Результат пошуку "IRF830" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF830PBF IRF830PBF
Код товару: 163342
2 Додати до обраних Обраний товар
Siliconix irl620.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 500 В
Струм стоку Idd, А: 5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,4 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 610/53
Монтаж: THT
у наявності: 23 шт
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується: 200 шт
  • 200 шт - очікується
на замовлення: 5 шт
  • 5 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+28.00 грн
10+25.20 грн
100+22.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830 IRF830 JSMicro Semiconductor info-tirf830.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 550V; 30V; 2,6Ohm; 4A; 33W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF830; IRF830-BE3; IRF830 JSMICRO TIRF830 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.26 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830 IRF830 Vishay info-tirf830.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 20V; 1,5Ohm; 4,5A; 74W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF830; IRF830; IRF830-BE3; IRF840A; IRF840A-BE3; IRF840BPB-BE3; IRF830 TIRF830
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+35.61 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830 IRF830 Siliconix info-tirf830.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 20V; 1,5Ohm; 4,5A; 74W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF830; IRF830; IRF830-BE3; IRF840A; IRF840A-BE3; IRF840BPB-BE3; IRF830 TIRF830
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+35.61 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 1,2Ohm; 5A; 83W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF830; IRF830-BE3; IRF830-ML MOSLEADER TIRF830 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8301MTRPBF IRF8301MTRPBF INFINEON INFN-S-A0012826800-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF8301MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 192 A, 1500 µohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Bauform - Transistor: DirectFET MT
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8301MTRPBF IRF8301MTRPBF INFINEON INFN-S-A0012826800-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF8301MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 192 A, 1500 µohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Bauform - Transistor: DirectFET MT
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8304MTRPBF IRF8304MTRPBF International Rectifier IRSDS19129-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRF8304 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+338.66 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8304MTRPBF IRF8304MTRPBF Infineon Technologies IRSDS19129-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRF8304 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
на замовлення 2561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+83.99 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8304MTRPBF IRF8304MTRPBF Infineon Technologies infineonirf8304mdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 28A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 3795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
304+116.41 грн
500+104.76 грн
1000+96.61 грн
Мінімальне замовлення: 304 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8304MTRPBF International Rectifier HiRel Products IRSDS19129-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irf8304mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d20db1d5d Trans MOSFET N-CH 30V 28A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 1871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
304+116.41 грн
500+104.76 грн
1000+96.61 грн
Мінімальне замовлення: 304 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8306MTRPBF IRF8306MTRPBF Infineon Technologies 595irf8306mpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 23A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+175.22 грн
500+157.58 грн
1000+145.82 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8306MTRPBF IRF8306MTRPBF Infineon Technologies irf8306mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d29371d5f Description: MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4110 pF @ 15 V
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+125.98 грн
Мінімальне замовлення: 161 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8308MTRPBF International Rectifier HiRel Products IRSDS19130-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irf8308mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d319d1d61 Trans MOSFET N-CH 30V 27A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 6861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+157.58 грн
500+142.30 грн
1000+130.54 грн
Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8308MTRPBF International Rectifier HiRel Products IRSDS19130-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irf8308mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d319d1d61 Trans MOSFET N-CH 30V 27A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 3517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+157.58 грн
500+142.30 грн
1000+130.54 грн
Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8308MTRPBF IRF8308MTRPBF International Rectifier IRSDS19130-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRENCH MOSFET - DIRECTFET MV
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4404 pF @ 15 V
на замовлення 10378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
179+113.79 грн
Мінімальне замовлення: 179 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ALPBF IRF830ALPBF VISHAY sihf830a.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 927 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+218.79 грн
5+161.68 грн
10+141.37 грн
50+104.97 грн
100+94.81 грн
250+83.80 грн
500+78.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ALPBF IRF830ALPBF Vishay Semiconductors sihf830a.pdf MOSFETs N-Chan 500V 5.0 Amp
на замовлення 1223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ALPBF IRF830ALPBF Vishay sihf830a.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-262
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+183.73 грн
104+136.14 грн
112+126.18 грн
250+108.86 грн
500+94.87 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830APBF IRF830APBF VISHAY irf830a.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 720 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+156.80 грн
10+99.80 грн
50+82.96 грн
100+75.93 грн
250+66.71 грн
500+59.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830APBF IRF830APBF Vishay Siliconix 91061.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 1671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+266.62 грн
10+168.37 грн
50+130.08 грн
100+110.51 грн
500+90.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830APBF IRF830APBF VISHAY 91061.pdf Description: VISHAY - IRF830APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.4 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
на замовлення 3156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830APBF IRF830APBF Vishay 91061.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830APBF IRF830APBF Vishay 91061.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+193.44 грн
91+155.48 грн
114+124.47 грн
250+113.31 грн
500+92.06 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830APBF IRF830APBF Vishay Semiconductors 91061.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF8
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830APBF IRF830APBF Vishay 91061.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+183.83 грн
10+127.40 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830APBF-BE3 IRF830APBF-BE3 Vishay / Siliconix 91061.pdf MOSFETs TO220 500V 5A N-CH MOSFET
на замовлення 1098 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830APBF-BE3 IRF830APBF-BE3 Vishay Siliconix 91061.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.66 грн
10+130.96 грн
50+100.23 грн
100+84.76 грн
500+68.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830APBF-BE3 IRF830APBF-BE3 VISHAY 91061.pdf Description: VISHAY - IRF830APBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.4 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IRF830A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ASPBF IRF830ASPBF Vishay Siliconix sihf830a.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+225.48 грн
10+140.87 грн
50+108.11 грн
100+91.55 грн
500+74.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ASPBF IRF830ASPBF Vishay Semiconductors sihf830a.pdf MOSFETs TO263 500V 5A N-CH MOSFET
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ASPBF IRF830ASPBF VISHAY VISH-S-A0013329316-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF830ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.4 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 3.1W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ASTRLPBF IRF830ASTRLPBF Vishay Siliconix sihf830a.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+77.77 грн
2400+66.90 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ASTRLPBF IRF830ASTRLPBF Vishay sihf830a.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ASTRLPBF IRF830ASTRLPBF Vishay sihf830a.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+102.05 грн
10+100.37 грн
25+98.70 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ASTRLPBF IRF830ASTRLPBF Vishay Semiconductors sihf830a.pdf MOSFETs TO263 500V 5A N-CH MOSFET
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ASTRLPBF IRF830ASTRLPBF Vishay Siliconix sihf830a.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 8246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+225.48 грн
10+140.87 грн
50+108.11 грн
100+91.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830B FAIRCHILD FAIRS18184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF830B
на замовлення 1294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
437+80.78 грн
500+72.71 грн
1000+67.04 грн
Мінімальне замовлення: 437 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830B IRF830B Fairchild Semiconductor FAIRS18184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 9803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
349+58.25 грн
Мінімальне замовлення: 349 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830B FAIRCHILD FAIRS18184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF830B
на замовлення 4519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
437+80.78 грн
500+72.71 грн
1000+67.04 грн
Мінімальне замовлення: 437 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830B FAIRCHILD FAIRS18184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF830B
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
437+80.78 грн
500+72.71 грн
1000+67.04 грн
Мінімальне замовлення: 437 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830B FAIRCHILD FAIRS18184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF830B
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
437+80.78 грн
500+72.71 грн
1000+67.04 грн
Мінімальне замовлення: 437 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830BPBF IRF830BPBF Vishay doc91520.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
622+22.69 грн
Мінімальне замовлення: 622 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830BPBF IRF830BPBF VISHAY 2633004.pdf Description: VISHAY - IRF830BPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5.3 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 104W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830BPBF IRF830BPBF Vishay doc91520.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+22.69 грн
76+10.02 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830BPBF-BE3 IRF830BPBF-BE3 Vishay / Siliconix irf830b.pdf MOSFETs TO220 500V 5.3A N-CH MOSFET
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF IRF830PBF VISHAY irf830.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 18A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1754 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+123.98 грн
10+62.98 грн
30+48.42 грн
50+43.93 грн
100+39.45 грн
150+37.59 грн
250+35.72 грн
500+33.86 грн
1000+33.01 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF IRF830PBF Vishay 91063.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 16430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+177.81 грн
10+97.82 грн
25+96.86 грн
50+92.44 грн
100+73.23 грн
500+58.17 грн
1000+46.79 грн
2500+46.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF IRF830PBF Vishay 91063.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+110.33 грн
131+108.41 грн
156+90.51 грн
500+83.85 грн
1000+71.48 грн
Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF IRF830PBF VISHAY VISH-S-A0019267810-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF830PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 4421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF IRF830PBF Vishay 91063.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 16416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
144+98.13 грн
146+97.16 грн
147+96.17 грн
172+79.34 грн
500+60.78 грн
1000+46.93 грн
2500+46.46 грн
Мінімальне замовлення: 144 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF IRF830PBF Vishay 91063.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+163.86 грн
10+96.86 грн
25+95.91 грн
50+91.55 грн
100+73.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF IRF830PBF Vishay 91063.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+163.86 грн
146+96.86 грн
148+95.91 грн
149+91.55 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF IRF830PBF Vishay Semiconductors irl620.pdf MOSFETs TO220 500V 4.5A N-CH MOSFET
на замовлення 11303 шт:
термін постачання 141-150 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF-BE3 IRF830PBF-BE3 Vishay 91063.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF-BE3 IRF830PBF-BE3 Vishay / Siliconix 91063.pdf MOSFETs TO220 500V 4.5A N-CH MOSFET
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF-BE3 IRF830PBF-BE3 Vishay Siliconix 91063.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.18 грн
10+112.15 грн
50+85.34 грн
100+71.97 грн
500+57.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF-BE3 IRF830PBF-BE3 Vishay 91063.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+51.44 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBF sihf830s.pdf TO-263 Транзистори
на замовлення 5 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
5+156.00 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBF IRF830SPBF VISHAY VISH-S-A0010924806-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF830SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF
Код товару: 163342
2 Додати до обраних Обраний товар
irl620.pdf
IRF830PBF
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 500 В
Струм стоку Idd, А: 5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,4 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 610/53
Монтаж: THT
у наявності: 23 шт
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується: 200 шт
  • 200 шт - очікується
на замовлення: 5 шт
  • 5 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+28.00 грн
10+25.20 грн
100+22.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830 description info-tirf830.pdf
IRF830
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 550V; 30V; 2,6Ohm; 4A; 33W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF830; IRF830-BE3; IRF830 JSMICRO TIRF830 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+22.26 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830 description info-tirf830.pdf
IRF830
Виробник: Vishay
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 20V; 1,5Ohm; 4,5A; 74W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF830; IRF830; IRF830-BE3; IRF840A; IRF840A-BE3; IRF840BPB-BE3; IRF830 TIRF830
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+35.61 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830 description info-tirf830.pdf
IRF830
Виробник: Siliconix
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 20V; 1,5Ohm; 4,5A; 74W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF830; IRF830; IRF830-BE3; IRF840A; IRF840A-BE3; IRF840BPB-BE3; IRF830 TIRF830
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+35.61 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830-ML
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 1,2Ohm; 5A; 83W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF830; IRF830-BE3; IRF830-ML MOSLEADER TIRF830 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8301MTRPBF INFN-S-A0012826800-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF8301MTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8301MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 192 A, 1500 µohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Bauform - Transistor: DirectFET MT
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8301MTRPBF INFN-S-A0012826800-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF8301MTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8301MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 192 A, 1500 µohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Bauform - Transistor: DirectFET MT
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8304MTRPBF IRSDS19129-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF8304MTRPBF
Виробник: International Rectifier
Description: IRF8304 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
60+338.66 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8304MTRPBF IRSDS19129-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF8304MTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IRF8304 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
на замовлення 2561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
242+83.99 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8304MTRPBF infineonirf8304mdatasheetv0101en.pdf
IRF8304MTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 28A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 3795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
304+116.41 грн
500+104.76 грн
1000+96.61 грн
Мінімальне замовлення: 304 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8304MTRPBF IRSDS19129-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irf8304mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d20db1d5d
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH 30V 28A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 1871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
304+116.41 грн
500+104.76 грн
1000+96.61 грн
Мінімальне замовлення: 304 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8306MTRPBF 595irf8306mpbf.pdf
IRF8306MTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 23A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
202+175.22 грн
500+157.58 грн
1000+145.82 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8306MTRPBF irf8306mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d29371d5f
IRF8306MTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4110 pF @ 15 V
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
161+125.98 грн
Мінімальне замовлення: 161 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8308MTRPBF IRSDS19130-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irf8308mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d319d1d61
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH 30V 27A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 6861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
224+157.58 грн
500+142.30 грн
1000+130.54 грн
Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8308MTRPBF IRSDS19130-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irf8308mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d319d1d61
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH 30V 27A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 3517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
224+157.58 грн
500+142.30 грн
1000+130.54 грн
Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8308MTRPBF IRSDS19130-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF8308MTRPBF
Виробник: International Rectifier
Description: TRENCH MOSFET - DIRECTFET MV
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4404 pF @ 15 V
на замовлення 10378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
179+113.79 грн
Мінімальне замовлення: 179 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ALPBF sihf830a.pdf
IRF830ALPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 927 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+218.79 грн
5+161.68 грн
10+141.37 грн
50+104.97 грн
100+94.81 грн
250+83.80 грн
500+78.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ALPBF sihf830a.pdf
IRF830ALPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 500V 5.0 Amp
на замовлення 1223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ALPBF sihf830a.pdf
IRF830ALPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-262
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
77+183.73 грн
104+136.14 грн
112+126.18 грн
250+108.86 грн
500+94.87 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830APBF irf830a.pdf
IRF830APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 720 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+156.80 грн
10+99.80 грн
50+82.96 грн
100+75.93 грн
250+66.71 грн
500+59.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830APBF 91061.pdf
IRF830APBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 1671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+266.62 грн
10+168.37 грн
50+130.08 грн
100+110.51 грн
500+90.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830APBF 91061.pdf
IRF830APBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF830APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.4 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
на замовлення 3156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830APBF 91061.pdf
IRF830APBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830APBF 91061.pdf
IRF830APBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
73+193.44 грн
91+155.48 грн
114+124.47 грн
250+113.31 грн
500+92.06 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830APBF 91061.pdf
IRF830APBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF8
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830APBF 91061.pdf
IRF830APBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+183.83 грн
10+127.40 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830APBF-BE3 91061.pdf
IRF830APBF-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 500V 5A N-CH MOSFET
на замовлення 1098 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830APBF-BE3 91061.pdf
IRF830APBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+209.66 грн
10+130.96 грн
50+100.23 грн
100+84.76 грн
500+68.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830APBF-BE3 91061.pdf
IRF830APBF-BE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF830APBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.4 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IRF830A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ASPBF sihf830a.pdf
IRF830ASPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+225.48 грн
10+140.87 грн
50+108.11 грн
100+91.55 грн
500+74.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ASPBF sihf830a.pdf
IRF830ASPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 500V 5A N-CH MOSFET
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ASPBF VISH-S-A0013329316-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF830ASPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF830ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.4 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 3.1W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ASTRLPBF sihf830a.pdf
IRF830ASTRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+77.77 грн
2400+66.90 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ASTRLPBF sihf830a.pdf
IRF830ASTRLPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ASTRLPBF sihf830a.pdf
IRF830ASTRLPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+102.05 грн
10+100.37 грн
25+98.70 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ASTRLPBF sihf830a.pdf
IRF830ASTRLPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 500V 5A N-CH MOSFET
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ASTRLPBF sihf830a.pdf
IRF830ASTRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 8246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+225.48 грн
10+140.87 грн
50+108.11 грн
100+91.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830B FAIRS18184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: FAIRCHILD
IRF830B
на замовлення 1294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
437+80.78 грн
500+72.71 грн
1000+67.04 грн
Мінімальне замовлення: 437 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830B FAIRS18184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF830B
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 9803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
349+58.25 грн
Мінімальне замовлення: 349 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830B FAIRS18184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: FAIRCHILD
IRF830B
на замовлення 4519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
437+80.78 грн
500+72.71 грн
1000+67.04 грн
Мінімальне замовлення: 437 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830B FAIRS18184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: FAIRCHILD
IRF830B
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
437+80.78 грн
500+72.71 грн
1000+67.04 грн
Мінімальне замовлення: 437 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830B FAIRS18184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: FAIRCHILD
IRF830B
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
437+80.78 грн
500+72.71 грн
1000+67.04 грн
Мінімальне замовлення: 437 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830BPBF doc91520.pdf
IRF830BPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
622+22.69 грн
Мінімальне замовлення: 622 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830BPBF 2633004.pdf
IRF830BPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF830BPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5.3 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 104W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830BPBF doc91520.pdf
IRF830BPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
34+22.69 грн
76+10.02 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830BPBF-BE3 irf830b.pdf
IRF830BPBF-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 500V 5.3A N-CH MOSFET
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF irf830.pdf
IRF830PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 18A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1754 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+123.98 грн
10+62.98 грн
30+48.42 грн
50+43.93 грн
100+39.45 грн
150+37.59 грн
250+35.72 грн
500+33.86 грн
1000+33.01 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF 91063.pdf
IRF830PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 16430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+177.81 грн
10+97.82 грн
25+96.86 грн
50+92.44 грн
100+73.23 грн
500+58.17 грн
1000+46.79 грн
2500+46.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF 91063.pdf
IRF830PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
128+110.33 грн
131+108.41 грн
156+90.51 грн
500+83.85 грн
1000+71.48 грн
Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF VISH-S-A0019267810-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF830PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF830PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 4421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF 91063.pdf
IRF830PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 16416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
144+98.13 грн
146+97.16 грн
147+96.17 грн
172+79.34 грн
500+60.78 грн
1000+46.93 грн
2500+46.46 грн
Мінімальне замовлення: 144 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF 91063.pdf
IRF830PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+163.86 грн
10+96.86 грн
25+95.91 грн
50+91.55 грн
100+73.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF 91063.pdf
IRF830PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
87+163.86 грн
146+96.86 грн
148+95.91 грн
149+91.55 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF irl620.pdf
IRF830PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 500V 4.5A N-CH MOSFET
на замовлення 11303 шт:
термін постачання 141-150 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF-BE3 91063.pdf
IRF830PBF-BE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF-BE3 91063.pdf
IRF830PBF-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 500V 4.5A N-CH MOSFET
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF-BE3 91063.pdf
IRF830PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+181.18 грн
10+112.15 грн
50+85.34 грн
100+71.97 грн
500+57.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF-BE3 91063.pdf
IRF830PBF-BE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
700+51.44 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBF sihf830s.pdf
TO-263 Транзистори
на замовлення 5 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+156.00 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBF VISH-S-A0010924806-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF830SPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF830SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]