Результат пошуку "IRF640" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 295
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 30
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 298
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 233
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 15
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 263
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 137
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 550
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 550
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 133
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 101
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 74
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 256
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF640NPBF Код товару: 42934
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() Корпус: TO-220 Uds,V: 200 V Idd,A: 18 A Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67 Монтаж: THT |
у наявності: 146 шт
109 шт - склад
1 шт - РАДІОМАГ-Київ 12 шт - РАДІОМАГ-Львів 15 шт - РАДІОМАГ-Харків 7 шт - РАДІОМАГ-Одеса 2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро очікується:
20 шт
20 шт - очікується
|
|
||||||||||||||
![]() |
IRF640NSPBF Код товару: 116935
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() Корпус: D2PAK (TO-263) Uds,V: 200 V Idd,A: 18 A Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67 Монтаж: SMD |
у наявності: 24 шт
4 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ |
|
||||||||||||||
IRF640 |
![]() ![]() |
на замовлення 66 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IRF640 | SLKOR |
![]() ![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 56 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF640ACP001 | ON Semiconductor | IRF640ACP001 |
на замовлення 575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF640N | JSMicro Semiconductor |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 70 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF640N | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 168 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF640N | HXY MOSFET |
![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 73 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF640N-ML | MOSLEADER |
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 180mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N-ML MOSLEADER TIRF640n MOS кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF640NL | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF640NLPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 1977 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF640NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 18A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Gate charge: 44.7nC Kind of package: tube |
на замовлення 788 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF640NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 18A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Gate charge: 44.7nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 788 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF640NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 277 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRF640NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 277 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRF640NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 167714 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF640NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 167700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF640NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 16855 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRF640NS | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 38 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF640NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 18A Power dissipation: 150W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Kind of package: reel |
на замовлення 1444 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF640NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 18A Power dissipation: 150W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Kind of package: reel кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1444 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF640NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRF640NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF640NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF640NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF640NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 10400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF640NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 34509 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF640NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 10400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF640NSTRRPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF640NSTRRPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRF640PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 70nC Kind of package: tube |
на замовлення 2646 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRF640PBF | VISHAY |
![]() |
на замовлення 69 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF640PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 70nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2646 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF640PBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 2617 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF640PBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 49 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRF640PBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 2610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF640PBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 1750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF640PBF | Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 4873 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF640PBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 49 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF640PBF-BE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 70nC Kind of package: tube |
на замовлення 112 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF640PBF-BE3 | Vishay |
![]() |
на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF640PBF-BE3 | Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 4282 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF640PBF-BE3 | Vishay |
![]() |
на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRF640S | Siliconix |
![]() ![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 80 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF640SPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 130W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 70nC Kind of package: tube |
на замовлення 1230 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF640SPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 130W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 70nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1230 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF640SPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 1412 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF640SPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF640SPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 1162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF640SPBF | Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 1933 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF640SPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF640SPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 1643 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF640SPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 1643 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF640SPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 1162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF640STRLPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF640STRLPBF | Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 1279 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF640STRLPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF640STRLPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF640STRRPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF640STRRPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
IRF640NPBF Код товару: 42934
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Монтаж: THT
у наявності: 146 шт
109 шт - склад
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
12 шт - РАДІОМАГ-Львів
15 шт - РАДІОМАГ-Харків
7 шт - РАДІОМАГ-Одеса
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
12 шт - РАДІОМАГ-Львів
15 шт - РАДІОМАГ-Харків
7 шт - РАДІОМАГ-Одеса
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
20 шт
20 шт - очікується
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 28.00 грн |
10+ | 25.20 грн |
100+ | 22.50 грн |
IRF640NSPBF Код товару: 116935
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Монтаж: SMD
у наявності: 24 шт
4 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 53.00 грн |
10+ | 49.00 грн |
IRF640 | ![]() |
![]() |
MOSFET 200V 18A (72A pulse), N Channel TO-220
на замовлення 66 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 119.26 грн |
IRF640 | ![]() |
![]() |
Виробник: SLKOR
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640 SLKOR TIRF640n SLK
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640 SLKOR TIRF640n SLK
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 56 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 22.57 грн |
IRF640ACP001 |
Виробник: ON Semiconductor
IRF640ACP001
IRF640ACP001
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
295+ | 104.21 грн |
500+ | 93.79 грн |
IRF640N | ![]() |
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N JSMICRO TIRF640n JSM
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N JSMICRO TIRF640n JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
30+ | 27.83 грн |
IRF640N | ![]() |
на замовлення 168 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 24.91 грн |
IRF640N | ![]() |
Виробник: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 145mOhm; 18A; 125W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N HXY MOSFET TIRF640n HXY
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 145mOhm; 18A; 125W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N HXY MOSFET TIRF640n HXY
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 73 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 22.19 грн |
IRF640N-ML |
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 180mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N-ML MOSLEADER TIRF640n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 180mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N-ML MOSLEADER TIRF640n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 23.74 грн |
IRF640NL |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 200V 18A 150mΩ 150W IRF640NL IR TIRF640nl
кількість в упаковці: 25 шт
N-MOSFET 200V 18A 150mΩ 150W IRF640NL IR TIRF640nl
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 36.78 грн |
IRF640NLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 1977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
298+ | 103.19 грн |
500+ | 92.87 грн |
1000+ | 85.65 грн |
IRF640NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 80.61 грн |
10+ | 56.65 грн |
25+ | 45.15 грн |
38+ | 24.50 грн |
104+ | 23.17 грн |
IRF640NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 788 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 96.73 грн |
10+ | 70.60 грн |
25+ | 54.18 грн |
38+ | 29.41 грн |
104+ | 27.80 грн |
IRF640NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF640NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF640NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 167714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 120.69 грн |
13+ | 56.67 грн |
100+ | 52.44 грн |
500+ | 42.87 грн |
1000+ | 34.84 грн |
4000+ | 30.78 грн |
10000+ | 30.47 грн |
IRF640NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 167700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
233+ | 52.69 грн |
252+ | 48.76 грн |
500+ | 41.34 грн |
1000+ | 34.99 грн |
4000+ | 29.82 грн |
10000+ | 28.34 грн |
IRF640NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
на замовлення 16855 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 105.90 грн |
10+ | 100.91 грн |
25+ | 41.38 грн |
100+ | 40.70 грн |
250+ | 40.47 грн |
500+ | 34.19 грн |
1000+ | 31.69 грн |
IRF640NS | ![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; IRF640NS smd TIRF640ns
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; IRF640NS smd TIRF640ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 60.33 грн |
IRF640NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 105.22 грн |
10+ | 66.19 грн |
27+ | 34.67 грн |
74+ | 32.78 грн |
IRF640NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 126.26 грн |
10+ | 82.48 грн |
27+ | 41.60 грн |
74+ | 39.33 грн |
2400+ | 37.82 грн |
IRF640NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF640NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 72.04 грн |
11+ | 64.06 грн |
25+ | 56.08 грн |
100+ | 46.38 грн |
IRF640NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 44.45 грн |
1600+ | 35.17 грн |
IRF640NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 47.62 грн |
1600+ | 37.68 грн |
IRF640NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 40.35 грн |
1600+ | 33.59 грн |
2400+ | 33.26 грн |
4000+ | 31.28 грн |
5600+ | 28.69 грн |
IRF640NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
на замовлення 34509 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 122.67 грн |
10+ | 78.55 грн |
100+ | 54.24 грн |
800+ | 36.01 грн |
2400+ | 34.04 грн |
IRF640NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 43.39 грн |
1600+ | 36.12 грн |
2400+ | 35.76 грн |
4000+ | 33.64 грн |
5600+ | 30.84 грн |
IRF640NSTRRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
15+ | 49.36 грн |
35+ | 20.21 грн |
36+ | 18.87 грн |
50+ | 17.19 грн |
100+ | 16.22 грн |
IRF640NSTRRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF640PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
на замовлення 2646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 128.98 грн |
10+ | 106.37 грн |
27+ | 34.67 грн |
74+ | 33.09 грн |
IRF640PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
N-Channel, 200V, 18A, 125W, 0.18R, TO220
N-Channel, 200V, 18A, 125W, 0.18R, TO220
на замовлення 69 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 64.80 грн |
IRF640PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2646 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 154.77 грн |
10+ | 132.56 грн |
27+ | 41.60 грн |
74+ | 39.71 грн |
IRF640PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 145.74 грн |
10+ | 91.71 грн |
100+ | 87.00 грн |
500+ | 81.12 грн |
1000+ | 67.32 грн |
2000+ | 57.29 грн |
IRF640PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF640PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
263+ | 46.62 грн |
IRF640PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
137+ | 90.01 грн |
146+ | 84.10 грн |
500+ | 78.98 грн |
1000+ | 66.04 грн |
IRF640PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 200V 18A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 200V 18A N-CH MOSFET
на замовлення 4873 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 133.26 грн |
10+ | 84.55 грн |
1000+ | 62.71 грн |
2000+ | 62.03 грн |
IRF640PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 91.42 грн |
10+ | 72.09 грн |
IRF640PBF-BE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 127.28 грн |
10+ | 82.73 грн |
17+ | 56.73 грн |
45+ | 53.58 грн |
IRF640PBF-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
550+ | 42.00 грн |
IRF640PBF-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 200V 18A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 200V 18A N-CH MOSFET
на замовлення 4282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 153.55 грн |
10+ | 77.07 грн |
100+ | 51.44 грн |
500+ | 49.62 грн |
1000+ | 49.55 грн |
5000+ | 48.71 грн |
IRF640PBF-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
550+ | 45.16 грн |
IRF640S | ![]() |
![]() |
Виробник: Siliconix
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 180mOhm; 18A; 130W; -55°C ~ 150°C; IRF640S TIRF640s
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 180mOhm; 18A; 130W; -55°C ~ 150°C; IRF640S TIRF640s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 48.46 грн |
IRF640SPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 139.16 грн |
18+ | 52.00 грн |
50+ | 48.85 грн |
IRF640SPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 166.99 грн |
18+ | 64.80 грн |
50+ | 58.62 грн |
IRF640SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 178.70 грн |
10+ | 99.28 грн |
1000+ | 98.29 грн |
IRF640SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
133+ | 92.32 грн |
1000+ | 91.40 грн |
IRF640SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 76.34 грн |
14+ | 51.38 грн |
15+ | 47.42 грн |
1000+ | 45.27 грн |
IRF640SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 200V 18 Amp
MOSFETs N-Chan 200V 18 Amp
на замовлення 1933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 159.73 грн |
10+ | 87.86 грн |
IRF640SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
101+ | 121.75 грн |
113+ | 108.93 грн |
500+ | 103.33 грн |
IRF640SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
74+ | 166.30 грн |
135+ | 91.41 грн |
1000+ | 90.49 грн |
IRF640SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 178.18 грн |
10+ | 97.94 грн |
1000+ | 96.96 грн |
IRF640SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
256+ | 47.95 грн |
278+ | 44.26 грн |
1000+ | 43.82 грн |
IRF640STRLPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 58.69 грн |
IRF640STRLPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 200V 18A N-CH MOSFET
MOSFETs TO263 200V 18A N-CH MOSFET
на замовлення 1279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 181.79 грн |
10+ | 129.61 грн |
100+ | 100.60 грн |
500+ | 99.85 грн |
800+ | 70.88 грн |
2400+ | 64.83 грн |
9600+ | 64.75 грн |
IRF640STRLPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 63.11 грн |
IRF640STRLPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 187.43 грн |
IRF640STRRPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 76.34 грн |
20+ | 35.08 грн |
25+ | 33.28 грн |
100+ | 30.31 грн |
250+ | 28.61 грн |
IRF640STRRPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]