Результат пошуку "IRF640" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF640NPBF IRF640NPBF
Код товару: 42934
Додати до обраних Обраний товар

IR irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Монтаж: THT
у наявності: 154 шт
109 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
15 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+28.00 грн
10+25.20 грн
100+22.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSPBF IRF640NSPBF
Код товару: 116935
Додати до обраних Обраний товар

IR irf640npbf-935925-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Монтаж: SMD
у наявності: 24 шт
4 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+53.00 грн
10+49.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640 en.CD00000702.pdf description MOSFET 200V 18A (72A pulse), N Channel TO-220
на замовлення 66 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
4+120.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640 SLKOR en.CD00000702.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640 SLKOR TIRF640n SLK
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 56 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+22.79 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640ACP001 ON Semiconductor IRF640ACP001
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+105.21 грн
500+94.69 грн
Мінімальне замовлення: 295
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640N JSMicro Semiconductor description Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N JSMICRO TIRF640n JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+28.09 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640N Infineon description N-MOSFET 18A 200V 150W 0.15Ω IRF640N TIRF640n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 168 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+25.15 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640N HXY MOSFET description Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 145mOhm; 18A; 125W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N HXY MOSFET TIRF640n HXY
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 73 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.40 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640N-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 180mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N-ML MOSLEADER TIRF640n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+23.97 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NL International Rectifier IRF640.pdf N-MOSFET 200V 18A 150mΩ 150W IRF640NL IR TIRF640nl
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+37.13 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NLPBF IRF640NLPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 1977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
298+104.18 грн
500+93.76 грн
1000+86.47 грн
Мінімальне замовлення: 298
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E47020E91F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf640n.pdf?ci_sign=a9c4739e332ce1226d87e9114bce505a5c92ddab Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+74.52 грн
10+52.37 грн
25+41.76 грн
50+34.99 грн
100+30.27 грн
250+26.42 грн
500+24.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E47020E91F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf640n.pdf?ci_sign=a9c4739e332ce1226d87e9114bce505a5c92ddab Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 558 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+89.43 грн
10+65.26 грн
25+50.11 грн
50+41.99 грн
100+36.33 грн
250+31.71 грн
500+29.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 161114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.91 грн
13+55.39 грн
100+52.30 грн
500+43.31 грн
1000+35.21 грн
4000+31.02 грн
10000+30.58 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 161114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+52.24 грн
251+49.33 грн
500+42.36 грн
1000+35.87 грн
4000+30.48 грн
10000+28.84 грн
Мінімальне замовлення: 237
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+103.14 грн
124+99.84 грн
263+47.20 грн
500+44.72 грн
1000+40.52 грн
2000+32.68 грн
4000+29.56 грн
8000+26.38 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies Infineon-IRF640N-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
на замовлення 16073 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.57 грн
10+104.18 грн
25+41.29 грн
100+40.61 грн
500+35.03 грн
1000+32.39 грн
2000+30.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF INFINEON INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF640NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 38663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+116.86 грн
10+113.48 грн
100+52.76 грн
500+41.13 грн
1000+35.28 грн
5000+31.21 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NS International Rectifier description Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; IRF640NS smd TIRF640ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.90 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F67C6956B2FF1A303005056AB0C4F&compId=irf640npbf.pdf?ci_sign=c65d3861a70faebe14223419d628e69e4794476e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
на замовлення 1427 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+97.39 грн
10+61.18 грн
50+48.99 грн
100+44.59 грн
250+39.47 грн
800+33.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F67C6956B2FF1A303005056AB0C4F&compId=irf640npbf.pdf?ci_sign=c65d3861a70faebe14223419d628e69e4794476e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1427 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+116.86 грн
10+76.24 грн
50+58.79 грн
100+53.50 грн
250+47.37 грн
800+40.48 грн
1600+37.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
183+67.66 грн
205+60.40 грн
234+53.06 грн
500+44.00 грн
Мінімальне замовлення: 183
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+45.35 грн
1600+44.82 грн
2400+41.47 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+40.80 грн
1600+40.46 грн
2400+38.10 грн
4000+36.63 грн
5600+32.98 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+72.73 грн
11+64.85 грн
25+56.96 грн
100+47.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+48.59 грн
1600+48.02 грн
2400+44.43 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF640NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+65.42 грн
250+59.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies Infineon-IRF640N-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
на замовлення 34345 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+110.09 грн
10+71.27 грн
100+51.03 грн
500+50.96 грн
800+35.93 грн
2400+33.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF640NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+133.80 грн
10+88.92 грн
50+79.69 грн
100+65.42 грн
250+59.16 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+43.27 грн
1600+42.89 грн
2400+40.39 грн
4000+38.83 грн
5600+34.97 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRRPBF IRF640NSTRRPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRRPBF IRF640NSTRRPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+49.84 грн
35+20.41 грн
36+19.05 грн
50+17.35 грн
100+16.38 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF IRF640PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89C962A4918469&compId=IRF640PBF.pdf?ci_sign=0799af496a8e6d330d1707a5c8be56fcf188d5dc Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
On-state resistance: 0.18Ω
Kind of channel: enhancement
Drain current: 11A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Drain-source voltage: 200V
Case: TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
на замовлення 2366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+119.40 грн
10+98.29 грн
50+74.70 грн
100+66.05 грн
250+59.76 грн
500+57.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF VISHAY sihf640.pdf N-Channel, 200V, 18A, 125W, 0.18R, TO220
на замовлення 69 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
4+64.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF IRF640PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89C962A4918469&compId=IRF640PBF.pdf?ci_sign=0799af496a8e6d330d1707a5c8be56fcf188d5dc Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
On-state resistance: 0.18Ω
Kind of channel: enhancement
Drain current: 11A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Drain-source voltage: 200V
Case: TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2366 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+143.29 грн
10+122.49 грн
50+89.64 грн
100+79.26 грн
250+71.72 грн
500+68.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF IRF640PBF Vishay irf640.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+137.77 грн
10+93.54 грн
1000+83.71 грн
2000+77.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF IRF640PBF Vishay irf640.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF IRF640PBF VISHAY VISH-S-A0024457021-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF640PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 11733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+145.66 грн
10+93.15 грн
100+89.76 грн
500+80.21 грн
1000+70.92 грн
5000+69.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF IRF640PBF Vishay irf640.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF IRF640PBF Vishay Semiconductors sihf640.pdf MOSFETs TO220 200V 18A N-CH MOSFET
на замовлення 4612 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.11 грн
10+84.38 грн
100+70.13 грн
1000+66.20 грн
2000+65.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF IRF640PBF Vishay irf640.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+88.23 грн
1000+78.95 грн
2000+75.89 грн
Мінімальне замовлення: 141
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF IRF640PBF Vishay irf640.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+90.43 грн
10+74.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF-BE3 IRF640PBF-BE3 VISHAY sihf640.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+117.71 грн
10+77.06 грн
25+71.56 грн
50+67.63 грн
100+64.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF-BE3 IRF640PBF-BE3 VISHAY sihf640.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 112 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+141.25 грн
10+96.03 грн
25+85.87 грн
50+81.15 грн
100+77.38 грн
250+71.72 грн
500+67.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF-BE3 IRF640PBF-BE3 Vishay / Siliconix sihf640.pdf MOSFETs TO220 200V 18A N-CH MOSFET
на замовлення 4073 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+152.36 грн
10+74.49 грн
100+51.03 грн
500+49.52 грн
1000+45.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF-BE3 IRF640PBF-BE3 VISHAY VISH-S-A0001814992-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF640PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 200V, 18A, TO-220AB
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IRF640 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+157.51 грн
10+115.17 грн
25+109.24 грн
50+95.93 грн
100+82.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF-BE3 IRF640PBF-BE3 Vishay irf640.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
550+40.42 грн
Мінімальне замовлення: 550
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640S Siliconix sihf640s.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 180mOhm; 18A; 130W; -55°C ~ 150°C; IRF640S TIRF640s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+48.92 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF IRF640SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC40F42F2E06143&compId=IRF640S.pdf?ci_sign=a1508ac36489a4c91f3127ecf52282c0cd95c229 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+130.41 грн
50+67.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF IRF640SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC40F42F2E06143&compId=IRF640S.pdf?ci_sign=a1508ac36489a4c91f3127ecf52282c0cd95c229 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+156.50 грн
50+84.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF IRF640SPBF Vishay sihf640s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+178.69 грн
10+98.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF IRF640SPBF VISHAY VISH-S-A0010924856-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF640SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+94.00 грн
500+84.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF IRF640SPBF Vishay sihf640s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+77.08 грн
15+49.53 грн
16+45.87 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF IRF640SPBF Vishay Semiconductors sihf640s.pdf MOSFETs N-Chan 200V 18 Amp
на замовлення 1648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+160.29 грн
10+88.55 грн
100+73.38 грн
1000+72.70 грн
5000+68.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF IRF640SPBF VISHAY VISH-S-A0010924856-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF640SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+170.21 грн
10+95.69 грн
100+94.00 грн
500+84.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF IRF640SPBF Vishay sihf640s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+169.91 грн
134+92.87 грн
Мінімальне замовлення: 73
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF IRF640SPBF Vishay sihf640s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+182.05 грн
10+99.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF IRF640SPBF Vishay sihf640s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+46.23 грн
290+42.81 грн
Мінімальне замовлення: 268
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF IRF640SPBF Vishay sihf640s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+93.12 грн
Мінімальне замовлення: 133
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF
Код товару: 42934
Додати до обраних Обраний товар

irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
IRF640NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Монтаж: THT
у наявності: 154 шт
109 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
15 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+28.00 грн
10+25.20 грн
100+22.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSPBF
Код товару: 116935
Додати до обраних Обраний товар

irf640npbf-935925-datasheet.pdf
IRF640NSPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Монтаж: SMD
у наявності: 24 шт
4 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість Ціна
1+53.00 грн
10+49.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640 description en.CD00000702.pdf
MOSFET 200V 18A (72A pulse), N Channel TO-220
на замовлення 66 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
4+120.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640 description en.CD00000702.pdf
Виробник: SLKOR
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640 SLKOR TIRF640n SLK
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 56 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+22.79 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640ACP001
Виробник: ON Semiconductor
IRF640ACP001
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
295+105.21 грн
500+94.69 грн
Мінімальне замовлення: 295
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640N description
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N JSMICRO TIRF640n JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+28.09 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640N description
Виробник: Infineon
N-MOSFET 18A 200V 150W 0.15Ω IRF640N TIRF640n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 168 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+25.15 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640N description
Виробник: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 145mOhm; 18A; 125W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N HXY MOSFET TIRF640n HXY
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 73 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+22.40 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640N-ML
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 180mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N-ML MOSLEADER TIRF640n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+23.97 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NL IRF640.pdf
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 200V 18A 150mΩ 150W IRF640NL IR TIRF640nl
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+37.13 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NLPBF description irf640npbf.pdf
IRF640NLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 1977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
298+104.18 грн
500+93.76 грн
1000+86.47 грн
Мінімальне замовлення: 298
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E47020E91F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf640n.pdf?ci_sign=a9c4739e332ce1226d87e9114bce505a5c92ddab
IRF640NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+74.52 грн
10+52.37 грн
25+41.76 грн
50+34.99 грн
100+30.27 грн
250+26.42 грн
500+24.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E47020E91F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf640n.pdf?ci_sign=a9c4739e332ce1226d87e9114bce505a5c92ddab
IRF640NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 558 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.43 грн
10+65.26 грн
25+50.11 грн
50+41.99 грн
100+36.33 грн
250+31.71 грн
500+29.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF irf640npbf.pdf
IRF640NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 161114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+116.91 грн
13+55.39 грн
100+52.30 грн
500+43.31 грн
1000+35.21 грн
4000+31.02 грн
10000+30.58 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF irf640npbf.pdf
IRF640NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 161114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
237+52.24 грн
251+49.33 грн
500+42.36 грн
1000+35.87 грн
4000+30.48 грн
10000+28.84 грн
Мінімальне замовлення: 237
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF irf640npbf.pdf
IRF640NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
120+103.14 грн
124+99.84 грн
263+47.20 грн
500+44.72 грн
1000+40.52 грн
2000+32.68 грн
4000+29.56 грн
8000+26.38 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF Infineon-IRF640N-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF640NPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
на замовлення 16073 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.57 грн
10+104.18 грн
25+41.29 грн
100+40.61 грн
500+35.03 грн
1000+32.39 грн
2000+30.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF640NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF640NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 38663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+116.86 грн
10+113.48 грн
100+52.76 грн
500+41.13 грн
1000+35.28 грн
5000+31.21 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NS description
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; IRF640NS smd TIRF640ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+60.90 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F67C6956B2FF1A303005056AB0C4F&compId=irf640npbf.pdf?ci_sign=c65d3861a70faebe14223419d628e69e4794476e
IRF640NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
на замовлення 1427 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+97.39 грн
10+61.18 грн
50+48.99 грн
100+44.59 грн
250+39.47 грн
800+33.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F67C6956B2FF1A303005056AB0C4F&compId=irf640npbf.pdf?ci_sign=c65d3861a70faebe14223419d628e69e4794476e
IRF640NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1427 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.86 грн
10+76.24 грн
50+58.79 грн
100+53.50 грн
250+47.37 грн
800+40.48 грн
1600+37.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF irf640npbf.pdf
IRF640NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF irf640npbf.pdf
IRF640NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
183+67.66 грн
205+60.40 грн
234+53.06 грн
500+44.00 грн
Мінімальне замовлення: 183
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF irf640npbf.pdf
IRF640NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+45.35 грн
1600+44.82 грн
2400+41.47 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF irf640npbf.pdf
IRF640NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+40.80 грн
1600+40.46 грн
2400+38.10 грн
4000+36.63 грн
5600+32.98 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF irf640npbf.pdf
IRF640NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+72.73 грн
11+64.85 грн
25+56.96 грн
100+47.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF irf640npbf.pdf
IRF640NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+48.59 грн
1600+48.02 грн
2400+44.43 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF640NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF640NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+65.42 грн
250+59.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF Infineon-IRF640N-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF640NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
на замовлення 34345 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+110.09 грн
10+71.27 грн
100+51.03 грн
500+50.96 грн
800+35.93 грн
2400+33.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF640NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF640NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+133.80 грн
10+88.92 грн
50+79.69 грн
100+65.42 грн
250+59.16 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF irf640npbf.pdf
IRF640NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+43.27 грн
1600+42.89 грн
2400+40.39 грн
4000+38.83 грн
5600+34.97 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRRPBF irf640npbf.pdf
IRF640NSTRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRRPBF irf640npbf.pdf
IRF640NSTRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+49.84 грн
35+20.41 грн
36+19.05 грн
50+17.35 грн
100+16.38 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89C962A4918469&compId=IRF640PBF.pdf?ci_sign=0799af496a8e6d330d1707a5c8be56fcf188d5dc
IRF640PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
On-state resistance: 0.18Ω
Kind of channel: enhancement
Drain current: 11A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Drain-source voltage: 200V
Case: TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
на замовлення 2366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+119.40 грн
10+98.29 грн
50+74.70 грн
100+66.05 грн
250+59.76 грн
500+57.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF sihf640.pdf
Виробник: VISHAY
N-Channel, 200V, 18A, 125W, 0.18R, TO220
на замовлення 69 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
4+64.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89C962A4918469&compId=IRF640PBF.pdf?ci_sign=0799af496a8e6d330d1707a5c8be56fcf188d5dc
IRF640PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
On-state resistance: 0.18Ω
Kind of channel: enhancement
Drain current: 11A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Drain-source voltage: 200V
Case: TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2366 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.29 грн
10+122.49 грн
50+89.64 грн
100+79.26 грн
250+71.72 грн
500+68.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF irf640.pdf
IRF640PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+137.77 грн
10+93.54 грн
1000+83.71 грн
2000+77.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF irf640.pdf
IRF640PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF VISH-S-A0024457021-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF640PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF640PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 11733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+145.66 грн
10+93.15 грн
100+89.76 грн
500+80.21 грн
1000+70.92 грн
5000+69.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF irf640.pdf
IRF640PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF sihf640.pdf
IRF640PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 200V 18A N-CH MOSFET
на замовлення 4612 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.11 грн
10+84.38 грн
100+70.13 грн
1000+66.20 грн
2000+65.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF irf640.pdf
IRF640PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
141+88.23 грн
1000+78.95 грн
2000+75.89 грн
Мінімальне замовлення: 141
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF irf640.pdf
IRF640PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+90.43 грн
10+74.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF-BE3 sihf640.pdf
IRF640PBF-BE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+117.71 грн
10+77.06 грн
25+71.56 грн
50+67.63 грн
100+64.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF-BE3 sihf640.pdf
IRF640PBF-BE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 112 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.25 грн
10+96.03 грн
25+85.87 грн
50+81.15 грн
100+77.38 грн
250+71.72 грн
500+67.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF-BE3 sihf640.pdf
IRF640PBF-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 200V 18A N-CH MOSFET
на замовлення 4073 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.36 грн
10+74.49 грн
100+51.03 грн
500+49.52 грн
1000+45.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF-BE3 VISH-S-A0001814992-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF640PBF-BE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF640PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 200V, 18A, TO-220AB
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IRF640 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+157.51 грн
10+115.17 грн
25+109.24 грн
50+95.93 грн
100+82.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF-BE3 irf640.pdf
IRF640PBF-BE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
550+40.42 грн
Мінімальне замовлення: 550
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640S description sihf640s.pdf
Виробник: Siliconix
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 180mOhm; 18A; 130W; -55°C ~ 150°C; IRF640S TIRF640s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+48.92 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC40F42F2E06143&compId=IRF640S.pdf?ci_sign=a1508ac36489a4c91f3127ecf52282c0cd95c229
IRF640SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+130.41 грн
50+67.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC40F42F2E06143&compId=IRF640S.pdf?ci_sign=a1508ac36489a4c91f3127ecf52282c0cd95c229
IRF640SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+156.50 грн
50+84.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF sihf640s.pdf
IRF640SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+178.69 грн
10+98.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF VISH-S-A0010924856-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF640SPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF640SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+94.00 грн
500+84.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF sihf640s.pdf
IRF640SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+77.08 грн
15+49.53 грн
16+45.87 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF sihf640s.pdf
IRF640SPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 200V 18 Amp
на замовлення 1648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+160.29 грн
10+88.55 грн
100+73.38 грн
1000+72.70 грн
5000+68.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF VISH-S-A0010924856-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF640SPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF640SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+170.21 грн
10+95.69 грн
100+94.00 грн
500+84.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF sihf640s.pdf
IRF640SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
73+169.91 грн
134+92.87 грн
Мінімальне замовлення: 73
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF sihf640s.pdf
IRF640SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+182.05 грн
10+99.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF sihf640s.pdf
IRF640SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
268+46.23 грн
290+42.81 грн
Мінімальне замовлення: 268
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF sihf640s.pdf
IRF640SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
133+93.12 грн
Мінімальне замовлення: 133
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]