Результат пошуку "IRF14" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRF1404PBF IRF1404PBF
Код товару: 31360 		IR irf1404pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dae92618b0 Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 40 V
Idd,A: 202 A
Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 7360/160
Монтаж: THT
у наявності: 511 шт
очікується: 3 шт
2+48 грн
10+ 44 грн
100+ 39.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1404ZPBF IRF1404ZPBF
Код товару: 26520 		IR IRF1404ZPBF.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 40 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 0,0037 Ohm
Монтаж: THT
у наявності: 105 шт
очікується: 20 шт
1+58 грн
10+ 53.5 грн
100+ 48.9 грн
IRF1405PBF IRF1405PBF
Код товару: 27155 		IR IRF1405PBF.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 169 A
Rds(on), Ohm: 0,0053 Ohm
Монтаж: THT
у наявності: 39 шт
очікується: 25 шт
1+60.5 грн
10+ 54.5 грн
IRF1407PBF IRF1407PBF
Код товару: 24062 		IR IRSDS11102-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irf1407pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db28c218c8 description Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 75 V
Idd,A: 130 A
Rds(on), Ohm: 0,0078 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5600/160
Монтаж: THT
у наявності: 46 шт
1+66 грн
10+ 59.4 грн
IRF1404 JSMicro Semiconductor Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 230A; 285W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404; SP001561374; IRF1404 JSMICRO TIRF1404 JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+35.58 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF1404 International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 202A; 333W; -55°C ~ 175°C; IRF1404 IRF1404 TIRF1404
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+41.11 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF1404LPBF IRF1404LPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1404spbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+179.98 грн
9+ 96.03 грн
25+ 90.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1404LPBF IRF1404LPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1404spbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+215.98 грн
9+ 119.66 грн
25+ 109.07 грн
1000+ 105.55 грн
2000+ 104.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1404LPBF IRF1404LPBF Infineon Technologies infineon-irf1404l-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+167 грн
86+ 143.09 грн
100+ 124.95 грн
500+ 105.29 грн
Мінімальне замовлення: 74
IRF1404LPBF IRF1404LPBF Infineon Technologies infineon-irf1404l-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+155.15 грн
10+ 132.95 грн
100+ 116.09 грн
500+ 97.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1404LPBF IRF1404LPBF Infineon Technologies irf1404spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355daf0f118b2 Description: MOSFET N-CH 40V 162A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
на замовлення 7647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.44 грн
50+ 154.43 грн
100+ 127.05 грн
500+ 100.89 грн
1000+ 85.61 грн
2000+ 81.33 грн
5000+ 76.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1404LPBF IRF1404LPBF Infineon Technologies infineon-irf1404l-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1404LPBF IRF1404LPBF Infineon Technologies Infineon_IRF1404L_DataSheet_v01_01_EN-3363039.pdf MOSFETs MOSFT 40V 162A 4mOhm 160nC
на замовлення 2127 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+209.35 грн
10+ 166.71 грн
100+ 119.63 грн
500+ 103.44 грн
1000+ 87.26 грн
2000+ 82.33 грн
5000+ 80.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1404LPBF IRF1404LPBF INFINEON IRSDS10287-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1404LPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 0.0035 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+232.08 грн
10+ 165.77 грн
100+ 136.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1404PBF IRF1404PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1404.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.46 грн
10+ 75.5 грн
12+ 74.03 грн
32+ 69.64 грн
50+ 66.7 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1404PBF IRF1404PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1404.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+119.36 грн
10+ 94.09 грн
12+ 88.84 грн
32+ 83.56 грн
50+ 80.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1404PBF IRF1404PBF Infineon Technologies irf1404pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dae92618b0 Description: MOSFET N-CH 40V 202A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 121A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5669 pF @ 25 V
на замовлення 2088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.33 грн
50+ 82.68 грн
100+ 68.02 грн
500+ 57.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1404PBF ROCHESTER ELECTRONICS IRSDS10287-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF1404PBF - IRF1404 MOSFET N-CHANNEL SINGLE 40V 202
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
279+86.83 грн
Мінімальне замовлення: 279
IRF1404PBF IRF1404PBF Infineon Technologies infineon-irf1404-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+97.05 грн
150+ 81.8 грн
172+ 71.12 грн
500+ 68.07 грн
1000+ 60.82 грн
Мінімальне замовлення: 126
IRF1404PBF IRF1404PBF Infineon Technologies Infineon_IRF1404_DataSheet_v01_01_EN-3363227.pdf MOSFETs 40V 202A 4mOhm 160nC
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.98 грн
10+ 80.52 грн
100+ 61.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1404PBF IRF1404PBF Infineon Technologies infineon-irf1404-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF1404PBF IRF1404PBF Infineon Technologies irf1404pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.7 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1404PBF IRF1404PBF INFINEON INFN-S-A0012838674-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1404PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 0.004 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+131.04 грн
10+ 97.89 грн
100+ 92.36 грн
500+ 80.63 грн
1000+ 69.69 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF1404PBF IRF1404PBF Infineon Technologies infineon-irf1404-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
201+60.7 грн
Мінімальне замовлення: 201
IRF1404PBF IRF1404PBF Infineon Technologies infineon-irf1404-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+90.16 грн
10+ 76 грн
100+ 66.07 грн
500+ 63.24 грн
1000+ 56.51 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF1404STR International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 162A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404S; IRF1404STRL; IRF1404STRR; IRF1404S TIRF1404s
кількість в упаковці: 6 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
6+94.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1404STRL International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 162A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404S; IRF1404STRL; IRF1404STRR; IRF1404S TIRF1404s
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+94.57 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF INFINEON IRSDS10287-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 0.0035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+114.46 грн
500+ 95.29 грн
1000+ 77.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF Infineon Technologies irf1404l.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+151.35 грн
93+ 131.44 грн
94+ 130.13 грн
102+ 115.74 грн
250+ 106.09 грн
500+ 69.17 грн
Мінімальне замовлення: 81
IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF Infineon Technologies irf1404l.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+140.54 грн
10+ 122.05 грн
25+ 120.83 грн
100+ 107.47 грн
250+ 98.51 грн
500+ 64.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF Infineon Technologies irf1404l.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+47.7 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF Infineon Technologies irf1404spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355daf0f118b2 Description: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
на замовлення 1766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.65 грн
10+ 143.67 грн
100+ 114.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF Infineon Technologies irf1404l.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+72.95 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF INFINEON IRSDS10287-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 0.0035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+168.14 грн
10+ 128.67 грн
100+ 114.46 грн
500+ 95.29 грн
1000+ 77.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF1404L_DataSheet_v01_01_EN-3363039.pdf MOSFETs MOSFT 40V 162A 4mOhm 160nC
на замовлення 6873 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+153.52 грн
10+ 130.29 грн
100+ 101.33 грн
500+ 85.85 грн
800+ 72.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF Infineon Technologies irf1404l.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+106.76 грн
134+ 91.61 грн
139+ 88.05 грн
200+ 84.71 грн
500+ 75.53 грн
Мінімальне замовлення: 115
IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF Infineon Technologies irf1404spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355daf0f118b2 Description: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+75.37 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF Infineon Technologies irf1404l.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+78.52 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1404STRRPBF ROCHESTER ELECTRONICS IRSDS10287-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF1404STRRPBF - IRF1404 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
248+97.89 грн
Мінімальне замовлення: 248
IRF1404Z International Rectifier N-MOSFET HEXFET 40V 75A 200W 0,0037Ω IRF1404Z TIRF1404z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.96 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1404ZPBF IRF1404ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1404z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+81.36 грн
10+ 72.57 грн
14+ 62.31 грн
38+ 59.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1404ZPBF IRF1404ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1404z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+101.39 грн
10+ 87.08 грн
14+ 74.77 грн
38+ 71.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1404ZPBF IRF1404ZPBF Infineon Technologies infineon-irf1404z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
217+56.33 грн
Мінімальне замовлення: 217
IRF1404ZPBF IRF1404ZPBF INFINEON INFN-S-A0012837738-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1404ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 190 A, 0.0037 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+109.73 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF1404ZPBF IRF1404ZPBF Infineon Technologies infineon-irf1404z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+48.2 грн
100+ 46.66 грн
250+ 44.52 грн
500+ 40.98 грн
Мінімальне замовлення: 13
IRF1404ZPBF IRF1404ZPBF Infineon Technologies Infineon_IRF1404Z_DataSheet_v01_01_EN-3362825.pdf MOSFETs MOSFT 40V 190A 3.7mOhm 100nC Qg
на замовлення 9243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.33 грн
10+ 100.35 грн
100+ 69.38 грн
250+ 64.04 грн
500+ 58.13 грн
1000+ 49.82 грн
2000+ 47.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1404ZPBF IRF1404ZPBF Infineon Technologies infineon-irf1404z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
204+60 грн
230+ 53.05 грн
250+ 52.29 грн
500+ 49.37 грн
1000+ 45.11 грн
2000+ 41.86 грн
10000+ 36.44 грн
Мінімальне замовлення: 204
IRF1404ZPBF IRF1404ZPBF Infineon Technologies infineon-irf1404z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.05 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF1404ZPBF IRF1404ZPBF Infineon Technologies infineon-irf1404z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+62.35 грн
11+ 55.75 грн
100+ 49.29 грн
250+ 46.85 грн
500+ 42.47 грн
1000+ 40.24 грн
2000+ 38.9 грн
10000+ 33.86 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1404ZPBF IRF1404ZPBF Infineon Technologies infineon-irf1404z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+50.19 грн
247+ 49.42 грн
Мінімальне замовлення: 244
IRF1404ZPBF IRF1404ZPBF Infineon Technologies IRSDS19311-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
на замовлення 2884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.18 грн
10+ 91.11 грн
100+ 72.54 грн
500+ 57.6 грн
1000+ 48.87 грн
2000+ 46.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1404ZPBF; 190A; 40V; 220W; 0.0037R; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+697.2 грн
IRF1404ZS International Rectifier Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK IRF1404ZS Infineon TIRF1404zs
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+127.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1404ZSPBF IRF1404ZSPBF Infineon Technologies IRSDS19311-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
410+51.82 грн
Мінімальне замовлення: 410
IRF1404ZSPBF ROCHESTER ELECTRONICS IRSDS10287-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF1404ZSPBF - IRF1404 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
395+61.42 грн
Мінімальне замовлення: 395
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF Infineon Technologies IRSDS19311-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
на замовлення 4372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.72 грн
10+ 120.14 грн
100+ 95.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf1404z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+129.13 грн
114+ 107.78 грн
120+ 101.68 грн
500+ 89.13 грн
1000+ 77.71 грн
2000+ 72.95 грн
3200+ 70.51 грн
Мінімальне замовлення: 95
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF INFINEON 1718468.pdf Description: INFINEON - IRF1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0027 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+95.29 грн
250+ 85.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF1404Z_DataSheet_v01_01_EN-3362825.pdf MOSFETs MOSFT 40V 190A 3.7mOhm 100nC Qg
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+161.73 грн
10+ 132.72 грн
100+ 91.48 грн
800+ 64.95 грн
2400+ 62.42 грн
4800+ 60.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf1404z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+123.96 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1404PBF
Код товару: 31360		 irf1404pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dae92618b0
IRF1404PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 40 V
Idd,A: 202 A
Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 7360/160
Монтаж: THT
у наявності: 511 шт
очікується: 3 шт
Кількість Ціна без ПДВ
2+48 грн
10+ 44 грн
100+ 39.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1404ZPBF
Код товару: 26520		 IRF1404ZPBF.pdf
IRF1404ZPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 40 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 0,0037 Ohm
Монтаж: THT
у наявності: 105 шт
очікується: 20 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+58 грн
10+ 53.5 грн
100+ 48.9 грн
IRF1405PBF
Код товару: 27155		 IRF1405PBF.pdf
IRF1405PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 169 A
Rds(on), Ohm: 0,0053 Ohm
Монтаж: THT
у наявності: 39 шт
очікується: 25 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+60.5 грн
10+ 54.5 грн
IRF1407PBF
Код товару: 24062		 description IRSDS11102-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irf1407pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db28c218c8
IRF1407PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 75 V
Idd,A: 130 A
Rds(on), Ohm: 0,0078 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5600/160
Монтаж: THT
у наявності: 46 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+66 грн
10+ 59.4 грн
IRF1404
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 230A; 285W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404; SP001561374; IRF1404 JSMICRO TIRF1404 JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+35.58 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF1404
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 202A; 333W; -55°C ~ 175°C; IRF1404 IRF1404 TIRF1404
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+41.11 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF1404LPBF irf1404spbf.pdf
IRF1404LPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+179.98 грн
9+ 96.03 грн
25+ 90.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1404LPBF irf1404spbf.pdf
IRF1404LPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+215.98 грн
9+ 119.66 грн
25+ 109.07 грн
1000+ 105.55 грн
2000+ 104.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1404LPBF infineon-irf1404l-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1404LPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
74+167 грн
86+ 143.09 грн
100+ 124.95 грн
500+ 105.29 грн
Мінімальне замовлення: 74
IRF1404LPBF infineon-irf1404l-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1404LPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+155.15 грн
10+ 132.95 грн
100+ 116.09 грн
500+ 97.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1404LPBF irf1404spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355daf0f118b2
IRF1404LPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 162A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
на замовлення 7647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+199.44 грн
50+ 154.43 грн
100+ 127.05 грн
500+ 100.89 грн
1000+ 85.61 грн
2000+ 81.33 грн
5000+ 76.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1404LPBF infineon-irf1404l-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1404LPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+60.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1404LPBF Infineon_IRF1404L_DataSheet_v01_01_EN-3363039.pdf
IRF1404LPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 40V 162A 4mOhm 160nC
на замовлення 2127 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+209.35 грн
10+ 166.71 грн
100+ 119.63 грн
500+ 103.44 грн
1000+ 87.26 грн
2000+ 82.33 грн
5000+ 80.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1404LPBF IRSDS10287-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1404LPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1404LPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 0.0035 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+232.08 грн
10+ 165.77 грн
100+ 136.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1404PBF irf1404.pdf
IRF1404PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+99.46 грн
10+ 75.5 грн
12+ 74.03 грн
32+ 69.64 грн
50+ 66.7 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1404PBF irf1404.pdf
IRF1404PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+119.36 грн
10+ 94.09 грн
12+ 88.84 грн
32+ 83.56 грн
50+ 80.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1404PBF irf1404pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dae92618b0
IRF1404PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 202A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 121A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5669 pF @ 25 V
на замовлення 2088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+107.33 грн
50+ 82.68 грн
100+ 68.02 грн
500+ 57.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1404PBF IRSDS10287-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF1404PBF - IRF1404 MOSFET N-CHANNEL SINGLE 40V 202
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
279+86.83 грн
Мінімальне замовлення: 279
IRF1404PBF infineon-irf1404-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1404PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
126+97.05 грн
150+ 81.8 грн
172+ 71.12 грн
500+ 68.07 грн
1000+ 60.82 грн
Мінімальне замовлення: 126
IRF1404PBF Infineon_IRF1404_DataSheet_v01_01_EN-3363227.pdf
IRF1404PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 40V 202A 4mOhm 160nC
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+100.98 грн
10+ 80.52 грн
100+ 61.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1404PBF infineon-irf1404-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1404PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF1404PBF irf1404pbf.pdf
IRF1404PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+58.7 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1404PBF INFN-S-A0012838674-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1404PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1404PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 0.004 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+131.04 грн
10+ 97.89 грн
100+ 92.36 грн
500+ 80.63 грн
1000+ 69.69 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF1404PBF infineon-irf1404-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1404PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
201+60.7 грн
Мінімальне замовлення: 201
IRF1404PBF infineon-irf1404-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1404PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+90.16 грн
10+ 76 грн
100+ 66.07 грн
500+ 63.24 грн
1000+ 56.51 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF1404STR
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 162A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404S; IRF1404STRL; IRF1404STRR; IRF1404S TIRF1404s
кількість в упаковці: 6 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+94.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1404STRL
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 162A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404S; IRF1404STRL; IRF1404STRR; IRF1404S TIRF1404s
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+94.57 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1404STRLPBF IRSDS10287-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1404STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 0.0035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+114.46 грн
500+ 95.29 грн
1000+ 77.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF1404STRLPBF irf1404l.pdf
IRF1404STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
81+151.35 грн
93+ 131.44 грн
94+ 130.13 грн
102+ 115.74 грн
250+ 106.09 грн
500+ 69.17 грн
Мінімальне замовлення: 81
IRF1404STRLPBF irf1404l.pdf
IRF1404STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+140.54 грн
10+ 122.05 грн
25+ 120.83 грн
100+ 107.47 грн
250+ 98.51 грн
500+ 64.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1404STRLPBF irf1404l.pdf
IRF1404STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+47.7 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1404STRLPBF irf1404spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355daf0f118b2
IRF1404STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
на замовлення 1766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+179.65 грн
10+ 143.67 грн
100+ 114.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1404STRLPBF irf1404l.pdf
IRF1404STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+72.95 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1404STRLPBF IRSDS10287-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1404STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 0.0035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+168.14 грн
10+ 128.67 грн
100+ 114.46 грн
500+ 95.29 грн
1000+ 77.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1404STRLPBF Infineon_IRF1404L_DataSheet_v01_01_EN-3363039.pdf
IRF1404STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 40V 162A 4mOhm 160nC
на замовлення 6873 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+153.52 грн
10+ 130.29 грн
100+ 101.33 грн
500+ 85.85 грн
800+ 72.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1404STRLPBF irf1404l.pdf
IRF1404STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
115+106.76 грн
134+ 91.61 грн
139+ 88.05 грн
200+ 84.71 грн
500+ 75.53 грн
Мінімальне замовлення: 115
IRF1404STRLPBF irf1404spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355daf0f118b2
IRF1404STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+75.37 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1404STRLPBF irf1404l.pdf
IRF1404STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+78.52 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1404STRRPBF IRSDS10287-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF1404STRRPBF - IRF1404 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
248+97.89 грн
Мінімальне замовлення: 248
IRF1404Z
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 40V 75A 200W 0,0037Ω IRF1404Z TIRF1404z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+60.96 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1404ZPBF irf1404z.pdf
IRF1404ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+81.36 грн
10+ 72.57 грн
14+ 62.31 грн
38+ 59.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1404ZPBF irf1404z.pdf
IRF1404ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+101.39 грн
10+ 87.08 грн
14+ 74.77 грн
38+ 71.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1404ZPBF infineon-irf1404z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1404ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
217+56.33 грн
Мінімальне замовлення: 217
IRF1404ZPBF INFN-S-A0012837738-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1404ZPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1404ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 190 A, 0.0037 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+109.73 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF1404ZPBF infineon-irf1404z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1404ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+48.2 грн
100+ 46.66 грн
250+ 44.52 грн
500+ 40.98 грн
Мінімальне замовлення: 13
IRF1404ZPBF Infineon_IRF1404Z_DataSheet_v01_01_EN-3362825.pdf
IRF1404ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 40V 190A 3.7mOhm 100nC Qg
на замовлення 9243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+122.33 грн
10+ 100.35 грн
100+ 69.38 грн
250+ 64.04 грн
500+ 58.13 грн
1000+ 49.82 грн
2000+ 47.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1404ZPBF infineon-irf1404z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1404ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
204+60 грн
230+ 53.05 грн
250+ 52.29 грн
500+ 49.37 грн
1000+ 45.11 грн
2000+ 41.86 грн
10000+ 36.44 грн
Мінімальне замовлення: 204
IRF1404ZPBF infineon-irf1404z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1404ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+41.05 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF1404ZPBF infineon-irf1404z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1404ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+62.35 грн
11+ 55.75 грн
100+ 49.29 грн
250+ 46.85 грн
500+ 42.47 грн
1000+ 40.24 грн
2000+ 38.9 грн
10000+ 33.86 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1404ZPBF infineon-irf1404z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1404ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
244+50.19 грн
247+ 49.42 грн
Мінімальне замовлення: 244
IRF1404ZPBF IRSDS19311-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF1404ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
на замовлення 2884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+114.18 грн
10+ 91.11 грн
100+ 72.54 грн
500+ 57.6 грн
1000+ 48.87 грн
2000+ 46.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1404ZPBF; 190A; 40V; 220W; 0.0037R; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+697.2 грн
IRF1404ZS
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK IRF1404ZS Infineon TIRF1404zs
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+127.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1404ZSPBF IRSDS19311-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF1404ZSPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
410+51.82 грн
Мінімальне замовлення: 410
IRF1404ZSPBF IRSDS10287-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF1404ZSPBF - IRF1404 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
395+61.42 грн
Мінімальне замовлення: 395
IRF1404ZSTRLPBF IRSDS19311-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF1404ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
на замовлення 4372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+150.72 грн
10+ 120.14 грн
100+ 95.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1404ZSTRLPBF infineon-irf1404z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1404ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
95+129.13 грн
114+ 107.78 грн
120+ 101.68 грн
500+ 89.13 грн
1000+ 77.71 грн
2000+ 72.95 грн
3200+ 70.51 грн
Мінімальне замовлення: 95
IRF1404ZSTRLPBF 1718468.pdf
IRF1404ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0027 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+95.29 грн
250+ 85.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF1404ZSTRLPBF Infineon_IRF1404Z_DataSheet_v01_01_EN-3362825.pdf
IRF1404ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 40V 190A 3.7mOhm 100nC Qg
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+161.73 грн
10+ 132.72 грн
100+ 91.48 грн
800+ 64.95 грн
2400+ 62.42 грн
4800+ 60.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1404ZSTRLPBF infineon-irf1404z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1404ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+123.96 грн
Мінімальне замовлення: 800
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]