Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ROHM SEMICONDUCTOR (102555) > Сторінка 886 з 1710

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 171 342 513 684 855 881 882 883 884 885 886 887 888 889 890 891 1026 1197 1368 1539 1710  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RD3S100AAFRATL RD3S100AAFRATL Rohm Semiconductor rd3s100aafratl-e.pdf Description: MOSFET N-CH 190V 10A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RD3S100AAFRATL RD3S100AAFRATL Rohm Semiconductor rd3s100aafratl-e.pdf Description: MOSFET N-CH 190V 10A TO252
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.14 грн
10+185.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UMZ36NUMTL UMZ36NUMTL Rohm Semiconductor datasheet?p=UMZ36NUM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TVS DIODE 33VWM UMD3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33V
Supplier Device Package: UMD3F
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 35.07V
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UMZ36NUMTL UMZ36NUMTL Rohm Semiconductor datasheet?p=UMZ36NUM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TVS DIODE 33VWM UMD3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33V
Supplier Device Package: UMD3F
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 35.07V
Power Line Protection: No
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.55 грн
14+22.32 грн
100+11.23 грн
500+9.34 грн
1000+7.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTA144ECAT116 DTA144ECAT116 Rohm Semiconductor datasheet?p=DTA144ECA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTA144ECAT116 DTA144ECAT116 Rohm Semiconductor datasheet?p=DTA144ECA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.47 грн
31+10.17 грн
100+6.30 грн
500+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
DTA144EU3T106 DTA144EU3T106 Rohm Semiconductor datasheet?p=DTA144EU3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTA144EU3T106 DTA144EU3T106 Rohm Semiconductor datasheet?p=DTA144EU3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 1211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.50 грн
39+8.03 грн
100+4.95 грн
500+3.38 грн
1000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
DTA144EMFHAT2L DTA144EMFHAT2L Rohm Semiconductor datasheet?p=DTA144EMFHA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: VMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.41 грн
16000+2.09 грн
24000+1.98 грн
40000+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
DTA144EMFHAT2L DTA144EMFHAT2L Rohm Semiconductor datasheet?p=DTA144EMFHA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1A VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: VMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 53160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.29 грн
38+8.26 грн
100+5.13 грн
500+3.51 грн
1000+3.09 грн
2000+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
R6011KNJTL R6011KNJTL Rohm Semiconductor datasheet?p=R6011KNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 11A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6011KNJTL R6011KNJTL Rohm Semiconductor datasheet?p=R6011KNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 11A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6011KND3TL1 R6011KND3TL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=R6011KND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6011KND3TL1 R6011KND3TL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=R6011KND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.53 грн
10+174.07 грн
100+138.58 грн
500+110.04 грн
1000+93.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6011ENXC7G R6011ENXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6011ENX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 11A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.75 грн
50+100.90 грн
100+100.20 грн
500+89.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6011KNXC7G R6011KNXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6011KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 11A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+273.89 грн
50+126.91 грн
100+122.43 грн
500+111.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BD2066FJ-E2 BD2066FJ-E2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BD2066FJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC SWITCH USB HI SIDE 2CH 8SOJP
Features: Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Interface: On/Off
Switch Type: USB Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 80mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.5A
Ratio - Input:Output: 1:2
Supplier Device Package: 8-SOP-J
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Reverse Current, UVLO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF4L040ATTCR RF4L040ATTCR Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4L040AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PCH -60V -4A POWER, DFN2020, MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RF4L040ATTCR RF4L040ATTCR Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4L040AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PCH -60V -4A POWER, DFN2020, MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 30 V
на замовлення 5933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.46 грн
10+39.45 грн
100+36.14 грн
500+26.42 грн
1000+24.01 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RF4G060ATTCR RF4G060ATTCR Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4G060AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PCH -40V -6A POWER, DFN2020, MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF4G060ATTCR RF4G060ATTCR Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4G060AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PCH -40V -6A POWER, DFN2020, MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 20 V
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.63 грн
10+54.74 грн
100+36.14 грн
500+26.42 грн
1000+24.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
QH8K22TCR QH8K22TCR Rohm Semiconductor datasheet?p=QH8K22&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 40V 6.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 6.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10µA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 13071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.66 грн
10+45.72 грн
100+30.57 грн
500+22.77 грн
1000+20.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RB-D62Q1367TB32 RB-D62Q1367TB32 Rohm Semiconductor Description: ML62Q1367 EVAL BRD
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5917.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FMA4AT148 FMA4AT148 Rohm Semiconductor datasheet?p=FMA4A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SMT5
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.75 грн
6000+8.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FMA4AT148 FMA4AT148 Rohm Semiconductor datasheet?p=FMA4A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SMT5
Part Status: Active
на замовлення 7921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.93 грн
14+22.55 грн
100+15.30 грн
500+11.21 грн
1000+10.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
EMB60T2R EMB60T2R Rohm Semiconductor datasheet?p=EMB60&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.75 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
EMB52T2R EMB52T2R Rohm Semiconductor datasheet?p=EMB52&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.75 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
EMB52T2R EMB52T2R Rohm Semiconductor datasheet?p=EMB52&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.79 грн
17+18.58 грн
100+9.40 грн
500+7.19 грн
1000+5.34 грн
2000+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
EMB53T2R EMB53T2R Rohm Semiconductor datasheet?p=EMB53&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.75 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
EMB53T2R EMB53T2R Rohm Semiconductor datasheet?p=EMB53&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.79 грн
17+18.58 грн
100+9.40 грн
500+7.19 грн
1000+5.34 грн
2000+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
UMH2NFHATN UMH2NFHATN Rohm Semiconductor datasheet?p=UMH2NFHA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UMH2NFHATN UMH2NFHATN Rohm Semiconductor datasheet?p=UMH2NFHA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.14 грн
14+23.09 грн
100+11.64 грн
500+9.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
R6530KNZ4C13 R6530KNZ4C13 Rohm Semiconductor r6530knz4c13-e.pdf Description: 650V 30A TO-247, HIGH-SPEED SWIT
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+577.95 грн
10+500.20 грн
100+409.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6530KNXC7G R6530KNXC7G Rohm Semiconductor r6530knx-e.pdf Description: 650V 30A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+562.87 грн
10+486.60 грн
100+398.69 грн
500+318.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RPMD-0132 RPMD-0132 Rohm Semiconductor datasheet?p=RPMD-0132&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SENSOR PHOTODIODE 940NM 3SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Wavelength: 940nm
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Current - Dark (Typ): 1nA
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RPMD-0132 RPMD-0132 Rohm Semiconductor datasheet?p=RPMD-0132&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SENSOR PHOTODIODE 940NM 3SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Wavelength: 940nm
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Current - Dark (Typ): 1nA
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 15 V
на замовлення 1556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+454.11 грн
10+309.24 грн
100+253.27 грн
500+200.37 грн
1000+183.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E030SPTR RQ6E030SPTR Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ6E030SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E030SPTR RQ6E030SPTR Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ6E030SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 10 V
на замовлення 3083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.66 грн
10+42.58 грн
100+27.71 грн
500+19.99 грн
1000+18.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E030RPTL RQ5E030RPTL Rohm Semiconductor rq5e030rp-e.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E030RPTL RQ5E030RPTL Rohm Semiconductor rq5e030rp-e.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BA78M10CP-E2 BA78M10CP-E2 Rohm Semiconductor ba78_series-e.pdf Description: IC REG LIN 10V 500MA TO220CP-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Cropped Leads
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 6 mA
Voltage - Input (Max): 25V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-220CP-3
Voltage - Output (Min/Fixed): 10V
Part Status: Obsolete
PSRR: 66dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 2V @ 500mA (Typ)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 800 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M31TR QS8M31TR Rohm Semiconductor datasheet?p=QS8M31&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 60V 3A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 10V, 750pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3A, 10V, 210mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 5V, 7.2nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M31TR QS8M31TR Rohm Semiconductor datasheet?p=QS8M31&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 60V 3A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 10V, 750pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3A, 10V, 210mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 5V, 7.2nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 3673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.21 грн
10+50.30 грн
100+33.80 грн
500+24.75 грн
1000+22.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RFNL5BGE6STL RFNL5BGE6STL Rohm Semiconductor datasheet?p=RFNL5BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFNL5BGE6STL RFNL5BGE6STL Rohm Semiconductor datasheet?p=RFNL5BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.27 грн
10+56.73 грн
100+39.30 грн
500+30.82 грн
1000+26.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RFN3BGE6STL RFN3BGE6STL Rohm Semiconductor datasheet?p=RFN3BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE GEN PURP 600V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFN3BGE6STL RFN3BGE6STL Rohm Semiconductor datasheet?p=RFN3BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE GEN PURP 600V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.89 грн
10+55.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RFV5BGE6STL RFV5BGE6STL Rohm Semiconductor datasheet?p=RFV5BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFV5BGE6STL RFV5BGE6STL Rohm Semiconductor datasheet?p=RFV5BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.97 грн
10+85.09 грн
100+66.18 грн
500+52.64 грн
1000+42.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RFUH25NS3STL RFUH25NS3STL Rohm Semiconductor rfuh25ns3s.pdf Description: FAST RECOVERY DIODES. ROHM'S FAS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFUH25NS3STL RFUH25NS3STL Rohm Semiconductor rfuh25ns3s.pdf Description: FAST RECOVERY DIODES. ROHM'S FAS
на замовлення 502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFV5BM6STL RFV5BM6STL Rohm Semiconductor rfv5bm6s-e.pdf Description: RFV5BM6S IS SUPER FAST RECOVERY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFV5BM6STL RFV5BM6STL Rohm Semiconductor rfv5bm6s-e.pdf Description: RFV5BM6S IS SUPER FAST RECOVERY
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RR601BGE4STL Rohm Semiconductor Description: RECTIFIER DIODE : RR601BGE4S IS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RR601BGE4STL Rohm Semiconductor Description: RECTIFIER DIODE : RR601BGE4S IS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFV8BM6STL RFV8BM6STL Rohm Semiconductor rfv8bm6s-e.pdf Description: SCHOTTKY BARRIER DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFV8BM6STL RFV8BM6STL Rohm Semiconductor rfv8bm6s-e.pdf Description: SCHOTTKY BARRIER DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFN5BGE3STL RFN5BGE3STL Rohm Semiconductor datasheet?p=RFN5BGE3S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE GEN PURP 350V 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 350 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 350 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFN5BGE3STL RFN5BGE3STL Rohm Semiconductor datasheet?p=RFN5BGE3S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE GEN PURP 350V 5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 350 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 350 V
на замовлення 1686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.13 грн
10+50.99 грн
100+35.29 грн
500+27.67 грн
1000+23.55 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RFV8BGE6STL RFV8BGE6STL Rohm Semiconductor datasheet?p=RFV8BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+57.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RD3S100AAFRATL rd3s100aafratl-e.pdf
RD3S100AAFRATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 190V 10A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RD3S100AAFRATL rd3s100aafratl-e.pdf
RD3S100AAFRATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 190V 10A TO252
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+215.14 грн
10+185.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UMZ36NUMTL datasheet?p=UMZ36NUM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
UMZ36NUMTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TVS DIODE 33VWM UMD3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33V
Supplier Device Package: UMD3F
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 35.07V
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UMZ36NUMTL datasheet?p=UMZ36NUM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
UMZ36NUMTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TVS DIODE 33VWM UMD3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33V
Supplier Device Package: UMD3F
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 35.07V
Power Line Protection: No
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.55 грн
14+22.32 грн
100+11.23 грн
500+9.34 грн
1000+7.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTA144ECAT116 datasheet?p=DTA144ECA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTA144ECAT116
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTA144ECAT116 datasheet?p=DTA144ECA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTA144ECAT116
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+17.47 грн
31+10.17 грн
100+6.30 грн
500+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
DTA144EU3T106 datasheet?p=DTA144EU3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTA144EU3T106
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTA144EU3T106 datasheet?p=DTA144EU3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTA144EU3T106
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 1211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+13.50 грн
39+8.03 грн
100+4.95 грн
500+3.38 грн
1000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
DTA144EMFHAT2L datasheet?p=DTA144EMFHA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTA144EMFHAT2L
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: VMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+2.41 грн
16000+2.09 грн
24000+1.98 грн
40000+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
DTA144EMFHAT2L datasheet?p=DTA144EMFHA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTA144EMFHAT2L
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1A VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: VMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 53160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+14.29 грн
38+8.26 грн
100+5.13 грн
500+3.51 грн
1000+3.09 грн
2000+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
R6011KNJTL datasheet?p=R6011KNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6011KNJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 11A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6011KNJTL datasheet?p=R6011KNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6011KNJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 11A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6011KND3TL1 datasheet?p=R6011KND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6011KND3TL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6011KND3TL1 datasheet?p=R6011KND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6011KND3TL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+217.53 грн
10+174.07 грн
100+138.58 грн
500+110.04 грн
1000+93.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6011ENXC7G datasheet?p=R6011ENX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6011ENXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 11A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+162.75 грн
50+100.90 грн
100+100.20 грн
500+89.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6011KNXC7G datasheet?p=R6011KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6011KNXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 11A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+273.89 грн
50+126.91 грн
100+122.43 грн
500+111.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BD2066FJ-E2 datasheet?p=BD2066FJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BD2066FJ-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC SWITCH USB HI SIDE 2CH 8SOJP
Features: Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Interface: On/Off
Switch Type: USB Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 80mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.5A
Ratio - Input:Output: 1:2
Supplier Device Package: 8-SOP-J
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Reverse Current, UVLO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF4L040ATTCR datasheet?p=RF4L040AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF4L040ATTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -60V -4A POWER, DFN2020, MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+23.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RF4L040ATTCR datasheet?p=RF4L040AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF4L040ATTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -60V -4A POWER, DFN2020, MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 30 V
на замовлення 5933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.46 грн
10+39.45 грн
100+36.14 грн
500+26.42 грн
1000+24.01 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RF4G060ATTCR datasheet?p=RF4G060AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF4G060ATTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -40V -6A POWER, DFN2020, MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF4G060ATTCR datasheet?p=RF4G060AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF4G060ATTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -40V -6A POWER, DFN2020, MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 20 V
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.63 грн
10+54.74 грн
100+36.14 грн
500+26.42 грн
1000+24.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
QH8K22TCR datasheet?p=QH8K22&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
QH8K22TCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 40V 6.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 6.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10µA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 13071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.66 грн
10+45.72 грн
100+30.57 грн
500+22.77 грн
1000+20.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RB-D62Q1367TB32
RB-D62Q1367TB32
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: ML62Q1367 EVAL BRD
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5917.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FMA4AT148 datasheet?p=FMA4A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
FMA4AT148
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SMT5
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.75 грн
6000+8.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FMA4AT148 datasheet?p=FMA4A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
FMA4AT148
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SMT5
Part Status: Active
на замовлення 7921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.93 грн
14+22.55 грн
100+15.30 грн
500+11.21 грн
1000+10.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
EMB60T2R datasheet?p=EMB60&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
EMB60T2R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+4.75 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
EMB52T2R datasheet?p=EMB52&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
EMB52T2R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+4.75 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
EMB52T2R datasheet?p=EMB52&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
EMB52T2R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.79 грн
17+18.58 грн
100+9.40 грн
500+7.19 грн
1000+5.34 грн
2000+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
EMB53T2R datasheet?p=EMB53&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
EMB53T2R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+4.75 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
EMB53T2R datasheet?p=EMB53&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
EMB53T2R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.79 грн
17+18.58 грн
100+9.40 грн
500+7.19 грн
1000+5.34 грн
2000+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
UMH2NFHATN datasheet?p=UMH2NFHA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
UMH2NFHATN
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UMH2NFHATN datasheet?p=UMH2NFHA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
UMH2NFHATN
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.14 грн
14+23.09 грн
100+11.64 грн
500+9.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
R6530KNZ4C13 r6530knz4c13-e.pdf
R6530KNZ4C13
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 650V 30A TO-247, HIGH-SPEED SWIT
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+577.95 грн
10+500.20 грн
100+409.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6530KNXC7G r6530knx-e.pdf
R6530KNXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 650V 30A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+562.87 грн
10+486.60 грн
100+398.69 грн
500+318.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RPMD-0132 datasheet?p=RPMD-0132&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RPMD-0132
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SENSOR PHOTODIODE 940NM 3SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Wavelength: 940nm
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Current - Dark (Typ): 1nA
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RPMD-0132 datasheet?p=RPMD-0132&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RPMD-0132
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SENSOR PHOTODIODE 940NM 3SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Wavelength: 940nm
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Current - Dark (Typ): 1nA
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 15 V
на замовлення 1556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+454.11 грн
10+309.24 грн
100+253.27 грн
500+200.37 грн
1000+183.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E030SPTR datasheet?p=RQ6E030SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ6E030SPTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E030SPTR datasheet?p=RQ6E030SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ6E030SPTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 10 V
на замовлення 3083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.66 грн
10+42.58 грн
100+27.71 грн
500+19.99 грн
1000+18.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E030RPTL rq5e030rp-e.pdf
RQ5E030RPTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E030RPTL rq5e030rp-e.pdf
RQ5E030RPTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BA78M10CP-E2 ba78_series-e.pdf
BA78M10CP-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LIN 10V 500MA TO220CP-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Cropped Leads
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 6 mA
Voltage - Input (Max): 25V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-220CP-3
Voltage - Output (Min/Fixed): 10V
Part Status: Obsolete
PSRR: 66dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 2V @ 500mA (Typ)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 800 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M31TR datasheet?p=QS8M31&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
QS8M31TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 60V 3A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 10V, 750pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3A, 10V, 210mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 5V, 7.2nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+21.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M31TR datasheet?p=QS8M31&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
QS8M31TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 60V 3A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 10V, 750pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3A, 10V, 210mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 5V, 7.2nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 3673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.21 грн
10+50.30 грн
100+33.80 грн
500+24.75 грн
1000+22.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RFNL5BGE6STL datasheet?p=RFNL5BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RFNL5BGE6STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFNL5BGE6STL datasheet?p=RFNL5BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RFNL5BGE6STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.27 грн
10+56.73 грн
100+39.30 грн
500+30.82 грн
1000+26.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RFN3BGE6STL datasheet?p=RFN3BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RFN3BGE6STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFN3BGE6STL datasheet?p=RFN3BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RFN3BGE6STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.89 грн
10+55.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RFV5BGE6STL datasheet?p=RFV5BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RFV5BGE6STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFV5BGE6STL datasheet?p=RFV5BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RFV5BGE6STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+107.97 грн
10+85.09 грн
100+66.18 грн
500+52.64 грн
1000+42.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RFUH25NS3STL rfuh25ns3s.pdf
RFUH25NS3STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: FAST RECOVERY DIODES. ROHM'S FAS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFUH25NS3STL rfuh25ns3s.pdf
RFUH25NS3STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: FAST RECOVERY DIODES. ROHM'S FAS
на замовлення 502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFV5BM6STL rfv5bm6s-e.pdf
RFV5BM6STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RFV5BM6S IS SUPER FAST RECOVERY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFV5BM6STL rfv5bm6s-e.pdf
RFV5BM6STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RFV5BM6S IS SUPER FAST RECOVERY
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RR601BGE4STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RECTIFIER DIODE : RR601BGE4S IS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RR601BGE4STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RECTIFIER DIODE : RR601BGE4S IS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFV8BM6STL rfv8bm6s-e.pdf
RFV8BM6STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SCHOTTKY BARRIER DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFV8BM6STL rfv8bm6s-e.pdf
RFV8BM6STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SCHOTTKY BARRIER DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFN5BGE3STL datasheet?p=RFN5BGE3S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RFN5BGE3STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 350V 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 350 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 350 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFN5BGE3STL datasheet?p=RFN5BGE3S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RFN5BGE3STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 350V 5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 350 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 350 V
на замовлення 1686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.13 грн
10+50.99 грн
100+35.29 грн
500+27.67 грн
1000+23.55 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RFV8BGE6STL datasheet?p=RFV8BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RFV8BGE6STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+57.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 171 342 513 684 855 881 882 883 884 885 886 887 888 889 890 891 1026 1197 1368 1539 1710  [ Наступна Сторінка >> ]