Результат пошуку "irf64" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 30
Мінімальне замовлення: 417
Мінімальне замовлення: 346
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 230
Мінімальне замовлення: 267
Мінімальне замовлення: 13
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 16
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 316
Мінімальне замовлення: 14
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 128
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 196
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 181
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 143
Мінімальне замовлення: 154
Мінімальне замовлення: 151
Мінімальне замовлення: 13
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 143
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF640 Код товару: 7926 |
Philips |
![]() ![]() Uds,V: 200 V Idd,A: 18 A Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1300/70 Монтаж: THT |
у наявності: 297 шт
|
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640 Код товару: 192240 |
![]() ![]() Корпус: TO-220 Uds,V: 200 V Idd,A: 11 A Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1600/57 Монтаж: THT |
у наявності: 52 шт
|
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRF640NPBF Код товару: 42934 |
IR |
![]() Uds,V: 200 V Idd,A: 18 A Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67 Монтаж: THT |
у наявності: 563 шт
|
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640NSPBF Код товару: 116935 |
IR |
![]() Uds,V: 200 V Idd,A: 18 A Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67 Монтаж: SMD |
у наявності: 23 шт
|
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF644PBF Код товару: 181182 |
IR |
![]() Корпус: TO-220 Uds,V: 250 V Idd,A: 14 A Rds(on), Ohm: 0,24 Ohm Монтаж: THT |
у наявності: 15 шт
|
|
||||||||||||||||
IRF640 | IR |
![]() ![]() |
на замовлення 15 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF640 |
![]() ![]() |
на замовлення 66 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
IRF640 | SLKOR |
![]() ![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 80 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF640; 18A; 200V; 0,18R; 125W; N-канальный; корпус: ТО220; STM |
на замовлення 983 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF640ACP001 | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF640ACP001 | Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 200V Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 1250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF640N | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 990 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF640N | HXY MOSFET |
![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF640N | JSMicro Semiconductor |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF640NL | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRF640NLPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640NLPBF | INFINEON |
![]() ![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 648 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 18A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: THT Gate charge: 44.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 572 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IRF640NPBF | IR |
![]() |
на замовлення 386 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRF640NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 18A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: THT Gate charge: 44.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 572 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 14045 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 35475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
IRF640NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 35480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 14045 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 34917 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640NPBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 58275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640NPBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 53163 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 14089 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 35480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IRF640NS | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF640NSPBF | International Rectifier/Infineon |
![]() |
на замовлення 262 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRF640NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 18A Power dissipation: 150W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
на замовлення 519 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 18A Power dissipation: 150W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 519 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 35368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 6493 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 34400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640NSTRLPBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640NSTRLPBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640NSTRRPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640NSTRRPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 360 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IRF640PBF | VISHAY |
![]() |
на замовлення 70 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRF640PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 360 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640PBF | Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 7560 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640PBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 18680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640PBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 4350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640PBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640PBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 1445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640PBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 1445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF640PBF | Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 2261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640PBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 4700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640PBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640PBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 1445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
IRF640 Код товару: 7926 |
![]() |
![]() |
Виробник: Philips
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/70
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/70
Монтаж: THT
у наявності: 297 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 27 грн |
10+ | 23.1 грн |
IRF640 Код товару: 192240 |
![]() |
![]() |
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 11 A
Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1600/57
Монтаж: THT
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 11 A
Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1600/57
Монтаж: THT
у наявності: 52 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 27 грн |
10+ | 25.6 грн |
IRF640NPBF Код товару: 42934 |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Монтаж: THT
у наявності: 563 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 28 грн |
10+ | 25.2 грн |
100+ | 22.5 грн |
IRF640NSPBF Код товару: 116935 |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Монтаж: SMD
у наявності: 23 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 53 грн |
10+ | 49 грн |
IRF644PBF Код товару: 181182 |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 250 V
Idd,A: 14 A
Rds(on), Ohm: 0,24 Ohm
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 250 V
Idd,A: 14 A
Rds(on), Ohm: 0,24 Ohm
Монтаж: THT
у наявності: 15 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 42 грн |
IRF640 | ![]() |
![]() |
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=18A; Pdmax=125W; Rds=0,18 Ohm
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=18A; Pdmax=125W; Rds=0,18 Ohm
на замовлення 15 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 40.8 грн |
10+ | 33.52 грн |
IRF640 | ![]() |
![]() |
транзистор 18A, 200V, 0.180 Ohm, N-Channel Power MOSFETs TO-220
на замовлення 66 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 116.4 грн |
IRF640 | ![]() |
![]() |
Виробник: SLKOR
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640N; SP001570078; IRF640 SLKOR TIRF640n SLK
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640N; SP001570078; IRF640 SLKOR TIRF640n SLK
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 22.26 грн |
IRF640; 18A; 200V; 0,18R; 125W; N-канальный; корпус: ТО220; STM |
на замовлення 983 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 22.79 грн |
IRF640ACP001 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - IRF640ACP001 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - IRF640ACP001 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
417+ | 61.5 грн |
IRF640ACP001 |
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
346+ | 59.32 грн |
IRF640N | ![]() |
на замовлення 990 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 33.14 грн |
IRF640N | ![]() |
Виробник: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 145mOhm; 18A; 125W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF640; IRF640N; SP001570078; IRF640N HXY MOSFET TIRF640n HXY
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 145mOhm; 18A; 125W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF640; IRF640N; SP001570078; IRF640N HXY MOSFET TIRF640n HXY
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 21.91 грн |
IRF640N | ![]() |
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640N; SP001570078; IRF640N JSMICRO TIRF640n JSM
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640N; SP001570078; IRF640N JSMICRO TIRF640n JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 27.7 грн |
IRF640NL |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 200V 18A 150mΩ 150W IRF640NL IR TIRF640nl
кількість в упаковці: 25 шт
N-MOSFET 200V 18A 150mΩ 150W IRF640NL IR TIRF640nl
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 33.14 грн |
IRF640NLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 121.12 грн |
50+ | 93.63 грн |
100+ | 77.04 грн |
500+ | 61.18 грн |
IRF640NLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF640NLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - IRF640NLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 143.98 грн |
10+ | 104.92 грн |
100+ | 84.24 грн |
500+ | 65.64 грн |
IRF640NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 62.03 грн |
10+ | 48.71 грн |
24+ | 34.63 грн |
65+ | 32.78 грн |
IRF640NPBF |
![]() |
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=18A; Pdmax=125W; Rds=0,18 Ohm (аналог IRF640 только без свинца)
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=18A; Pdmax=125W; Rds=0,18 Ohm (аналог IRF640 только без свинца)
на замовлення 386 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 62.68 грн |
10+ | 52.91 грн |
IRF640NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 572 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 74.44 грн |
10+ | 60.71 грн |
24+ | 41.56 грн |
65+ | 39.34 грн |
IRF640NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 14045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
230+ | 52.25 грн |
288+ | 41.59 грн |
500+ | 35.35 грн |
1000+ | 33.72 грн |
2000+ | 29.68 грн |
5000+ | 28.32 грн |
10000+ | 27.63 грн |
IRF640NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 35475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
267+ | 44.89 грн |
319+ | 37.53 грн |
500+ | 32.89 грн |
1000+ | 31.37 грн |
2000+ | 27.83 грн |
5000+ | 26.53 грн |
10000+ | 25.96 грн |
25000+ | 24.23 грн |
IRF640NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)IRF640NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 35480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 47.18 грн |
15+ | 41.36 грн |
100+ | 34.64 грн |
500+ | 29.32 грн |
1000+ | 25.02 грн |
25000+ | 20.07 грн |
IRF640NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 14045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 57.13 грн |
13+ | 48.1 грн |
100+ | 38.39 грн |
500+ | 31.52 грн |
1000+ | 26.46 грн |
IRF640NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
MOSFET MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
на замовлення 34917 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 61.49 грн |
10+ | 48.44 грн |
100+ | 33.38 грн |
500+ | 29.08 грн |
IRF640NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
16+ | 38.5 грн |
17+ | 35.34 грн |
100+ | 31.24 грн |
IRF640NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF640NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRF640NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 58275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 81.95 грн |
12+ | 65.56 грн |
100+ | 48.02 грн |
500+ | 38.54 грн |
1000+ | 35.38 грн |
5000+ | 35.12 грн |
IRF640NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 53163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 56.87 грн |
50+ | 43.52 грн |
100+ | 34.49 грн |
500+ | 27.44 грн |
1000+ | 27.14 грн |
IRF640NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 14089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
316+ | 37.89 грн |
352+ | 34.01 грн |
365+ | 32.81 грн |
500+ | 30.19 грн |
1000+ | 26.71 грн |
2000+ | 24.62 грн |
4000+ | 23.34 грн |
IRF640NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 35480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 23.97 грн |
IRF640NS | ![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; IRF640NS smd TIRF640ns
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; IRF640NS smd TIRF640ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 59.61 грн |
IRF640NSPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ; Udss, В = 200; Id = 18 А; Ptot, Вт = 150; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1160 @ 25; Qg, нКл = 67 @ 10 В; Rds = 150 мОм @ 11 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK
N-канальний ПТ; Udss, В = 200; Id = 18 А; Ptot, Вт = 150; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1160 @ 25; Qg, нКл = 67 @ 10 В; Rds = 150 мОм @ 11 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK
на замовлення 262 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 25.96 грн |
26+ | 24.23 грн |
100+ | 22.5 грн |
IRF640NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
на замовлення 519 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 71.83 грн |
16+ | 53.34 грн |
43+ | 49.78 грн |
IRF640NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 519 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 103.85 грн |
5+ | 89.51 грн |
16+ | 64 грн |
43+ | 59.74 грн |
IRF640NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 35368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 107.08 грн |
10+ | 85.48 грн |
100+ | 68.01 грн |
IRF640NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
128+ | 93.56 грн |
130+ | 92.62 грн |
157+ | 76.24 грн |
250+ | 70.93 грн |
500+ | 53.1 грн |
IRF640NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
MOSFET MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
на замовлення 6493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 116.29 грн |
10+ | 88.72 грн |
100+ | 66.02 грн |
800+ | 47.18 грн |
2400+ | 43.42 грн |
IRF640NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 58.88 грн |
IRF640NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 34400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 59.76 грн |
1600+ | 48.83 грн |
2400+ | 46.39 грн |
5600+ | 41.9 грн |
IRF640NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
196+ | 61.33 грн |
205+ | 58.53 грн |
230+ | 52.25 грн |
239+ | 48.46 грн |
500+ | 44.69 грн |
1600+ | 39.32 грн |
3200+ | 38.12 грн |
IRF640NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF640NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRF640NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 128.66 грн |
10+ | 95.73 грн |
50+ | 85.78 грн |
100+ | 70.12 грн |
250+ | 63.41 грн |
IRF640NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 104.37 грн |
10+ | 84.46 грн |
25+ | 83.61 грн |
100+ | 68.26 грн |
250+ | 62.08 грн |
500+ | 47.33 грн |
IRF640NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 54.67 грн |
IRF640NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF640NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRF640NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 70.12 грн |
250+ | 63.41 грн |
IRF640NSTRRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 66.7 грн |
10+ | 61.62 грн |
25+ | 61.01 грн |
50+ | 58.24 грн |
100+ | 38.9 грн |
IRF640NSTRRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
181+ | 66.36 грн |
183+ | 65.7 грн |
184+ | 65.05 грн |
IRF640PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 52.08 грн |
10+ | 41.03 грн |
25+ | 33.42 грн |
68+ | 31.29 грн |
IRF640PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
N-Channel, 200V, 18A, 125W, 0.18R, TO220
N-Channel, 200V, 18A, 125W, 0.18R, TO220
на замовлення 70 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 64.8 грн |
IRF640PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 360 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 62.49 грн |
10+ | 51.13 грн |
25+ | 40.11 грн |
68+ | 37.55 грн |
IRF640PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 200V N-CH MOSFET TO220IDF
MOSFET 200V N-CH MOSFET TO220IDF
на замовлення 7560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 121.86 грн |
10+ | 98.14 грн |
100+ | 81.93 грн |
IRF640PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF640PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: VISHAY - IRF640PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 18680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 145.51 грн |
10+ | 111.82 грн |
100+ | 95.73 грн |
500+ | 87.47 грн |
1000+ | 78.77 грн |
5000+ | 77.46 грн |
IRF640PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
143+ | 83.86 грн |
1050+ | 76.63 грн |
2100+ | 71.3 грн |
3150+ | 64.85 грн |
IRF640PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
154+ | 77.97 грн |
158+ | 76.02 грн |
160+ | 74.91 грн |
213+ | 54.26 грн |
IRF640PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
151+ | 79.61 грн |
156+ | 76.73 грн |
160+ | 74.97 грн |
226+ | 51.12 грн |
IRF640PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 24.69 грн |
IRF640PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 2261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 129.98 грн |
50+ | 100.97 грн |
100+ | 83.08 грн |
1000+ | 55.98 грн |
IRF640PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
143+ | 83.86 грн |
1150+ | 76.63 грн |
2300+ | 71.3 грн |
3450+ | 64.85 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]