Результат пошуку "2N7002K" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N7002K 2N7002K ONSEMI 2n7002k-fsc-d.pdf SOT232N70S702K.pdf 2N7002K.pdf 5399_2N7002K%20SOT-23.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270mA; Idm: 5A; 420mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.27A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5A
Version: ESD
на замовлення 5008 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+18.85 грн
38+10.50 грн
59+6.83 грн
100+5.74 грн
500+3.99 грн
1000+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K 2N7002K ONSEMI 2n7002k-fsc-d.pdf SOT232N70S702K.pdf 2N7002K.pdf 5399_2N7002K%20SOT-23.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270mA; Idm: 5A; 420mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.27A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5A
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5008 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
14+22.62 грн
23+13.09 грн
50+8.19 грн
100+6.88 грн
500+4.79 грн
1000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K 2N7002K Good-Ark Semiconductor 2N7002K.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.3A, 60V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Power Dissipation (Max): 430mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
на замовлення 3121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.43 грн
160+1.99 грн
189+1.69 грн
229+1.31 грн
255+1.17 грн
500+1.09 грн
1000+1.01 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K Microdiode Electronics 2n7002k-fsc-d.pdf SOT232N70S702K.pdf 2N7002K.pdf 5399_2N7002K%20SOT-23.PDF Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4173000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6173+2.01 грн
2088000+1.83 грн
3132000+1.70 грн
Мінімальне замовлення: 6173
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K 2N7002K onsemi 2n7002k-fsc-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V
на замовлення 44450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.30 грн
40+8.11 грн
100+5.91 грн
500+5.33 грн
1000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K 2N7002K ON Semiconductor 2252010024565242n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2738+4.52 грн
2858+4.33 грн
2995+4.13 грн
3139+3.80 грн
3297+3.35 грн
Мінімальне замовлення: 2738
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K 2N7002K MULTICOMP PRO 4073559.pdf Description: MULTICOMP PRO - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 340mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro N Channel MOSFETs
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 7759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+9.17 грн
118+7.32 грн
164+5.23 грн
500+3.40 грн
1000+2.24 грн
5000+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K HT Jinyu Semiconductor 2n7002k-fsc-d.pdf SOT232N70S702K.pdf 2N7002K.pdf 5399_2N7002K%20SOT-23.PDF N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 7488000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9147+1.35 грн
60000+1.17 грн
300000+1.03 грн
Мінімальне замовлення: 9147
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K 2N7002K ON Semiconductor 2252010024565242n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.98 грн
6000+3.47 грн
9000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K 2N7002K ON Semiconductor 2252010024565242n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.55 грн
6000+4.30 грн
12000+4.17 грн
27000+3.82 грн
51000+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K 2N7002K Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. 5399_2N7002K%20SOT-23.PDF Description: 60V 300MA 350MW 3.5@10V,300MA 3V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 60 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.31 грн
6000+1.11 грн
9000+1.04 грн
15000+0.89 грн
21000+0.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K 2N7002K Good-Ark 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 17268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2320+1.49 грн
15000+1.48 грн
Мінімальне замовлення: 2320
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K 2N7002K MULTICOMP PRO 4495380.pdf Description: MULTICOMP PRO - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
222+3.86 грн
278+3.09 грн
388+2.21 грн
556+1.43 грн
1000+0.95 грн
5000+0.83 грн
Мінімальне замовлення: 222
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K 2N7002K MDD SOT232N70S702K.pdf Description: MOSFET SOT-23 N Channel 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.8 pF @ 10 V
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 12000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K 2N7002K ONSEMI ONSM-S-A0013339452-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 99820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.02 грн
1500+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K 2N7002K Good-Ark 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 17268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8929+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 8929
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K 2N7002K Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. 5399_2N7002K%20SOT-23.PDF Description: 60V 300MA 350MW 3.5@10V,300MA 3V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 60 V
на замовлення 1399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.43 грн
79+4.06 грн
129+2.48 грн
500+1.67 грн
1000+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K 2N7002K MULTICOMP PRO 4495380.pdf Description: MULTICOMP PRO - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.21 грн
556+1.43 грн
1000+0.95 грн
5000+0.83 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K 2N7002K ONSEMI ONSM-S-A0013339452-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 99820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+25.70 грн
87+9.94 грн
118+7.26 грн
500+6.02 грн
1500+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K 2N7002K Good-Ark Semiconductor 2N7002K.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.3A, 60V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Power Dissipation (Max): 430mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.05 грн
6000+0.96 грн
9000+0.94 грн
15000+0.86 грн
21000+0.85 грн
30000+0.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K 2N7002K onsemi 2n7002k-fsc-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V
на замовлення 44250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.25 грн
6000+2.92 грн
9000+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K 2N7002K ONSEMI 2n7002k-fsc-d.pdf SOT232N70S702K.pdf 2N7002K.pdf 5399_2N7002K%20SOT-23.PDF Description: ONSEMI - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K 2N7002K ON Semiconductor 2252010024565242n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 240942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6865+4.51 грн
10000+4.03 грн
100000+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 6865
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K 2N7002K ON Semiconductor 2252010024565242n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3334+3.71 грн
6000+3.23 грн
9000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 3334
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K 2N7002K ON Semiconductor 2252010024565242n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+15.03 грн
135+5.26 грн
140+5.06 грн
146+4.67 грн
250+4.14 грн
500+3.80 грн
1000+3.62 грн
3000+3.45 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K 2N7002K ON Semiconductor 2252010024565242n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6865+4.51 грн
10000+4.03 грн
Мінімальне замовлення: 6865
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K 2N7002K onsemi / Fairchild 2N7002K-FSC-D.PDF MOSFETs 60V, 300mA N-Chan
на замовлення 82622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+22.99 грн
40+8.87 грн
100+5.57 грн
500+4.96 грн
1000+4.81 грн
3000+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K MDD(Microdiode Electronics) 2n7002k-fsc-d.pdf SOT232N70S702K.pdf 2N7002K.pdf 5399_2N7002K%20SOT-23.PDF Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; ESD 2kV; 300mA; 300mW; -50°C~150°C; 2N7002K SOT23 MDD T2N7002k MDD
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+1.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K ON-Semicoductor 2n7002k-fsc-d.pdf SOT232N70S702K.pdf 2N7002K.pdf 5399_2N7002K%20SOT-23.PDF Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 2N7002K SOT23 ONS T2N7002k ONS
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K ON-Semicoductor 2n7002k-fsc-d.pdf SOT232N70S702K.pdf 2N7002K.pdf 5399_2N7002K%20SOT-23.PDF Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 2N7002K SOT23 ONS T2N7002k ONS
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 967 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.44 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K JSMicro Semiconductor 2n7002k-fsc-d.pdf SOT232N70S702K.pdf 2N7002K.pdf 5399_2N7002K%20SOT-23.PDF Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 500mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002K-7; 2N7002K,215; 2N7002K-T1-E3; 2N7002K-T1-GE3; 2N7002KT1G; 2N7002KT3G; 2N7002KT7G; 2N7002K-TP; 2N7002K JSMICRO T2N7002k JSM
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.20 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-13 DIODES INCORPORATED Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10000+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-13 2N7002K-13 Diodes Zetex 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.19 грн
20000+3.79 грн
30000+3.76 грн
40000+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-13 2N7002K-13 Diodes Zetex 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.93 грн
20000+3.55 грн
30000+3.52 грн
40000+3.35 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-13 2N7002K-13 Diodes Zetex 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.71 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-13 2N7002K-13 Diodes Zetex 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-7 2N7002K-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986B341A3FEBB38BF&compId=2N7002K.pdf?ci_sign=a5796b9e9d2ee2ff6d802b6491e2f0a7324f7c77 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; 0.37W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 4097 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
46+9.42 грн
82+4.85 грн
146+2.74 грн
248+1.61 грн
272+1.46 грн
500+1.39 грн
1000+1.30 грн
3000+1.21 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-7 2N7002K-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986B341A3FEBB38BF&compId=2N7002K.pdf?ci_sign=a5796b9e9d2ee2ff6d802b6491e2f0a7324f7c77 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; 0.37W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4097 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
28+11.31 грн
50+6.05 грн
88+3.28 грн
149+1.93 грн
250+1.76 грн
500+1.67 грн
1000+1.56 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-7 2N7002K-7 Diodes Incorporated 2N7002K.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 306000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.17 грн
6000+1.88 грн
9000+1.67 грн
15000+1.52 грн
21000+1.40 грн
30000+1.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-7 2N7002K-7 Diodes Zetex 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-7 2N7002K-7 Diodes Incorporated 2N7002K.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 306057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+12.39 грн
47+6.84 грн
100+4.24 грн
500+3.45 грн
1000+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-7 2N7002K-7 DIODES INC. DIOD-S-A0012992590-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - 2N7002K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 31665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.29 грн
1500+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-7 2N7002K-7 Diodes Incorporated 2N7002K.pdf MOSFETs N-Channel
на замовлення 100878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
29+12.30 грн
42+8.52 грн
100+4.66 грн
500+2.98 грн
1000+2.60 грн
3000+2.21 грн
6000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-7 2N7002K-7 DIODES INC. DIOD-S-A0012992590-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - 2N7002K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 31665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+14.56 грн
121+7.09 грн
165+5.21 грн
500+4.29 грн
1500+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-AU_R1_000A2 2N7002K-AU_R1_000A2 PanJit Semiconductor 2N7002K-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 2A
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-H 2N7002K-H Formosa Microsemi Co., Ltd. 2N7002K-H_REV_L.pdf Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
на замовлення 100000000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000000+0.73 грн
Мінімальне замовлення: 10000000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T 2N7002K-T Rectron 2n7002k.pdf MOSFETs MOSFET,SOT-23
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+24.06 грн
22+16.42 грн
100+9.09 грн
500+5.57 грн
1000+4.73 грн
3000+4.05 грн
6000+3.44 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-E3 2N7002K-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AEE91AFF04704143&compId=2n7002k.pdf?ci_sign=f6ef7c8e7b03b582cc01d4ae751f2afbffa91902 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 0.8A; 0.14W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Power dissipation: 0.14W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-E3 2N7002K-T1-E3 Vishay 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
596+20.79 грн
Мінімальне замовлення: 596
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-E3 2N7002K-T1-E3 VISHAY 2046060.pdf Description: VISHAY - 2N7002K-T1-E3 - N CHANNEL MOSFET, 60V, 0.5A, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+23.99 грн
63+13.71 грн
79+10.88 грн
106+7.56 грн
250+6.90 грн
500+6.83 грн
1000+6.32 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-E3 2N7002K-T1-E3 Vishay Siliconix 2n7002k.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
на замовлення 237000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.76 грн
6000+6.79 грн
9000+6.44 грн
15000+5.68 грн
21000+5.46 грн
30000+5.25 грн
75000+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-E3 2N7002K-T1-E3 Vishay Siliconix 2n7002k.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
на замовлення 239284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+21.48 грн
29+11.22 грн
100+6.54 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B372BE79E0A0C7&compId=2n7002k.pdf?ci_sign=2b3768eb8c0afdb1821adcf458f5f71283255059 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 0.8A; 0.14W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Power dissipation: 0.14W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
Version: ESD
на замовлення 4931 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+14.56 грн
39+10.34 грн
44+9.15 грн
57+7.06 грн
100+6.37 грн
500+5.04 грн
3000+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B372BE79E0A0C7&compId=2n7002k.pdf?ci_sign=2b3768eb8c0afdb1821adcf458f5f71283255059 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 0.8A; 0.14W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Power dissipation: 0.14W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4931 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
18+17.48 грн
24+12.89 грн
27+10.98 грн
50+8.48 грн
100+7.65 грн
500+6.05 грн
3000+4.71 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Vishay Semiconductors 2n7002k.pdf MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 604239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+17.64 грн
31+11.59 грн
100+6.11 грн
1000+5.73 грн
3000+4.96 грн
6000+4.58 грн
24000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010743898-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - 2N7002K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 22589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+19.62 грн
69+12.59 грн
108+7.93 грн
500+7.13 грн
1500+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010743898-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - 2N7002K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 22589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+7.13 грн
1500+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Vishay 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 837000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.82 грн
6000+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Vishay 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
820+18.15 грн
Мінімальне замовлення: 820
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Vishay 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+20.29 грн
53+13.50 грн
100+8.37 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K 2n7002k-fsc-d.pdf SOT232N70S702K.pdf 2N7002K.pdf 5399_2N7002K%20SOT-23.PDF
2N7002K
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270mA; Idm: 5A; 420mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.27A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5A
Version: ESD
на замовлення 5008 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+18.85 грн
38+10.50 грн
59+6.83 грн
100+5.74 грн
500+3.99 грн
1000+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K 2n7002k-fsc-d.pdf SOT232N70S702K.pdf 2N7002K.pdf 5399_2N7002K%20SOT-23.PDF
2N7002K
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270mA; Idm: 5A; 420mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.27A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5A
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5008 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
14+22.62 грн
23+13.09 грн
50+8.19 грн
100+6.88 грн
500+4.79 грн
1000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K 2N7002K.pdf
2N7002K
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.3A, 60V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Power Dissipation (Max): 430mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
на замовлення 3121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+7.43 грн
160+1.99 грн
189+1.69 грн
229+1.31 грн
255+1.17 грн
500+1.09 грн
1000+1.01 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K 2n7002k-fsc-d.pdf SOT232N70S702K.pdf 2N7002K.pdf 5399_2N7002K%20SOT-23.PDF
Виробник: Microdiode Electronics
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4173000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6173+2.01 грн
2088000+1.83 грн
3132000+1.70 грн
Мінімальне замовлення: 6173
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K 2n7002k-fsc-d.pdf
2N7002K
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V
на замовлення 44450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.30 грн
40+8.11 грн
100+5.91 грн
500+5.33 грн
1000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K 2252010024565242n7002k.pdf
2N7002K
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2738+4.52 грн
2858+4.33 грн
2995+4.13 грн
3139+3.80 грн
3297+3.35 грн
Мінімальне замовлення: 2738
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K 4073559.pdf
2N7002K
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 340mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro N Channel MOSFETs
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 7759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
94+9.17 грн
118+7.32 грн
164+5.23 грн
500+3.40 грн
1000+2.24 грн
5000+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K 2n7002k-fsc-d.pdf SOT232N70S702K.pdf 2N7002K.pdf 5399_2N7002K%20SOT-23.PDF
Виробник: HT Jinyu Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 7488000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9147+1.35 грн
60000+1.17 грн
300000+1.03 грн
Мінімальне замовлення: 9147
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K 2252010024565242n7002k.pdf
2N7002K
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.98 грн
6000+3.47 грн
9000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K 2252010024565242n7002k.pdf
2N7002K
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.55 грн
6000+4.30 грн
12000+4.17 грн
27000+3.82 грн
51000+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K 5399_2N7002K%20SOT-23.PDF
2N7002K
Виробник: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Description: 60V 300MA 350MW 3.5@10V,300MA 3V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 60 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.31 грн
6000+1.11 грн
9000+1.04 грн
15000+0.89 грн
21000+0.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K 2n7002k.pdf
2N7002K
Виробник: Good-Ark
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 17268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2320+1.49 грн
15000+1.48 грн
Мінімальне замовлення: 2320
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K 4495380.pdf
2N7002K
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
222+3.86 грн
278+3.09 грн
388+2.21 грн
556+1.43 грн
1000+0.95 грн
5000+0.83 грн
Мінімальне замовлення: 222
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K SOT232N70S702K.pdf
2N7002K
Виробник: MDD
Description: MOSFET SOT-23 N Channel 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.8 pF @ 10 V
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 12000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K ONSM-S-A0013339452-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N7002K
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 99820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+6.02 грн
1500+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K 2n7002k.pdf
2N7002K
Виробник: Good-Ark
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 17268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8929+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 8929
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K 5399_2N7002K%20SOT-23.PDF
2N7002K
Виробник: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Description: 60V 300MA 350MW 3.5@10V,300MA 3V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 60 V
на замовлення 1399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+7.43 грн
79+4.06 грн
129+2.48 грн
500+1.67 грн
1000+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K 4495380.pdf
2N7002K
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.21 грн
556+1.43 грн
1000+0.95 грн
5000+0.83 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K ONSM-S-A0013339452-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N7002K
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 99820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+25.70 грн
87+9.94 грн
118+7.26 грн
500+6.02 грн
1500+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K 2N7002K.pdf
2N7002K
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.3A, 60V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Power Dissipation (Max): 430mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.05 грн
6000+0.96 грн
9000+0.94 грн
15000+0.86 грн
21000+0.85 грн
30000+0.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K 2n7002k-fsc-d.pdf
2N7002K
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V
на замовлення 44250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.25 грн
6000+2.92 грн
9000+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K 2n7002k-fsc-d.pdf SOT232N70S702K.pdf 2N7002K.pdf 5399_2N7002K%20SOT-23.PDF
2N7002K
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K 2252010024565242n7002k.pdf
2N7002K
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 240942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6865+4.51 грн
10000+4.03 грн
100000+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 6865
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K 2252010024565242n7002k.pdf
2N7002K
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3334+3.71 грн
6000+3.23 грн
9000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 3334
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K 2252010024565242n7002k.pdf
2N7002K
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
48+15.03 грн
135+5.26 грн
140+5.06 грн
146+4.67 грн
250+4.14 грн
500+3.80 грн
1000+3.62 грн
3000+3.45 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K 2252010024565242n7002k.pdf
2N7002K
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6865+4.51 грн
10000+4.03 грн
Мінімальне замовлення: 6865
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K 2N7002K-FSC-D.PDF
2N7002K
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 60V, 300mA N-Chan
на замовлення 82622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+22.99 грн
40+8.87 грн
100+5.57 грн
500+4.96 грн
1000+4.81 грн
3000+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K 2n7002k-fsc-d.pdf SOT232N70S702K.pdf 2N7002K.pdf 5399_2N7002K%20SOT-23.PDF
Виробник: MDD(Microdiode Electronics)
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; ESD 2kV; 300mA; 300mW; -50°C~150°C; 2N7002K SOT23 MDD T2N7002k MDD
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K 2n7002k-fsc-d.pdf SOT232N70S702K.pdf 2N7002K.pdf 5399_2N7002K%20SOT-23.PDF
Виробник: ON-Semicoductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 2N7002K SOT23 ONS T2N7002k ONS
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K 2n7002k-fsc-d.pdf SOT232N70S702K.pdf 2N7002K.pdf 5399_2N7002K%20SOT-23.PDF
Виробник: ON-Semicoductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 2N7002K SOT23 ONS T2N7002k ONS
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 967 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+3.44 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K 2n7002k-fsc-d.pdf SOT232N70S702K.pdf 2N7002K.pdf 5399_2N7002K%20SOT-23.PDF
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 500mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002K-7; 2N7002K,215; 2N7002K-T1-E3; 2N7002K-T1-GE3; 2N7002KT1G; 2N7002KT3G; 2N7002KT7G; 2N7002K-TP; 2N7002K JSMICRO T2N7002k JSM
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+1.20 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-13 2n7002k.pdf
2N7002K-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+4.19 грн
20000+3.79 грн
30000+3.76 грн
40000+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-13 2n7002k.pdf
2N7002K-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.93 грн
20000+3.55 грн
30000+3.52 грн
40000+3.35 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-13 2n7002k.pdf
2N7002K-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.71 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-13 2n7002k.pdf
2N7002K-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986B341A3FEBB38BF&compId=2N7002K.pdf?ci_sign=a5796b9e9d2ee2ff6d802b6491e2f0a7324f7c77
2N7002K-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; 0.37W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 4097 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
46+9.42 грн
82+4.85 грн
146+2.74 грн
248+1.61 грн
272+1.46 грн
500+1.39 грн
1000+1.30 грн
3000+1.21 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986B341A3FEBB38BF&compId=2N7002K.pdf?ci_sign=a5796b9e9d2ee2ff6d802b6491e2f0a7324f7c77
2N7002K-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; 0.37W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4097 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
28+11.31 грн
50+6.05 грн
88+3.28 грн
149+1.93 грн
250+1.76 грн
500+1.67 грн
1000+1.56 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-7 2N7002K.pdf
2N7002K-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 306000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.17 грн
6000+1.88 грн
9000+1.67 грн
15000+1.52 грн
21000+1.40 грн
30000+1.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-7 2n7002k.pdf
2N7002K-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-7 2N7002K.pdf
2N7002K-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 306057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+12.39 грн
47+6.84 грн
100+4.24 грн
500+3.45 грн
1000+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-7 DIOD-S-A0012992590-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N7002K-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 2N7002K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 31665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.29 грн
1500+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-7 2N7002K.pdf
2N7002K-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs N-Channel
на замовлення 100878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
29+12.30 грн
42+8.52 грн
100+4.66 грн
500+2.98 грн
1000+2.60 грн
3000+2.21 грн
6000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-7 DIOD-S-A0012992590-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N7002K-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 2N7002K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 31665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
59+14.56 грн
121+7.09 грн
165+5.21 грн
500+4.29 грн
1500+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-AU_R1_000A2 2N7002K-AU.pdf
2N7002K-AU_R1_000A2
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 2A
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-H 2N7002K-H_REV_L.pdf
2N7002K-H
Виробник: Formosa Microsemi Co., Ltd.
Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
на замовлення 100000000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000000+0.73 грн
Мінімальне замовлення: 10000000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T 2n7002k.pdf
2N7002K-T
Виробник: Rectron
MOSFETs MOSFET,SOT-23
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+24.06 грн
22+16.42 грн
100+9.09 грн
500+5.57 грн
1000+4.73 грн
3000+4.05 грн
6000+3.44 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AEE91AFF04704143&compId=2n7002k.pdf?ci_sign=f6ef7c8e7b03b582cc01d4ae751f2afbffa91902
2N7002K-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 0.8A; 0.14W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Power dissipation: 0.14W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-E3 2n7002k.pdf
2N7002K-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
596+20.79 грн
Мінімальне замовлення: 596
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-E3 2046060.pdf
2N7002K-T1-E3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - 2N7002K-T1-E3 - N CHANNEL MOSFET, 60V, 0.5A, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
36+23.99 грн
63+13.71 грн
79+10.88 грн
106+7.56 грн
250+6.90 грн
500+6.83 грн
1000+6.32 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-E3 2n7002k.pdf
2N7002K-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
на замовлення 237000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.76 грн
6000+6.79 грн
9000+6.44 грн
15000+5.68 грн
21000+5.46 грн
30000+5.25 грн
75000+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-E3 2n7002k.pdf
2N7002K-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
на замовлення 239284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+21.48 грн
29+11.22 грн
100+6.54 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B372BE79E0A0C7&compId=2n7002k.pdf?ci_sign=2b3768eb8c0afdb1821adcf458f5f71283255059
2N7002K-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 0.8A; 0.14W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Power dissipation: 0.14W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
Version: ESD
на замовлення 4931 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+14.56 грн
39+10.34 грн
44+9.15 грн
57+7.06 грн
100+6.37 грн
500+5.04 грн
3000+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B372BE79E0A0C7&compId=2n7002k.pdf?ci_sign=2b3768eb8c0afdb1821adcf458f5f71283255059
2N7002K-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 0.8A; 0.14W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Power dissipation: 0.14W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4931 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
18+17.48 грн
24+12.89 грн
27+10.98 грн
50+8.48 грн
100+7.65 грн
500+6.05 грн
3000+4.71 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2n7002k.pdf
2N7002K-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 604239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+17.64 грн
31+11.59 грн
100+6.11 грн
1000+5.73 грн
3000+4.96 грн
6000+4.58 грн
24000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 VISH-S-A0010743898-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N7002K-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - 2N7002K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 22589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
44+19.62 грн
69+12.59 грн
108+7.93 грн
500+7.13 грн
1500+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 VISH-S-A0010743898-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N7002K-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - 2N7002K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 22589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+7.13 грн
1500+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2n7002k.pdf
2N7002K-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 837000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.82 грн
6000+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2n7002k.pdf
2N7002K-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
820+18.15 грн
Мінімальне замовлення: 820
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2n7002k.pdf
2N7002K-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
35+20.29 грн
53+13.50 грн
100+8.37 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]