Результат пошуку "7N60" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SPW47N60C3 SPW47N60C3
Код товару: 43153
Додати до обраних Обраний товар

Infineon Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 650 V
Idd,A: 47 A
Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 6800/24
Монтаж: THT
у наявності: 43 шт
23 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Харків
6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+299.00 грн
10+275.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SSS7N60B SSS7N60B
Код товару: 32907
Додати до обраних Обраний товар

Fairchild SSP7N60Buii.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 600 V
Idd,A: 7 А
Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1380/38
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 9 шт
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+38.00 грн
10+34.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
7N60 to-220/f AAT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
7N60 SMFSC°ЧЖ¬
на замовлення 175000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
7N60 AAT TO-220/F 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF7N60FD AOTF7N60FD ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A3F356F76D8D0A50&compId=AOTF7N60FD-DTE.pdf?ci_sign=9a9a39556fa518f56cc265c78dcf299df26db0a5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.7A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.7A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+56.72 грн
9+47.79 грн
25+42.60 грн
26+36.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF7N60FD AOTF7N60FD ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A3F356F76D8D0A50&compId=AOTF7N60FD-DTE.pdf?ci_sign=9a9a39556fa518f56cc265c78dcf299df26db0a5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.7A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.7A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+59.56 грн
25+51.12 грн
26+44.14 грн
70+41.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
APT77N60SC6/TR APT77N60SC6/TR Microchip Technology 77173-apt77n60bc6-apt77n60sc6-datasheet Description: MOSFET N-CH 600V 77A D3PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 44.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.96mA
Supplier Device Package: D3Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1085.65 грн
100+1036.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
D2FC-F-7N(60M) D2FC-F-7N(60M) OMRON Electronic Components pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF8BDF8DA33144C0D6&compId=D2FC_Data_Sheet.pdf?ci_sign=bf5b581921add8fc788ed47c318e8d9cf8146047 Category: Microswitches SNAP ACTION
Description: Microswitch SNAP ACTION; 0.001A/6VDC; without lever; SPST-NO
Type of switch: microswitch SNAP ACTION
IP rating: IP40
Switching method: OFF-(ON)
Actuator colour: orange
Mounting: PCB
Contact material: silver
Contacts configuration: SPST-NO
Switches features: without lever
Operating temperature: -25...65°C
DC contacts rating @R: 0.001A / 6V DC
Terminal pitch: 5.08mm
Body dimensions: 12.8x5.8x6.5mm
Max. contact resistance:: 100mΩ
Operating Force: 0.59N
Stable positions number: 1
Number of positions: 2
Mechanical durability: 60000000 cycles
Manufacturer series: D2FC
Min. insulation resistance: 0.1GΩ
Leads: for PCB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 816 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+52.82 грн
10+47.31 грн
25+42.92 грн
30+37.64 грн
82+35.56 грн
500+34.62 грн
1000+34.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
D2FC-F-7N(60M) D2FC-F-7N(60M) Omron Electronics Inc-EMC Div D2FC_Datasheet_EN.pdf Description: SWITCH SNP ACT SPST-NO 0.001A 6V
Packaging: Bag
Current Rating (Amps): 1mA (DC)
Mounting Type: Through Hole
Circuit: SPST-NO
Switch Function: Off-Mom
Operating Temperature: -25°C ~ 65°C
Termination Style: PC Pin
Actuator Type: Round (Pin Plunger)
Operating Force: 60gf
Ingress Protection: IP40
Mechanical Life: 60,000,000 Cycles
Electrical Life: 60,000,000 Cycles
Release Force: 24gf
Differential Travel: 0.005" (0.13mm)
Overtravel: 0.008" (0.2mm)
Operating Position: 0.272" (6.9mm)
Part Status: Active
Voltage Rating - DC: 6 V
на замовлення 1155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.61 грн
10+40.40 грн
25+37.45 грн
50+33.21 грн
100+31.37 грн
250+29.10 грн
500+27.04 грн
1000+25.54 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
D2FC-F-7N(60M) D2FC-F-7N(60M) Omron Electronics Omron_D2FC_Datasheet_EN.pdf Basic / Snap Action Switches Ultra Subminiature 0.59N OF, 60M ops, Orange Mechanical mouse switch
на замовлення 1068 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+47.72 грн
11+33.50 грн
25+28.07 грн
50+27.84 грн
1000+27.77 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FCA47N60 FCA47N60 onsemi fca47n60_f109-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+820.36 грн
30+516.14 грн
120+480.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCA47N60 FCA47N60 onsemi / Fairchild B15A2BD41949AFC6F88C14520E441FCF72144731A664F58685575C031FC409F0.pdf MOSFETs 650V SUPER FET
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+808.18 грн
10+552.79 грн
120+471.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCA47N60-F109 FCA47N60-F109 onsemi fca47n60_f109-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+868.52 грн
30+503.67 грн
120+430.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCA47N60-F109 FCA47N60-F109 onsemi / Fairchild FCA47N60-F109-D.PDF MOSFETs 650V SUPER FET
на замовлення 721 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+938.48 грн
10+557.12 грн
120+452.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCA47N60-F109 FCA47N60-F109 onsemi fca47n60_f109-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+868.52 грн
30+496.55 грн
120+460.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCA47N60F FCA47N60F onsemi / Fairchild FCA47N60F-D.PDF MOSFETs 47A, 600V SuperFET
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+891.82 грн
10+627.42 грн
120+524.45 грн
510+476.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCA47N60F FCA47N60F onsemi fca47n60f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 9021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+833.42 грн
30+566.95 грн
120+545.15 грн
510+464.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM FCD7N60TM onsemi fcd7n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+66.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM FCD7N60TM onsemi / Fairchild 2E2529FDA38CD86C967CD5836522AF0BCBF0E0058D37F814215F16872599FDDE.pdf MOSFETs N-CH/600V/7A SuperFET
на замовлення 13709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+211.29 грн
10+145.79 грн
100+72.67 грн
500+70.71 грн
1000+68.82 грн
2500+63.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM FCD7N60TM onsemi fcd7n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
на замовлення 4275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.17 грн
10+134.10 грн
100+78.40 грн
500+73.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM-WS FCD7N60TM-WS onsemi / Fairchild FCD7N60-D.pdf MOSFETs Trans N-Ch 600V 7A 3-Pin 2+Tab
на замовлення 1794 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+130.30 грн
10+100.66 грн
100+78.48 грн
500+72.06 грн
1000+70.71 грн
2500+66.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM-WS FCD7N60TM-WS onsemi fcd7n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
на замовлення 1210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.50 грн
10+99.04 грн
100+81.15 грн
500+69.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60-F133 FCH47N60-F133 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB05BED455E28&compId=FCH47N60.pdf?ci_sign=8cf7f083c25c82e6ba609600be48702e5a386292 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperFET®
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+772.02 грн
2+684.65 грн
4+646.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60-F133 FCH47N60-F133 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB05BED455E28&compId=FCH47N60.pdf?ci_sign=8cf7f083c25c82e6ba609600be48702e5a386292 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+926.42 грн
2+853.17 грн
4+776.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60-F133 FCH47N60-F133 onsemi / Fairchild FCH47N60-D.PDF MOSFETs 600V N-Channel MOSFET
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+732.47 грн
10+535.43 грн
120+427.86 грн
510+427.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60-F133 FCH47N60-F133 onsemi fch47n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+677.51 грн
30+483.50 грн
120+444.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60F-F133
+1
 		FCH47N60F-F133 ONSEMI fch47n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; Idm: 141A; 417W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 141A
Power dissipation: 417W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+843.97 грн
2+670.50 грн
4+633.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60F-F133 FCH47N60F-F133 onsemi fch47n60f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 20250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+875.87 грн
30+547.46 грн
120+523.34 грн
510+438.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60F-F133 FCH47N60F-F133 onsemi / Fairchild FCH47N60F-D.PDF MOSFETs 600V N-Channel MOSFET
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+938.48 грн
10+603.12 грн
120+513.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCI7N60 FCI7N60 onsemi / Fairchild FCI7N60-D.pdf MOSFETs HIGH POWER
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+215.69 грн
10+167.48 грн
100+102.63 грн
500+88.29 грн
1000+86.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCI7N60 FCI7N60 onsemi fci7n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
на замовлення 3938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.07 грн
10+154.07 грн
100+108.66 грн
500+91.16 грн
1000+83.98 грн
2000+80.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP7N60 FCP7N60 onsemi / Fairchild 59BAF9EA03DBE6B8CA8037C995EC24F3B9FBF45A31223B6786DC12B021A70A3E.pdf MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
на замовлення 1997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+259.71 грн
10+123.23 грн
100+100.36 грн
500+80.74 грн
1000+74.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP7N60 FCP7N60 onsemi fcpf7n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.99 грн
50+111.07 грн
100+105.01 грн
500+80.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF17N60NT FDPF17N60NT onsemi fdpf17n60nt-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 17A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V
на замовлення 3005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.01 грн
50+127.92 грн
100+122.42 грн
500+102.14 грн
1000+101.27 грн
2000+92.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF17N60NT FDPF17N60NT onsemi / Fairchild FDPF17N60NT-D.PDF MOSFETs UniFET2 600V
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+249.15 грн
10+141.45 грн
100+116.96 грн
500+108.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF7N60NZT FDPF7N60NZT onsemi FDPF7N60NZ-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 25 V
на замовлення 16758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
354+59.52 грн
Мінімальне замовлення: 354
В кошику  од. на суму  грн.
FDU7N60NZTU Fairchild fdu7n60nztu-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK FDU7N60NZTU TFDU7n60nztu
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+36.50 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDU7N60NZTU Fairchild fdu7n60nztu-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK FDU7N60NZTU TFDU7n60nztu
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+36.50 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FGPF7N60LSDTU FGPF7N60LSDTU Fairchild Semiconductor FAIRS25183-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 14A TO-220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-220F-3
Td (on/off) @ 25°C: 120ns/410ns
Switching Energy: 270µJ (on), 3.8mJ (off)
Test Condition: 300V, 7A, 470Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A
Power - Max: 45 W
на замовлення 4927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+46.91 грн
Мінімальне замовлення: 446
В кошику  од. на суму  грн.
FGPF7N60RUFDTU FGPF7N60RUFDTU Fairchild Semiconductor FAIRS24360-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 14A TO-220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-220F-3
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/60ns
Switching Energy: 230µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 300V, 7A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A
Power - Max: 41 W
на замовлення 1323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
486+43.41 грн
Мінімальне замовлення: 486
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP27N60KPBF IRFP27N60KPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A789AEBF12325E27&compId=IRFP27N60-DTE.pdf?ci_sign=7a8a5c491d546571c742be68e4a2b76adf96ae5f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 500W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 500W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+762.88 грн
4+346.76 грн
10+315.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXKR47N60C5 IXKR47N60C5 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC791820&compId=IXKR47N60C5.pdf?ci_sign=4b58b847ed569ac779f2a40e73cfe499f7be0fab Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 278W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 278W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1362.04 грн
3+1196.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXKR47N60C5 IXKR47N60C5 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC791820&compId=IXKR47N60C5.pdf?ci_sign=4b58b847ed569ac779f2a40e73cfe499f7be0fab Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 278W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 278W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1634.44 грн
3+1490.85 грн
30+1388.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXKR47N60C5 IXKR47N60C5 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Super_Junction_IXKR47N60C5_Datasheet.PDF MOSFETs 47 Amps 600V 0.045 Rds
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1745.78 грн
120+1588.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
L47N-600-1 L47N-600-1 TE Connectivity / DEUTSCH product-L47N-600-1.datasheet.pdf Automotive Connectors LYD STEEL 3/64 X 6 NYLON COATING
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+640.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
L47N-600-1 L47N-600-1 TE Connectivity Deutsch Connectors product-L47N-600-1.datasheet.pdf Description: LYD STEEL 3/64 X 6 NYLON COATING
Packaging: Box
For Use With/Related Products: Circular Connectors
Material: Nylon
Accessory Type: Cap (Cover), Protective
Part Status: Active
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+332.23 грн
10+271.42 грн
25+254.40 грн
50+227.34 грн
100+216.47 грн
250+202.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
M83-LML3M7N60-0000-000 M83-LML3M7N60-0000-000 Harwin M83-LML3M7NXX-0000-000.pdf Headers & Wire Housings 3R 60P M HORZ PC TAIL 4MM W/JS
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3203.67 грн
8+2596.44 грн
24+2149.87 грн
56+2066.86 грн
104+1999.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
M83-LML3M7N60-0000-000 M83-LML3M7N60-0000-000 Harwin Inc. PD004-Product-Datasheet-Datamate-range-signal-connectors-HRi.pdf Description: CONN HEADER R/A 60POS 2MM
Packaging: Tube
Features: Mating Flange, Mounting Flange, Mounting Hardware
Connector Type: Header
Voltage Rating: 800V
Current Rating (Amps): 2.2A per Contact
Mounting Type: Through Hole, Right Angle
Number of Positions: 60
Number of Rows: 3
Style: Board to Board or Cable
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Threaded
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: Black
Pitch - Mating: 0.079" (2.00mm)
Contact Finish - Mating: Gold
Contact Finish Thickness - Mating: 29.5µin (0.75µm)
Part Status: Active
Contact Shape: Circular
Contact Length - Post: 0.157" (4.00mm)
Insulation Height: 0.303" (7.70mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyphenylene Sulfide (PPS), Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.079" (2.00mm)
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2962.28 грн
16+2345.81 грн
32+2233.87 грн
56+2015.29 грн
104+1929.23 грн
256+1810.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MGP7N60E MGP7N60E onsemi ONSM-S-A0005942327-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT, 10A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
на замовлення 6760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
497+42.01 грн
Мінімальне замовлення: 497
В кошику  од. на суму  грн.
MGP7N60ED MGP7N60ED onsemi ONSM-S-A0005942496-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT, 10A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
на замовлення 5116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
429+49.02 грн
Мінімальне замовлення: 429
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL017N60S5H NTHL017N60S5H onsemi nthl017n60s5h-d.pdf Description: SF5 600V FAST 17MOHM WITH TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.9mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 16mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 400 V
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1161.57 грн
10+792.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL017N60S5H onsemi NTHL017N60S5H-D.PDF MOSFETs SF5 600V FAST 17MOHM WITH TO-247-3
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1251.01 грн
10+876.47 грн
120+646.70 грн
510+637.64 грн
1020+633.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD7N60E-GE3 SIHD7N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihd7n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 3382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+178.72 грн
10+109.34 грн
100+80.74 грн
500+69.42 грн
1000+59.92 грн
3000+56.52 грн
6000+54.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD7N60E-GE3 SIHD7N60E-GE3 Vishay Siliconix sihd7n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.97 грн
10+101.09 грн
100+82.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60AE-GE3 SIHG47N60AE-GE3 Vishay Semiconductors sihg47n60ae.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+464.84 грн
10+352.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60AE-GE3 SIHG47N60AE-GE3 Vishay Siliconix sihg47n60ae.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 43A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 100 V
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+438.34 грн
25+281.97 грн
100+278.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60AEF-GE3 SIHG47N60AEF-GE3 Vishay Siliconix sihg47n60aef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3576 pF @ 100 V
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+626.09 грн
25+376.20 грн
100+338.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60AEF-GE3 SIHG47N60AEF-GE3 Vishay / Siliconix sihg47n60aef.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+662.92 грн
10+434.77 грн
100+343.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60E-E3 SIHG47N60E-E3 Vishay / Siliconix sihg47n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+738.63 грн
10+446.91 грн
100+349.38 грн
500+329.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPW47N60C3
Код товару: 43153
Додати до обраних Обраний товар

SPW47N60C3
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 650 V
Idd,A: 47 A
Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 6800/24
Монтаж: THT
у наявності: 43 шт
23 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Харків
6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+299.00 грн
10+275.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SSS7N60B
Код товару: 32907
Додати до обраних Обраний товар

SSP7N60Buii.pdf
SSS7N60B
Виробник: Fairchild
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 600 V
Idd,A: 7 А
Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1380/38
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 9 шт
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+38.00 грн
10+34.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
7N60
Виробник: to-220/f
AAT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
7N60
Виробник: SMFSC°ЧЖ¬
на замовлення 175000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
7N60 AAT
TO-220/F 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF7N60FD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A3F356F76D8D0A50&compId=AOTF7N60FD-DTE.pdf?ci_sign=9a9a39556fa518f56cc265c78dcf299df26db0a5
AOTF7N60FD
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.7A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.7A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+56.72 грн
9+47.79 грн
25+42.60 грн
26+36.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF7N60FD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A3F356F76D8D0A50&compId=AOTF7N60FD-DTE.pdf?ci_sign=9a9a39556fa518f56cc265c78dcf299df26db0a5
AOTF7N60FD
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.7A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.7A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+59.56 грн
25+51.12 грн
26+44.14 грн
70+41.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
APT77N60SC6/TR 77173-apt77n60bc6-apt77n60sc6-datasheet
APT77N60SC6/TR
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 600V 77A D3PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 44.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.96mA
Supplier Device Package: D3Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1085.65 грн
100+1036.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
D2FC-F-7N(60M) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF8BDF8DA33144C0D6&compId=D2FC_Data_Sheet.pdf?ci_sign=bf5b581921add8fc788ed47c318e8d9cf8146047
D2FC-F-7N(60M)
Виробник: OMRON Electronic Components
Category: Microswitches SNAP ACTION
Description: Microswitch SNAP ACTION; 0.001A/6VDC; without lever; SPST-NO
Type of switch: microswitch SNAP ACTION
IP rating: IP40
Switching method: OFF-(ON)
Actuator colour: orange
Mounting: PCB
Contact material: silver
Contacts configuration: SPST-NO
Switches features: without lever
Operating temperature: -25...65°C
DC contacts rating @R: 0.001A / 6V DC
Terminal pitch: 5.08mm
Body dimensions: 12.8x5.8x6.5mm
Max. contact resistance:: 100mΩ
Operating Force: 0.59N
Stable positions number: 1
Number of positions: 2
Mechanical durability: 60000000 cycles
Manufacturer series: D2FC
Min. insulation resistance: 0.1GΩ
Leads: for PCB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 816 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+52.82 грн
10+47.31 грн
25+42.92 грн
30+37.64 грн
82+35.56 грн
500+34.62 грн
1000+34.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
D2FC-F-7N(60M) D2FC_Datasheet_EN.pdf
D2FC-F-7N(60M)
Виробник: Omron Electronics Inc-EMC Div
Description: SWITCH SNP ACT SPST-NO 0.001A 6V
Packaging: Bag
Current Rating (Amps): 1mA (DC)
Mounting Type: Through Hole
Circuit: SPST-NO
Switch Function: Off-Mom
Operating Temperature: -25°C ~ 65°C
Termination Style: PC Pin
Actuator Type: Round (Pin Plunger)
Operating Force: 60gf
Ingress Protection: IP40
Mechanical Life: 60,000,000 Cycles
Electrical Life: 60,000,000 Cycles
Release Force: 24gf
Differential Travel: 0.005" (0.13mm)
Overtravel: 0.008" (0.2mm)
Operating Position: 0.272" (6.9mm)
Part Status: Active
Voltage Rating - DC: 6 V
на замовлення 1155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.61 грн
10+40.40 грн
25+37.45 грн
50+33.21 грн
100+31.37 грн
250+29.10 грн
500+27.04 грн
1000+25.54 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
D2FC-F-7N(60M) Omron_D2FC_Datasheet_EN.pdf
D2FC-F-7N(60M)
Виробник: Omron Electronics
Basic / Snap Action Switches Ultra Subminiature 0.59N OF, 60M ops, Orange Mechanical mouse switch
на замовлення 1068 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+47.72 грн
11+33.50 грн
25+28.07 грн
50+27.84 грн
1000+27.77 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FCA47N60 fca47n60_f109-d.pdf
FCA47N60
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+820.36 грн
30+516.14 грн
120+480.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCA47N60 B15A2BD41949AFC6F88C14520E441FCF72144731A664F58685575C031FC409F0.pdf
FCA47N60
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 650V SUPER FET
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+808.18 грн
10+552.79 грн
120+471.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCA47N60-F109 fca47n60_f109-d.pdf
FCA47N60-F109
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+868.52 грн
30+503.67 грн
120+430.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCA47N60-F109 FCA47N60-F109-D.PDF
FCA47N60-F109
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 650V SUPER FET
на замовлення 721 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+938.48 грн
10+557.12 грн
120+452.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCA47N60-F109 fca47n60_f109-d.pdf
FCA47N60-F109
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+868.52 грн
30+496.55 грн
120+460.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCA47N60F FCA47N60F-D.PDF
FCA47N60F
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 47A, 600V SuperFET
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+891.82 грн
10+627.42 грн
120+524.45 грн
510+476.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCA47N60F fca47n60f-d.pdf
FCA47N60F
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 9021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+833.42 грн
30+566.95 грн
120+545.15 грн
510+464.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM fcd7n60-d.pdf
FCD7N60TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+66.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM 2E2529FDA38CD86C967CD5836522AF0BCBF0E0058D37F814215F16872599FDDE.pdf
FCD7N60TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-CH/600V/7A SuperFET
на замовлення 13709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+211.29 грн
10+145.79 грн
100+72.67 грн
500+70.71 грн
1000+68.82 грн
2500+63.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM fcd7n60-d.pdf
FCD7N60TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
на замовлення 4275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+199.17 грн
10+134.10 грн
100+78.40 грн
500+73.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM-WS FCD7N60-D.pdf
FCD7N60TM-WS
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs Trans N-Ch 600V 7A 3-Pin 2+Tab
на замовлення 1794 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.30 грн
10+100.66 грн
100+78.48 грн
500+72.06 грн
1000+70.71 грн
2500+66.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM-WS fcd7n60-d.pdf
FCD7N60TM-WS
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
на замовлення 1210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.50 грн
10+99.04 грн
100+81.15 грн
500+69.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60-F133 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB05BED455E28&compId=FCH47N60.pdf?ci_sign=8cf7f083c25c82e6ba609600be48702e5a386292
FCH47N60-F133
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperFET®
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+772.02 грн
2+684.65 грн
4+646.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60-F133 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB05BED455E28&compId=FCH47N60.pdf?ci_sign=8cf7f083c25c82e6ba609600be48702e5a386292
FCH47N60-F133
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+926.42 грн
2+853.17 грн
4+776.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60-F133 FCH47N60-D.PDF
FCH47N60-F133
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-Channel MOSFET
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+732.47 грн
10+535.43 грн
120+427.86 грн
510+427.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60-F133 fch47n60-d.pdf
FCH47N60-F133
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+677.51 грн
30+483.50 грн
120+444.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60F-F133 fch47n60f-d.pdf
FCH47N60F-F133
+1
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; Idm: 141A; 417W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 141A
Power dissipation: 417W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+843.97 грн
2+670.50 грн
4+633.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60F-F133 fch47n60f-d.pdf
FCH47N60F-F133
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 20250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+875.87 грн
30+547.46 грн
120+523.34 грн
510+438.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60F-F133 FCH47N60F-D.PDF
FCH47N60F-F133
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-Channel MOSFET
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+938.48 грн
10+603.12 грн
120+513.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCI7N60 FCI7N60-D.pdf
FCI7N60
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs HIGH POWER
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+215.69 грн
10+167.48 грн
100+102.63 грн
500+88.29 грн
1000+86.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCI7N60 fci7n60-d.pdf
FCI7N60
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
на замовлення 3938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+204.07 грн
10+154.07 грн
100+108.66 грн
500+91.16 грн
1000+83.98 грн
2000+80.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP7N60 59BAF9EA03DBE6B8CA8037C995EC24F3B9FBF45A31223B6786DC12B021A70A3E.pdf
FCP7N60
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
на замовлення 1997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+259.71 грн
10+123.23 грн
100+100.36 грн
500+80.74 грн
1000+74.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP7N60 fcpf7n60-d.pdf
FCP7N60
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+239.99 грн
50+111.07 грн
100+105.01 грн
500+80.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF17N60NT fdpf17n60nt-d.pdf
FDPF17N60NT
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 17A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V
на замовлення 3005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+231.01 грн
50+127.92 грн
100+122.42 грн
500+102.14 грн
1000+101.27 грн
2000+92.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF17N60NT FDPF17N60NT-D.PDF
FDPF17N60NT
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs UniFET2 600V
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+249.15 грн
10+141.45 грн
100+116.96 грн
500+108.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF7N60NZT FDPF7N60NZ-D.pdf
FDPF7N60NZT
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 25 V
на замовлення 16758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
354+59.52 грн
Мінімальне замовлення: 354
В кошику  од. на суму  грн.
FDU7N60NZTU fdu7n60nztu-d.pdf
Виробник: Fairchild
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK FDU7N60NZTU TFDU7n60nztu
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+36.50 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDU7N60NZTU fdu7n60nztu-d.pdf
Виробник: Fairchild
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK FDU7N60NZTU TFDU7n60nztu
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+36.50 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FGPF7N60LSDTU FAIRS25183-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FGPF7N60LSDTU
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT 600V 14A TO-220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-220F-3
Td (on/off) @ 25°C: 120ns/410ns
Switching Energy: 270µJ (on), 3.8mJ (off)
Test Condition: 300V, 7A, 470Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A
Power - Max: 45 W
на замовлення 4927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
446+46.91 грн
Мінімальне замовлення: 446
В кошику  од. на суму  грн.
FGPF7N60RUFDTU FAIRS24360-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FGPF7N60RUFDTU
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT 600V 14A TO-220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-220F-3
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/60ns
Switching Energy: 230µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 300V, 7A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A
Power - Max: 41 W
на замовлення 1323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
486+43.41 грн
Мінімальне замовлення: 486
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP27N60KPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A789AEBF12325E27&compId=IRFP27N60-DTE.pdf?ci_sign=7a8a5c491d546571c742be68e4a2b76adf96ae5f
IRFP27N60KPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 500W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 500W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+762.88 грн
4+346.76 грн
10+315.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXKR47N60C5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC791820&compId=IXKR47N60C5.pdf?ci_sign=4b58b847ed569ac779f2a40e73cfe499f7be0fab
IXKR47N60C5
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 278W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 278W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1362.04 грн
3+1196.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXKR47N60C5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC791820&compId=IXKR47N60C5.pdf?ci_sign=4b58b847ed569ac779f2a40e73cfe499f7be0fab
IXKR47N60C5
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 278W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 278W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1634.44 грн
3+1490.85 грн
30+1388.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXKR47N60C5 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Super_Junction_IXKR47N60C5_Datasheet.PDF
IXKR47N60C5
Виробник: IXYS
MOSFETs 47 Amps 600V 0.045 Rds
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1745.78 грн
120+1588.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
L47N-600-1 product-L47N-600-1.datasheet.pdf
L47N-600-1
Виробник: TE Connectivity / DEUTSCH
Automotive Connectors LYD STEEL 3/64 X 6 NYLON COATING
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+640.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
L47N-600-1 product-L47N-600-1.datasheet.pdf
L47N-600-1
Виробник: TE Connectivity Deutsch Connectors
Description: LYD STEEL 3/64 X 6 NYLON COATING
Packaging: Box
For Use With/Related Products: Circular Connectors
Material: Nylon
Accessory Type: Cap (Cover), Protective
Part Status: Active
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+332.23 грн
10+271.42 грн
25+254.40 грн
50+227.34 грн
100+216.47 грн
250+202.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
M83-LML3M7N60-0000-000 M83-LML3M7NXX-0000-000.pdf
M83-LML3M7N60-0000-000
Виробник: Harwin
Headers & Wire Housings 3R 60P M HORZ PC TAIL 4MM W/JS
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3203.67 грн
8+2596.44 грн
24+2149.87 грн
56+2066.86 грн
104+1999.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
M83-LML3M7N60-0000-000 PD004-Product-Datasheet-Datamate-range-signal-connectors-HRi.pdf
M83-LML3M7N60-0000-000
Виробник: Harwin Inc.
Description: CONN HEADER R/A 60POS 2MM
Packaging: Tube
Features: Mating Flange, Mounting Flange, Mounting Hardware
Connector Type: Header
Voltage Rating: 800V
Current Rating (Amps): 2.2A per Contact
Mounting Type: Through Hole, Right Angle
Number of Positions: 60
Number of Rows: 3
Style: Board to Board or Cable
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Threaded
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: Black
Pitch - Mating: 0.079" (2.00mm)
Contact Finish - Mating: Gold
Contact Finish Thickness - Mating: 29.5µin (0.75µm)
Part Status: Active
Contact Shape: Circular
Contact Length - Post: 0.157" (4.00mm)
Insulation Height: 0.303" (7.70mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyphenylene Sulfide (PPS), Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.079" (2.00mm)
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2962.28 грн
16+2345.81 грн
32+2233.87 грн
56+2015.29 грн
104+1929.23 грн
256+1810.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MGP7N60E ONSM-S-A0005942327-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
MGP7N60E
Виробник: onsemi
Description: IGBT, 10A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
на замовлення 6760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
497+42.01 грн
Мінімальне замовлення: 497
В кошику  од. на суму  грн.
MGP7N60ED ONSM-S-A0005942496-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
MGP7N60ED
Виробник: onsemi
Description: IGBT, 10A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
на замовлення 5116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
429+49.02 грн
Мінімальне замовлення: 429
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL017N60S5H nthl017n60s5h-d.pdf
NTHL017N60S5H
Виробник: onsemi
Description: SF5 600V FAST 17MOHM WITH TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.9mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 16mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 400 V
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1161.57 грн
10+792.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL017N60S5H NTHL017N60S5H-D.PDF
Виробник: onsemi
MOSFETs SF5 600V FAST 17MOHM WITH TO-247-3
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1251.01 грн
10+876.47 грн
120+646.70 грн
510+637.64 грн
1020+633.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD7N60E-GE3 sihd7n60e.pdf
SIHD7N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 3382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+178.72 грн
10+109.34 грн
100+80.74 грн
500+69.42 грн
1000+59.92 грн
3000+56.52 грн
6000+54.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD7N60E-GE3 sihd7n60e.pdf
SIHD7N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+168.97 грн
10+101.09 грн
100+82.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60AE-GE3 sihg47n60ae.pdf
SIHG47N60AE-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+464.84 грн
10+352.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60AE-GE3 sihg47n60ae.pdf
SIHG47N60AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 43A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 100 V
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+438.34 грн
25+281.97 грн
100+278.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60AEF-GE3 sihg47n60aef.pdf
SIHG47N60AEF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3576 pF @ 100 V
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+626.09 грн
25+376.20 грн
100+338.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60AEF-GE3 sihg47n60aef.pdf
SIHG47N60AEF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+662.92 грн
10+434.77 грн
100+343.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60E-E3 sihg47n60e.pdf
SIHG47N60E-E3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+738.63 грн
10+446.91 грн
100+349.38 грн
500+329.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]