Результат пошуку "irf64" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRF640 IRF640
Код товару: 7926 		Philips IRF640.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/70
Монтаж: THT
у наявності: 297 шт
1+27 грн
10+ 23.1 грн
IRF640 IRF640
Код товару: 192240 		en.CD00000702.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 11 A
Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1600/57
Монтаж: THT
у наявності: 52 шт
1+27 грн
10+ 25.6 грн
IRF640NPBF IRF640NPBF
Код товару: 42934 		IR irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Монтаж: THT
у наявності: 563 шт
1+28 грн
10+ 25.2 грн
100+ 22.5 грн
IRF640NSPBF IRF640NSPBF
Код товару: 116935 		IR irf640npbf-935925-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Монтаж: SMD
у наявності: 23 шт
1+53 грн
10+ 49 грн
IRF644PBF IRF644PBF
Код товару: 181182 		IR IRF644.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 250 V
Idd,A: 14 A
Rds(on), Ohm: 0,24 Ohm
Монтаж: THT
у наявності: 15 шт
1+42 грн
IRF640 IR en.CD00000702.pdf description Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=18A; Pdmax=125W; Rds=0,18 Ohm
на замовлення 15 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
7+40.8 грн
10+ 33.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF640 en.CD00000702.pdf description транзистор 18A, 200V, 0.180 Ohm, N-Channel Power MOSFETs TO-220
на замовлення 66 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3+116.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF640 SLKOR en.CD00000702.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640N; SP001570078; IRF640 SLKOR TIRF640n SLK
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+22.26 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRF640; 18A; 200V; 0,18R; 125W; N-канальный; корпус: ТО220; STM
на замовлення 983 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
30+22.79 грн
Мінімальне замовлення: 30
IRF640ACP001 ONSEMI nd_datasheet Description: ONSEMI - IRF640ACP001 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
417+61.5 грн
Мінімальне замовлення: 417
IRF640ACP001 Fairchild Semiconductor Description: MOSFET N-CH 200V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
346+59.32 грн
Мінімальне замовлення: 346
IRF640N Infineon description N-MOSFET 18A 200V 150W 0.15Ω IRF640N TIRF640n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 990 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+33.14 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF640N HXY MOSFET description Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 145mOhm; 18A; 125W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF640; IRF640N; SP001570078; IRF640N HXY MOSFET TIRF640n HXY
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+21.91 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRF640N JSMicro Semiconductor description Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640N; SP001570078; IRF640N JSMICRO TIRF640n JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+27.7 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF640NL International Rectifier IRF640.pdf N-MOSFET 200V 18A 150mΩ 150W IRF640NL IR TIRF640nl
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+33.14 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRF640NLPBF IRF640NLPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee description Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.12 грн
50+ 93.63 грн
100+ 77.04 грн
500+ 61.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF640NLPBF IRF640NLPBF INFINEON INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF640NLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.98 грн
10+ 104.92 грн
100+ 84.24 грн
500+ 65.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF640NPBF IRF640NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf640n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+62.03 грн
10+ 48.71 грн
24+ 34.63 грн
65+ 32.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF640NPBF IR irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=18A; Pdmax=125W; Rds=0,18 Ohm (аналог IRF640 только без свинца)
на замовлення 386 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
5+62.68 грн
10+ 52.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF640NPBF IRF640NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf640n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 572 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+74.44 грн
10+ 60.71 грн
24+ 41.56 грн
65+ 39.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 14045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
230+52.25 грн
288+ 41.59 грн
500+ 35.35 грн
1000+ 33.72 грн
2000+ 29.68 грн
5000+ 28.32 грн
10000+ 27.63 грн
Мінімальне замовлення: 230
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 35475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
267+44.89 грн
319+ 37.53 грн
500+ 32.89 грн
1000+ 31.37 грн
2000+ 27.83 грн
5000+ 26.53 грн
10000+ 25.96 грн
25000+ 24.23 грн
Мінімальне замовлення: 267
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 35480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+47.18 грн
15+ 41.36 грн
100+ 34.64 грн
500+ 29.32 грн
1000+ 25.02 грн
25000+ 20.07 грн
Мінімальне замовлення: 13
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 14045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+57.13 грн
13+ 48.1 грн
100+ 38.39 грн
500+ 31.52 грн
1000+ 26.46 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies Infineon_IRF640N_DataSheet_v01_01_EN-3363196.pdf MOSFET MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
на замовлення 34917 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.49 грн
10+ 48.44 грн
100+ 33.38 грн
500+ 29.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+38.5 грн
17+ 35.34 грн
100+ 31.24 грн
Мінімальне замовлення: 16
IRF640NPBF IRF640NPBF INFINEON INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF640NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 58275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+81.95 грн
12+ 65.56 грн
100+ 48.02 грн
500+ 38.54 грн
1000+ 35.38 грн
5000+ 35.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 53163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.87 грн
50+ 43.52 грн
100+ 34.49 грн
500+ 27.44 грн
1000+ 27.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 14089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
316+37.89 грн
352+ 34.01 грн
365+ 32.81 грн
500+ 30.19 грн
1000+ 26.71 грн
2000+ 24.62 грн
4000+ 23.34 грн
Мінімальне замовлення: 316
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 35480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.97 грн
Мінімальне замовлення: 14
IRF640NS International Rectifier description Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; IRF640NS smd TIRF640ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+59.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF640NSPBF International Rectifier/Infineon irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee N-канальний ПТ; Udss, В = 200; Id = 18 А; Ptot, Вт = 150; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1160 @ 25; Qg, нКл = 67 @ 10 В; Rds = 150 мОм @ 11 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK
на замовлення 262 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
25+25.96 грн
26+ 24.23 грн
100+ 22.5 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf640npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
на замовлення 519 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.83 грн
16+ 53.34 грн
43+ 49.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf640npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 519 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+103.85 грн
5+ 89.51 грн
16+ 64 грн
43+ 59.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee Description: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 35368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.08 грн
10+ 85.48 грн
100+ 68.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+93.56 грн
130+ 92.62 грн
157+ 76.24 грн
250+ 70.93 грн
500+ 53.1 грн
Мінімальне замовлення: 128
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF640N_DataSheet_v01_01_EN-3363196.pdf MOSFET MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
на замовлення 6493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+116.29 грн
10+ 88.72 грн
100+ 66.02 грн
800+ 47.18 грн
2400+ 43.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+58.88 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee Description: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 34400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+59.76 грн
1600+ 48.83 грн
2400+ 46.39 грн
5600+ 41.9 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
196+61.33 грн
205+ 58.53 грн
230+ 52.25 грн
239+ 48.46 грн
500+ 44.69 грн
1600+ 39.32 грн
3200+ 38.12 грн
Мінімальне замовлення: 196
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF640NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+128.66 грн
10+ 95.73 грн
50+ 85.78 грн
100+ 70.12 грн
250+ 63.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+104.37 грн
10+ 84.46 грн
25+ 83.61 грн
100+ 68.26 грн
250+ 62.08 грн
500+ 47.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+54.67 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF640NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+70.12 грн
250+ 63.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF640NSTRRPBF IRF640NSTRRPBF Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+66.7 грн
10+ 61.62 грн
25+ 61.01 грн
50+ 58.24 грн
100+ 38.9 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRF640NSTRRPBF IRF640NSTRRPBF Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+66.36 грн
183+ 65.7 грн
184+ 65.05 грн
Мінімальне замовлення: 181
IRF640PBF IRF640PBF VISHAY IRF640PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+52.08 грн
10+ 41.03 грн
25+ 33.42 грн
68+ 31.29 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF640PBF VISHAY sihf640.pdf N-Channel, 200V, 18A, 125W, 0.18R, TO220
на замовлення 70 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
4+64.8 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF640PBF IRF640PBF VISHAY IRF640PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 360 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+62.49 грн
10+ 51.13 грн
25+ 40.11 грн
68+ 37.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF640PBF IRF640PBF Vishay Semiconductors sihf640.pdf MOSFET 200V N-CH MOSFET TO220IDF
на замовлення 7560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.86 грн
10+ 98.14 грн
100+ 81.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF640PBF IRF640PBF VISHAY VISH-S-A0001814992-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF640PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 18680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+145.51 грн
10+ 111.82 грн
100+ 95.73 грн
500+ 87.47 грн
1000+ 78.77 грн
5000+ 77.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF640PBF IRF640PBF Vishay sihf640.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+83.86 грн
1050+ 76.63 грн
2100+ 71.3 грн
3150+ 64.85 грн
Мінімальне замовлення: 143
IRF640PBF IRF640PBF Vishay sihf640.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+77.97 грн
158+ 76.02 грн
160+ 74.91 грн
213+ 54.26 грн
Мінімальне замовлення: 154
IRF640PBF IRF640PBF Vishay sihf640.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
151+79.61 грн
156+ 76.73 грн
160+ 74.97 грн
226+ 51.12 грн
Мінімальне замовлення: 151
IRF640PBF IRF640PBF Vishay sihf640.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.69 грн
Мінімальне замовлення: 13
IRF640PBF IRF640PBF Vishay Siliconix sihf640.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 2261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.98 грн
50+ 100.97 грн
100+ 83.08 грн
1000+ 55.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF640PBF IRF640PBF Vishay sihf640.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+83.86 грн
1150+ 76.63 грн
2300+ 71.3 грн
3450+ 64.85 грн
Мінімальне замовлення: 143
IRF640PBF IRF640PBF Vishay sihf640.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+73.61 грн
10+ 68.91 грн
25+ 67.94 грн
50+ 64 грн
100+ 46.65 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRF640PBF IRF640PBF Vishay sihf640.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+75.49 грн
10+ 69.09 грн
25+ 67.56 грн
50+ 63.01 грн
100+ 43.75 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF640
Код товару: 7926		 description IRF640.pdf
IRF640
Виробник: Philips
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/70
Монтаж: THT
у наявності: 297 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+27 грн
10+ 23.1 грн
IRF640
Код товару: 192240		 description en.CD00000702.pdf
IRF640
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 11 A
Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1600/57
Монтаж: THT
у наявності: 52 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+27 грн
10+ 25.6 грн
IRF640NPBF
Код товару: 42934		 irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
IRF640NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Монтаж: THT
у наявності: 563 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+28 грн
10+ 25.2 грн
100+ 22.5 грн
IRF640NSPBF
Код товару: 116935		 irf640npbf-935925-datasheet.pdf
IRF640NSPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Монтаж: SMD
у наявності: 23 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+53 грн
10+ 49 грн
IRF644PBF
Код товару: 181182		 IRF644.pdf
IRF644PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 250 V
Idd,A: 14 A
Rds(on), Ohm: 0,24 Ohm
Монтаж: THT
у наявності: 15 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+42 грн
IRF640 description en.CD00000702.pdf
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=18A; Pdmax=125W; Rds=0,18 Ohm
на замовлення 15 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+40.8 грн
10+ 33.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF640 description en.CD00000702.pdf
транзистор 18A, 200V, 0.180 Ohm, N-Channel Power MOSFETs TO-220
на замовлення 66 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+116.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF640 description en.CD00000702.pdf
Виробник: SLKOR
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640N; SP001570078; IRF640 SLKOR TIRF640n SLK
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+22.26 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRF640; 18A; 200V; 0,18R; 125W; N-канальный; корпус: ТО220; STM
на замовлення 983 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+22.79 грн
Мінімальне замовлення: 30
IRF640ACP001 nd_datasheet
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - IRF640ACP001 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
417+61.5 грн
Мінімальне замовлення: 417
IRF640ACP001
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
346+59.32 грн
Мінімальне замовлення: 346
IRF640N description
Виробник: Infineon
N-MOSFET 18A 200V 150W 0.15Ω IRF640N TIRF640n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 990 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+33.14 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF640N description
Виробник: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 145mOhm; 18A; 125W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF640; IRF640N; SP001570078; IRF640N HXY MOSFET TIRF640n HXY
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+21.91 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRF640N description
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640N; SP001570078; IRF640N JSMICRO TIRF640n JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+27.7 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF640NL IRF640.pdf
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 200V 18A 150mΩ 150W IRF640NL IR TIRF640nl
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+33.14 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRF640NLPBF description irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
IRF640NLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+121.12 грн
50+ 93.63 грн
100+ 77.04 грн
500+ 61.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF640NLPBF description INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF640NLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF640NLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+143.98 грн
10+ 104.92 грн
100+ 84.24 грн
500+ 65.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF640NPBF irf640n.pdf
IRF640NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+62.03 грн
10+ 48.71 грн
24+ 34.63 грн
65+ 32.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF640NPBF irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=18A; Pdmax=125W; Rds=0,18 Ohm (аналог IRF640 только без свинца)
на замовлення 386 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+62.68 грн
10+ 52.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF640NPBF irf640n.pdf
IRF640NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 572 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+74.44 грн
10+ 60.71 грн
24+ 41.56 грн
65+ 39.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF640NPBF infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF640NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 14045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
230+52.25 грн
288+ 41.59 грн
500+ 35.35 грн
1000+ 33.72 грн
2000+ 29.68 грн
5000+ 28.32 грн
10000+ 27.63 грн
Мінімальне замовлення: 230
IRF640NPBF infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF640NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 35475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
267+44.89 грн
319+ 37.53 грн
500+ 32.89 грн
1000+ 31.37 грн
2000+ 27.83 грн
5000+ 26.53 грн
10000+ 25.96 грн
25000+ 24.23 грн
Мінімальне замовлення: 267
IRF640NPBF infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF640NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF640NPBF infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF640NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 35480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+47.18 грн
15+ 41.36 грн
100+ 34.64 грн
500+ 29.32 грн
1000+ 25.02 грн
25000+ 20.07 грн
Мінімальне замовлення: 13
IRF640NPBF infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF640NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 14045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+57.13 грн
13+ 48.1 грн
100+ 38.39 грн
500+ 31.52 грн
1000+ 26.46 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRF640NPBF Infineon_IRF640N_DataSheet_v01_01_EN-3363196.pdf
IRF640NPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
на замовлення 34917 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+61.49 грн
10+ 48.44 грн
100+ 33.38 грн
500+ 29.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF640NPBF infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF640NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+38.5 грн
17+ 35.34 грн
100+ 31.24 грн
Мінімальне замовлення: 16
IRF640NPBF INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF640NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF640NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 58275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+81.95 грн
12+ 65.56 грн
100+ 48.02 грн
500+ 38.54 грн
1000+ 35.38 грн
5000+ 35.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF640NPBF irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
IRF640NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 53163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+56.87 грн
50+ 43.52 грн
100+ 34.49 грн
500+ 27.44 грн
1000+ 27.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF640NPBF infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF640NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 14089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
316+37.89 грн
352+ 34.01 грн
365+ 32.81 грн
500+ 30.19 грн
1000+ 26.71 грн
2000+ 24.62 грн
4000+ 23.34 грн
Мінімальне замовлення: 316
IRF640NPBF infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF640NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 35480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+23.97 грн
Мінімальне замовлення: 14
IRF640NS description
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; IRF640NS smd TIRF640ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+59.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF640NSPBF irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ; Udss, В = 200; Id = 18 А; Ptot, Вт = 150; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1160 @ 25; Qg, нКл = 67 @ 10 В; Rds = 150 мОм @ 11 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK
на замовлення 262 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+25.96 грн
26+ 24.23 грн
100+ 22.5 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRF640NSTRLPBF irf640npbf.pdf
IRF640NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
на замовлення 519 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+71.83 грн
16+ 53.34 грн
43+ 49.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF640NSTRLPBF irf640npbf.pdf
IRF640NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 519 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+103.85 грн
5+ 89.51 грн
16+ 64 грн
43+ 59.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF640NSTRLPBF irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
IRF640NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 35368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+107.08 грн
10+ 85.48 грн
100+ 68.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF640NSTRLPBF infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF640NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
128+93.56 грн
130+ 92.62 грн
157+ 76.24 грн
250+ 70.93 грн
500+ 53.1 грн
Мінімальне замовлення: 128
IRF640NSTRLPBF Infineon_IRF640N_DataSheet_v01_01_EN-3363196.pdf
IRF640NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
на замовлення 6493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+116.29 грн
10+ 88.72 грн
100+ 66.02 грн
800+ 47.18 грн
2400+ 43.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF640NSTRLPBF infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF640NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+58.88 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF640NSTRLPBF irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
IRF640NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 34400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+59.76 грн
1600+ 48.83 грн
2400+ 46.39 грн
5600+ 41.9 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF640NSTRLPBF infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF640NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
196+61.33 грн
205+ 58.53 грн
230+ 52.25 грн
239+ 48.46 грн
500+ 44.69 грн
1600+ 39.32 грн
3200+ 38.12 грн
Мінімальне замовлення: 196
IRF640NSTRLPBF INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF640NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF640NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+128.66 грн
10+ 95.73 грн
50+ 85.78 грн
100+ 70.12 грн
250+ 63.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF640NSTRLPBF infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF640NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+104.37 грн
10+ 84.46 грн
25+ 83.61 грн
100+ 68.26 грн
250+ 62.08 грн
500+ 47.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF640NSTRLPBF infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF640NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+54.67 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF640NSTRLPBF INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF640NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF640NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+70.12 грн
250+ 63.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF640NSTRRPBF infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF640NSTRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+66.7 грн
10+ 61.62 грн
25+ 61.01 грн
50+ 58.24 грн
100+ 38.9 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRF640NSTRRPBF infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF640NSTRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
181+66.36 грн
183+ 65.7 грн
184+ 65.05 грн
Мінімальне замовлення: 181
IRF640PBF IRF640PBF.pdf
IRF640PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+52.08 грн
10+ 41.03 грн
25+ 33.42 грн
68+ 31.29 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF640PBF sihf640.pdf
Виробник: VISHAY
N-Channel, 200V, 18A, 125W, 0.18R, TO220
на замовлення 70 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+64.8 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF640PBF IRF640PBF.pdf
IRF640PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 360 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+62.49 грн
10+ 51.13 грн
25+ 40.11 грн
68+ 37.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF640PBF sihf640.pdf
IRF640PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 200V N-CH MOSFET TO220IDF
на замовлення 7560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+121.86 грн
10+ 98.14 грн
100+ 81.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF640PBF VISH-S-A0001814992-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF640PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF640PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 18680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+145.51 грн
10+ 111.82 грн
100+ 95.73 грн
500+ 87.47 грн
1000+ 78.77 грн
5000+ 77.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF640PBF sihf640.pdf
IRF640PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
143+83.86 грн
1050+ 76.63 грн
2100+ 71.3 грн
3150+ 64.85 грн
Мінімальне замовлення: 143
IRF640PBF sihf640.pdf
IRF640PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
154+77.97 грн
158+ 76.02 грн
160+ 74.91 грн
213+ 54.26 грн
Мінімальне замовлення: 154
IRF640PBF sihf640.pdf
IRF640PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
151+79.61 грн
156+ 76.73 грн
160+ 74.97 грн
226+ 51.12 грн
Мінімальне замовлення: 151
IRF640PBF sihf640.pdf
IRF640PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+24.69 грн
Мінімальне замовлення: 13
IRF640PBF sihf640.pdf
IRF640PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 2261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+129.98 грн
50+ 100.97 грн
100+ 83.08 грн
1000+ 55.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF640PBF sihf640.pdf
IRF640PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
143+83.86 грн
1150+ 76.63 грн
2300+ 71.3 грн
3450+ 64.85 грн
Мінімальне замовлення: 143
IRF640PBF sihf640.pdf
IRF640PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+73.61 грн
10+ 68.91 грн
25+ 67.94 грн
50+ 64 грн
100+ 46.65 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRF640PBF sihf640.pdf
IRF640PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+75.49 грн
10+ 69.09 грн
25+ 67.56 грн
50+ 63.01 грн
100+ 43.75 грн
Мінімальне замовлення: 8
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]