Результат пошуку "IRF640" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 7
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 30
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 295
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 298
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 272
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 222
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 9
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 236
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 215
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 15
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 96
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 83
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 127
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 650
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 650
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 96
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 97
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 97
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 125
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 7
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF640N Код товару: 30510
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() Uds,V: 200 V Idd,A: 18 A Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67 Монтаж: THT |
у наявності: 26 шт
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
9 шт - РАДІОМАГ-Львів 8 шт - РАДІОМАГ-Харків 4 шт - РАДІОМАГ-Одеса |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640NPBF Код товару: 42934
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() Uds,V: 200 V Idd,A: 18 A Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67 Монтаж: THT |
у наявності: 469 шт
404 шт - склад
4 шт - РАДІОМАГ-Київ 20 шт - РАДІОМАГ-Львів 20 шт - РАДІОМАГ-Харків 10 шт - РАДІОМАГ-Одеса 11 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640NSPBF Код товару: 116935
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() Uds,V: 200 V Idd,A: 18 A Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67 Монтаж: SMD |
у наявності: 30 шт
30 шт - склад
|
|
||||||||||||||||
IRF640 | IR |
![]() ![]() |
на замовлення 15 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRF640 |
![]() ![]() |
на замовлення 66 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF640 | SLKOR |
![]() ![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 56 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF640; 18A; 200V; 0,18R; 125W; N-канальный; корпус: ТО220; STM |
на замовлення 983 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF640ACP001 | FAIRCHILD | IRF640ACP001 |
на замовлення 1250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF640N | JSMicro Semiconductor |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF640N | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 553 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF640N | HXY MOSFET |
![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 73 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF640N-ML | MOSLEADER |
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 180mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N-ML MOSLEADER TIRF640n MOS кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF640NL | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRF640NLPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 1977 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 18A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Gate charge: 44.7nC Kind of package: tube |
на замовлення 533 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IRF640NPBF | IR |
![]() |
на замовлення 382 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRF640NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 18A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Gate charge: 44.7nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 533 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 100802 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 100802 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 16130 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 12879 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IRF640NS | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRF640NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 18A Power dissipation: 150W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Kind of package: reel |
на замовлення 369 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 18A Power dissipation: 150W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Kind of package: reel кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 369 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 219 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1196 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 511 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 219 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640NSTRRPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 70nC Kind of package: tube |
на замовлення 1566 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IRF640PBF | VISHAY |
![]() |
на замовлення 69 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRF640PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 70nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1566 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640PBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 2142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640PBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640PBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640PBF | Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 4372 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640PBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 2142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640PBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IRF640PBF-BE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 70nC Kind of package: tube |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRF640PBF-BE3 | Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 4396 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640PBF-BE3 | Vishay |
![]() |
на замовлення 427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640PBF-BE3 | Vishay |
![]() |
на замовлення 650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640PBF-BE3 | Vishay |
![]() |
на замовлення 650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IRF640S | Siliconix |
![]() ![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 80 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRF640SPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 130W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 70nC Kind of package: tube |
на замовлення 1254 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640SPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 130W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 70nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1254 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640SPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 41 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
![]() |
IRF640SPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 2063 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640SPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 2063 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640SPBF | Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 4334 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640SPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640SPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 1050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640SPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 1162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640SPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640SPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 1162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640STRLPBF | Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 943 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640STRLPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640STRLPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
IRF640N Код товару: 30510
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Монтаж: THT
у наявності: 26 шт
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
9 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Харків
4 шт - РАДІОМАГ-Одеса
9 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Харків
4 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 20.00 грн |
IRF640NPBF Код товару: 42934
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Монтаж: THT
у наявності: 469 шт
404 шт - склад
4 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Харків
10 шт - РАДІОМАГ-Одеса
11 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
4 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Харків
10 шт - РАДІОМАГ-Одеса
11 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 28.00 грн |
10+ | 25.20 грн |
100+ | 22.50 грн |
IRF640NSPBF Код товару: 116935
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Монтаж: SMD
у наявності: 30 шт
30 шт - склад
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 53.00 грн |
10+ | 49.00 грн |
IRF640 | ![]() |
![]() |
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=18A; Pdmax=125W; Rds=0,18 Ohm
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=18A; Pdmax=125W; Rds=0,18 Ohm
на замовлення 15 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 41.50 грн |
IRF640 | ![]() |
![]() |
MOSFET 200V 18A (72A pulse), N Channel TO-220
на замовлення 66 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 118.40 грн |
IRF640 | ![]() |
![]() |
Виробник: SLKOR
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640 SLKOR TIRF640n SLK
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640 SLKOR TIRF640n SLK
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 56 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 23.87 грн |
IRF640; 18A; 200V; 0,18R; 125W; N-канальный; корпус: ТО220; STM |
на замовлення 983 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
30+ | 23.18 грн |
IRF640ACP001 |
Виробник: FAIRCHILD
IRF640ACP001
IRF640ACP001
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
295+ | 103.46 грн |
500+ | 92.85 грн |
1000+ | 85.63 грн |
IRF640N | ![]() |
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N JSMICRO TIRF640n JSM
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N JSMICRO TIRF640n JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 29.70 грн |
IRF640N | ![]() |
на замовлення 553 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 27.82 грн |
IRF640N | ![]() |
Виробник: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 145mOhm; 18A; 125W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N HXY MOSFET TIRF640n HXY
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 145mOhm; 18A; 125W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N HXY MOSFET TIRF640n HXY
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 73 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 23.49 грн |
IRF640N-ML |
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 180mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N-ML MOSLEADER TIRF640n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 180mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N-ML MOSLEADER TIRF640n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 22.93 грн |
IRF640NL |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 200V 18A 150mΩ 150W IRF640NL IR TIRF640nl
кількість в упаковці: 25 шт
N-MOSFET 200V 18A 150mΩ 150W IRF640NL IR TIRF640nl
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 35.53 грн |
IRF640NLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 1977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
298+ | 102.44 грн |
500+ | 92.13 грн |
1000+ | 84.96 грн |
IRF640NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
на замовлення 533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 105.38 грн |
10+ | 73.93 грн |
25+ | 59.02 грн |
28+ | 31.96 грн |
77+ | 30.20 грн |
IRF640NPBF |
![]() |
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=18A; Pdmax=125W; Rds=0,18 Ohm (аналог IRF640 только без свинца)
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=18A; Pdmax=125W; Rds=0,18 Ohm (аналог IRF640 только без свинца)
на замовлення 382 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 63.76 грн |
IRF640NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 533 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 126.46 грн |
10+ | 92.12 грн |
25+ | 70.82 грн |
28+ | 38.35 грн |
77+ | 36.24 грн |
IRF640NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 100802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 104.48 грн |
12+ | 53.44 грн |
100+ | 47.68 грн |
500+ | 38.54 грн |
1000+ | 30.44 грн |
4000+ | 26.29 грн |
10000+ | 26.03 грн |
IRF640NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 100802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
272+ | 44.90 грн |
IRF640NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
на замовлення 16130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 119.87 грн |
10+ | 112.25 грн |
25+ | 49.32 грн |
100+ | 46.75 грн |
500+ | 38.97 грн |
1000+ | 35.45 грн |
2000+ | 33.10 грн |
IRF640NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
222+ | 55.02 грн |
237+ | 51.36 грн |
250+ | 48.69 грн |
500+ | 41.47 грн |
1000+ | 34.85 грн |
2000+ | 31.02 грн |
4000+ | 28.03 грн |
8000+ | 25.46 грн |
IRF640NS | ![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; IRF640NS smd TIRF640ns
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; IRF640NS smd TIRF640ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 63.91 грн |
IRF640NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 119.38 грн |
10+ | 78.05 грн |
27+ | 33.64 грн |
74+ | 31.80 грн |
IRF640NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 369 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 143.25 грн |
10+ | 97.27 грн |
27+ | 40.36 грн |
74+ | 38.16 грн |
IRF640NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 68.49 грн |
12+ | 52.67 грн |
25+ | 52.14 грн |
100+ | 37.39 грн |
IRF640NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 36.20 грн |
1600+ | 34.44 грн |
2400+ | 34.10 грн |
4000+ | 31.92 грн |
5600+ | 29.26 грн |
IRF640NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 47.36 грн |
IRF640NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
236+ | 51.61 грн |
318+ | 38.38 грн |
337+ | 36.19 грн |
IRF640NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
на замовлення 511 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 137.85 грн |
10+ | 90.31 грн |
100+ | 57.02 грн |
250+ | 56.88 грн |
500+ | 52.77 грн |
800+ | 37.06 грн |
2400+ | 36.55 грн |
IRF640NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
215+ | 56.72 грн |
217+ | 56.15 грн |
IRF640NSTRRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
15+ | 42.47 грн |
31+ | 19.52 грн |
32+ | 18.51 грн |
50+ | 16.86 грн |
100+ | 15.91 грн |
IRF640PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
на замовлення 1566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 138.31 грн |
10+ | 96.25 грн |
25+ | 36.08 грн |
69+ | 34.10 грн |
IRF640PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
N-Channel, 200V, 18A, 125W, 0.18R, TO220
N-Channel, 200V, 18A, 125W, 0.18R, TO220
на замовлення 69 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 64.80 грн |
IRF640PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1566 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 165.98 грн |
10+ | 119.94 грн |
25+ | 43.30 грн |
69+ | 40.92 грн |
IRF640PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
96+ | 127.18 грн |
131+ | 93.20 грн |
137+ | 88.89 грн |
500+ | 78.64 грн |
1000+ | 57.72 грн |
2000+ | 48.84 грн |
IRF640PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
83+ | 147.91 грн |
IRF640PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 80.78 грн |
10+ | 76.92 грн |
25+ | 65.70 грн |
100+ | 61.72 грн |
IRF640PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 200V 18A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 200V 18A N-CH MOSFET
на замовлення 4372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 148.13 грн |
10+ | 135.88 грн |
25+ | 83.67 грн |
100+ | 77.79 грн |
1000+ | 51.59 грн |
2000+ | 49.91 грн |
5000+ | 48.95 грн |
IRF640PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 132.93 грн |
10+ | 119.37 грн |
25+ | 87.49 грн |
100+ | 80.45 грн |
500+ | 68.34 грн |
1000+ | 52.01 грн |
2000+ | 45.84 грн |
IRF640PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF640PBF-BE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 135.84 грн |
10+ | 89.45 грн |
16+ | 57.34 грн |
44+ | 53.51 грн |
IRF640PBF-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 200V 18A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 200V 18A N-CH MOSFET
на замовлення 4396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 156.69 грн |
10+ | 106.34 грн |
100+ | 74.12 грн |
500+ | 62.09 грн |
1000+ | 53.21 грн |
2000+ | 50.57 грн |
5000+ | 48.95 грн |
IRF640PBF-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
127+ | 96.22 грн |
IRF640PBF-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
650+ | 96.48 грн |
IRF640PBF-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
650+ | 102.79 грн |
IRF640S | ![]() |
![]() |
Виробник: Siliconix
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 180mOhm; 18A; 130W; -55°C ~ 150°C; IRF640S TIRF640s
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 180mOhm; 18A; 130W; -55°C ~ 150°C; IRF640S TIRF640s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 46.81 грн |
IRF640SPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
на замовлення 1254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 130.08 грн |
10+ | 89.45 грн |
18+ | 51.99 грн |
48+ | 48.93 грн |
IRF640SPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1254 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 156.10 грн |
10+ | 111.46 грн |
18+ | 62.38 грн |
48+ | 58.71 грн |
IRF640SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF640SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 2063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 118.56 грн |
10+ | 117.37 грн |
25+ | 88.31 грн |
100+ | 76.39 грн |
1000+ | 70.03 грн |
IRF640SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 2063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
96+ | 127.68 грн |
97+ | 126.40 грн |
128+ | 95.10 грн |
143+ | 82.27 грн |
1000+ | 75.41 грн |
IRF640SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 200V 18 Amp
MOSFETs N-Chan 200V 18 Amp
на замовлення 4334 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 172.96 грн |
10+ | 152.76 грн |
25+ | 82.20 грн |
100+ | 80.00 грн |
1000+ | 79.26 грн |
IRF640SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
97+ | 126.05 грн |
128+ | 95.30 грн |
143+ | 85.62 грн |
IRF640SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
97+ | 125.64 грн |
500+ | 100.20 грн |
IRF640SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
125+ | 98.09 грн |
126+ | 97.11 грн |
148+ | 82.70 грн |
158+ | 74.49 грн |
1000+ | 68.28 грн |
IRF640SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 119.51 грн |
10+ | 118.32 грн |
25+ | 89.45 грн |
100+ | 77.50 грн |
IRF640SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 91.08 грн |
10+ | 90.17 грн |
25+ | 76.79 грн |
100+ | 69.17 грн |
1000+ | 63.41 грн |
IRF640STRLPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 200V 18A N-CH MOSFET
MOSFETs TO263 200V 18A N-CH MOSFET
на замовлення 943 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 189.23 грн |
10+ | 134.20 грн |
100+ | 103.48 грн |
500+ | 96.14 грн |
800+ | 72.51 грн |
2400+ | 71.85 грн |
IRF640STRLPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 77.87 грн |
IRF640STRLPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 73.10 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]