Результат пошуку "IRF640" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 7
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 30
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 295
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 298
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 270
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 110
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 256
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 15
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 143
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 83
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 650
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 650
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 117
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 127
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 127
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 81
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF640N Код товару: 30510
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() Корпус: TO-220 Uds,V: 200 V Idd,A: 18 A Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67 Монтаж: THT |
у наявності: 20 шт
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів 8 шт - РАДІОМАГ-Харків 4 шт - РАДІОМАГ-Одеса |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640NPBF Код товару: 42934
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() Корпус: TO-220 Uds,V: 200 V Idd,A: 18 A Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67 Монтаж: THT |
у наявності: 347 шт
284 шт - склад
4 шт - РАДІОМАГ-Київ 20 шт - РАДІОМАГ-Львів 20 шт - РАДІОМАГ-Харків 10 шт - РАДІОМАГ-Одеса 9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640NSPBF Код товару: 116935
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() Корпус: D2PAK (TO-263) Uds,V: 200 V Idd,A: 18 A Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67 Монтаж: SMD |
у наявності: 30 шт
30 шт - склад
|
|
||||||||||||||||
IRF640 | IR |
![]() ![]() |
на замовлення 15 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRF640 |
![]() ![]() |
на замовлення 66 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF640 | SLKOR |
![]() ![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 56 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF640; 18A; 200V; 0,18R; 125W; N-канальный; корпус: ТО220; STM (шт) |
на замовлення 879 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF640ACP001 | FAIRCHILD | IRF640ACP001 |
на замовлення 1100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF640N | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 503 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF640N | HXY MOSFET |
![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 73 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF640N | JSMicro Semiconductor |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 70 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF640N-ML | MOSLEADER |
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 180mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N-ML MOSLEADER TIRF640n MOS кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF640NL | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRF640NLPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 1977 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 18A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Gate charge: 44.7nC Kind of package: tube |
на замовлення 496 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IRF640NPBF | IR |
![]() |
на замовлення 382 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRF640NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 18A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Gate charge: 44.7nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 496 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 110941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 13543 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 12879 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 110943 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IRF640NS | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 38 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRF640NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 18A Power dissipation: 150W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Kind of package: reel |
на замовлення 744 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 18A Power dissipation: 150W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Kind of package: reel кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 744 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 219 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
![]() |
IRF640NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1566 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 26500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 219 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
![]() |
IRF640NSTRRPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
![]() |
IRF640NSTRRPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 70nC Kind of package: tube |
на замовлення 3135 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IRF640PBF | VISHAY |
![]() |
на замовлення 69 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRF640PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 70nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3135 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640PBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 127 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
![]() |
IRF640PBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 2150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640PBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 127 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640PBF | Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 4532 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640PBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640PBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640PBF-BE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 70nC Kind of package: tube |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640PBF-BE3 | Vishay |
![]() |
на замовлення 650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640PBF-BE3 | Vishay |
![]() |
на замовлення 650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640PBF-BE3 | Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 4351 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IRF640S | Siliconix |
![]() ![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 80 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRF640SPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 130W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 70nC Kind of package: tube |
на замовлення 1245 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640SPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 130W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 70nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1245 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640SPBF | Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 3434 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640SPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 41 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
![]() |
IRF640SPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 2063 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640SPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 2351 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640SPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 2338 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640SPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 1162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640SPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 1162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640SPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 1050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640SPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 2063 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640STRLPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640STRLPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF640STRLPBF | Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 899 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
IRF640N Код товару: 30510
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Монтаж: THT
у наявності: 20 шт
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Харків
4 шт - РАДІОМАГ-Одеса
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Харків
4 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 20.00 грн |
IRF640NPBF Код товару: 42934
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Монтаж: THT
у наявності: 347 шт
284 шт - склад
4 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Харків
10 шт - РАДІОМАГ-Одеса
9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
4 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Харків
10 шт - РАДІОМАГ-Одеса
9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 28.00 грн |
10+ | 25.20 грн |
100+ | 22.50 грн |
IRF640NSPBF Код товару: 116935
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Монтаж: SMD
у наявності: 30 шт
30 шт - склад
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 53.00 грн |
10+ | 49.00 грн |
IRF640 | ![]() |
![]() |
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=18A; Pdmax=125W; Rds=0,18 Ohm
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=18A; Pdmax=125W; Rds=0,18 Ohm
на замовлення 15 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 41.80 грн |
IRF640 | ![]() |
![]() |
MOSFET 200V 18A (72A pulse), N Channel TO-220
на замовлення 66 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 119.26 грн |
IRF640 | ![]() |
![]() |
Виробник: SLKOR
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640 SLKOR TIRF640n SLK
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640 SLKOR TIRF640n SLK
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 56 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 24.72 грн |
IRF640; 18A; 200V; 0,18R; 125W; N-канальный; корпус: ТО220; STM (шт) |
на замовлення 879 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
30+ | 23.35 грн |
IRF640ACP001 |
Виробник: FAIRCHILD
IRF640ACP001
IRF640ACP001
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
295+ | 104.21 грн |
500+ | 93.53 грн |
1000+ | 86.25 грн |
IRF640N | ![]() |
на замовлення 503 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 28.80 грн |
IRF640N | ![]() |
Виробник: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 145mOhm; 18A; 125W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N HXY MOSFET TIRF640n HXY
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 145mOhm; 18A; 125W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N HXY MOSFET TIRF640n HXY
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 73 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 24.32 грн |
IRF640N | ![]() |
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N JSMICRO TIRF640n JSM
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N JSMICRO TIRF640n JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 30.75 грн |
IRF640N-ML |
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 180mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N-ML MOSLEADER TIRF640n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 180mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N-ML MOSLEADER TIRF640n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 23.74 грн |
IRF640NL |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 200V 18A 150mΩ 150W IRF640NL IR TIRF640nl
кількість в упаковці: 25 шт
N-MOSFET 200V 18A 150mΩ 150W IRF640NL IR TIRF640nl
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 36.78 грн |
IRF640NLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 1977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
298+ | 103.19 грн |
500+ | 92.87 грн |
1000+ | 85.65 грн |
IRF640NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 81.56 грн |
10+ | 57.32 грн |
25+ | 45.68 грн |
38+ | 24.79 грн |
105+ | 23.44 грн |
IRF640NPBF |
![]() |
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=18A; Pdmax=125W; Rds=0,18 Ohm (аналог IRF640 только без свинца)
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=18A; Pdmax=125W; Rds=0,18 Ohm (аналог IRF640 только без свинца)
на замовлення 382 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 64.22 грн |
IRF640NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 496 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 97.87 грн |
10+ | 71.43 грн |
25+ | 54.82 грн |
38+ | 29.75 грн |
105+ | 28.13 грн |
IRF640NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 110941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
270+ | 45.45 грн |
IRF640NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
на замовлення 13543 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 119.64 грн |
10+ | 115.30 грн |
25+ | 48.44 грн |
100+ | 46.15 грн |
500+ | 38.50 грн |
1000+ | 34.98 грн |
2000+ | 32.76 грн |
IRF640NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
110+ | 111.97 грн |
122+ | 100.53 грн |
223+ | 55.09 грн |
500+ | 49.89 грн |
1000+ | 43.78 грн |
2000+ | 37.13 грн |
4000+ | 33.70 грн |
8000+ | 31.24 грн |
IRF640NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 110943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 104.35 грн |
12+ | 52.95 грн |
100+ | 47.62 грн |
500+ | 38.12 грн |
1000+ | 30.39 грн |
4000+ | 26.16 грн |
10000+ | 25.90 грн |
IRF640NS | ![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; IRF640NS smd TIRF640ns
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; IRF640NS smd TIRF640ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 66.16 грн |
IRF640NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 124.49 грн |
10+ | 81.39 грн |
27+ | 35.08 грн |
74+ | 33.16 грн |
IRF640NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 744 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 149.38 грн |
10+ | 101.43 грн |
27+ | 42.09 грн |
74+ | 39.80 грн |
IRF640NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF640NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 36.59 грн |
1600+ | 34.89 грн |
2400+ | 34.53 грн |
4000+ | 32.14 грн |
5600+ | 29.65 грн |
IRF640NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
256+ | 48.06 грн |
304+ | 40.38 грн |
326+ | 37.68 грн |
IRF640NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
на замовлення 26500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 133.04 грн |
10+ | 87.92 грн |
100+ | 55.18 грн |
500+ | 54.57 грн |
800+ | 36.05 грн |
IRF640NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 46.35 грн |
IRF640NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF640NSTRRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF640NSTRRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
15+ | 42.78 грн |
31+ | 19.66 грн |
32+ | 18.65 грн |
50+ | 16.98 грн |
100+ | 16.03 грн |
IRF640PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
на замовлення 3135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 133.93 грн |
10+ | 93.11 грн |
27+ | 35.00 грн |
74+ | 33.08 грн |
IRF640PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
N-Channel, 200V, 18A, 125W, 0.18R, TO220
N-Channel, 200V, 18A, 125W, 0.18R, TO220
на замовлення 69 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 64.80 грн |
IRF640PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3135 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 160.72 грн |
10+ | 116.03 грн |
27+ | 42.00 грн |
74+ | 39.70 грн |
IRF640PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF640PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
143+ | 85.92 грн |
1300+ | 78.51 грн |
1950+ | 73.05 грн |
IRF640PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 82.28 грн |
10+ | 79.10 грн |
25+ | 66.21 грн |
100+ | 60.00 грн |
IRF640PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 200V 18A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 200V 18A N-CH MOSFET
на замовлення 4532 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 152.68 грн |
10+ | 94.17 грн |
100+ | 73.70 грн |
500+ | 65.89 грн |
1000+ | 54.03 грн |
2000+ | 51.05 грн |
5000+ | 49.59 грн |
IRF640PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 137.42 грн |
10+ | 125.52 грн |
25+ | 90.98 грн |
50+ | 81.82 грн |
100+ | 68.96 грн |
IRF640PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
83+ | 147.99 грн |
IRF640PBF-BE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 141.66 грн |
10+ | 93.27 грн |
16+ | 58.99 грн |
44+ | 55.80 грн |
IRF640PBF-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
650+ | 59.45 грн |
IRF640PBF-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
650+ | 56.49 грн |
IRF640PBF-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 200V 18A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 200V 18A N-CH MOSFET
на замовлення 4351 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 158.04 грн |
10+ | 96.81 грн |
100+ | 79.59 грн |
1000+ | 77.30 грн |
2000+ | 75.08 грн |
5000+ | 51.66 грн |
IRF640S | ![]() |
![]() |
Виробник: Siliconix
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 180mOhm; 18A; 130W; -55°C ~ 150°C; IRF640S TIRF640s
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 180mOhm; 18A; 130W; -55°C ~ 150°C; IRF640S TIRF640s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 48.46 грн |
IRF640SPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
на замовлення 1245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 131.36 грн |
10+ | 90.88 грн |
18+ | 51.82 грн |
50+ | 49.43 грн |
IRF640SPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1245 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 157.63 грн |
10+ | 113.25 грн |
18+ | 62.18 грн |
50+ | 59.31 грн |
IRF640SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 200V 18 Amp
MOSFETs N-Chan 200V 18 Amp
на замовлення 3434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 174.11 грн |
10+ | 99.45 грн |
100+ | 78.06 грн |
500+ | 74.39 грн |
1000+ | 71.63 грн |
2000+ | 70.26 грн |
IRF640SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF640SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 2063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
117+ | 104.86 грн |
IRF640SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 2351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 153.59 грн |
10+ | 133.22 грн |
25+ | 89.22 грн |
100+ | 79.67 грн |
1000+ | 73.03 грн |
IRF640SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 2338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
127+ | 96.69 грн |
IRF640SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
127+ | 97.26 грн |
IRF640SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 81.79 грн |
10+ | 78.82 грн |
25+ | 69.47 грн |
100+ | 65.11 грн |
1000+ | 59.69 грн |
IRF640SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
81+ | 152.18 грн |
500+ | 103.33 грн |
1000+ | 91.31 грн |
IRF640SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 2063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 154.61 грн |
10+ | 133.69 грн |
25+ | 88.95 грн |
100+ | 79.35 грн |
1000+ | 72.74 грн |
IRF640STRLPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 112.47 грн |
IRF640STRLPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 72.89 грн |
IRF640STRLPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 200V 18A N-CH MOSFET
MOSFETs TO263 200V 18A N-CH MOSFET
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 190.18 грн |
10+ | 134.66 грн |
100+ | 95.66 грн |
500+ | 79.59 грн |
800+ | 71.63 грн |
2400+ | 66.51 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]