFHTR |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RRE07VTM6SFHTR SMD universal diodes
RRE07VTM6SFHTR SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RRF015P03TL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RRF015P03TL SMD P channel transistors
RRF015P03TL SMD P channel transistors
на замовлення 1035 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 41.07 грн |
100+ | 10.90 грн |
274+ | 10.31 грн |
RRH050P03GZETB |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 2W; SOP8; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 2W; SOP8; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RRH090P03TB1 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RRH090P03TB1 SMD P channel transistors
RRH090P03TB1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RRH100P03GZETB |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; Idm: -40A; 2W; SOP8; ESD
Polarisation: unipolar
Case: SOP8
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 68nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 12.6mΩ
Drain current: -10A
Drain-source voltage: -30V
Power dissipation: 2W
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; Idm: -40A; 2W; SOP8; ESD
Polarisation: unipolar
Case: SOP8
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 68nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 12.6mΩ
Drain current: -10A
Drain-source voltage: -30V
Power dissipation: 2W
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RRH100P03TB1 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; Idm: -40A; 2W; SOP8; ESD
Polarisation: unipolar
Case: SOP8
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 68nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 12.6mΩ
Drain current: -10A
Drain-source voltage: -30V
Power dissipation: 2W
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; Idm: -40A; 2W; SOP8; ESD
Polarisation: unipolar
Case: SOP8
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 68nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 12.6mΩ
Drain current: -10A
Drain-source voltage: -30V
Power dissipation: 2W
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RRH140P03GZETB |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RRH140P03GZETB SMD P channel transistors
RRH140P03GZETB SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RRH140P03TB1 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RRH140P03TB1 SMD P channel transistors
RRH140P03TB1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RRL035P03FRATR |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.5A; Idm: -14A; 1W; SOT363
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -14A
Case: SOT363
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.5A; Idm: -14A; 1W; SOT363
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -14A
Case: SOT363
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RRL035P03TR |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.5A; Idm: -14A; 1W; SOT363
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -14A
Case: SOT363
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.5A; Idm: -14A; 1W; SOT363
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -14A
Case: SOT363
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RRQ030P03FRATR |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1.25W; SOT457
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.25W
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 5.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -12A
Mounting: SMD
Case: SOT457
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
On-state resistance: 75mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1.25W; SOT457
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.25W
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 5.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -12A
Mounting: SMD
Case: SOT457
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
On-state resistance: 75mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RRR030P03FRATL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1W; SOT346
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1W
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 5.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -12A
Mounting: SMD
Case: SOT346
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
On-state resistance: 75mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1W; SOT346
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1W
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 5.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -12A
Mounting: SMD
Case: SOT346
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
On-state resistance: 75mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RRR030P03HZGTL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1W; SOT346; ESD
Mounting: SMD
Case: SOT346
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 5.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -12A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1W; SOT346; ESD
Mounting: SMD
Case: SOT346
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 5.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -12A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 64.96 грн |
10+ | 41.72 грн |
56+ | 19.58 грн |
153+ | 18.47 грн |
6000+ | 17.72 грн |
RRR040P03FRATL |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RRR040P03FRATL SMD P channel transistors
RRR040P03FRATL SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RRS100P03HZGTB |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RRS100P03HZGTB SMD P channel transistors
RRS100P03HZGTB SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RS1E150GNTB |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1E150GNTB SMD N channel transistors
RS1E150GNTB SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RS1E220ATTB1 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1E220ATTB1 SMD P channel transistors
RS1E220ATTB1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RS1E280BNTB |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 112A; 30W; HSOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 30W
Case: HSOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 112A; 30W; HSOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 30W
Case: HSOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RS1E280GNTB |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1E280GNTB SMD N channel transistors
RS1E280GNTB SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RS1E301GNTB1 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1E301GNTB1 SMD N channel transistors
RS1E301GNTB1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RS1E321GNTB1 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1E321GNTB1 SMD N channel transistors
RS1E321GNTB1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RS1E350BNTB |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1E350BNTB SMD N channel transistors
RS1E350BNTB SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RS1G120MNTB |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 34A; Idm: 48A; 25W; HSOP8
Mounting: SMD
Case: HSOP8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 48A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 34A
On-state resistance: 20.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 34A; Idm: 48A; 25W; HSOP8
Mounting: SMD
Case: HSOP8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 48A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 34A
On-state resistance: 20.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RS1G150MNTB |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 43A; Idm: 60A; 25W; HSOP8
Mounting: SMD
Case: HSOP8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 43A
On-state resistance: 13.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 43A; Idm: 60A; 25W; HSOP8
Mounting: SMD
Case: HSOP8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 43A
On-state resistance: 13.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RS1G180MNTB |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 57A; Idm: 72A; 30W; HSOP8
Mounting: SMD
Case: HSOP8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 57A
On-state resistance: 9.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 57A; Idm: 72A; 30W; HSOP8
Mounting: SMD
Case: HSOP8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 57A
On-state resistance: 9.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RS1G201ATTB1 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -78A; Idm: -80A; 40W; HSOP8
Mounting: SMD
Case: HSOP8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -80A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -78A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -78A; Idm: -80A; 40W; HSOP8
Mounting: SMD
Case: HSOP8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -80A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -78A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RS1G260MNTB |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 104A; 35W; HSOP8
Mounting: SMD
Case: HSOP8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 104A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
On-state resistance: 4.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 104A; 35W; HSOP8
Mounting: SMD
Case: HSOP8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 104A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
On-state resistance: 4.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RS1G300GNTB |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 120A; 35W; HSOP8
Mounting: SMD
Case: HSOP8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 120A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
On-state resistance: 3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 120A; 35W; HSOP8
Mounting: SMD
Case: HSOP8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 120A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
On-state resistance: 3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RS1L120GNTB |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1L120GNTB SMD N channel transistors
RS1L120GNTB SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RS1L145GNTB |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1L145GNTB SMD N channel transistors
RS1L145GNTB SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RS1L151ATTB1 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1L151ATTB1 SMD P channel transistors
RS1L151ATTB1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RS1L180GNTB |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; Idm: 72A; 39W; HSOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 68A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 39W
Case: HSOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; Idm: 72A; 39W; HSOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 68A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 39W
Case: HSOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RS1P600BETB1 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1P600BETB1 SMD N channel transistors
RS1P600BETB1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RS3E075ATTB |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RS3E075ATTB SMD P channel transistors
RS3E075ATTB SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RS3E180ATTB1 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RS3E180ATTB1 SMD P channel transistors
RS3E180ATTB1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RS3G160ATTB1 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RS3G160ATTB1 SMD P channel transistors
RS3G160ATTB1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RS3L110ATTB1 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RS3L110ATTB1 SMD P channel transistors
RS3L110ATTB1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSA6.1ENTR |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.1÷7.2V; 200W; quadruple,common anode; SOT353
Type of diode: TVS array
Mounting: SMD
Semiconductor structure: common anode; quadruple
Case: SOT353
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 0.2kW
Breakdown voltage: 6.1...7.2V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.1÷7.2V; 200W; quadruple,common anode; SOT353
Type of diode: TVS array
Mounting: SMD
Semiconductor structure: common anode; quadruple
Case: SOT353
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 0.2kW
Breakdown voltage: 6.1...7.2V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1184 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 41.97 грн |
11+ | 27.46 грн |
100+ | 17.45 грн |
160+ | 6.77 грн |
440+ | 6.40 грн |
15000+ | 6.22 грн |
RSC002P03T316 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RSC002P03T316 SMD P channel transistors
RSC002P03T316 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSF010P05TL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RSF010P05TL SMD P channel transistors
RSF010P05TL SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSF014N03TL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RSF014N03TL SMD N channel transistors
RSF014N03TL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSF015N06FRATL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 45V; 1.5A; Idm: 6A; 800mW; TUMT3
Mounting: SMD
Case: TUMT3
Drain-source voltage: 45V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 6A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 45V; 1.5A; Idm: 6A; 800mW; TUMT3
Mounting: SMD
Case: TUMT3
Drain-source voltage: 45V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 6A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSF015N06TL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.5A; Idm: 6A; 800mW; TUMT3
Mounting: SMD
Case: TUMT3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 6A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.5A; Idm: 6A; 800mW; TUMT3
Mounting: SMD
Case: TUMT3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 6A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSH065N06GZETB |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.5A; Idm: 26A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 48mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.5A; Idm: 26A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 48mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSH065N06TB1 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.5A; Idm: 26A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 48mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.5A; Idm: 26A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 48mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSH070N05GZETB |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RSH070N05GZETB SMD N channel transistors
RSH070N05GZETB SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSH070N05TB1 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RSH070N05TB1 SMD N channel transistors
RSH070N05TB1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSH070P05GZETB |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RSH070P05GZETB SMD P channel transistors
RSH070P05GZETB SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSH070P05TB1 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RSH070P05TB1 SMD P channel transistors
RSH070P05TB1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSJ151P10TL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RSJ151P10TL SMD P channel transistors
RSJ151P10TL SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSJ250P10FRATL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; TO263
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -25A
On-state resistance: 63mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -50A
Mounting: SMD
Case: TO263
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; TO263
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -25A
On-state resistance: 63mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -50A
Mounting: SMD
Case: TO263
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 159 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 183.87 грн |
10+ | 128.16 грн |
12+ | 92.79 грн |
33+ | 87.23 грн |
200+ | 83.51 грн |