Результат пошуку "7N60" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 7
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SPW47N60C3 Код товару: 43153
Додати до обраних
Обраний товар
|
Infineon |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247 Uds,V: 650 V Idd,A: 47 A Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 6800/24 Монтаж: THT |
у наявності: 12 шт
4 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів 1 шт - РАДІОМАГ-Харків 2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро очікується:
40 шт
40 шт - очікується 19.07.2025
|
|
||||||||||||||
![]() |
SSS7N60B Код товару: 32907
Додати до обраних
Обраний товар
|
Fairchild |
![]() Корпус: TO-220 Uds,V: 600 V Idd,A: 7 А Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1380/38 Примітка: Ізольований корпус Монтаж: THT |
у наявності: 22 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
16 шт - РАДІОМАГ-Львів 2 шт - РАДІОМАГ-Одеса 3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||
7N60 | SMFSC°ЧЖ¬ |
на замовлення 175000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
7N60 | to-220/f | AAT |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
7N60 AAT | TO-220/F 08+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
![]() |
AOTF7N60FD | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.7A; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4.7A Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.45Ω Mounting: THT Gate charge: 20nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 53 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
AOTF7N60FD | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.7A; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4.7A Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.45Ω Mounting: THT Gate charge: 20nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 53 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
D2FC-F-7N(60M) | OMRON Electronic Components |
![]() Description: Microswitch SNAP ACTION; 0.001A/6VDC; without lever; SPST-NO Max. contact resistance:: 100mΩ Min. insulation resistance: 0.1GΩ Terminal pitch: 5.08mm Operating temperature: -25...65°C Body dimensions: 12.8x5.8x6.5mm IP rating: IP40 Leads: for PCB Contact material: silver Type of switch: microswitch SNAP ACTION Contacts configuration: SPST-NO DC contacts rating @R: 0.001A / 6V DC Switching method: OFF-(ON) Stable positions number: 1 Operating Force: 0.59N Actuator colour: orange Switches features: without lever Manufacturer series: D2FC Number of positions: 2 Mounting: PCB Mechanical durability: 60000000 cycles кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1659 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
D2FC-F-7N(60M) | Omron Electronics |
![]() |
на замовлення 1662 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FCA47N60 | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FCA47N60-F109 | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 721 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FCA47N60F | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FCD7N60TM | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 16359 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FCD7N60TM-WS | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 1804 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FCH47N60-F133 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 47A Power dissipation: 417W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.27µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: SuperFET® |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FCH47N60-F133 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 47A Power dissipation: 417W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.27µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: SuperFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 18 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FCH47N60-F133 | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 398 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() +1 |
FCH47N60F-F133 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; Idm: 141A; 417W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 47A Pulsed drain current: 141A Power dissipation: 417W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 73mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FCH47N60F-F133 | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FCI7N60 | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 963 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FCPF7N60 | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 1017 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDPF17N60NT | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FDU7N60NZTU | Fairchild |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 70 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDU7N60NZTU | Fairchild |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRFP27N60KPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 500W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 18A Power dissipation: 500W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFP27N60KPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 500W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 18A Power dissipation: 500W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXKR47N60C5 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 278W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 47A Power dissipation: 278W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 45mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: super junction coolmos |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXKR47N60C5 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 278W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 47A Power dissipation: 278W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 45mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: super junction coolmos кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 13 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXKR47N60C5 | IXYS |
![]() |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
L47N-600-1 | TE Connectivity / DEUTSCH |
![]() |
на замовлення 185 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
M83-LML3M7N60-0000-000 | Harwin |
![]() |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
NTHL017N60S5H | onsemi |
![]() |
на замовлення 169 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
SIHD7N60E-GE3 | Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 3425 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SIHF7N60E-E3 | Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SIHG47N60AE-GE3 | Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 314 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SIHG47N60AEF-GE3 | Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 366 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SIHG47N60E-E3 | Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SIHG47N60E-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 357W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Power dissipation: 357W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 64mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.22µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SIHG47N60E-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 357W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Power dissipation: 357W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 64mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.22µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 240 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SIHG47N60E-GE3 | Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 2919 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SIHG47N60EF-GE3 | Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 571 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SIHP7N60E-BE3 | Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 6522 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SIHP7N60E-GE3 | Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 6468 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SIHW47N60E-GE3 | Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 480 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SIHW47N60EF-GE3 | Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 205 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPA07N60C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 32W; PG-TO220-3-FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Power dissipation: 32W Case: PG-TO220-3-FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ |
на замовлення 145 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPA07N60C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 32W; PG-TO220-3-FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Power dissipation: 32W Case: PG-TO220-3-FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 145 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPA07N60C3 | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 36 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
SPA07N60C3XKSA1 | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPD07N60C3 | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
SPD07N60C3ATMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4772 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPP07N60C3XKSA1 | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 448 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPW47N60C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 47A; 415W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 47A Power dissipation: 415W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ |
на замовлення 117 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPW47N60C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 47A; 415W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 47A Power dissipation: 415W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 117 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPW47N60C3 | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1485 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
SPW47N60C3 | Infineon |
N-MOSFET 47A 600V 415W 0.07Ω repl:STW45NM60 SPW47N60C3 TSPW47N60C3 кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
SPW47N60CFDFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; 417W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 29A Power dissipation: 417W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 83mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
SSW47N60S | Super Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 70mOhm; 47A; 391W; -55°C ~ 150°C; SSW47N60S SUPER SEMICONDUCTOR TSSW47n60s кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
STB37N60DM2AG | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1269 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STB47N60DM6AG | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 361 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
SPW47N60C3 Код товару: 43153
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 650 V
Idd,A: 47 A
Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 6800/24
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 650 V
Idd,A: 47 A
Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 6800/24
Монтаж: THT
у наявності: 12 шт
4 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
40 шт
40 шт - очікується 19.07.2025
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 299.00 грн |
10+ | 275.00 грн |
SSS7N60B Код товару: 32907
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Fairchild
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 600 V
Idd,A: 7 А
Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1380/38
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 600 V
Idd,A: 7 А
Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1380/38
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 22 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
16 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
16 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 38.00 грн |
10+ | 34.50 грн |
7N60 |
Виробник: SMFSC°ЧЖ¬
на замовлення 175000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
7N60 |
Виробник: to-220/f
AAT
AAT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
7N60 AAT |
TO-220/F 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
AOTF7N60FD |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.7A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.7A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.7A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.7A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 57.52 грн |
9+ | 48.47 грн |
25+ | 43.21 грн |
26+ | 37.23 грн |
AOTF7N60FD |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.7A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.7A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.7A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.7A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 60.40 грн |
25+ | 51.85 грн |
26+ | 44.68 грн |
70+ | 42.28 грн |
D2FC-F-7N(60M) |
![]() |
Виробник: OMRON Electronic Components
Category: Microswitches SNAP ACTION
Description: Microswitch SNAP ACTION; 0.001A/6VDC; without lever; SPST-NO
Max. contact resistance:: 100mΩ
Min. insulation resistance: 0.1GΩ
Terminal pitch: 5.08mm
Operating temperature: -25...65°C
Body dimensions: 12.8x5.8x6.5mm
IP rating: IP40
Leads: for PCB
Contact material: silver
Type of switch: microswitch SNAP ACTION
Contacts configuration: SPST-NO
DC contacts rating @R: 0.001A / 6V DC
Switching method: OFF-(ON)
Stable positions number: 1
Operating Force: 0.59N
Actuator colour: orange
Switches features: without lever
Manufacturer series: D2FC
Number of positions: 2
Mounting: PCB
Mechanical durability: 60000000 cycles
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Microswitches SNAP ACTION
Description: Microswitch SNAP ACTION; 0.001A/6VDC; without lever; SPST-NO
Max. contact resistance:: 100mΩ
Min. insulation resistance: 0.1GΩ
Terminal pitch: 5.08mm
Operating temperature: -25...65°C
Body dimensions: 12.8x5.8x6.5mm
IP rating: IP40
Leads: for PCB
Contact material: silver
Type of switch: microswitch SNAP ACTION
Contacts configuration: SPST-NO
DC contacts rating @R: 0.001A / 6V DC
Switching method: OFF-(ON)
Stable positions number: 1
Operating Force: 0.59N
Actuator colour: orange
Switches features: without lever
Manufacturer series: D2FC
Number of positions: 2
Mounting: PCB
Mechanical durability: 60000000 cycles
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1659 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 53.57 грн |
10+ | 47.98 грн |
25+ | 43.53 грн |
30+ | 38.17 грн |
81+ | 36.07 грн |
500+ | 35.11 грн |
1000+ | 34.73 грн |
D2FC-F-7N(60M) |
![]() |
Виробник: Omron Electronics
Basic / Snap Action Switches Ultra Subminiature 0.59N OF, 60M ops, Orange Mechanical mouse switch
Basic / Snap Action Switches Ultra Subminiature 0.59N OF, 60M ops, Orange Mechanical mouse switch
на замовлення 1662 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 52.23 грн |
10+ | 36.96 грн |
25+ | 30.92 грн |
50+ | 29.69 грн |
100+ | 29.16 грн |
5000+ | 29.08 грн |
FCA47N60 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 650V SUPER FET
MOSFETs 650V SUPER FET
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 923.23 грн |
10+ | 613.44 грн |
120+ | 500.52 грн |
FCA47N60-F109 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 650V SUPER FET
MOSFETs 650V SUPER FET
на замовлення 721 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 991.98 грн |
10+ | 591.44 грн |
120+ | 479.85 грн |
FCA47N60F |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 47A, 600V SuperFET
MOSFETs 47A, 600V SuperFET
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 937.51 грн |
10+ | 705.85 грн |
120+ | 568.63 грн |
510+ | 524.24 грн |
FCD7N60TM |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-CH/600V/7A SuperFET
MOSFETs N-CH/600V/7A SuperFET
на замовлення 16359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 224.11 грн |
10+ | 154.90 грн |
100+ | 89.54 грн |
500+ | 79.59 грн |
1000+ | 73.01 грн |
2500+ | 67.73 грн |
FCD7N60TM-WS |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs Trans N-Ch 600V 7A 3-Pin 2+Tab
MOSFETs Trans N-Ch 600V 7A 3-Pin 2+Tab
на замовлення 1804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 156.25 грн |
10+ | 116.18 грн |
100+ | 83.42 грн |
500+ | 76.46 грн |
1000+ | 70.94 грн |
FCH47N60-F133 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperFET®
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperFET®
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 782.98 грн |
2+ | 693.57 грн |
4+ | 656.10 грн |
FCH47N60-F133 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 939.57 грн |
2+ | 864.29 грн |
4+ | 787.32 грн |
FCH47N60-F133 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-Channel MOSFET
MOSFETs 600V N-Channel MOSFET
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 812.51 грн |
10+ | 638.08 грн |
120+ | 496.69 грн |
510+ | 453.07 грн |
FCH47N60F-F133 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; Idm: 141A; 417W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 141A
Power dissipation: 417W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; Idm: 141A; 417W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 141A
Power dissipation: 417W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 855.95 грн |
2+ | 680.02 грн |
4+ | 642.55 грн |
FCH47N60F-F133 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-Channel MOSFET
MOSFETs 600V N-Channel MOSFET
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 974.12 грн |
10+ | 627.52 грн |
FCI7N60 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs HIGH POWER
MOSFETs HIGH POWER
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 229.47 грн |
10+ | 177.78 грн |
100+ | 108.68 грн |
500+ | 95.66 грн |
1000+ | 91.84 грн |
FCPF7N60 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
на замовлення 1017 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 168.75 грн |
10+ | 113.53 грн |
500+ | 92.60 грн |
1000+ | 87.25 грн |
FDPF17N60NT |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs UniFET2 600V
MOSFETs UniFET2 600V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 260.72 грн |
10+ | 154.02 грн |
100+ | 122.45 грн |
500+ | 114.80 грн |
FDU7N60NZTU |
![]() |
Виробник: Fairchild
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK FDU7N60NZTU TFDU7n60nztu
кількість в упаковці: 10 шт
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK FDU7N60NZTU TFDU7n60nztu
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 40.09 грн |
FDU7N60NZTU |
![]() |
Виробник: Fairchild
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK FDU7N60NZTU TFDU7n60nztu
кількість в упаковці: 10 шт
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK FDU7N60NZTU TFDU7n60nztu
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 40.09 грн |
IRFP27N60KPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 500W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 500W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 500W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 500W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 644.76 грн |
4+ | 281.41 грн |
10+ | 266.27 грн |
IRFP27N60KPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 500W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 500W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 500W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 500W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 773.71 грн |
4+ | 350.68 грн |
10+ | 319.52 грн |
IXKR47N60C5 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 278W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 278W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 278W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 278W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1381.37 грн |
3+ | 1212.55 грн |
IXKR47N60C5 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 278W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 278W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 278W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 278W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1657.65 грн |
3+ | 1511.02 грн |
30+ | 1408.18 грн |
IXKR47N60C5 |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFETs 47 Amps 600V 0.045 Rds
MOSFETs 47 Amps 600V 0.045 Rds
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1919.67 грн |
10+ | 1741.75 грн |
120+ | 1379.10 грн |
L47N-600-1 |
![]() |
Виробник: TE Connectivity / DEUTSCH
Automotive Connectors LYD STEEL 3/64 X 6 NYLON COATING
Automotive Connectors LYD STEEL 3/64 X 6 NYLON COATING
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 649.12 грн |
M83-LML3M7N60-0000-000 |
![]() |
Виробник: Harwin
Headers & Wire Housings 3R 60P M HORZ PC TAIL 4MM W/JS
Headers & Wire Housings 3R 60P M HORZ PC TAIL 4MM W/JS
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3400.05 грн |
8+ | 2755.64 грн |
24+ | 2282.18 грн |
56+ | 2194.17 грн |
104+ | 2100.03 грн |
256+ | 2035.74 грн |
NTHL017N60S5H |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs SF5 600V FAST 17MOHM WITH TO-247-3
MOSFETs SF5 600V FAST 17MOHM WITH TO-247-3
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1308.06 грн |
10+ | 921.48 грн |
120+ | 700.27 грн |
SIHD7N60E-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 3425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 185.72 грн |
10+ | 112.65 грн |
100+ | 88.01 грн |
500+ | 73.70 грн |
1000+ | 63.60 грн |
3000+ | 60.00 грн |
6000+ | 58.01 грн |
SIHF7N60E-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 133.04 грн |
10+ | 121.46 грн |
100+ | 74.24 грн |
SIHG47N60AE-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 533.94 грн |
10+ | 357.33 грн |
SIHG47N60AEF-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 773.23 грн |
10+ | 461.18 грн |
100+ | 348.22 грн |
SIHG47N60E-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 768.76 грн |
10+ | 503.43 грн |
100+ | 370.41 грн |
500+ | 348.98 грн |
SIHG47N60E-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 357W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 357W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 357W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 357W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 683.39 грн |
2+ | 564.42 грн |
5+ | 534.13 грн |
SIHG47N60E-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 357W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 357W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 357W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 357W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 820.07 грн |
2+ | 703.36 грн |
5+ | 640.95 грн |
SIHG47N60E-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 2919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 768.76 грн |
10+ | 572.96 грн |
100+ | 461.49 грн |
500+ | 410.98 грн |
1000+ | 400.26 грн |
SIHG47N60EF-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs RECOMMENDED ALT SIHW
MOSFETs RECOMMENDED ALT SIHW
на замовлення 571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 753.58 грн |
10+ | 637.20 грн |
100+ | 462.25 грн |
500+ | 451.54 грн |
1000+ | 380.36 грн |
SIHP7N60E-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 600V 7A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 600V 7A N-CH MOSFET
на замовлення 6522 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 190.18 грн |
10+ | 102.97 грн |
100+ | 73.01 грн |
500+ | 70.26 грн |
1000+ | 63.29 грн |
2000+ | 61.15 грн |
5000+ | 60.46 грн |
SIHP7N60E-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 6468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 91.97 грн |
500+ | 88.89 грн |
1000+ | 65.82 грн |
2000+ | 62.45 грн |
5000+ | 61.99 грн |
10000+ | 60.46 грн |
SIHW47N60E-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AD
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AD
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 832.16 грн |
10+ | 535.11 грн |
SIHW47N60EF-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs RECOMMENDED ALT SIHG
MOSFETs RECOMMENDED ALT SIHG
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 841.98 грн |
10+ | 649.53 грн |
100+ | 471.44 грн |
480+ | 355.87 грн |
SPA07N60C3 | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 32W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 32W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 213.77 грн |
10+ | 101.25 грн |
25+ | 100.45 грн |
26+ | 95.66 грн |
100+ | 91.68 грн |
SPA07N60C3 | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 32W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 32W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 256.53 грн |
10+ | 126.17 грн |
25+ | 120.54 грн |
26+ | 114.80 грн |
100+ | 110.01 грн |
SPA07N60C3 | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 600V 7.3A TO220FP-3 CoolMOS C3
MOSFETs N-Ch 600V 7.3A TO220FP-3 CoolMOS C3
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 226.79 грн |
10+ | 222.67 грн |
25+ | 96.43 грн |
100+ | 86.48 грн |
250+ | 80.36 грн |
500+ | 69.57 грн |
1000+ | 62.91 грн |
SPA07N60C3XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP SPA07N60C3XKSA1 SPA07N60C3 TSPA07n60c3
кількість в упаковці: 10 шт
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP SPA07N60C3XKSA1 SPA07N60C3 TSPA07n60c3
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 74.34 грн |
SPD07N60C3 |
![]() |
Виробник: Infineon
Transistor N-MOSFET; 650V; 20V; 1,46Ohm; 7,3A; 83W; -55°C ~ 150°C; SPD07N60C3ATMA1; SPD07N60C3BTMA1; SPD07N60C3 TSPD07n60c3
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-MOSFET; 650V; 20V; 1,46Ohm; 7,3A; 83W; -55°C ~ 150°C; SPD07N60C3ATMA1; SPD07N60C3BTMA1; SPD07N60C3 TSPD07n60c3
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 44.37 грн |
SPD07N60C3ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_LEGACY
MOSFETs LOW POWER_LEGACY
на замовлення 4772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 208.93 грн |
10+ | 137.30 грн |
25+ | 80.36 грн |
100+ | 65.28 грн |
SPP07N60C3XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 650V 7.3A TO220-3
MOSFETs N-Ch 650V 7.3A TO220-3
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 252.68 грн |
10+ | 161.06 грн |
100+ | 102.55 грн |
500+ | 86.48 грн |
1000+ | 73.70 грн |
2500+ | 70.26 грн |
SPW47N60C3 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 47A; 415W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 47A
Power dissipation: 415W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 47A; 415W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 47A
Power dissipation: 415W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 888.58 грн |
2+ | 738.21 грн |
4+ | 697.56 грн |
SPW47N60C3 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 47A; 415W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 47A
Power dissipation: 415W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 47A; 415W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 47A
Power dissipation: 415W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 117 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1066.29 грн |
2+ | 919.93 грн |
4+ | 837.07 грн |
SPW47N60C3 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3
MOSFETs N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 966.09 грн |
10+ | 949.64 грн |
25+ | 499.75 грн |
100+ | 435.47 грн |
SPW47N60C3 |
Виробник: Infineon
N-MOSFET 47A 600V 415W 0.07Ω repl:STW45NM60 SPW47N60C3 TSPW47N60C3
кількість в упаковці: 2 шт
N-MOSFET 47A 600V 415W 0.07Ω repl:STW45NM60 SPW47N60C3 TSPW47N60C3
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 877.45 грн |
SPW47N60CFDFKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; 417W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29A
Power dissipation: 417W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 83mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; 417W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29A
Power dissipation: 417W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 83mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1084.32 грн |
2+ | 692.77 грн |
4+ | 655.30 грн |
SSW47N60S |
Виробник: Super Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 70mOhm; 47A; 391W; -55°C ~ 150°C; SSW47N60S SUPER SEMICONDUCTOR TSSW47n60s
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 70mOhm; 47A; 391W; -55°C ~ 150°C; SSW47N60S SUPER SEMICONDUCTOR TSSW47n60s
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 213.87 грн |
STB37N60DM2AG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ 28 A MDmesh DM2 Power MOSFET
MOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ 28 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 563.40 грн |
10+ | 408.37 грн |
100+ | 280.87 грн |
1000+ | 238.78 грн |
STB47N60DM6AG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET
MOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET
на замовлення 361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 583.04 грн |
10+ | 404.85 грн |
100+ | 272.45 грн |
500+ | 270.16 грн |
1000+ | 226.53 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]