Результат пошуку "N80C3" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SPA17N80C3 Код товару: 29151 |
Infineon |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 800 V Idd,A: 17 A Rds(on), Ohm: 0,29 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 2320/91 Монтаж: THT |
у наявності: 39 шт
|
|
|||||||||||||||
SPB17N80C3 Код товару: 37324 |
Infineon |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 800 V Idd,A: 11 А Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 2300/88 Монтаж: SMD |
у наявності: 6 шт
|
|
|||||||||||||||
SPP11N80C3 Код товару: 111118 |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 800 V Idd,A: 11 A Rds(on), Ohm: 0,45 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1600/8 Монтаж: THT |
у наявності: 34 шт
|
|
||||||||||||||||
N80C31BH | INTEL | 8-разрядный микроконтроллер без ППЗУ PLCC44 |
на замовлення 13 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
N80C31BH-16 | Rochester Electronics, LLC |
Description: IC MCU Packaging: Bulk Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 1700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
N80C31-1 | PLCC44 |
на замовлення 93 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
N80C318H-1 | INTEL | 04+ |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
N80C31AH |
на замовлення 495 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
N80C31BH-1 | INTEL | PLCC44 |
на замовлення 550 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
N80C31BH-24 |
на замовлення 1850 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
N80C31BH1 | NIT |
на замовлення 236 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
N80C31BH1 | INTEL |
на замовлення 3211 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
N80C31BH1 | INTEL | 03+ |
на замовлення 86 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
N80C31BH1 | INTEL | PLCC44 |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
N80C31BH24 | INTEL |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
N80C31BHI |
на замовлення 472 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
N80C32 | Intel |
на замовлення 37 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
N80C32 | INTEL | 96+ |
на замовлення 1199 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
N80C32 | INTEL | PLCC |
на замовлення 72 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
N80C32 | INT | 01+ PLCC44 |
на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
N80C32-1 | Intel |
на замовлення 2540 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
N80C32-20 | IL | PLCC44 |
на замовлення 129 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
N80C32-20 | Intel |
на замовлення 64 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
N80C32-24 | Intel |
на замовлення 57 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
N80C321 | INTEL | PLCC |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
N80C321 | INTEL |
на замовлення 2540 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
N80C321 | INTEL | 03+ PLCC44 |
на замовлення 1330 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
N80C321 | INTEL | DC86+ PLCC; |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
N80C3220 | INTEL | PLCC-44 |
на замовлення 90 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
N80C3224 | INTEL | PLCC |
на замовлення 209 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
N80C3224 | INTEL |
на замовлення 2510 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
N80C3224 | INTEL | 00+ PLCC-44 |
на замовлення 90 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
N80C32BH | INTEL |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
N80C32IBAA |
на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
N80C32T2-1 |
на замовлення 7000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
N80C32T2-20 | PLCC44 |
на замовлення 118 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
N80C32T21 | ADM |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
N80C32T21 | AMD | 04+ PLCC-44 |
на замовлення 90 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
N80C32T220 | N/A | 02+ PLCC |
на замовлення 90 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
N80C32ZO | N/A |
на замовлення 658 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
N80C3424546 | PLCC |
на замовлення 14 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
N80C361 |
на замовлення 236 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
EN80C31BH-1 | Rochester Electronics, LLC |
Description: IC MCU 8BIT ROMLESS 44PLCC Packaging: Bulk Package / Case: 44-LCC (J-Lead) Mounting Type: Surface Mount Speed: 16MHz RAM Size: 128 x 8 Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Oscillator Type: External, Internal Program Memory Type: ROMless Core Processor: 80C31 Core Size: 8-Bit Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4V ~ 6V Connectivity: Serial Port Supplier Device Package: 44-PLCC Number of I/O: 32 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPA06N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 39W; PG-TO220-3-FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 6A Power dissipation: 39W Case: PG-TO220-3-FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPA06N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 39W; PG-TO220-3-FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 6A Power dissipation: 39W Case: PG-TO220-3-FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPA06N80C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3 |
на замовлення 3383 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPA06N80C3XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V |
на замовлення 13205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPA06N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3 |
на замовлення 443 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPA08N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 40W; PG-TO220-3-FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 8A Power dissipation: 40W Case: PG-TO220-3-FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.65Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 91 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPA08N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 40W; PG-TO220-3-FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 8A Power dissipation: 40W Case: PG-TO220-3-FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.65Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 91 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPA08N80C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 800V 8A TO220FP-3 CoolMOS C3 |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPA08N80C3XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5.1A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 470µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V |
на замовлення 2560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPA08N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 800V 8A TO220FP-3 CoolMOS C3 |
на замовлення 500 шт: термін постачання 126-135 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPA11N80C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3 |
на замовлення 1275 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPA11N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3 |
на замовлення 253 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPA11N80C3XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V |
на замовлення 1981 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPA11N80C3XKSA1 | Infineon |
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP SPA11N80C3XKSA1 SPA11N80C3XKSA2 SPA11N80C3 TSPA11n80c3 кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 16 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPA11N80C3XKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_LEGACY |
на замовлення 385 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPA11N80C3XKSA2 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V |
на замовлення 199 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPA17N80C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 800V 17A TO220FP-3 CoolMOS C3 |
на замовлення 3910 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
SPA17N80C3 Код товару: 29151 |
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 800 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,29 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2320/91
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 800 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,29 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2320/91
Монтаж: THT
у наявності: 39 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 132 грн |
SPB17N80C3 Код товару: 37324 |
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 800 V
Idd,A: 11 А
Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2300/88
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 800 V
Idd,A: 11 А
Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2300/88
Монтаж: SMD
у наявності: 6 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 122 грн |
SPP11N80C3 Код товару: 111118 |
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 800 V
Idd,A: 11 A
Rds(on), Ohm: 0,45 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1600/8
Монтаж: THT
Корпус: TO-220
Uds,V: 800 V
Idd,A: 11 A
Rds(on), Ohm: 0,45 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1600/8
Монтаж: THT
у наявності: 34 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 165 грн |
10+ | 149 грн |
N80C31BH |
Виробник: INTEL
8-разрядный микроконтроллер без ППЗУ PLCC44
8-разрядный микроконтроллер без ППЗУ PLCC44
на замовлення 13 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 104.58 грн |
N80C31BH-16 |
Виробник: Rochester Electronics, LLC
Description: IC MCU
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC MCU
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 2900.31 грн |
EN80C31BH-1 |
Виробник: Rochester Electronics, LLC
Description: IC MCU 8BIT ROMLESS 44PLCC
Packaging: Bulk
Package / Case: 44-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 16MHz
RAM Size: 128 x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: ROMless
Core Processor: 80C31
Core Size: 8-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4V ~ 6V
Connectivity: Serial Port
Supplier Device Package: 44-PLCC
Number of I/O: 32
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC MCU 8BIT ROMLESS 44PLCC
Packaging: Bulk
Package / Case: 44-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 16MHz
RAM Size: 128 x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: ROMless
Core Processor: 80C31
Core Size: 8-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4V ~ 6V
Connectivity: Serial Port
Supplier Device Package: 44-PLCC
Number of I/O: 32
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 5864.12 грн |
SPA06N80C3 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 39W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 39W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 39W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 39W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 130.2 грн |
4+ | 108.81 грн |
10+ | 81.78 грн |
28+ | 77.52 грн |
SPA06N80C3 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 39W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 39W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 39W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 39W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 156.24 грн |
3+ | 135.59 грн |
10+ | 98.14 грн |
28+ | 93.02 грн |
SPA06N80C3 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3
MOSFET N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3
на замовлення 3383 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 156.91 грн |
10+ | 129.54 грн |
100+ | 88.75 грн |
250+ | 85.34 грн |
500+ | 72.37 грн |
1000+ | 64.11 грн |
2500+ | 61.03 грн |
SPA06N80C3XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V
на замовлення 13205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 101.91 грн |
50+ | 79.08 грн |
100+ | 65.08 грн |
500+ | 55.14 грн |
SPA06N80C3XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3
MOSFET N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 111.51 грн |
10+ | 88.72 грн |
100+ | 63.01 грн |
500+ | 59.12 грн |
SPA08N80C3 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 40W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 40W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 40W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 40W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 220.57 грн |
3+ | 186.32 грн |
6+ | 139.39 грн |
17+ | 132.28 грн |
SPA08N80C3 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 40W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 40W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 40W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 40W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 91 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 264.68 грн |
3+ | 232.19 грн |
6+ | 167.26 грн |
17+ | 158.73 грн |
SPA08N80C3 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 8A TO220FP-3 CoolMOS C3
MOSFET N-Ch 800V 8A TO220FP-3 CoolMOS C3
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 203.9 грн |
10+ | 167.23 грн |
100+ | 115.38 грн |
250+ | 106.5 грн |
500+ | 96.26 грн |
1000+ | 84.66 грн |
SPA08N80C3XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 470µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 470µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
на замовлення 2560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 188.32 грн |
50+ | 145.7 грн |
100+ | 119.88 грн |
500+ | 95.19 грн |
1000+ | 80.77 грн |
2000+ | 76.73 грн |
SPA08N80C3XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 8A TO220FP-3 CoolMOS C3
MOSFET N-Ch 800V 8A TO220FP-3 CoolMOS C3
на замовлення 500 шт:
термін постачання 126-135 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 204.7 грн |
10+ | 161.73 грн |
100+ | 116.06 грн |
500+ | 97.63 грн |
1000+ | 79.19 грн |
SPA11N80C3 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
MOSFET N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 211.87 грн |
10+ | 175.87 грн |
25+ | 144.05 грн |
100+ | 122.89 грн |
250+ | 118.11 грн |
500+ | 108.55 грн |
1000+ | 94.21 грн |
SPA11N80C3XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
MOSFET N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 212.66 грн |
10+ | 189.21 грн |
25+ | 133.81 грн |
100+ | 114.01 грн |
500+ | 107.19 грн |
1000+ | 88.75 грн |
SPA11N80C3XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
на замовлення 1981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 195.7 грн |
50+ | 149.36 грн |
100+ | 128.02 грн |
500+ | 106.8 грн |
1000+ | 91.44 грн |
SPA11N80C3XKSA1 |
Виробник: Infineon
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP SPA11N80C3XKSA1 SPA11N80C3XKSA2 SPA11N80C3 TSPA11n80c3
кількість в упаковці: 2 шт
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP SPA11N80C3XKSA1 SPA11N80C3XKSA2 SPA11N80C3 TSPA11n80c3
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 196.71 грн |
SPA11N80C3XKSA2 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET LOW POWER_LEGACY
MOSFET LOW POWER_LEGACY
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 212.66 грн |
10+ | 176.65 грн |
25+ | 144.73 грн |
100+ | 123.57 грн |
250+ | 117.43 грн |
500+ | 109.92 грн |
1000+ | 88.75 грн |
SPA11N80C3XKSA2 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 195.7 грн |
50+ | 149.36 грн |
100+ | 128.02 грн |
SPA17N80C3 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 17A TO220FP-3 CoolMOS C3
MOSFET N-Ch 800V 17A TO220FP-3 CoolMOS C3
на замовлення 3910 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 333.73 грн |
10+ | 276.36 грн |
25+ | 225.98 грн |
100+ | 193.89 грн |
250+ | 182.97 грн |
500+ | 172.04 грн |
1000+ | 147.47 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]