Результат пошуку "7N60" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 7
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 354
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 446
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 486
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 497
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 429
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SPW47N60C3 Код товару: 43153
Додати до обраних
Обраний товар
|
Infineon |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247 Uds,V: 650 V Idd,A: 47 A Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 6800/24 Монтаж: THT |
у наявності: 43 шт
23 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ 5 шт - РАДІОМАГ-Львів 4 шт - РАДІОМАГ-Харків 6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||||
![]() |
SSS7N60B Код товару: 32907
Додати до обраних
Обраний товар
|
Fairchild |
![]() Корпус: TO-220 Uds,V: 600 V Idd,A: 7 А Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1380/38 Примітка: Ізольований корпус Монтаж: THT |
у наявності: 9 шт
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса 3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||||
7N60 | to-220/f | AAT |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
7N60 | SMFSC°ЧЖ¬ |
на замовлення 175000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
7N60 AAT | TO-220/F 08+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
![]() |
AOTF7N60FD | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.7A; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4.7A Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.45Ω Mounting: THT Gate charge: 20nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 38 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
AOTF7N60FD | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.7A; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4.7A Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.45Ω Mounting: THT Gate charge: 20nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 38 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
APT77N60SC6/TR | Microchip Technology |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 44.4A, 10V Power Dissipation (Max): 481W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.96mA Supplier Device Package: D3Pak Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V |
на замовлення 107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
D2FC-F-7N(60M) | OMRON Electronic Components |
![]() Description: Microswitch SNAP ACTION; 0.001A/6VDC; without lever; SPST-NO Type of switch: microswitch SNAP ACTION IP rating: IP40 Switching method: OFF-(ON) Actuator colour: orange Mounting: PCB Contact material: silver Contacts configuration: SPST-NO Switches features: without lever Operating temperature: -25...65°C DC contacts rating @R: 0.001A / 6V DC Terminal pitch: 5.08mm Body dimensions: 12.8x5.8x6.5mm Max. contact resistance:: 100mΩ Operating Force: 0.59N Stable positions number: 1 Number of positions: 2 Mechanical durability: 60000000 cycles Manufacturer series: D2FC Min. insulation resistance: 0.1GΩ Leads: for PCB кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 816 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
D2FC-F-7N(60M) | Omron Electronics Inc-EMC Div |
![]() Packaging: Bag Current Rating (Amps): 1mA (DC) Mounting Type: Through Hole Circuit: SPST-NO Switch Function: Off-Mom Operating Temperature: -25°C ~ 65°C Termination Style: PC Pin Actuator Type: Round (Pin Plunger) Operating Force: 60gf Ingress Protection: IP40 Mechanical Life: 60,000,000 Cycles Electrical Life: 60,000,000 Cycles Release Force: 24gf Differential Travel: 0.005" (0.13mm) Overtravel: 0.008" (0.2mm) Operating Position: 0.272" (6.9mm) Part Status: Active Voltage Rating - DC: 6 V |
на замовлення 1155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
D2FC-F-7N(60M) | Omron Electronics |
![]() |
на замовлення 1068 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FCA47N60 | onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V |
на замовлення 165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FCA47N60 | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 333 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FCA47N60-F109 | onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V |
на замовлення 283 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FCA47N60-F109 | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 721 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FCA47N60-F109 | onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V |
на замовлення 191 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FCA47N60F | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 480 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FCA47N60F | onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 23.5A, 10V Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V |
на замовлення 9021 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FCD7N60TM | onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FCD7N60TM | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 13709 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FCD7N60TM | onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V |
на замовлення 4275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FCD7N60TM-WS | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 1794 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FCD7N60TM-WS | onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V |
на замовлення 1210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FCH47N60-F133 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 47A Power dissipation: 417W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.27µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: SuperFET® |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FCH47N60-F133 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 47A Power dissipation: 417W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.27µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: SuperFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 31 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FCH47N60-F133 | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 365 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FCH47N60-F133 | onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V |
на замовлення 415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() +1 |
FCH47N60F-F133 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; Idm: 141A; 417W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 47A Pulsed drain current: 141A Power dissipation: 417W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 73mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FCH47N60F-F133 | onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V |
на замовлення 20250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FCH47N60F-F133 | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 438 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FCI7N60 | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 958 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FCI7N60 | onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V |
на замовлення 3938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FCP7N60 | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 1997 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FCP7N60 | onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V |
на замовлення 865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDPF17N60NT | onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V |
на замовлення 3005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDPF17N60NT | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 735 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDPF7N60NZT | onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3.25A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 25 V |
на замовлення 16758 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
FDU7N60NZTU | Fairchild |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 70 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDU7N60NZTU | Fairchild |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
FGPF7N60LSDTU | Fairchild Semiconductor |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 65 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A Supplier Device Package: TO-220F-3 Td (on/off) @ 25°C: 120ns/410ns Switching Energy: 270µJ (on), 3.8mJ (off) Test Condition: 300V, 7A, 470Ohm, 15V Gate Charge: 24 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 14 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A Power - Max: 45 W |
на замовлення 4927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FGPF7N60RUFDTU | Fairchild Semiconductor |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 65 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 7A Supplier Device Package: TO-220F-3 Td (on/off) @ 25°C: 60ns/60ns Switching Energy: 230µJ (on), 100µJ (off) Test Condition: 300V, 7A, 30Ohm, 15V Gate Charge: 24 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 14 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A Power - Max: 41 W |
на замовлення 1323 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFP27N60KPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 500W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 18A Power dissipation: 500W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXKR47N60C5 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 278W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 47A Power dissipation: 278W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 45mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: super junction coolmos |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXKR47N60C5 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 278W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 47A Power dissipation: 278W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 45mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: super junction coolmos кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 13 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXKR47N60C5 | IXYS |
![]() |
на замовлення 42 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
L47N-600-1 | TE Connectivity / DEUTSCH |
![]() |
на замовлення 587 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
L47N-600-1 | TE Connectivity Deutsch Connectors |
![]() Packaging: Box For Use With/Related Products: Circular Connectors Material: Nylon Accessory Type: Cap (Cover), Protective Part Status: Active |
на замовлення 291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
M83-LML3M7N60-0000-000 | Harwin |
![]() |
на замовлення 186 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
M83-LML3M7N60-0000-000 | Harwin Inc. |
![]() Packaging: Tube Features: Mating Flange, Mounting Flange, Mounting Hardware Connector Type: Header Voltage Rating: 800V Current Rating (Amps): 2.2A per Contact Mounting Type: Through Hole, Right Angle Number of Positions: 60 Number of Rows: 3 Style: Board to Board or Cable Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Contact Type: Male Pin Fastening Type: Threaded Number of Positions Loaded: All Termination: Solder Material Flammability Rating: UL94 V-0 Contact Material: Phosphor Bronze Insulation Color: Black Pitch - Mating: 0.079" (2.00mm) Contact Finish - Mating: Gold Contact Finish Thickness - Mating: 29.5µin (0.75µm) Part Status: Active Contact Shape: Circular Contact Length - Post: 0.157" (4.00mm) Insulation Height: 0.303" (7.70mm) Shrouding: Shrouded - 4 Wall Insulation Material: Polyphenylene Sulfide (PPS), Glass Filled Row Spacing - Mating: 0.079" (2.00mm) |
на замовлення 494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MGP7N60E | onsemi |
![]() Packaging: Bulk |
на замовлення 6760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MGP7N60ED | onsemi |
![]() Packaging: Bulk |
на замовлення 5116 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTHL017N60S5H | onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.9mOhm @ 37.5A, 10V Power Dissipation (Max): 625W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 16mA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 400 V |
на замовлення 183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
NTHL017N60S5H | onsemi |
![]() |
на замовлення 169 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
SIHD7N60E-GE3 | Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 3382 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SIHD7N60E-GE3 | Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V |
на замовлення 112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SIHG47N60AE-GE3 | Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 802 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SIHG47N60AE-GE3 | Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 100 V |
на замовлення 414 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SIHG47N60AEF-GE3 | Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3576 pF @ 100 V |
на замовлення 216 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SIHG47N60AEF-GE3 | Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 356 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SIHG47N60E-E3 | Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 965 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
SPW47N60C3 Код товару: 43153
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 650 V
Idd,A: 47 A
Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 6800/24
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 650 V
Idd,A: 47 A
Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 6800/24
Монтаж: THT
у наявності: 43 шт
23 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Харків
6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Харків
6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 299.00 грн |
10+ | 275.00 грн |
SSS7N60B Код товару: 32907
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Fairchild
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 600 V
Idd,A: 7 А
Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1380/38
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 600 V
Idd,A: 7 А
Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1380/38
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 9 шт
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 38.00 грн |
10+ | 34.50 грн |
7N60 |
Виробник: to-220/f
AAT
AAT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
7N60 |
Виробник: SMFSC°ЧЖ¬
на замовлення 175000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
7N60 AAT |
TO-220/F 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
AOTF7N60FD |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.7A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.7A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.7A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.7A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 56.72 грн |
9+ | 47.79 грн |
25+ | 42.60 грн |
26+ | 36.79 грн |
AOTF7N60FD |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.7A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.7A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.7A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.7A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 59.56 грн |
25+ | 51.12 грн |
26+ | 44.14 грн |
70+ | 41.69 грн |
APT77N60SC6/TR |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 600V 77A D3PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 44.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.96mA
Supplier Device Package: D3Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 77A D3PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 44.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.96mA
Supplier Device Package: D3Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1085.65 грн |
100+ | 1036.80 грн |
D2FC-F-7N(60M) |
![]() |
Виробник: OMRON Electronic Components
Category: Microswitches SNAP ACTION
Description: Microswitch SNAP ACTION; 0.001A/6VDC; without lever; SPST-NO
Type of switch: microswitch SNAP ACTION
IP rating: IP40
Switching method: OFF-(ON)
Actuator colour: orange
Mounting: PCB
Contact material: silver
Contacts configuration: SPST-NO
Switches features: without lever
Operating temperature: -25...65°C
DC contacts rating @R: 0.001A / 6V DC
Terminal pitch: 5.08mm
Body dimensions: 12.8x5.8x6.5mm
Max. contact resistance:: 100mΩ
Operating Force: 0.59N
Stable positions number: 1
Number of positions: 2
Mechanical durability: 60000000 cycles
Manufacturer series: D2FC
Min. insulation resistance: 0.1GΩ
Leads: for PCB
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Microswitches SNAP ACTION
Description: Microswitch SNAP ACTION; 0.001A/6VDC; without lever; SPST-NO
Type of switch: microswitch SNAP ACTION
IP rating: IP40
Switching method: OFF-(ON)
Actuator colour: orange
Mounting: PCB
Contact material: silver
Contacts configuration: SPST-NO
Switches features: without lever
Operating temperature: -25...65°C
DC contacts rating @R: 0.001A / 6V DC
Terminal pitch: 5.08mm
Body dimensions: 12.8x5.8x6.5mm
Max. contact resistance:: 100mΩ
Operating Force: 0.59N
Stable positions number: 1
Number of positions: 2
Mechanical durability: 60000000 cycles
Manufacturer series: D2FC
Min. insulation resistance: 0.1GΩ
Leads: for PCB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 816 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 52.82 грн |
10+ | 47.31 грн |
25+ | 42.92 грн |
30+ | 37.64 грн |
82+ | 35.56 грн |
500+ | 34.62 грн |
1000+ | 34.24 грн |
D2FC-F-7N(60M) |
![]() |
Виробник: Omron Electronics Inc-EMC Div
Description: SWITCH SNP ACT SPST-NO 0.001A 6V
Packaging: Bag
Current Rating (Amps): 1mA (DC)
Mounting Type: Through Hole
Circuit: SPST-NO
Switch Function: Off-Mom
Operating Temperature: -25°C ~ 65°C
Termination Style: PC Pin
Actuator Type: Round (Pin Plunger)
Operating Force: 60gf
Ingress Protection: IP40
Mechanical Life: 60,000,000 Cycles
Electrical Life: 60,000,000 Cycles
Release Force: 24gf
Differential Travel: 0.005" (0.13mm)
Overtravel: 0.008" (0.2mm)
Operating Position: 0.272" (6.9mm)
Part Status: Active
Voltage Rating - DC: 6 V
Description: SWITCH SNP ACT SPST-NO 0.001A 6V
Packaging: Bag
Current Rating (Amps): 1mA (DC)
Mounting Type: Through Hole
Circuit: SPST-NO
Switch Function: Off-Mom
Operating Temperature: -25°C ~ 65°C
Termination Style: PC Pin
Actuator Type: Round (Pin Plunger)
Operating Force: 60gf
Ingress Protection: IP40
Mechanical Life: 60,000,000 Cycles
Electrical Life: 60,000,000 Cycles
Release Force: 24gf
Differential Travel: 0.005" (0.13mm)
Overtravel: 0.008" (0.2mm)
Operating Position: 0.272" (6.9mm)
Part Status: Active
Voltage Rating - DC: 6 V
на замовлення 1155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 50.61 грн |
10+ | 40.40 грн |
25+ | 37.45 грн |
50+ | 33.21 грн |
100+ | 31.37 грн |
250+ | 29.10 грн |
500+ | 27.04 грн |
1000+ | 25.54 грн |
D2FC-F-7N(60M) |
![]() |
Виробник: Omron Electronics
Basic / Snap Action Switches Ultra Subminiature 0.59N OF, 60M ops, Orange Mechanical mouse switch
Basic / Snap Action Switches Ultra Subminiature 0.59N OF, 60M ops, Orange Mechanical mouse switch
на замовлення 1068 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 47.72 грн |
11+ | 33.50 грн |
25+ | 28.07 грн |
50+ | 27.84 грн |
1000+ | 27.77 грн |
FCA47N60 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 820.36 грн |
30+ | 516.14 грн |
120+ | 480.39 грн |
FCA47N60 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 650V SUPER FET
MOSFETs 650V SUPER FET
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 808.18 грн |
10+ | 552.79 грн |
120+ | 471.63 грн |
FCA47N60-F109 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 868.52 грн |
30+ | 503.67 грн |
120+ | 430.87 грн |
FCA47N60-F109 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 650V SUPER FET
MOSFETs 650V SUPER FET
на замовлення 721 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 938.48 грн |
10+ | 557.12 грн |
120+ | 452.01 грн |
FCA47N60-F109 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 868.52 грн |
30+ | 496.55 грн |
120+ | 460.56 грн |
FCA47N60F |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 47A, 600V SuperFET
MOSFETs 47A, 600V SuperFET
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 891.82 грн |
10+ | 627.42 грн |
120+ | 524.45 грн |
510+ | 476.16 грн |
FCA47N60F |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 9021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 833.42 грн |
30+ | 566.95 грн |
120+ | 545.15 грн |
510+ | 464.61 грн |
FCD7N60TM |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 66.25 грн |
FCD7N60TM |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-CH/600V/7A SuperFET
MOSFETs N-CH/600V/7A SuperFET
на замовлення 13709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 211.29 грн |
10+ | 145.79 грн |
100+ | 72.67 грн |
500+ | 70.71 грн |
1000+ | 68.82 грн |
2500+ | 63.84 грн |
FCD7N60TM |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
на замовлення 4275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 199.17 грн |
10+ | 134.10 грн |
100+ | 78.40 грн |
500+ | 73.28 грн |
FCD7N60TM-WS |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs Trans N-Ch 600V 7A 3-Pin 2+Tab
MOSFETs Trans N-Ch 600V 7A 3-Pin 2+Tab
на замовлення 1794 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 130.30 грн |
10+ | 100.66 грн |
100+ | 78.48 грн |
500+ | 72.06 грн |
1000+ | 70.71 грн |
2500+ | 66.86 грн |
FCD7N60TM-WS |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
на замовлення 1210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 135.50 грн |
10+ | 99.04 грн |
100+ | 81.15 грн |
500+ | 69.79 грн |
FCH47N60-F133 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperFET®
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperFET®
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 772.02 грн |
2+ | 684.65 грн |
4+ | 646.92 грн |
FCH47N60-F133 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 926.42 грн |
2+ | 853.17 грн |
4+ | 776.30 грн |
FCH47N60-F133 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-Channel MOSFET
MOSFETs 600V N-Channel MOSFET
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 732.47 грн |
10+ | 535.43 грн |
120+ | 427.86 грн |
510+ | 427.11 грн |
FCH47N60-F133 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 677.51 грн |
30+ | 483.50 грн |
120+ | 444.95 грн |
FCH47N60F-F133 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; Idm: 141A; 417W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 141A
Power dissipation: 417W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; Idm: 141A; 417W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 141A
Power dissipation: 417W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 843.97 грн |
2+ | 670.50 грн |
4+ | 633.55 грн |
FCH47N60F-F133 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 20250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 875.87 грн |
30+ | 547.46 грн |
120+ | 523.34 грн |
510+ | 438.35 грн |
FCH47N60F-F133 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-Channel MOSFET
MOSFETs 600V N-Channel MOSFET
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 938.48 грн |
10+ | 603.12 грн |
120+ | 513.89 грн |
FCI7N60 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs HIGH POWER
MOSFETs HIGH POWER
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 215.69 грн |
10+ | 167.48 грн |
100+ | 102.63 грн |
500+ | 88.29 грн |
1000+ | 86.02 грн |
FCI7N60 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
на замовлення 3938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 204.07 грн |
10+ | 154.07 грн |
100+ | 108.66 грн |
500+ | 91.16 грн |
1000+ | 83.98 грн |
2000+ | 80.90 грн |
FCP7N60 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
на замовлення 1997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 259.71 грн |
10+ | 123.23 грн |
100+ | 100.36 грн |
500+ | 80.74 грн |
1000+ | 74.18 грн |
FCP7N60 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 239.99 грн |
50+ | 111.07 грн |
100+ | 105.01 грн |
500+ | 80.19 грн |
FDPF17N60NT |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 17A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 17A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V
на замовлення 3005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 231.01 грн |
50+ | 127.92 грн |
100+ | 122.42 грн |
500+ | 102.14 грн |
1000+ | 101.27 грн |
2000+ | 92.45 грн |
FDPF17N60NT |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs UniFET2 600V
MOSFETs UniFET2 600V
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 249.15 грн |
10+ | 141.45 грн |
100+ | 116.96 грн |
500+ | 108.66 грн |
FDPF7N60NZT |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 25 V
на замовлення 16758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
354+ | 59.52 грн |
FDU7N60NZTU |
![]() |
Виробник: Fairchild
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK FDU7N60NZTU TFDU7n60nztu
кількість в упаковці: 10 шт
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK FDU7N60NZTU TFDU7n60nztu
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 36.50 грн |
FDU7N60NZTU |
![]() |
Виробник: Fairchild
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK FDU7N60NZTU TFDU7n60nztu
кількість в упаковці: 10 шт
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK FDU7N60NZTU TFDU7n60nztu
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 36.50 грн |
FGPF7N60LSDTU |
![]() |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT 600V 14A TO-220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-220F-3
Td (on/off) @ 25°C: 120ns/410ns
Switching Energy: 270µJ (on), 3.8mJ (off)
Test Condition: 300V, 7A, 470Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A
Power - Max: 45 W
Description: IGBT 600V 14A TO-220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-220F-3
Td (on/off) @ 25°C: 120ns/410ns
Switching Energy: 270µJ (on), 3.8mJ (off)
Test Condition: 300V, 7A, 470Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A
Power - Max: 45 W
на замовлення 4927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
446+ | 46.91 грн |
FGPF7N60RUFDTU |
![]() |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT 600V 14A TO-220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-220F-3
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/60ns
Switching Energy: 230µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 300V, 7A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A
Power - Max: 41 W
Description: IGBT 600V 14A TO-220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-220F-3
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/60ns
Switching Energy: 230µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 300V, 7A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A
Power - Max: 41 W
на замовлення 1323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
486+ | 43.41 грн |
IRFP27N60KPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 500W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 500W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 500W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 500W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 762.88 грн |
4+ | 346.76 грн |
10+ | 315.99 грн |
IXKR47N60C5 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 278W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 278W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 278W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 278W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1362.04 грн |
3+ | 1196.36 грн |
IXKR47N60C5 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 278W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 278W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 278W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 278W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1634.44 грн |
3+ | 1490.85 грн |
30+ | 1388.47 грн |
IXKR47N60C5 |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFETs 47 Amps 600V 0.045 Rds
MOSFETs 47 Amps 600V 0.045 Rds
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1745.78 грн |
120+ | 1588.93 грн |
L47N-600-1 |
![]() |
Виробник: TE Connectivity / DEUTSCH
Automotive Connectors LYD STEEL 3/64 X 6 NYLON COATING
Automotive Connectors LYD STEEL 3/64 X 6 NYLON COATING
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 640.03 грн |
L47N-600-1 |
![]() |
Виробник: TE Connectivity Deutsch Connectors
Description: LYD STEEL 3/64 X 6 NYLON COATING
Packaging: Box
For Use With/Related Products: Circular Connectors
Material: Nylon
Accessory Type: Cap (Cover), Protective
Part Status: Active
Description: LYD STEEL 3/64 X 6 NYLON COATING
Packaging: Box
For Use With/Related Products: Circular Connectors
Material: Nylon
Accessory Type: Cap (Cover), Protective
Part Status: Active
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 332.23 грн |
10+ | 271.42 грн |
25+ | 254.40 грн |
50+ | 227.34 грн |
100+ | 216.47 грн |
250+ | 202.92 грн |
M83-LML3M7N60-0000-000 |
![]() |
Виробник: Harwin
Headers & Wire Housings 3R 60P M HORZ PC TAIL 4MM W/JS
Headers & Wire Housings 3R 60P M HORZ PC TAIL 4MM W/JS
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3203.67 грн |
8+ | 2596.44 грн |
24+ | 2149.87 грн |
56+ | 2066.86 грн |
104+ | 1999.70 грн |
M83-LML3M7N60-0000-000 |
![]() |
Виробник: Harwin Inc.
Description: CONN HEADER R/A 60POS 2MM
Packaging: Tube
Features: Mating Flange, Mounting Flange, Mounting Hardware
Connector Type: Header
Voltage Rating: 800V
Current Rating (Amps): 2.2A per Contact
Mounting Type: Through Hole, Right Angle
Number of Positions: 60
Number of Rows: 3
Style: Board to Board or Cable
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Threaded
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: Black
Pitch - Mating: 0.079" (2.00mm)
Contact Finish - Mating: Gold
Contact Finish Thickness - Mating: 29.5µin (0.75µm)
Part Status: Active
Contact Shape: Circular
Contact Length - Post: 0.157" (4.00mm)
Insulation Height: 0.303" (7.70mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyphenylene Sulfide (PPS), Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.079" (2.00mm)
Description: CONN HEADER R/A 60POS 2MM
Packaging: Tube
Features: Mating Flange, Mounting Flange, Mounting Hardware
Connector Type: Header
Voltage Rating: 800V
Current Rating (Amps): 2.2A per Contact
Mounting Type: Through Hole, Right Angle
Number of Positions: 60
Number of Rows: 3
Style: Board to Board or Cable
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Threaded
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: Black
Pitch - Mating: 0.079" (2.00mm)
Contact Finish - Mating: Gold
Contact Finish Thickness - Mating: 29.5µin (0.75µm)
Part Status: Active
Contact Shape: Circular
Contact Length - Post: 0.157" (4.00mm)
Insulation Height: 0.303" (7.70mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyphenylene Sulfide (PPS), Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.079" (2.00mm)
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2962.28 грн |
16+ | 2345.81 грн |
32+ | 2233.87 грн |
56+ | 2015.29 грн |
104+ | 1929.23 грн |
256+ | 1810.60 грн |
MGP7N60E |
![]() |
на замовлення 6760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
497+ | 42.01 грн |
MGP7N60ED |
![]() |
на замовлення 5116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
429+ | 49.02 грн |
NTHL017N60S5H |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: SF5 600V FAST 17MOHM WITH TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.9mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 16mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 400 V
Description: SF5 600V FAST 17MOHM WITH TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.9mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 16mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 400 V
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1161.57 грн |
10+ | 792.49 грн |
NTHL017N60S5H |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs SF5 600V FAST 17MOHM WITH TO-247-3
MOSFETs SF5 600V FAST 17MOHM WITH TO-247-3
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1251.01 грн |
10+ | 876.47 грн |
120+ | 646.70 грн |
510+ | 637.64 грн |
1020+ | 633.11 грн |
SIHD7N60E-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 3382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 178.72 грн |
10+ | 109.34 грн |
100+ | 80.74 грн |
500+ | 69.42 грн |
1000+ | 59.92 грн |
3000+ | 56.52 грн |
6000+ | 54.63 грн |
SIHD7N60E-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 168.97 грн |
10+ | 101.09 грн |
100+ | 82.11 грн |
SIHG47N60AE-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 464.84 грн |
10+ | 352.32 грн |
SIHG47N60AE-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 43A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 600V 43A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 100 V
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 438.34 грн |
25+ | 281.97 грн |
100+ | 278.54 грн |
SIHG47N60AEF-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3576 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3576 pF @ 100 V
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 626.09 грн |
25+ | 376.20 грн |
100+ | 338.32 грн |
SIHG47N60AEF-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 662.92 грн |
10+ | 434.77 грн |
100+ | 343.35 грн |
SIHG47N60E-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 738.63 грн |
10+ | 446.91 грн |
100+ | 349.38 грн |
500+ | 329.01 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]