Результат пошуку "IRF540" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF540NPBF IRF540NPBF
Код товару: 3289
Додати до обраних Обраний товар

IR f4t984789546784678tuyf475t7847454f5t.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 33 A
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
Монтаж: THT
у наявності: 2861 шт
2724 шт - склад
50 шт - РАДІОМАГ-Київ
30 шт - РАДІОМАГ-Львів
17 шт - РАДІОМАГ-Харків
24 шт - РАДІОМАГ-Одеса
16 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+35.00 грн
10+31.50 грн
100+27.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSPBF IRF540NSPBF
Код товару: 34259
Додати до обраних Обраний товар

IR irf540nspbf-datasheet.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 33 A
Rds(on), Ohm: 44 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
Монтаж: SMD
у наявності: 66 шт
33 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+88.50 грн
10+79.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540PBF IRF540PBF
Код товару: 182036
Додати до обраних Обраний товар

Siliconix IRF540PBF-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 28 A
Монтаж: THT
у наявності: 232 шт
158 шт - склад
34 шт - РАДІОМАГ-Київ
15 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Одеса
15 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+58.00 грн
10+54.50 грн
100+49.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540SPBF
Код товару: 123222
Додати до обраних Обраний товар

SILI sihf540s-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-263
Uds,V: 100 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/72
Монтаж: SMD
у наявності: 6 шт
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+49.50 грн
10+44.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBF IRF540ZPBF
Код товару: 42002
Додати до обраних Обраний товар

IR irf540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3af7d19a6 description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 36 A
Rds(on), Ohm: 0,0266 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1770/42
Монтаж: THT
у наявності: 286 шт
212 шт - склад
18 шт - РАДІОМАГ-Київ
14 шт - РАДІОМАГ-Львів
15 шт - РАДІОМАГ-Харків
12 шт - РАДІОМАГ-Одеса
15 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+31.00 грн
10+28.10 грн
100+25.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Модуль із 4х MOSFET IRF540
+2
 		Модуль із 4х MOSFET IRF540
Код товару: 193624
Додати до обраних Обраний товар

Модульні елементи > Arduino та інші модульні елементи
Опис: Шилд для керування навантаженням. Модуль складається із 4х MOSFET IRF540. Також на платі встановлена мікросхема PS8201 (оптопара) для ізоляції контролера від навантаження. Може використовуватись тільки для керування ланцюгом постійного струму. Навантаження максимум: 9...100VDC (25А). Управління сигналом від МК: 5В.
Тип: Шилд комутуючі
товару немає в наявності
очікується: 30 шт
30 шт - очікується 28.07.2025
1+115.00 грн
10+108.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540 IRF540 ON Semiconductor irf540-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
339+90.42 грн
500+81.37 грн
Мінімальне замовлення: 339
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540 IRF540 onsemi MOTOS04825-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
326+65.45 грн
Мінімальне замовлення: 326
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540 Siliconix MOTOS04825-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF540.pdf irf540.pdf N-MOSFET 27A 100V 125W 0.052Ω Replacement: STP30NF10 IRF540 TIRF540
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+40.48 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540 Siliconix MOTOS04825-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF540.pdf irf540.pdf N-MOSFET 27A 100V 125W 0.052Ω Replacement: STP30NF10 IRF540 TIRF540
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+40.48 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N IRF540N MULTICOMP PRO 4419343.pdf Description: MULTICOMP PRO - IRF540N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+169.99 грн
10+135.65 грн
100+97.01 грн
500+62.90 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N JSMSEMI Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 26mOhm; 40A; 96W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N JSMICRO TIRF540n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.32 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540N; IRF 540 N ; IRF540N; IRF540N TIRF540n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+24.32 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540N; IRF 540 N ; IRF540N; IRF540N TIRF540n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 924 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+24.32 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N JSMicro Semiconductor Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 26mOhm; 40A; 96W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N JSMICRO TIRF540n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.32 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 50mOhm; 30A; 125W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N-ML MOSLEADER TIRF540n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+20.62 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NL IRF540NL Infineon Technologies irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3 Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+285.61 грн
50+140.56 грн
100+127.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NL International Rectifier irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3 N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+55.46 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NL International Rectifier irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3 N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+56.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NL International Rectifier irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3 N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+55.46 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NLPBF IRF540NLPBF Infineon Technologies irf540nspbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
341+90.09 грн
500+81.08 грн
Мінімальне замовлення: 341
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF IRF540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B5FF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf540n.pdf?ci_sign=6bd2f4a7599aa796dc9a9207cfafe3b19eaba366 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 47.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+78.98 грн
10+60.11 грн
25+49.19 грн
36+26.55 грн
98+25.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF Infineon irf540npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e39f0d19a1 Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=100V; Id=33A; Pdmax=140W; Rds=0,052 Ohm
на замовлення 677 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
6+48.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF IRF540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B5FF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf540n.pdf?ci_sign=6bd2f4a7599aa796dc9a9207cfafe3b19eaba366 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 47.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 158 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+94.78 грн
10+74.91 грн
25+59.03 грн
36+31.86 грн
98+30.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF IRF540NPBF Infineon Technologies Infineon_IRF540N_DataSheet_v01_01_EN-3363065.pdf MOSFETs MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
на замовлення 8969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+81.43 грн
10+48.41 грн
100+39.11 грн
500+35.51 грн
1000+32.99 грн
2000+31.38 грн
5000+31.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF IRF540NPBF Infineon Technologies infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
485+63.29 грн
539+56.96 грн
Мінімальне замовлення: 485
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF IRF540NPBF Infineon Technologies infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 88687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
260+47.18 грн
263+46.71 грн
500+38.53 грн
1000+35.80 грн
4000+30.87 грн
10000+29.33 грн
Мінімальне замовлення: 260
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF IRF540NPBF Infineon Technologies irf540npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e39f0d19a1 Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
на замовлення 92761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+80.30 грн
50+45.31 грн
100+44.58 грн
500+36.64 грн
1000+33.85 грн
2000+32.05 грн
5000+28.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF IRF540NPBF Infineon Technologies infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF IRF540NPBF Infineon Technologies infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 8699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
346+35.47 грн
350+35.06 грн
351+34.98 грн
1000+33.50 грн
2000+30.50 грн
4000+29.21 грн
8000+29.14 грн
Мінімальне замовлення: 346
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF IRF540NPBF Infineon Technologies infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 88687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+70.26 грн
14+51.11 грн
100+50.61 грн
500+40.25 грн
1000+35.90 грн
4000+32.10 грн
10000+31.77 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF IRF540NPBF Infineon Technologies infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+50.32 грн
17+42.09 грн
100+41.67 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF IRF540NPBF INFINEON INFN-S-A0012826922-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 81288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+85.85 грн
100+52.20 грн
500+40.74 грн
1000+35.03 грн
5000+32.01 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NS SLKOR description Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS SLKOR TIRF540ns SLK
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.19 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NS SLKOR description Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS SLKOR TIRF540ns SLK
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+22.42 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NS JSMicro Semiconductor description Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS JSMICRO TIRF540ns JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+25.10 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NS IRF540NSTRL IRF540NST International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS TIRF540ns
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+27.05 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSPBF Infineon irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3 description Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-PAK Udss=100V; Id=33A; Pdmax=140W; Rds=0,052 Ohm
на замовлення 104 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
13+23.35 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF Infineon Technologies irf540nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+37.59 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF Infineon Technologies irf540nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+40.72 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012826870-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+150.24 грн
10+108.17 грн
100+72.89 грн
500+60.51 грн
1000+39.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF Infineon Technologies irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3 Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
на замовлення 4300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+39.18 грн
1600+37.03 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012826870-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+72.89 грн
500+60.51 грн
1000+39.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF Infineon Technologies irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3 Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
на замовлення 4353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.32 грн
10+89.37 грн
100+60.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF Infineon Technologies irf540nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+101.54 грн
123+100.46 грн
Мінімальне замовлення: 121
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF540NS_DataSheet_v01_01_EN-3362885.pdf MOSFETs MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
на замовлення 1838 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+138.39 грн
10+94.17 грн
100+55.64 грн
500+37.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF Infineon Technologies irf540nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+148.94 грн
10+108.79 грн
25+107.64 грн
100+44.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF Infineon Technologies irf540nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+59.50 грн
226+54.43 грн
231+53.29 грн
800+40.83 грн
1600+37.00 грн
Мінімальне замовлення: 207
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRRPBF IRF540NSTRRPBF INFINEON INFN-S-A0012826870-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF540NSTRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+176.86 грн
10+115.04 грн
100+101.31 грн
500+79.64 грн
1000+62.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRRPBF IRF540NSTRRPBF INFINEON INFN-S-A0012826870-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF540NSTRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+101.31 грн
500+79.64 грн
1000+62.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540PBF IRF540PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D895A5D7DFF2469&compId=IRF540PBF.pdf?ci_sign=ed54c1f6055e1f12b59701a185c58a7fc27d0ff8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+93.58 грн
6+74.14 грн
10+71.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540PBF IRF540PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D895A5D7DFF2469&compId=IRF540PBF.pdf?ci_sign=ed54c1f6055e1f12b59701a185c58a7fc27d0ff8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+112.30 грн
5+92.39 грн
10+86.10 грн
25+44.96 грн
69+42.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540PBF IRF540PBF Vishay irf540.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 23140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+74.16 грн
171+71.79 грн
174+70.79 грн
500+62.30 грн
1000+57.11 грн
2000+53.26 грн
Мінімальне замовлення: 166
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540PBF IRF540PBF Vishay Siliconix irf540.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 19832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.77 грн
50+89.45 грн
100+84.54 грн
500+76.55 грн
1000+72.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540PBF IRF540PBF Vishay irf540.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 23140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+79.45 грн
50+76.92 грн
100+75.84 грн
500+66.75 грн
1000+61.19 грн
2000+57.07 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540PBF IRF540PBF VISHAY VISH-S-A0013187846-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF540PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.077 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+151.10 грн
10+144.23 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540PBF IRF540PBF Vishay irf540.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 8300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
199+61.67 грн
Мінімальне замовлення: 199
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540PBF IRF540PBF Vishay Semiconductors irf540.pdf MOSFETs TO220 100V 28A N-CH MOSFET
на замовлення 5329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.64 грн
10+94.17 грн
100+78.83 грн
500+75.69 грн
1000+64.21 грн
2000+55.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540PBF-BE3 IRF540PBF-BE3 Vishay / Siliconix irf540.pdf MOSFETs TO220 100V 28A N-CH MOSFET
на замовлення 7257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.54 грн
10+71.29 грн
100+55.72 грн
500+48.14 грн
1000+47.99 грн
2000+47.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540PBF-BE3 IRF540PBF-BE3 Vishay irf540.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+57.81 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF
Код товару: 3289
Додати до обраних Обраний товар

f4t984789546784678tuyf475t7847454f5t.pdf
IRF540NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 33 A
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
Монтаж: THT
у наявності: 2861 шт
2724 шт - склад
50 шт - РАДІОМАГ-Київ
30 шт - РАДІОМАГ-Львів
17 шт - РАДІОМАГ-Харків
24 шт - РАДІОМАГ-Одеса
16 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+35.00 грн
10+31.50 грн
100+27.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSPBF
Код товару: 34259
Додати до обраних Обраний товар

description irf540nspbf-datasheet.pdf
IRF540NSPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 33 A
Rds(on), Ohm: 44 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
Монтаж: SMD
у наявності: 66 шт
33 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+88.50 грн
10+79.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540PBF
Код товару: 182036
Додати до обраних Обраний товар

IRF540PBF-datasheet.pdf
IRF540PBF
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 28 A
Монтаж: THT
у наявності: 232 шт
158 шт - склад
34 шт - РАДІОМАГ-Київ
15 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Одеса
15 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+58.00 грн
10+54.50 грн
100+49.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540SPBF
Код товару: 123222
Додати до обраних Обраний товар

sihf540s-datasheet.pdf
Виробник: SILI
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-263
Uds,V: 100 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/72
Монтаж: SMD
у наявності: 6 шт
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+49.50 грн
10+44.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBF
Код товару: 42002
Додати до обраних Обраний товар

description irf540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3af7d19a6
IRF540ZPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 36 A
Rds(on), Ohm: 0,0266 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1770/42
Монтаж: THT
у наявності: 286 шт
212 шт - склад
18 шт - РАДІОМАГ-Київ
14 шт - РАДІОМАГ-Львів
15 шт - РАДІОМАГ-Харків
12 шт - РАДІОМАГ-Одеса
15 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+31.00 грн
10+28.10 грн
100+25.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Модуль із 4х MOSFET IRF540
Код товару: 193624
Додати до обраних Обраний товар

Модуль із 4х MOSFET IRF540
+2
Модульні елементи > Arduino та інші модульні елементи
Опис: Шилд для керування навантаженням. Модуль складається із 4х MOSFET IRF540. Також на платі встановлена мікросхема PS8201 (оптопара) для ізоляції контролера від навантаження. Може використовуватись тільки для керування ланцюгом постійного струму. Навантаження максимум: 9...100VDC (25А). Управління сигналом від МК: 5В.
Тип: Шилд комутуючі
товару немає в наявності
очікується: 30 шт
30 шт - очікується 28.07.2025
Кількість Ціна
1+115.00 грн
10+108.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540 irf540-d.pdf
IRF540
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
339+90.42 грн
500+81.37 грн
Мінімальне замовлення: 339
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540 MOTOS04825-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF540
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
326+65.45 грн
Мінімальне замовлення: 326
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540 MOTOS04825-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF540.pdf irf540.pdf
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 27A 100V 125W 0.052Ω Replacement: STP30NF10 IRF540 TIRF540
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+40.48 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540 MOTOS04825-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF540.pdf irf540.pdf
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 27A 100V 125W 0.052Ω Replacement: STP30NF10 IRF540 TIRF540
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+40.48 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N 4419343.pdf
IRF540N
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - IRF540N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+169.99 грн
10+135.65 грн
100+97.01 грн
500+62.90 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N
Виробник: JSMSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 26mOhm; 40A; 96W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N JSMICRO TIRF540n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+24.32 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N
Виробник: Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540N; IRF 540 N ; IRF540N; IRF540N TIRF540n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+24.32 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N
Виробник: Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540N; IRF 540 N ; IRF540N; IRF540N TIRF540n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 924 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+24.32 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 26mOhm; 40A; 96W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N JSMICRO TIRF540n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+24.32 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N-ML
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 50mOhm; 30A; 125W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N-ML MOSLEADER TIRF540n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+20.62 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NL irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3
IRF540NL
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+285.61 грн
50+140.56 грн
100+127.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NL irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+55.46 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NL irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+56.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NL irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+55.46 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NLPBF description irf540nspbf.pdf
IRF540NLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
341+90.09 грн
500+81.08 грн
Мінімальне замовлення: 341
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B5FF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf540n.pdf?ci_sign=6bd2f4a7599aa796dc9a9207cfafe3b19eaba366
IRF540NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 47.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+78.98 грн
10+60.11 грн
25+49.19 грн
36+26.55 грн
98+25.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF irf540npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e39f0d19a1
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=100V; Id=33A; Pdmax=140W; Rds=0,052 Ohm
на замовлення 677 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
6+48.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B5FF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf540n.pdf?ci_sign=6bd2f4a7599aa796dc9a9207cfafe3b19eaba366
IRF540NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 47.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 158 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.78 грн
10+74.91 грн
25+59.03 грн
36+31.86 грн
98+30.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF Infineon_IRF540N_DataSheet_v01_01_EN-3363065.pdf
IRF540NPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
на замовлення 8969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+81.43 грн
10+48.41 грн
100+39.11 грн
500+35.51 грн
1000+32.99 грн
2000+31.38 грн
5000+31.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf
IRF540NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
485+63.29 грн
539+56.96 грн
Мінімальне замовлення: 485
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf
IRF540NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 88687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
260+47.18 грн
263+46.71 грн
500+38.53 грн
1000+35.80 грн
4000+30.87 грн
10000+29.33 грн
Мінімальне замовлення: 260
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF irf540npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e39f0d19a1
IRF540NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
на замовлення 92761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+80.30 грн
50+45.31 грн
100+44.58 грн
500+36.64 грн
1000+33.85 грн
2000+32.05 грн
5000+28.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf
IRF540NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf
IRF540NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 8699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
346+35.47 грн
350+35.06 грн
351+34.98 грн
1000+33.50 грн
2000+30.50 грн
4000+29.21 грн
8000+29.14 грн
Мінімальне замовлення: 346
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf
IRF540NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 88687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+70.26 грн
14+51.11 грн
100+50.61 грн
500+40.25 грн
1000+35.90 грн
4000+32.10 грн
10000+31.77 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf
IRF540NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+50.32 грн
17+42.09 грн
100+41.67 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF INFN-S-A0012826922-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF540NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 81288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+85.85 грн
100+52.20 грн
500+40.74 грн
1000+35.03 грн
5000+32.01 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NS description
Виробник: SLKOR
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS SLKOR TIRF540ns SLK
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+22.19 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NS description
Виробник: SLKOR
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS SLKOR TIRF540ns SLK
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+22.42 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NS description
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS JSMICRO TIRF540ns JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+25.10 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NS IRF540NSTRL IRF540NST
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS TIRF540ns
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+27.05 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSPBF description irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-PAK Udss=100V; Id=33A; Pdmax=140W; Rds=0,052 Ohm
на замовлення 104 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
13+23.35 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF irf540nspbf.pdf
IRF540NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+37.59 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF irf540nspbf.pdf
IRF540NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+40.72 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF INFN-S-A0012826870-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF540NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+150.24 грн
10+108.17 грн
100+72.89 грн
500+60.51 грн
1000+39.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3
IRF540NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
на замовлення 4300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+39.18 грн
1600+37.03 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF INFN-S-A0012826870-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF540NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+72.89 грн
500+60.51 грн
1000+39.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3
IRF540NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
на замовлення 4353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.32 грн
10+89.37 грн
100+60.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF irf540nspbf.pdf
IRF540NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
121+101.54 грн
123+100.46 грн
Мінімальне замовлення: 121
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF Infineon_IRF540NS_DataSheet_v01_01_EN-3362885.pdf
IRF540NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
на замовлення 1838 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.39 грн
10+94.17 грн
100+55.64 грн
500+37.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF irf540nspbf.pdf
IRF540NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+148.94 грн
10+108.79 грн
25+107.64 грн
100+44.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF irf540nspbf.pdf
IRF540NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
207+59.50 грн
226+54.43 грн
231+53.29 грн
800+40.83 грн
1600+37.00 грн
Мінімальне замовлення: 207
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRRPBF description INFN-S-A0012826870-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF540NSTRRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF540NSTRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+176.86 грн
10+115.04 грн
100+101.31 грн
500+79.64 грн
1000+62.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRRPBF description INFN-S-A0012826870-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF540NSTRRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF540NSTRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+101.31 грн
500+79.64 грн
1000+62.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D895A5D7DFF2469&compId=IRF540PBF.pdf?ci_sign=ed54c1f6055e1f12b59701a185c58a7fc27d0ff8
IRF540PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+93.58 грн
6+74.14 грн
10+71.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D895A5D7DFF2469&compId=IRF540PBF.pdf?ci_sign=ed54c1f6055e1f12b59701a185c58a7fc27d0ff8
IRF540PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+112.30 грн
5+92.39 грн
10+86.10 грн
25+44.96 грн
69+42.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540PBF irf540.pdf
IRF540PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 23140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
166+74.16 грн
171+71.79 грн
174+70.79 грн
500+62.30 грн
1000+57.11 грн
2000+53.26 грн
Мінімальне замовлення: 166
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540PBF irf540.pdf
IRF540PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 19832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.77 грн
50+89.45 грн
100+84.54 грн
500+76.55 грн
1000+72.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540PBF irf540.pdf
IRF540PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 23140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+79.45 грн
50+76.92 грн
100+75.84 грн
500+66.75 грн
1000+61.19 грн
2000+57.07 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540PBF VISH-S-A0013187846-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF540PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF540PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.077 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+151.10 грн
10+144.23 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540PBF irf540.pdf
IRF540PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 8300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
199+61.67 грн
Мінімальне замовлення: 199
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540PBF irf540.pdf
IRF540PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 100V 28A N-CH MOSFET
на замовлення 5329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.64 грн
10+94.17 грн
100+78.83 грн
500+75.69 грн
1000+64.21 грн
2000+55.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540PBF-BE3 irf540.pdf
IRF540PBF-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 100V 28A N-CH MOSFET
на замовлення 7257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.54 грн
10+71.29 грн
100+55.72 грн
500+48.14 грн
1000+47.99 грн
2000+47.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540PBF-BE3 irf540.pdf
IRF540PBF-BE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+57.81 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]