Результат пошуку "IRF540" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 339
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 341
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 260
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 306
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 11
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 14
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 485
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 13
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 121
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 163
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 112
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 166
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 7
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF540NPBF Код товару: 3289
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() Корпус: TO-220AB Uds,V: 100 V Idd,A: 33 A Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71 Монтаж: THT |
у наявності: 865 шт
754 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ 30 шт - РАДІОМАГ-Львів 17 шт - РАДІОМАГ-Харків 25 шт - РАДІОМАГ-Одеса 19 шт - РАДІОМАГ-Дніпро очікується:
2000 шт
2000 шт - очікується 19.07.2025
|
|
||||||||||||||
![]() |
IRF540NSPBF Код товару: 34259
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() ![]() Корпус: D2PAK (TO-263) Uds,V: 100 V Idd,A: 33 A Rds(on), Ohm: 44 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71 Монтаж: SMD |
у наявності: 66 шт
33 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ 3 шт - РАДІОМАГ-Львів 5 шт - РАДІОМАГ-Харків 5 шт - РАДІОМАГ-Одеса 10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF540PBF Код товару: 182036
Додати до обраних
Обраний товар
|
Siliconix |
![]() Корпус: TO-220 Uds,V: 100 V Idd,A: 28 A Монтаж: THT |
у наявності: 232 шт
158 шт - склад
34 шт - РАДІОМАГ-Київ 15 шт - РАДІОМАГ-Львів 10 шт - РАДІОМАГ-Одеса 15 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||
IRF540SPBF Код товару: 123222
Додати до обраних
Обраний товар
|
SILI |
![]() Корпус: TO-263 Uds,V: 100 V Idd,A: 20 A Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1700/72 Монтаж: SMD |
у наявності: 6 шт
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF540ZPBF Код товару: 42002
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() ![]() Корпус: TO-220 Uds,V: 100 V Idd,A: 36 A Rds(on), Ohm: 0,0266 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1770/42 Монтаж: THT |
у наявності: 87 шт
42 шт - склад
18 шт - РАДІОМАГ-Київ 12 шт - РАДІОМАГ-Одеса 15 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||
![]() +2 |
Модуль із 4х MOSFET IRF540 Код товару: 193624
Додати до обраних
Обраний товар
|
Модульні елементи > Arduino та інші модульні елементи Опис: Шилд для керування навантаженням. Модуль складається із 4х MOSFET IRF540. Також на платі встановлена мікросхема PS8201 (оптопара) для ізоляції контролера від навантаження. Може використовуватись тільки для керування ланцюгом постійного струму. Навантаження максимум: 9...100VDC (25А). Управління сигналом від МК: 5В. Тип: Шилд комутуючі |
у наявності: 1 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується:
30 шт
30 шт - очікується 28.07.2025
|
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF540 | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 848 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRF540 | Siliconix |
![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF540 | Siliconix |
![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF540N | MULTICOMP PRO |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRF540N | JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 26mOhm; 40A; 96W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N JSMICRO TIRF540n JSM кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 18 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF540N | Infineon |
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540N; IRF 540 N ; IRF540N; IRF540N TIRF540n кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 939 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF540N | Infineon |
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540N; IRF 540 N ; IRF540N; IRF540N TIRF540n кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF540N-ML | MOSLEADER |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 50mOhm; 30A; 125W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N-ML MOSLEADER TIRF540n MOS кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF540NL | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF540NL | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 44 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF540NL | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF540NLPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF540NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 33A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 44mΩ Mounting: THT Gate charge: 47.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 840 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRF540NPBF | Infineon |
![]() |
на замовлення 677 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF540NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 33A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 44mΩ Mounting: THT Gate charge: 47.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 840 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF540NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 94643 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF540NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 9604 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF540NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRF540NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 8699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF540NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 94643 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF540NPBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 83413 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF540NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF540NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 612 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRF540NS | JSMicro Semiconductor |
![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF540NS | SLKOR |
![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 13 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF540NS | SLKOR |
![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF540NS IRF540NSTRL IRF540NST | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS TIRF540ns кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 70 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF540NSPBF | Infineon |
![]() ![]() |
на замовлення 104 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF540NSTRLPBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2056 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3041 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 119200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2037 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 119200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF540NSTRLPBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2056 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF540NSTRRPBF | INFINEON |
![]() ![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 1615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF540NSTRRPBF | INFINEON |
![]() ![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 1615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF540PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 20A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 77mΩ Mounting: THT Gate charge: 72nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 110A |
на замовлення 105 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF540PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 20A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 77mΩ Mounting: THT Gate charge: 72nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 110A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 105 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF540PBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 23340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF540PBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF540PBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 8400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF540PBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 23340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF540PBF | Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 5402 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF540PBF-BE3 | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 |
на замовлення 246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF540PBF-BE3 | Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 7322 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF540PBF-BE3 | Vishay |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF540PBF-BE3 | Vishay |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRF540S | Siliconix |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 240 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF540SPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 20A Power dissipation: 150W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 77mΩ Mounting: SMD Gate charge: 72nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 110A |
на замовлення 479 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF540SPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 20A Power dissipation: 150W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 77mΩ Mounting: SMD Gate charge: 72nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 110A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 479 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF540SPBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 991 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF540SPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
IRF540NPBF Код товару: 3289
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 33 A
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 33 A
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
Монтаж: THT
у наявності: 865 шт
754 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
30 шт - РАДІОМАГ-Львів
17 шт - РАДІОМАГ-Харків
25 шт - РАДІОМАГ-Одеса
19 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
30 шт - РАДІОМАГ-Львів
17 шт - РАДІОМАГ-Харків
25 шт - РАДІОМАГ-Одеса
19 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
2000 шт
2000 шт - очікується 19.07.2025
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 35.00 грн |
10+ | 31.50 грн |
100+ | 27.90 грн |
IRF540NSPBF Код товару: 34259
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 33 A
Rds(on), Ohm: 44 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 33 A
Rds(on), Ohm: 44 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
Монтаж: SMD
у наявності: 66 шт
33 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 88.50 грн |
10+ | 79.20 грн |
IRF540PBF Код товару: 182036
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
у наявності: 232 шт
158 шт - склад
34 шт - РАДІОМАГ-Київ
15 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Одеса
15 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
34 шт - РАДІОМАГ-Київ
15 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Одеса
15 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 58.00 грн |
10+ | 54.50 грн |
100+ | 49.90 грн |
IRF540SPBF Код товару: 123222
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: SILI
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-263
Uds,V: 100 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/72
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-263
Uds,V: 100 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/72
Монтаж: SMD
у наявності: 6 шт
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 49.50 грн |
10+ | 44.60 грн |
IRF540ZPBF Код товару: 42002
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 36 A
Rds(on), Ohm: 0,0266 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1770/42
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 36 A
Rds(on), Ohm: 0,0266 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1770/42
Монтаж: THT
у наявності: 87 шт
42 шт - склад
18 шт - РАДІОМАГ-Київ
12 шт - РАДІОМАГ-Одеса
15 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
18 шт - РАДІОМАГ-Київ
12 шт - РАДІОМАГ-Одеса
15 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 31.00 грн |
10+ | 28.10 грн |
100+ | 25.20 грн |
Модуль із 4х MOSFET IRF540 Код товару: 193624
Додати до обраних
Обраний товар
|
Модульні елементи > Arduino та інші модульні елементи
Опис: Шилд для керування навантаженням. Модуль складається із 4х MOSFET IRF540. Також на платі встановлена мікросхема PS8201 (оптопара) для ізоляції контролера від навантаження. Може використовуватись тільки для керування ланцюгом постійного струму. Навантаження максимум: 9...100VDC (25А). Управління сигналом від МК: 5В.
Тип: Шилд комутуючі
Опис: Шилд для керування навантаженням. Модуль складається із 4х MOSFET IRF540. Також на платі встановлена мікросхема PS8201 (оптопара) для ізоляції контролера від навантаження. Може використовуватись тільки для керування ланцюгом постійного струму. Навантаження максимум: 9...100VDC (25А). Управління сигналом від МК: 5В.
Тип: Шилд комутуючі
у наявності: 1 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується:
30 шт
30 шт - очікується 28.07.2025
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 115.00 грн |
10+ | 108.00 грн |
IRF540 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Trans MOSFET N-CH Si 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
339+ | 90.42 грн |
500+ | 81.37 грн |
IRF540 |
![]() ![]() ![]() |
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 27A 100V 125W 0.052Ω Replacement: STP30NF10 IRF540 TIRF540
кількість в упаковці: 50 шт
N-MOSFET 27A 100V 125W 0.052Ω Replacement: STP30NF10 IRF540 TIRF540
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 40.48 грн |
IRF540 |
![]() ![]() ![]() |
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 27A 100V 125W 0.052Ω Replacement: STP30NF10 IRF540 TIRF540
кількість в упаковці: 50 шт
N-MOSFET 27A 100V 125W 0.052Ω Replacement: STP30NF10 IRF540 TIRF540
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 40.48 грн |
IRF540N |
![]() |
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - IRF540N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: MULTICOMP PRO - IRF540N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 169.99 грн |
10+ | 135.65 грн |
100+ | 97.01 грн |
500+ | 62.90 грн |
IRF540N |
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 26mOhm; 40A; 96W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N JSMICRO TIRF540n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 26mOhm; 40A; 96W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N JSMICRO TIRF540n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 24.32 грн |
IRF540N |
Виробник: Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540N; IRF 540 N ; IRF540N; IRF540N TIRF540n
кількість в упаковці: 50 шт
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540N; IRF 540 N ; IRF540N; IRF540N TIRF540n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 939 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 24.32 грн |
IRF540N |
Виробник: Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540N; IRF 540 N ; IRF540N; IRF540N TIRF540n
кількість в упаковці: 50 шт
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540N; IRF 540 N ; IRF540N; IRF540N TIRF540n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 24.32 грн |
IRF540N-ML |
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 50mOhm; 30A; 125W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N-ML MOSLEADER TIRF540n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 50mOhm; 30A; 125W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N-ML MOSLEADER TIRF540n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 20.62 грн |
IRF540NL |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 55.46 грн |
IRF540NL |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 55.46 грн |
IRF540NL |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 56.04 грн |
IRF540NLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
341+ | 90.09 грн |
500+ | 81.08 грн |
IRF540NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 47.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 47.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 78.98 грн |
10+ | 60.11 грн |
25+ | 49.19 грн |
36+ | 26.55 грн |
97+ | 25.11 грн |
IRF540NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=100V; Id=33A; Pdmax=140W; Rds=0,052 Ohm
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=100V; Id=33A; Pdmax=140W; Rds=0,052 Ohm
на замовлення 677 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 48.91 грн |
IRF540NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 47.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 47.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 840 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 94.78 грн |
10+ | 74.91 грн |
25+ | 59.03 грн |
36+ | 31.86 грн |
97+ | 30.13 грн |
IRF540NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 94643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
260+ | 47.18 грн |
263+ | 46.71 грн |
500+ | 38.49 грн |
1000+ | 35.79 грн |
4000+ | 30.75 грн |
10000+ | 29.23 грн |
IRF540NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
MOSFETs MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
на замовлення 9604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 91.07 грн |
10+ | 52.45 грн |
100+ | 44.85 грн |
500+ | 39.26 грн |
1000+ | 36.20 грн |
2000+ | 34.29 грн |
5000+ | 32.60 грн |
IRF540NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF540NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 8699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
306+ | 40.13 грн |
324+ | 37.85 грн |
IRF540NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 94643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 60.08 грн |
14+ | 43.71 грн |
100+ | 43.27 грн |
500+ | 34.38 грн |
1000+ | 30.70 грн |
4000+ | 27.34 грн |
10000+ | 27.07 грн |
IRF540NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 83413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 85.85 грн |
100+ | 52.20 грн |
500+ | 40.74 грн |
1000+ | 35.03 грн |
5000+ | 32.01 грн |
IRF540NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
14+ | 43.61 грн |
17+ | 36.47 грн |
100+ | 36.11 грн |
IRF540NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
485+ | 63.29 грн |
539+ | 56.96 грн |
IRF540NS | ![]() |
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS JSMICRO TIRF540ns JSM
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS JSMICRO TIRF540ns JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 25.10 грн |
IRF540NS | ![]() |
Виробник: SLKOR
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS SLKOR TIRF540ns SLK
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS SLKOR TIRF540ns SLK
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 22.42 грн |
IRF540NS | ![]() |
Виробник: SLKOR
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS SLKOR TIRF540ns SLK
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS SLKOR TIRF540ns SLK
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 22.19 грн |
IRF540NS IRF540NSTRL IRF540NST |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS TIRF540ns
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS TIRF540ns
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 27.05 грн |
IRF540NSPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-PAK Udss=100V; Id=33A; Pdmax=140W; Rds=0,052 Ohm
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-PAK Udss=100V; Id=33A; Pdmax=140W; Rds=0,052 Ohm
на замовлення 104 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
13+ | 23.35 грн |
IRF540NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
121+ | 101.54 грн |
123+ | 100.46 грн |
IRF540NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 72.89 грн |
500+ | 60.51 грн |
1000+ | 39.44 грн |
IRF540NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
MOSFETs MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
на замовлення 3041 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 144.65 грн |
10+ | 98.57 грн |
100+ | 58.24 грн |
500+ | 38.73 грн |
IRF540NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 129.08 грн |
10+ | 94.28 грн |
25+ | 93.29 грн |
100+ | 39.09 грн |
IRF540NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 119200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 34.87 грн |
IRF540NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
163+ | 75.52 грн |
175+ | 70.29 грн |
200+ | 64.00 грн |
1600+ | 50.20 грн |
IRF540NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 119200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 37.64 грн |
IRF540NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 150.24 грн |
10+ | 108.17 грн |
100+ | 72.89 грн |
500+ | 60.51 грн |
1000+ | 39.44 грн |
IRF540NSTRRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF540NSTRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - IRF540NSTRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 101.31 грн |
500+ | 79.64 грн |
1000+ | 62.40 грн |
IRF540NSTRRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF540NSTRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - IRF540NSTRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 176.86 грн |
10+ | 115.04 грн |
100+ | 101.31 грн |
500+ | 79.64 грн |
1000+ | 62.40 грн |
IRF540PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 93.58 грн |
6+ | 74.14 грн |
10+ | 71.75 грн |
25+ | 37.47 грн |
69+ | 35.08 грн |
IRF540PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 112.30 грн |
5+ | 92.39 грн |
10+ | 86.10 грн |
25+ | 44.96 грн |
69+ | 42.09 грн |
IRF540PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 23340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 77.59 грн |
50+ | 74.44 грн |
100+ | 72.65 грн |
500+ | 62.86 грн |
1000+ | 57.63 грн |
2000+ | 53.25 грн |
IRF540PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF540PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.077 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - IRF540PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.077 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 151.10 грн |
10+ | 144.23 грн |
100+ | 111.61 грн |
500+ | 99.65 грн |
IRF540PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 8400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
112+ | 110.30 грн |
116+ | 106.53 грн |
500+ | 103.33 грн |
1000+ | 89.59 грн |
2000+ | 70.73 грн |
5000+ | 67.28 грн |
IRF540PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 23340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
166+ | 74.16 грн |
171+ | 71.79 грн |
174+ | 70.79 грн |
500+ | 62.30 грн |
1000+ | 57.66 грн |
2000+ | 53.26 грн |
IRF540PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 100V 28A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 100V 28A N-CH MOSFET
на замовлення 5402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 131.25 грн |
10+ | 102.97 грн |
100+ | 85.72 грн |
500+ | 80.36 грн |
1000+ | 68.19 грн |
2000+ | 56.02 грн |
IRF540PBF-BE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF540PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 100V, 28A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Description: VISHAY - IRF540PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 100V, 28A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 165.70 грн |
10+ | 121.91 грн |
25+ | 115.04 грн |
50+ | 101.25 грн |
100+ | 87.57 грн |
IRF540PBF-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 100V 28A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 100V 28A N-CH MOSFET
на замовлення 7322 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 153.57 грн |
10+ | 89.77 грн |
100+ | 66.51 грн |
500+ | 60.31 грн |
1000+ | 55.64 грн |
2000+ | 51.58 грн |
5000+ | 50.05 грн |
IRF540PBF-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1000+ | 50.11 грн |
IRF540PBF-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1000+ | 53.96 грн |
IRF540S |
![]() |
Виробник: Siliconix
N-MOSFET HEXFET 100V 28A 3.7W 0,077Ω IRF540S TIRF540s
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET HEXFET 100V 28A 3.7W 0,077Ω IRF540S TIRF540s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 240 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 42.62 грн |
IRF540SPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 168.27 грн |
10+ | 78.13 грн |
23+ | 41.45 грн |
62+ | 39.86 грн |
IRF540SPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 479 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 201.93 грн |
10+ | 97.36 грн |
23+ | 49.75 грн |
62+ | 47.83 грн |
IRF540SPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF540SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.077 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - IRF540SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.077 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 131.36 грн |
10+ | 124.49 грн |
100+ | 91.00 грн |
500+ | 82.91 грн |
IRF540SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 78.63 грн |
50+ | 77.84 грн |
100+ | 77.14 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]