Результат пошуку "9n90" : 42
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
Термозапобіжник 90°C 250V/2А (B-1009N 90°С), що самовідновлюється Код товару: 48205
Додати до обраних
Обраний товар
|
Sang |
Запобіжники (плавкі та самовідтворювані) > Термозапобіжники Опис: Термостат нормально замкнутий 90°C, 250V,2A Струм: 2 А Напруга: 250 V Температура: 90°C Тип: Відновлюється |
у наявності: 823 шт
532 шт - склад
17 шт - РАДІОМАГ-Київ 77 шт - РАДІОМАГ-Львів 44 шт - РАДІОМАГ-Харків 78 шт - РАДІОМАГ-Одеса 75 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||
AOTF9N90 | ALPHA&OMEGA |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
FQP9N90C | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; 205W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 2.8A Power dissipation: 205W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 58nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FQP9N90C | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; 205W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 2.8A Power dissipation: 205W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 58nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FQP9N90C | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 1677 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FQPF9N90CT | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 2587 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
TSA9N90M | TRUESEMI |
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 9A; 1,4Ohm; 30V; 130W; -55°C~150°C; Substitute: 2SK3878; TSA9N90M TO-3P TTSA9N90M кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 170 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
WMP09N90C2 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 900V; 4.8A; Idm: 16A; 85W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 4.8A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 85W Case: TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.37Ω Mounting: THT Gate charge: 18nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 692 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
Транзистор польовий FQPF9N90CT 8A 900V N-ch TO-220F |
на замовлення 10 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FQA9N90 |
![]() |
на замовлення 5620 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FQA9N90-F109 | ON Semiconductor |
![]() ![]() |
на замовлення 4944 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FQA9N90C | FSC |
![]() |
на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FQA9N90C | FAIRCHILD |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FQPF9N90C | FAIRCHIL |
![]() |
на замовлення 900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXFN39N90 | IXYS |
![]() |
на замовлення 59 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SLW9N90C |
на замовлення 12368 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SSF9N90A |
на замовлення 6798 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SSH9N90 |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SSH9N90A |
на замовлення 6880 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
TK09N90A |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
WFW9N90 |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2SK3878(STA1,E,S) | Toshiba |
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 900V; 30V; 1,3Ohm; 9A; 150W; -55°C ~ 150°C; 2SK3878(F); 2SK3878(STA1,E,S); TSA9N90M; TSA9N9OM; 2SK3878(STA1.E.S); podobny do STW11NK100Z; 2SK3878 TOSHIBA T2SK3878 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
2SK3878(STA1,E,S) | Toshiba | Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 900V; 30V; 1,3Ohm; 9A; 150W; -55°C ~ 150°C; 2SK3878(F); 2SK3878(STA1,E,S); TSA9N90M; TSA9N9OM; 2SK3878(STA1.E.S); podobny do STW11NK100Z; 2SK3878 TOSHIBA T2SK3878 |
на замовлення 475 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FQA9N90C (FQA9N90C-F109) Код товару: 48853
Додати до обраних
Обраний товар
|
ON |
![]() Корпус: TO-3PN Uds,V: 900 V Idd,A: 9 А Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm |
товару немає в наявності
|
|
|||||||||||||
![]() |
FQP9N90C Код товару: 117719
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FQPF9N90C тран-р Код товару: 44576
Додати до обраних
Обраний товар
|
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FQPF9N90CT Код товару: 148086
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
AOK9N90 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; Idm: 34A; 368W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 9A Pulsed drain current: 34A Power dissipation: 368W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: THT Gate charge: 46nC Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
AOK9N90 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; Idm: 34A; 368W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 9A Pulsed drain current: 34A Power dissipation: 368W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: THT Gate charge: 46nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 240 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
AOTF9N90 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 6A Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: THT Gate charge: 46nC Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
FQPF9N90CT | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; Idm: 32A; 68W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 2.8A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 68W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 58nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
FQPF9N90CT | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; Idm: 32A; 68W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 2.8A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 68W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 58nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IXFE39N90 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
XM-B9N9-0404D | Quantic X-Microwave | RF Switch ICs Switches, ADRF5020BCCZNSMT |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
XM-C9N9-0404D | Quantic X-Microwave | RF Development Tools Mixers, ML1-0110HSM-1 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
XR-B9N9-0404D | Quantic X-Microwave | RF Switch ICs Switches, ADRF5020BCCZNSMT |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
XR-C9N9-0404D | Quantic X-Microwave | RF Development Tools Mixers, ML1-0110HSM-1 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
AOTF9N90 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 6A Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: THT Gate charge: 46nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
Термозапобіжник 90°C 250V/2А (B-1009N 90°С), що самовідновлюється Код товару: 48205
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Sang
Запобіжники (плавкі та самовідтворювані) > Термозапобіжники
Опис: Термостат нормально замкнутий 90°C, 250V,2A
Струм: 2 А
Напруга: 250 V
Температура: 90°C
Тип: Відновлюється
Запобіжники (плавкі та самовідтворювані) > Термозапобіжники
Опис: Термостат нормально замкнутий 90°C, 250V,2A
Струм: 2 А
Напруга: 250 V
Температура: 90°C
Тип: Відновлюється
у наявності: 823 шт
532 шт - склад
17 шт - РАДІОМАГ-Київ
77 шт - РАДІОМАГ-Львів
44 шт - РАДІОМАГ-Харків
78 шт - РАДІОМАГ-Одеса
75 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
17 шт - РАДІОМАГ-Київ
77 шт - РАДІОМАГ-Львів
44 шт - РАДІОМАГ-Харків
78 шт - РАДІОМАГ-Одеса
75 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 26.50 грн |
10+ | 23.80 грн |
AOTF9N90 |
![]() |
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 1,3Ohm; 9A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF9N90 TAOTF9n90
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 1,3Ohm; 9A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF9N90 TAOTF9n90
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 65.97 грн |
FQP9N90C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; 205W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 205W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; 205W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 205W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 279.88 грн |
6+ | 181.76 грн |
FQP9N90C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; 205W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 205W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; 205W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 205W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 335.86 грн |
6+ | 226.50 грн |
15+ | 206.64 грн |
500+ | 201.85 грн |
FQP9N90C |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 900V N-Channel Adv Q-FET C-Series
MOSFETs 900V N-Channel Adv Q-FET C-Series
на замовлення 1677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 399.11 грн |
10+ | 203.31 грн |
100+ | 160.72 грн |
500+ | 150.77 грн |
1000+ | 145.41 грн |
FQPF9N90CT |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 900V N-Chan Advance Q-FET C-Series
MOSFETs 900V N-Chan Advance Q-FET C-Series
на замовлення 2587 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 363.40 грн |
10+ | 188.34 грн |
100+ | 156.12 грн |
500+ | 138.52 грн |
1000+ | 136.23 грн |
TSA9N90M |
Виробник: TRUESEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 9A; 1,4Ohm; 30V; 130W; -55°C~150°C; Substitute: 2SK3878; TSA9N90M TO-3P TTSA9N90M
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 9A; 1,4Ohm; 30V; 130W; -55°C~150°C; Substitute: 2SK3878; TSA9N90M TO-3P TTSA9N90M
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 170 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 77.26 грн |
WMP09N90C2 |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 900V; 4.8A; Idm: 16A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 85W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.37Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 900V; 4.8A; Idm: 16A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 85W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.37Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 56.66 грн |
9+ | 47.35 грн |
22+ | 43.13 грн |
25+ | 41.93 грн |
60+ | 40.82 грн |
160+ | 39.30 грн |
Транзистор польовий FQPF9N90CT 8A 900V N-ch TO-220F |
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 124.07 грн |
FQA9N90-F109 |
![]() ![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 4944 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
FQA9N90C |
![]() |
Виробник: FSC
TO-3 2010+
TO-3 2010+
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
FQA9N90C |
![]() |
Виробник: FAIRCHILD
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
FQPF9N90C |
![]() |
Виробник: FAIRCHIL
09+ QFP
09+ QFP
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IXFN39N90 | ![]() |
Виробник: IXYS
MODULE
MODULE
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
2SK3878(STA1,E,S) |
Виробник: Toshiba
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 900V; 30V; 1,3Ohm; 9A; 150W; -55°C ~ 150°C; 2SK3878(F); 2SK3878(STA1,E,S); TSA9N90M; TSA9N9OM; 2SK3878(STA1.E.S); podobny do STW11NK100Z; 2SK3878 TOSHIBA T2SK3878
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 900V; 30V; 1,3Ohm; 9A; 150W; -55°C ~ 150°C; 2SK3878(F); 2SK3878(STA1,E,S); TSA9N90M; TSA9N9OM; 2SK3878(STA1.E.S); podobny do STW11NK100Z; 2SK3878 TOSHIBA T2SK3878
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 125.52 грн |
2SK3878(STA1,E,S) |
Виробник: Toshiba
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 900V; 30V; 1,3Ohm; 9A; 150W; -55°C ~ 150°C; 2SK3878(F); 2SK3878(STA1,E,S); TSA9N90M; TSA9N9OM; 2SK3878(STA1.E.S); podobny do STW11NK100Z; 2SK3878 TOSHIBA T2SK3878
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 900V; 30V; 1,3Ohm; 9A; 150W; -55°C ~ 150°C; 2SK3878(F); 2SK3878(STA1,E,S); TSA9N90M; TSA9N9OM; 2SK3878(STA1.E.S); podobny do STW11NK100Z; 2SK3878 TOSHIBA T2SK3878
на замовлення 475 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
FQA9N90C (FQA9N90C-F109) Код товару: 48853
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ON
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-3PN
Uds,V: 900 V
Idd,A: 9 А
Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-3PN
Uds,V: 900 V
Idd,A: 9 А
Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm
товару немає в наявності
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 120.00 грн |
10+ | 105.00 грн |
100+ | 92.00 грн |
FQP9N90C Код товару: 117719
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FQPF9N90C тран-р Код товару: 44576
Додати до обраних
Обраний товар
|
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FQPF9N90CT Код товару: 148086
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AOK9N90 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; Idm: 34A; 368W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 368W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; Idm: 34A; 368W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 368W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AOK9N90 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; Idm: 34A; 368W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 368W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 240 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; Idm: 34A; 368W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 368W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 240 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AOTF9N90 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FQPF9N90CT |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; Idm: 32A; 68W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 68W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; Idm: 32A; 68W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 68W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FQPF9N90CT |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; Idm: 32A; 68W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 68W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; Idm: 32A; 68W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 68W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFE39N90 |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFET Modules 34 Amps 900V 0.22 Rds
MOSFET Modules 34 Amps 900V 0.22 Rds
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
XM-B9N9-0404D |
Виробник: Quantic X-Microwave
RF Switch ICs Switches, ADRF5020BCCZNSMT
RF Switch ICs Switches, ADRF5020BCCZNSMT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
XM-C9N9-0404D |
Виробник: Quantic X-Microwave
RF Development Tools Mixers, ML1-0110HSM-1
RF Development Tools Mixers, ML1-0110HSM-1
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
XR-B9N9-0404D |
Виробник: Quantic X-Microwave
RF Switch ICs Switches, ADRF5020BCCZNSMT
RF Switch ICs Switches, ADRF5020BCCZNSMT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
XR-C9N9-0404D |
Виробник: Quantic X-Microwave
RF Development Tools Mixers, ML1-0110HSM-1
RF Development Tools Mixers, ML1-0110HSM-1
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AOTF9N90 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.