Результат пошуку "2sc36" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
2SC3688
Код товару: 84819 		Sanyo 2sc3688-datasheet.PDF Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-3PB
Uceo,V: 800 V
Ucbo,V: 1500 V
Ic,A: 10 А
Монтаж: THT
у наявності: 5 шт
1+95 грн
2SC3600D 2SC3600D ONSEMI SNYOS20805-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC3600D - 2SC3600D, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
378+67.04 грн
Мінімальне замовлення: 378
2SC3600D 2SC3600D onsemi SNYOS20805-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: NPN SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 2241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
314+66.16 грн
Мінімальне замовлення: 314
2SC3600D 2SC3600D Sanyo SNYOS20805-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 2SC3600 - NPN EPITAXIAL PLANAR S
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
314+66.16 грн
Мінімальне замовлення: 314
2SC3618-T1-AZ 2SC3618-T1-AZ Renesas Electronics Corporation RNCCS04591-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 3mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 800 @ 300mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SC-62
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 185000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1353+15.16 грн
Мінімальне замовлення: 1353
2SC3645S-TD-E onsemi ONSMS37264-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 2SC3645 - TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 140 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1776+11.72 грн
Мінімальне замовлення: 1776
2SC3645S-TD-E ONSEMI ONSMS37264-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC3645S-TD-E - 2SC3645 - TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SC3645T-TD-E ONSEMI ONSMS37264-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC3645T-TD-E - 2SC3645 - BIPOLAR NPN TRANSISTOR, 160V
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3206+8.05 грн
Мінімальне замовлення: 3206
2SC3646S-P-TD-E 2SC3646S-P-TD-E onsemi Description: TRANS NPN 100V 1A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1109+18.61 грн
Мінімальне замовлення: 1109
2SC3646S-P-TD-E ONSEMI ONSMS36365-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - 2SC3646S-P-TD-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+21.29 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2SC3646S-TD-E 2SC3646S-TD-E ON Semiconductor 2sa1416-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+20.52 грн
30+ 20.1 грн
100+ 16.92 грн
250+ 11.87 грн
Мінімальне замовлення: 29
2SC3646S-TD-E 2SC3646S-TD-E ONSEMI ONSM-S-A0014872450-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC3646S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
2SC3646S-TD-E 2SC3646S-TD-E onsemi 2SA1416_D-3150366.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1A 100V
на замовлення 2962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+40.42 грн
10+ 34.29 грн
100+ 20.57 грн
500+ 18.15 грн
1000+ 14.77 грн
2000+ 12.91 грн
10000+ 12.84 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SC3646S-TD-E ONSEMI ONSMS36365-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - 2SC3646S-TD-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 41362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+14.48 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2SC3646S-TD-E 2SC3646S-TD-E ON Semiconductor 2sa1416-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+17.53 грн
9000+ 16.03 грн
18000+ 14.91 грн
27000+ 13.56 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SC3646S-TD-E 2SC3646S-TD-E onsemi 2sa1416jp-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 1A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+16.08 грн
2000+ 13.84 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SC3646S-TD-E 2SC3646S-TD-E ONSEMI ONSM-S-A0014872450-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC3646S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+44.52 грн
21+ 37.16 грн
100+ 25.16 грн
Мінімальне замовлення: 18
2SC3646S-TD-E 2SC3646S-TD-E onsemi 2sa1416jp-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 1A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 3175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.55 грн
10+ 35.08 грн
100+ 24.4 грн
500+ 17.88 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SC3646S-TD-E 2SC3646S-TD-E ON Semiconductor 2sa1416-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SC3646T-P-TD-E 2SC3646T-P-TD-E onsemi Description: TRANS NPN 100V 1A PCP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1211+17.23 грн
Мінімальне замовлення: 1211
2SC3646T-P-TD-E ONSEMI ONSMS36365-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - 2SC3646T-P-TD-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+19.51 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2SC3646T-TD-E ONSEMI ONSMS36365-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - 2SC3646T-TD-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 13406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SC3646T-TD-E 2SC3646T-TD-E onsemi 2sa1416-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 1A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+13.73 грн
2000+ 11.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SC3646T-TD-E 2SC3646T-TD-E onsemi 2sa1416-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 1A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.58 грн
10+ 29.91 грн
100+ 20.83 грн
500+ 15.26 грн
Мінімальне замовлення: 9
2SC3646T-TD-E onsemi 2SA1416_D-3150366.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1A 100V
на замовлення 2254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.69 грн
10+ 33.25 грн
100+ 20.15 грн
500+ 15.73 грн
1000+ 13.39 грн
2000+ 12.28 грн
10000+ 10.01 грн
Мінімальне замовлення: 9
2SC3647S-TD-E 2SC3647S-TD-E ONSEMI 2sa1417-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 2A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 140...280
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+23.46 грн
25+ 19.63 грн
47+ 18.12 грн
100+ 17.33 грн
128+ 17.18 грн
250+ 16.46 грн
Мінімальне замовлення: 17
2SC3647S-TD-E 2SC3647S-TD-E ONSEMI 2sa1417-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 2A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 140...280
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 906 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
10+28.15 грн
25+ 24.46 грн
47+ 21.74 грн
100+ 20.79 грн
128+ 20.62 грн
250+ 19.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SC3647S-TD-E 2SC3647S-TD-E onsemi 2sa1417-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 2A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.57 грн
10+ 32.13 грн
100+ 22.34 грн
500+ 16.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SC3647S-TD-E 2SC3647S-TD-E onsemi 2sa1417-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 2A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+14.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SC3647S-TD-E 2SC3647S-TD-E ONSEMI ONSMS36366-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC3647S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+37.63 грн
24+ 32.52 грн
100+ 19.97 грн
500+ 15.53 грн
1000+ 11.02 грн
Мінімальне замовлення: 21
2SC3647S-TD-E 2SC3647S-TD-E onsemi 2SA1417_D-3150112.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 100V
на замовлення 1641 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.67 грн
10+ 35.71 грн
100+ 21.6 грн
500+ 16.91 грн
1000+ 13.66 грн
2000+ 12.28 грн
5000+ 11.59 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SC3647S-TD-E 2SC3647S-TD-E ONSEMI ONSMS36366-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC3647S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.97 грн
500+ 15.53 грн
1000+ 11.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
2SC3647T-TD-E 2SC3647T-TD-E ONSEMI ONSMS36366-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC3647T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.25 грн
500+ 20.85 грн
1000+ 14 грн
Мінімальне замовлення: 100
2SC3647T-TD-E 2SC3647T-TD-E onsemi 2sa1417-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 2A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+43.3 грн
10+ 36.38 грн
100+ 25.19 грн
500+ 19.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
2SC3647T-TD-E 2SC3647T-TD-E onsemi 2SA1417_D-3150112.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 100V
на замовлення 4122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.18 грн
10+ 38.41 грн
100+ 24.29 грн
500+ 20.01 грн
1000+ 17.25 грн
2000+ 14.56 грн
10000+ 13.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
2SC3647T-TD-E 2SC3647T-TD-E onsemi 2sa1417-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 2A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+18.6 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SC3647T-TD-E 2SC3647T-TD-E ONSEMI ONSMS36366-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC3647T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+51.95 грн
19+ 41.5 грн
100+ 27.25 грн
500+ 20.85 грн
1000+ 14 грн
Мінімальне замовлення: 15
2SC3648S-TD-E 2SC3648S-TD-E ONSEMI en1788-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.7A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 140...280
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
на замовлення 2983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+27.87 грн
17+ 21.49 грн
25+ 19.41 грн
55+ 15.53 грн
150+ 14.67 грн
500+ 14.38 грн
1000+ 14.09 грн
Мінімальне замовлення: 14
2SC3648S-TD-E ON Semiconductor 2sa1418-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+15.95 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SC3648S-TD-E ON Semiconductor 2sa1418-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+14.8 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SC3648S-TD-E ON Semiconductor 2sa1418-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SC3648S-TD-E 2SC3648S-TD-E onsemi en1788-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.7A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 2802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.82 грн
10+ 31.56 грн
100+ 21.96 грн
500+ 16.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SC3648S-TD-E ON Semiconductor 127en1788-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SC3648S-TD-E 2SC3648S-TD-E onsemi en1788-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.7A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+14.47 грн
2000+ 12.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SC3648S-TD-E 2SC3648S-TD-E onsemi EN1788_D-2311220.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.7A 160V
на замовлення 5024 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.44 грн
10+ 35.16 грн
100+ 21.26 грн
500+ 16.63 грн
1000+ 13.8 грн
2000+ 11.73 грн
10000+ 11.53 грн
Мінімальне замовлення: 9
2SC3648T-TD-E onsemi en1788-d.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.7A 160V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
3+101.42 грн
10+ 88.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
2SC3648T-TD-E 2SC3648T-TD-E onsemi EN1788_D-2311220.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.7A 160V
на замовлення 22501 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.71 грн
11+ 30.95 грн
100+ 19.46 грн
500+ 15.6 грн
1000+ 12.42 грн
2000+ 10.9 грн
Мінімальне замовлення: 9
2SC3648T-TD-E 2SC3648T-TD-E onsemi en1788-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.7A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+13.6 грн
2000+ 11.71 грн
5000+ 11.11 грн
10000+ 9.68 грн
25000+ 9.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SC3648T-TD-E ON Semiconductor 2sa1418-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SC3648T-TD-E 2SC3648T-TD-E onsemi en1788-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.7A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 26626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.83 грн
10+ 29.69 грн
100+ 20.63 грн
500+ 15.12 грн
Мінімальне замовлення: 9
2SC3649S-TD-E 2SC3649S-TD-E onsemi EN2007_D-2311156.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1.5A 160V
на замовлення 16480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.95 грн
10+ 37.46 грн
100+ 26.02 грн
500+ 23.46 грн
1000+ 20.63 грн
2000+ 18.91 грн
5000+ 17.6 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SC3649S-TD-E 2SC3649S-TD-E onsemi en2007-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 1.5A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 36552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.26 грн
10+ 43.85 грн
100+ 30.39 грн
500+ 23.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
2SC3649S-TD-E 2SC3649S-TD-E onsemi en2007-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 1.5A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+22.44 грн
2000+ 19.25 грн
5000+ 18.23 грн
10000+ 15.84 грн
25000+ 15.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SC3649S-TD-E 2SC3649S-TD-E ON Semiconductor 2sa1419-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+24.63 грн
2000+ 22.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SC3649S-TD-E 2SC3649S-TD-E ON Semiconductor 2sa1419-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+22.84 грн
2000+ 20.9 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SC3649S-TD-E 2SC3649S-TD-E ON Semiconductor 223en2007-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+19.08 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SC3649T-TD-E 2SC3649T-TD-E ONSEMI ONSMS36084-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC3649T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+50.63 грн
18+ 44.59 грн
100+ 31.51 грн
500+ 26.53 грн
Мінімальне замовлення: 16
2SC3649T-TD-E 2SC3649T-TD-E onsemi EN2007_D-2311156.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1.5A 160V
на замовлення 8628 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+40.42 грн
10+ 35.24 грн
100+ 20.63 грн
500+ 18.7 грн
1000+ 16.98 грн
2000+ 16.08 грн
5000+ 15.73 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SC3649T-TD-E 2SC3649T-TD-E ONSEMI ONSMS36084-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC3649T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.51 грн
500+ 26.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
2SC3649T-TD-E 2SC3649T-TD-E onsemi en2007-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 1.5A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+20.99 грн
2000+ 18.01 грн
5000+ 17.06 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SC3688
Код товару: 84819		 2sc3688-datasheet.PDF
Виробник: Sanyo
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-3PB
Uceo,V: 800 V
Ucbo,V: 1500 V
Ic,A: 10 А
Монтаж: THT
у наявності: 5 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+95 грн
2SC3600D SNYOS20805-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC3600D
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3600D - 2SC3600D, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
378+67.04 грн
Мінімальне замовлення: 378
2SC3600D SNYOS20805-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SC3600D
Виробник: onsemi
Description: NPN SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 2241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
314+66.16 грн
Мінімальне замовлення: 314
2SC3600D SNYOS20805-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SC3600D
Виробник: Sanyo
Description: 2SC3600 - NPN EPITAXIAL PLANAR S
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
314+66.16 грн
Мінімальне замовлення: 314
2SC3618-T1-AZ RNCCS04591-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SC3618-T1-AZ
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 3mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 800 @ 300mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SC-62
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 185000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1353+15.16 грн
Мінімальне замовлення: 1353
2SC3645S-TD-E ONSMS37264-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: onsemi
Description: 2SC3645 - TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 140 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1776+11.72 грн
Мінімальне замовлення: 1776
2SC3645S-TD-E ONSMS37264-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3645S-TD-E - 2SC3645 - TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SC3645T-TD-E ONSMS37264-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3645T-TD-E - 2SC3645 - BIPOLAR NPN TRANSISTOR, 160V
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3206+8.05 грн
Мінімальне замовлення: 3206
2SC3646S-P-TD-E
2SC3646S-P-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 1A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1109+18.61 грн
Мінімальне замовлення: 1109
2SC3646S-P-TD-E ONSMS36365-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3646S-P-TD-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+21.29 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2SC3646S-TD-E 2sa1416-d.pdf
2SC3646S-TD-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
29+20.52 грн
30+ 20.1 грн
100+ 16.92 грн
250+ 11.87 грн
Мінімальне замовлення: 29
2SC3646S-TD-E ONSM-S-A0014872450-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC3646S-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3646S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+25.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
2SC3646S-TD-E 2SA1416_D-3150366.pdf
2SC3646S-TD-E
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1A 100V
на замовлення 2962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+40.42 грн
10+ 34.29 грн
100+ 20.57 грн
500+ 18.15 грн
1000+ 14.77 грн
2000+ 12.91 грн
10000+ 12.84 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SC3646S-TD-E ONSMS36365-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3646S-TD-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 41362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+14.48 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2SC3646S-TD-E 2sa1416-d.pdf
2SC3646S-TD-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+17.53 грн
9000+ 16.03 грн
18000+ 14.91 грн
27000+ 13.56 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SC3646S-TD-E 2sa1416jp-d.pdf
2SC3646S-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 1A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+16.08 грн
2000+ 13.84 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SC3646S-TD-E ONSM-S-A0014872450-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC3646S-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3646S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+44.52 грн
21+ 37.16 грн
100+ 25.16 грн
Мінімальне замовлення: 18
2SC3646S-TD-E 2sa1416jp-d.pdf
2SC3646S-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 1A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 3175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+42.55 грн
10+ 35.08 грн
100+ 24.4 грн
500+ 17.88 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SC3646S-TD-E 2sa1416-d.pdf
2SC3646S-TD-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SC3646T-P-TD-E
2SC3646T-P-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 1A PCP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1211+17.23 грн
Мінімальне замовлення: 1211
2SC3646T-P-TD-E ONSMS36365-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3646T-P-TD-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+19.51 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2SC3646T-TD-E ONSMS36365-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3646T-TD-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 13406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+12.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SC3646T-TD-E 2sa1416-d.pdf
2SC3646T-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 1A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+13.73 грн
2000+ 11.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SC3646T-TD-E 2sa1416-d.pdf
2SC3646T-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 1A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+36.58 грн
10+ 29.91 грн
100+ 20.83 грн
500+ 15.26 грн
Мінімальне замовлення: 9
2SC3646T-TD-E 2SA1416_D-3150366.pdf
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1A 100V
на замовлення 2254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+39.69 грн
10+ 33.25 грн
100+ 20.15 грн
500+ 15.73 грн
1000+ 13.39 грн
2000+ 12.28 грн
10000+ 10.01 грн
Мінімальне замовлення: 9
2SC3647S-TD-E 2sa1417-d.pdf
2SC3647S-TD-E
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 2A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 140...280
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+23.46 грн
25+ 19.63 грн
47+ 18.12 грн
100+ 17.33 грн
128+ 17.18 грн
250+ 16.46 грн
Мінімальне замовлення: 17
2SC3647S-TD-E 2sa1417-d.pdf
2SC3647S-TD-E
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 2A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 140...280
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 906 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+28.15 грн
25+ 24.46 грн
47+ 21.74 грн
100+ 20.79 грн
128+ 20.62 грн
250+ 19.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SC3647S-TD-E 2sa1417-d.pdf
2SC3647S-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 2A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39.57 грн
10+ 32.13 грн
100+ 22.34 грн
500+ 16.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SC3647S-TD-E 2sa1417-d.pdf
2SC3647S-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 2A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+14.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SC3647S-TD-E ONSMS36366-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC3647S-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3647S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+37.63 грн
24+ 32.52 грн
100+ 19.97 грн
500+ 15.53 грн
1000+ 11.02 грн
Мінімальне замовлення: 21
2SC3647S-TD-E 2SA1417_D-3150112.pdf
2SC3647S-TD-E
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 100V
на замовлення 1641 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+42.67 грн
10+ 35.71 грн
100+ 21.6 грн
500+ 16.91 грн
1000+ 13.66 грн
2000+ 12.28 грн
5000+ 11.59 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SC3647S-TD-E ONSMS36366-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC3647S-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3647S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+19.97 грн
500+ 15.53 грн
1000+ 11.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
2SC3647T-TD-E ONSMS36366-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC3647T-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3647T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+27.25 грн
500+ 20.85 грн
1000+ 14 грн
Мінімальне замовлення: 100
2SC3647T-TD-E 2sa1417-d.pdf
2SC3647T-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 2A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+43.3 грн
10+ 36.38 грн
100+ 25.19 грн
500+ 19.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
2SC3647T-TD-E 2SA1417_D-3150112.pdf
2SC3647T-TD-E
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 100V
на замовлення 4122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+47.18 грн
10+ 38.41 грн
100+ 24.29 грн
500+ 20.01 грн
1000+ 17.25 грн
2000+ 14.56 грн
10000+ 13.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
2SC3647T-TD-E 2sa1417-d.pdf
2SC3647T-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 2A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+18.6 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SC3647T-TD-E ONSMS36366-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC3647T-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3647T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+51.95 грн
19+ 41.5 грн
100+ 27.25 грн
500+ 20.85 грн
1000+ 14 грн
Мінімальне замовлення: 15
2SC3648S-TD-E en1788-d.pdf
2SC3648S-TD-E
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.7A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 140...280
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
на замовлення 2983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+27.87 грн
17+ 21.49 грн
25+ 19.41 грн
55+ 15.53 грн
150+ 14.67 грн
500+ 14.38 грн
1000+ 14.09 грн
Мінімальне замовлення: 14
2SC3648S-TD-E 2sa1418-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+15.95 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SC3648S-TD-E 2sa1418-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+14.8 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SC3648S-TD-E 2sa1418-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SC3648S-TD-E en1788-d.pdf
2SC3648S-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.7A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 2802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+38.82 грн
10+ 31.56 грн
100+ 21.96 грн
500+ 16.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SC3648S-TD-E 127en1788-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SC3648S-TD-E en1788-d.pdf
2SC3648S-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.7A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+14.47 грн
2000+ 12.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SC3648S-TD-E EN1788_D-2311220.pdf
2SC3648S-TD-E
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.7A 160V
на замовлення 5024 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+37.44 грн
10+ 35.16 грн
100+ 21.26 грн
500+ 16.63 грн
1000+ 13.8 грн
2000+ 11.73 грн
10000+ 11.53 грн
Мінімальне замовлення: 9
2SC3648T-TD-E en1788-d.pdf
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.7A 160V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+101.42 грн
10+ 88.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
2SC3648T-TD-E EN1788_D-2311220.pdf
2SC3648T-TD-E
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.7A 160V
на замовлення 22501 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+36.71 грн
11+ 30.95 грн
100+ 19.46 грн
500+ 15.6 грн
1000+ 12.42 грн
2000+ 10.9 грн
Мінімальне замовлення: 9
2SC3648T-TD-E en1788-d.pdf
2SC3648T-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.7A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+13.6 грн
2000+ 11.71 грн
5000+ 11.11 грн
10000+ 9.68 грн
25000+ 9.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SC3648T-TD-E 2sa1418-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SC3648T-TD-E en1788-d.pdf
2SC3648T-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.7A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 26626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+35.83 грн
10+ 29.69 грн
100+ 20.63 грн
500+ 15.12 грн
Мінімальне замовлення: 9
2SC3649S-TD-E EN2007_D-2311156.pdf
2SC3649S-TD-E
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1.5A 160V
на замовлення 16480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+41.95 грн
10+ 37.46 грн
100+ 26.02 грн
500+ 23.46 грн
1000+ 20.63 грн
2000+ 18.91 грн
5000+ 17.6 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SC3649S-TD-E en2007-d.pdf
2SC3649S-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 1.5A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 36552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+52.26 грн
10+ 43.85 грн
100+ 30.39 грн
500+ 23.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
2SC3649S-TD-E en2007-d.pdf
2SC3649S-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 1.5A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+22.44 грн
2000+ 19.25 грн
5000+ 18.23 грн
10000+ 15.84 грн
25000+ 15.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SC3649S-TD-E 2sa1419-d.pdf
2SC3649S-TD-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+24.63 грн
2000+ 22.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SC3649S-TD-E 2sa1419-d.pdf
2SC3649S-TD-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+22.84 грн
2000+ 20.9 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SC3649S-TD-E 223en2007-d.pdf
2SC3649S-TD-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+19.08 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SC3649T-TD-E ONSMS36084-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC3649T-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3649T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+50.63 грн
18+ 44.59 грн
100+ 31.51 грн
500+ 26.53 грн
Мінімальне замовлення: 16
2SC3649T-TD-E EN2007_D-2311156.pdf
2SC3649T-TD-E
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1.5A 160V
на замовлення 8628 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+40.42 грн
10+ 35.24 грн
100+ 20.63 грн
500+ 18.7 грн
1000+ 16.98 грн
2000+ 16.08 грн
5000+ 15.73 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SC3649T-TD-E ONSMS36084-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC3649T-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3649T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+31.51 грн
500+ 26.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
2SC3649T-TD-E en2007-d.pdf
2SC3649T-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 1.5A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+20.99 грн
2000+ 18.01 грн
5000+ 17.06 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]