Результат пошуку "IRF830" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 500
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 197
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 197
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 304
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 304
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 202
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 224
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 224
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 7
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 145
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 7
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 153
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 500
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 500
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 9
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 437
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 437
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 437
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 437
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 153
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 139
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 186
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 209
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 12
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 220
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 158
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 9
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 12
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF830PBF Код товару: 163342
Додати до обраних
Обраний товар
|
Siliconix |
![]() Корпус: TO-220 Uds,V: 500 V Idd,A: 5 А Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 610/53 Монтаж: THT |
у наявності: 131 шт
90 шт - склад
15 шт - РАДІОМАГ-Київ 10 шт - РАДІОМАГ-Львів 5 шт - РАДІОМАГ-Одеса 11 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||
IRF830 | Siliconix |
![]() ![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 103 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF830 | JSMicro Semiconductor |
![]() ![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF830-ML | MOSLEADER |
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 1,2Ohm; 5A; 83W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF830; IRF830-BE3; IRF830-ML MOSLEADER TIRF830 MOS кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF8301MTRPBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 192A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: DirectFET MT Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 3963 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF8301MTRPBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 192A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: DirectFET MT Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 3963 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF8302MTRPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4423 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF8302MTRPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3121 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF8304MTRPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4233 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRF8304MTRPBF | International Rectifier HiRel Products |
![]() ![]() |
на замовлення 1871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF8306MTRPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 9600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRF8308MTRPBF | International Rectifier HiRel Products |
![]() ![]() |
на замовлення 6861 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF8308MTRPBF | International Rectifier HiRel Products |
![]() ![]() |
на замовлення 3517 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF830ALPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; I2PAK,TO262 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 74W Case: I2PAK; TO262 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 24nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 954 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF830ALPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; I2PAK,TO262 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 74W Case: I2PAK; TO262 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 24nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 954 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF830ALPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF830ALPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF830ALPBF | Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 296 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF830APBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 74W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 24nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 118 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF830APBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 74W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 24nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 118 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF830APBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 20657 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF830APBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 1215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF830APBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 20657 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF830APBF | Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 1341 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF830APBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF830APBF-BE3 | Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 3666 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF830ASPBF | Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 267 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF830ASPBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF830ASPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF830ASPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF830ASTRLPBF | Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 947 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF830ASTRLPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF830ASTRLPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IRF830B | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF830B | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4519 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF830B | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF830B | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF830BPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF830BPBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: D productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF830BPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRF830BPBF. | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: D Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm directShipCharge: 25 |
на замовлення 56 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRF830PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 18A; 74W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.9A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 74W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRF830PBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF830PBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF830PBF | Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF830PBF-BE3 | Vishay |
![]() |
на замовлення 920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF830PBF-BE3 | Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 1645 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF830PBF-BE3 | Vishay |
![]() |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF830PBF-BE3 | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 |
на замовлення 920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF830PBF-BE3 | Vishay |
![]() |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF830SPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 719 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF830SPBF | Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 1004 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF830SPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 1035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF830SPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 1035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF830SPBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 336 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF830SPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF830SPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF830SPBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 336 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF830SPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 719 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF830STRLPBF | Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 941 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
IRF830PBF Код товару: 163342
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 500 V
Idd,A: 5 А
Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 610/53
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 500 V
Idd,A: 5 А
Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 610/53
Монтаж: THT
у наявності: 131 шт
90 шт - склад
15 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
11 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
15 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
11 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 26.00 грн |
10+ | 23.40 грн |
100+ | 20.90 грн |
IRF830 | ![]() |
![]() ![]() ![]() |
на замовлення 103 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 30.06 грн |
IRF830 | ![]() |
![]() ![]() ![]() |
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 550V; 30V; 2,6Ohm; 4A; 33W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF830; IRF830-BE3; IRF830 JSMICRO TIRF830 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 550V; 30V; 2,6Ohm; 4A; 33W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF830; IRF830-BE3; IRF830 JSMICRO TIRF830 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 20.24 грн |
IRF830-ML |
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 1,2Ohm; 5A; 83W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF830; IRF830-BE3; IRF830-ML MOSLEADER TIRF830 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 1,2Ohm; 5A; 83W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF830; IRF830-BE3; IRF830-ML MOSLEADER TIRF830 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 22.16 грн |
IRF8301MTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8301MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 192 A, 0.0015 ohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MT
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - IRF8301MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 192 A, 0.0015 ohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MT
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 3963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
500+ | 130.32 грн |
1000+ | 118.14 грн |
IRF8301MTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8301MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 192 A, 0.0015 ohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MT
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - IRF8301MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 192 A, 0.0015 ohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MT
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 3963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 216.82 грн |
10+ | 180.69 грн |
100+ | 147.91 грн |
500+ | 130.32 грн |
1000+ | 118.14 грн |
IRF8302MTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 31A 7-Pin Direct-FET MX T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 31A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 4423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
197+ | 154.81 грн |
500+ | 139.64 грн |
1000+ | 128.50 грн |
IRF8302MTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 31A 7-Pin Direct-FET MX T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 31A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 3121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
197+ | 154.81 грн |
500+ | 139.64 грн |
1000+ | 128.50 грн |
IRF8304MTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 28A 7-Pin Direct-FET MX T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 28A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 4233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
304+ | 100.16 грн |
500+ | 90.14 грн |
1000+ | 83.13 грн |
IRF8304MTRPBF |
![]() ![]() |
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH 30V 28A 7-Pin Direct-FET MX T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 28A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 1871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
304+ | 100.16 грн |
500+ | 90.14 грн |
1000+ | 83.13 грн |
IRF8306MTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 23A 7-Pin Direct-FET MX T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 23A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
202+ | 150.77 грн |
500+ | 135.59 грн |
1000+ | 125.47 грн |
IRF8308MTRPBF |
![]() ![]() |
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH 30V 27A 7-Pin Direct-FET MX T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 27A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 6861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
224+ | 135.59 грн |
500+ | 122.43 грн |
1000+ | 112.32 грн |
IRF8308MTRPBF |
![]() ![]() |
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH 30V 27A 7-Pin Direct-FET MX T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 27A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 3517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
224+ | 135.59 грн |
500+ | 122.43 грн |
1000+ | 112.32 грн |
IRF830ALPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 954 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 87.40 грн |
16+ | 59.31 грн |
43+ | 56.19 грн |
IRF830ALPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 954 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 104.88 грн |
16+ | 73.91 грн |
43+ | 67.42 грн |
IRF830ALPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-262
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-262
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1000+ | 49.55 грн |
2000+ | 48.23 грн |
IRF830ALPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-262
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-262
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1000+ | 53.19 грн |
2000+ | 51.77 грн |
IRF830ALPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 500V 5.0 Amp
MOSFETs N-Chan 500V 5.0 Amp
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 135.47 грн |
10+ | 117.17 грн |
100+ | 98.14 грн |
500+ | 72.14 грн |
1000+ | 64.43 грн |
2000+ | 64.35 грн |
IRF830APBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 68.07 грн |
10+ | 56.11 грн |
27+ | 34.34 грн |
74+ | 32.46 грн |
IRF830APBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 81.69 грн |
10+ | 69.92 грн |
27+ | 41.20 грн |
74+ | 38.96 грн |
IRF830APBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 20657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
145+ | 84.25 грн |
146+ | 83.41 грн |
153+ | 79.84 грн |
500+ | 68.68 грн |
1000+ | 55.26 грн |
2000+ | 52.52 грн |
IRF830APBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF830APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.4 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - IRF830APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.4 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 127.74 грн |
10+ | 105.05 грн |
100+ | 76.90 грн |
500+ | 65.08 грн |
1000+ | 48.84 грн |
IRF830APBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 20657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 90.44 грн |
50+ | 89.53 грн |
100+ | 85.70 грн |
500+ | 73.72 грн |
1000+ | 59.32 грн |
2000+ | 56.37 грн |
IRF830APBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF8
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF8
на замовлення 1341 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 104.88 грн |
10+ | 77.80 грн |
100+ | 65.70 грн |
500+ | 61.96 грн |
1000+ | 55.74 грн |
IRF830APBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
153+ | 111.06 грн |
IRF830APBF-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 500V 5A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 500V 5A N-CH MOSFET
на замовлення 3666 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 94.39 грн |
10+ | 47.90 грн |
100+ | 40.98 грн |
1000+ | 39.11 грн |
IRF830ASPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 500V 5A N-CH MOSFET
MOSFETs TO263 500V 5A N-CH MOSFET
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 172.18 грн |
10+ | 100.80 грн |
100+ | 85.40 грн |
500+ | 73.42 грн |
1000+ | 65.70 грн |
2000+ | 62.63 грн |
5000+ | 61.13 грн |
IRF830ASPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF830ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.4 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - IRF830ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.4 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 177.33 грн |
10+ | 131.94 грн |
100+ | 102.53 грн |
IRF830ASPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
500+ | 176.33 грн |
IRF830ASPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
500+ | 189.27 грн |
IRF830ASTRLPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 500V 5A N-CH MOSFET
MOSFETs TO263 500V 5A N-CH MOSFET
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 97.89 грн |
10+ | 88.74 грн |
500+ | 72.82 грн |
800+ | 60.16 грн |
9600+ | 59.26 грн |
IRF830ASTRLPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 85.78 грн |
28+ | 25.12 грн |
29+ | 23.42 грн |
IRF830ASTRLPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF830B |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
IRF830B
IRF830B
на замовлення 1294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
437+ | 69.50 грн |
500+ | 62.56 грн |
1000+ | 57.68 грн |
IRF830B |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
IRF830B
IRF830B
на замовлення 4519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
437+ | 69.50 грн |
500+ | 62.56 грн |
1000+ | 57.68 грн |
IRF830B |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
IRF830B
IRF830B
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
437+ | 69.50 грн |
500+ | 62.56 грн |
1000+ | 57.68 грн |
IRF830B |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
IRF830B
IRF830B
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
437+ | 69.50 грн |
500+ | 62.56 грн |
1000+ | 57.68 грн |
IRF830BPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 5.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 35.98 грн |
52+ | 12.90 грн |
100+ | 11.89 грн |
250+ | 11.41 грн |
500+ | 11.32 грн |
IRF830BPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF830BPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5.3 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: To Be Advised
Description: VISHAY - IRF830BPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5.3 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 110.09 грн |
11+ | 81.44 грн |
100+ | 52.11 грн |
500+ | 40.50 грн |
IRF830BPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 5.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF830BPBF. |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF830BPBF. - MOSFET, N-CH, 500V, 5.3A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
directShipCharge: 25
Description: VISHAY - IRF830BPBF. - MOSFET, N-CH, 500V, 5.3A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF830PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 18A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 18A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF830PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
153+ | 79.57 грн |
IRF830PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF830PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - IRF830PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 109.25 грн |
10+ | 89.08 грн |
100+ | 69.17 грн |
500+ | 54.47 грн |
IRF830PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 500V 4.5A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 500V 4.5A N-CH MOSFET
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 98.76 грн |
10+ | 59.53 грн |
100+ | 51.32 грн |
500+ | 47.95 грн |
1000+ | 45.55 грн |
10000+ | 45.32 грн |
IRF830PBF-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
139+ | 87.73 грн |
145+ | 83.81 грн |
250+ | 80.45 грн |
500+ | 74.77 грн |
IRF830PBF-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 500V 4.5A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 500V 4.5A N-CH MOSFET
на замовлення 1645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 110.13 грн |
10+ | 59.96 грн |
100+ | 49.52 грн |
500+ | 47.80 грн |
1000+ | 43.00 грн |
2000+ | 41.73 грн |
IRF830PBF-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
186+ | 65.40 грн |
203+ | 59.93 грн |
500+ | 56.11 грн |
IRF830PBF-BE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF830PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 500V, 4.5A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Description: VISHAY - IRF830PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 500V, 4.5A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 115.98 грн |
12+ | 72.61 грн |
25+ | 68.66 грн |
50+ | 60.17 грн |
100+ | 53.23 грн |
500+ | 50.64 грн |
IRF830PBF-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 70.07 грн |
100+ | 64.21 грн |
500+ | 60.11 грн |
IRF830SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
209+ | 58.31 грн |
IRF830SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 500V 4.5A N-CH MOSFET
MOSFETs TO263 500V 4.5A N-CH MOSFET
на замовлення 1004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 76.65 грн |
10+ | 69.27 грн |
100+ | 60.08 грн |
IRF830SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 59.25 грн |
25+ | 58.67 грн |
50+ | 54.70 грн |
100+ | 50.06 грн |
250+ | 47.58 грн |
500+ | 46.72 грн |
IRF830SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
220+ | 55.21 грн |
223+ | 54.66 грн |
230+ | 52.85 грн |
233+ | 50.36 грн |
250+ | 46.17 грн |
500+ | 43.53 грн |
IRF830SPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF830SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - IRF830SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 75.64 грн |
IRF830SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
158+ | 77.20 грн |
171+ | 71.27 грн |
173+ | 70.55 грн |
181+ | 64.91 грн |
184+ | 59.19 грн |
250+ | 56.26 грн |
500+ | 54.81 грн |
IRF830SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 82.71 грн |
10+ | 76.36 грн |
25+ | 75.59 грн |
50+ | 69.55 грн |
100+ | 63.42 грн |
250+ | 60.27 грн |
500+ | 58.72 грн |
IRF830SPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF830SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - IRF830SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 90.76 грн |
11+ | 79.08 грн |
100+ | 75.64 грн |
IRF830SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 62.47 грн |
57+ | 12.19 грн |
58+ | 11.57 грн |
59+ | 10.61 грн |
IRF830STRLPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 500V 4.5 Amp
MOSFETs N-Chan 500V 4.5 Amp
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 184.42 грн |
10+ | 131.82 грн |
100+ | 89.15 грн |
500+ | 80.16 грн |
800+ | 61.81 грн |
9600+ | 61.73 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]