Результат пошуку "IRF14" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRF1404PBF IRF1404PBF
Код товару: 31360
IR irf1404pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dae92618b0 Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 40 V
Idd,A: 202 A
Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 7360/160
Монтаж: THT
у наявності: 868 шт
очікується: 3 шт
1+48 грн
10+ 44 грн
100+ 39.6 грн
IRF1404ZPBF IRF1404ZPBF
Код товару: 26520
IR IRF1404ZPBF.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 40 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 0,0037 Ohm
Монтаж: THT
у наявності: 171 шт
очікується: 20 шт
1+58 грн
10+ 53.5 грн
100+ 48.9 грн
IRF1405PBF IRF1405PBF
Код товару: 27155
IR IRF1405PBF.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 169 A
Rds(on), Ohm: 0,0053 Ohm
Монтаж: THT
у наявності: 42 шт
очікується: 10 шт
1+60.5 грн
10+ 54.5 грн
IRF1407PBF IRF1407PBF
Код товару: 24062
IR irf1407pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db28c218c8 IRSDS11102-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 75 V
Idd,A: 130 A
Rds(on), Ohm: 0,0078 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5600/160
Монтаж: THT
у наявності: 154 шт
очікується: 20 шт
1+66 грн
10+ 59.4 грн
IRF1404 International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 202A; 333W; -55°C ~ 175°C; IRF1404 IRF1404 TIRF1404
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 269 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+49.46 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF1404LPBF IRF1404LPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1404spbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.09 грн
9+ 88.85 грн
25+ 83.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1404LPBF IRF1404LPBF Infineon Technologies Infineon_IRF1404L_DataSheet_v01_01_EN-3363039.pdf MOSFET MOSFT 40V 162A 4mOhm 160nC
на замовлення 4703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+198.27 грн
10+ 157.25 грн
100+ 112.65 грн
500+ 95.72 грн
1000+ 80.74 грн
2000+ 76.18 грн
5000+ 74.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1404LPBF IRF1404LPBF Infineon Technologies infineon-irf1404l-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 1015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+154.79 грн
85+ 134.35 грн
104+ 108.61 грн
500+ 96.13 грн
1000+ 76.7 грн
Мінімальне замовлення: 73
IRF1404LPBF IRF1404LPBF Infineon Technologies infineon-irf1404l-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 1015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+155.41 грн
10+ 132.5 грн
100+ 109.03 грн
500+ 96.49 грн
1000+ 76.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1404LPBF IRF1404LPBF INFINEON IRSDS10287-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1404LPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 0.0035 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+214.75 грн
10+ 159.23 грн
100+ 126.37 грн
500+ 99.7 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1404LPBF IRF1404LPBF Infineon Technologies irf1404spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355daf0f118b2 Description: MOSFET N-CH 40V 162A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
на замовлення 5652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.43 грн
50+ 141.5 грн
100+ 116.42 грн
500+ 92.45 грн
1000+ 78.44 грн
2000+ 74.52 грн
5000+ 70.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1404LPBF IRF1404LPBF Infineon Technologies infineon-irf1404l-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 1015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1404PBF IRF1404PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1404.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.6 грн
10+ 82.75 грн
12+ 67.83 грн
32+ 64.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1404PBF IRF1404PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1404.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 96 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+134.98 грн
3+ 116.64 грн
10+ 99.3 грн
12+ 81.39 грн
32+ 77.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1404PBF IRF1404PBF Infineon Technologies irf1404pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1404PBF IRF1404PBF Infineon Technologies infineon-irf1404-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 293038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
254+44.62 грн
Мінімальне замовлення: 254
IRF1404PBF IRF1404PBF Infineon Technologies infineon-irf1404-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+145.86 грн
84+ 135.3 грн
100+ 113.23 грн
200+ 102.71 грн
500+ 87.39 грн
1000+ 69.75 грн
2000+ 67.61 грн
Мінімальне замовлення: 78
IRF1404PBF IRF1404PBF Infineon Technologies infineon-irf1404-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+83.16 грн
10+ 75.51 грн
100+ 67.23 грн
250+ 49.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF1404PBF IRF1404PBF Infineon Technologies Infineon_IRF1404_DataSheet_v01_01_EN-3363227.pdf MOSFET 40V 202A 4mOhm 160nC
на замовлення 2954 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.37 грн
10+ 120.56 грн
100+ 84.65 грн
250+ 84 грн
500+ 72.93 грн
1000+ 61.14 грн
2000+ 58.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1404PBF IRF1404PBF Infineon Technologies irf1404pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dae92618b0 Description: MOSFET N-CH 40V 202A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 121A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5669 pF @ 25 V
на замовлення 2366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.46 грн
50+ 107.76 грн
100+ 88.67 грн
500+ 70.41 грн
1000+ 59.74 грн
2000+ 56.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1404PBF IRF1404PBF Infineon Technologies infineon-irf1404-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+74.59 грн
159+ 71.26 грн
250+ 68.4 грн
Мінімальне замовлення: 152
IRF1404PBF IRF1404PBF INFINEON INFN-S-A0012838674-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1404PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 0.004 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 200W
Anzahl der Pins: 3Pins
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
на замовлення 10460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+170.92 грн
10+ 127.1 грн
100+ 95.69 грн
500+ 78.68 грн
1000+ 63.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1404PBF IRF1404PBF Infineon Technologies infineon-irf1404-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 293038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+41.43 грн
Мінімальне замовлення: 14
IRF1404PBF IRF1404PBF Infineon Technologies infineon-irf1404-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+89.56 грн
139+ 81.67 грн
155+ 73.31 грн
250+ 61.62 грн
Мінімальне замовлення: 127
IRF1404PBF IRF1404PBF Infineon Technologies infineon-irf1404-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+87.14 грн
10+ 78.94 грн
100+ 70.12 грн
250+ 51.34 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF1404PBF IRF1404PBF Infineon Technologies infineon-irf1404-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+99.8 грн
122+ 92.7 грн
Мінімальне замовлення: 114
IRF1404STR International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 162A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404S; IRF1404STRL; IRF1404STRR; IRF1404S TIRF1404s
кількість в упаковці: 6 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
6+87.5 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1404STRL International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 162A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404S; IRF1404STRL; IRF1404STRR; IRF1404S TIRF1404s
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+87.5 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF INFINEON IRSDS10287-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 0.0035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
на замовлення 2842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+94.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF Infineon Technologies irf1404spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355daf0f118b2 Description: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
на замовлення 1786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.82 грн
10+ 131.65 грн
100+ 104.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF Infineon Technologies irf1404l.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+73.05 грн
2400+ 71.97 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF Infineon Technologies irf1404l.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+144.31 грн
90+ 125.75 грн
91+ 124.49 грн
101+ 108.34 грн
250+ 99.16 грн
500+ 65.7 грн
Мінімальне замовлення: 79
IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF Infineon Technologies irf1404l.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+184.25 грн
70+ 163.13 грн
100+ 147.78 грн
200+ 140.65 грн
500+ 114.81 грн
Мінімальне замовлення: 62
IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF Infineon Technologies irf1404l.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+134 грн
10+ 116.77 грн
25+ 115.6 грн
100+ 100.6 грн
250+ 92.08 грн
500+ 61.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF INFINEON IRSDS10287-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 0.0035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
на замовлення 2842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+139.51 грн
10+ 106.64 грн
100+ 94.23 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF1404L_DataSheet_v01_01_EN-3363039.pdf MOSFET MOSFT 40V 162A 4mOhm 160nC
на замовлення 6789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.85 грн
10+ 123.55 грн
100+ 94.41 грн
250+ 93.76 грн
500+ 80.09 грн
800+ 67.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF Infineon Technologies irf1404l.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+55.3 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF Infineon Technologies irf1404l.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+72.78 грн
2400+ 71.7 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF Infineon Technologies irf1404spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355daf0f118b2 Description: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+92.07 грн
1600+ 75.22 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1404ZPBF IRF1404ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1404z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF1404ZPBF IRF1404ZPBF Infineon Technologies infineon-irf1404z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF1404ZPBF IRF1404ZPBF INFINEON INFN-S-A0012837738-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1404ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 190 A, 0.0037 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220W
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+105.18 грн
10+ 75.97 грн
100+ 61.28 грн
500+ 55.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF1404ZPBF IRF1404ZPBF Infineon Technologies infineon-irf1404z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+66.38 грн
10+ 58.06 грн
100+ 52.84 грн
250+ 50.44 грн
500+ 43.77 грн
1000+ 40.67 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRF1404ZPBF IRF1404ZPBF Infineon Technologies IRSDS19311-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
на замовлення 3321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.22 грн
10+ 93.19 грн
100+ 74.17 грн
500+ 58.9 грн
1000+ 49.97 грн
2000+ 47.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1404ZPBF IRF1404ZPBF Infineon Technologies infineon-irf1404z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+65.81 грн
10+ 57.78 грн
100+ 52.71 грн
250+ 50.31 грн
500+ 43.75 грн
1000+ 40.68 грн
2000+ 39.89 грн
5000+ 39.05 грн
10000+ 38.25 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRF1404ZPBF IRF1404ZPBF Infineon Technologies infineon-irf1404z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+62.53 грн
199+ 56.9 грн
250+ 56.33 грн
500+ 50.91 грн
1000+ 45.63 грн
Мінімальне замовлення: 181
IRF1404ZPBF IRF1404ZPBF Infineon Technologies infineon-irf1404z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+117.07 грн
104+ 109.4 грн
109+ 103.64 грн
200+ 95.31 грн
500+ 80.88 грн
1000+ 64.32 грн
2000+ 62.35 грн
Мінімальне замовлення: 97
IRF1404ZPBF IRF1404ZPBF Infineon Technologies Infineon_IRF1404Z_DataSheet_v01_01_EN-3362825.pdf MOSFET MOSFT 40V 190A 3.7mOhm 100nC Qg
на замовлення 10711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.2 грн
10+ 73.83 грн
100+ 55.09 грн
250+ 54.83 грн
500+ 50.4 грн
1000+ 47.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1404ZPBF IRF1404ZPBF Infineon Technologies infineon-irf1404z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
182+62.15 грн
191+ 59.38 грн
250+ 57 грн
500+ 52.97 грн
1000+ 47.45 грн
2500+ 44.21 грн
5000+ 43.02 грн
10000+ 41.97 грн
Мінімальне замовлення: 182
IRF1404ZPBF; 190A; 40V; 220W; 0.0037R; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+645.12 грн
IRF1404ZS International Rectifier Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK IRF1404ZS Infineon TIRF1404zs
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+118.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1404ZSPBF IRF1404ZSPBF Infineon Technologies IRSDS19311-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
410+47.48 грн
Мінімальне замовлення: 410
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF INFINEON 1718468.pdf Description: INFINEON - IRF1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0027 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
на замовлення 3179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+98.61 грн
500+ 79.36 грн
1000+ 61.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF Infineon Technologies IRSDS19311-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf1404z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+67.19 грн
2400+ 64.96 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf1404z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+58.42 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF Infineon Technologies IRSDS19311-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
на замовлення 1258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.05 грн
10+ 110.08 грн
100+ 87.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf1404z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+66.95 грн
2400+ 64.73 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF1404Z_DataSheet_v01_01_EN-3362825.pdf MOSFET MOSFT 40V 190A 3.7mOhm 100nC Qg
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.65 грн
10+ 122.8 грн
100+ 84.65 грн
800+ 60.1 грн
2400+ 57.76 грн
4800+ 55.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF INFINEON 1718468.pdf Description: INFINEON - IRF1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0027 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
на замовлення 3179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+169.46 грн
10+ 125.63 грн
100+ 98.61 грн
500+ 79.36 грн
1000+ 61.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1404PBF
Код товару: 31360
irf1404pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dae92618b0
IRF1404PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 40 V
Idd,A: 202 A
Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 7360/160
Монтаж: THT
у наявності: 868 шт
очікується: 3 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+48 грн
10+ 44 грн
100+ 39.6 грн
IRF1404ZPBF
Код товару: 26520
IRF1404ZPBF.pdf
IRF1404ZPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 40 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 0,0037 Ohm
Монтаж: THT
у наявності: 171 шт
очікується: 20 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+58 грн
10+ 53.5 грн
100+ 48.9 грн
IRF1405PBF
Код товару: 27155
IRF1405PBF.pdf
IRF1405PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 169 A
Rds(on), Ohm: 0,0053 Ohm
Монтаж: THT
у наявності: 42 шт
очікується: 10 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+60.5 грн
10+ 54.5 грн
IRF1407PBF
Код товару: 24062
description irf1407pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db28c218c8 IRSDS11102-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF1407PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 75 V
Idd,A: 130 A
Rds(on), Ohm: 0,0078 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5600/160
Монтаж: THT
у наявності: 154 шт
очікується: 20 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+66 грн
10+ 59.4 грн
IRF1404
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 202A; 333W; -55°C ~ 175°C; IRF1404 IRF1404 TIRF1404
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 269 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+49.46 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF1404LPBF irf1404spbf.pdf
IRF1404LPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+122.09 грн
9+ 88.85 грн
25+ 83.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1404LPBF Infineon_IRF1404L_DataSheet_v01_01_EN-3363039.pdf
IRF1404LPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 40V 162A 4mOhm 160nC
на замовлення 4703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+198.27 грн
10+ 157.25 грн
100+ 112.65 грн
500+ 95.72 грн
1000+ 80.74 грн
2000+ 76.18 грн
5000+ 74.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1404LPBF infineon-irf1404l-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1404LPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 1015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
73+154.79 грн
85+ 134.35 грн
104+ 108.61 грн
500+ 96.13 грн
1000+ 76.7 грн
Мінімальне замовлення: 73
IRF1404LPBF infineon-irf1404l-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1404LPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 1015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+155.41 грн
10+ 132.5 грн
100+ 109.03 грн
500+ 96.49 грн
1000+ 76.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1404LPBF IRSDS10287-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1404LPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1404LPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 0.0035 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+214.75 грн
10+ 159.23 грн
100+ 126.37 грн
500+ 99.7 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1404LPBF irf1404spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355daf0f118b2
IRF1404LPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 162A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
на замовлення 5652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+182.43 грн
50+ 141.5 грн
100+ 116.42 грн
500+ 92.45 грн
1000+ 78.44 грн
2000+ 74.52 грн
5000+ 70.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1404LPBF infineon-irf1404l-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1404LPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 1015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+68.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1404PBF irf1404.pdf
IRF1404PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+93.6 грн
10+ 82.75 грн
12+ 67.83 грн
32+ 64.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1404PBF irf1404.pdf
IRF1404PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 96 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+134.98 грн
3+ 116.64 грн
10+ 99.3 грн
12+ 81.39 грн
32+ 77.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1404PBF irf1404pbf.pdf
IRF1404PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+54.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1404PBF infineon-irf1404-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1404PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 293038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
254+44.62 грн
Мінімальне замовлення: 254
IRF1404PBF infineon-irf1404-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1404PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
78+145.86 грн
84+ 135.3 грн
100+ 113.23 грн
200+ 102.71 грн
500+ 87.39 грн
1000+ 69.75 грн
2000+ 67.61 грн
Мінімальне замовлення: 78
IRF1404PBF infineon-irf1404-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1404PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+83.16 грн
10+ 75.51 грн
100+ 67.23 грн
250+ 49.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF1404PBF Infineon_IRF1404_DataSheet_v01_01_EN-3363227.pdf
IRF1404PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET 40V 202A 4mOhm 160nC
на замовлення 2954 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+147.37 грн
10+ 120.56 грн
100+ 84.65 грн
250+ 84 грн
500+ 72.93 грн
1000+ 61.14 грн
2000+ 58.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1404PBF irf1404pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dae92618b0
IRF1404PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 202A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 121A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5669 pF @ 25 V
на замовлення 2366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+139.46 грн
50+ 107.76 грн
100+ 88.67 грн
500+ 70.41 грн
1000+ 59.74 грн
2000+ 56.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1404PBF infineon-irf1404-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1404PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
152+74.59 грн
159+ 71.26 грн
250+ 68.4 грн
Мінімальне замовлення: 152
IRF1404PBF INFN-S-A0012838674-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1404PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1404PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 0.004 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 200W
Anzahl der Pins: 3Pins
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
на замовлення 10460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+170.92 грн
10+ 127.1 грн
100+ 95.69 грн
500+ 78.68 грн
1000+ 63.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1404PBF infineon-irf1404-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1404PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 293038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+41.43 грн
Мінімальне замовлення: 14
IRF1404PBF infineon-irf1404-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1404PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
127+89.56 грн
139+ 81.67 грн
155+ 73.31 грн
250+ 61.62 грн
Мінімальне замовлення: 127
IRF1404PBF infineon-irf1404-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1404PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+87.14 грн
10+ 78.94 грн
100+ 70.12 грн
250+ 51.34 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF1404PBF infineon-irf1404-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1404PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
114+99.8 грн
122+ 92.7 грн
Мінімальне замовлення: 114
IRF1404STR
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 162A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404S; IRF1404STRL; IRF1404STRR; IRF1404S TIRF1404s
кількість в упаковці: 6 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+87.5 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1404STRL
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 162A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404S; IRF1404STRL; IRF1404STRR; IRF1404S TIRF1404s
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+87.5 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1404STRLPBF IRSDS10287-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1404STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 0.0035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
на замовлення 2842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+94.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF1404STRLPBF irf1404spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355daf0f118b2
IRF1404STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
на замовлення 1786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+164.82 грн
10+ 131.65 грн
100+ 104.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1404STRLPBF irf1404l.pdf
IRF1404STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+73.05 грн
2400+ 71.97 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1404STRLPBF irf1404l.pdf
IRF1404STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
79+144.31 грн
90+ 125.75 грн
91+ 124.49 грн
101+ 108.34 грн
250+ 99.16 грн
500+ 65.7 грн
Мінімальне замовлення: 79
IRF1404STRLPBF irf1404l.pdf
IRF1404STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
62+184.25 грн
70+ 163.13 грн
100+ 147.78 грн
200+ 140.65 грн
500+ 114.81 грн
Мінімальне замовлення: 62
IRF1404STRLPBF irf1404l.pdf
IRF1404STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+134 грн
10+ 116.77 грн
25+ 115.6 грн
100+ 100.6 грн
250+ 92.08 грн
500+ 61.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1404STRLPBF IRSDS10287-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1404STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 0.0035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
на замовлення 2842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+139.51 грн
10+ 106.64 грн
100+ 94.23 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1404STRLPBF Infineon_IRF1404L_DataSheet_v01_01_EN-3363039.pdf
IRF1404STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 40V 162A 4mOhm 160nC
на замовлення 6789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+145.85 грн
10+ 123.55 грн
100+ 94.41 грн
250+ 93.76 грн
500+ 80.09 грн
800+ 67.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1404STRLPBF irf1404l.pdf
IRF1404STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+55.3 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1404STRLPBF irf1404l.pdf
IRF1404STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+72.78 грн
2400+ 71.7 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1404STRLPBF irf1404spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355daf0f118b2
IRF1404STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+92.07 грн
1600+ 75.22 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1404ZPBF irf1404z.pdf
IRF1404ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF1404ZPBF infineon-irf1404z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1404ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+45.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF1404ZPBF INFN-S-A0012837738-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1404ZPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1404ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 190 A, 0.0037 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220W
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+105.18 грн
10+ 75.97 грн
100+ 61.28 грн
500+ 55.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF1404ZPBF infineon-irf1404z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1404ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+66.38 грн
10+ 58.06 грн
100+ 52.84 грн
250+ 50.44 грн
500+ 43.77 грн
1000+ 40.67 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRF1404ZPBF IRSDS19311-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF1404ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
на замовлення 3321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+116.22 грн
10+ 93.19 грн
100+ 74.17 грн
500+ 58.9 грн
1000+ 49.97 грн
2000+ 47.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1404ZPBF infineon-irf1404z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1404ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+65.81 грн
10+ 57.78 грн
100+ 52.71 грн
250+ 50.31 грн
500+ 43.75 грн
1000+ 40.68 грн
2000+ 39.89 грн
5000+ 39.05 грн
10000+ 38.25 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRF1404ZPBF infineon-irf1404z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1404ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
181+62.53 грн
199+ 56.9 грн
250+ 56.33 грн
500+ 50.91 грн
1000+ 45.63 грн
Мінімальне замовлення: 181
IRF1404ZPBF infineon-irf1404z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1404ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
97+117.07 грн
104+ 109.4 грн
109+ 103.64 грн
200+ 95.31 грн
500+ 80.88 грн
1000+ 64.32 грн
2000+ 62.35 грн
Мінімальне замовлення: 97
IRF1404ZPBF Infineon_IRF1404Z_DataSheet_v01_01_EN-3362825.pdf
IRF1404ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 40V 190A 3.7mOhm 100nC Qg
на замовлення 10711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+94.2 грн
10+ 73.83 грн
100+ 55.09 грн
250+ 54.83 грн
500+ 50.4 грн
1000+ 47.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1404ZPBF infineon-irf1404z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1404ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
182+62.15 грн
191+ 59.38 грн
250+ 57 грн
500+ 52.97 грн
1000+ 47.45 грн
2500+ 44.21 грн
5000+ 43.02 грн
10000+ 41.97 грн
Мінімальне замовлення: 182
IRF1404ZPBF; 190A; 40V; 220W; 0.0037R; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+645.12 грн
IRF1404ZS
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK IRF1404ZS Infineon TIRF1404zs
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+118.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1404ZSPBF IRSDS19311-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF1404ZSPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
410+47.48 грн
Мінімальне замовлення: 410
IRF1404ZSTRLPBF 1718468.pdf
IRF1404ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0027 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
на замовлення 3179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+98.61 грн
500+ 79.36 грн
1000+ 61.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF1404ZSTRLPBF IRSDS19311-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF1404ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF1404ZSTRLPBF infineon-irf1404z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1404ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+67.19 грн
2400+ 64.96 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1404ZSTRLPBF infineon-irf1404z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1404ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+58.42 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1404ZSTRLPBF IRSDS19311-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF1404ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
на замовлення 1258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+138.05 грн
10+ 110.08 грн
100+ 87.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1404ZSTRLPBF infineon-irf1404z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1404ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+66.95 грн
2400+ 64.73 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1404ZSTRLPBF Infineon_IRF1404Z_DataSheet_v01_01_EN-3362825.pdf
IRF1404ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 40V 190A 3.7mOhm 100nC Qg
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+149.65 грн
10+ 122.8 грн
100+ 84.65 грн
800+ 60.1 грн
2400+ 57.76 грн
4800+ 55.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1404ZSTRLPBF 1718468.pdf
IRF1404ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0027 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
на замовлення 3179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+169.46 грн
10+ 125.63 грн
100+ 98.61 грн
500+ 79.36 грн
1000+ 61.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]