Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ROHM SEMICONDUCTOR (102058) > Сторінка 881 з 1701

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 170 340 510 680 850 876 877 878 879 880 881 882 883 884 885 886 1020 1190 1360 1530 1700 1701  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RFN6BGE2DTL RFN6BGE2DTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RFN6BGE2D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SUPER FAST RECOVERY DIODE. RFN6B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RFN6BGE2DTL RFN6BGE2DTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RFN6BGE2D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SUPER FAST RECOVERY DIODE. RFN6B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.11 грн
10+90.12 грн
100+70.10 грн
500+55.76 грн
1000+45.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RF601BGE2DTL RF601BGE2DTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RF601BGE2D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARRAY GP 200V 3A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF601BGE2DTL RF601BGE2DTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RF601BGE2D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARRAY GP 200V 3A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.82 грн
10+91.19 грн
100+70.98 грн
500+56.46 грн
1000+45.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RB088BGE-40TL RB088BGE-40TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB088BGE-40&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 5A TO-252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB088BGE-40TL RB088BGE-40TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB088BGE-40&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 5A TO-252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 40 V
на замовлення 2294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+164.36 грн
10+98.41 грн
100+68.42 грн
500+51.27 грн
1000+49.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE-40TL RB098BGE-40TL Rohm Semiconductor rb098bge-40tl-e.pdf Description: SUPER LOW IR TYPE SCHOTTKY BARRI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE-40TL RB098BGE-40TL Rohm Semiconductor rb098bge-40tl-e.pdf Description: SUPER LOW IR TYPE SCHOTTKY BARRI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB085BGE-90TL RB085BGE-90TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB085BGE-90&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 90V 5A TO-252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 830 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 90 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB085BGE-90TL RB085BGE-90TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB085BGE-90&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 90V 5A TO-252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 830 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 90 V
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.20 грн
10+116.69 грн
100+79.78 грн
500+60.08 грн
1000+59.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RBR20BGE30ATL RBR20BGE30ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBR20BGE30A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 30V, 20A, TO-252, CATHODE COMMON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBR20BGE30ATL RBR20BGE30ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBR20BGE30A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 30V, 20A, TO-252, CATHODE COMMON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 30 V
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.73 грн
10+149.91 грн
100+120.49 грн
500+92.91 грн
1000+77.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RB088BGE-30TL RB088BGE-30TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB088BGE-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 5A TO-252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB088BGE-30TL RB088BGE-30TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB088BGE-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 5A TO-252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 30 V
на замовлення 1882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.39 грн
10+112.10 грн
100+76.54 грн
500+57.55 грн
1000+56.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ20BGE65ATL RBQ20BGE65ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ20BGE65A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 65V 20A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 65 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ20BGE65ATL RBQ20BGE65ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ20BGE65A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 65V 20A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 65 V
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+163.51 грн
10+130.96 грн
100+104.25 грн
500+82.79 грн
1000+70.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RBR20BGE60ATL RBR20BGE60ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBR20BGE60A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 20A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 590 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBR20BGE60ATL RBR20BGE60ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBR20BGE60A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 20A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 590 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 µA @ 60 V
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.49 грн
10+128.18 грн
100+93.46 грн
500+72.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE-60TL RB098BGE-60TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB098BGE-60&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 6A TO-252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 6A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 830 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE-60TL RB098BGE-60TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB098BGE-60&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 6A TO-252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 6A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 830 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 µA @ 60 V
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.02 грн
10+105.87 грн
100+71.89 грн
500+53.79 грн
1000+49.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE-30TL RB098BGE-30TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB098BGE-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SUPER LOW IR TYPE SCHOTTKY BARRI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 µA @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+65.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE-30TL RB098BGE-30TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB098BGE-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SUPER LOW IR TYPE SCHOTTKY BARRI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 µA @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.00 грн
10+114.32 грн
100+91.89 грн
500+70.85 грн
1000+58.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RB085BGE-60TL RB085BGE-60TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB085BGE-60&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 5A TO-252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB085BGE-60TL RB085BGE-60TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB085BGE-60&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 5A TO-252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 60 V
на замовлення 3776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.54 грн
10+111.86 грн
100+76.32 грн
500+57.37 грн
1000+56.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE100TL RB098BGE100TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB098BGE100&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 100V, 6A, TO-252, CATHODE COMMON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE100TL RB098BGE100TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB098BGE100&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 100V, 6A, TO-252, CATHODE COMMON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 100 V
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.03 грн
10+128.83 грн
100+103.49 грн
500+79.80 грн
1000+66.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ15BGE10ATL RBQ15BGE10ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ15BGE10A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOT 100V 15A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ15BGE10ATL RBQ15BGE10ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ15BGE10A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOT 100V 15A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.16 грн
10+134.08 грн
100+96.31 грн
500+75.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RB088BGE100TL RB088BGE100TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB088BGE100&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 5A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 870 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB088BGE100TL RB088BGE100TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB088BGE100&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 5A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 870 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.57 грн
10+122.68 грн
100+84.20 грн
500+63.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE150TL RB098BGE150TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB098BGE150&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 150V, 6A, TO-252, CATHODE COMMON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 830 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 7 µA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE150TL RB098BGE150TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB098BGE150&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 150V, 6A, TO-252, CATHODE COMMON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 830 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 7 µA @ 150 V
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.29 грн
10+132.36 грн
100+106.35 грн
500+82.01 грн
1000+68.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10BGE10ATL RBQ10BGE10ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ10BGE10A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOT 100V 10A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10BGE10ATL RBQ10BGE10ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ10BGE10A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOT 100V 10A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+166.91 грн
10+107.43 грн
100+74.31 грн
500+55.79 грн
1000+54.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RB088BGE-60TL RB088BGE-60TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB088BGE-60&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 5A TO-252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 830 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB088BGE-60TL RB088BGE-60TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB088BGE-60&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 5A TO-252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 830 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 60 V
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+164.36 грн
10+100.95 грн
100+68.52 грн
500+51.27 грн
1000+49.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RBR10BGE40ATL RBR10BGE40ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBR10BGE40A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 10A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 40 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RBR10BGE40ATL RBR10BGE40ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBR10BGE40A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 10A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 40 V
на замовлення 4987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+108.15 грн
10+70.11 грн
100+62.28 грн
500+45.87 грн
1000+44.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BU91796BMUF-ME2 BU91796BMUF-ME2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BU91796BMUF-M&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: LOW DUTY LCD SEGMENT DRIVER FOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Display Type: LCD
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: 2-Wire Serial
Configuration: 80 Segment
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 6V
Supplier Device Package: VQFN32FBV050
Part Status: Active
Current - Supply: 12.5 µA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+86.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BU91796BMUF-ME2 BU91796BMUF-ME2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BU91796BMUF-M&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: LOW DUTY LCD SEGMENT DRIVER FOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Display Type: LCD
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: 2-Wire Serial
Configuration: 80 Segment
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 6V
Supplier Device Package: VQFN32FBV050
Part Status: Active
Current - Supply: 12.5 µA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 12050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.09 грн
10+131.21 грн
25+119.93 грн
100+100.86 грн
250+95.29 грн
500+91.93 грн
1000+87.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ESR25JZPF1000 ESR25JZPF1000 Rohm Semiconductor esr-e.pdf Description: RES 100 OHM 1% 1W 1210
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 1W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Package / Case: 1210 (3225 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1210
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Part Status: Active
Resistance: 100 Ohms
на замовлення 11596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+32.36 грн
20+16.89 грн
50+11.69 грн
100+9.53 грн
500+7.16 грн
1000+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENXC7G R6020ENXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6020ENX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 20A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+227.38 грн
50+148.14 грн
100+147.44 грн
500+80.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6004ENXC7G R6004ENXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6004ENX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 4A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.08 грн
50+73.82 грн
100+72.80 грн
500+66.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6009ENXC7G R6009ENXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6009ENX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 9A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+268.25 грн
50+124.22 грн
100+120.36 грн
500+100.44 грн
1000+93.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6015KNXC7G R6015KNXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6015KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 15A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.76 грн
50+90.06 грн
100+80.99 грн
500+61.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ENXC7G R6015ENXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6015ENX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 15A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+294.65 грн
50+158.12 грн
100+149.83 грн
500+115.92 грн
1000+107.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6009KNXC7G R6009KNXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6009KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 9A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.31 грн
10+174.59 грн
100+141.25 грн
500+117.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6024KNXC7G R6024KNXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6024KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 24A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+251.22 грн
50+121.24 грн
100+109.59 грн
500+83.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNXC7G R6030KNXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6030KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 30A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
на замовлення 827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+286.14 грн
50+139.80 грн
100+126.67 грн
500+97.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6006KNXC7G R6006KNXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6006KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 6A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 830mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.44 грн
50+70.21 грн
100+62.77 грн
500+46.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6006JNXC7G R6006JNXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6006JNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 936mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 800µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.00 грн
50+116.35 грн
100+105.10 грн
500+80.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENXC7G R6007ENXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6007ENX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 7A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+235.89 грн
50+111.48 грн
100+107.25 грн
500+85.20 грн
1000+78.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6007KNXC7G R6007KNXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6007KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 7A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.77 грн
50+80.55 грн
100+77.95 грн
500+38.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6008ANX R6008ANX Rohm Semiconductor R6008ANX Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6008FNX R6008FNX Rohm Semiconductor r6008fnx.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6004KNJTL R6004KNJTL Rohm Semiconductor r6004knjtl-e.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6008FNJTL R6008FNJTL Rohm Semiconductor r6008fnj-e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 8A LPTS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6007KNX R6007KNX Rohm Semiconductor r6007knx-e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6007KNX R6007KNX Rohm Semiconductor r6007knx-e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD7997FS-E2 Rohm Semiconductor Description: IC POWER MANAGEMENT SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFN6BGE2DTL datasheet?p=RFN6BGE2D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RFN6BGE2DTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SUPER FAST RECOVERY DIODE. RFN6B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+47.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RFN6BGE2DTL datasheet?p=RFN6BGE2D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RFN6BGE2DTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SUPER FAST RECOVERY DIODE. RFN6B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.11 грн
10+90.12 грн
100+70.10 грн
500+55.76 грн
1000+45.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RF601BGE2DTL datasheet?p=RF601BGE2D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF601BGE2DTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY GP 200V 3A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF601BGE2DTL datasheet?p=RF601BGE2D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF601BGE2DTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY GP 200V 3A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.82 грн
10+91.19 грн
100+70.98 грн
500+56.46 грн
1000+45.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RB088BGE-40TL datasheet?p=RB088BGE-40&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB088BGE-40TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 5A TO-252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB088BGE-40TL datasheet?p=RB088BGE-40&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB088BGE-40TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 5A TO-252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 40 V
на замовлення 2294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+164.36 грн
10+98.41 грн
100+68.42 грн
500+51.27 грн
1000+49.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE-40TL rb098bge-40tl-e.pdf
RB098BGE-40TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SUPER LOW IR TYPE SCHOTTKY BARRI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE-40TL rb098bge-40tl-e.pdf
RB098BGE-40TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SUPER LOW IR TYPE SCHOTTKY BARRI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB085BGE-90TL datasheet?p=RB085BGE-90&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB085BGE-90TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 90V 5A TO-252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 830 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 90 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB085BGE-90TL datasheet?p=RB085BGE-90&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB085BGE-90TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 90V 5A TO-252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 830 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 90 V
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+188.20 грн
10+116.69 грн
100+79.78 грн
500+60.08 грн
1000+59.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RBR20BGE30ATL datasheet?p=RBR20BGE30A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBR20BGE30ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 30V, 20A, TO-252, CATHODE COMMON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBR20BGE30ATL datasheet?p=RBR20BGE30A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBR20BGE30ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 30V, 20A, TO-252, CATHODE COMMON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 30 V
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+173.73 грн
10+149.91 грн
100+120.49 грн
500+92.91 грн
1000+77.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RB088BGE-30TL datasheet?p=RB088BGE-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB088BGE-30TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 5A TO-252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB088BGE-30TL datasheet?p=RB088BGE-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB088BGE-30TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 5A TO-252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 30 V
на замовлення 1882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+181.39 грн
10+112.10 грн
100+76.54 грн
500+57.55 грн
1000+56.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ20BGE65ATL datasheet?p=RBQ20BGE65A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ20BGE65ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 65V 20A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 65 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ20BGE65ATL datasheet?p=RBQ20BGE65A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ20BGE65ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 65V 20A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 65 V
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+163.51 грн
10+130.96 грн
100+104.25 грн
500+82.79 грн
1000+70.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RBR20BGE60ATL datasheet?p=RBR20BGE60A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBR20BGE60ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 20A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 590 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBR20BGE60ATL datasheet?p=RBR20BGE60A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBR20BGE60ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 20A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 590 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 µA @ 60 V
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+209.49 грн
10+128.18 грн
100+93.46 грн
500+72.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE-60TL datasheet?p=RB098BGE-60&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB098BGE-60TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 6A TO-252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 6A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 830 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE-60TL datasheet?p=RB098BGE-60&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB098BGE-60TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 6A TO-252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 6A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 830 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 µA @ 60 V
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.02 грн
10+105.87 грн
100+71.89 грн
500+53.79 грн
1000+49.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE-30TL datasheet?p=RB098BGE-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB098BGE-30TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SUPER LOW IR TYPE SCHOTTKY BARRI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 µA @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+65.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE-30TL datasheet?p=RB098BGE-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB098BGE-30TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SUPER LOW IR TYPE SCHOTTKY BARRI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 µA @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.00 грн
10+114.32 грн
100+91.89 грн
500+70.85 грн
1000+58.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RB085BGE-60TL datasheet?p=RB085BGE-60&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB085BGE-60TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 5A TO-252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB085BGE-60TL datasheet?p=RB085BGE-60&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB085BGE-60TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 5A TO-252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 60 V
на замовлення 3776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+180.54 грн
10+111.86 грн
100+76.32 грн
500+57.37 грн
1000+56.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE100TL datasheet?p=RB098BGE100&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB098BGE100TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 100V, 6A, TO-252, CATHODE COMMON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE100TL datasheet?p=RB098BGE100&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB098BGE100TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 100V, 6A, TO-252, CATHODE COMMON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 100 V
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.03 грн
10+128.83 грн
100+103.49 грн
500+79.80 грн
1000+66.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ15BGE10ATL datasheet?p=RBQ15BGE10A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ15BGE10ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOT 100V 15A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ15BGE10ATL datasheet?p=RBQ15BGE10A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ15BGE10ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOT 100V 15A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+217.16 грн
10+134.08 грн
100+96.31 грн
500+75.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RB088BGE100TL datasheet?p=RB088BGE100&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB088BGE100TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 5A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 870 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB088BGE100TL datasheet?p=RB088BGE100&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB088BGE100TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 5A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 870 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+197.57 грн
10+122.68 грн
100+84.20 грн
500+63.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE150TL datasheet?p=RB098BGE150&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB098BGE150TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 150V, 6A, TO-252, CATHODE COMMON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 830 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 7 µA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE150TL datasheet?p=RB098BGE150&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB098BGE150TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 150V, 6A, TO-252, CATHODE COMMON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 830 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 7 µA @ 150 V
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+153.29 грн
10+132.36 грн
100+106.35 грн
500+82.01 грн
1000+68.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10BGE10ATL datasheet?p=RBQ10BGE10A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ10BGE10ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOT 100V 10A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10BGE10ATL datasheet?p=RBQ10BGE10A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ10BGE10ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOT 100V 10A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+166.91 грн
10+107.43 грн
100+74.31 грн
500+55.79 грн
1000+54.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RB088BGE-60TL datasheet?p=RB088BGE-60&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB088BGE-60TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 5A TO-252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 830 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB088BGE-60TL datasheet?p=RB088BGE-60&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB088BGE-60TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 5A TO-252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 830 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 60 V
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+164.36 грн
10+100.95 грн
100+68.52 грн
500+51.27 грн
1000+49.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RBR10BGE40ATL datasheet?p=RBR10BGE40A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBR10BGE40ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 10A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 40 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+40.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RBR10BGE40ATL datasheet?p=RBR10BGE40A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBR10BGE40ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 10A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 40 V
на замовлення 4987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+108.15 грн
10+70.11 грн
100+62.28 грн
500+45.87 грн
1000+44.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BU91796BMUF-ME2 datasheet?p=BU91796BMUF-M&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BU91796BMUF-ME2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: LOW DUTY LCD SEGMENT DRIVER FOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Display Type: LCD
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: 2-Wire Serial
Configuration: 80 Segment
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 6V
Supplier Device Package: VQFN32FBV050
Part Status: Active
Current - Supply: 12.5 µA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+86.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BU91796BMUF-ME2 datasheet?p=BU91796BMUF-M&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BU91796BMUF-ME2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: LOW DUTY LCD SEGMENT DRIVER FOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Display Type: LCD
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: 2-Wire Serial
Configuration: 80 Segment
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 6V
Supplier Device Package: VQFN32FBV050
Part Status: Active
Current - Supply: 12.5 µA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 12050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+183.09 грн
10+131.21 грн
25+119.93 грн
100+100.86 грн
250+95.29 грн
500+91.93 грн
1000+87.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ESR25JZPF1000 esr-e.pdf
ESR25JZPF1000
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES 100 OHM 1% 1W 1210
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 1W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Package / Case: 1210 (3225 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1210
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Part Status: Active
Resistance: 100 Ohms
на замовлення 11596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+32.36 грн
20+16.89 грн
50+11.69 грн
100+9.53 грн
500+7.16 грн
1000+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENXC7G datasheet?p=R6020ENX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6020ENXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 20A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+227.38 грн
50+148.14 грн
100+147.44 грн
500+80.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6004ENXC7G datasheet?p=R6004ENX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6004ENXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 4A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.08 грн
50+73.82 грн
100+72.80 грн
500+66.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6009ENXC7G datasheet?p=R6009ENX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6009ENXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 9A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+268.25 грн
50+124.22 грн
100+120.36 грн
500+100.44 грн
1000+93.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6015KNXC7G datasheet?p=R6015KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6015KNXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 15A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+190.76 грн
50+90.06 грн
100+80.99 грн
500+61.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ENXC7G datasheet?p=R6015ENX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6015ENXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 15A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+294.65 грн
50+158.12 грн
100+149.83 грн
500+115.92 грн
1000+107.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6009KNXC7G datasheet?p=R6009KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6009KNXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 9A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+216.31 грн
10+174.59 грн
100+141.25 грн
500+117.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6024KNXC7G datasheet?p=R6024KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6024KNXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 24A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+251.22 грн
50+121.24 грн
100+109.59 грн
500+83.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNXC7G datasheet?p=R6030KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6030KNXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 30A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
на замовлення 827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+286.14 грн
50+139.80 грн
100+126.67 грн
500+97.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6006KNXC7G datasheet?p=R6006KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6006KNXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 6A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 830mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.44 грн
50+70.21 грн
100+62.77 грн
500+46.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6006JNXC7G datasheet?p=R6006JNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6006JNXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 936mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 800µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+241.00 грн
50+116.35 грн
100+105.10 грн
500+80.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENXC7G datasheet?p=R6007ENX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6007ENXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 7A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+235.89 грн
50+111.48 грн
100+107.25 грн
500+85.20 грн
1000+78.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6007KNXC7G datasheet?p=R6007KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6007KNXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 7A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.77 грн
50+80.55 грн
100+77.95 грн
500+38.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6008ANX R6008ANX
R6008ANX
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6008FNX r6008fnx.pdf
R6008FNX
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6004KNJTL r6004knjtl-e.pdf
R6004KNJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6008FNJTL r6008fnj-e.pdf
R6008FNJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 8A LPTS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6007KNX r6007knx-e.pdf
R6007KNX
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6007KNX r6007knx-e.pdf
R6007KNX
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD7997FS-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC POWER MANAGEMENT SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 170 340 510 680 850 876 877 878 879 880 881 882 883 884 885 886 1020 1190 1360 1530 1700 1701  [ Наступна Сторінка >> ]