Результат пошуку "2N7002K" : 59
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 14
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 200
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 500
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 28
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 18
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 18
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 16
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 11
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 38
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 43
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 300
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 22
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 500
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 500
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 19
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 18
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 500
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 34
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 300
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 200
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 300
В кошику
од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2N7002K | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270mA; Idm: 5A; 420mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.27A Pulsed drain current: 5A Power dissipation: 0.42W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4433 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| 2N7002K | ON-Semicoductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 2N7002K SOT23 ONS T2N7002k ONSкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 967 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| 2N7002K | JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 500mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002K-7; 2N7002K,215; 2N7002K-T1-E3; 2N7002K-T1-GE3; 2N7002KT1G; 2N7002KT3G; 2N7002KT7G; 2N7002K-TP; 2N7002K JSMICRO T2N7002k JSMкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| 2N7002K | MDD(Microdiode Electronics) |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; ESD 2kV; 300mA; 300mW; -50°C~150°C; 2N7002K SOT23 MDD T2N7002k MDDкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| 2N7002K | ON-Semicoductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 2N7002K SOT23 ONS T2N7002k ONSкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 38 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| 2N7002K | EASTRONIC |
N-Channel(with ESD) MOSFET 0.43A 60V 4000m? 2N7002 T2N7002 cкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| 2N7002K | FUXINSEMI |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 500mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002K-7; 2N7002K,215; 2N7002K-T1-E3; 2N7002K-T1-GE3; 2N7002KT1G; 2N7002KT3G; 2N7002KT7G; 2N7002K-TP; 2N7002K SOT23 FUXINSEMI T2N7002k FUXкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
2N7002K-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; 0.37W; SOT23; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.31A Power dissipation: 0.37W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1881 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| 2N7002K-7 | DIODES/ZETEX |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 380mA; 370mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: 2N7002K; 2N7002K-7; 2N7002K,215; 2N7002K-7-99; 2N7002K-7-F-82; 2N7002K-13; 2N7002K-TP; 2N7002K-7 T2N7002Kкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
2N7002K-AU_R1_000A2 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 2A; 500mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 2A Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
2N7002K-T1-E3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 0.8A; 0.14W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.19A Power dissipation: 0.14W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 0.8A Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
2N7002K-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 0.8A; 0.14W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.19A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.14W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4931 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2N7002K-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; 350mW; SOT23; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.34A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 978 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2N7002KDW-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 350mW Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.25A Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 0.35W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3088 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2N7002KDW-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.34A; 0.3W; SOT363; ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.34A Power dissipation: 0.3W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1853 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2N7002KQ-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; 0.37W; SOT23; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.31A Power dissipation: 0.37W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1479 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2N7002KT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.38A; 0.42W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.38A Power dissipation: 0.42W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2979 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| 2N7002KT1G | ON-Semicoductor |
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002KT1G; 2N7002K-T1-E3; 2N7002K-T1-GE3; 2N7002KT1G T2N7002kt1ge3кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 980 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
2N7002KT7G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 380mA; Idm: 5A; 420mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.38A Pulsed drain current: 5A Power dissipation: 0.42W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5375 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| 2N7002KW | ON-Semicoductor |
N-MOSFET 60V 0.31A 2N7002KW-FAI 2N7002KW-YAN 2N7002KW T2N7002kwкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| 2N7002KW | ON-Semicoductor |
N-MOSFET 60V 0.31A 2N7002KW-FAI 2N7002KW-YAN 2N7002KW T2N7002kwкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
2N7002KW-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 350mW; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.25A Power dissipation: 0.35W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 1A Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3549 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2N7002KW-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; 200mW; SOT323; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.34A Power dissipation: 0.2W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.3Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1890 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| 2N7002KWQ | YY |
N-Channel MOSFET; 60V; 340mA; 350mW; 3 Ohm; -55°C ~ 150°C; 2N7002KW-Q Yangzhou Yangjie Elec. T2N7002KW-Q YY кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 1240 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
2N7002K_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 2A; 500mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A Pulsed drain current: 2A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9055 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| 2N7002K RTK/P | SOT23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N7002K-7-F | DIODES | SOT23 |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N7002K-E1-T3 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| 2N7002K-T1 | VISHAY | 05+06+ |
на замовлення 2281850 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N7002K-T1-E3/7KZ0D | VISHAY | SOT-23 09+ |
на замовлення 21770 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N7002K/W2K | NXP | SOT-23 09+ |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N7002K7 | 2N7002K7 Транзисторы |
на замовлення 952 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N7002KDW | PANJIT |
SOT363 06+ |
на замовлення 2750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N7002KDW T/R | PANJIT | SOT-363 0810+ |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N7002KT1G | ON Semiconductor |
N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 320 мА; Ptot, Вт = 0,3; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 24,5 @ 20; Qg, нКл = 0,7 @ 4,5; Rds = 1,6 Ом @ 500 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА; SOT-23-3 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| AP2N7002K-HF | Advanced Power Electronics Corp. |
N-MOSFET 0.45A 60V 0.70W 2Ω AP2N7002K-HF-3 ADVANCED POWER TAP2N7002k-hf-3 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| TSM2N7002KCX RFG | Taiwan Semiconductor Co., Ltd. |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R TSM2N7002KCX RF TSM2N7002KCX RFG TTSM2n7002kcx кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 400 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| H2N7002KLXLT1G | SOT23 |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ME2N7002KW |
на замовлення 129000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| ME2N7002KW-G |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| S2N7002K |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| S2N7002KT |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| S2N7002KW |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| K2N7002-7-F | kuu semiconductor |
N-MOSFET Transistor; 60V; 60V; 20V; 3Ohm; 115mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002; K2N7002T-7-F; K2N7002-7-F KUU T2N7002 KUU кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
2N7002K Код товару: 36754
Додати до обраних
Обраний товар
|
Fairchild |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: SOT-23 Uds,V: 60 V Idd,A: 0,3 A Rds(on), Ohm: 2 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 50/- Монтаж: SMD |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
2N7002KW Код товару: 128158
Додати до обраних
Обраний товар
|
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. |
| 2N7002K |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270mA; Idm: 5A; 420mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.27A
Pulsed drain current: 5A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270mA; Idm: 5A; 420mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.27A
Pulsed drain current: 5A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4433 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 22.99 грн |
| 23+ | 13.30 грн |
| 50+ | 8.33 грн |
| 100+ | 7.00 грн |
| 500+ | 4.87 грн |
| 1000+ | 4.31 грн |
| 2N7002K |
![]() |
Виробник: ON-Semicoductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 2N7002K SOT23 ONS T2N7002k ONS
кількість в упаковці: 100 шт
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 2N7002K SOT23 ONS T2N7002k ONS
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 967 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 3.14 грн |
| 2N7002K |
![]() |
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 500mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002K-7; 2N7002K,215; 2N7002K-T1-E3; 2N7002K-T1-GE3; 2N7002KT1G; 2N7002KT3G; 2N7002KT7G; 2N7002K-TP; 2N7002K JSMICRO T2N7002k JSM
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 500mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002K-7; 2N7002K,215; 2N7002K-T1-E3; 2N7002K-T1-GE3; 2N7002KT1G; 2N7002KT3G; 2N7002KT7G; 2N7002K-TP; 2N7002K JSMICRO T2N7002k JSM
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 1.21 грн |
| 2N7002K |
![]() |
Виробник: MDD(Microdiode Electronics)
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; ESD 2kV; 300mA; 300mW; -50°C~150°C; 2N7002K SOT23 MDD T2N7002k MDD
кількість в упаковці: 3000 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; ESD 2kV; 300mA; 300mW; -50°C~150°C; 2N7002K SOT23 MDD T2N7002k MDD
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.07 грн |
| 2N7002K |
![]() |
Виробник: ON-Semicoductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 2N7002K SOT23 ONS T2N7002k ONS
кількість в упаковці: 100 шт
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 2N7002K SOT23 ONS T2N7002k ONS
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 5.69 грн |
| 2N7002K |
![]() |
Виробник: EASTRONIC
N-Channel(with ESD) MOSFET 0.43A 60V 4000m? 2N7002 T2N7002 c
кількість в упаковці: 3000 шт
N-Channel(with ESD) MOSFET 0.43A 60V 4000m? 2N7002 T2N7002 c
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 0.53 грн |
| 2N7002K |
![]() |
Виробник: FUXINSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 500mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002K-7; 2N7002K,215; 2N7002K-T1-E3; 2N7002K-T1-GE3; 2N7002KT1G; 2N7002KT3G; 2N7002KT7G; 2N7002K-TP; 2N7002K SOT23 FUXINSEMI T2N7002k FUX
кількість в упаковці: 3000 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 500mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002K-7; 2N7002K,215; 2N7002K-T1-E3; 2N7002K-T1-GE3; 2N7002KT1G; 2N7002KT3G; 2N7002KT7G; 2N7002K-TP; 2N7002K SOT23 FUXINSEMI T2N7002k FUX
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 0.75 грн |
| 2N7002K-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; 0.37W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; 0.37W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1881 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 11.50 грн |
| 50+ | 6.15 грн |
| 88+ | 3.34 грн |
| 149+ | 1.96 грн |
| 250+ | 1.79 грн |
| 500+ | 1.70 грн |
| 1000+ | 1.58 грн |
| 2N7002K-7 |
![]() |
Виробник: DIODES/ZETEX
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 380mA; 370mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: 2N7002K; 2N7002K-7; 2N7002K,215; 2N7002K-7-99; 2N7002K-7-F-82; 2N7002K-13; 2N7002K-TP; 2N7002K-7 T2N7002K
кількість в упаковці: 3000 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 380mA; 370mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: 2N7002K; 2N7002K-7; 2N7002K,215; 2N7002K-7-99; 2N7002K-7-F-82; 2N7002K-13; 2N7002K-TP; 2N7002K-7 T2N7002K
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.25 грн |
| 2N7002K-AU_R1_000A2 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 2A
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 2A
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2N7002K-T1-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 0.8A; 0.14W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Power dissipation: 0.14W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 0.8A; 0.14W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Power dissipation: 0.14W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2N7002K-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 0.8A; 0.14W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.14W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 0.8A; 0.14W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.14W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4931 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 17.77 грн |
| 24+ | 13.10 грн |
| 27+ | 11.16 грн |
| 50+ | 8.62 грн |
| 100+ | 7.77 грн |
| 500+ | 6.15 грн |
| 3000+ | 4.78 грн |
| 2N7002K-TP |
![]() |
Виробник: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; 350mW; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; 350mW; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 978 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 17.77 грн |
| 27+ | 11.29 грн |
| 50+ | 7.43 грн |
| 100+ | 6.29 грн |
| 500+ | 4.29 грн |
| 1000+ | 3.65 грн |
| 3000+ | 2.96 грн |
| 2N7002KDW-AU_R1_000A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.25A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.25A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3088 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 19.86 грн |
| 25+ | 12.40 грн |
| 100+ | 7.43 грн |
| 250+ | 6.07 грн |
| 500+ | 5.18 грн |
| 1000+ | 4.40 грн |
| 3000+ | 3.40 грн |
| 2N7002KDW-TP |
![]() |
Виробник: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.34A; 0.3W; SOT363; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.34A; 0.3W; SOT363; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1853 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.26 грн |
| 14+ | 21.97 грн |
| 100+ | 12.42 грн |
| 500+ | 8.64 грн |
| 1000+ | 7.57 грн |
| 3000+ | 6.40 грн |
| 2N7002KQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; 0.37W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; 0.37W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1479 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 8.36 грн |
| 43+ | 7.05 грн |
| 47+ | 6.31 грн |
| 100+ | 5.16 грн |
| 500+ | 4.20 грн |
| 1000+ | 3.85 грн |
| 3000+ | 3.38 грн |
| 2N7002KT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.38A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.38A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.38A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.38A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2979 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 43+ | 7.32 грн |
| 63+ | 4.84 грн |
| 67+ | 4.40 грн |
| 84+ | 3.49 грн |
| 100+ | 3.06 грн |
| 500+ | 2.31 грн |
| 1000+ | 2.08 грн |
| 2N7002KT1G |
![]() |
Виробник: ON-Semicoductor
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002KT1G; 2N7002K-T1-E3; 2N7002K-T1-GE3; 2N7002KT1G T2N7002kt1ge3
кількість в упаковці: 100 шт
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002KT1G; 2N7002K-T1-E3; 2N7002K-T1-GE3; 2N7002KT1G T2N7002kt1ge3
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 980 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 300+ | 1.98 грн |
| 2N7002KT7G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 380mA; Idm: 5A; 420mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.38A
Pulsed drain current: 5A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 380mA; Idm: 5A; 420mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.38A
Pulsed drain current: 5A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5375 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 14.63 грн |
| 36+ | 8.46 грн |
| 100+ | 3.96 грн |
| 250+ | 3.12 грн |
| 500+ | 2.70 грн |
| 1000+ | 2.39 грн |
| 3500+ | 2.31 грн |
| 2N7002KW |
![]() |
Виробник: ON-Semicoductor
N-MOSFET 60V 0.31A 2N7002KW-FAI 2N7002KW-YAN 2N7002KW T2N7002kw
кількість в упаковці: 500 шт
N-MOSFET 60V 0.31A 2N7002KW-FAI 2N7002KW-YAN 2N7002KW T2N7002kw
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 5.33 грн |
| 2N7002KW |
![]() |
Виробник: ON-Semicoductor
N-MOSFET 60V 0.31A 2N7002KW-FAI 2N7002KW-YAN 2N7002KW T2N7002kw
кількість в упаковці: 500 шт
N-MOSFET 60V 0.31A 2N7002KW-FAI 2N7002KW-YAN 2N7002KW T2N7002kw
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 5.33 грн |
| 2N7002KW-AU_R1_000A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 350mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.25A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1A
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 350mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.25A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1A
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3549 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 16.72 грн |
| 23+ | 13.30 грн |
| 100+ | 6.97 грн |
| 500+ | 4.14 грн |
| 1000+ | 3.41 грн |
| 3000+ | 2.64 грн |
| 6000+ | 2.32 грн |
| 2N7002KW-TP |
![]() |
Виробник: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; 200mW; SOT323; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; 200mW; SOT323; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 17.77 грн |
| 27+ | 11.29 грн |
| 50+ | 7.47 грн |
| 100+ | 6.37 грн |
| 500+ | 4.41 грн |
| 1000+ | 3.77 грн |
| 3000+ | 3.16 грн |
| 2N7002KWQ |
Виробник: YY
N-Channel MOSFET; 60V; 340mA; 350mW; 3 Ohm; -55°C ~ 150°C; 2N7002KW-Q Yangzhou Yangjie Elec. T2N7002KW-Q YY
кількість в упаковці: 500 шт
N-Channel MOSFET; 60V; 340mA; 350mW; 3 Ohm; -55°C ~ 150°C; 2N7002KW-Q Yangzhou Yangjie Elec. T2N7002KW-Q YY
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 1.25 грн |
| 2N7002K_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9055 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 34+ | 9.41 грн |
| 49+ | 6.25 грн |
| 100+ | 3.57 грн |
| 500+ | 2.46 грн |
| 1000+ | 2.12 грн |
| 3000+ | 1.68 грн |
| 6000+ | 1.53 грн |
| 2N7002K RTK/P |
SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| 2N7002K-7-F |
Виробник: DIODES
SOT23
SOT23
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| 2N7002K-T1 |
Виробник: VISHAY
05+06+
05+06+
на замовлення 2281850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| 2N7002K-T1-E3/7KZ0D |
Виробник: VISHAY
SOT-23 09+
SOT-23 09+
на замовлення 21770 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| 2N7002K/W2K |
Виробник: NXP
SOT-23 09+
SOT-23 09+
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| 2N7002K7 |
2N7002K7 Транзисторы
на замовлення 952 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| 2N7002KDW |
![]() |
Виробник: PANJIT
SOT363 06+
SOT363 06+
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| 2N7002KDW T/R |
Виробник: PANJIT
SOT-363 0810+
SOT-363 0810+
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| 2N7002KT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 320 мА; Ptot, Вт = 0,3; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 24,5 @ 20; Qg, нКл = 0,7 @ 4,5; Rds = 1,6 Ом @ 500 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА; SOT-23-3
N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 320 мА; Ptot, Вт = 0,3; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 24,5 @ 20; Qg, нКл = 0,7 @ 4,5; Rds = 1,6 Ом @ 500 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА; SOT-23-3
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| AP2N7002K-HF |
Виробник: Advanced Power Electronics Corp.
N-MOSFET 0.45A 60V 0.70W 2Ω AP2N7002K-HF-3 ADVANCED POWER TAP2N7002k-hf-3
кількість в упаковці: 100 шт
N-MOSFET 0.45A 60V 0.70W 2Ω AP2N7002K-HF-3 ADVANCED POWER TAP2N7002k-hf-3
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 300+ | 2.25 грн |
| TSM2N7002KCX RFG |
Виробник: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R TSM2N7002KCX RF TSM2N7002KCX RFG TTSM2n7002kcx
кількість в упаковці: 100 шт
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R TSM2N7002KCX RF TSM2N7002KCX RFG TTSM2n7002kcx
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 400 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 4.52 грн |
| H2N7002KLXLT1G |
SOT23
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| K2N7002-7-F |
Виробник: kuu semiconductor
N-MOSFET Transistor; 60V; 60V; 20V; 3Ohm; 115mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002; K2N7002T-7-F; K2N7002-7-F KUU T2N7002 KUU
кількість в упаковці: 100 шт
N-MOSFET Transistor; 60V; 60V; 20V; 3Ohm; 115mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002; K2N7002T-7-F; K2N7002-7-F KUU T2N7002 KUU
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 300+ | 2.13 грн |
| 2N7002K Код товару: 36754
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Fairchild
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,3 A
Rds(on), Ohm: 2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 50/-
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,3 A
Rds(on), Ohm: 2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 50/-
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.








