Продукція > ROHM > Всі товари виробника ROHM (20900) > Сторінка 349 з 349

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 34 68 102 136 170 204 238 272 306 340 344 345 346 347 348 349
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
LM2903EZFJ-CE2 LM2903EZFJ-CE2 ROHM 4533516.pdf Description: ROHM - LM2903EZFJ-CE2 - Analoger Komparator, Ground-Sense, 2 Kanäle, 1.3 µs, 3V bis 36V, SOP-J, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.17 грн
500+22.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
LM2903EZFJ-CE2 LM2903EZFJ-CE2 ROHM 4533516.pdf Description: ROHM - LM2903EZFJ-CE2 - Analoger Komparator, Ground-Sense, 2 Kanäle, 1.3 µs, 3V bis 36V, SOP-J, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Komparatorausgang: Spannung
Versorgungsspannung: 3V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOP-J
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Komparatortyp: Ground-Sense
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache Versorgung
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ansprechzeit / Ausbreitungsverzögerung: 1.3µs
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+48.97 грн
24+34.73 грн
100+27.17 грн
500+22.43 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BST91B1P4K01-VC BST91B1P4K01-VC ROHM 4639068.pdf Description: ROHM - BST91B1P4K01-VC - Siliziumkarbid-MOSFET, Vollbrücke, Vierfach n-Kanal, 90 A, 750 V, 0.019 ohm, HSDIP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: HSDIP
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8179.15 грн
5+7734.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BST70B2P4K01-VC BST70B2P4K01-VC ROHM 4639071.pdf Description: ROHM - BST70B2P4K01-VC - Siliziumkarbid-MOSFET, Vollbrücke, Vierfach n-Kanal, 70 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, HSDIP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: HSDIP
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8379.26 грн
5+7922.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BST91T1P4K01-VC BST91T1P4K01-VC ROHM 4639069.pdf Description: ROHM - BST91T1P4K01-VC - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, Sechsfach n-Kanal, 90 A, 750 V, 0.019 ohm, HSDIP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: HSDIP
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11318.22 грн
5+10702.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AT110 IMT1AT110 ROHM umt1n.pdf Description: ROHM - IMT1AT110 - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Zweifach pnp, 50 V, 150 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: 300mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 140MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.15 грн
500+9.82 грн
1000+7.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BD18332EUV-ME2 BD18332EUV-ME2 ROHM 4253467.pdf Description: ROHM - BD18332EUV-ME2 - LED-Treiber, DC/DC, Konstantstrom, 488Hz, 4.5 bis 40V, 125mA, -40 bis 125°C, HTSSOP-EP-48
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 488Hz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 125mA
Eingangsspannung, min.: 4.5V
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
productTraceability: No
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+191.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BD18398EUV-ME2 BD18398EUV-ME2 ROHM 4253466.pdf Description: ROHM - BD18398EUV-ME2 - LED-Treiber, synchroner Buck (abwärts), 3 Kanäle, 2.25MHz, 5 bis 65V, -40 bis 125°C, HTSSOP-EP-48
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, max.: 60V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 2.25MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 65V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 2A
Eingangsspannung, min.: 5V
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
productTraceability: No
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+163.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BD18397EUV-ME2 BD18397EUV-ME2 ROHM 4253466.pdf Description: ROHM - BD18397EUV-ME2 - LED-Treiber, synchroner Buck (abwärts), 2 Kanäle, 2.25MHz, 5 bis 65V, -40 bis 125°C, HTSSOP-EP-48
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, max.: 60V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 2.25MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 65V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 2A
Eingangsspannung, min.: 5V
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
productTraceability: No
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+140.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MCR10SEQPF75R0 MCR10SEQPF75R0 ROHM mcrs-e.pdf Description: ROHM - MCR10SEQPF75R0 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 75 ohm, ± 1%, 250 mW, 0805 [Metrisch 2012]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 250mW
Widerstandstyp: Universell
isCanonical: Y
Widerstand: 75ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/°C
Produktlänge: 2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: MCRS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 1.25mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
596+1.37 грн
820+0.99 грн
1011+0.81 грн
1064+0.71 грн
2500+0.62 грн
Мінімальне замовлення: 596
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1G10BBGTL1 RJ1G10BBGTL1 ROHM rj1g10bbgtl1-e.pdf Description: ROHM - RJ1G10BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 105 A, 1430 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1430µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+354.66 грн
100+261.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1G10BBGTL1 RJ1G10BBGTL1 ROHM rj1g10bbgtl1-e.pdf Description: ROHM - RJ1G10BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 105 A, 1430 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1430µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+525.48 грн
10+354.66 грн
100+261.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1P10BBHTL1 RJ1P10BBHTL1 ROHM rj1p10bbhtl1-e.pdf Description: ROHM - RJ1P10BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 A, 3000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 189W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1P10BBHTL1 RJ1P10BBHTL1 ROHM rj1p10bbhtl1-e.pdf Description: ROHM - RJ1P10BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 A, 3000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 189W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+449.02 грн
10+310.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KE5TCR QH8KE5TCR ROHM qh8ke5tcr-e.pdf Description: ROHM - QH8KE5TCR - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 2 A, 0.202 ohm
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.202ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+73.21 грн
18+45.63 грн
100+29.85 грн
500+19.71 грн
1000+16.45 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
QH8JE5TCR QH8JE5TCR ROHM 4197356.pdf Description: ROHM - QH8JE5TCR - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 100 V, 2 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.27ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KE5TCR QH8KE5TCR ROHM qh8ke5tcr-e.pdf Description: ROHM - QH8KE5TCR - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 2 A, 0.202 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.202ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.85 грн
500+19.71 грн
1000+16.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5P035BGTCL RQ5P035BGTCL ROHM 4197367.pdf Description: ROHM - RQ5P035BGTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.06 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+69.31 грн
19+43.19 грн
100+28.23 грн
500+18.58 грн
1000+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5P035BGTCL RQ5P035BGTCL ROHM 4197367.pdf Description: ROHM - RQ5P035BGTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.06 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.23 грн
500+18.58 грн
1000+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
QH8JE5TCR QH8JE5TCR ROHM 4197356.pdf Description: ROHM - QH8JE5TCR - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 100 V, 2 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.27ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.93 грн
13+66.30 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
LM2903EZFJ-CE2 4533516.pdf
LM2903EZFJ-CE2
Виробник: ROHM
Description: ROHM - LM2903EZFJ-CE2 - Analoger Komparator, Ground-Sense, 2 Kanäle, 1.3 µs, 3V bis 36V, SOP-J, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+27.17 грн
500+22.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
LM2903EZFJ-CE2 4533516.pdf
LM2903EZFJ-CE2
Виробник: ROHM
Description: ROHM - LM2903EZFJ-CE2 - Analoger Komparator, Ground-Sense, 2 Kanäle, 1.3 µs, 3V bis 36V, SOP-J, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Komparatorausgang: Spannung
Versorgungsspannung: 3V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOP-J
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Komparatortyp: Ground-Sense
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache Versorgung
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ansprechzeit / Ausbreitungsverzögerung: 1.3µs
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+48.97 грн
24+34.73 грн
100+27.17 грн
500+22.43 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BST91B1P4K01-VC 4639068.pdf
BST91B1P4K01-VC
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BST91B1P4K01-VC - Siliziumkarbid-MOSFET, Vollbrücke, Vierfach n-Kanal, 90 A, 750 V, 0.019 ohm, HSDIP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: HSDIP
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8179.15 грн
5+7734.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BST70B2P4K01-VC 4639071.pdf
BST70B2P4K01-VC
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BST70B2P4K01-VC - Siliziumkarbid-MOSFET, Vollbrücke, Vierfach n-Kanal, 70 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, HSDIP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: HSDIP
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8379.26 грн
5+7922.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BST91T1P4K01-VC 4639069.pdf
BST91T1P4K01-VC
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BST91T1P4K01-VC - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, Sechsfach n-Kanal, 90 A, 750 V, 0.019 ohm, HSDIP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: HSDIP
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+11318.22 грн
5+10702.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AT110 umt1n.pdf
IMT1AT110
Виробник: ROHM
Description: ROHM - IMT1AT110 - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Zweifach pnp, 50 V, 150 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: 300mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 140MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+14.15 грн
500+9.82 грн
1000+7.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BD18332EUV-ME2 4253467.pdf
BD18332EUV-ME2
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BD18332EUV-ME2 - LED-Treiber, DC/DC, Konstantstrom, 488Hz, 4.5 bis 40V, 125mA, -40 bis 125°C, HTSSOP-EP-48
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 488Hz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 125mA
Eingangsspannung, min.: 4.5V
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
productTraceability: No
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+191.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BD18398EUV-ME2 4253466.pdf
BD18398EUV-ME2
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BD18398EUV-ME2 - LED-Treiber, synchroner Buck (abwärts), 3 Kanäle, 2.25MHz, 5 bis 65V, -40 bis 125°C, HTSSOP-EP-48
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, max.: 60V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 2.25MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 65V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 2A
Eingangsspannung, min.: 5V
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
productTraceability: No
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+163.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BD18397EUV-ME2 4253466.pdf
BD18397EUV-ME2
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BD18397EUV-ME2 - LED-Treiber, synchroner Buck (abwärts), 2 Kanäle, 2.25MHz, 5 bis 65V, -40 bis 125°C, HTSSOP-EP-48
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, max.: 60V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 2.25MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 65V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 2A
Eingangsspannung, min.: 5V
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
productTraceability: No
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+140.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MCR10SEQPF75R0 mcrs-e.pdf
MCR10SEQPF75R0
Виробник: ROHM
Description: ROHM - MCR10SEQPF75R0 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 75 ohm, ± 1%, 250 mW, 0805 [Metrisch 2012]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 250mW
Widerstandstyp: Universell
isCanonical: Y
Widerstand: 75ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/°C
Produktlänge: 2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: MCRS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 1.25mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
596+1.37 грн
820+0.99 грн
1011+0.81 грн
1064+0.71 грн
2500+0.62 грн
Мінімальне замовлення: 596
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1G10BBGTL1 rj1g10bbgtl1-e.pdf
RJ1G10BBGTL1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RJ1G10BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 105 A, 1430 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1430µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+354.66 грн
100+261.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1G10BBGTL1 rj1g10bbgtl1-e.pdf
RJ1G10BBGTL1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RJ1G10BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 105 A, 1430 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1430µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+525.48 грн
10+354.66 грн
100+261.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1P10BBHTL1 rj1p10bbhtl1-e.pdf
RJ1P10BBHTL1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RJ1P10BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 A, 3000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 189W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1P10BBHTL1 rj1p10bbhtl1-e.pdf
RJ1P10BBHTL1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RJ1P10BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 A, 3000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 189W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+449.02 грн
10+310.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KE5TCR qh8ke5tcr-e.pdf
QH8KE5TCR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - QH8KE5TCR - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 2 A, 0.202 ohm
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.202ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+73.21 грн
18+45.63 грн
100+29.85 грн
500+19.71 грн
1000+16.45 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
QH8JE5TCR 4197356.pdf
QH8JE5TCR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - QH8JE5TCR - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 100 V, 2 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.27ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KE5TCR qh8ke5tcr-e.pdf
QH8KE5TCR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - QH8KE5TCR - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 2 A, 0.202 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.202ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+29.85 грн
500+19.71 грн
1000+16.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5P035BGTCL 4197367.pdf
RQ5P035BGTCL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RQ5P035BGTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.06 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+69.31 грн
19+43.19 грн
100+28.23 грн
500+18.58 грн
1000+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5P035BGTCL 4197367.pdf
RQ5P035BGTCL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RQ5P035BGTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.06 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+28.23 грн
500+18.58 грн
1000+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
QH8JE5TCR 4197356.pdf
QH8JE5TCR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - QH8JE5TCR - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 100 V, 2 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.27ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+104.93 грн
13+66.30 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 34 68 102 136 170 204 238 272 306 340 344 345 346 347 348 349