Результат пошуку "IRF14" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF1404PBF IRF1404PBF
Код товару: 31360
Додати до обраних Обраний товар

IR irf1404pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dae92618b0 Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 40 V
Idd,A: 202 A
Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 7360/160
Монтаж: THT
у наявності: 1569 шт
1525 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 23 шт
23 шт - очікується
1+48.00 грн
10+44.00 грн
100+39.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBF IRF1404ZPBF
Код товару: 26520
Додати до обраних Обраний товар

IR IRF1404ZPBF.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 40 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 0,0037 Ohm
Монтаж: THT
у наявності: 147 шт
115 шт - склад
7 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+58.00 грн
10+53.50 грн
100+48.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBF IRF1405PBF
Код товару: 27155
Додати до обраних Обраний товар

IR IRF1405PBF.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 169 A
Rds(on), Ohm: 0,0053 Ohm
Монтаж: THT
у наявності: 164 шт
116 шт - склад
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+60.50 грн
10+54.50 грн
100+48.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZPBF IRF1405ZPBF
Код товару: 35347
Додати до обраних Обраний товар

IR irf1405zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db17fa18c1 Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 0,0053 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5480/170
Монтаж: THT
у наявності: 5 шт
5 шт - склад
1+48.00 грн
10+44.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF IRF1407PBF
Код товару: 24062
Додати до обраних Обраний товар

IR infineon-irf1407-datasheet-en.pdf IRSDS11102-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 75 V
Idd,A: 130 A
Rds(on), Ohm: 0,0078 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5600/160
Монтаж: THT
у наявності: 132 шт
117 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
7 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+66.00 грн
10+59.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404 JSMSEMI Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 230A; 285W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404; SP001561374; IRF1404 JSMICRO TIRF1404 JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+38.54 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404 International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 202A; 333W; -55°C ~ 175°C; IRF1404 IRF1404 TIRF1404
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 205 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+62.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 6,5mOhm; 120A; 123W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404; SP001561374; IRF1404-ML MOSLEADER TIRF1404 MOS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+45.51 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404LPBF IRF1404LPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5D706F12A3F1A303005056AB0C4F&compId=irf1404spbf.pdf?ci_sign=822649cace8b7ad469987a278e29f4fbc5d9766a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+249.97 грн
10+174.87 грн
12+83.12 грн
31+78.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404LPBF IRF1404LPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5D706F12A3F1A303005056AB0C4F&compId=irf1404spbf.pdf?ci_sign=822649cace8b7ad469987a278e29f4fbc5d9766a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+299.96 грн
10+217.91 грн
12+99.74 грн
31+94.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404LPBF IRF1404LPBF Infineon Technologies infineonirf1404ldatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404LPBF IRF1404LPBF Infineon Technologies infineonirf1404ldatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+101.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBF IRF1404PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9AB4DF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1404.pdf?ci_sign=a3df55e5569a69bf9a0411dd9ac82882ba42fe4a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 160nC
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+140.18 грн
10+108.21 грн
17+55.68 грн
46+52.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBF IRF1404PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9AB4DF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1404.pdf?ci_sign=a3df55e5569a69bf9a0411dd9ac82882ba42fe4a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 160nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 204 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+168.22 грн
10+134.85 грн
17+66.81 грн
46+63.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBF IRF1404PBF Infineon Technologies Infineon_IRF1404_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 40V 202A 4mOhm 160nC
на замовлення 3208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+207.27 грн
25+94.36 грн
100+76.03 грн
500+69.93 грн
1000+60.83 грн
2000+57.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBF IRF1404PBF Infineon Technologies infineonirf1404datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
259+117.94 грн
500+105.74 грн
1000+97.89 грн
Мінімальне замовлення: 259
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBF IRF1404PBF Infineon Technologies infineonirf1404datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+60.42 грн
Мінімальне замовлення: 202
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBF IRF1404PBF Infineon Technologies infineonirf1404datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+187.47 грн
10+96.21 грн
100+94.50 грн
500+78.13 грн
1000+67.80 грн
3000+64.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBF IRF1404PBF Infineon Technologies infineonirf1404datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 284019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+50.48 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBF IRF1404PBF Infineon Technologies infineonirf1404datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+89.92 грн
139+88.31 грн
500+75.72 грн
1000+68.43 грн
3000+62.85 грн
Мінімальне замовлення: 136
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBF IRF1404PBF Infineon Technologies infineonirf1404datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
259+117.94 грн
500+105.74 грн
1000+97.89 грн
Мінімальне замовлення: 259
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBF IRF1404PBF Infineon Technologies irf1404pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dae92618b0 Description: MOSFET N-CH 40V 202A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 121A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5669 pF @ 25 V
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.36 грн
50+79.59 грн
100+78.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBF IRF1404PBF INFINEON INFN-S-A0012838674-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1404PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 4000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+222.10 грн
10+219.56 грн
100+93.74 грн
500+79.20 грн
1000+67.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBF IRF1404PBF Infineon Technologies infineonirf1404datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+71.99 грн
11+64.74 грн
100+64.49 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBF IRF1404PBF Infineon Technologies infineonirf1404datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 89072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
259+117.94 грн
500+105.74 грн
1000+97.89 грн
10000+84.16 грн
Мінімальне замовлення: 259
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBF IRF1404PBF Infineon Technologies infineonirf1404datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 284019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
259+47.11 грн
Мінімальне замовлення: 259
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBF IRF1404PBF Infineon Technologies infineonirf1404datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
259+117.94 грн
500+105.74 грн
1000+97.89 грн
10000+84.16 грн
Мінімальне замовлення: 259
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404S IRF1404STR IRF1404SPB International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 162A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404S; IRF1404STRL; IRF1404STRR; IRF1404S TIRF1404s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+61.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STR International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 162A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404S; IRF1404STRL; IRF1404STRR; IRF1404S TIRF1404s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+61.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5D706F12A3F1A303005056AB0C4F&compId=irf1404spbf.pdf?ci_sign=822649cace8b7ad469987a278e29f4fbc5d9766a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.41 грн
10+101.16 грн
15+62.73 грн
41+58.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF Infineon Technologies irf1404l.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+66.76 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF INFINEON IRSDS10287-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+92.05 грн
500+77.16 грн
1000+60.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF Infineon Technologies irf1404l.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+79.02 грн
10+77.76 грн
25+76.50 грн
100+72.56 грн
250+66.06 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF1404L_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 40V 162A 4mOhm 160nC
на замовлення 1798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+169.50 грн
10+124.66 грн
100+85.82 грн
500+68.65 грн
800+67.98 грн
2400+66.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF Infineon Technologies irf1404spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355daf0f118b2 Description: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
на замовлення 733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+159.61 грн
10+115.27 грн
100+90.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF Infineon Technologies irf1404l.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+137.26 грн
500+124.04 грн
1000+113.88 грн
Мінімальне замовлення: 223
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF Infineon Technologies irf1404l.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+73.75 грн
169+72.57 грн
171+71.40 грн
174+67.72 грн
250+61.65 грн
Мінімальне замовлення: 166
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF INFINEON IRSDS10287-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+158.76 грн
10+118.23 грн
100+92.05 грн
500+77.16 грн
1000+60.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF Infineon Technologies irf1404l.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+71.44 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBF International Rectifier HiRel Products irf1404spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355daf0f118b2 Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+137.26 грн
500+124.04 грн
Мінімальне замовлення: 223
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF Infineon Technologies irf1404l.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+137.26 грн
500+124.04 грн
Мінімальне замовлення: 223
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRRPBF IRF1404STRRPBF Infineon Technologies irf1404l.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+139.29 грн
500+125.06 грн
1000+115.91 грн
Мінімальне замовлення: 219
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRRPBF IRF1404STRRPBF Infineon Technologies irf1404l.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+139.29 грн
500+125.06 грн
Мінімальне замовлення: 219
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404Z International Rectifier N-MOSFET HEXFET 40V 75A 200W 0,0037Ω IRF1404Z TIRF1404z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 180 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+66.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBF IRF1404ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9AB5BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1404z.pdf?ci_sign=4226edaf5a01736c5ac4c822ea7296c120edc159 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 0.1µC
на замовлення 462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+97.11 грн
10+63.05 грн
19+48.54 грн
53+45.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBF IRF1404ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9AB5BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1404z.pdf?ci_sign=4226edaf5a01736c5ac4c822ea7296c120edc159 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 0.1µC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 462 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+116.54 грн
10+78.57 грн
19+58.25 грн
53+55.05 грн
1000+52.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBF IRF1404ZPBF Infineon Technologies irf7380pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
272+45.01 грн
Мінімальне замовлення: 272
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBF IRF1404ZPBF Infineon Technologies IRSDS19311-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
на замовлення 1217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.89 грн
10+74.10 грн
100+53.04 грн
500+48.74 грн
1000+45.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBF IRF1404ZPBF Infineon Technologies irf7380pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
147+83.28 грн
200+61.03 грн
500+59.92 грн
1000+52.29 грн
5000+46.84 грн
Мінімальне замовлення: 147
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBF IRF1404ZPBF INFINEON INFN-S-A0012837738-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1404ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 190 A, 3700 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+135.12 грн
10+87.83 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBF IRF1404ZPBF Infineon Technologies irf7380pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+127.97 грн
10+89.11 грн
100+65.30 грн
500+61.83 грн
1000+51.81 грн
5000+48.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBF IRF1404ZPBF Infineon Technologies irf7380pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+55.26 грн
14+51.77 грн
100+48.23 грн
500+46.16 грн
1000+41.97 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBF IRF1404ZPBF Infineon Technologies Infineon-IRF1404Z-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 40V 190A 3.7mOhm 100nC Qg
на замовлення 4506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+109.78 грн
10+74.10 грн
100+47.88 грн
500+46.67 грн
1000+44.41 грн
2000+43.96 грн
5000+42.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZS International Rectifier Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK IRF1404ZS Infineon TIRF1404zs
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 88 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+121.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSPBF IRF1404ZSPBF Infineon Technologies IRSDS19311-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
336+62.17 грн
Мінімальне замовлення: 336
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSPBF IRF1404ZSPBF Infineon Technologies irf7380pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
350+87.31 грн
500+78.57 грн
1000+72.47 грн
Мінімальне замовлення: 350
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC4D8211D555EA&compId=IRF1404ZSTRLPBF.pdf?ci_sign=87b6930e722dc8bcc784995c7e3ad291b39b8665 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
на замовлення 713 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.41 грн
10+102.72 грн
13+75.28 грн
34+71.36 грн
250+69.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF INFINEON 1718468.pdf Description: INFINEON - IRF1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+113.16 грн
500+83.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF Infineon Technologies IRSDS19311-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+56.00 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF Infineon Technologies Infineon-IRF1404Z-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 40V 190A 3.7mOhm 100nC Qg
на замовлення 2252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+167.75 грн
10+120.33 грн
100+74.45 грн
500+66.02 грн
800+50.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBF
Код товару: 31360
Додати до обраних Обраний товар

irf1404pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dae92618b0
IRF1404PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 40 V
Idd,A: 202 A
Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 7360/160
Монтаж: THT
у наявності: 1569 шт
1525 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 23 шт
23 шт - очікується
Кількість Ціна
1+48.00 грн
10+44.00 грн
100+39.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBF
Код товару: 26520
Додати до обраних Обраний товар

IRF1404ZPBF.pdf
IRF1404ZPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 40 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 0,0037 Ohm
Монтаж: THT
у наявності: 147 шт
115 шт - склад
7 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+58.00 грн
10+53.50 грн
100+48.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBF
Код товару: 27155
Додати до обраних Обраний товар

IRF1405PBF.pdf
IRF1405PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 169 A
Rds(on), Ohm: 0,0053 Ohm
Монтаж: THT
у наявності: 164 шт
116 шт - склад
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+60.50 грн
10+54.50 грн
100+48.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZPBF
Код товару: 35347
Додати до обраних Обраний товар

irf1405zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db17fa18c1
IRF1405ZPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 0,0053 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5480/170
Монтаж: THT
у наявності: 5 шт
5 шт - склад
Кількість Ціна
1+48.00 грн
10+44.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF
Код товару: 24062
Додати до обраних Обраний товар

description infineon-irf1407-datasheet-en.pdf IRSDS11102-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF1407PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 75 V
Idd,A: 130 A
Rds(on), Ohm: 0,0078 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5600/160
Монтаж: THT
у наявності: 132 шт
117 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
7 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+66.00 грн
10+59.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404
Виробник: JSMSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 230A; 285W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404; SP001561374; IRF1404 JSMICRO TIRF1404 JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+38.54 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 202A; 333W; -55°C ~ 175°C; IRF1404 IRF1404 TIRF1404
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 205 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+62.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404-ML
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 6,5mOhm; 120A; 123W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404; SP001561374; IRF1404-ML MOSLEADER TIRF1404 MOS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+45.51 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404LPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5D706F12A3F1A303005056AB0C4F&compId=irf1404spbf.pdf?ci_sign=822649cace8b7ad469987a278e29f4fbc5d9766a
IRF1404LPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+249.97 грн
10+174.87 грн
12+83.12 грн
31+78.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404LPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5D706F12A3F1A303005056AB0C4F&compId=irf1404spbf.pdf?ci_sign=822649cace8b7ad469987a278e29f4fbc5d9766a
IRF1404LPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+299.96 грн
10+217.91 грн
12+99.74 грн
31+94.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404LPBF infineonirf1404ldatasheeten.pdf
IRF1404LPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404LPBF infineonirf1404ldatasheeten.pdf
IRF1404LPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+101.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9AB4DF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1404.pdf?ci_sign=a3df55e5569a69bf9a0411dd9ac82882ba42fe4a
IRF1404PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 160nC
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+140.18 грн
10+108.21 грн
17+55.68 грн
46+52.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9AB4DF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1404.pdf?ci_sign=a3df55e5569a69bf9a0411dd9ac82882ba42fe4a
IRF1404PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 160nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 204 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+168.22 грн
10+134.85 грн
17+66.81 грн
46+63.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBF Infineon_IRF1404_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF1404PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 40V 202A 4mOhm 160nC
на замовлення 3208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+207.27 грн
25+94.36 грн
100+76.03 грн
500+69.93 грн
1000+60.83 грн
2000+57.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBF infineonirf1404datasheetv0101en.pdf
IRF1404PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
259+117.94 грн
500+105.74 грн
1000+97.89 грн
Мінімальне замовлення: 259
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBF infineonirf1404datasheetv0101en.pdf
IRF1404PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
202+60.42 грн
Мінімальне замовлення: 202
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBF infineonirf1404datasheetv0101en.pdf
IRF1404PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+187.47 грн
10+96.21 грн
100+94.50 грн
500+78.13 грн
1000+67.80 грн
3000+64.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBF infineonirf1404datasheetv0101en.pdf
IRF1404PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 284019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+50.48 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBF infineonirf1404datasheetv0101en.pdf
IRF1404PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
136+89.92 грн
139+88.31 грн
500+75.72 грн
1000+68.43 грн
3000+62.85 грн
Мінімальне замовлення: 136
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBF infineonirf1404datasheetv0101en.pdf
IRF1404PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
259+117.94 грн
500+105.74 грн
1000+97.89 грн
Мінімальне замовлення: 259
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBF irf1404pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dae92618b0
IRF1404PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 202A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 121A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5669 pF @ 25 V
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+191.36 грн
50+79.59 грн
100+78.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBF INFN-S-A0012838674-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1404PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1404PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 4000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+222.10 грн
10+219.56 грн
100+93.74 грн
500+79.20 грн
1000+67.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBF infineonirf1404datasheetv0101en.pdf
IRF1404PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+71.99 грн
11+64.74 грн
100+64.49 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBF infineonirf1404datasheetv0101en.pdf
IRF1404PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 89072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
259+117.94 грн
500+105.74 грн
1000+97.89 грн
10000+84.16 грн
Мінімальне замовлення: 259
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBF infineonirf1404datasheetv0101en.pdf
IRF1404PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 284019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
259+47.11 грн
Мінімальне замовлення: 259
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBF infineonirf1404datasheetv0101en.pdf
IRF1404PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
259+117.94 грн
500+105.74 грн
1000+97.89 грн
10000+84.16 грн
Мінімальне замовлення: 259
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404S IRF1404STR IRF1404SPB
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 162A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404S; IRF1404STRL; IRF1404STRR; IRF1404S TIRF1404s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+61.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STR
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 162A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404S; IRF1404STRL; IRF1404STRR; IRF1404S TIRF1404s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+61.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5D706F12A3F1A303005056AB0C4F&compId=irf1404spbf.pdf?ci_sign=822649cace8b7ad469987a278e29f4fbc5d9766a
IRF1404STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.41 грн
10+101.16 грн
15+62.73 грн
41+58.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBF irf1404l.pdf
IRF1404STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+66.76 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBF IRSDS10287-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1404STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+92.05 грн
500+77.16 грн
1000+60.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBF irf1404l.pdf
IRF1404STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+79.02 грн
10+77.76 грн
25+76.50 грн
100+72.56 грн
250+66.06 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBF Infineon_IRF1404L_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF1404STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 40V 162A 4mOhm 160nC
на замовлення 1798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+169.50 грн
10+124.66 грн
100+85.82 грн
500+68.65 грн
800+67.98 грн
2400+66.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBF irf1404spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355daf0f118b2
IRF1404STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
на замовлення 733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+159.61 грн
10+115.27 грн
100+90.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBF irf1404l.pdf
IRF1404STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
223+137.26 грн
500+124.04 грн
1000+113.88 грн
Мінімальне замовлення: 223
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBF irf1404l.pdf
IRF1404STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
166+73.75 грн
169+72.57 грн
171+71.40 грн
174+67.72 грн
250+61.65 грн
Мінімальне замовлення: 166
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBF IRSDS10287-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1404STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+158.76 грн
10+118.23 грн
100+92.05 грн
500+77.16 грн
1000+60.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBF irf1404l.pdf
IRF1404STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+71.44 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBF irf1404spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355daf0f118b2
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
223+137.26 грн
500+124.04 грн
Мінімальне замовлення: 223
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBF irf1404l.pdf
IRF1404STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
223+137.26 грн
500+124.04 грн
Мінімальне замовлення: 223
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRRPBF irf1404l.pdf
IRF1404STRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
219+139.29 грн
500+125.06 грн
1000+115.91 грн
Мінімальне замовлення: 219
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRRPBF irf1404l.pdf
IRF1404STRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
219+139.29 грн
500+125.06 грн
Мінімальне замовлення: 219
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404Z
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 40V 75A 200W 0,0037Ω IRF1404Z TIRF1404z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 180 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+66.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9AB5BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1404z.pdf?ci_sign=4226edaf5a01736c5ac4c822ea7296c120edc159
IRF1404ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 0.1µC
на замовлення 462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+97.11 грн
10+63.05 грн
19+48.54 грн
53+45.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9AB5BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1404z.pdf?ci_sign=4226edaf5a01736c5ac4c822ea7296c120edc159
IRF1404ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 0.1µC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 462 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.54 грн
10+78.57 грн
19+58.25 грн
53+55.05 грн
1000+52.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBF irf7380pbf.pdf
IRF1404ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
272+45.01 грн
Мінімальне замовлення: 272
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBF IRSDS19311-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF1404ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
на замовлення 1217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.89 грн
10+74.10 грн
100+53.04 грн
500+48.74 грн
1000+45.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBF irf7380pbf.pdf
IRF1404ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
147+83.28 грн
200+61.03 грн
500+59.92 грн
1000+52.29 грн
5000+46.84 грн
Мінімальне замовлення: 147
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBF INFN-S-A0012837738-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1404ZPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1404ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 190 A, 3700 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+135.12 грн
10+87.83 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBF irf7380pbf.pdf
IRF1404ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+127.97 грн
10+89.11 грн
100+65.30 грн
500+61.83 грн
1000+51.81 грн
5000+48.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBF irf7380pbf.pdf
IRF1404ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+55.26 грн
14+51.77 грн
100+48.23 грн
500+46.16 грн
1000+41.97 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBF Infineon-IRF1404Z-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF1404ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 40V 190A 3.7mOhm 100nC Qg
на замовлення 4506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+109.78 грн
10+74.10 грн
100+47.88 грн
500+46.67 грн
1000+44.41 грн
2000+43.96 грн
5000+42.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZS
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK IRF1404ZS Infineon TIRF1404zs
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 88 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+121.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSPBF IRSDS19311-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF1404ZSPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
336+62.17 грн
Мінімальне замовлення: 336
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSPBF irf7380pbf.pdf
IRF1404ZSPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
350+87.31 грн
500+78.57 грн
1000+72.47 грн
Мінімальне замовлення: 350
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC4D8211D555EA&compId=IRF1404ZSTRLPBF.pdf?ci_sign=87b6930e722dc8bcc784995c7e3ad291b39b8665
IRF1404ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
на замовлення 713 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.41 грн
10+102.72 грн
13+75.28 грн
34+71.36 грн
250+69.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBF 1718468.pdf
IRF1404ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+113.16 грн
500+83.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBF IRSDS19311-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF1404ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+56.00 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBF Infineon-IRF1404Z-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF1404ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 40V 190A 3.7mOhm 100nC Qg
на замовлення 2252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+167.75 грн
10+120.33 грн
100+74.45 грн
500+66.02 грн
800+50.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]