Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ROHM SEMICONDUCTOR (102058) > Сторінка 877 з 1701

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 170 340 510 680 850 872 873 874 875 876 877 878 879 880 881 882 1020 1190 1360 1530 1700 1701  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RF4G060ATTCR RF4G060ATTCR Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4G060AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PCH -40V -6A POWER, DFN2020, MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF4G060ATTCR RF4G060ATTCR Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4G060AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PCH -40V -6A POWER, DFN2020, MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 20 V
на замовлення 751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+81.75 грн
10+57.24 грн
100+37.82 грн
500+27.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
QH8K22TCR QH8K22TCR Rohm Semiconductor datasheet?p=QH8K22&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 40V 6.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 6.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10µA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 13071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.79 грн
10+49.04 грн
100+32.79 грн
500+24.42 грн
1000+22.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RB-D62Q1367TB32 RB-D62Q1367TB32 Rohm Semiconductor Description: ML62Q1367 EVAL BRD
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6347.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FMA4AT148 FMA4AT148 Rohm Semiconductor datasheet?p=FMA4A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SMT5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SMT5
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.89 грн
6000+9.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FMA4AT148 FMA4AT148 Rohm Semiconductor datasheet?p=FMA4A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SMT5
Part Status: Active
на замовлення 7926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+47.69 грн
12+28.29 грн
100+18.11 грн
500+12.87 грн
1000+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
EMB60T2R EMB60T2R Rohm Semiconductor datasheet?p=EMB60&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+5.10 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
EMB52T2R EMB52T2R Rohm Semiconductor datasheet?p=EMB52&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+5.10 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
EMB52T2R EMB52T2R Rohm Semiconductor datasheet?p=EMB52&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.81 грн
17+19.93 грн
100+10.08 грн
500+7.71 грн
1000+5.72 грн
2000+4.82 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
EMB53T2R EMB53T2R Rohm Semiconductor datasheet?p=EMB53&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+5.10 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
EMB53T2R EMB53T2R Rohm Semiconductor datasheet?p=EMB53&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.81 грн
17+19.93 грн
100+10.08 грн
500+7.71 грн
1000+5.72 грн
2000+4.82 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
UMH2NFHATN UMH2NFHATN Rohm Semiconductor datasheet?p=UMH2NFHA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UMH2NFHATN UMH2NFHATN Rohm Semiconductor datasheet?p=UMH2NFHA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.92 грн
16+20.83 грн
100+13.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
R6530KNZ4C13 R6530KNZ4C13 Rohm Semiconductor r6530knz4c13-e.pdf Description: 650V 30A TO-247, HIGH-SPEED SWIT
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+619.96 грн
10+536.56 грн
100+439.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6530KNXC7G R6530KNXC7G Rohm Semiconductor r6530knx-e.pdf Description: 650V 30A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+603.78 грн
10+521.97 грн
100+427.67 грн
500+341.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RPMD-0132 RPMD-0132 Rohm Semiconductor datasheet?p=RPMD-0132&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SENSOR PHOTODIODE 940NM 3SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Wavelength: 940nm
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Current - Dark (Typ): 1nA
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RPMD-0132 RPMD-0132 Rohm Semiconductor datasheet?p=RPMD-0132&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SENSOR PHOTODIODE 940NM 3SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Wavelength: 940nm
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Current - Dark (Typ): 1nA
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 15 V
на замовлення 1556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+487.11 грн
10+331.71 грн
100+271.68 грн
500+214.94 грн
1000+197.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E030SPTR RQ6E030SPTR Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ6E030SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E030SPTR RQ6E030SPTR Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ6E030SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 10 V
на замовлення 3083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.79 грн
10+45.68 грн
100+29.72 грн
500+21.44 грн
1000+19.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E030RPTL RQ5E030RPTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ5E030RP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E030RPTL RQ5E030RPTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ5E030RP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
на замовлення 1903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.17 грн
10+37.48 грн
100+24.26 грн
500+17.43 грн
1000+15.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BA78M10CP-E2 BA78M10CP-E2 Rohm Semiconductor ba78_series-e.pdf Description: IC REG LIN 10V 500MA TO220CP-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Cropped Leads
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 6 mA
Voltage - Input (Max): 25V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-220CP-3
Voltage - Output (Min/Fixed): 10V
Part Status: Obsolete
PSRR: 66dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 2V @ 500mA (Typ)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 800 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M31TR QS8M31TR Rohm Semiconductor datasheet?p=QS8M31&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 60V 3A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 10V, 750pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3A, 10V, 210mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 5V, 7.2nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M31TR QS8M31TR Rohm Semiconductor datasheet?p=QS8M31&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 60V 3A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 10V, 750pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3A, 10V, 210mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 5V, 7.2nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 1999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.42 грн
10+54.29 грн
100+35.75 грн
500+26.08 грн
1000+23.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RFNL5BGE6STL RFNL5BGE6STL Rohm Semiconductor datasheet?p=RFNL5BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFNL5BGE6STL RFNL5BGE6STL Rohm Semiconductor datasheet?p=RFNL5BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.24 грн
10+60.85 грн
100+42.16 грн
500+33.06 грн
1000+28.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RFN3BGE6STL RFN3BGE6STL Rohm Semiconductor datasheet?p=RFN3BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE GEN PURP 600V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFN3BGE6STL RFN3BGE6STL Rohm Semiconductor datasheet?p=RFN3BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE GEN PURP 600V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.68 грн
10+59.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RFV5BGE6STL RFV5BGE6STL Rohm Semiconductor datasheet?p=RFV5BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFV5BGE6STL RFV5BGE6STL Rohm Semiconductor datasheet?p=RFV5BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.82 грн
10+91.27 грн
100+70.99 грн
500+56.47 грн
1000+46.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RFUH25NS3STL RFUH25NS3STL Rohm Semiconductor rfuh25ns3s.pdf Description: FAST RECOVERY DIODES. ROHM'S FAS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFUH25NS3STL RFUH25NS3STL Rohm Semiconductor rfuh25ns3s.pdf Description: FAST RECOVERY DIODES. ROHM'S FAS
на замовлення 502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFV5BM6STL RFV5BM6STL Rohm Semiconductor rfv5bm6s-e.pdf Description: RFV5BM6S IS SUPER FAST RECOVERY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFV5BM6STL RFV5BM6STL Rohm Semiconductor rfv5bm6s-e.pdf Description: RFV5BM6S IS SUPER FAST RECOVERY
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RR601BGE4STL Rohm Semiconductor Description: RECTIFIER DIODE : RR601BGE4S IS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RR601BGE4STL Rohm Semiconductor Description: RECTIFIER DIODE : RR601BGE4S IS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFV8BM6STL RFV8BM6STL Rohm Semiconductor rfv8bm6s-e.pdf Description: SCHOTTKY BARRIER DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFV8BM6STL RFV8BM6STL Rohm Semiconductor rfv8bm6s-e.pdf Description: SCHOTTKY BARRIER DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFN5BGE3STL RFN5BGE3STL Rohm Semiconductor datasheet?p=RFN5BGE3S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE GEN PURP 350V 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 350 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 350 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFN5BGE3STL RFN5BGE3STL Rohm Semiconductor datasheet?p=RFN5BGE3S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE GEN PURP 350V 5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 350 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 350 V
на замовлення 1686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+65.57 грн
10+54.70 грн
100+37.85 грн
500+29.68 грн
1000+25.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RFV8BGE6STL RFV8BGE6STL Rohm Semiconductor datasheet?p=RFV8BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+62.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RFV8BGE6STL RFV8BGE6STL Rohm Semiconductor datasheet?p=RFV8BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.04 грн
10+108.82 грн
100+87.51 грн
500+67.47 грн
1000+56.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RFN5BGE6STL RFN5BGE6STL Rohm Semiconductor datasheet?p=RFN5BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFN5BGE6STL RFN5BGE6STL Rohm Semiconductor datasheet?p=RFN5BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+108.15 грн
10+85.53 грн
100+66.49 грн
500+52.89 грн
1000+43.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RFNL10BGE6STL RFNL10BGE6STL Rohm Semiconductor datasheet?p=RFNL10BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE STANDARD 600V 10A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFNL10BGE6STL RFNL10BGE6STL Rohm Semiconductor datasheet?p=RFNL10BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE STANDARD 600V 10A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 2265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.42 грн
10+122.60 грн
100+83.72 грн
500+62.95 грн
1000+57.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RF305BGE6STL RF305BGE6STL Rohm Semiconductor datasheet?p=RF305BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE GEN PURP 600V 3A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF305BGE6STL RF305BGE6STL Rohm Semiconductor datasheet?p=RF305BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE GEN PURP 600V 3A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 2341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.78 грн
10+104.64 грн
100+81.60 грн
500+63.26 грн
1000+49.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RFN10BGE6STL RFN10BGE6STL Rohm Semiconductor datasheet?p=RFN10BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE STANDARD 600V 10A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFN10BGE6STL RFN10BGE6STL Rohm Semiconductor datasheet?p=RFN10BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE STANDARD 600V 10A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.24 грн
10+112.27 грн
100+76.26 грн
500+57.11 грн
1000+52.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RF501BGE2STL RF501BGE2STL Rohm Semiconductor datasheet?p=RF501BGE2S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE STANDARD 200V 5A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF501BGE2STL RF501BGE2STL Rohm Semiconductor datasheet?p=RF501BGE2S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE STANDARD 200V 5A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 2174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.81 грн
10+84.88 грн
100+57.06 грн
500+42.38 грн
1000+39.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RFN5BGE2STL RFN5BGE2STL Rohm Semiconductor datasheet?p=RFN5BGE2S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE GEN PURP 200V 5A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFN5BGE2STL RFN5BGE2STL Rohm Semiconductor datasheet?p=RFN5BGE2S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE GEN PURP 200V 5A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 2149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.64 грн
10+85.78 грн
100+66.88 грн
500+51.84 грн
1000+40.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RF505BGE6STL RF505BGE6STL Rohm Semiconductor datasheet?p=RF505BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF505BGE6STL RF505BGE6STL Rohm Semiconductor datasheet?p=RF505BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 2461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.87 грн
10+106.12 грн
100+71.94 грн
500+53.76 грн
1000+49.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RFN3BGE2STL RFN3BGE2STL Rohm Semiconductor datasheet?p=RFN3BGE2S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE GEN PURP 200V 3A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFN3BGE2STL RFN3BGE2STL Rohm Semiconductor datasheet?p=RFN3BGE2S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE GEN PURP 200V 3A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 2486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.27 грн
10+77.66 грн
100+60.51 грн
500+46.91 грн
1000+37.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RB075BGE40STL RB075BGE40STL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB075BGE40S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 40V 5A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB075BGE40STL RB075BGE40STL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB075BGE40S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 40V 5A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 40 V
на замовлення 2444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.87 грн
10+106.12 грн
100+71.94 грн
500+53.76 грн
1000+49.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RF4G060ATTCR datasheet?p=RF4G060AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF4G060ATTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -40V -6A POWER, DFN2020, MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF4G060ATTCR datasheet?p=RF4G060AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF4G060ATTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -40V -6A POWER, DFN2020, MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 20 V
на замовлення 751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+81.75 грн
10+57.24 грн
100+37.82 грн
500+27.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
QH8K22TCR datasheet?p=QH8K22&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
QH8K22TCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 40V 6.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 6.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10µA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 13071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.79 грн
10+49.04 грн
100+32.79 грн
500+24.42 грн
1000+22.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RB-D62Q1367TB32
RB-D62Q1367TB32
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: ML62Q1367 EVAL BRD
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6347.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FMA4AT148 datasheet?p=FMA4A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
FMA4AT148
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SMT5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SMT5
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.89 грн
6000+9.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FMA4AT148 datasheet?p=FMA4A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
FMA4AT148
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SMT5
Part Status: Active
на замовлення 7926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+47.69 грн
12+28.29 грн
100+18.11 грн
500+12.87 грн
1000+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
EMB60T2R datasheet?p=EMB60&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
EMB60T2R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+5.10 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
EMB52T2R datasheet?p=EMB52&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
EMB52T2R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+5.10 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
EMB52T2R datasheet?p=EMB52&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
EMB52T2R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.81 грн
17+19.93 грн
100+10.08 грн
500+7.71 грн
1000+5.72 грн
2000+4.82 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
EMB53T2R datasheet?p=EMB53&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
EMB53T2R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+5.10 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
EMB53T2R datasheet?p=EMB53&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
EMB53T2R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.81 грн
17+19.93 грн
100+10.08 грн
500+7.71 грн
1000+5.72 грн
2000+4.82 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
UMH2NFHATN datasheet?p=UMH2NFHA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
UMH2NFHATN
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UMH2NFHATN datasheet?p=UMH2NFHA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
UMH2NFHATN
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.92 грн
16+20.83 грн
100+13.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
R6530KNZ4C13 r6530knz4c13-e.pdf
R6530KNZ4C13
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 650V 30A TO-247, HIGH-SPEED SWIT
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+619.96 грн
10+536.56 грн
100+439.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6530KNXC7G r6530knx-e.pdf
R6530KNXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 650V 30A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+603.78 грн
10+521.97 грн
100+427.67 грн
500+341.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RPMD-0132 datasheet?p=RPMD-0132&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RPMD-0132
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SENSOR PHOTODIODE 940NM 3SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Wavelength: 940nm
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Current - Dark (Typ): 1nA
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RPMD-0132 datasheet?p=RPMD-0132&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RPMD-0132
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SENSOR PHOTODIODE 940NM 3SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Wavelength: 940nm
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Current - Dark (Typ): 1nA
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 15 V
на замовлення 1556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+487.11 грн
10+331.71 грн
100+271.68 грн
500+214.94 грн
1000+197.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E030SPTR datasheet?p=RQ6E030SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ6E030SPTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E030SPTR datasheet?p=RQ6E030SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ6E030SPTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 10 V
на замовлення 3083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.79 грн
10+45.68 грн
100+29.72 грн
500+21.44 грн
1000+19.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E030RPTL datasheet?p=RQ5E030RP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ5E030RPTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E030RPTL datasheet?p=RQ5E030RP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ5E030RPTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
на замовлення 1903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.17 грн
10+37.48 грн
100+24.26 грн
500+17.43 грн
1000+15.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BA78M10CP-E2 ba78_series-e.pdf
BA78M10CP-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LIN 10V 500MA TO220CP-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Cropped Leads
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 6 mA
Voltage - Input (Max): 25V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-220CP-3
Voltage - Output (Min/Fixed): 10V
Part Status: Obsolete
PSRR: 66dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 2V @ 500mA (Typ)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 800 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M31TR datasheet?p=QS8M31&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
QS8M31TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 60V 3A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 10V, 750pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3A, 10V, 210mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 5V, 7.2nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M31TR datasheet?p=QS8M31&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
QS8M31TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 60V 3A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 10V, 750pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3A, 10V, 210mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 5V, 7.2nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 1999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.42 грн
10+54.29 грн
100+35.75 грн
500+26.08 грн
1000+23.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RFNL5BGE6STL datasheet?p=RFNL5BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RFNL5BGE6STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFNL5BGE6STL datasheet?p=RFNL5BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RFNL5BGE6STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.24 грн
10+60.85 грн
100+42.16 грн
500+33.06 грн
1000+28.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RFN3BGE6STL datasheet?p=RFN3BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RFN3BGE6STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFN3BGE6STL datasheet?p=RFN3BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RFN3BGE6STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.68 грн
10+59.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RFV5BGE6STL datasheet?p=RFV5BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RFV5BGE6STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFV5BGE6STL datasheet?p=RFV5BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RFV5BGE6STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.82 грн
10+91.27 грн
100+70.99 грн
500+56.47 грн
1000+46.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RFUH25NS3STL rfuh25ns3s.pdf
RFUH25NS3STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: FAST RECOVERY DIODES. ROHM'S FAS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFUH25NS3STL rfuh25ns3s.pdf
RFUH25NS3STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: FAST RECOVERY DIODES. ROHM'S FAS
на замовлення 502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFV5BM6STL rfv5bm6s-e.pdf
RFV5BM6STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RFV5BM6S IS SUPER FAST RECOVERY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFV5BM6STL rfv5bm6s-e.pdf
RFV5BM6STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RFV5BM6S IS SUPER FAST RECOVERY
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RR601BGE4STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RECTIFIER DIODE : RR601BGE4S IS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RR601BGE4STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RECTIFIER DIODE : RR601BGE4S IS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFV8BM6STL rfv8bm6s-e.pdf
RFV8BM6STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SCHOTTKY BARRIER DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFV8BM6STL rfv8bm6s-e.pdf
RFV8BM6STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SCHOTTKY BARRIER DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFN5BGE3STL datasheet?p=RFN5BGE3S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RFN5BGE3STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 350V 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 350 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 350 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFN5BGE3STL datasheet?p=RFN5BGE3S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RFN5BGE3STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 350V 5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 350 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 350 V
на замовлення 1686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+65.57 грн
10+54.70 грн
100+37.85 грн
500+29.68 грн
1000+25.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RFV8BGE6STL datasheet?p=RFV8BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RFV8BGE6STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+62.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RFV8BGE6STL datasheet?p=RFV8BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RFV8BGE6STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.04 грн
10+108.82 грн
100+87.51 грн
500+67.47 грн
1000+56.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RFN5BGE6STL datasheet?p=RFN5BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RFN5BGE6STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFN5BGE6STL datasheet?p=RFN5BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RFN5BGE6STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+108.15 грн
10+85.53 грн
100+66.49 грн
500+52.89 грн
1000+43.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RFNL10BGE6STL datasheet?p=RFNL10BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RFNL10BGE6STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE STANDARD 600V 10A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFNL10BGE6STL datasheet?p=RFNL10BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RFNL10BGE6STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE STANDARD 600V 10A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 2265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+198.42 грн
10+122.60 грн
100+83.72 грн
500+62.95 грн
1000+57.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RF305BGE6STL datasheet?p=RF305BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF305BGE6STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF305BGE6STL datasheet?p=RF305BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF305BGE6STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 2341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.78 грн
10+104.64 грн
100+81.60 грн
500+63.26 грн
1000+49.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RFN10BGE6STL datasheet?p=RFN10BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RFN10BGE6STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE STANDARD 600V 10A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFN10BGE6STL datasheet?p=RFN10BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RFN10BGE6STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE STANDARD 600V 10A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+182.24 грн
10+112.27 грн
100+76.26 грн
500+57.11 грн
1000+52.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RF501BGE2STL datasheet?p=RF501BGE2S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF501BGE2STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE STANDARD 200V 5A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF501BGE2STL datasheet?p=RF501BGE2S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF501BGE2STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE STANDARD 200V 5A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 2174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.81 грн
10+84.88 грн
100+57.06 грн
500+42.38 грн
1000+39.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RFN5BGE2STL datasheet?p=RFN5BGE2S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RFN5BGE2STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 5A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFN5BGE2STL datasheet?p=RFN5BGE2S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RFN5BGE2STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 5A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 2149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.64 грн
10+85.78 грн
100+66.88 грн
500+51.84 грн
1000+40.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RF505BGE6STL datasheet?p=RF505BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF505BGE6STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF505BGE6STL datasheet?p=RF505BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF505BGE6STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 2461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.87 грн
10+106.12 грн
100+71.94 грн
500+53.76 грн
1000+49.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RFN3BGE2STL datasheet?p=RFN3BGE2S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RFN3BGE2STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFN3BGE2STL datasheet?p=RFN3BGE2S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RFN3BGE2STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 2486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.27 грн
10+77.66 грн
100+60.51 грн
500+46.91 грн
1000+37.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RB075BGE40STL datasheet?p=RB075BGE40S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB075BGE40STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 5A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB075BGE40STL datasheet?p=RB075BGE40S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB075BGE40STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 5A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 40 V
на замовлення 2444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.87 грн
10+106.12 грн
100+71.94 грн
500+53.76 грн
1000+49.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 170 340 510 680 850 872 873 874 875 876 877 878 879 880 881 882 1020 1190 1360 1530 1700 1701  [ Наступна Сторінка >> ]