Результат пошуку "IRF640" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF640N IRF640N
Код товару: 30510
Додати до обраних Обраний товар
IR description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 18 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,15 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1160/67
Монтаж: THT
на замовлення: 12 шт
  • 12 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF
Код товару: 42934
2 Додати до обраних Обраний товар
IR irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 18 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,15 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1160/67
Примітка: P=150W, -55...170 C
Монтаж: THT
у наявності: 738 шт
  • 659 шт - склад
  • 50 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 29 шт - РАДІОМАГ-Львів
на замовлення: 17 шт
  • 17 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+28.00 грн
10+25.20 грн
100+22.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSPBF IRF640NSPBF
Код товару: 116935
Додати до обраних Обраний товар
IR irf640npbf-935925-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 18 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,15 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1160/67
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
очікується: 100 шт
  • 100 шт - очікується 13.08.2026
1+53.00 грн
10+49.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640 1782724373540472.pdf description MOSFET 200V 18A (72A pulse), N Channel TO-220
на замовлення 66 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
4+128.13 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640 IRF640 GOODWORK 1782724373540472.pdf description Description: 200V18A180m@10VTO-220-3L
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+24.91 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640 SLKOR 1782724373540472.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640 SLKOR TIRF640n SLK
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640ACP001 Fairchild Semiconductor Description: MOSFET N-CH 200V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+86.07 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640N IRF640N HXY MOSFET TIRF640n_JSM_0001.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 145mOhm; 18A; 125W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N HXY MOSFET TIRF640n HXY
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 73 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.17 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640N IRF640N JSMicro Semiconductor TIRF640n_JSM_0001.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N JSMICRO TIRF640n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640N IRF640N International Rectifier TIRF640n_JSM_0001.pdf description N-MOSFET 18A 200V 150W 0.15Ω IRF640N TIRF640n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.90 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640N IRF640N Infineon TIRF640n_JSM_0001.pdf description N-MOSFET 18A 200V 150W 0.15Ω IRF640N TIRF640n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.90 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640N IRF640N International Rectifier TIRF640n_JSM_0001.pdf description N-MOSFET 18A 200V 150W 0.15Ω IRF640N TIRF640n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 160 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.90 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640N-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 180mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N-ML MOSLEADER TIRF640n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+25.87 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NL IRF640NL International Rectifier info-tirf640nl.pdf N-MOSFET 200V 18A 150mΩ 150W IRF640NL IR TIRF640nl
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+40.07 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf640n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 3180 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+121.16 грн
10+54.35 грн
50+36.32 грн
100+31.93 грн
250+28.13 грн
500+26.14 грн
750+25.23 грн
1000+24.74 грн
2000+23.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+42.05 грн
4000+40.02 грн
10000+39.62 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 25745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+158.50 грн
50+73.72 грн
100+66.07 грн
500+49.37 грн
1000+45.31 грн
2000+41.90 грн
5000+39.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+144.70 грн
225+62.84 грн
227+62.21 грн
500+55.77 грн
1000+42.74 грн
4000+37.17 грн
10000+36.80 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 154560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
218+65.02 грн
220+64.37 грн
500+59.43 грн
1000+46.49 грн
4000+40.97 грн
10000+38.93 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies Infineon_IRF640N_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
на замовлення 38716 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF INFINEON INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF640NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
на замовлення 49344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 32602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+42.05 грн
4000+40.02 грн
10000+39.62 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+144.70 грн
12+62.84 грн
100+62.21 грн
500+55.77 грн
1000+42.74 грн
4000+37.17 грн
10000+36.80 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 154580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+223.56 грн
50+107.95 грн
100+96.72 грн
500+74.26 грн
1000+63.11 грн
2000+56.02 грн
5000+54.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NS IRF640NS International Rectifier info-tirf640ns.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; IRF640NS smd TIRF640ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+65.72 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSPBF International Rectifier/Infineon irf640npbf.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 18 А, Ptot, Вт = 150, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1160 @ 25, Qg, нКл = 67 @ 10 В, Rds = 150 мОм @ 11 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
50+28.92 грн
100+24.80 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf640npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 2826 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+126.51 грн
10+69.33 грн
50+54.60 грн
100+49.72 грн
250+44.34 грн
500+40.87 грн
800+38.72 грн
1600+36.07 грн
2400+34.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
88+161.00 грн
141+100.25 грн
225+62.76 грн
800+53.67 грн
1600+49.03 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF640NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF640N_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
на замовлення 23424 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF640NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 22400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+48.65 грн
1600+48.16 грн
2400+48.05 грн
4000+42.92 грн
5600+39.35 грн
8000+37.39 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee Description: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 9704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.81 грн
10+88.01 грн
100+59.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee Description: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+46.15 грн
1600+40.93 грн
2400+39.15 грн
4000+34.86 грн
5600+33.74 грн
8000+32.66 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+161.00 грн
10+100.25 грн
100+62.76 грн
800+53.67 грн
1600+49.03 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 22400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+48.43 грн
1600+47.94 грн
2400+47.83 грн
4000+42.73 грн
5600+39.17 грн
8000+37.22 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRRPBF IRF640NSTRRPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+224.40 грн
10+143.65 грн
100+98.59 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRRPBF IRF640NSTRRPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
337+104.76 грн
500+94.28 грн
1000+86.96 грн
Мінімальне замовлення: 337 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRRPBF IRF640NSTRRPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
337+104.76 грн
500+94.28 грн
Мінімальне замовлення: 337 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRRPBF IRF640NSTRRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF640N_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET 150mOhms 44.7nC
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRRPBF IRF640NSTRRPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF VISHAY sihf640.pdf N-Channel, 200V, 18A, 125W, 0.18R, TO220
на замовлення 69 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
6+64.80 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF IRF640PBF Vishay irf640.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+139.71 грн
50+134.26 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF IRF640PBF Vishay irf640.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF-BE3 IRF640PBF-BE3 VISHAY VISH-S-A0001814992-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF640PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 200V, 18A, TO-220AB
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IRF640 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF-BE3 IRF640PBF-BE3 Vishay Siliconix sihf640.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+252.83 грн
50+122.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF-BE3 IRF640PBF-BE3 Vishay / Siliconix sihf640.pdf MOSFETs TO220 200V 18A N-CH MOSFET
на замовлення 2076 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640S IRF640S Siliconix info-tirf640s.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 180mOhm; 18A; 130W; -55°C ~ 150°C; IRF640S TIRF640s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+52.79 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640A FAI
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640B Fairchild
на замовлення 10005 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640FPorSTF40NF20 ST
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640L sihf640s.pdf
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640N description IRF640N Транзисторы
на замовлення 11 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640N-005(94-2065)
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF/IR IR 08+;
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NS IR description 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRL IR 01+
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF/IR IR 08+;
на замовлення 18550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRR
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRRPBF irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640N
Код товару: 30510
Додати до обраних Обраний товар
description
IRF640N
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 18 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,15 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1160/67
Монтаж: THT
на замовлення: 12 шт
  • 12 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF
Код товару: 42934
2 Додати до обраних Обраний товар
irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
IRF640NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 18 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,15 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1160/67
Примітка: P=150W, -55...170 C
Монтаж: THT
у наявності: 738 шт
  • 659 шт - склад
  • 50 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 29 шт - РАДІОМАГ-Львів
на замовлення: 17 шт
  • 17 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+28.00 грн
10+25.20 грн
100+22.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSPBF
Код товару: 116935
Додати до обраних Обраний товар
irf640npbf-935925-datasheet.pdf
IRF640NSPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 18 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,15 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1160/67
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
очікується: 100 шт
  • 100 шт - очікується 13.08.2026
КількістьЦіна без ПДВ
1+53.00 грн
10+49.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640 description 1782724373540472.pdf
MOSFET 200V 18A (72A pulse), N Channel TO-220
на замовлення 66 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+128.13 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640 description 1782724373540472.pdf
IRF640
Виробник: GOODWORK
Description: 200V18A180m@10VTO-220-3L
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+24.91 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640 description 1782724373540472.pdf
Виробник: SLKOR
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640 SLKOR TIRF640n SLK
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640ACP001
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
235+86.07 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640N description TIRF640n_JSM_0001.pdf
IRF640N
Виробник: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 145mOhm; 18A; 125W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N HXY MOSFET TIRF640n HXY
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 73 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+24.17 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640N description TIRF640n_JSM_0001.pdf
IRF640N
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N JSMICRO TIRF640n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640N description TIRF640n_JSM_0001.pdf
IRF640N
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 18A 200V 150W 0.15Ω IRF640N TIRF640n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+22.90 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640N description TIRF640n_JSM_0001.pdf
IRF640N
Виробник: Infineon
N-MOSFET 18A 200V 150W 0.15Ω IRF640N TIRF640n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+22.90 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640N description TIRF640n_JSM_0001.pdf
IRF640N
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 18A 200V 150W 0.15Ω IRF640N TIRF640n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 160 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+22.90 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640N-ML
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 180mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N-ML MOSLEADER TIRF640n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+25.87 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NL info-tirf640nl.pdf
IRF640NL
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 200V 18A 150mΩ 150W IRF640NL IR TIRF640nl
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+40.07 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF irf640n.pdf
IRF640NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 3180 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+121.16 грн
10+54.35 грн
50+36.32 грн
100+31.93 грн
250+28.13 грн
500+26.14 грн
750+25.23 грн
1000+24.74 грн
2000+23.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF irf640npbf.pdf
IRF640NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+42.05 грн
4000+40.02 грн
10000+39.62 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
IRF640NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 25745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+158.50 грн
50+73.72 грн
100+66.07 грн
500+49.37 грн
1000+45.31 грн
2000+41.90 грн
5000+39.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF irf640npbf.pdf
IRF640NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
98+144.70 грн
225+62.84 грн
227+62.21 грн
500+55.77 грн
1000+42.74 грн
4000+37.17 грн
10000+36.80 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF irf640npbf.pdf
IRF640NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 154560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
218+65.02 грн
220+64.37 грн
500+59.43 грн
1000+46.49 грн
4000+40.97 грн
10000+38.93 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF Infineon_IRF640N_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF640NPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
на замовлення 38716 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF640NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF640NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
на замовлення 49344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF irf640npbf.pdf
IRF640NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 32602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+42.05 грн
4000+40.02 грн
10000+39.62 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF irf640npbf.pdf
IRF640NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+144.70 грн
12+62.84 грн
100+62.21 грн
500+55.77 грн
1000+42.74 грн
4000+37.17 грн
10000+36.80 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF irf640npbf.pdf
IRF640NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 154580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+223.56 грн
50+107.95 грн
100+96.72 грн
500+74.26 грн
1000+63.11 грн
2000+56.02 грн
5000+54.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NS description info-tirf640ns.pdf
IRF640NS
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; IRF640NS smd TIRF640ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+65.72 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSPBF irf640npbf.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 18 А, Ptot, Вт = 150, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1160 @ 25, Qg, нКл = 67 @ 10 В, Rds = 150 мОм @ 11 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+28.92 грн
100+24.80 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF irf640npbf.pdf
IRF640NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 2826 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+126.51 грн
10+69.33 грн
50+54.60 грн
100+49.72 грн
250+44.34 грн
500+40.87 грн
800+38.72 грн
1600+36.07 грн
2400+34.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF irf640npbf.pdf
IRF640NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
88+161.00 грн
141+100.25 грн
225+62.76 грн
800+53.67 грн
1600+49.03 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF640NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF640NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF Infineon_IRF640N_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF640NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
на замовлення 23424 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF640NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF640NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF irf640npbf.pdf
IRF640NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 22400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+48.65 грн
1600+48.16 грн
2400+48.05 грн
4000+42.92 грн
5600+39.35 грн
8000+37.39 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
IRF640NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 9704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+143.81 грн
10+88.01 грн
100+59.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
IRF640NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+46.15 грн
1600+40.93 грн
2400+39.15 грн
4000+34.86 грн
5600+33.74 грн
8000+32.66 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF irf640npbf.pdf
IRF640NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+161.00 грн
10+100.25 грн
100+62.76 грн
800+53.67 грн
1600+49.03 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF irf640npbf.pdf
IRF640NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 22400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+48.43 грн
1600+47.94 грн
2400+47.83 грн
4000+42.73 грн
5600+39.17 грн
8000+37.22 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRRPBF irf640npbf.pdf
IRF640NSTRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+224.40 грн
10+143.65 грн
100+98.59 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRRPBF irf640npbf.pdf
IRF640NSTRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
337+104.76 грн
500+94.28 грн
1000+86.96 грн
Мінімальне замовлення: 337 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRRPBF irf640npbf.pdf
IRF640NSTRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
337+104.76 грн
500+94.28 грн
Мінімальне замовлення: 337 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRRPBF Infineon_IRF640N_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF640NSTRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET 150mOhms 44.7nC
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRRPBF irf640npbf.pdf
IRF640NSTRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF sihf640.pdf
Виробник: VISHAY
N-Channel, 200V, 18A, 125W, 0.18R, TO220
на замовлення 69 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+64.80 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF irf640.pdf
IRF640PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+139.71 грн
50+134.26 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF irf640.pdf
IRF640PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF-BE3 VISH-S-A0001814992-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF640PBF-BE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF640PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 200V, 18A, TO-220AB
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IRF640 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF-BE3 sihf640.pdf
IRF640PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+252.83 грн
50+122.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF-BE3 sihf640.pdf
IRF640PBF-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 200V 18A N-CH MOSFET
на замовлення 2076 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640S description info-tirf640s.pdf
IRF640S
Виробник: Siliconix
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 180mOhm; 18A; 130W; -55°C ~ 150°C; IRF640S TIRF640s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+52.79 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640A
Виробник: FAI
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640B
Виробник: Fairchild
на замовлення 10005 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640FPorSTF40NF20
Виробник: ST
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640L sihf640s.pdf
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640N description
IRF640N Транзисторы
на замовлення 11 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640N-005(94-2065)
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF/IR
Виробник: IR
08+;
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NS description
Виробник: IR
08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRL
Виробник: IR
01+
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF/IR
Виробник: IR
08+;
на замовлення 18550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRR
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRRPBF irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]