Результат пошуку "13N50" : > 60
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 211 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 151 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 148 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
13N50F | GOODWORK |
Description: 500V13A480m@10VITO-220AB |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
13_N-50-0-1/133_NE | HUBER+SUHNER |
Description: HUBER+SUHNER - 13_N-50-0-1/133_NE - HF-/Koaxialsteckverbinder, N-Koaxial, Gerader Einbaustecker mit Verschraubung, Gelötet, 50 ohmtariffCode: 85366910 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kontaktmaterial: Messing Steckverbinderausführung: Gerader Einbaustecker mit Verschraubung isCanonical: Y Steckverbindermontage: Panelmontage SVHC: Lead (25-Jun-2020) Steckverbinder: N-Koaxial Koaxialanschluss: Gelötet Impedanz: 50ohm Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Frequenz, max.: 11GHz Koaxialkabeltyp: - |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
13_N-50-0-1/133_NE | Huber + Suhner AG |
Conn Type N 0Hz to 11GHz 50Ohm ST Flange Mount PL Gold Over Nickel Single |
на замовлення 148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
13_N-50-0-1/133_NE | HUBER+SUHNER |
RF Connectors / Coaxial Connectors COAXIAL CONNECTOR, N, 50 Ohm, Straight panel receptacle, plug (male), flange mount |
на замовлення 1285 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
13_N-50-0-30/133_NE | HUBER+SUHNER |
RF Connectors / Coaxial Connectors COAXIAL CONNECTOR, N, 50 Ohm, Straight panel receptacle, plug (male), flange mount |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
13_N-50-0-33/133_NE | HUBER+SUHNER |
RF Connectors / Coaxial Connectors COAXIAL CONNECTOR, N, 50 Ohm, Straight panel receptacle, plug (male), flange mount |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
AOT13N50 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.5A; 250W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 8.5A Power dissipation: 250W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 510mΩ Mounting: THT Gate charge: 30.7nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 914 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
AOTF13N50 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.5A; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 8.5A Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 510mΩ Mounting: THT Gate charge: 30.7nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 529 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BXP13N50F | BRIDGELUX |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.1A; Idm: 52A; 51W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 8.1A Power dissipation: 51W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.46Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 52A Kind of package: tube |
на замовлення 935 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDPF13N50FT | Fairchild Semiconductor |
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 22039 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FQA13N50C | Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 500V 13.5A TO3PPackaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.75A, 10V Power Dissipation (Max): 218W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 8252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FQA13N50CF | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 500V 15A TO3PNPackaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 218W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FQI13N50CTU | Fairchild Semiconductor |
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 14185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FQP13N50 | ON-Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP13N50 TFQP13n50кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 27 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FQPF13N50 | Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 500V 12.5A TO220FPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 6.25A, 10V Power Dissipation (Max): 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V |
на замовлення 2475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FQPF13N50C | Fairchild Semiconductor |
Description: QFC 500V 480MOHM TO220FPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 5735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FQPF13N50C-ON | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FQPF13N50CF | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; Idm: 52A; 48W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 8A Pulsed drain current: 52A Power dissipation: 48W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 80 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FQPF13N50CF | onsemi |
MOSFETs HIGH VOLTAGE |
на замовлення 2030 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FQPF13N50CF | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220FPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 1394 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB13N50APBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT13N50A | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 500V 13A 0.39 To220FPackaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 130W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT13N50HF | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 500V 13A 0.39 To220FPackaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 39W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT13N50SF | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 500V 13A 0.51 To220F Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 48W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
WMK13N50D1 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 13A Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.48Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: tube |
на замовлення 151 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
WML13N50D1 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 13A Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.48Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 544 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| YFW13N50AF | YFW |
500V 13A 60W 550mOhm@10V 4V@250uA TO-220F Single FETs, MOSFETs Odpowiednik: BXP18N50F; LGE18N50F; YFW13N50AF; YFW13N50AF TO220F YFW TYFW13N50AF YFW кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
ZXT13N50DE6TA | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 50V 4A SOT-26Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 115MHz Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.1 W |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
ZXT13N50DE6TA | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT NPN 50V Low Sat |
на замовлення 440 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FQA13N50 | FAIRCHILD |
09+ |
на замовлення 120 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| FQB13N50 | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| FQB13N50C | fairchild | to-263/d2-pak |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRFB13N50A | IR |
TO-220AB |
на замовлення 29270 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IXFM13N50 | IXYS |
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MDF13N50TH |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| MDP13N50TH |
на замовлення 43895 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| MDP13N50TH=FQP13N50C |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| MTH13N50 |
на замовлення 5750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| MTM13N50 | MOTOROLA |
на замовлення 1100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MTM13N50E | MOTOROLA |
на замовлення 1100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SM13N50F |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SPW13N50C3 |
на замовлення 38000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| WFF13N50 |
на замовлення 5900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| ZXT13N50DE5TA |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
AOTF13N50 Код товару: 180939
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
CS13N50F Код товару: 188737
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
FDPF13N50FT Код товару: 67232
Додати до обраних
Обраний товар
|
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
FQA13N50C Код товару: 190199
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
FQP13N50 Код товару: 143458
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
FQP13N50C Код товару: 152424
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
FQPF13N50 Код товару: 42632
Додати до обраних
Обраний товар
|
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
|
FQPF13N50C Код товару: 130072
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
FQPF13N50CF Код товару: 161545
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IXFH13N50 транзистор Код товару: 79556
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
KF13N50 Код товару: 183829
Додати до обраних
Обраний товар
|
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
MDF13N50BTH Код товару: 150709
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
WMK13N50D1 Код товару: 215967
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
13_N-50-0-1/133_NE | Huber + Suhner AG |
Conn Type N 0Hz to 11GHz 50Ohm ST Flange Mount PL Gold Over Nickel Single |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
13_N-50-0-23/133_NE | HUBER+SUHNER | RF Connectors / Coaxial Connectors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
13_N-50-0-30/133_NE | Huber + Suhner AG |
Conn Type N 0Hz to 11GHz 50Ohm ST Panel Mount PL Gold Over Nickel Single |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| 13N50F |
![]() |
Виробник: GOODWORK
Description: 500V13A480m@10VITO-220AB
Description: 500V13A480m@10VITO-220AB
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 68.26 грн |
| 13_N-50-0-1/133_NE |
![]() |
Виробник: HUBER+SUHNER
Description: HUBER+SUHNER - 13_N-50-0-1/133_NE - HF-/Koaxialsteckverbinder, N-Koaxial, Gerader Einbaustecker mit Verschraubung, Gelötet, 50 ohm
tariffCode: 85366910
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kontaktmaterial: Messing
Steckverbinderausführung: Gerader Einbaustecker mit Verschraubung
isCanonical: Y
Steckverbindermontage: Panelmontage
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
Steckverbinder: N-Koaxial
Koaxialanschluss: Gelötet
Impedanz: 50ohm
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Frequenz, max.: 11GHz
Koaxialkabeltyp: -
Description: HUBER+SUHNER - 13_N-50-0-1/133_NE - HF-/Koaxialsteckverbinder, N-Koaxial, Gerader Einbaustecker mit Verschraubung, Gelötet, 50 ohm
tariffCode: 85366910
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kontaktmaterial: Messing
Steckverbinderausführung: Gerader Einbaustecker mit Verschraubung
isCanonical: Y
Steckverbindermontage: Panelmontage
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
Steckverbinder: N-Koaxial
Koaxialanschluss: Gelötet
Impedanz: 50ohm
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Frequenz, max.: 11GHz
Koaxialkabeltyp: -
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 13_N-50-0-1/133_NE |
![]() |
Виробник: Huber + Suhner AG
Conn Type N 0Hz to 11GHz 50Ohm ST Flange Mount PL Gold Over Nickel Single
Conn Type N 0Hz to 11GHz 50Ohm ST Flange Mount PL Gold Over Nickel Single
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 3095.02 грн |
| 10+ | 2758.41 грн |
| 25+ | 2531.95 грн |
| 50+ | 2332.72 грн |
| 13_N-50-0-1/133_NE |
![]() |
Виробник: HUBER+SUHNER
RF Connectors / Coaxial Connectors COAXIAL CONNECTOR, N, 50 Ohm, Straight panel receptacle, plug (male), flange mount
RF Connectors / Coaxial Connectors COAXIAL CONNECTOR, N, 50 Ohm, Straight panel receptacle, plug (male), flange mount
на замовлення 1285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 13_N-50-0-30/133_NE |
![]() |
Виробник: HUBER+SUHNER
RF Connectors / Coaxial Connectors COAXIAL CONNECTOR, N, 50 Ohm, Straight panel receptacle, plug (male), flange mount
RF Connectors / Coaxial Connectors COAXIAL CONNECTOR, N, 50 Ohm, Straight panel receptacle, plug (male), flange mount
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 13_N-50-0-33/133_NE |
![]() |
Виробник: HUBER+SUHNER
RF Connectors / Coaxial Connectors COAXIAL CONNECTOR, N, 50 Ohm, Straight panel receptacle, plug (male), flange mount
RF Connectors / Coaxial Connectors COAXIAL CONNECTOR, N, 50 Ohm, Straight panel receptacle, plug (male), flange mount
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| AOT13N50 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.5A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 510mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 30.7nC
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.5A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 510mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 30.7nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 914 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 112.76 грн |
| 5+ | 94.73 грн |
| 25+ | 83.10 грн |
| 100+ | 74.79 грн |
| 250+ | 70.63 грн |
| AOTF13N50 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.5A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.5A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 510mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 30.7nC
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.5A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.5A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 510mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 30.7nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 529 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 94.86 грн |
| 6+ | 78.94 грн |
| 25+ | 69.80 грн |
| 100+ | 63.15 грн |
| 500+ | 59.00 грн |
| BXP13N50F |
![]() |
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.1A; Idm: 52A; 51W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.1A
Power dissipation: 51W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.46Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 52A
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.1A; Idm: 52A; 51W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.1A
Power dissipation: 51W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.46Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 52A
Kind of package: tube
на замовлення 935 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 81.43 грн |
| 10+ | 60.16 грн |
| 25+ | 53.76 грн |
| 100+ | 45.12 грн |
| 250+ | 40.63 грн |
| 500+ | 35.81 грн |
| FDPF13N50FT |
![]() |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 22039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 209+ | 105.17 грн |
| FQA13N50C |
![]() |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 13.5A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 218W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET N-CH 500V 13.5A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 218W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 8252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 117+ | 187.04 грн |
| FQA13N50CF |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 15A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 218W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET N-CH 500V 15A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 218W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 326.96 грн |
| 30+ | 175.15 грн |
| 60+ | 158.36 грн |
| 120+ | 135.37 грн |
| FQI13N50CTU |
![]() |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 14185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 211+ | 104.41 грн |
| FQP13N50 |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP13N50 TFQP13n50
кількість в упаковці: 10 шт
Trans MOSFET N-CH 500V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP13N50 TFQP13n50
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 138.21 грн |
| FQPF13N50 |
![]() |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 12.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 6.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 12.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 6.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 151+ | 145.36 грн |
| FQPF13N50C |
![]() |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: QFC 500V 480MOHM TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: QFC 500V 480MOHM TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 5735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 218+ | 100.79 грн |
| FQPF13N50C-ON |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 148+ | 148.28 грн |
| FQPF13N50CF |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; Idm: 52A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; Idm: 52A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 298.89 грн |
| 10+ | 143.76 грн |
| 50+ | 135.45 грн |
| FQPF13N50CF |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs HIGH VOLTAGE
MOSFETs HIGH VOLTAGE
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FQPF13N50CF |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 1394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 274.93 грн |
| 10+ | 174.70 грн |
| 50+ | 135.84 грн |
| 100+ | 115.72 грн |
| 500+ | 95.12 грн |
| IRFB13N50APBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 317.64 грн |
| MOT13N50A |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 13A 0.39 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 13A 0.39 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 2169.37 грн |
| 10+ | 312.22 грн |
| 100+ | 88.85 грн |
| 500+ | 49.36 грн |
| 1000+ | 40.58 грн |
| MOT13N50HF |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 13A 0.39 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 13A 0.39 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 2169.37 грн |
| 10+ | 312.22 грн |
| 100+ | 88.85 грн |
| 500+ | 49.36 грн |
| 1000+ | 40.58 грн |
| MOT13N50SF |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 13A 0.51 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 13A 0.51 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 2110.34 грн |
| 10+ | 278.20 грн |
| 100+ | 68.43 грн |
| 500+ | 35.95 грн |
| WMK13N50D1 |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
на замовлення 151 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 77.86 грн |
| 7+ | 60.66 грн |
| 10+ | 48.45 грн |
| 50+ | 36.40 грн |
| 100+ | 32.74 грн |
| WML13N50D1 |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 544 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 60.85 грн |
| 11+ | 41.30 грн |
| 50+ | 31.24 грн |
| 250+ | 27.50 грн |
| 500+ | 23.93 грн |
| YFW13N50AF |
Виробник: YFW
500V 13A 60W 550mOhm@10V 4V@250uA TO-220F Single FETs, MOSFETs Odpowiednik: BXP18N50F; LGE18N50F; YFW13N50AF; YFW13N50AF TO220F YFW TYFW13N50AF YFW
кількість в упаковці: 50 шт
500V 13A 60W 550mOhm@10V 4V@250uA TO-220F Single FETs, MOSFETs Odpowiednik: BXP18N50F; LGE18N50F; YFW13N50AF; YFW13N50AF TO220F YFW TYFW13N50AF YFW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 33.44 грн |
| ZXT13N50DE6TA |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 50V 4A SOT-26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 115MHz
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.1 W
Description: TRANS NPN 50V 4A SOT-26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 115MHz
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.1 W
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 98.63 грн |
| 10+ | 59.46 грн |
| 25+ | 50.08 грн |
| ZXT13N50DE6TA |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT NPN 50V Low Sat
Bipolar Transistors - BJT NPN 50V Low Sat
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FQA13N50 |
![]() |
Виробник: FAIRCHILD
09+
09+
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| FQB13N50 |
Виробник: FAIRCHILD
07+ SOT-263
07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| FQB13N50C |
Виробник: fairchild
to-263/d2-pak
to-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| IRFB13N50A |
![]() |
Виробник: IR
TO-220AB
TO-220AB
на замовлення 29270 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| IXFM13N50 |
Виробник: IXYS
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| MDP13N50TH=FQP13N50C |
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| MTM13N50 |
Виробник: MOTOROLA
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| MTM13N50E |
Виробник: MOTOROLA
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| AOTF13N50 Код товару: 180939
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| CS13N50F Код товару: 188737
Додати до обраних
Обраний товар
|
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FDPF13N50FT Код товару: 67232
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FQA13N50C Код товару: 190199
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FQP13N50 Код товару: 143458
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FQP13N50C Код товару: 152424
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FQPF13N50 Код товару: 42632
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FQPF13N50C Код товару: 130072
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FQPF13N50CF Код товару: 161545
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXFH13N50 транзистор Код товару: 79556
Додати до обраних
Обраний товар
|
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| KF13N50 Код товару: 183829
Додати до обраних
Обраний товар
|
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MDF13N50BTH Код товару: 150709
Додати до обраних
Обраний товар
|
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMK13N50D1 Код товару: 215967
Додати до обраних
Обраний товар
|
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 13_N-50-0-1/133_NE |
![]() |
Виробник: Huber + Suhner AG
Conn Type N 0Hz to 11GHz 50Ohm ST Flange Mount PL Gold Over Nickel Single
Conn Type N 0Hz to 11GHz 50Ohm ST Flange Mount PL Gold Over Nickel Single
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 13_N-50-0-23/133_NE |
Виробник: HUBER+SUHNER
RF Connectors / Coaxial Connectors
RF Connectors / Coaxial Connectors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 13_N-50-0-30/133_NE |
![]() |
Виробник: Huber + Suhner AG
Conn Type N 0Hz to 11GHz 50Ohm ST Panel Mount PL Gold Over Nickel Single
Conn Type N 0Hz to 11GHz 50Ohm ST Panel Mount PL Gold Over Nickel Single
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.


























