Результат пошуку "9n90" : 42

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
Термозапобіжник 90°C 250V/2А (B-1009N 90°С), що самовідновлюється Термозапобіжник 90°C 250V/2А (B-1009N 90°С), що самовідновлюється
Код товару: 48205
Додати до обраних Обраний товар

Sang Запобіжники (плавкі та самовідтворювані) > Термозапобіжники
Опис: Термостат нормально замкнутий 90°C, 250V,2A
Струм: 2 А
Напруга: 250 V
Температура: 90°C
Тип: Відновлюється
у наявності: 823 шт
532 шт - склад
17 шт - РАДІОМАГ-Київ
77 шт - РАДІОМАГ-Львів
44 шт - РАДІОМАГ-Харків
78 шт - РАДІОМАГ-Одеса
75 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+26.50 грн
10+23.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF9N90 ALPHA&OMEGA TO220F.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 1,3Ohm; 9A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF9N90 TAOTF9n90
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+65.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9N90C FQP9N90C ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781982A790889E259&compId=FQP9N90C.pdf?ci_sign=b4df4717521c00833dc3a554ff86d71aff9eadfa Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; 205W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 205W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+340.27 грн
6+179.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9N90C FQP9N90C ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781982A790889E259&compId=FQP9N90C.pdf?ci_sign=b4df4717521c00833dc3a554ff86d71aff9eadfa Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; 205W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 205W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+408.32 грн
6+223.87 грн
15+204.23 грн
100+198.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9N90C FQP9N90C onsemi / Fairchild fqpf9n90c-d.pdf MOSFETs 900V N-Channel Adv Q-FET C-Series
на замовлення 1667 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+394.47 грн
10+200.94 грн
100+158.85 грн
500+149.01 грн
1000+143.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N90CT FQPF9N90CT onsemi / Fairchild FQPF9N90C-D.PDF MOSFETs 900V N-Chan Advance Q-FET C-Series
на замовлення 2587 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+359.17 грн
10+186.15 грн
100+154.31 грн
500+149.01 грн
1000+134.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TSA9N90M TRUESEMI Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 9A; 1,4Ohm; 30V; 130W; -55°C~150°C; Substitute: 2SK3878; TSA9N90M TO-3P TTSA9N90M
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 170 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+77.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
WMP09N90C2 WMP09N90C2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 900V; 4.8A; Idm: 16A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 85W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.37Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+56.85 грн
9+47.43 грн
22+42.55 грн
25+41.92 грн
60+40.26 грн
160+38.69 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий FQPF9N90CT 8A 900V N-ch TO-220F
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
5+124.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQA9N90 FAIRS24244-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 5620 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQA9N90-F109 ON Semiconductor FQA9N90_F109-D.PDF fqa9n90_f109-d.pdf
на замовлення 4944 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQA9N90C FSC FQA9N90C.pdf TO-3 2010+
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQA9N90C FAIRCHILD FQA9N90C.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N90C FAIRCHIL fqpf9n90c-d.pdf 09+ QFP
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN39N90 IXYS description MODULE
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SLW9N90C
на замовлення 12368 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSF9N90A
на замовлення 6798 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSH9N90
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSH9N90A
на замовлення 6880 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK09N90A
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WFW9N90
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3878(STA1,E,S) Toshiba Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 900V; 30V; 1,3Ohm; 9A; 150W; -55°C ~ 150°C; 2SK3878(F); 2SK3878(STA1,E,S); TSA9N90M; TSA9N9OM; 2SK3878(STA1.E.S); podobny do STW11NK100Z; 2SK3878 TOSHIBA T2SK3878
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 400 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+125.52 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3878(STA1,E,S) Toshiba Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 900V; 30V; 1,3Ohm; 9A; 150W; -55°C ~ 150°C; 2SK3878(F); 2SK3878(STA1,E,S); TSA9N90M; TSA9N9OM; 2SK3878(STA1.E.S); podobny do STW11NK100Z; 2SK3878 TOSHIBA T2SK3878
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+125.52 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
FQA9N90C (FQA9N90C-F109)
Код товару: 48853
Додати до обраних Обраний товар

ON fqa9n90c_f109-96052.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-3PN
Uds,V: 900 V
Idd,A: 9 А
Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm
товару немає в наявності
1+120.00 грн
10+105.00 грн
100+92.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9N90C FQP9N90C
Код товару: 117719
Додати до обраних Обраний товар

fqpf9n90c-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N90C тран-р
Код товару: 44576
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N90CT
Код товару: 148086
Додати до обраних Обраний товар

FQPF9N90C-D.PDF Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK9N90 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR TO247.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; Idm: 34A; 368W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 368W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK9N90 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR TO247.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; Idm: 34A; 368W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 368W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 240 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF9N90 AOTF9N90 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A3F356F76D912A50&compId=AOTF9N90-DTE.pdf?ci_sign=74fe4310a3aa6f03c9fcec7e9dce36d9b48cce92 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N90CT FQPF9N90CT ONSEMI FQPF9N90C-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; Idm: 32A; 68W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 68W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N90CT FQPF9N90CT ONSEMI FQPF9N90C-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; Idm: 32A; 68W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 68W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFE39N90 IXFE39N90 IXYS ixys_98920-1547059.pdf MOSFET Modules 34 Amps 900V 0.22 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XM-B9N9-0404D XM-B9N9-0404D Quantic X-Microwave RF Switch ICs Switches, ADRF5020BCCZNSMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XM-C9N9-0404D XM-C9N9-0404D Quantic X-Microwave RF Development Tools Mixers, ML1-0110HSM-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XR-B9N9-0404D XR-B9N9-0404D Quantic X-Microwave RF Switch ICs Switches, ADRF5020BCCZNSMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XR-C9N9-0404D XR-C9N9-0404D Quantic X-Microwave RF Development Tools Mixers, ML1-0110HSM-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF9N90 AOTF9N90 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A3F356F76D912A50&compId=AOTF9N90-DTE.pdf?ci_sign=74fe4310a3aa6f03c9fcec7e9dce36d9b48cce92 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Термозапобіжник 90°C 250V/2А (B-1009N 90°С), що самовідновлюється
Код товару: 48205
Додати до обраних Обраний товар

Термозапобіжник 90°C 250V/2А (B-1009N 90°С), що самовідновлюється
Виробник: Sang
Запобіжники (плавкі та самовідтворювані) > Термозапобіжники
Опис: Термостат нормально замкнутий 90°C, 250V,2A
Струм: 2 А
Напруга: 250 V
Температура: 90°C
Тип: Відновлюється
у наявності: 823 шт
532 шт - склад
17 шт - РАДІОМАГ-Київ
77 шт - РАДІОМАГ-Львів
44 шт - РАДІОМАГ-Харків
78 шт - РАДІОМАГ-Одеса
75 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+26.50 грн
10+23.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF9N90 TO220F.pdf
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 1,3Ohm; 9A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF9N90 TAOTF9n90
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+65.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9N90C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781982A790889E259&compId=FQP9N90C.pdf?ci_sign=b4df4717521c00833dc3a554ff86d71aff9eadfa
FQP9N90C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; 205W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 205W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+340.27 грн
6+179.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9N90C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781982A790889E259&compId=FQP9N90C.pdf?ci_sign=b4df4717521c00833dc3a554ff86d71aff9eadfa
FQP9N90C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; 205W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 205W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+408.32 грн
6+223.87 грн
15+204.23 грн
100+198.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9N90C fqpf9n90c-d.pdf
FQP9N90C
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 900V N-Channel Adv Q-FET C-Series
на замовлення 1667 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+394.47 грн
10+200.94 грн
100+158.85 грн
500+149.01 грн
1000+143.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N90CT FQPF9N90C-D.PDF
FQPF9N90CT
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 900V N-Chan Advance Q-FET C-Series
на замовлення 2587 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+359.17 грн
10+186.15 грн
100+154.31 грн
500+149.01 грн
1000+134.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TSA9N90M
Виробник: TRUESEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 9A; 1,4Ohm; 30V; 130W; -55°C~150°C; Substitute: 2SK3878; TSA9N90M TO-3P TTSA9N90M
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 170 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+77.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
WMP09N90C2
WMP09N90C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 900V; 4.8A; Idm: 16A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 85W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.37Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+56.85 грн
9+47.43 грн
22+42.55 грн
25+41.92 грн
60+40.26 грн
160+38.69 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий FQPF9N90CT 8A 900V N-ch TO-220F
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
5+124.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQA9N90 FAIRS24244-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 5620 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQA9N90-F109 FQA9N90_F109-D.PDF fqa9n90_f109-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 4944 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQA9N90C FQA9N90C.pdf
Виробник: FSC
TO-3 2010+
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQA9N90C FQA9N90C.pdf
Виробник: FAIRCHILD
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N90C fqpf9n90c-d.pdf
Виробник: FAIRCHIL
09+ QFP
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN39N90 description
Виробник: IXYS
MODULE
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SLW9N90C
на замовлення 12368 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSF9N90A
на замовлення 6798 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSH9N90
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSH9N90A
на замовлення 6880 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK09N90A
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WFW9N90
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3878(STA1,E,S)
Виробник: Toshiba
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 900V; 30V; 1,3Ohm; 9A; 150W; -55°C ~ 150°C; 2SK3878(F); 2SK3878(STA1,E,S); TSA9N90M; TSA9N9OM; 2SK3878(STA1.E.S); podobny do STW11NK100Z; 2SK3878 TOSHIBA T2SK3878
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 400 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+125.52 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3878(STA1,E,S)
Виробник: Toshiba
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 900V; 30V; 1,3Ohm; 9A; 150W; -55°C ~ 150°C; 2SK3878(F); 2SK3878(STA1,E,S); TSA9N90M; TSA9N9OM; 2SK3878(STA1.E.S); podobny do STW11NK100Z; 2SK3878 TOSHIBA T2SK3878
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+125.52 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
FQA9N90C (FQA9N90C-F109)
Код товару: 48853
Додати до обраних Обраний товар

fqa9n90c_f109-96052.pdf
Виробник: ON
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-3PN
Uds,V: 900 V
Idd,A: 9 А
Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+120.00 грн
10+105.00 грн
100+92.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9N90C
Код товару: 117719
Додати до обраних Обраний товар

fqpf9n90c-d.pdf
FQP9N90C
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N90C тран-р
Код товару: 44576
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N90CT
Код товару: 148086
Додати до обраних Обраний товар

FQPF9N90C-D.PDF
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK9N90 TO247.pdf
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; Idm: 34A; 368W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 368W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK9N90 TO247.pdf
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; Idm: 34A; 368W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 368W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 240 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF9N90 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A3F356F76D912A50&compId=AOTF9N90-DTE.pdf?ci_sign=74fe4310a3aa6f03c9fcec7e9dce36d9b48cce92
AOTF9N90
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N90CT FQPF9N90C-D.PDF
FQPF9N90CT
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; Idm: 32A; 68W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 68W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N90CT FQPF9N90C-D.PDF
FQPF9N90CT
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; Idm: 32A; 68W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 68W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFE39N90 ixys_98920-1547059.pdf
IXFE39N90
Виробник: IXYS
MOSFET Modules 34 Amps 900V 0.22 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XM-B9N9-0404D
XM-B9N9-0404D
Виробник: Quantic X-Microwave
RF Switch ICs Switches, ADRF5020BCCZNSMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XM-C9N9-0404D
XM-C9N9-0404D
Виробник: Quantic X-Microwave
RF Development Tools Mixers, ML1-0110HSM-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XR-B9N9-0404D
XR-B9N9-0404D
Виробник: Quantic X-Microwave
RF Switch ICs Switches, ADRF5020BCCZNSMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XR-C9N9-0404D
XR-C9N9-0404D
Виробник: Quantic X-Microwave
RF Development Tools Mixers, ML1-0110HSM-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF9N90 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A3F356F76D912A50&compId=AOTF9N90-DTE.pdf?ci_sign=74fe4310a3aa6f03c9fcec7e9dce36d9b48cce92
AOTF9N90
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.