Результат пошуку "IRF14" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 347 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 347 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 347 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 347 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 329 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 179 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 329 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 329 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 178 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF1404PBF Код товару: 31360
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220 Напруга сток-витік Uds, В: 40 В Струм стоку Idd, А: 202 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,004 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 7360/160 Монтаж: THT |
у наявності: 792 шт
очікується: 3 шт
на замовлення: 5 шт
|
|
||||||||||||||
|
IRF1404ZPBF Код товару: 26520
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220 Напруга сток-витік Uds, В: 40 В Струм стоку Idd, А: 75 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0037 Ом Монтаж: THT |
у наявності: 131 шт
|
|
||||||||||||||
|
IRF1405PBF Код товару: 27155
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220 Напруга сток-витік Uds, В: 55 В Струм стоку Idd, А: 169 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0053 Ом Монтаж: THT |
у наявності: 218 шт
на замовлення: 2 шт
|
|
||||||||||||||
|
IRF1407PBF Код товару: 24062
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220 Напруга сток-витік Uds, В: 75 В Струм стоку Idd, А: 130 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0078 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 5600/160 Монтаж: THT |
у наявності: 88 шт
на замовлення: 2 шт
|
|
||||||||||||||
|
|
IRF1404 | JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 230A; 285W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404; SP001561374; IRF1404 JSMICRO TIRF1404 JSMкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF1404 | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 202A; 333W; -55°C ~ 175°C; IRF1404 IRF1404 TIRF1404кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF1404 | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 202A; 333W; -55°C ~ 175°C; IRF1404 IRF1404 TIRF1404кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRF1404-CN | CHIPNOBO |
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 6,6mOhm; 130A; 190W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404; SP001561374; IRF1404-CN CHIPNOBO TIRF1404 CNB кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRF1404-ML | MOSLEADER |
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 6,5mOhm; 120A; 123W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404; SP001561374; IRF1404-ML MOSLEADER TIRF1404 MOS кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRF1404LPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 162A Power dissipation: 200W Case: TO262 Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 13 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1404LPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 8360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1404LPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1404LPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1404LPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 4000 µohm, TO-262, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 162A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 200W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm |
на замовлення 943 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRF1404PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 162A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement On-state resistance: 4mΩ Gate charge: 160nC Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 710 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1404PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1404PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1404PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1404PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 40V 202A 4mOhm 160nC |
на замовлення 8795 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRF1404PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 281162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1404PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 44 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1404PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1404PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRF1404PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1404PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 4000 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 162A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 200W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm |
на замовлення 2240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRF1404PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 11896 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1404PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 202A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 121A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5669 pF @ 25 V |
на замовлення 2229 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1404PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1404PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1404PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 44 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRF1404PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 84172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1404PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 281162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1404PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRF1404S IRF1404STR IRF1404SPB | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 162A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404S; IRF1404STRL; IRF1404STRR; IRF1404S TIRF1404s кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
IRF1404STR | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 162A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404S; IRF1404STRL; IRF1404STRR; IRF1404S TIRF1404sкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1404STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 162A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
на замовлення 103 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1404STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 822 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1404STRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 162A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 200W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm |
на замовлення 1557 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRF1404STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 359 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1404STRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 162A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 200W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm |
на замовлення 1557 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF1404STRLPBF | International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRF1404STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 359 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1404STRLPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 40V 162A 4mOhm 160nC |
на замовлення 3776 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRF1404STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1404STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 822 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1404STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1404STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1404STRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V |
на замовлення 492 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1404STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1404STRRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 12800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF1404Z | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 40V 75A 200W 0,0037Ω IRF1404Z TIRF1404zкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 140 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1404ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 190A Power dissipation: 220W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement On-state resistance: 3.7mΩ Gate charge: 0.1µC Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 755 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1404ZPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1404ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 190 A, 3700 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 220W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm |
на замовлення 1036 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRF1404ZPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 40V 190A 3.7mOhm 100nC Qg |
на замовлення 5509 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRF1404ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1404ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1404ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1404ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1404ZPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V |
на замовлення 499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1404ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1404ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF1404ZS | International Rectifier |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK IRF1404ZS Infineon TIRF1404zsкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 88 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| IRF1404PBF Код товару: 31360
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 40 В
Струм стоку Idd, А: 202 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,004 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 7360/160
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 40 В
Струм стоку Idd, А: 202 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,004 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 7360/160
Монтаж: THT
у наявності: 792 шт
- 730 шт - склад
- 32 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 30 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується: 3 шт
- 3 шт - очікується
на замовлення: 5 шт
- 5 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 48.00 грн |
| 10+ | 44.00 грн |
| 100+ | 39.60 грн |
| IRF1404ZPBF Код товару: 26520
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 40 В
Струм стоку Idd, А: 75 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0037 Ом
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 40 В
Струм стоку Idd, А: 75 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0037 Ом
Монтаж: THT
у наявності: 131 шт
- 69 шт - склад
- 31 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 11 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 10 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 58.00 грн |
| 10+ | 53.50 грн |
| 100+ | 48.90 грн |
| IRF1405PBF Код товару: 27155
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 169 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0053 Ом
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 169 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0053 Ом
Монтаж: THT
у наявності: 218 шт
- 196 шт - склад
- 13 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 9 шт - РАДІОМАГ-Львів
на замовлення: 2 шт
- 2 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 60.50 грн |
| 10+ | 54.50 грн |
| 100+ | 48.70 грн |
| IRF1407PBF Код товару: 24062
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 75 В
Струм стоку Idd, А: 130 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0078 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 5600/160
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 75 В
Струм стоку Idd, А: 130 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0078 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 5600/160
Монтаж: THT
у наявності: 88 шт
- 88 шт - склад
на замовлення: 2 шт
- 2 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 50.00 грн |
| 10+ | 46.50 грн |
| IRF1404 |
![]() |
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 230A; 285W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404; SP001561374; IRF1404 JSMICRO TIRF1404 JSM
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 230A; 285W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404; SP001561374; IRF1404 JSMICRO TIRF1404 JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 42.29 грн |
| IRF1404 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 202A; 333W; -55°C ~ 175°C; IRF1404 IRF1404 TIRF1404
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 202A; 333W; -55°C ~ 175°C; IRF1404 IRF1404 TIRF1404
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 57.15 грн |
| IRF1404 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 202A; 333W; -55°C ~ 175°C; IRF1404 IRF1404 TIRF1404
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 202A; 333W; -55°C ~ 175°C; IRF1404 IRF1404 TIRF1404
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 57.15 грн |
| IRF1404-CN |
Виробник: CHIPNOBO
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 6,6mOhm; 130A; 190W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404; SP001561374; IRF1404-CN CHIPNOBO TIRF1404 CNB
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 6,6mOhm; 130A; 190W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404; SP001561374; IRF1404-CN CHIPNOBO TIRF1404 CNB
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 42.29 грн |
| IRF1404-ML |
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 6,5mOhm; 120A; 123W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404; SP001561374; IRF1404-ML MOSLEADER TIRF1404 MOS
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 6,5mOhm; 120A; 123W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404; SP001561374; IRF1404-ML MOSLEADER TIRF1404 MOS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 48.66 грн |
| IRF1404LPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 245.55 грн |
| 10+ | 171.63 грн |
| IRF1404LPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 8360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 188+ | 188.58 грн |
| 500+ | 169.72 грн |
| 1000+ | 156.76 грн |
| IRF1404LPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 188+ | 188.58 грн |
| 500+ | 169.72 грн |
| 1000+ | 156.76 грн |
| IRF1404LPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1404LPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 4000 µohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
Description: INFINEON - IRF1404LPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 4000 µohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
на замовлення 943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF1404PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 4mΩ
Gate charge: 160nC
Gate-source voltage: ±20V
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 4mΩ
Gate charge: 160nC
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 710 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 173.22 грн |
| 10+ | 97.84 грн |
| 25+ | 77.94 грн |
| 50+ | 67.99 грн |
| 100+ | 65.50 грн |
| 250+ | 62.18 грн |
| 500+ | 59.70 грн |
| IRF1404PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 287.95 грн |
| 10+ | 143.04 грн |
| 100+ | 125.15 грн |
| IRF1404PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 347+ | 102.17 грн |
| 500+ | 91.96 грн |
| 1000+ | 84.80 грн |
| IRF1404PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 287.95 грн |
| IRF1404PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 40V 202A 4mOhm 160nC
MOSFETs 40V 202A 4mOhm 160nC
на замовлення 8795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF1404PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 281162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 99+ | 143.04 грн |
| 114+ | 125.15 грн |
| 500+ | 104.45 грн |
| 1000+ | 88.92 грн |
| IRF1404PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 192.08 грн |
| 10+ | 106.43 грн |
| IRF1404PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 347+ | 102.17 грн |
| 500+ | 91.96 грн |
| 1000+ | 84.80 грн |
| IRF1404PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF1404PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1404PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 4000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
Description: INFINEON - IRF1404PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 4000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF1404PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 347+ | 102.17 грн |
| 500+ | 91.96 грн |
| 1000+ | 84.80 грн |
| 10000+ | 72.91 грн |
| IRF1404PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 202A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 121A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5669 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 40V 202A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 121A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5669 pF @ 25 V
на замовлення 2229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 167.38 грн |
| 50+ | 78.50 грн |
| 100+ | 70.43 грн |
| 500+ | 52.83 грн |
| 1000+ | 48.57 грн |
| 2000+ | 44.98 грн |
| IRF1404PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 177.44 грн |
| 10+ | 101.78 грн |
| IRF1404PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 59.95 грн |
| IRF1404PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF1404PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 84172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 347+ | 102.17 грн |
| 500+ | 91.96 грн |
| 1000+ | 84.80 грн |
| 10000+ | 72.91 грн |
| IRF1404PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 281162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 287.95 грн |
| 10+ | 143.04 грн |
| 100+ | 125.15 грн |
| 500+ | 100.72 грн |
| 1000+ | 82.34 грн |
| IRF1404PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 59.95 грн |
| IRF1404S IRF1404STR IRF1404SPB |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 162A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404S; IRF1404STRL; IRF1404STRR; IRF1404S TIRF1404s
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 162A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404S; IRF1404STRL; IRF1404STRR; IRF1404S TIRF1404s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 84.78 грн |
| IRF1404STR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 162A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404S; IRF1404STRL; IRF1404STRR; IRF1404S TIRF1404s
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 162A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404S; IRF1404STRL; IRF1404STRR; IRF1404S TIRF1404s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 84.78 грн |
| IRF1404STRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 216.08 грн |
| 10+ | 128.51 грн |
| 20+ | 116.91 грн |
| 50+ | 103.64 грн |
| 100+ | 94.52 грн |
| IRF1404STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 215.29 грн |
| 10+ | 147.63 грн |
| 100+ | 104.78 грн |
| 500+ | 100.02 грн |
| 800+ | 67.13 грн |
| IRF1404STRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
Description: INFINEON - IRF1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
на замовлення 1557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF1404STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 77.95 грн |
| 25+ | 76.70 грн |
| 100+ | 72.76 грн |
| 250+ | 66.26 грн |
| IRF1404STRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
Description: INFINEON - IRF1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
на замовлення 1557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF1404STRLPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 329+ | 107.54 грн |
| 500+ | 96.79 грн |
| IRF1404STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 179+ | 79.20 грн |
| 182+ | 77.95 грн |
| 185+ | 76.70 грн |
| 188+ | 72.76 грн |
| 250+ | 66.26 грн |
| IRF1404STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 40V 162A 4mOhm 160nC
MOSFETs MOSFT 40V 162A 4mOhm 160nC
на замовлення 3776 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF1404STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 329+ | 107.54 грн |
| 500+ | 96.79 грн |
| 1000+ | 89.25 грн |
| IRF1404STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 66+ | 215.29 грн |
| 96+ | 147.63 грн |
| 135+ | 104.78 грн |
| 500+ | 100.02 грн |
| 800+ | 67.13 грн |
| IRF1404STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 73.47 грн |
| IRF1404STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 329+ | 107.54 грн |
| 500+ | 96.79 грн |
| IRF1404STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 173.58 грн |
| 10+ | 107.53 грн |
| 100+ | 73.37 грн |
| IRF1404STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 73.47 грн |
| IRF1404STRRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 219+ | 161.47 грн |
| 500+ | 144.97 грн |
| 1000+ | 134.36 грн |
| 10000+ | 114.79 грн |
| IRF1404Z |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 40V 75A 200W 0,0037Ω IRF1404Z TIRF1404z
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET HEXFET 40V 75A 200W 0,0037Ω IRF1404Z TIRF1404z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 72.46 грн |
| IRF1404ZPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 3.7mΩ
Gate charge: 0.1µC
Gate-source voltage: ±20V
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 3.7mΩ
Gate charge: 0.1µC
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 755 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 98.22 грн |
| 10+ | 63.84 грн |
| 25+ | 61.35 грн |
| 50+ | 58.87 грн |
| 100+ | 56.38 грн |
| 500+ | 50.58 грн |
| IRF1404ZPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1404ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 190 A, 3700 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 220W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
Description: INFINEON - IRF1404ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 190 A, 3700 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 220W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
на замовлення 1036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF1404ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 40V 190A 3.7mOhm 100nC Qg
MOSFETs MOSFT 40V 190A 3.7mOhm 100nC Qg
на замовлення 5509 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF1404ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 93.39 грн |
| 10+ | 79.29 грн |
| 100+ | 65.99 грн |
| 500+ | 53.36 грн |
| IRF1404ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 82+ | 173.27 грн |
| 118+ | 120.18 грн |
| 166+ | 85.35 грн |
| 500+ | 61.74 грн |
| 2000+ | 53.12 грн |
| IRF1404ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 231.49 грн |
| 10+ | 149.62 грн |
| 100+ | 101.63 грн |
| 500+ | 73.23 грн |
| IRF1404ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 95+ | 149.62 грн |
| 140+ | 101.63 грн |
| 500+ | 75.94 грн |
| IRF1404ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 146.46 грн |
| 10+ | 90.37 грн |
| 100+ | 61.08 грн |
| IRF1404ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 173.27 грн |
| 10+ | 120.18 грн |
| 100+ | 85.35 грн |
| 500+ | 61.74 грн |
| 2000+ | 53.12 грн |
| IRF1404ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 178+ | 79.64 грн |
| 214+ | 66.29 грн |
| 500+ | 55.58 грн |
| IRF1404ZS |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK IRF1404ZS Infineon TIRF1404zs
кількість в упаковці: 10 шт
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK IRF1404ZS Infineon TIRF1404zs
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 88 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 133.65 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]


















