Результат пошуку "50N06" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQP50N06 FQP50N06
Код товару: 31258
Додати до обраних Обраний товар

Fairchild fqp50n06-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1180/31
Монтаж: THT
у наявності: 2 шт
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+44.00 грн
10+39.60 грн
100+35.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06C FQP50N06C
Код товару: 205802
Додати до обраних Обраний товар

JSMSemi Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Монтаж: THT
у наявності: 140 шт
123 шт - склад
17 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+33.00 грн
10+29.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N06LE RFP50N06LE
Код товару: 189268
Додати до обраних Обраний товар

JSMICRO JSM50N06C_TO-220AB.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Монтаж: THT
у наявності: 65 шт
38 шт - склад
9 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+49.00 грн
10+44.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1 DI050N06D1 DIOTEC SEMICONDUCTOR di050n06d1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 30A; Idm: 160A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+53.51 грн
11+37.00 грн
47+19.04 грн
130+17.97 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1 DI050N06D1 DIOTEC SEMICONDUCTOR di050n06d1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 30A; Idm: 160A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3428 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+64.22 грн
10+46.11 грн
47+22.84 грн
130+21.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DIT050N06 DIT050N06 DIOTEC SEMICONDUCTOR dit050n06.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 90A; 85W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 85W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+46.10 грн
13+30.43 грн
41+22.09 грн
112+20.87 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DIT050N06 DIT050N06 DIOTEC SEMICONDUCTOR dit050n06.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 90A; 85W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 85W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 453 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+55.33 грн
8+37.92 грн
41+26.51 грн
112+25.04 грн
500+24.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06 ON-Semicoductor fqp50n06-d.pdf N-MOSFET 50A 60V 120W 0.022Ω FQP50N06 TFQP50n06
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+40.98 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06 JSMicro Semiconductor fqp50n06-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 22mOhm; 50A; 120W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FQP50N06 Onsemi; FQP50N06 JSMICRO TFQP50n06 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+20.49 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06 ON-Semicoductor fqp50n06-d.pdf N-MOSFET 50A 60V 120W 0.022Ω FQP50N06 TFQP50n06
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+40.98 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06L ON-Semicoductor fqp50n06l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 52,4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP50N06L TFQP50n06l
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+51.69 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06LGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD350N06LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 116A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+86.45 грн
10+51.07 грн
35+26.30 грн
94+24.85 грн
1000+24.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06LGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD350N06LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 116A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1677 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+103.74 грн
10+63.64 грн
35+31.56 грн
94+29.82 грн
1000+28.81 грн
2500+28.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES IPD50N06S4L12.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2051 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+88.92 грн
7+55.96 грн
20+45.10 грн
55+42.66 грн
500+41.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES IPD50N06S4L12.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2051 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+106.70 грн
5+69.74 грн
20+54.13 грн
55+51.19 грн
500+49.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N06 RFP50N06 ONSEMI RFP50N06.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 131W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.78 грн
4+116.20 грн
10+104.73 грн
11+89.45 грн
28+84.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N06 RFP50N06 ONSEMI RFP50N06.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 131W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+168.94 грн
3+144.81 грн
10+125.68 грн
11+107.33 грн
28+100.91 грн
250+97.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N06 ON-Semicoductor rfp50n06-d.pdf FAIRS45482-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw N-MOSFET 50A 60V 0.022Ω RFP50N06 TRFP50N06
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 68 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+80.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
STP50N06 ST MICROELECTRONICS -n 60V 0.028 50.0A 125W TO-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
4+64.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-E3 SUD50N06-09L-E3 VISHAY SUD50N06-09L-E3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 136W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+137.49 грн
13+70.33 грн
35+66.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-E3 SUD50N06-09L-E3 VISHAY SUD50N06-09L-E3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 136W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 131 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+164.99 грн
13+87.65 грн
35+79.81 грн
10000+78.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-E3 Siliconix sud50n06.pdf N-MOSFET 60V 50A 9.3mΩ 136W SUD50N06-09L-E3 Vishay TSUD50N06-09L
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+72.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TSM850N06CX RFG TSM850N06CX RFG TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM850N06CX_C1811.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.3A; 300mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+42.81 грн
16+25.38 грн
55+16.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TSM850N06CX RPG Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 3A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; TSM850N06CX RFG TSM850N06CX TTSM850n06cx
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+11.13 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
WMO50N06TS WMO50N06TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 69.4W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 69.4W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+31.29 грн
26+15.14 грн
29+13.61 грн
82+11.01 грн
224+10.40 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
YFW50N06AD YFW TO-252 MOSFETs Podobny do: CJ CJU20N06AYFW; YFW50N06AD; TECH PUBLIC NTD5867NLT4G; ONSEMI NTD5867NLT4G; VBSEMI NTD5867NLT4G-VB; HXY MOSFET NTD5867NLT4G-HXY; UMW NTD5867NLT4G(UMW); NTD5867NLT4G TNTD5867nl c
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+9.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий FQP50N06L 52.4A 60V N-ch TO-220
на замовлення 63 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
5+126.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N-060 module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N-060 fuji
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N-060 FUJI 150A/600V/IGBT/2U
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N-060 FUJI .
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N-060 FUJI A4-3
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N-060 FUJI 03+ A3-5
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N-060 FUJI MODULE
на замовлення 546 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N-060 FUJI 150A/600V IGBT MODULE
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N-060??? FUJI IGBT 150A600V2U
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N060 FUJI description MODULE
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI50N-060 FUJI MODULE
на замовлення 417 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI50N-060 FUJI .
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI50N-060 module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI50N-060 FUJI 50A/600V/IGBT/2U
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI50N-060 FUJI A4-3
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI50N-060 FUJI
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBR50N-060 FUJI MODULE
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
6MBI50N-060 FUJI MODULE
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
7MBI50N-060 FUJI MODULE
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CEP50N06
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
D50N06EL TO-252
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DD350N06K EUPEC 05+
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DIT050N06 DIOTEC dit050n06.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube ODPOWIEDNIK: DIT050N06-DIO; DIT050N06 TDIT050n06
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DT250N06KOF EUPEC 05+
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB50N06 FAIRCHILD SOT-263
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB50N06 FAIRCHILD TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB50N06 FAIRCHILD
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB50N06 fairchild to-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB50N06 FAIRCHILD 07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB50N06L FAIRCHILD SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB50N06L FAIRCHILD TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB50N06L fairchild to-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB50N06L FAIRCHILD 07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06
Код товару: 31258
Додати до обраних Обраний товар

fqp50n06-d.pdf
FQP50N06
Виробник: Fairchild
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1180/31
Монтаж: THT
у наявності: 2 шт
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість Ціна
1+44.00 грн
10+39.60 грн
100+35.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06C
Код товару: 205802
Додати до обраних Обраний товар

FQP50N06C
Виробник: JSMSemi
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Монтаж: THT
у наявності: 140 шт
123 шт - склад
17 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+33.00 грн
10+29.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N06LE
Код товару: 189268
Додати до обраних Обраний товар

JSM50N06C_TO-220AB.pdf
RFP50N06LE
Виробник: JSMICRO
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Монтаж: THT
у наявності: 65 шт
38 шт - склад
9 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+49.00 грн
10+44.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1 di050n06d1.pdf
DI050N06D1
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 30A; Idm: 160A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+53.51 грн
11+37.00 грн
47+19.04 грн
130+17.97 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1 di050n06d1.pdf
DI050N06D1
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 30A; Idm: 160A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3428 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.22 грн
10+46.11 грн
47+22.84 грн
130+21.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DIT050N06 dit050n06.pdf
DIT050N06
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 90A; 85W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 85W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+46.10 грн
13+30.43 грн
41+22.09 грн
112+20.87 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DIT050N06 dit050n06.pdf
DIT050N06
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 90A; 85W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 85W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 453 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.33 грн
8+37.92 грн
41+26.51 грн
112+25.04 грн
500+24.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06 fqp50n06-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
N-MOSFET 50A 60V 120W 0.022Ω FQP50N06 TFQP50n06
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+40.98 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06 fqp50n06-d.pdf
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 22mOhm; 50A; 120W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FQP50N06 Onsemi; FQP50N06 JSMICRO TFQP50n06 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+20.49 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06 fqp50n06-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
N-MOSFET 50A 60V 120W 0.022Ω FQP50N06 TFQP50n06
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+40.98 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06L fqp50n06l-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
Trans MOSFET N-CH 60V 52,4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP50N06L TFQP50n06l
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+51.69 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06LG-DTE.pdf
IPD350N06LGBTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 116A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+86.45 грн
10+51.07 грн
35+26.30 грн
94+24.85 грн
1000+24.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06LG-DTE.pdf
IPD350N06LGBTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 116A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1677 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+103.74 грн
10+63.64 грн
35+31.56 грн
94+29.82 грн
1000+28.81 грн
2500+28.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12.pdf
IPD50N06S4L12ATMA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2051 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+88.92 грн
7+55.96 грн
20+45.10 грн
55+42.66 грн
500+41.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12.pdf
IPD50N06S4L12ATMA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2051 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+106.70 грн
5+69.74 грн
20+54.13 грн
55+51.19 грн
500+49.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N06 RFP50N06.pdf
RFP50N06
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 131W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.78 грн
4+116.20 грн
10+104.73 грн
11+89.45 грн
28+84.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N06 RFP50N06.pdf
RFP50N06
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 131W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+168.94 грн
3+144.81 грн
10+125.68 грн
11+107.33 грн
28+100.91 грн
250+97.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N06 rfp50n06-d.pdf FAIRS45482-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ON-Semicoductor
N-MOSFET 50A 60V 0.022Ω RFP50N06 TRFP50N06
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 68 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+80.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
STP50N06
Виробник: ST MICROELECTRONICS
-n 60V 0.028 50.0A 125W TO-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
4+64.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-E3 SUD50N06-09L-E3.pdf
SUD50N06-09L-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 136W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.49 грн
13+70.33 грн
35+66.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-E3 SUD50N06-09L-E3.pdf
SUD50N06-09L-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 136W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 131 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+164.99 грн
13+87.65 грн
35+79.81 грн
10000+78.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-E3 sud50n06.pdf
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 60V 50A 9.3mΩ 136W SUD50N06-09L-E3 Vishay TSUD50N06-09L
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+72.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TSM850N06CX RFG TSM850N06CX_C1811.pdf
TSM850N06CX RFG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.3A; 300mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+42.81 грн
16+25.38 грн
55+16.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TSM850N06CX RPG
Виробник: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 3A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; TSM850N06CX RFG TSM850N06CX TTSM850n06cx
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+11.13 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
WMO50N06TS
WMO50N06TS
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 69.4W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 69.4W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+31.29 грн
26+15.14 грн
29+13.61 грн
82+11.01 грн
224+10.40 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
YFW50N06AD
Виробник: YFW
TO-252 MOSFETs Podobny do: CJ CJU20N06AYFW; YFW50N06AD; TECH PUBLIC NTD5867NLT4G; ONSEMI NTD5867NLT4G; VBSEMI NTD5867NLT4G-VB; HXY MOSFET NTD5867NLT4G-HXY; UMW NTD5867NLT4G(UMW); NTD5867NLT4G TNTD5867nl c
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+9.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий FQP50N06L 52.4A 60V N-ch TO-220
на замовлення 63 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
5+126.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N-060
Виробник: module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N-060
Виробник: fuji
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N-060
Виробник: FUJI
150A/600V/IGBT/2U
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N-060
Виробник: FUJI
.
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N-060
Виробник: FUJI
A4-3
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N-060
Виробник: FUJI
03+ A3-5
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N-060
Виробник: FUJI
MODULE
на замовлення 546 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N-060
Виробник: FUJI
150A/600V IGBT MODULE
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N-060???
Виробник: FUJI IGBT
150A600V2U
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N060 description
Виробник: FUJI
MODULE
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI50N-060
Виробник: FUJI
MODULE
на замовлення 417 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI50N-060
Виробник: FUJI
.
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI50N-060
Виробник: module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI50N-060
Виробник: FUJI
50A/600V/IGBT/2U
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI50N-060
Виробник: FUJI
A4-3
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI50N-060
Виробник: FUJI
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBR50N-060
Виробник: FUJI
MODULE
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
6MBI50N-060
Виробник: FUJI
MODULE
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
7MBI50N-060
Виробник: FUJI
MODULE
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CEP50N06
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
D50N06EL
TO-252
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DD350N06K
Виробник: EUPEC
05+
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DIT050N06 dit050n06.pdf
Виробник: DIOTEC
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube ODPOWIEDNIK: DIT050N06-DIO; DIT050N06 TDIT050n06
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DT250N06KOF
Виробник: EUPEC
05+
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB50N06
Виробник: FAIRCHILD
SOT-263
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB50N06
Виробник: FAIRCHILD
TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB50N06
Виробник: FAIRCHILD
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB50N06
Виробник: fairchild
to-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB50N06
Виробник: FAIRCHILD
07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB50N06L
Виробник: FAIRCHILD
SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB50N06L
Виробник: FAIRCHILD
TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB50N06L
Виробник: fairchild
to-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB50N06L
Виробник: FAIRCHILD
07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]