Результат пошуку "IRF9530" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF9530NPBF IRF9530NPBF
Код товару: 32844
2 Додати до обраних Обраний товар
IR irf9530n.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Id, А: 12 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,3 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 500/25
Монтаж: THT
у наявності: 365 шт
  • 335 шт - склад
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 15 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 14 шт
  • 14 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+22.00 грн
10+19.80 грн
100+17.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530SPBF IRF9530SPBF
Код товару: 35683
Додати до обраних Обраний товар
Siliconix irf9530spbf.pdf description Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Id, А: 12 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,3 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 860/38
Монтаж: SMD
на замовлення: 6 шт
  • 6 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+49.50 грн
10+43.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530SPBF IRF9530SPBF
Код товару: 192850
Додати до обраних Обраний товар
VBsemi IRF9530SPBF.pdf description Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Id, А: 12 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,24 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 2765/67
Монтаж: SMD
у наявності: 77 шт
  • 64 шт - склад
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+40.00 грн
10+36.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530 IRF9530 Harris Corporation HRISSD80-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 2793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
151+134.79 грн
Мінімальне замовлення: 151 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530 HARRIS HRISSD80-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF9530.pdf description IRF9530
на замовлення 1165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+186.98 грн
500+168.17 грн
1000+155.23 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530 HARRIS HRISSD80-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF9530.pdf description IRF9530
на замовлення 1583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+186.98 грн
500+168.17 грн
1000+155.23 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530 IRF9530 Siliconix info-tirf9530.pdf description P-MOSFET 12A 100V 88W 0.3Ω IRF9530 IRF9530 TIRF9530
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 229 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+60.00 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530N IRF9530N International Rectifier info-tirf9530n.pdf description P-MOSFET 14A 100V 79W 0.2Ω IRF9530N TIRF9530n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 440 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+26.92 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530N-ML MOSLEADER Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 13A; 40W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF9530; IRF9530-BE3; IRF9530N; SP001570634; IRF9530N-ML MOSLEADER TIRF9530n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.26 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF IRF9530NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9530n.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3371 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+83.87 грн
10+59.43 грн
25+52.06 грн
50+47.07 грн
100+41.99 грн
250+35.72 грн
500+31.41 грн
1000+30.47 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 44794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+142.36 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF IRF9530NPBF INFINEON INFN-S-A0012826407-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9530NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 16045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+42.43 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.75 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+120.75 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies IRF9530NPBF.PDF Description: MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 11868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.32 грн
10+92.57 грн
50+69.94 грн
100+58.79 грн
500+46.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 28275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+42.43 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies infineon_irf9530n_datasheet_en.pdf MOSFETs MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC
на замовлення 44364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 44780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+142.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSPBF International Rectifier/Infineon irf9530nspbf.pdf description P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 14 A, Ptot, Вт = 3,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 760 @ 25, Qg, нКл = 58 @ 10 В, Rds = 200 мОм @ 8,4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 69 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
50+49.90 грн
100+42.77 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRL IRF9530NSTRL Infineon info-tirf9530ns.pdf P-MOSFET 100V 14A IRF9530NS, IRF9530NSTRL, IRF9530NSTRR IRF9530NS TIRF9530ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 353 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+40.28 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9530nspbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 166 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+144.95 грн
10+92.02 грн
50+66.11 грн
100+57.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Infineon Technologies irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3 Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.95 грн
10+90.81 грн
50+68.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Infineon Technologies infineonirf9530ns.pdfdsv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+47.98 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Infineon Technologies infineon_irf9530ns_datasheet_en.pdf MOSFETs MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Infineon Technologies infineonirf9530ns.pdfdsv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 83200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+55.60 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Infineon Technologies infineonirf9530ns.pdfdsv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 83200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+55.83 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Infineon Technologies infineonirf9530ns.pdfdsv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+47.98 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Infineon Technologies infineonirf9530ns.pdfdsv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
88+160.93 грн
152+92.98 грн
183+77.16 грн
500+62.04 грн
800+46.34 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0002297163-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0002297163-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Infineon Technologies infineonirf9530ns.pdfdsv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+166.28 грн
10+96.07 грн
100+79.71 грн
500+64.10 грн
800+47.88 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRRPBF IRF9530NSTRRPBF Infineon Technologies irf9530ns.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
246+143.47 грн
500+129.36 грн
1000+118.78 грн
10000+102.38 грн
Мінімальне замовлення: 246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530PBF Vishay Siliconix IRF9530_Vishay.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 12 А, Ptot, Вт = 88, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 860 @ 25, Qg, нКл = 38 @ 10 В, Rds = 300 мОм @ 7,2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
50+147.64 грн
100+126.55 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530PBF IRF9530PBF Vishay Semiconductors 91076.pdf MOSFETs TO220 100V 12A P-CH MOSFET
на замовлення 4691 шт:
термін постачання 141-150 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530PBF-BE3 IRF9530PBF-BE3 VISHAY irf9530.pdf Description: VISHAY - IRF9530PBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 88W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530PBF-BE3 IRF9530PBF-BE3 Vishay / Siliconix 91076.pdf MOSFETs TO220 100V 12A P-CH MOSFET
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530PBF-BE3 IRF9530PBF-BE3 Vishay Siliconix 91076.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530S IRF9530S Siliconix info-tirf9530s.pdf P-MOSFET 12A 100V 75W 0.2Ω IFR9530S smd TIRF9530s
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+42.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NLPBF IR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF 50K
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF/IR IR 08+;
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NS IR Infineon-irf9530ns.pdf-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3 TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530 IRF9530
Код товару: 78154
Додати до обраних Обраний товар
Vishay irf9530-datasheet.pdf description Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Id, А: 48 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,3 Ом
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+29.50 грн
10+23.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530N IRF9530N
Код товару: 7932
Додати до обраних Обраний товар
description Транзистори > Польові P-канальні
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Id, А: 12 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,2 Ом
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NS
Код товару: 58984
Додати до обраних Обраний товар
Infineon-irf9530ns.pdf-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3 Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSPBF
Код товару: 154938
Додати до обраних Обраний товар
irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3 description Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530PBF
Код товару: 215123
Додати до обраних Обраний товар
91076.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530 IRF9530 Vishay Siliconix IRF9530.pdf description Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530 IRF9530 Vishay / Siliconix HRISSD80-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF9530.pdf description MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NL IRF9530NL Infineon Technologies Infineon-irf9530ns.pdf-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3 Description: MOSFET P-CH 100V 14A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NS IRF9530NS Infineon Technologies Infineon-irf9530ns.pdf-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3 Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSPBF IRF9530NSPBF Infineon Technologies irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3 description Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Infineon Technologies irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3 Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRR IRF9530NSTRR Infineon Technologies Infineon-irf9530ns.pdf-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3 Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRRPBF IRF9530NSTRRPBF Infineon Technologies irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3 Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530PBF IRF9530PBF VISHAY irf9530.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530PBF IRF9530PBF Vishay doc91076.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530PBF IRF9530PBF Vishay Siliconix 91076.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF
Код товару: 32844
2 Додати до обраних Обраний товар
irf9530n.pdf
IRF9530NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Id, А: 12 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,3 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 500/25
Монтаж: THT
у наявності: 365 шт
  • 335 шт - склад
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 15 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 14 шт
  • 14 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+22.00 грн
10+19.80 грн
100+17.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530SPBF
Код товару: 35683
Додати до обраних Обраний товар
description irf9530spbf.pdf
IRF9530SPBF
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Id, А: 12 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,3 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 860/38
Монтаж: SMD
на замовлення: 6 шт
  • 6 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+49.50 грн
10+43.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530SPBF
Код товару: 192850
Додати до обраних Обраний товар
description IRF9530SPBF.pdf
IRF9530SPBF
Виробник: VBsemi
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Id, А: 12 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,24 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 2765/67
Монтаж: SMD
у наявності: 77 шт
  • 64 шт - склад
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+40.00 грн
10+36.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530 description HRISSD80-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF9530
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 2793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
151+134.79 грн
Мінімальне замовлення: 151 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530 description HRISSD80-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF9530.pdf
Виробник: HARRIS
IRF9530
на замовлення 1165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
189+186.98 грн
500+168.17 грн
1000+155.23 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530 description HRISSD80-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF9530.pdf
Виробник: HARRIS
IRF9530
на замовлення 1583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
189+186.98 грн
500+168.17 грн
1000+155.23 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530 description info-tirf9530.pdf
IRF9530
Виробник: Siliconix
P-MOSFET 12A 100V 88W 0.3Ω IRF9530 IRF9530 TIRF9530
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 229 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+60.00 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530N description info-tirf9530n.pdf
IRF9530N
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 14A 100V 79W 0.2Ω IRF9530N TIRF9530n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 440 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+26.92 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530N-ML
Виробник: MOSLEADER
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 13A; 40W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF9530; IRF9530-BE3; IRF9530N; SP001570634; IRF9530N-ML MOSLEADER TIRF9530n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+22.26 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF irf9530n.pdf
IRF9530NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3371 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+83.87 грн
10+59.43 грн
25+52.06 грн
50+47.07 грн
100+41.99 грн
250+35.72 грн
500+31.41 грн
1000+30.47 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf
IRF9530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 44794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+142.36 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF INFN-S-A0012826407-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9530NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9530NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 16045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf
IRF9530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+42.43 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf
IRF9530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+120.75 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf
IRF9530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
117+120.75 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF IRF9530NPBF.PDF
IRF9530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 11868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+150.32 грн
10+92.57 грн
50+69.94 грн
100+58.79 грн
500+46.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf
IRF9530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 28275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+42.43 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF infineon_irf9530n_datasheet_en.pdf
IRF9530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC
на замовлення 44364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf
IRF9530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 44780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+142.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSPBF description irf9530nspbf.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 14 A, Ptot, Вт = 3,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 760 @ 25, Qg, нКл = 58 @ 10 В, Rds = 200 мОм @ 8,4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 69 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+49.90 грн
100+42.77 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRL info-tirf9530ns.pdf
IRF9530NSTRL
Виробник: Infineon
P-MOSFET 100V 14A IRF9530NS, IRF9530NSTRL, IRF9530NSTRR IRF9530NS TIRF9530ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 353 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+40.28 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF irf9530nspbf.pdf
IRF9530NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 166 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+144.95 грн
10+92.02 грн
50+66.11 грн
100+57.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3
IRF9530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+147.95 грн
10+90.81 грн
50+68.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF infineonirf9530ns.pdfdsv0101en.pdf
IRF9530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+47.98 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF infineon_irf9530ns_datasheet_en.pdf
IRF9530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF infineonirf9530ns.pdfdsv0101en.pdf
IRF9530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 83200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+55.60 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF infineonirf9530ns.pdfdsv0101en.pdf
IRF9530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 83200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+55.83 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF infineonirf9530ns.pdfdsv0101en.pdf
IRF9530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+47.98 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF infineonirf9530ns.pdfdsv0101en.pdf
IRF9530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
88+160.93 грн
152+92.98 грн
183+77.16 грн
500+62.04 грн
800+46.34 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF INFN-S-A0002297163-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9530NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF INFN-S-A0002297163-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9530NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF infineonirf9530ns.pdfdsv0101en.pdf
IRF9530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+166.28 грн
10+96.07 грн
100+79.71 грн
500+64.10 грн
800+47.88 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRRPBF irf9530ns.pdf
IRF9530NSTRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
246+143.47 грн
500+129.36 грн
1000+118.78 грн
10000+102.38 грн
Мінімальне замовлення: 246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530PBF IRF9530_Vishay.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 12 А, Ptot, Вт = 88, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 860 @ 25, Qg, нКл = 38 @ 10 В, Rds = 300 мОм @ 7,2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+147.64 грн
100+126.55 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530PBF 91076.pdf
IRF9530PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 100V 12A P-CH MOSFET
на замовлення 4691 шт:
термін постачання 141-150 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530PBF-BE3 irf9530.pdf
IRF9530PBF-BE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF9530PBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 88W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530PBF-BE3 91076.pdf
IRF9530PBF-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 100V 12A P-CH MOSFET
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530PBF-BE3 91076.pdf
IRF9530PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+184.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530S info-tirf9530s.pdf
IRF9530S
Виробник: Siliconix
P-MOSFET 12A 100V 75W 0.2Ω IFR9530S smd TIRF9530s
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+42.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NLPBF
Виробник: IR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF 50K
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF/IR
Виробник: IR
08+;
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NS Infineon-irf9530ns.pdf-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3
Виробник: IR
TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530
Код товару: 78154
Додати до обраних Обраний товар
description irf9530-datasheet.pdf
IRF9530
Виробник: Vishay
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Id, А: 48 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,3 Ом
Монтаж: THT
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+29.50 грн
10+23.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530N
Код товару: 7932
Додати до обраних Обраний товар
description
IRF9530N
Транзистори > Польові P-канальні
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Id, А: 12 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,2 Ом
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NS
Код товару: 58984
Додати до обраних Обраний товар
Infineon-irf9530ns.pdf-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSPBF
Код товару: 154938
Додати до обраних Обраний товар
description irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530PBF
Код товару: 215123
Додати до обраних Обраний товар
91076.pdf
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530 description IRF9530.pdf
IRF9530
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530 description HRISSD80-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF9530.pdf
IRF9530
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NL Infineon-irf9530ns.pdf-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3
IRF9530NL
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 14A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf
IRF9530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NS Infineon-irf9530ns.pdf-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3
IRF9530NS
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSPBF description irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3
IRF9530NSPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3
IRF9530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRR Infineon-irf9530ns.pdf-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3
IRF9530NSTRR
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRRPBF irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3
IRF9530NSTRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530PBF irf9530.pdf
IRF9530PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530PBF doc91076.pdf
IRF9530PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530PBF 91076.pdf
IRF9530PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]