Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ROHM SEMICONDUCTOR (102903) > Сторінка 910 з 1716

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 171 342 513 684 855 905 906 907 908 909 910 911 912 913 914 915 1026 1197 1368 1539 1710 1716  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RW4E045AJTCL1 RW4E045AJTCL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RW4E045AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: NCH 30V 4.5A POWER MOSFET: RW4E0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN1616-7T
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RW4E045ATTCL1 RW4E045ATTCL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RW4E045AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PCH -30V -4.5A POWER MOSFET. RW4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN1616-7T
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RW4E045ATTCL1 RW4E045ATTCL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RW4E045AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PCH -30V -4.5A POWER MOSFET. RW4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN1616-7T
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 15 V
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.54 грн
10+55.37 грн
100+36.41 грн
500+26.53 грн
1000+24.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
R8008ANJGTL R8008ANJGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=R8008ANJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: NCH 800V 8A POWER MOSFET : R8008
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R8008ANJGTL R8008ANJGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=R8008ANJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: NCH 800V 8A POWER MOSFET : R8008
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+487.43 грн
10+315.57 грн
100+228.63 грн
500+179.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R8003KNXC7G R8003KNXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R8003KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 800V 3A, TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 100 V
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.07 грн
10+143.29 грн
100+114.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R8002KNXC7G R8002KNXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R8002KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 800V 1.6A, TO-220FM, HIGH-SPEED
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.00 грн
50+100.99 грн
100+90.93 грн
500+68.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R8006KNXC7G R8006KNXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R8006KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R8006KNXC7G R8006KNXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R8006KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
на замовлення 656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+296.31 грн
10+201.52 грн
100+143.18 грн
500+110.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R8002KND3TL1 R8002KND3TL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=R8002KND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 1.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-252GE
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R8002KND3TL1 R8002KND3TL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=R8002KND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 1.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-252GE
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.92 грн
10+93.88 грн
100+65.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R8009KNXC7G R8009KNXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R8009KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 9A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+138.60 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
R8009KNXC7G R8009KNXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R8009KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 9A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
на замовлення 1886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+350.92 грн
10+240.80 грн
100+171.75 грн
500+133.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R8003KND3TL1 R8003KND3TL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=R8003KND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R8003KND3TL1 R8003KND3TL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=R8003KND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 3A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 100 V
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.18 грн
10+138.96 грн
100+97.49 грн
500+74.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RSS070P05HZGTB RSS070P05HZGTB Rohm Semiconductor rss070p05hzgtb-e.pdf Description: PCH -45V -7A POWER MOSFET. RSS07
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSS070P05HZGTB RSS070P05HZGTB Rohm Semiconductor rss070p05hzgtb-e.pdf Description: PCH -45V -7A POWER MOSFET. RSS07
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.03 грн
10+90.86 грн
100+72.30 грн
500+57.41 грн
1000+48.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV80TS65GC11 RGTV80TS65GC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGTV80TS65&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 78A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/113ns
Switching Energy: 1.02mJ (on), 710µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 81 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 78 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 234 W
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.75 грн
30+132.28 грн
120+107.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV80TK65GVC11 RGTV80TK65GVC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGTV80TK65&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 39A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/113ns
Switching Energy: 1.02mJ (on), 710µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 81 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 39 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 85 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.98 грн
30+160.92 грн
120+132.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BD7800FP-E2 BD7800FP-E2 Rohm Semiconductor Description: IC REG LINEAR 5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C3V0LYFHT116 BZX84C3V0LYFHT116 Rohm Semiconductor datasheet?p=BZX84C3V0LYFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ZENER 3V 250MW SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±6.67%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3 V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Power - Max: 250 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C3V0LYFHT116 BZX84C3V0LYFHT116 Rohm Semiconductor datasheet?p=BZX84C3V0LYFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ZENER 3V 250MW SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±6.67%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3 V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Power - Max: 250 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.48 грн
22+14.38 грн
100+6.86 грн
500+6.37 грн
1000+6.30 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SML-P12MTT86 SML-P12MTT86 Rohm Semiconductor sml-p1-e.pdf Description: LED GREEN CLEAR 1006 SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Color: Green
Size / Dimension: 1.00mm L x 0.60mm W
Mounting Type: Surface Mount
Millicandela Rating: 25mcd
Configuration: Standard
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 2.2V
Lens Color: Colorless
Current - Test: 20mA
Height (Max): 0.25mm
Wavelength - Dominant: 572nm
Supplier Device Package: 1006 (0402)
Lens Transparency: Clear
Part Status: Not For New Designs
Lens Style: Square with Flat Top
Lens Size: 0.60mm
на замовлення 17082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.71 грн
16+19.41 грн
100+13.83 грн
500+10.59 грн
1000+9.80 грн
2000+9.13 грн
5000+8.27 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ27VCLYFHT116 MMBZ27VCLYFHT116 Rohm Semiconductor datasheet?p=MMBZ27VCLYFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 22V, SOT-23, CATHODE COMMON, AUT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 22V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 25.65V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 38V
Power - Peak Pulse: 40W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.34 грн
6000+10.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ27VCLYFHT116 MMBZ27VCLYFHT116 Rohm Semiconductor datasheet?p=MMBZ27VCLYFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 22V, SOT-23, CATHODE COMMON, AUT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 22V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 25.65V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 38V
Power - Peak Pulse: 40W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.73 грн
12+27.68 грн
100+19.25 грн
500+14.10 грн
1000+11.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BUS1DJC3GWZ-E2 BUS1DJC3GWZ-E2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BUS1DJC3GWZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 1CH ULTRA SMALL HIGH SIDE LOAD S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 140mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.1V ~ 5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: UCSP30L1
Fault Protection: Short Circuit
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUS1DJC3GWZ-E2 BUS1DJC3GWZ-E2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BUS1DJC3GWZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 1CH ULTRA SMALL HIGH SIDE LOAD S
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 140mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.1V ~ 5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: UCSP30L1
Fault Protection: Short Circuit
Part Status: Active
на замовлення 1161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.12 грн
15+21.34 грн
25+19.05 грн
100+15.51 грн
250+14.38 грн
500+13.69 грн
1000+12.91 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SDR10EZPJ360 SDR10EZPJ360 Rohm Semiconductor sdr-e.pdf Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
Power (Watts): 0.5W, 1/2W
Tolerance: ±5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Part Status: Active
Resistance: 36 Ohms
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+2.07 грн
10000+1.86 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
SDR10EZPJ360 SDR10EZPJ360 Rohm Semiconductor sdr-e.pdf Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
Power (Watts): 0.5W, 1/2W
Tolerance: ±5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Part Status: Active
Resistance: 36 Ohms
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.67 грн
22+14.61 грн
50+7.70 грн
100+5.36 грн
500+3.24 грн
1000+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SDR10EZPJ132 SDR10EZPJ132 Rohm Semiconductor sdr-e.pdf Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
Power (Watts): 0.5W, 1/2W
Tolerance: ±5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Part Status: Active
Resistance: 1.3 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDR10EZPJ132 SDR10EZPJ132 Rohm Semiconductor sdr-e.pdf Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
Power (Watts): 0.5W, 1/2W
Tolerance: ±5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Part Status: Active
Resistance: 1.3 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDR10EZPJ1R0 SDR10EZPJ1R0 Rohm Semiconductor sdr-e.pdf Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
SDR10EZPJ1R0 SDR10EZPJ1R0 Rohm Semiconductor sdr-e.pdf Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
на замовлення 9675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.06 грн
25+12.76 грн
100+4.99 грн
1000+1.96 грн
2500+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPD8062 SDR03EZPD8062 Rohm Semiconductor sdr-e.pdf Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+1.94 грн
10000+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPD8062 SDR03EZPD8062 Rohm Semiconductor sdr-e.pdf Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.86 грн
23+13.69 грн
100+5.35 грн
1000+2.10 грн
2500+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPD5112 SDR03EZPD5112 Rohm Semiconductor sdr-e.pdf Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
Power (Watts): 0.3W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 51.1 kOhms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPD5112 SDR03EZPD5112 Rohm Semiconductor sdr-e.pdf Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 0.3W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 51.1 kOhms
на замовлення 9980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.45 грн
41+7.66 грн
60+5.21 грн
100+4.22 грн
500+3.09 грн
1000+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPD3000 SDR03EZPD3000 Rohm Semiconductor sdr-e.pdf Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 0.3W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Part Status: Active
Resistance: 300 Ohms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPD3000 SDR03EZPD3000 Rohm Semiconductor sdr-e.pdf Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 0.3W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Part Status: Active
Resistance: 300 Ohms
на замовлення 9367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.45 грн
41+7.66 грн
60+5.21 грн
100+4.22 грн
500+3.09 грн
1000+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
SDR10EZPF1R60 SDR10EZPF1R60 Rohm Semiconductor sdr-e.pdf Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 0.5W, 1/2W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 1.6 Ohms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
SDR10EZPF1R60 SDR10EZPF1R60 Rohm Semiconductor sdr-e.pdf Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 0.5W, 1/2W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 1.6 Ohms
на замовлення 9570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.29 грн
17+18.87 грн
50+9.96 грн
100+6.93 грн
500+4.19 грн
1000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BD63525AEFV-EVK-001 BD63525AEFV-EVK-001 Rohm Semiconductor bd63xxxefv-evk-001_ug-e.pdf Description: EVAL BOARD FOR BD63525A
Packaging: Bulk
Function: Motor Controller/Driver
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: BD63525A
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 8V ~ 28V Supply
Embedded: No
Part Status: Active
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11203.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E350GNTB RS1E350GNTB Rohm Semiconductor datasheet?p=RS1E350GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 35A/80A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4060 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+93.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E350GNTB RS1E350GNTB Rohm Semiconductor datasheet?p=RS1E350GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 35A/80A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4060 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.18 грн
10+165.48 грн
100+131.74 грн
500+104.61 грн
1000+88.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E220ATTB1 RS1E220ATTB1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RS1E220AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 22A/76A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+87.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E220ATTB1 RS1E220ATTB1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RS1E220AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 22A/76A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 15 V
на замовлення 5781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+265.00 грн
10+166.56 грн
100+116.04 грн
500+88.64 грн
1000+82.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E350BNTB1 RS1E350BNTB1 Rohm Semiconductor rs1e350bntb-e.pdf Description: NCH 30V 80A POWER MOSFET: RS1E35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E170GNTB RS1E170GNTB Rohm Semiconductor datasheet?p=RS1E170GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFR01MZPJ752 SFR01MZPJ752 Rohm Semiconductor sfr-e.pdf Description: SULFUR TOLERANT CHIP RESISTORS
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+0.66 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
SFR01MZPJ752 SFR01MZPJ752 Rohm Semiconductor sfr-e.pdf Description: SULFUR TOLERANT CHIP RESISTORS
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.23 грн
58+5.41 грн
149+2.08 грн
1000+0.86 грн
2500+0.74 грн
5000+0.66 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPD4752 SDR03EZPD4752 Rohm Semiconductor sdr-e.pdf Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPD4752 SDR03EZPD4752 Rohm Semiconductor sdr-e.pdf Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.86 грн
23+13.69 грн
100+5.35 грн
1000+2.10 грн
2500+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
RFN20NS3STL RFN20NS3STL Rohm Semiconductor datasheet?p=RFN20NS3S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE STANDARD 350V 20A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 350 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 350 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFN20NS3STL RFN20NS3STL Rohm Semiconductor datasheet?p=RFN20NS3S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE STANDARD 350V 20A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 350 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 350 V
на замовлення 784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+281.06 грн
10+181.10 грн
100+126.74 грн
500+97.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SK-BS01-D62Q1577TB SK-BS01-D62Q1577TB Rohm Semiconductor 445b4469-f001-86bb-466f-58b40da118b2?t=1671072151153 Description: ML62Q1577 MCU STARTER KIT
Packaging: Bulk
Mounting Type: Fixed
Type: MCU 16-Bit
Contents: Board(s), Cable(s)
Core Processor: nX-U16/100
Board Type: Evaluation Platform
Utilized IC / Part: ML62Q1577
Platform: ML62Q1000 MCU Starter Kit
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16221.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B5V6LYT116 BZX84B5V6LYT116 Rohm Semiconductor datasheet?p=BZX84B5V6LY&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ZENER 5.6V 250MW SOT23
Tolerance: ±1.96%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23
Power - Max: 250 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 2 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B5V6LYT116 BZX84B5V6LYT116 Rohm Semiconductor datasheet?p=BZX84B5V6LY&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ZENER 5.6V 250MW SOT23
Tolerance: ±1.96%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23
Power - Max: 250 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 2 V
на замовлення 5890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.88 грн
23+13.46 грн
100+6.51 грн
500+6.01 грн
1000+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B5V6LYFHT116 BZX84B5V6LYFHT116 Rohm Semiconductor datasheet?p=BZX84B5V6LYFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ZENER 5.6V 250MW SOT23
Tolerance: ±1.96%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 250 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 2 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.61 грн
6000+5.03 грн
9000+4.66 грн
15000+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B5V6LYFHT116 BZX84B5V6LYFHT116 Rohm Semiconductor datasheet?p=BZX84B5V6LYFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ZENER 5.6V 250MW SOT23
Tolerance: ±1.96%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 250 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 2 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.73 грн
16+19.80 грн
100+8.37 грн
500+7.75 грн
1000+7.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
UT6J3TCR1 UT6J3TCR1 Rohm Semiconductor datasheet?p=UT6J3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN2020-8D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RW4E045AJTCL1 datasheet?p=RW4E045AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RW4E045AJTCL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 30V 4.5A POWER MOSFET: RW4E0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN1616-7T
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RW4E045ATTCL1 datasheet?p=RW4E045AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RW4E045ATTCL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -30V -4.5A POWER MOSFET. RW4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN1616-7T
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RW4E045ATTCL1 datasheet?p=RW4E045AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RW4E045ATTCL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -30V -4.5A POWER MOSFET. RW4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN1616-7T
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 15 V
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.54 грн
10+55.37 грн
100+36.41 грн
500+26.53 грн
1000+24.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
R8008ANJGTL datasheet?p=R8008ANJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R8008ANJGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 800V 8A POWER MOSFET : R8008
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R8008ANJGTL datasheet?p=R8008ANJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R8008ANJGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 800V 8A POWER MOSFET : R8008
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+487.43 грн
10+315.57 грн
100+228.63 грн
500+179.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R8003KNXC7G datasheet?p=R8003KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R8003KNXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 800V 3A, TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 100 V
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+179.07 грн
10+143.29 грн
100+114.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R8002KNXC7G datasheet?p=R8002KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R8002KNXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 800V 1.6A, TO-220FM, HIGH-SPEED
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+212.00 грн
50+100.99 грн
100+90.93 грн
500+68.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R8006KNXC7G datasheet?p=R8006KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R8006KNXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R8006KNXC7G datasheet?p=R8006KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R8006KNXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
на замовлення 656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+296.31 грн
10+201.52 грн
100+143.18 грн
500+110.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R8002KND3TL1 datasheet?p=R8002KND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R8002KND3TL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 1.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-252GE
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R8002KND3TL1 datasheet?p=R8002KND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R8002KND3TL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 1.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-252GE
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.92 грн
10+93.88 грн
100+65.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R8009KNXC7G datasheet?p=R8009KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R8009KNXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 9A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+138.60 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
R8009KNXC7G datasheet?p=R8009KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R8009KNXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 9A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
на замовлення 1886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+350.92 грн
10+240.80 грн
100+171.75 грн
500+133.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R8003KND3TL1 datasheet?p=R8003KND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R8003KND3TL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R8003KND3TL1 datasheet?p=R8003KND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R8003KND3TL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 3A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 100 V
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+207.18 грн
10+138.96 грн
100+97.49 грн
500+74.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RSS070P05HZGTB rss070p05hzgtb-e.pdf
RSS070P05HZGTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -45V -7A POWER MOSFET. RSS07
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSS070P05HZGTB rss070p05hzgtb-e.pdf
RSS070P05HZGTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -45V -7A POWER MOSFET. RSS07
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.03 грн
10+90.86 грн
100+72.30 грн
500+57.41 грн
1000+48.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV80TS65GC11 datasheet?p=RGTV80TS65&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGTV80TS65GC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 78A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/113ns
Switching Energy: 1.02mJ (on), 710µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 81 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 78 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 234 W
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+253.75 грн
30+132.28 грн
120+107.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV80TK65GVC11 datasheet?p=RGTV80TK65&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGTV80TK65GVC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 39A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/113ns
Switching Energy: 1.02mJ (on), 710µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 81 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 39 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 85 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+207.98 грн
30+160.92 грн
120+132.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BD7800FP-E2
BD7800FP-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LINEAR 5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C3V0LYFHT116 datasheet?p=BZX84C3V0LYFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BZX84C3V0LYFHT116
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 3V 250MW SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±6.67%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3 V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Power - Max: 250 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C3V0LYFHT116 datasheet?p=BZX84C3V0LYFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BZX84C3V0LYFHT116
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 3V 250MW SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±6.67%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3 V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Power - Max: 250 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.48 грн
22+14.38 грн
100+6.86 грн
500+6.37 грн
1000+6.30 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SML-P12MTT86 sml-p1-e.pdf
SML-P12MTT86
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: LED GREEN CLEAR 1006 SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Color: Green
Size / Dimension: 1.00mm L x 0.60mm W
Mounting Type: Surface Mount
Millicandela Rating: 25mcd
Configuration: Standard
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 2.2V
Lens Color: Colorless
Current - Test: 20mA
Height (Max): 0.25mm
Wavelength - Dominant: 572nm
Supplier Device Package: 1006 (0402)
Lens Transparency: Clear
Part Status: Not For New Designs
Lens Style: Square with Flat Top
Lens Size: 0.60mm
на замовлення 17082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.71 грн
16+19.41 грн
100+13.83 грн
500+10.59 грн
1000+9.80 грн
2000+9.13 грн
5000+8.27 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ27VCLYFHT116 datasheet?p=MMBZ27VCLYFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
MMBZ27VCLYFHT116
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 22V, SOT-23, CATHODE COMMON, AUT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 22V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 25.65V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 38V
Power - Peak Pulse: 40W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.34 грн
6000+10.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ27VCLYFHT116 datasheet?p=MMBZ27VCLYFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
MMBZ27VCLYFHT116
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 22V, SOT-23, CATHODE COMMON, AUT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 22V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 25.65V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 38V
Power - Peak Pulse: 40W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.73 грн
12+27.68 грн
100+19.25 грн
500+14.10 грн
1000+11.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BUS1DJC3GWZ-E2 datasheet?p=BUS1DJC3GWZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BUS1DJC3GWZ-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 1CH ULTRA SMALL HIGH SIDE LOAD S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 140mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.1V ~ 5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: UCSP30L1
Fault Protection: Short Circuit
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUS1DJC3GWZ-E2 datasheet?p=BUS1DJC3GWZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BUS1DJC3GWZ-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 1CH ULTRA SMALL HIGH SIDE LOAD S
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 140mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.1V ~ 5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: UCSP30L1
Fault Protection: Short Circuit
Part Status: Active
на замовлення 1161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.12 грн
15+21.34 грн
25+19.05 грн
100+15.51 грн
250+14.38 грн
500+13.69 грн
1000+12.91 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SDR10EZPJ360 sdr-e.pdf
SDR10EZPJ360
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
Power (Watts): 0.5W, 1/2W
Tolerance: ±5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Part Status: Active
Resistance: 36 Ohms
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+2.07 грн
10000+1.86 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
SDR10EZPJ360 sdr-e.pdf
SDR10EZPJ360
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
Power (Watts): 0.5W, 1/2W
Tolerance: ±5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Part Status: Active
Resistance: 36 Ohms
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+17.67 грн
22+14.61 грн
50+7.70 грн
100+5.36 грн
500+3.24 грн
1000+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SDR10EZPJ132 sdr-e.pdf
SDR10EZPJ132
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
Power (Watts): 0.5W, 1/2W
Tolerance: ±5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Part Status: Active
Resistance: 1.3 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDR10EZPJ132 sdr-e.pdf
SDR10EZPJ132
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
Power (Watts): 0.5W, 1/2W
Tolerance: ±5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Part Status: Active
Resistance: 1.3 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDR10EZPJ1R0 sdr-e.pdf
SDR10EZPJ1R0
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
SDR10EZPJ1R0 sdr-e.pdf
SDR10EZPJ1R0
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
на замовлення 9675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.06 грн
25+12.76 грн
100+4.99 грн
1000+1.96 грн
2500+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPD8062 sdr-e.pdf
SDR03EZPD8062
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+1.94 грн
10000+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPD8062 sdr-e.pdf
SDR03EZPD8062
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.86 грн
23+13.69 грн
100+5.35 грн
1000+2.10 грн
2500+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPD5112 sdr-e.pdf
SDR03EZPD5112
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
Power (Watts): 0.3W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 51.1 kOhms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPD5112 sdr-e.pdf
SDR03EZPD5112
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 0.3W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 51.1 kOhms
на замовлення 9980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+14.45 грн
41+7.66 грн
60+5.21 грн
100+4.22 грн
500+3.09 грн
1000+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPD3000 sdr-e.pdf
SDR03EZPD3000
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 0.3W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Part Status: Active
Resistance: 300 Ohms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPD3000 sdr-e.pdf
SDR03EZPD3000
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 0.3W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Part Status: Active
Resistance: 300 Ohms
на замовлення 9367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+14.45 грн
41+7.66 грн
60+5.21 грн
100+4.22 грн
500+3.09 грн
1000+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
SDR10EZPF1R60 sdr-e.pdf
SDR10EZPF1R60
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 0.5W, 1/2W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 1.6 Ohms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
SDR10EZPF1R60 sdr-e.pdf
SDR10EZPF1R60
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 0.5W, 1/2W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 1.6 Ohms
на замовлення 9570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.29 грн
17+18.87 грн
50+9.96 грн
100+6.93 грн
500+4.19 грн
1000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BD63525AEFV-EVK-001 bd63xxxefv-evk-001_ug-e.pdf
BD63525AEFV-EVK-001
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: EVAL BOARD FOR BD63525A
Packaging: Bulk
Function: Motor Controller/Driver
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: BD63525A
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 8V ~ 28V Supply
Embedded: No
Part Status: Active
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+11203.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E350GNTB datasheet?p=RS1E350GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RS1E350GNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 35A/80A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4060 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+93.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E350GNTB datasheet?p=RS1E350GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RS1E350GNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 35A/80A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4060 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+207.18 грн
10+165.48 грн
100+131.74 грн
500+104.61 грн
1000+88.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E220ATTB1 datasheet?p=RS1E220AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RS1E220ATTB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 22A/76A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+87.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E220ATTB1 datasheet?p=RS1E220AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RS1E220ATTB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 22A/76A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 15 V
на замовлення 5781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+265.00 грн
10+166.56 грн
100+116.04 грн
500+88.64 грн
1000+82.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E350BNTB1 rs1e350bntb-e.pdf
RS1E350BNTB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 30V 80A POWER MOSFET: RS1E35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E170GNTB datasheet?p=RS1E170GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RS1E170GNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFR01MZPJ752 sfr-e.pdf
SFR01MZPJ752
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SULFUR TOLERANT CHIP RESISTORS
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+0.66 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
SFR01MZPJ752 sfr-e.pdf
SFR01MZPJ752
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SULFUR TOLERANT CHIP RESISTORS
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+7.23 грн
58+5.41 грн
149+2.08 грн
1000+0.86 грн
2500+0.74 грн
5000+0.66 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPD4752 sdr-e.pdf
SDR03EZPD4752
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPD4752 sdr-e.pdf
SDR03EZPD4752
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.86 грн
23+13.69 грн
100+5.35 грн
1000+2.10 грн
2500+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
RFN20NS3STL datasheet?p=RFN20NS3S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RFN20NS3STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE STANDARD 350V 20A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 350 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 350 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFN20NS3STL datasheet?p=RFN20NS3S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RFN20NS3STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE STANDARD 350V 20A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 350 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 350 V
на замовлення 784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+281.06 грн
10+181.10 грн
100+126.74 грн
500+97.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SK-BS01-D62Q1577TB 445b4469-f001-86bb-466f-58b40da118b2?t=1671072151153
SK-BS01-D62Q1577TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: ML62Q1577 MCU STARTER KIT
Packaging: Bulk
Mounting Type: Fixed
Type: MCU 16-Bit
Contents: Board(s), Cable(s)
Core Processor: nX-U16/100
Board Type: Evaluation Platform
Utilized IC / Part: ML62Q1577
Platform: ML62Q1000 MCU Starter Kit
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+16221.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B5V6LYT116 datasheet?p=BZX84B5V6LY&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BZX84B5V6LYT116
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 5.6V 250MW SOT23
Tolerance: ±1.96%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23
Power - Max: 250 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 2 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B5V6LYT116 datasheet?p=BZX84B5V6LY&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BZX84B5V6LYT116
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 5.6V 250MW SOT23
Tolerance: ±1.96%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23
Power - Max: 250 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 2 V
на замовлення 5890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.88 грн
23+13.46 грн
100+6.51 грн
500+6.01 грн
1000+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B5V6LYFHT116 datasheet?p=BZX84B5V6LYFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BZX84B5V6LYFHT116
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 5.6V 250MW SOT23
Tolerance: ±1.96%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 250 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 2 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.61 грн
6000+5.03 грн
9000+4.66 грн
15000+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B5V6LYFHT116 datasheet?p=BZX84B5V6LYFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BZX84B5V6LYFHT116
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 5.6V 250MW SOT23
Tolerance: ±1.96%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 250 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 2 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.73 грн
16+19.80 грн
100+8.37 грн
500+7.75 грн
1000+7.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
UT6J3TCR1 datasheet?p=UT6J3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
UT6J3TCR1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN2020-8D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 171 342 513 684 855 905 906 907 908 909 910 911 912 913 914 915 1026 1197 1368 1539 1710 1716  [ Наступна Сторінка >> ]