Результат пошуку "IRF540" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 341 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 394 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 383 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 306 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 383 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 193 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 187 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF540NPBF Код товару: 3289
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220AB Uds,V: 100 V Idd,A: 33 A Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71 Монтаж: THT |
у наявності: 1555 шт
|
|
||||||||||||||||
|
IRF540NSPBF Код товару: 34259
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: D2PAK (TO-263) Uds,V: 100 V Idd,A: 33 A Rds(on), Ohm: 44 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71 Монтаж: SMD |
у наявності: 48 шт
|
|
||||||||||||||||
|
IRF540PBF Код товару: 182036
Додати до обраних
Обраний товар
|
Siliconix |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220 Uds,V: 100 V Idd,A: 28 A Монтаж: THT |
у наявності: 185 шт
|
|
||||||||||||||||
|
IRF540SPBF Код товару: 123222
Додати до обраних
Обраний товар
|
SILI |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-263 Uds,V: 100 V Idd,A: 20 A Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1700/72 Монтаж: SMD |
у наявності: 6 шт
|
|
|||||||||||||||||
|
IRF540ZPBF Код товару: 42002
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220 Uds,V: 100 V Idd,A: 36 A Rds(on), Ohm: 0,0266 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1770/42 Монтаж: THT |
у наявності: 177 шт
|
|
||||||||||||||||
|
Модуль із 4 MOSFET IRF540 Код товару: 193624
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
Модульні елементи > Arduino та супутні модульні елементи Опис: Шилд для керування навантаженням. Модуль складається з 4х MOSFET IRF540. Також на платі встановлено мікросхему PS8201 (оптопара) для ізоляції контролера від навантаження. Може використовуватися тільки для керування колом постійного струму. Навантаження максимум: 9...100VDC (25A). Керування сигналом від МК: 5V. Категорія: Модуль комутації Призначення: MOSFET |
товару немає в наявності
очікується: 40 шт
|
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF540 | Siliconix |
N-MOSFET 27A 100V 125W 0.052Ω Replacement: STP30NF10 IRF540 TIRF540кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF540N | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - IRF540N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: NO Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 130W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm |
на замовлення 1743 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF540N | Infineon |
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540N; IRF 540 N ; IRF540N; IRF540N TIRF540nкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF540N | Infineon |
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540N; IRF 540 N ; IRF540N; IRF540N TIRF540nкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 1550 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF540N | JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 26mOhm; 40A; 96W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N JSMICRO TIRF540n JSMкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF540N-ML | MOSLEADER |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 50mOhm; 30A; 125W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N-ML MOSLEADER TIRF540n MOS кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRF540N-ML | MOSLEADER |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 50mOhm; 30A; 125W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N-ML MOSLEADER TIRF540n MOS кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
IRF540NL | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nlкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF540NL | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nlкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF540NLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 21716 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF540NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 33A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 44mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 47.3nC Technology: HEXFET® Kind of package: tube |
на замовлення 5146 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF540NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube |
на замовлення 9940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF540NPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V |
на замовлення 404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF540NPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 130W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm |
на замовлення 49917 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF540NS | SLKOR |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS SLKOR TIRF540ns SLKкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 13 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF540NS | JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS JSMICRO TIRF540ns JSMкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF540NS | SLKOR |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS SLKOR TIRF540ns SLKкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 800 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF540NSTRL | UMW |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 30A; 70W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NSTRL UMW TIRF540ns UMWкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF540NSTRLPBF | International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 33 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1960 @ 25, Qg, нКл = 71 @ 10 В, Rds = 44 мОм @ 16 А, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 130, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: TO-263-3 Од. вим: шткількість в упаковці: 800 шт |
на замовлення 600 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
IRF540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF540NSTRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 130W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm |
на замовлення 7581 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V |
на замовлення 17002 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V |
на замовлення 16800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF540NSTRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 130W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm |
на замовлення 7581 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC |
на замовлення 23824 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF540NSTRRPBF | International Rectifier |
TO263 (D2PAK) Транзистори |
на замовлення 1 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
IRF540NSTRRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 44mOhms 47.3nC |
на замовлення 4103 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF540NSTRRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF540NSTRRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 8800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF540PBF-BE3 IRF540PBF | Vishay Siliconix | N-MOSFET, 100V, 28A, 150W, TO220AB Транзистори |
на замовлення 10 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
IRF540S | Siliconix |
N-MOSFET HEXFET 100V 28A 3.7W 0,077Ω IRF540S TIRF540sкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 190 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF540Z | International Rectifier |
N-MOSFET 36A 100V 92W IRF540Z TIRF540zкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 33 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF540ZLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 16468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF540ZLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 36A TO262Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 92W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V |
на замовлення 17445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF540ZLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF540ZLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.0265 ohm, TO-262, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 92W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm |
на замовлення 8212 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF540ZLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 977 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF540ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Case: TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 42nC On-state resistance: 26.5mΩ Drain current: 36A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 92W Drain-source voltage: 100V Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
на замовлення 556 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF540ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF540ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF540ZPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF540ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100V, 36A, 0.0265 Ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 92W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm |
на замовлення 2144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF540ZPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 36A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 92W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V |
на замовлення 34623 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF540ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF540ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 34224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF540ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 34233 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF540ZPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 36A 26.5mOhm 42nC Qg |
на замовлення 17178 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF540ZSTRLPBF | Infineon |
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK Транзистори |
на замовлення 3 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRF540-321L | IR | 2003 TO-220 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF5407PBF | IOR | 2007 |
на замовлення 61 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF540N IR |
на замовлення 37000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRF540NS | IR |
09+ |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF540NSPBF |
IRF540NSPBF Транзисторы |
на замовлення 101 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF540NSTRLPBF |
IRF540NSTRLPBF Транзисторы |
на замовлення 1092 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF540NPBF Код товару: 3289
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 33 A
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 33 A
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
Монтаж: THT
у наявності: 1555 шт
- 1512 шт - склад
- 9 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 9 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 19 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 35.00 грн |
| 10+ | 31.50 грн |
| 100+ | 27.90 грн |
| IRF540NSPBF Код товару: 34259
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 33 A
Rds(on), Ohm: 44 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 33 A
Rds(on), Ohm: 44 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
Монтаж: SMD
у наявності: 48 шт
- 47 шт - склад
- 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 88.50 грн |
| 10+ | 79.20 грн |
| IRF540PBF Код товару: 182036
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
у наявності: 185 шт
- 128 шт - склад
- 34 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 15 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 58.00 грн |
| 10+ | 54.50 грн |
| 100+ | 49.90 грн |
| IRF540SPBF Код товару: 123222
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: SILI
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-263
Uds,V: 100 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/72
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-263
Uds,V: 100 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/72
Монтаж: SMD
у наявності: 6 шт
- 3 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 49.50 грн |
| 10+ | 44.60 грн |
| IRF540ZPBF Код товару: 42002
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 36 A
Rds(on), Ohm: 0,0266 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1770/42
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 36 A
Rds(on), Ohm: 0,0266 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1770/42
Монтаж: THT
у наявності: 177 шт
- 137 шт - склад
- 15 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 14 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 11 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 31.00 грн |
| 10+ | 28.10 грн |
| 100+ | 25.20 грн |
| Модуль із 4 MOSFET IRF540 Код товару: 193624
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
Модульні елементи > Arduino та супутні модульні елементи
Опис: Шилд для керування навантаженням. Модуль складається з 4х MOSFET IRF540. Також на платі встановлено мікросхему PS8201 (оптопара) для ізоляції контролера від навантаження. Може використовуватися тільки для керування колом постійного струму. Навантаження максимум: 9...100VDC (25A). Керування сигналом від МК: 5V.
Категорія: Модуль комутації
Призначення: MOSFET
Опис: Шилд для керування навантаженням. Модуль складається з 4х MOSFET IRF540. Також на платі встановлено мікросхему PS8201 (оптопара) для ізоляції контролера від навантаження. Може використовуватися тільки для керування колом постійного струму. Навантаження максимум: 9...100VDC (25A). Керування сигналом від МК: 5V.
Категорія: Модуль комутації
Призначення: MOSFET
товару немає в наявності
очікується: 40 шт
- 40 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 115.00 грн |
| 10+ | 108.00 грн |
| IRF540 |
![]() |
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 27A 100V 125W 0.052Ω Replacement: STP30NF10 IRF540 TIRF540
кількість в упаковці: 50 шт
N-MOSFET 27A 100V 125W 0.052Ω Replacement: STP30NF10 IRF540 TIRF540
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 83.64 грн |
| IRF540N |
![]() |
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - IRF540N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
Description: MULTICOMP PRO - IRF540N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
на замовлення 1743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 108.35 грн |
| 14+ | 62.57 грн |
| 100+ | 55.89 грн |
| 500+ | 41.00 грн |
| 1000+ | 34.63 грн |
| IRF540N |
![]() |
Виробник: Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540N; IRF 540 N ; IRF540N; IRF540N TIRF540n
кількість в упаковці: 50 шт
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540N; IRF 540 N ; IRF540N; IRF540N TIRF540n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 28.68 грн |
| IRF540N |
![]() |
Виробник: Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540N; IRF 540 N ; IRF540N; IRF540N TIRF540n
кількість в упаковці: 50 шт
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540N; IRF 540 N ; IRF540N; IRF540N TIRF540n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 28.68 грн |
| IRF540N |
![]() |
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 26mOhm; 40A; 96W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N JSMICRO TIRF540n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 26mOhm; 40A; 96W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N JSMICRO TIRF540n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 27.16 грн |
| IRF540N-ML |
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 50mOhm; 30A; 125W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N-ML MOSLEADER TIRF540n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 50mOhm; 30A; 125W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N-ML MOSLEADER TIRF540n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 22.81 грн |
| IRF540N-ML |
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 50mOhm; 30A; 125W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N-ML MOSLEADER TIRF540n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 50mOhm; 30A; 125W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N-ML MOSLEADER TIRF540n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 24.19 грн |
| IRF540NL |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 61.92 грн |
| IRF540NL |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 61.92 грн |
| IRF540NLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 21716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 341+ | 104.17 грн |
| 500+ | 93.74 грн |
| 1000+ | 86.46 грн |
| 10000+ | 74.32 грн |
| IRF540NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 47.3nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 47.3nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
на замовлення 5146 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 96.85 грн |
| 10+ | 56.06 грн |
| 20+ | 44.97 грн |
| 50+ | 35.64 грн |
| 100+ | 31.18 грн |
| 500+ | 27.99 грн |
| IRF540NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 9940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 235+ | 60.43 грн |
| 237+ | 59.83 грн |
| 258+ | 55.15 грн |
| 500+ | 52.66 грн |
| 1000+ | 48.27 грн |
| 2000+ | 39.74 грн |
| 5000+ | 39.34 грн |
| IRF540NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 152.40 грн |
| 50+ | 69.93 грн |
| 100+ | 62.48 грн |
| IRF540NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
Description: INFINEON - IRF540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
на замовлення 49917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 148.27 грн |
| 12+ | 71.28 грн |
| 100+ | 63.62 грн |
| 500+ | 46.75 грн |
| 1000+ | 39.38 грн |
| 5000+ | 34.01 грн |
| IRF540NS |
![]() |
Виробник: SLKOR
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS SLKOR TIRF540ns SLK
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS SLKOR TIRF540ns SLK
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 24.99 грн |
| IRF540NS |
![]() |
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS JSMICRO TIRF540ns JSM
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS JSMICRO TIRF540ns JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 28.02 грн |
| IRF540NS |
![]() |
Виробник: SLKOR
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS SLKOR TIRF540ns SLK
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS SLKOR TIRF540ns SLK
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 24.99 грн |
| IRF540NSTRL |
![]() |
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 30A; 70W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NSTRL UMW TIRF540ns UMW
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 30A; 70W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NSTRL UMW TIRF540ns UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 22.81 грн |
| IRF540NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 33 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1960 @ 25, Qg, нКл = 71 @ 10 В, Rds = 44 мОм @ 16 А, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 130, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: TO-263-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 800 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 33 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1960 @ 25, Qg, нКл = 71 @ 10 В, Rds = 44 мОм @ 16 А, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 130, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: TO-263-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 800 шт
на замовлення 600 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 25.32 грн |
| IRF540NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 109+ | 130.47 грн |
| 156+ | 91.23 грн |
| 500+ | 65.37 грн |
| IRF540NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
Description: INFINEON - IRF540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
на замовлення 7581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 90.43 грн |
| 500+ | 56.51 грн |
| 1000+ | 51.18 грн |
| 5000+ | 50.21 грн |
| IRF540NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
на замовлення 17002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 227.81 грн |
| 10+ | 141.23 грн |
| 100+ | 96.99 грн |
| IRF540NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
на замовлення 16800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 76.69 грн |
| 1600+ | 68.44 грн |
| 2400+ | 65.69 грн |
| 4000+ | 58.75 грн |
| 5600+ | 57.03 грн |
| 8000+ | 55.36 грн |
| IRF540NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 188.91 грн |
| 10+ | 129.98 грн |
| 100+ | 90.88 грн |
| 500+ | 62.79 грн |
| IRF540NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
Description: INFINEON - IRF540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
на замовлення 7581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 204.48 грн |
| 10+ | 131.97 грн |
| 100+ | 90.43 грн |
| 500+ | 56.51 грн |
| 1000+ | 51.18 грн |
| 5000+ | 50.21 грн |
| IRF540NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
MOSFETs MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
на замовлення 23824 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 184.93 грн |
| 10+ | 116.44 грн |
| 100+ | 69.06 грн |
| 500+ | 58.72 грн |
| 800+ | 52.02 грн |
| 2400+ | 49.16 грн |
| 4800+ | 46.71 грн |
| IRF540NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 71+ | 200.31 грн |
| 105+ | 136.25 грн |
| 150+ | 94.56 грн |
| 500+ | 65.00 грн |
| 800+ | 59.59 грн |
| IRF540NSTRRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
TO263 (D2PAK) Транзистори
TO263 (D2PAK) Транзистори
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 312.00 грн |
| IRF540NSTRRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 44mOhms 47.3nC
MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 44mOhms 47.3nC
на замовлення 4103 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 163.75 грн |
| 10+ | 104.39 грн |
| 100+ | 61.87 грн |
| 500+ | 53.35 грн |
| 800+ | 45.32 грн |
| 2400+ | 42.39 грн |
| 4800+ | 39.73 грн |
| IRF540NSTRRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF540NSTRRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 394+ | 90.05 грн |
| 500+ | 81.04 грн |
| 1000+ | 74.74 грн |
| IRF540PBF-BE3 IRF540PBF |
Виробник: Vishay Siliconix
N-MOSFET, 100V, 28A, 150W, TO220AB Транзистори
N-MOSFET, 100V, 28A, 150W, TO220AB Транзистори
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 104.68 грн |
| IRF540S |
![]() |
Виробник: Siliconix
N-MOSFET HEXFET 100V 28A 3.7W 0,077Ω IRF540S TIRF540s
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET HEXFET 100V 28A 3.7W 0,077Ω IRF540S TIRF540s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 190 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 47.58 грн |
| IRF540Z |
![]() |
на замовлення 33 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 41.06 грн |
| IRF540ZLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 16468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 383+ | 92.61 грн |
| 500+ | 83.35 грн |
| 1000+ | 76.87 грн |
| 10000+ | 66.09 грн |
| IRF540ZLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 36A TO262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 36A TO262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
на замовлення 17445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 306+ | 65.95 грн |
| IRF540ZLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF540ZLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.0265 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 92W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
Description: INFINEON - IRF540ZLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.0265 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 92W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
на замовлення 8212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 130.34 грн |
| 10+ | 96.13 грн |
| 100+ | 89.61 грн |
| 500+ | 58.32 грн |
| 1000+ | 49.09 грн |
| 5000+ | 44.27 грн |
| IRF540ZLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 383+ | 92.61 грн |
| 500+ | 83.35 грн |
| IRF540ZPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 26.5mΩ
Drain current: 36A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 92W
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 26.5mΩ
Drain current: 36A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 92W
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 556 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 63.36 грн |
| 10+ | 46.31 грн |
| 50+ | 36.90 грн |
| IRF540ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF540ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 193+ | 73.66 грн |
| 195+ | 72.93 грн |
| 215+ | 66.12 грн |
| IRF540ZPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF540ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100V, 36A, 0.0265 Ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 92W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
Description: INFINEON - IRF540ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100V, 36A, 0.0265 Ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 92W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
на замовлення 2144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 122.20 грн |
| 13+ | 64.85 грн |
| 100+ | 56.86 грн |
| 500+ | 41.98 грн |
| 1000+ | 35.54 грн |
| IRF540ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
на замовлення 34623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 184.61 грн |
| 50+ | 85.93 грн |
| 100+ | 77.04 грн |
| 500+ | 57.65 грн |
| 1000+ | 52.94 грн |
| 2000+ | 48.98 грн |
| 5000+ | 43.96 грн |
| 10000+ | 41.36 грн |
| IRF540ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 71.16 грн |
| IRF540ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 34224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 187+ | 75.83 грн |
| 189+ | 75.06 грн |
| 211+ | 67.44 грн |
| 500+ | 56.66 грн |
| 1000+ | 48.07 грн |
| 2000+ | 42.79 грн |
| 5000+ | 39.14 грн |
| 10000+ | 38.76 грн |
| IRF540ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 34233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 75.54 грн |
| 50+ | 74.78 грн |
| 100+ | 67.18 грн |
| 500+ | 56.45 грн |
| 1000+ | 47.88 грн |
| 2000+ | 42.63 грн |
| 5000+ | 38.99 грн |
| 10000+ | 38.61 грн |
| IRF540ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 36A 26.5mOhm 42nC Qg
MOSFETs MOSFT 100V 36A 26.5mOhm 42nC Qg
на замовлення 17178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 154.78 грн |
| 10+ | 95.56 грн |
| 100+ | 54.81 грн |
| 500+ | 43.50 грн |
| 1000+ | 38.61 грн |
| 2000+ | 35.33 грн |
| 5000+ | 33.94 грн |
| IRF540ZSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK Транзистори
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK Транзистори
на замовлення 3 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 104.01 грн |
| IRF540-321L |
Виробник: IR
2003 TO-220
2003 TO-220
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| IRF5407PBF |
Виробник: IOR
2007
2007
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| IRF540NS | ![]() |
Виробник: IR
09+
09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| IRF540NSPBF |
![]() |
IRF540NSPBF Транзисторы
на замовлення 101 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
| IRF540NSTRLPBF |
![]() |
IRF540NSTRLPBF Транзисторы
на замовлення 1092 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]























