Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ROHM SEMICONDUCTOR (102266) > Сторінка 1490 з 1705
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SCS220AEC | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-3; 130W; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Case: TO247-3 Max. forward voltage: 1.55V Max. load current: 81A Max. forward impulse current: 260A Power dissipation: 130W Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
![]() |
SCS220AGC | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220AC; 136W; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Case: TO220AC Max. forward voltage: 1.55V Max. load current: 81A Max. forward impulse current: 260A Power dissipation: 136W Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
SCS220AJHRTLL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; TO263AB; SiC; SMD; 650V; 20A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Case: TO263AB Max. forward voltage: 1.63V Max. load current: 71A Max. forward impulse current: 260A Leakage current: 0.4mA Power dissipation: 100W Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SCS220AJTLL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; TO263AB; SiC; SMD; 650V; 20A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Case: TO263AB Max. forward voltage: 1.63V Max. load current: 71A Max. forward impulse current: 260A Leakage current: 0.4mA Power dissipation: 100W Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
![]() |
SCS220AMC | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220FP-2; 40W Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Case: TO220FP-2 Max. forward voltage: 1.55V Max. load current: 41A Max. forward impulse current: 260A Power dissipation: 40W Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
![]() |
SCS220KE2GC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; 270W Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO247-3 Max. forward voltage: 1.9V Max. load current: 94A Max. forward impulse current: 0.32kA Leakage current: 0.2mA Power dissipation: 270W Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
![]() |
SCS220KGC | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220AC; 210W Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Case: TO220AC Max. forward voltage: 1.6V Max. load current: 83A Max. forward impulse current: 310A Power dissipation: 210W Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
SCS220KGC17 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220AC; Ir: 400uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Case: TO220AC Max. forward voltage: 1.9V Max. load current: 83A Max. forward impulse current: 310A Leakage current: 0.4mA Power dissipation: 210W Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SCS230AE2GC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SCS230KE2C | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SCS240AE2GC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SCS240AE2HRC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SCS240KE2C | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SCS240KE2GC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SCS304AJTLL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; TO263AB; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Case: TO263AB Max. forward voltage: 1.71V Max. load current: 21A Max. forward impulse current: 100A Leakage current: 80µA Power dissipation: 37W Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SCS304AMC | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220FP-2; Ir: 80uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Case: TO220FP-2 Max. forward voltage: 1.71V Max. load current: 17A Max. forward impulse current: 100A Leakage current: 80µA Power dissipation: 26W Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SCS306AHGC9 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SCS306AMC | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SCS308AHGC9 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
на замовлення 998 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||
SCS308AMC | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SCS310AMC | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SCS312AHGC9 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SCS312AJTLL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; TO263AB; SiC; SMD; 650V; 12A; reel,tape Case: TO263AB Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 350A Leakage current: 240µA Power dissipation: 88W Max. forward voltage: 1.71V Max. load current: 55A Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Load current: 12A Max. off-state voltage: 650V Semiconductor structure: single diode кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SCS312AMC | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SCS315AHGC9 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SCS315AMC | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SCS320AHGC9 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SCS320AMC | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SCT2080KEGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SCT2160KEGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SCT2280KEGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 14A; Idm: 35A; 108W Technology: SiC Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 14A On-state resistance: 364mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 108W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 36nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -6...22V Pulsed drain current: 35A Mounting: THT Case: TO247 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SCT2450KEC | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SCT2750NYTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SCT2H12NYTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SCT2H12NZGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SCT3017ALGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 118A; Idm: 295A; 428W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 118A Pulsed drain current: 295A Power dissipation: 428W Case: TO247 Gate-source voltage: -4...22V On-state resistance: 22.1mΩ Mounting: THT Gate charge: 172nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: SiC кількість в упаковці: 30 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SCT3017ALHRC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 118A; Idm: 295A; 428W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 118A Pulsed drain current: 295A Power dissipation: 428W Case: TO247 Gate-source voltage: -4...22V On-state resistance: 22.1mΩ Mounting: THT Gate charge: 172nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: SiC кількість в упаковці: 30 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SCT3022ALGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SCT3022ALHRC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SCT3022KLGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SCT3022KLHRC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SCT3030ALGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 175A; 262W On-state resistance: 39mΩ Drain current: 70A Power dissipation: 262W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Drain-source voltage: 650V Case: TO247 Gate charge: 104nC Mounting: THT Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -4...22V Type of transistor: N-MOSFET Pulsed drain current: 175A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SCT3030ALHRC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 175A; 262W On-state resistance: 39mΩ Drain current: 70A Power dissipation: 262W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Drain-source voltage: 650V Case: TO247 Gate charge: 104nC Mounting: THT Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -4...22V Type of transistor: N-MOSFET Pulsed drain current: 175A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SCT3030ARC14 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 175A; 262W On-state resistance: 39mΩ Drain current: 70A Power dissipation: 262W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Drain-source voltage: 650V Case: TO247-4 Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 104nC Mounting: THT Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -4...22V Type of transistor: N-MOSFET Pulsed drain current: 175A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SCT3030AW7TL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 175A; 267W On-state resistance: 39mΩ Drain current: 70A Power dissipation: 267W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 650V Case: TO263-7 Gate charge: 104nC Mounting: SMD Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -4...22V Type of transistor: N-MOSFET Pulsed drain current: 175A кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SCT3030KLGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 72A; Idm: 180A; 339W On-state resistance: 39mΩ Drain current: 72A Power dissipation: 339W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Drain-source voltage: 1.2kV Case: TO247 Gate charge: 131nC Mounting: THT Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -4...22V Type of transistor: N-MOSFET Pulsed drain current: 180A кількість в упаковці: 30 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SCT3030KLHRC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 72A; Idm: 180A; 339W On-state resistance: 39mΩ Drain current: 72A Power dissipation: 339W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Drain-source voltage: 1.2kV Case: TO247 Gate charge: 131nC Mounting: THT Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -4...22V Type of transistor: N-MOSFET Pulsed drain current: 180A кількість в упаковці: 30 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SCT3040KLGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SCT3040KLHRC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SCT3040KRC14 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SCT3040KW7TL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SCT3060ALGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SCT3060ALHRC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SCT3060ARC14 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SCT3060AW7TL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SCT3080ALGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 30A; Idm: 75A; 134W; TO247 Case: TO247 Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: 650V Drain current: 30A On-state resistance: 0.104Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 134W Polarisation: unipolar Gate charge: 48nC Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -4...22V Pulsed drain current: 75A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SCT3080ARC14 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 30A; Idm: 75A; 134W Case: TO247-4 Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: 650V Drain current: 30A On-state resistance: 0.104Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 134W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 48nC Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -4...22V Pulsed drain current: 75A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SCT3080KLGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 31A; 165W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 31A Power dissipation: 165W Case: TO247 On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SCT3080KLHRC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 31A; Idm: 77A; 165W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 31A Pulsed drain current: 77A Power dissipation: 165W Case: TO247 Gate-source voltage: -4...22V On-state resistance: 0.104Ω Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SCT3080KW7TL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 75A; 159W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 30A Pulsed drain current: 75A Power dissipation: 159W Case: TO263-7 Gate-source voltage: -4...22V On-state resistance: 0.104Ω Mounting: SMD Gate charge: 60nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
SCS220AEC |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-3; 130W; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.55V
Max. load current: 81A
Max. forward impulse current: 260A
Power dissipation: 130W
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-3; 130W; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.55V
Max. load current: 81A
Max. forward impulse current: 260A
Power dissipation: 130W
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCS220AGC |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220AC; 136W; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 1.55V
Max. load current: 81A
Max. forward impulse current: 260A
Power dissipation: 136W
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220AC; 136W; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 1.55V
Max. load current: 81A
Max. forward impulse current: 260A
Power dissipation: 136W
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCS220AJHRTLL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263AB; SiC; SMD; 650V; 20A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO263AB
Max. forward voltage: 1.63V
Max. load current: 71A
Max. forward impulse current: 260A
Leakage current: 0.4mA
Power dissipation: 100W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263AB; SiC; SMD; 650V; 20A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO263AB
Max. forward voltage: 1.63V
Max. load current: 71A
Max. forward impulse current: 260A
Leakage current: 0.4mA
Power dissipation: 100W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCS220AJTLL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263AB; SiC; SMD; 650V; 20A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO263AB
Max. forward voltage: 1.63V
Max. load current: 71A
Max. forward impulse current: 260A
Leakage current: 0.4mA
Power dissipation: 100W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263AB; SiC; SMD; 650V; 20A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO263AB
Max. forward voltage: 1.63V
Max. load current: 71A
Max. forward impulse current: 260A
Leakage current: 0.4mA
Power dissipation: 100W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCS220AMC |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220FP-2; 40W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Max. forward voltage: 1.55V
Max. load current: 41A
Max. forward impulse current: 260A
Power dissipation: 40W
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220FP-2; 40W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Max. forward voltage: 1.55V
Max. load current: 41A
Max. forward impulse current: 260A
Power dissipation: 40W
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCS220KE2GC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; 270W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.9V
Max. load current: 94A
Max. forward impulse current: 0.32kA
Leakage current: 0.2mA
Power dissipation: 270W
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; 270W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.9V
Max. load current: 94A
Max. forward impulse current: 0.32kA
Leakage current: 0.2mA
Power dissipation: 270W
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCS220KGC |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220AC; 210W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 1.6V
Max. load current: 83A
Max. forward impulse current: 310A
Power dissipation: 210W
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220AC; 210W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 1.6V
Max. load current: 83A
Max. forward impulse current: 310A
Power dissipation: 210W
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCS220KGC17 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220AC; Ir: 400uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 1.9V
Max. load current: 83A
Max. forward impulse current: 310A
Leakage current: 0.4mA
Power dissipation: 210W
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220AC; Ir: 400uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 1.9V
Max. load current: 83A
Max. forward impulse current: 310A
Leakage current: 0.4mA
Power dissipation: 210W
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCS230AE2GC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
SCS230AE2GC11 THT Schottky diodes
SCS230AE2GC11 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCS230KE2C |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
SCS230KE2C THT Schottky diodes
SCS230KE2C THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCS240AE2GC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
SCS240AE2GC11 THT Schottky diodes
SCS240AE2GC11 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCS240AE2HRC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
SCS240AE2HRC11 THT Schottky diodes
SCS240AE2HRC11 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCS240KE2C |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
SCS240KE2C THT Schottky diodes
SCS240KE2C THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCS240KE2GC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
SCS240KE2GC11 THT Schottky diodes
SCS240KE2GC11 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCS304AJTLL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263AB; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO263AB
Max. forward voltage: 1.71V
Max. load current: 21A
Max. forward impulse current: 100A
Leakage current: 80µA
Power dissipation: 37W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263AB; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO263AB
Max. forward voltage: 1.71V
Max. load current: 21A
Max. forward impulse current: 100A
Leakage current: 80µA
Power dissipation: 37W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCS304AMC |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220FP-2; Ir: 80uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Max. forward voltage: 1.71V
Max. load current: 17A
Max. forward impulse current: 100A
Leakage current: 80µA
Power dissipation: 26W
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220FP-2; Ir: 80uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Max. forward voltage: 1.71V
Max. load current: 17A
Max. forward impulse current: 100A
Leakage current: 80µA
Power dissipation: 26W
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCS306AHGC9 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
SCS306AHGC9 THT Schottky diodes
SCS306AHGC9 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCS306AMC |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
SCS306AMC THT Schottky diodes
SCS306AMC THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCS308AHGC9 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
SCS308AHGC9 THT Schottky diodes
SCS308AHGC9 THT Schottky diodes
на замовлення 998 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 324.83 грн |
6+ | 205.07 грн |
15+ | 194.04 грн |
SCS308AMC |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
SCS308AMC THT Schottky diodes
SCS308AMC THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCS310AMC |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
SCS310AMC THT Schottky diodes
SCS310AMC THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCS312AHGC9 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
SCS312AHGC9 THT Schottky diodes
SCS312AHGC9 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCS312AJTLL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263AB; SiC; SMD; 650V; 12A; reel,tape
Case: TO263AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 350A
Leakage current: 240µA
Power dissipation: 88W
Max. forward voltage: 1.71V
Max. load current: 55A
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Load current: 12A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263AB; SiC; SMD; 650V; 12A; reel,tape
Case: TO263AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 350A
Leakage current: 240µA
Power dissipation: 88W
Max. forward voltage: 1.71V
Max. load current: 55A
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Load current: 12A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCS312AMC |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
SCS312AMC THT Schottky diodes
SCS312AMC THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCS315AHGC9 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
SCS315AHGC9 THT Schottky diodes
SCS315AHGC9 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCS315AMC |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
SCS315AMC THT Schottky diodes
SCS315AMC THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCS320AHGC9 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
SCS320AHGC9 THT Schottky diodes
SCS320AHGC9 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCS320AMC |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
SCS320AMC THT Schottky diodes
SCS320AMC THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT2080KEGC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
SCT2080KEGC11 THT N channel transistors
SCT2080KEGC11 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT2160KEGC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
SCT2160KEGC11 THT N channel transistors
SCT2160KEGC11 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT2280KEGC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 14A; Idm: 35A; 108W
Technology: SiC
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 14A
On-state resistance: 364mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 108W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -6...22V
Pulsed drain current: 35A
Mounting: THT
Case: TO247
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 14A; Idm: 35A; 108W
Technology: SiC
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 14A
On-state resistance: 364mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 108W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -6...22V
Pulsed drain current: 35A
Mounting: THT
Case: TO247
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT2450KEC |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
SCT2450KEC THT N channel transistors
SCT2450KEC THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT2750NYTB |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
SCT2750NYTB SMD N channel transistors
SCT2750NYTB SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT2H12NYTB |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
SCT2H12NYTB SMD N channel transistors
SCT2H12NYTB SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT2H12NZGC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
SCT2H12NZGC11 THT N channel transistors
SCT2H12NZGC11 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT3017ALGC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 118A; Idm: 295A; 428W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 118A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 428W
Case: TO247
Gate-source voltage: -4...22V
On-state resistance: 22.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 172nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
кількість в упаковці: 30 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 118A; Idm: 295A; 428W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 118A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 428W
Case: TO247
Gate-source voltage: -4...22V
On-state resistance: 22.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 172nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
кількість в упаковці: 30 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT3017ALHRC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 118A; Idm: 295A; 428W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 118A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 428W
Case: TO247
Gate-source voltage: -4...22V
On-state resistance: 22.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 172nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
кількість в упаковці: 30 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 118A; Idm: 295A; 428W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 118A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 428W
Case: TO247
Gate-source voltage: -4...22V
On-state resistance: 22.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 172nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
кількість в упаковці: 30 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT3022ALGC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
SCT3022ALGC11 THT N channel transistors
SCT3022ALGC11 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT3022ALHRC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
SCT3022ALHRC11 THT N channel transistors
SCT3022ALHRC11 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT3022KLGC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
SCT3022KLGC11 THT N channel transistors
SCT3022KLGC11 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT3022KLHRC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
SCT3022KLHRC11 THT N channel transistors
SCT3022KLHRC11 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT3030ALGC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 175A; 262W
On-state resistance: 39mΩ
Drain current: 70A
Power dissipation: 262W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 650V
Case: TO247
Gate charge: 104nC
Mounting: THT
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...22V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 175A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 175A; 262W
On-state resistance: 39mΩ
Drain current: 70A
Power dissipation: 262W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 650V
Case: TO247
Gate charge: 104nC
Mounting: THT
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...22V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 175A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT3030ALHRC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 175A; 262W
On-state resistance: 39mΩ
Drain current: 70A
Power dissipation: 262W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 650V
Case: TO247
Gate charge: 104nC
Mounting: THT
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...22V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 175A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 175A; 262W
On-state resistance: 39mΩ
Drain current: 70A
Power dissipation: 262W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 650V
Case: TO247
Gate charge: 104nC
Mounting: THT
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...22V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 175A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT3030ARC14 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 175A; 262W
On-state resistance: 39mΩ
Drain current: 70A
Power dissipation: 262W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 650V
Case: TO247-4
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 104nC
Mounting: THT
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...22V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 175A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 175A; 262W
On-state resistance: 39mΩ
Drain current: 70A
Power dissipation: 262W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 650V
Case: TO247-4
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 104nC
Mounting: THT
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...22V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 175A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT3030AW7TL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 175A; 267W
On-state resistance: 39mΩ
Drain current: 70A
Power dissipation: 267W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 650V
Case: TO263-7
Gate charge: 104nC
Mounting: SMD
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...22V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 175A
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 175A; 267W
On-state resistance: 39mΩ
Drain current: 70A
Power dissipation: 267W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 650V
Case: TO263-7
Gate charge: 104nC
Mounting: SMD
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...22V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 175A
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT3030KLGC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 72A; Idm: 180A; 339W
On-state resistance: 39mΩ
Drain current: 72A
Power dissipation: 339W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Case: TO247
Gate charge: 131nC
Mounting: THT
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...22V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 180A
кількість в упаковці: 30 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 72A; Idm: 180A; 339W
On-state resistance: 39mΩ
Drain current: 72A
Power dissipation: 339W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Case: TO247
Gate charge: 131nC
Mounting: THT
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...22V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 180A
кількість в упаковці: 30 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT3030KLHRC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 72A; Idm: 180A; 339W
On-state resistance: 39mΩ
Drain current: 72A
Power dissipation: 339W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Case: TO247
Gate charge: 131nC
Mounting: THT
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...22V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 180A
кількість в упаковці: 30 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 72A; Idm: 180A; 339W
On-state resistance: 39mΩ
Drain current: 72A
Power dissipation: 339W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Case: TO247
Gate charge: 131nC
Mounting: THT
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...22V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 180A
кількість в упаковці: 30 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT3040KLGC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
SCT3040KLGC11 THT N channel transistors
SCT3040KLGC11 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT3040KLHRC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
SCT3040KLHRC11 THT N channel transistors
SCT3040KLHRC11 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT3040KRC14 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
SCT3040KRC14 THT N channel transistors
SCT3040KRC14 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT3040KW7TL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
SCT3040KW7TL SMD N channel transistors
SCT3040KW7TL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT3060ALGC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
SCT3060ALGC11 THT N channel transistors
SCT3060ALGC11 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT3060ALHRC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
SCT3060ALHRC11 THT N channel transistors
SCT3060ALHRC11 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT3060ARC14 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
SCT3060ARC14 THT N channel transistors
SCT3060ARC14 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT3060AW7TL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
SCT3060AW7TL SMD N channel transistors
SCT3060AW7TL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT3080ALGC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 30A; Idm: 75A; 134W; TO247
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
On-state resistance: 0.104Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 134W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 48nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...22V
Pulsed drain current: 75A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 30A; Idm: 75A; 134W; TO247
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
On-state resistance: 0.104Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 134W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 48nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...22V
Pulsed drain current: 75A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT3080ARC14 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 30A; Idm: 75A; 134W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
On-state resistance: 0.104Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 134W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 48nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...22V
Pulsed drain current: 75A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 30A; Idm: 75A; 134W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
On-state resistance: 0.104Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 134W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 48nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...22V
Pulsed drain current: 75A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT3080KLGC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 31A; 165W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 31A
Power dissipation: 165W
Case: TO247
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 31A; 165W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 31A
Power dissipation: 165W
Case: TO247
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT3080KLHRC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 31A; Idm: 77A; 165W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 31A
Pulsed drain current: 77A
Power dissipation: 165W
Case: TO247
Gate-source voltage: -4...22V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 31A; Idm: 77A; 165W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 31A
Pulsed drain current: 77A
Power dissipation: 165W
Case: TO247
Gate-source voltage: -4...22V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT3080KW7TL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 75A; 159W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 159W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -4...22V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 75A; 159W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 159W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -4...22V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.