Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ROHM SEMICONDUCTOR (102573) > Сторінка 882 з 1710

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 171 342 513 684 855 877 878 879 880 881 882 883 884 885 886 887 1026 1197 1368 1539 1710  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GDZ8EPT2R6.2B Rohm Semiconductor Description: DIODE ZENER GMD2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GDZT2R6.2B GDZT2R6.2B Rohm Semiconductor Description: DIODE ZENER 6.2V 100MW GMD2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UFZVTE-176.2B UFZVTE-176.2B Rohm Semiconductor ufzvte-176.2b-e.pdf Description: DIODE ZENER 6.2V 500MW UMD2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UFZVTE-176.2B UFZVTE-176.2B Rohm Semiconductor ufzvte-176.2b-e.pdf Description: DIODE ZENER 6.2V 500MW UMD2
на замовлення 652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PDZVTR6.2B PDZVTR6.2B Rohm Semiconductor datasheet?p=PDZV6.2B&amp;dist=Digi-key&amp;media=referral&amp;source=digi-key.com&amp;campaign=Digi-key Description: DIODE ZENER 6.6V 1W PMDTM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±6.06%
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 6 Ohms
Supplier Device Package: PMDTM
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 3 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.67 грн
6000+8.00 грн
9000+7.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PDZVTR6.2B PDZVTR6.2B Rohm Semiconductor datasheet?p=PDZV6.2B&amp;dist=Digi-key&amp;media=referral&amp;source=digi-key.com&amp;campaign=Digi-key Description: DIODE ZENER 6.6V 1W PMDTM
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±6.06%
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 6 Ohms
Supplier Device Package: PMDTM
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 3 V
на замовлення 19308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.55 грн
13+24.00 грн
100+14.40 грн
500+12.51 грн
1000+8.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
UDZWTE-176.2B UDZWTE-176.2B Rohm Semiconductor Description: DIODE ZENER UMD2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UFZVFHTE-176.2B UFZVFHTE-176.2B Rohm Semiconductor ufzvfhte-176.2b-e.pdf Description: DIODE ZENER 6.2V 500MW UMD2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UFZVFHTE-176.2B UFZVFHTE-176.2B Rohm Semiconductor ufzvfhte-176.2b-e.pdf Description: DIODE ZENER 6.2V 500MW UMD2
на замовлення 2313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
YFZVFHTR6.2B YFZVFHTR6.2B Rohm Semiconductor datasheet?p=YFZVFH6.2B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ZENER 6.12V 500MW TUMD2M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2.53%
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.12 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: TUMD2M
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 3 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YFZVFHTR6.2B YFZVFHTR6.2B Rohm Semiconductor datasheet?p=YFZVFH6.2B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ZENER 6.12V 500MW TUMD2M
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2.53%
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.12 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: TUMD2M
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 3 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.82 грн
20+15.52 грн
100+10.42 грн
500+7.55 грн
1000+6.81 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SIM-032SSW1 Rohm Semiconductor Description: INFRARED EMITTER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BA7809FP-E2 BA7809FP-E2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BA7809FP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC REG LINEAR 9V 1A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 1A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 8 mA
Voltage - Input (Max): 26V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-252-3
Voltage - Output (Min/Fixed): 9V
Part Status: Active
PSRR: 64dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 2V @ 1A (Typ)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 800 µA
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+35.43 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
BA7809FP-E2 BA7809FP-E2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BA7809FP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC REG LINEAR 9V 1A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 1A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 8 mA
Voltage - Input (Max): 26V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-252-3
Voltage - Output (Min/Fixed): 9V
Part Status: Active
PSRR: 64dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 2V @ 1A (Typ)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 800 µA
на замовлення 2077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.04 грн
10+50.99 грн
25+46.05 грн
100+38.12 грн
250+35.69 грн
500+34.22 грн
1000+32.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BA00AST BA00AST Rohm Semiconductor BA00ST_BA00SFP.pdf Description: IC REG LINEAR POS ADJ 1A TO220-5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-5 Full Pack
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 1A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2.5 mA
Voltage - Input (Max): 25V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-220-5 Full-Pak
Voltage - Output (Max): 25V
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.225V
Control Features: Enable
Part Status: Not For New Designs
PSRR: 55dB (120Hz)
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Over Voltage
Current - Supply (Max): 5 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGS80TSX2DGC11 RGS80TSX2DGC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGS80TSX2D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FLD 1200V 80A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 198 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 49ns/199ns
Switching Energy: 3mJ (on), 3.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 104 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 555 W
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+968.55 грн
30+564.37 грн
120+483.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6030ENXC7G R6030ENXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6030ENX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 30A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+296.92 грн
50+219.07 грн
100+214.13 грн
500+94.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6030ENZC17 R6030ENZC17 Rohm Semiconductor datasheet?p=R6030ENZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+299.30 грн
30+239.28 грн
120+121.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K31HZGTB SP8K31HZGTB Rohm Semiconductor datasheet?p=SP8K31HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K31HZGTB SP8K31HZGTB Rohm Semiconductor datasheet?p=SP8K31HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 4880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.02 грн
10+94.80 грн
100+64.12 грн
500+47.83 грн
1000+43.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K32HZGTB SP8K32HZGTB Rohm Semiconductor datasheet?p=SP8K32HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K32HZGTB SP8K32HZGTB Rohm Semiconductor datasheet?p=SP8K32HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.69 грн
10+105.73 грн
100+71.92 грн
500+53.90 грн
1000+49.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K33HZGTB SP8K33HZGTB Rohm Semiconductor datasheet?p=SP8K33HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K33HZGTB SP8K33HZGTB Rohm Semiconductor datasheet?p=SP8K33HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.03 грн
10+127.13 грн
100+87.33 грн
500+65.98 грн
1000+60.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SML813WBC8W1HP Rohm Semiconductor SML813WBC8W.pdf Description: LED INDICATION SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SML813WBC8W1AP SML813WBC8W1AP Rohm Semiconductor SML813WBC8W.pdf Description: LED INDICATION SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1305 (3412 Metric)
Color: White
Size / Dimension: 3.40mm L x 1.25mm W
Mounting Type: Surface Mount
Millicandela Rating: 45mcd
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 2.9V
Current - Test: 5mA
Height (Max): 1.15mm
Supplier Device Package: 1305 (3412)
Part Status: Obsolete
Lens Style: Rectangle with Flat Top
Lens Size: 1.20mm x 1.25mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P200SNTL1 RD3P200SNTL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3P200SN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+77.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P200SNTL1 RD3P200SNTL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3P200SN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 6980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.89 грн
10+146.78 грн
100+117.98 грн
500+90.96 грн
1000+75.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R8007AND3FRATL R8007AND3FRATL Rohm Semiconductor datasheet?p=R8007AND3FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 800V 7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+208.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
R8007AND3FRATL R8007AND3FRATL Rohm Semiconductor datasheet?p=R8007AND3FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 800V 7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+414.41 грн
10+358.62 грн
100+293.81 грн
500+234.72 грн
1000+197.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H200SNTL1 RD3H200SNTL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3H200SN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 45V 20A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H200SNTL1 RD3H200SNTL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3H200SN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 45V 20A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
на замовлення 1511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.64 грн
10+107.56 грн
100+83.87 грн
500+65.02 грн
1000+51.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6004PND3FRATL R6004PND3FRATL Rohm Semiconductor datasheet?p=R6004PND3FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+102.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
R6004PND3FRATL R6004PND3FRATL Rohm Semiconductor datasheet?p=R6004PND3FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.18 грн
10+170.56 грн
100+138.00 грн
500+115.11 грн
1000+98.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L220SNTL1 RD3L220SNTL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3L220SN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 60V 22A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L220SNTL1 RD3L220SNTL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3L220SN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 60V 22A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 10 V
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.18 грн
10+113.68 грн
100+77.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L050SNTL1 RD3L050SNTL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3L050SN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 60V 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L050SNTL1 RD3L050SNTL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3L050SN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 60V 5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
на замовлення 1449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.31 грн
10+86.85 грн
100+58.41 грн
500+43.39 грн
1000+39.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H080SPFRATL RD3H080SPFRATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3H080SPFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 45V 8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H080SPFRATL RD3H080SPFRATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3H080SPFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 45V 8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
на замовлення 1643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.43 грн
10+107.95 грн
100+84.19 грн
500+65.27 грн
1000+51.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L050SNFRATL RD3L050SNFRATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3L050SNFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 60V 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L050SNFRATL RD3L050SNFRATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3L050SNFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 60V 5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.24 грн
10+106.11 грн
25+89.57 грн
100+66.49 грн
250+57.85 грн
500+52.54 грн
1000+47.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P100SNTL1 RD3P100SNTL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3P100SN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 100V 10A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P100SNTL1 RD3P100SNTL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3P100SN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 100V 10A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 16439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.81 грн
10+95.33 грн
100+64.51 грн
500+48.13 грн
1000+44.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G600GNTL RD3G600GNTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3G600GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 40V 60A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G600GNTL RD3G600GNTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3G600GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 40V 60A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 20 V
на замовлення 2427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+202.44 грн
10+125.38 грн
100+86.02 грн
500+64.93 грн
1000+59.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H200SNFRATL RD3H200SNFRATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3H200SNFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 45V 20A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H200SNFRATL RD3H200SNFRATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3H200SNFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 45V 20A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
на замовлення 2376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.23 грн
10+109.09 грн
100+87.71 грн
500+67.63 грн
1000+56.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P050SNTL1 RD3P050SNTL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3P050SN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 100V 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.08 грн
5000+24.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P050SNTL1 RD3P050SNTL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3P050SN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 100V 5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
на замовлення 9312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.10 грн
10+51.60 грн
100+40.11 грн
500+31.91 грн
1000+26.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
R6006JND3TL1 R6006JND3TL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=R6006JND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 936mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 800µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6006JND3TL1 R6006JND3TL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=R6006JND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 936mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 800µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.45 грн
10+139.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54SHYT116 BAT54SHYT116 Rohm Semiconductor datasheet?p=BAT54SHY&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 200MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-23
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54SHYT116 BAT54SHYT116 Rohm Semiconductor datasheet?p=BAT54SHY&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 200MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-23
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
на замовлення 1352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.17 грн
14+22.48 грн
100+15.05 грн
500+10.74 грн
1000+9.54 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C4V3LYT116 BZX84C4V3LYT116 Rohm Semiconductor datasheet?p=BZX84C4V3LY&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ZENER 4.3V 250MW SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±6.98%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Power - Max: 250 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C4V3LYT116 BZX84C4V3LYT116 Rohm Semiconductor datasheet?p=BZX84C4V3LY&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ZENER 4.3V 250MW SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±6.98%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Power - Max: 250 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1 V
на замовлення 1717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.23 грн
22+14.22 грн
100+6.25 грн
500+5.56 грн
1000+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C4V3LYFHT116 BZX84C4V3LYFHT116 Rohm Semiconductor datasheet?p=BZX84C4V3LYFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ZENER 4.3V 250MW SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±6.98%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Power - Max: 250 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C4V3LYFHT116 BZX84C4V3LYFHT116 Rohm Semiconductor datasheet?p=BZX84C4V3LYFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ZENER 4.3V 250MW SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±6.98%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Power - Max: 250 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.85 грн
24+13.07 грн
100+6.31 грн
500+5.87 грн
1000+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BHZGT116 BC857BHZGT116 Rohm Semiconductor bc857bhzg-e.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.91 грн
45+6.88 грн
100+4.22 грн
500+2.88 грн
1000+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
RB731XNFHTR RB731XNFHTR Rohm Semiconductor datasheet?p=RB731XNFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARRAY SCHOTT 40V 30MA UMD6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Diode Configuration: 3 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30mA
Supplier Device Package: UMD6
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 370 mV @ 1 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GDZ8EPT2R6.2B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER GMD2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GDZT2R6.2B
GDZT2R6.2B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 6.2V 100MW GMD2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UFZVTE-176.2B ufzvte-176.2b-e.pdf
UFZVTE-176.2B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 6.2V 500MW UMD2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UFZVTE-176.2B ufzvte-176.2b-e.pdf
UFZVTE-176.2B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 6.2V 500MW UMD2
на замовлення 652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PDZVTR6.2B datasheet?p=PDZV6.2B&amp;dist=Digi-key&amp;media=referral&amp;source=digi-key.com&amp;campaign=Digi-key
PDZVTR6.2B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 6.6V 1W PMDTM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±6.06%
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 6 Ohms
Supplier Device Package: PMDTM
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 3 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.67 грн
6000+8.00 грн
9000+7.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PDZVTR6.2B datasheet?p=PDZV6.2B&amp;dist=Digi-key&amp;media=referral&amp;source=digi-key.com&amp;campaign=Digi-key
PDZVTR6.2B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 6.6V 1W PMDTM
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±6.06%
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 6 Ohms
Supplier Device Package: PMDTM
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 3 V
на замовлення 19308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.55 грн
13+24.00 грн
100+14.40 грн
500+12.51 грн
1000+8.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
UDZWTE-176.2B
UDZWTE-176.2B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER UMD2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UFZVFHTE-176.2B ufzvfhte-176.2b-e.pdf
UFZVFHTE-176.2B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 6.2V 500MW UMD2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UFZVFHTE-176.2B ufzvfhte-176.2b-e.pdf
UFZVFHTE-176.2B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 6.2V 500MW UMD2
на замовлення 2313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
YFZVFHTR6.2B datasheet?p=YFZVFH6.2B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
YFZVFHTR6.2B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 6.12V 500MW TUMD2M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2.53%
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.12 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: TUMD2M
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 3 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YFZVFHTR6.2B datasheet?p=YFZVFH6.2B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
YFZVFHTR6.2B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 6.12V 500MW TUMD2M
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2.53%
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.12 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: TUMD2M
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 3 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.82 грн
20+15.52 грн
100+10.42 грн
500+7.55 грн
1000+6.81 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SIM-032SSW1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: INFRARED EMITTER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BA7809FP-E2 datasheet?p=BA7809FP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BA7809FP-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LINEAR 9V 1A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 1A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 8 mA
Voltage - Input (Max): 26V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-252-3
Voltage - Output (Min/Fixed): 9V
Part Status: Active
PSRR: 64dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 2V @ 1A (Typ)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 800 µA
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+35.43 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
BA7809FP-E2 datasheet?p=BA7809FP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BA7809FP-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LINEAR 9V 1A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 1A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 8 mA
Voltage - Input (Max): 26V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-252-3
Voltage - Output (Min/Fixed): 9V
Part Status: Active
PSRR: 64dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 2V @ 1A (Typ)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 800 µA
на замовлення 2077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.04 грн
10+50.99 грн
25+46.05 грн
100+38.12 грн
250+35.69 грн
500+34.22 грн
1000+32.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BA00AST BA00ST_BA00SFP.pdf
BA00AST
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LINEAR POS ADJ 1A TO220-5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-5 Full Pack
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 1A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2.5 mA
Voltage - Input (Max): 25V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-220-5 Full-Pak
Voltage - Output (Max): 25V
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.225V
Control Features: Enable
Part Status: Not For New Designs
PSRR: 55dB (120Hz)
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Over Voltage
Current - Supply (Max): 5 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGS80TSX2DGC11 datasheet?p=RGS80TSX2D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGS80TSX2DGC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FLD 1200V 80A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 198 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 49ns/199ns
Switching Energy: 3mJ (on), 3.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 104 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 555 W
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+968.55 грн
30+564.37 грн
120+483.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6030ENXC7G datasheet?p=R6030ENX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6030ENXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 30A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+296.92 грн
50+219.07 грн
100+214.13 грн
500+94.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6030ENZC17 datasheet?p=R6030ENZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6030ENZC17
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+299.30 грн
30+239.28 грн
120+121.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K31HZGTB datasheet?p=SP8K31HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SP8K31HZGTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+40.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K31HZGTB datasheet?p=SP8K31HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SP8K31HZGTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 4880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.02 грн
10+94.80 грн
100+64.12 грн
500+47.83 грн
1000+43.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K32HZGTB datasheet?p=SP8K32HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SP8K32HZGTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K32HZGTB datasheet?p=SP8K32HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SP8K32HZGTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+170.69 грн
10+105.73 грн
100+71.92 грн
500+53.90 грн
1000+49.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K33HZGTB datasheet?p=SP8K33HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SP8K33HZGTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K33HZGTB datasheet?p=SP8K33HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SP8K33HZGTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+204.03 грн
10+127.13 грн
100+87.33 грн
500+65.98 грн
1000+60.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SML813WBC8W1HP SML813WBC8W.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: LED INDICATION SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SML813WBC8W1AP SML813WBC8W.pdf
SML813WBC8W1AP
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: LED INDICATION SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1305 (3412 Metric)
Color: White
Size / Dimension: 3.40mm L x 1.25mm W
Mounting Type: Surface Mount
Millicandela Rating: 45mcd
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 2.9V
Current - Test: 5mA
Height (Max): 1.15mm
Supplier Device Package: 1305 (3412)
Part Status: Obsolete
Lens Style: Rectangle with Flat Top
Lens Size: 1.20mm x 1.25mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P200SNTL1 datasheet?p=RD3P200SN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3P200SNTL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+77.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P200SNTL1 datasheet?p=RD3P200SN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3P200SNTL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 6980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+169.89 грн
10+146.78 грн
100+117.98 грн
500+90.96 грн
1000+75.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R8007AND3FRATL datasheet?p=R8007AND3FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R8007AND3FRATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 800V 7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+208.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
R8007AND3FRATL datasheet?p=R8007AND3FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R8007AND3FRATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 800V 7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+414.41 грн
10+358.62 грн
100+293.81 грн
500+234.72 грн
1000+197.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H200SNTL1 datasheet?p=RD3H200SN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3H200SNTL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 45V 20A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H200SNTL1 datasheet?p=RD3H200SN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3H200SNTL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 45V 20A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
на замовлення 1511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.64 грн
10+107.56 грн
100+83.87 грн
500+65.02 грн
1000+51.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6004PND3FRATL datasheet?p=R6004PND3FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6004PND3FRATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+102.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
R6004PND3FRATL datasheet?p=R6004PND3FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6004PND3FRATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+211.18 грн
10+170.56 грн
100+138.00 грн
500+115.11 грн
1000+98.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L220SNTL1 datasheet?p=RD3L220SN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3L220SNTL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 22A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L220SNTL1 datasheet?p=RD3L220SN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3L220SNTL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 22A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 10 V
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+184.18 грн
10+113.68 грн
100+77.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L050SNTL1 datasheet?p=RD3L050SN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3L050SNTL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L050SNTL1 datasheet?p=RD3L050SN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3L050SNTL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
на замовлення 1449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.31 грн
10+86.85 грн
100+58.41 грн
500+43.39 грн
1000+39.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H080SPFRATL datasheet?p=RD3H080SPFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3H080SPFRATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 45V 8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H080SPFRATL datasheet?p=RD3H080SPFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3H080SPFRATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 45V 8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
на замовлення 1643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.43 грн
10+107.95 грн
100+84.19 грн
500+65.27 грн
1000+51.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L050SNFRATL datasheet?p=RD3L050SNFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3L050SNFRATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L050SNFRATL datasheet?p=RD3L050SNFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3L050SNFRATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+176.24 грн
10+106.11 грн
25+89.57 грн
100+66.49 грн
250+57.85 грн
500+52.54 грн
1000+47.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P100SNTL1 datasheet?p=RD3P100SN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3P100SNTL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 10A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+41.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P100SNTL1 datasheet?p=RD3P100SN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3P100SNTL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 10A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 16439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.81 грн
10+95.33 грн
100+64.51 грн
500+48.13 грн
1000+44.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G600GNTL datasheet?p=RD3G600GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3G600GNTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 60A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G600GNTL datasheet?p=RD3G600GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3G600GNTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 60A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 20 V
на замовлення 2427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+202.44 грн
10+125.38 грн
100+86.02 грн
500+64.93 грн
1000+59.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H200SNFRATL datasheet?p=RD3H200SNFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3H200SNFRATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 45V 20A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H200SNFRATL datasheet?p=RD3H200SNFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3H200SNFRATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 45V 20A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
на замовлення 2376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.23 грн
10+109.09 грн
100+87.71 грн
500+67.63 грн
1000+56.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P050SNTL1 datasheet?p=RD3P050SN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3P050SNTL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+27.08 грн
5000+24.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P050SNTL1 datasheet?p=RD3P050SN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3P050SNTL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
на замовлення 9312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.10 грн
10+51.60 грн
100+40.11 грн
500+31.91 грн
1000+26.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
R6006JND3TL1 datasheet?p=R6006JND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6006JND3TL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 936mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 800µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6006JND3TL1 datasheet?p=R6006JND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6006JND3TL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 936mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 800µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+175.45 грн
10+139.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54SHYT116 datasheet?p=BAT54SHY&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BAT54SHYT116
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 200MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-23
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54SHYT116 datasheet?p=BAT54SHY&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BAT54SHYT116
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 200MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-23
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
на замовлення 1352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.17 грн
14+22.48 грн
100+15.05 грн
500+10.74 грн
1000+9.54 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C4V3LYT116 datasheet?p=BZX84C4V3LY&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BZX84C4V3LYT116
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 4.3V 250MW SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±6.98%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Power - Max: 250 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C4V3LYT116 datasheet?p=BZX84C4V3LY&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BZX84C4V3LYT116
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 4.3V 250MW SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±6.98%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Power - Max: 250 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1 V
на замовлення 1717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.23 грн
22+14.22 грн
100+6.25 грн
500+5.56 грн
1000+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C4V3LYFHT116 datasheet?p=BZX84C4V3LYFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BZX84C4V3LYFHT116
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 4.3V 250MW SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±6.98%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Power - Max: 250 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C4V3LYFHT116 datasheet?p=BZX84C4V3LYFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BZX84C4V3LYFHT116
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 4.3V 250MW SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±6.98%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Power - Max: 250 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+19.85 грн
24+13.07 грн
100+6.31 грн
500+5.87 грн
1000+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BHZGT116 bc857bhzg-e.pdf
BC857BHZGT116
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 45V 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+11.91 грн
45+6.88 грн
100+4.22 грн
500+2.88 грн
1000+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
RB731XNFHTR datasheet?p=RB731XNFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB731XNFHTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 40V 30MA UMD6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Diode Configuration: 3 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30mA
Supplier Device Package: UMD6
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 370 mV @ 1 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 171 342 513 684 855 877 878 879 880 881 882 883 884 885 886 887 1026 1197 1368 1539 1710  [ Наступна Сторінка >> ]