Результат пошуку "7N60" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SPW47N60C3 SPW47N60C3
Код товару: 43153
Додати до обраних Обраний товар

Infineon Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 650 V
Idd,A: 47 A
Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 6800/24
Монтаж: THT
у наявності: 19 шт
4 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Харків
6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 50 шт
50 шт - очікується 06.12.2025
1+299.00 грн
10+275.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SSS7N60B SSS7N60B
Код товару: 32907
Додати до обраних Обраний товар

Fairchild SSP7N60Buii.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 600 V
Idd,A: 7 А
Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1380/38
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 7 шт
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 40 шт
40 шт - очікується 27.11.2025
1+38.00 грн
10+34.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
7N60 to-220/f AAT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
7N60 SMFSC°ЧЖ¬
на замовлення 175000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
7N60 AAT TO-220/F 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF7N60FD AOTF7N60FD ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A3F356F76D8D0A50&compId=AOTF7N60FD-DTE.pdf?ci_sign=9a9a39556fa518f56cc265c78dcf299df26db0a5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.7A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.7A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+44.35 грн
25+39.47 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF7N60FD AOTF7N60FD ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A3F356F76D8D0A50&compId=AOTF7N60FD-DTE.pdf?ci_sign=9a9a39556fa518f56cc265c78dcf299df26db0a5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.7A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.7A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+63.00 грн
6+55.27 грн
25+47.37 грн
100+42.37 грн
500+40.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
D2FC-F-7N(60M) D2FC-F-7N(60M) OMRON Electronic Components pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF8BDF8DA33144C0D6&compId=D2FC_Data_Sheet.pdf?ci_sign=bf5b581921add8fc788ed47c318e8d9cf8146047 Category: Microswitches SNAP ACTION
Description: Microswitch SNAP ACTION; 0.001A/6VDC; without lever; SPST-NO
Type of switch: microswitch SNAP ACTION
IP rating: IP40
Switching method: OFF-(ON)
Actuator colour: orange
Mounting: PCB
Contact material: silver
Contacts configuration: SPST-NO
Switches features: without lever
Operating temperature: -25...65°C
DC contacts rating @R: 0.001A / 6V DC
Terminal pitch: 5.08mm
Body dimensions: 12.8x5.8x6.5mm
Max. contact resistance:: 100mΩ
Operating Force: 0.59N
Stable positions number: 1
Number of positions: 2
Mechanical durability: 60000000 cycles
Manufacturer series: D2FC
Min. insulation resistance: 0.1GΩ
Leads: for PCB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 562 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+50.30 грн
10+44.78 грн
25+40.67 грн
100+38.22 грн
250+35.76 грн
500+34.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
D2FC-F-7N(60M) D2FC-F-7N(60M) Omron Electronics Omron_D2FC_Datasheet_EN.pdf Basic / Snap Action Switches Ultra Subminiature 0.59N OF, 60M ops, Orange Mechanical mouse switch
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.23 грн
10+41.50 грн
25+34.80 грн
50+33.59 грн
100+31.93 грн
250+29.89 грн
500+28.23 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FCA47N60 FCA47N60 onsemi / Fairchild B15A2BD41949AFC6F88C14520E441FCF72144731A664F58685575C031FC409F0.pdf MOSFETs 650V SUPER FET
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+906.25 грн
10+583.38 грн
120+471.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCA47N60-F109 FCA47N60-F109 onsemi fca47n60_f109-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+874.57 грн
30+507.35 грн
120+433.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCA47N60-F109 FCA47N60-F109 onsemi / Fairchild FCA47N60-F109-D.PDF MOSFETs 650V SUPER FET
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+938.84 грн
10+557.34 грн
120+411.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCA47N60-F109 FCA47N60-F109 onsemi fca47n60_f109-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+868.04 грн
30+496.45 грн
120+460.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCA47N60F FCA47N60F onsemi / Fairchild FCA47N60F-D.PDF MOSFETs 47A, 600V SuperFET
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+892.16 грн
10+627.66 грн
120+524.65 грн
510+476.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCA47N60F FCA47N60F onsemi fca47n60f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 9021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+839.46 грн
30+571.07 грн
120+549.11 грн
510+467.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM FCD7N60TM onsemi fcd7n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+66.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM FCD7N60TM onsemi / Fairchild 2E2529FDA38CD86C967CD5836522AF0BCBF0E0058D37F814215F16872599FDDE.pdf MOSFETs N-CH/600V/7A SuperFET
на замовлення 13709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+214.89 грн
10+147.58 грн
100+74.66 грн
1000+73.98 грн
2500+70.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM FCD7N60TM onsemi fcd7n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
на замовлення 4274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.40 грн
10+135.41 грн
100+93.72 грн
500+73.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM-WS FCD7N60TM-WS onsemi fcd7n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+63.19 грн
5000+60.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM-WS FCD7N60TM-WS onsemi fcd7n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
на замовлення 11210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.02 грн
10+96.33 грн
100+83.82 грн
500+70.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM-WS FCD7N60TM-WS onsemi / Fairchild FCD7N60-D.pdf MOSFETs Trans N-Ch 600V 7A 3-Pin 2+Tab
на замовлення 1794 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.54 грн
10+96.36 грн
100+80.02 грн
500+72.09 грн
1000+71.41 грн
2500+66.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60-F133 FCH47N60-F133 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB05BED455E28&compId=FCH47N60.pdf?ci_sign=8cf7f083c25c82e6ba609600be48702e5a386292 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperFET®
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+715.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60-F133 FCH47N60-F133 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB05BED455E28&compId=FCH47N60.pdf?ci_sign=8cf7f083c25c82e6ba609600be48702e5a386292 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+858.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60-F133 FCH47N60-F133 onsemi fch47n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+695.74 грн
30+476.95 грн
120+448.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60-F133 FCH47N60-F133 onsemi / Fairchild FCH47N60-D.PDF MOSFETs 600V N-Channel MOSFET
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+739.80 грн
10+539.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60F-F133
+1
 		FCH47N60F-F133 ONSEMI fch47n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; Idm: 141A; 417W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 141A
Power dissipation: 417W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+781.63 грн
10+642.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60F-F133
+1
 		FCH47N60F-F133 ONSEMI fch47n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; Idm: 141A; 417W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 141A
Power dissipation: 417W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+937.96 грн
10+800.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60F-F133 FCH47N60F-F133 onsemi / Fairchild FCH47N60F-D.PDF MOSFETs 600V N-Channel MOSFET
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+945.00 грн
10+601.61 грн
120+514.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60F-F133 FCH47N60F-F133 onsemi fch47n60f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 33750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+886.01 грн
30+547.27 грн
120+516.49 грн
510+465.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCI7N60 FCI7N60 onsemi fci7n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
на замовлення 3938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.97 грн
10+155.23 грн
100+109.45 грн
500+91.16 грн
1000+84.59 грн
2000+81.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCI7N60 FCI7N60 onsemi / Fairchild FCI7N60-D.pdf MOSFETs HIGH POWER
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+215.77 грн
10+167.55 грн
100+102.67 грн
500+87.57 грн
1000+86.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP7N60 FCP7N60 onsemi fcpf7n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.71 грн
50+111.87 грн
100+105.76 грн
500+80.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP7N60 FCP7N60 onsemi / Fairchild 59BAF9EA03DBE6B8CA8037C995EC24F3B9FBF45A31223B6786DC12B021A70A3E.pdf MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+259.81 грн
10+123.27 грн
100+100.40 грн
500+80.77 грн
1000+74.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF17N60NT FDPF17N60NT onsemi / Fairchild FDPF17N60NT-D.PDF MOSFETs UniFET2 600V
на замовлення 732 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+251.88 грн
10+141.51 грн
100+117.76 грн
500+108.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF17N60NT FDPF17N60NT onsemi fdpf17n60nt-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 17A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+235.18 грн
50+127.81 грн
100+124.00 грн
500+102.88 грн
1000+95.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF7N60NZT FDPF7N60NZT onsemi FDPF7N60NZ-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 25 V
на замовлення 16758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
294+71.41 грн
Мінімальне замовлення: 294
В кошику  од. на суму  грн.
FDU7N60NZTU Fairchild fdu7n60nztu-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK FDU7N60NZTU TFDU7n60nztu
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+36.93 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDU7N60NZTU Fairchild fdu7n60nztu-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK FDU7N60NZTU TFDU7n60nztu
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+36.93 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FGPF7N60LSDTU FGPF7N60LSDTU Fairchild Semiconductor FAIRS25183-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 14A TO-220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-220F-3
Td (on/off) @ 25°C: 120ns/410ns
Switching Energy: 270µJ (on), 3.8mJ (off)
Test Condition: 300V, 7A, 470Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A
Power - Max: 45 W
на замовлення 4927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
371+56.71 грн
Мінімальне замовлення: 371
В кошику  од. на суму  грн.
FGPF7N60RUFDTU FGPF7N60RUFDTU Fairchild Semiconductor FAIRS24360-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 14A TO-220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-220F-3
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/60ns
Switching Energy: 230µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 300V, 7A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A
Power - Max: 41 W
на замовлення 1323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
404+51.81 грн
Мінімальне замовлення: 404
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S7N60C3D HGT1S7N60C3D Fairchild Semiconductor FAIRS30067-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 14A TO-262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W
на замовлення 3882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
209+100.81 грн
Мінімальне замовлення: 209
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD7N60B3 Harris Corporation HRISSA43-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 14A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: IPAK
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns
Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
279+74.91 грн
Мінімальне замовлення: 279
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD7N60B3S Harris Corporation HRISSA43-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 14A TO-252AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-252AA
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns
Switching Energy: 72µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
271+77.71 грн
Мінімальне замовлення: 271
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP7N60C3 HGTP7N60C3 Harris Corporation HRISS471-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 14A TO-220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-220AB
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
267+78.41 грн
Мінімальне замовлення: 267
В кошику  од. на суму  грн.
IXKR47N60C5 IXKR47N60C5 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC791820&compId=IXKR47N60C5.pdf?ci_sign=4b58b847ed569ac779f2a40e73cfe499f7be0fab Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 278W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 278W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1741.10 грн
3+1465.76 грн
10+1289.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXKR47N60C5 IXKR47N60C5 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC791820&compId=IXKR47N60C5.pdf?ci_sign=4b58b847ed569ac779f2a40e73cfe499f7be0fab Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 278W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 278W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2089.32 грн
3+1826.56 грн
10+1547.54 грн
30+1389.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXKR47N60C5 IXKR47N60C5 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Super_Junction_IXKR47N60C5_Datasheet.PDF MOSFETs 47 Amps 600V 0.045 Rds
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1631.96 грн
10+1507.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
L47N-600-1 L47N-600-1 TE Connectivity / DEUTSCH product-L47N-600-1.datasheet.pdf Automotive Connectors LYD STEEL 3/64 X 6 NYLON COATING
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+640.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
L47N-600-1 L47N-600-1 TE Connectivity Deutsch Connectors product-L47N-600-1.datasheet.pdf Description: LYD STEEL 3/64 X 6 NYLON COATING
Packaging: Box
For Use With/Related Products: Circular Connectors
Material: Nylon
Accessory Type: Cap (Cover), Protective
Part Status: Active
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+331.54 грн
10+271.37 грн
25+254.34 грн
50+227.29 грн
100+216.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
M83-LML3M7N60-0000-000 M83-LML3M7N60-0000-000 Harwin M83-LML3M7NXX-0000-000.pdf Headers & Wire Housings 3R 60P M HORZ PC TAIL 4MM W/JS
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3204.91 грн
8+2597.45 грн
24+2150.70 грн
56+2067.66 грн
104+1979.34 грн
256+1961.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
M83-LML3M7N60-0000-000 M83-LML3M7N60-0000-000 Harwin Inc. PD004-Product-Datasheet-Datamate-range-signal-connectors-HRi.pdf Description: CONN HEADER R/A 60POS 2MM
Packaging: Tube
Features: Mating Flange, Mounting Flange, Mounting Hardware
Connector Type: Header
Voltage Rating: 800V
Current Rating (Amps): 2.2A per Contact
Mounting Type: Through Hole, Right Angle
Number of Positions: 60
Number of Rows: 3
Style: Board to Board or Cable
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Threaded
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: Black
Pitch - Mating: 0.079" (2.00mm)
Contact Finish - Mating: Gold
Contact Finish Thickness - Mating: 29.5µin (0.75µm)
Part Status: Active
Contact Shape: Circular
Contact Length - Post: 0.157" (4.00mm)
Insulation Height: 0.303" (7.70mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyphenylene Sulfide (PPS), Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.079" (2.00mm)
на замовлення 681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2983.84 грн
16+2362.84 грн
32+2250.09 грн
56+2029.93 грн
104+1943.25 грн
256+1823.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MGP7N60E MGP7N60E onsemi ONSM-S-A0005942327-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT, 10A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
на замовлення 6760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+51.11 грн
Мінімальне замовлення: 413
В кошику  од. на суму  грн.
MGP7N60ED MGP7N60ED onsemi ONSM-S-A0005942496-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT, 10A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
на замовлення 5116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
356+58.81 грн
Мінімальне замовлення: 356
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL017N60S5H NTHL017N60S5H onsemi nthl017n60s5h-d.pdf Description: SF5 600V FAST 17MOHM WITH TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.9mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 16mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 400 V
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1161.20 грн
10+792.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL017N60S5H onsemi NTHL017N60S5H-D.PDF MOSFETs SF5 600V FAST 17MOHM WITH TO-247-3
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1251.49 грн
10+876.81 грн
120+646.95 грн
510+637.89 грн
1020+633.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD7N60E-GE3 SIHD7N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihd7n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 3382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+182.31 грн
10+111.99 грн
100+79.26 грн
500+69.45 грн
1000+59.94 грн
3000+56.54 грн
6000+54.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD7N60E-GE3 SIHD7N60E-GE3 Vishay Siliconix sihd7n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.85 грн
10+101.83 грн
100+82.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60AE-GE3 SIHG47N60AE-GE3 Vishay Semiconductors sihg47n60ae.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+505.53 грн
10+352.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60AE-GE3 SIHG47N60AE-GE3 Vishay Siliconix sihg47n60ae.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 43A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 100 V
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+441.78 грн
25+284.03 грн
100+280.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60AEF-GE3 SIHG47N60AEF-GE3 Vishay Siliconix sihg47n60aef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3576 pF @ 100 V
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+630.41 грн
25+378.93 грн
100+340.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPW47N60C3
Код товару: 43153
Додати до обраних Обраний товар

SPW47N60C3
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 650 V
Idd,A: 47 A
Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 6800/24
Монтаж: THT
у наявності: 19 шт
4 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Харків
6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 50 шт
50 шт - очікується 06.12.2025
Кількість Ціна
1+299.00 грн
10+275.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SSS7N60B
Код товару: 32907
Додати до обраних Обраний товар

SSP7N60Buii.pdf
SSS7N60B
Виробник: Fairchild
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 600 V
Idd,A: 7 А
Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1380/38
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 7 шт
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 40 шт
40 шт - очікується 27.11.2025
Кількість Ціна
1+38.00 грн
10+34.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
7N60
Виробник: to-220/f
AAT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
7N60
Виробник: SMFSC°ЧЖ¬
на замовлення 175000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
7N60 AAT
TO-220/F 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF7N60FD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A3F356F76D8D0A50&compId=AOTF7N60FD-DTE.pdf?ci_sign=9a9a39556fa518f56cc265c78dcf299df26db0a5
AOTF7N60FD
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.7A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.7A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+44.35 грн
25+39.47 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF7N60FD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A3F356F76D8D0A50&compId=AOTF7N60FD-DTE.pdf?ci_sign=9a9a39556fa518f56cc265c78dcf299df26db0a5
AOTF7N60FD
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.7A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.7A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+63.00 грн
6+55.27 грн
25+47.37 грн
100+42.37 грн
500+40.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
D2FC-F-7N(60M) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF8BDF8DA33144C0D6&compId=D2FC_Data_Sheet.pdf?ci_sign=bf5b581921add8fc788ed47c318e8d9cf8146047
D2FC-F-7N(60M)
Виробник: OMRON Electronic Components
Category: Microswitches SNAP ACTION
Description: Microswitch SNAP ACTION; 0.001A/6VDC; without lever; SPST-NO
Type of switch: microswitch SNAP ACTION
IP rating: IP40
Switching method: OFF-(ON)
Actuator colour: orange
Mounting: PCB
Contact material: silver
Contacts configuration: SPST-NO
Switches features: without lever
Operating temperature: -25...65°C
DC contacts rating @R: 0.001A / 6V DC
Terminal pitch: 5.08mm
Body dimensions: 12.8x5.8x6.5mm
Max. contact resistance:: 100mΩ
Operating Force: 0.59N
Stable positions number: 1
Number of positions: 2
Mechanical durability: 60000000 cycles
Manufacturer series: D2FC
Min. insulation resistance: 0.1GΩ
Leads: for PCB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 562 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.30 грн
10+44.78 грн
25+40.67 грн
100+38.22 грн
250+35.76 грн
500+34.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
D2FC-F-7N(60M) Omron_D2FC_Datasheet_EN.pdf
D2FC-F-7N(60M)
Виробник: Omron Electronics
Basic / Snap Action Switches Ultra Subminiature 0.59N OF, 60M ops, Orange Mechanical mouse switch
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.23 грн
10+41.50 грн
25+34.80 грн
50+33.59 грн
100+31.93 грн
250+29.89 грн
500+28.23 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FCA47N60 B15A2BD41949AFC6F88C14520E441FCF72144731A664F58685575C031FC409F0.pdf
FCA47N60
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 650V SUPER FET
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+906.25 грн
10+583.38 грн
120+471.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCA47N60-F109 fca47n60_f109-d.pdf
FCA47N60-F109
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+874.57 грн
30+507.35 грн
120+433.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCA47N60-F109 FCA47N60-F109-D.PDF
FCA47N60-F109
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 650V SUPER FET
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+938.84 грн
10+557.34 грн
120+411.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCA47N60-F109 fca47n60_f109-d.pdf
FCA47N60-F109
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+868.04 грн
30+496.45 грн
120+460.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCA47N60F FCA47N60F-D.PDF
FCA47N60F
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 47A, 600V SuperFET
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+892.16 грн
10+627.66 грн
120+524.65 грн
510+476.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCA47N60F fca47n60f-d.pdf
FCA47N60F
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 9021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+839.46 грн
30+571.07 грн
120+549.11 грн
510+467.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM fcd7n60-d.pdf
FCD7N60TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+66.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM 2E2529FDA38CD86C967CD5836522AF0BCBF0E0058D37F814215F16872599FDDE.pdf
FCD7N60TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-CH/600V/7A SuperFET
на замовлення 13709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+214.89 грн
10+147.58 грн
100+74.66 грн
1000+73.98 грн
2500+70.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM fcd7n60-d.pdf
FCD7N60TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
на замовлення 4274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+216.40 грн
10+135.41 грн
100+93.72 грн
500+73.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM-WS fcd7n60-d.pdf
FCD7N60TM-WS
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+63.19 грн
5000+60.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM-WS fcd7n60-d.pdf
FCD7N60TM-WS
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
на замовлення 11210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.02 грн
10+96.33 грн
100+83.82 грн
500+70.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM-WS FCD7N60-D.pdf
FCD7N60TM-WS
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs Trans N-Ch 600V 7A 3-Pin 2+Tab
на замовлення 1794 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.54 грн
10+96.36 грн
100+80.02 грн
500+72.09 грн
1000+71.41 грн
2500+66.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60-F133 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB05BED455E28&compId=FCH47N60.pdf?ci_sign=8cf7f083c25c82e6ba609600be48702e5a386292
FCH47N60-F133
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperFET®
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+715.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60-F133 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB05BED455E28&compId=FCH47N60.pdf?ci_sign=8cf7f083c25c82e6ba609600be48702e5a386292
FCH47N60-F133
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+858.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60-F133 fch47n60-d.pdf
FCH47N60-F133
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+695.74 грн
30+476.95 грн
120+448.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60-F133 FCH47N60-D.PDF
FCH47N60-F133
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-Channel MOSFET
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+739.80 грн
10+539.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60F-F133 fch47n60f-d.pdf
FCH47N60F-F133
+1
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; Idm: 141A; 417W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 141A
Power dissipation: 417W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+781.63 грн
10+642.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60F-F133 fch47n60f-d.pdf
FCH47N60F-F133
+1
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; Idm: 141A; 417W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 141A
Power dissipation: 417W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+937.96 грн
10+800.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60F-F133 FCH47N60F-D.PDF
FCH47N60F-F133
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-Channel MOSFET
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+945.00 грн
10+601.61 грн
120+514.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60F-F133 fch47n60f-d.pdf
FCH47N60F-F133
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 33750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+886.01 грн
30+547.27 грн
120+516.49 грн
510+465.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCI7N60 fci7n60-d.pdf
FCI7N60
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
на замовлення 3938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+204.97 грн
10+155.23 грн
100+109.45 грн
500+91.16 грн
1000+84.59 грн
2000+81.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCI7N60 FCI7N60-D.pdf
FCI7N60
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs HIGH POWER
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+215.77 грн
10+167.55 грн
100+102.67 грн
500+87.57 грн
1000+86.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP7N60 fcpf7n60-d.pdf
FCP7N60
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+241.71 грн
50+111.87 грн
100+105.76 грн
500+80.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP7N60 59BAF9EA03DBE6B8CA8037C995EC24F3B9FBF45A31223B6786DC12B021A70A3E.pdf
FCP7N60
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+259.81 грн
10+123.27 грн
100+100.40 грн
500+80.77 грн
1000+74.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF17N60NT FDPF17N60NT-D.PDF
FDPF17N60NT
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs UniFET2 600V
на замовлення 732 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+251.88 грн
10+141.51 грн
100+117.76 грн
500+108.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF17N60NT fdpf17n60nt-d.pdf
FDPF17N60NT
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 17A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+235.18 грн
50+127.81 грн
100+124.00 грн
500+102.88 грн
1000+95.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF7N60NZT FDPF7N60NZ-D.pdf
FDPF7N60NZT
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 25 V
на замовлення 16758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
294+71.41 грн
Мінімальне замовлення: 294
В кошику  од. на суму  грн.
FDU7N60NZTU fdu7n60nztu-d.pdf
Виробник: Fairchild
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK FDU7N60NZTU TFDU7n60nztu
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+36.93 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDU7N60NZTU fdu7n60nztu-d.pdf
Виробник: Fairchild
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK FDU7N60NZTU TFDU7n60nztu
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+36.93 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FGPF7N60LSDTU FAIRS25183-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FGPF7N60LSDTU
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT 600V 14A TO-220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-220F-3
Td (on/off) @ 25°C: 120ns/410ns
Switching Energy: 270µJ (on), 3.8mJ (off)
Test Condition: 300V, 7A, 470Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A
Power - Max: 45 W
на замовлення 4927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
371+56.71 грн
Мінімальне замовлення: 371
В кошику  од. на суму  грн.
FGPF7N60RUFDTU FAIRS24360-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FGPF7N60RUFDTU
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT 600V 14A TO-220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-220F-3
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/60ns
Switching Energy: 230µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 300V, 7A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A
Power - Max: 41 W
на замовлення 1323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
404+51.81 грн
Мінімальне замовлення: 404
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S7N60C3D FAIRS30067-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGT1S7N60C3D
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT 600V 14A TO-262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W
на замовлення 3882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
209+100.81 грн
Мінімальне замовлення: 209
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD7N60B3 HRISSA43-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: IGBT 600V 14A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: IPAK
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns
Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
279+74.91 грн
Мінімальне замовлення: 279
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD7N60B3S HRISSA43-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: IGBT 600V 14A TO-252AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-252AA
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns
Switching Energy: 72µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
271+77.71 грн
Мінімальне замовлення: 271
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP7N60C3 HRISS471-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGTP7N60C3
Виробник: Harris Corporation
Description: IGBT 600V 14A TO-220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-220AB
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
267+78.41 грн
Мінімальне замовлення: 267
В кошику  од. на суму  грн.
IXKR47N60C5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC791820&compId=IXKR47N60C5.pdf?ci_sign=4b58b847ed569ac779f2a40e73cfe499f7be0fab
IXKR47N60C5
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 278W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 278W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1741.10 грн
3+1465.76 грн
10+1289.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXKR47N60C5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC791820&compId=IXKR47N60C5.pdf?ci_sign=4b58b847ed569ac779f2a40e73cfe499f7be0fab
IXKR47N60C5
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 278W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 278W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2089.32 грн
3+1826.56 грн
10+1547.54 грн
30+1389.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXKR47N60C5 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Super_Junction_IXKR47N60C5_Datasheet.PDF
IXKR47N60C5
Виробник: IXYS
MOSFETs 47 Amps 600V 0.045 Rds
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1631.96 грн
10+1507.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
L47N-600-1 product-L47N-600-1.datasheet.pdf
L47N-600-1
Виробник: TE Connectivity / DEUTSCH
Automotive Connectors LYD STEEL 3/64 X 6 NYLON COATING
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+640.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
L47N-600-1 product-L47N-600-1.datasheet.pdf
L47N-600-1
Виробник: TE Connectivity Deutsch Connectors
Description: LYD STEEL 3/64 X 6 NYLON COATING
Packaging: Box
For Use With/Related Products: Circular Connectors
Material: Nylon
Accessory Type: Cap (Cover), Protective
Part Status: Active
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+331.54 грн
10+271.37 грн
25+254.34 грн
50+227.29 грн
100+216.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
M83-LML3M7N60-0000-000 M83-LML3M7NXX-0000-000.pdf
M83-LML3M7N60-0000-000
Виробник: Harwin
Headers & Wire Housings 3R 60P M HORZ PC TAIL 4MM W/JS
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3204.91 грн
8+2597.45 грн
24+2150.70 грн
56+2067.66 грн
104+1979.34 грн
256+1961.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
M83-LML3M7N60-0000-000 PD004-Product-Datasheet-Datamate-range-signal-connectors-HRi.pdf
M83-LML3M7N60-0000-000
Виробник: Harwin Inc.
Description: CONN HEADER R/A 60POS 2MM
Packaging: Tube
Features: Mating Flange, Mounting Flange, Mounting Hardware
Connector Type: Header
Voltage Rating: 800V
Current Rating (Amps): 2.2A per Contact
Mounting Type: Through Hole, Right Angle
Number of Positions: 60
Number of Rows: 3
Style: Board to Board or Cable
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Threaded
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: Black
Pitch - Mating: 0.079" (2.00mm)
Contact Finish - Mating: Gold
Contact Finish Thickness - Mating: 29.5µin (0.75µm)
Part Status: Active
Contact Shape: Circular
Contact Length - Post: 0.157" (4.00mm)
Insulation Height: 0.303" (7.70mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyphenylene Sulfide (PPS), Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.079" (2.00mm)
на замовлення 681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2983.84 грн
16+2362.84 грн
32+2250.09 грн
56+2029.93 грн
104+1943.25 грн
256+1823.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MGP7N60E ONSM-S-A0005942327-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
MGP7N60E
Виробник: onsemi
Description: IGBT, 10A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
на замовлення 6760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
413+51.11 грн
Мінімальне замовлення: 413
В кошику  од. на суму  грн.
MGP7N60ED ONSM-S-A0005942496-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
MGP7N60ED
Виробник: onsemi
Description: IGBT, 10A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
на замовлення 5116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
356+58.81 грн
Мінімальне замовлення: 356
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL017N60S5H nthl017n60s5h-d.pdf
NTHL017N60S5H
Виробник: onsemi
Description: SF5 600V FAST 17MOHM WITH TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.9mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 16mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 400 V
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1161.20 грн
10+792.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL017N60S5H NTHL017N60S5H-D.PDF
Виробник: onsemi
MOSFETs SF5 600V FAST 17MOHM WITH TO-247-3
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1251.49 грн
10+876.81 грн
120+646.95 грн
510+637.89 грн
1020+633.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD7N60E-GE3 sihd7n60e.pdf
SIHD7N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 3382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+182.31 грн
10+111.99 грн
100+79.26 грн
500+69.45 грн
1000+59.94 грн
3000+56.54 грн
6000+54.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD7N60E-GE3 sihd7n60e.pdf
SIHD7N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+169.85 грн
10+101.83 грн
100+82.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60AE-GE3 sihg47n60ae.pdf
SIHG47N60AE-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+505.53 грн
10+352.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60AE-GE3 sihg47n60ae.pdf
SIHG47N60AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 43A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 100 V
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+441.78 грн
25+284.03 грн
100+280.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60AEF-GE3 sihg47n60aef.pdf
SIHG47N60AEF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3576 pF @ 100 V
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+630.41 грн
25+378.93 грн
100+340.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]