Результат пошуку "IRF830" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF830PBF IRF830PBF
Код товару: 163342
2 Додати до обраних Обраний товар
Siliconix irl620.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 500 V
Idd,A: 5 А
Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 610/53
Монтаж: THT
у наявності: 37 шт
4 шт - склад
11 шт - РАДІОМАГ-Київ
22 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+26.00 грн
10+23.40 грн
100+20.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830 IRF830 Vishay info-tirf830.pdf description N-MOSFET 4.5A 500V 75W 1.5Ω IRF830 TIRF830
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+30.66 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830 IRF830 JSMicro Semiconductor info-tirf830.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 550V; 30V; 2,6Ohm; 4A; 33W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF830; IRF830-BE3; IRF830 JSMICRO TIRF830 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.35 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830 IRF830 Siliconix info-tirf830.pdf description N-MOSFET 4.5A 500V 75W 1.5Ω IRF830 TIRF830
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+30.66 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 1,2Ohm; 5A; 83W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF830; IRF830-BE3; IRF830-ML MOSLEADER TIRF830 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.49 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8301MTRPBF IRF8301MTRPBF INFINEON INFN-S-A0012826800-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF8301MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 192 A, 1500 µohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MT
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 3963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+95.24 грн
1000+81.00 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8301MTRPBF IRF8301MTRPBF INFINEON INFN-S-A0012826800-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF8301MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 192 A, 1500 µohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MT
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 3963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+291.56 грн
10+187.37 грн
100+134.07 грн
500+95.24 грн
1000+81.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8302MTRPBF IRF8302MTRPBF Infineon Technologies infineonirf8302mdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 31A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 2037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+165.31 грн
500+149.10 грн
1000+137.22 грн
Мінімальне замовлення: 197
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8304MTRPBF IRF8304MTRPBF Infineon Technologies infineonirf8304mdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 28A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 3795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
304+106.95 грн
500+96.25 грн
1000+88.76 грн
Мінімальне замовлення: 304
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8304MTRPBF International Rectifier HiRel Products IRSDS19129-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irf8304mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d20db1d5d Trans MOSFET N-CH 30V 28A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 1871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
304+106.95 грн
500+96.25 грн
1000+88.76 грн
Мінімальне замовлення: 304
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8304MTRPBF IRF8304MTRPBF International Rectifier IRSDS19129-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRF8304 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+330.95 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8304MTRPBF IRF8304MTRPBF Infineon Technologies IRSDS19129-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRF8304 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
на замовлення 2561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+82.08 грн
Мінімальне замовлення: 242
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8306MTRPBF IRF8306MTRPBF Infineon Technologies irf8306mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d29371d5f Description: MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4110 pF @ 15 V
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+123.11 грн
Мінімальне замовлення: 161
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8306MTRPBF IRF8306MTRPBF Infineon Technologies 595irf8306mpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 23A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+160.99 грн
500+144.78 грн
1000+133.98 грн
Мінімальне замовлення: 202
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8308MTRPBF IRF8308MTRPBF International Rectifier IRSDS19130-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRENCH MOSFET - DIRECTFET MV
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4404 pF @ 15 V
на замовлення 10378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
179+111.20 грн
Мінімальне замовлення: 179
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8308MTRPBF International Rectifier HiRel Products IRSDS19130-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irf8308mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d319d1d61 Trans MOSFET N-CH 30V 27A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 6861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+144.78 грн
500+130.73 грн
1000+119.93 грн
Мінімальне замовлення: 224
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8308MTRPBF International Rectifier HiRel Products IRSDS19130-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irf8308mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d319d1d61 Trans MOSFET N-CH 30V 27A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 3517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+144.78 грн
500+130.73 грн
1000+119.93 грн
Мінімальне замовлення: 224
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ALPBF IRF830ALPBF VISHAY sihf830a.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 934 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+161.53 грн
5+132.49 грн
10+99.99 грн
50+70.00 грн
100+65.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ALPBF IRF830ALPBF Vishay sihf830a.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-262
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+18.05 грн
2000+18.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ALPBF IRF830ALPBF Vishay sihf830a.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-262
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+19.15 грн
2000+19.12 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ALPBF IRF830ALPBF Vishay Semiconductors sihf830a.pdf MOSFETs N-Chan 500V 5.0 Amp
на замовлення 1262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+234.22 грн
10+132.95 грн
100+89.99 грн
500+74.76 грн
1000+66.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ALPBF IRF830ALPBF Vishay sihf830a.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-262
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+168.20 грн
110+118.59 грн
117+111.33 грн
Мінімальне замовлення: 78
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830APBF IRF830APBF VISHAY irf830a.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 838 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+145.38 грн
10+87.66 грн
50+70.00 грн
100+63.50 грн
250+55.91 грн
500+50.75 грн
750+48.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830APBF IRF830APBF Vishay Siliconix 91061.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 1718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.82 грн
50+97.96 грн
100+88.26 грн
500+66.90 грн
1000+61.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830APBF IRF830APBF Vishay 91061.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+170.24 грн
98+133.51 грн
116+112.02 грн
250+93.32 грн
500+75.84 грн
750+64.52 грн
Мінімальне замовлення: 77
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830APBF IRF830APBF Vishay 91061.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 9762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+128.06 грн
50+126.78 грн
100+88.81 грн
500+67.33 грн
1000+56.87 грн
2000+51.76 грн
5000+50.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830APBF IRF830APBF Vishay Semiconductors 91061.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF8
на замовлення 1548 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+157.49 грн
10+98.72 грн
100+60.16 грн
500+51.78 грн
10000+50.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830APBF IRF830APBF Vishay 91061.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 9762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+120.66 грн
109+119.45 грн
155+83.68 грн
500+63.43 грн
1000+53.59 грн
2000+48.76 грн
5000+47.16 грн
Мінімальне замовлення: 108
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830APBF IRF830APBF VISHAY VISH-S-A0019267819-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF830APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.4 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 3905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+163.14 грн
10+101.76 грн
100+71.88 грн
500+51.97 грн
1000+42.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830APBF IRF830APBF Vishay 91061.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830APBF-BE3 IRF830APBF-BE3 VISHAY 91061.pdf Description: VISHAY - IRF830APBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.4 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IRF830A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+158.30 грн
10+91.26 грн
100+57.18 грн
500+45.30 грн
1000+37.87 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830APBF-BE3 IRF830APBF-BE3 Vishay / Siliconix 91061.pdf MOSFETs TO220 500V 5A N-CH MOSFET
на замовлення 2718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+157.49 грн
10+98.72 грн
100+52.61 грн
500+44.03 грн
1000+37.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830APBF-BE3 IRF830APBF-BE3 Vishay Siliconix 91061.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.82 грн
50+97.96 грн
100+88.26 грн
500+66.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ASPBF IRF830ASPBF Vishay sihf830a.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+59.51 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ASPBF IRF830ASPBF Vishay sihf830a.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+63.16 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ASPBF IRF830ASPBF Vishay Siliconix sihf830a.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+220.40 грн
50+105.64 грн
100+95.33 грн
500+72.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ASPBF IRF830ASPBF VISHAY VISH-S-A0013329316-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF830ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.4 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+205.14 грн
10+108.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ASPBF IRF830ASPBF Vishay Semiconductors sihf830a.pdf MOSFETs TO263 500V 5A N-CH MOSFET
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+205.95 грн
10+113.84 грн
100+78.23 грн
500+68.47 грн
2000+60.71 грн
5000+57.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ASTRLPBF IRF830ASTRLPBF Vishay sihf830a.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ASTRLPBF IRF830ASTRLPBF Vishay Semiconductors sihf830a.pdf MOSFETs TO263 500V 5A N-CH MOSFET
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+205.95 грн
10+130.56 грн
100+78.23 грн
500+63.69 грн
800+58.84 грн
2400+56.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ASTRLPBF IRF830ASTRLPBF Vishay sihf830a.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ASTRLPBF IRF830ASTRLPBF Vishay Siliconix sihf830a.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 8316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+220.40 грн
10+137.69 грн
100+95.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ASTRLPBF IRF830ASTRLPBF Vishay Siliconix sihf830a.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+76.00 грн
1600+68.01 грн
2400+65.38 грн
4000+58.58 грн
5600+57.50 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830B ON Semiconductor FAIRS18184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF830B
на замовлення 1294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
437+74.21 грн
500+66.80 грн
1000+61.59 грн
Мінімальне замовлення: 437
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830B IRF830B Fairchild Semiconductor FAIRS18184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 9803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
349+56.92 грн
Мінімальне замовлення: 349
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830B ON Semiconductor FAIRS18184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF830B
на замовлення 4519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
437+74.21 грн
500+66.80 грн
1000+61.59 грн
Мінімальне замовлення: 437
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830B ON Semiconductor FAIRS18184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF830B
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
437+74.21 грн
500+66.80 грн
1000+61.59 грн
Мінімальне замовлення: 437
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830B ON Semiconductor FAIRS18184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF830B
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
437+74.21 грн
500+66.80 грн
1000+61.59 грн
Мінімальне замовлення: 437
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830BPBF IRF830BPBF Vishay doc91520.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830BPBF IRF830BPBF VISHAY 2633004.pdf Description: VISHAY - IRF830BPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5.3 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.69 грн
21+40.14 грн
100+39.33 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830BPBF IRF830BPBF Vishay doc91520.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+46.19 грн
Мінімальне замовлення: 281
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF IRF830PBF VISHAY irf830.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 18A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1565 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+92.43 грн
10+50.16 грн
30+41.25 грн
50+40.00 грн
100+38.58 грн
150+37.58 грн
500+35.75 грн
1000+34.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF irf830.pdf N-кан. MOSFET 500V, 4.5A, 1.5Ом, 74Вт, TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
8+41.18 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF IRF830PBF Vishay 91063.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+105.99 грн
Мінімальне замовлення: 123
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF IRF830PBF Vishay Semiconductors irl620.pdf MOSFETs TO220 500V 4.5A N-CH MOSFET
на замовлення 6551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+136.49 грн
10+71.89 грн
100+52.13 грн
500+42.85 грн
1000+38.42 грн
2000+35.93 грн
5000+34.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF IRF830PBF Vishay 91063.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 6290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+118.44 грн
10+74.42 грн
100+57.58 грн
2000+54.96 грн
5000+50.39 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF IRF830PBF Vishay 91063.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF IRF830PBF Vishay 91063.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+90.99 грн
162+80.45 грн
500+79.89 грн
1000+70.93 грн
Мінімальне замовлення: 143
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF IRF830PBF Vishay Siliconix irl620.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
на замовлення 2459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.79 грн
50+83.40 грн
100+74.94 грн
500+56.42 грн
1000+51.94 грн
2000+48.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF IRF830PBF VISHAY VISH-S-A0019267810-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF830PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+130.84 грн
12+71.15 грн
100+60.17 грн
500+54.75 грн
1000+49.50 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF
Код товару: 163342
2 Додати до обраних Обраний товар
irl620.pdf
IRF830PBF
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 500 V
Idd,A: 5 А
Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 610/53
Монтаж: THT
у наявності: 37 шт
4 шт - склад
11 шт - РАДІОМАГ-Київ
22 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість Ціна
1+26.00 грн
10+23.40 грн
100+20.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830 description info-tirf830.pdf
IRF830
Виробник: Vishay
N-MOSFET 4.5A 500V 75W 1.5Ω IRF830 TIRF830
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+30.66 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830 description info-tirf830.pdf
IRF830
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 550V; 30V; 2,6Ohm; 4A; 33W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF830; IRF830-BE3; IRF830 JSMICRO TIRF830 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+22.35 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830 description info-tirf830.pdf
IRF830
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 4.5A 500V 75W 1.5Ω IRF830 TIRF830
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+30.66 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830-ML
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 1,2Ohm; 5A; 83W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF830; IRF830-BE3; IRF830-ML MOSLEADER TIRF830 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+24.49 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8301MTRPBF INFN-S-A0012826800-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF8301MTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8301MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 192 A, 1500 µohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MT
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 3963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+95.24 грн
1000+81.00 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8301MTRPBF INFN-S-A0012826800-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF8301MTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8301MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 192 A, 1500 µohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MT
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 3963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+291.56 грн
10+187.37 грн
100+134.07 грн
500+95.24 грн
1000+81.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8302MTRPBF infineonirf8302mdatasheetv0101en.pdf
IRF8302MTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 31A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 2037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
197+165.31 грн
500+149.10 грн
1000+137.22 грн
Мінімальне замовлення: 197
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8304MTRPBF infineonirf8304mdatasheetv0101en.pdf
IRF8304MTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 28A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 3795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
304+106.95 грн
500+96.25 грн
1000+88.76 грн
Мінімальне замовлення: 304
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8304MTRPBF IRSDS19129-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irf8304mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d20db1d5d
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH 30V 28A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 1871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
304+106.95 грн
500+96.25 грн
1000+88.76 грн
Мінімальне замовлення: 304
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8304MTRPBF IRSDS19129-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF8304MTRPBF
Виробник: International Rectifier
Description: IRF8304 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
60+330.95 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8304MTRPBF IRSDS19129-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF8304MTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IRF8304 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
на замовлення 2561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
242+82.08 грн
Мінімальне замовлення: 242
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8306MTRPBF irf8306mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d29371d5f
IRF8306MTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4110 pF @ 15 V
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
161+123.11 грн
Мінімальне замовлення: 161
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8306MTRPBF 595irf8306mpbf.pdf
IRF8306MTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 23A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
202+160.99 грн
500+144.78 грн
1000+133.98 грн
Мінімальне замовлення: 202
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8308MTRPBF IRSDS19130-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF8308MTRPBF
Виробник: International Rectifier
Description: TRENCH MOSFET - DIRECTFET MV
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4404 pF @ 15 V
на замовлення 10378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
179+111.20 грн
Мінімальне замовлення: 179
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8308MTRPBF IRSDS19130-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irf8308mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d319d1d61
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH 30V 27A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 6861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
224+144.78 грн
500+130.73 грн
1000+119.93 грн
Мінімальне замовлення: 224
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8308MTRPBF IRSDS19130-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irf8308mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d319d1d61
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH 30V 27A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 3517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
224+144.78 грн
500+130.73 грн
1000+119.93 грн
Мінімальне замовлення: 224
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ALPBF sihf830a.pdf
IRF830ALPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 934 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+161.53 грн
5+132.49 грн
10+99.99 грн
50+70.00 грн
100+65.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ALPBF sihf830a.pdf
IRF830ALPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-262
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+18.05 грн
2000+18.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ALPBF sihf830a.pdf
IRF830ALPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-262
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+19.15 грн
2000+19.12 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ALPBF sihf830a.pdf
IRF830ALPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 500V 5.0 Amp
на замовлення 1262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+234.22 грн
10+132.95 грн
100+89.99 грн
500+74.76 грн
1000+66.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ALPBF sihf830a.pdf
IRF830ALPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-262
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
78+168.20 грн
110+118.59 грн
117+111.33 грн
Мінімальне замовлення: 78
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830APBF irf830a.pdf
IRF830APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 838 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+145.38 грн
10+87.66 грн
50+70.00 грн
100+63.50 грн
250+55.91 грн
500+50.75 грн
750+48.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830APBF 91061.pdf
IRF830APBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 1718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+204.82 грн
50+97.96 грн
100+88.26 грн
500+66.90 грн
1000+61.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830APBF 91061.pdf
IRF830APBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
77+170.24 грн
98+133.51 грн
116+112.02 грн
250+93.32 грн
500+75.84 грн
750+64.52 грн
Мінімальне замовлення: 77
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830APBF 91061.pdf
IRF830APBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 9762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+128.06 грн
50+126.78 грн
100+88.81 грн
500+67.33 грн
1000+56.87 грн
2000+51.76 грн
5000+50.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830APBF 91061.pdf
IRF830APBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF8
на замовлення 1548 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+157.49 грн
10+98.72 грн
100+60.16 грн
500+51.78 грн
10000+50.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830APBF 91061.pdf
IRF830APBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 9762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
108+120.66 грн
109+119.45 грн
155+83.68 грн
500+63.43 грн
1000+53.59 грн
2000+48.76 грн
5000+47.16 грн
Мінімальне замовлення: 108
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830APBF VISH-S-A0019267819-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF830APBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF830APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.4 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 3905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+163.14 грн
10+101.76 грн
100+71.88 грн
500+51.97 грн
1000+42.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830APBF 91061.pdf
IRF830APBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830APBF-BE3 91061.pdf
IRF830APBF-BE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF830APBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.4 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IRF830A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+158.30 грн
10+91.26 грн
100+57.18 грн
500+45.30 грн
1000+37.87 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830APBF-BE3 91061.pdf
IRF830APBF-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 500V 5A N-CH MOSFET
на замовлення 2718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+157.49 грн
10+98.72 грн
100+52.61 грн
500+44.03 грн
1000+37.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830APBF-BE3 91061.pdf
IRF830APBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+204.82 грн
50+97.96 грн
100+88.26 грн
500+66.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ASPBF sihf830a.pdf
IRF830ASPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+59.51 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ASPBF sihf830a.pdf
IRF830ASPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+63.16 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ASPBF sihf830a.pdf
IRF830ASPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+220.40 грн
50+105.64 грн
100+95.33 грн
500+72.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ASPBF VISH-S-A0013329316-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF830ASPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF830ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.4 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+205.14 грн
10+108.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ASPBF sihf830a.pdf
IRF830ASPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 500V 5A N-CH MOSFET
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+205.95 грн
10+113.84 грн
100+78.23 грн
500+68.47 грн
2000+60.71 грн
5000+57.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ASTRLPBF sihf830a.pdf
IRF830ASTRLPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ASTRLPBF sihf830a.pdf
IRF830ASTRLPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 500V 5A N-CH MOSFET
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+205.95 грн
10+130.56 грн
100+78.23 грн
500+63.69 грн
800+58.84 грн
2400+56.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ASTRLPBF sihf830a.pdf
IRF830ASTRLPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ASTRLPBF sihf830a.pdf
IRF830ASTRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 8316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+220.40 грн
10+137.69 грн
100+95.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ASTRLPBF sihf830a.pdf
IRF830ASTRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+76.00 грн
1600+68.01 грн
2400+65.38 грн
4000+58.58 грн
5600+57.50 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830B FAIRS18184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ON Semiconductor
IRF830B
на замовлення 1294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
437+74.21 грн
500+66.80 грн
1000+61.59 грн
Мінімальне замовлення: 437
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830B FAIRS18184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF830B
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 9803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
349+56.92 грн
Мінімальне замовлення: 349
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830B FAIRS18184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ON Semiconductor
IRF830B
на замовлення 4519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
437+74.21 грн
500+66.80 грн
1000+61.59 грн
Мінімальне замовлення: 437
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830B FAIRS18184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ON Semiconductor
IRF830B
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
437+74.21 грн
500+66.80 грн
1000+61.59 грн
Мінімальне замовлення: 437
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830B FAIRS18184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ON Semiconductor
IRF830B
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
437+74.21 грн
500+66.80 грн
1000+61.59 грн
Мінімальне замовлення: 437
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830BPBF doc91520.pdf
IRF830BPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830BPBF 2633004.pdf
IRF830BPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF830BPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5.3 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+93.69 грн
21+40.14 грн
100+39.33 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830BPBF doc91520.pdf
IRF830BPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
281+46.19 грн
Мінімальне замовлення: 281
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF irf830.pdf
IRF830PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 18A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1565 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+92.43 грн
10+50.16 грн
30+41.25 грн
50+40.00 грн
100+38.58 грн
150+37.58 грн
500+35.75 грн
1000+34.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF irf830.pdf
N-кан. MOSFET 500V, 4.5A, 1.5Ом, 74Вт, TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.18 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF 91063.pdf
IRF830PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
123+105.99 грн
Мінімальне замовлення: 123
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF irl620.pdf
IRF830PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 500V 4.5A N-CH MOSFET
на замовлення 6551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.49 грн
10+71.89 грн
100+52.13 грн
500+42.85 грн
1000+38.42 грн
2000+35.93 грн
5000+34.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF 91063.pdf
IRF830PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 6290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+118.44 грн
10+74.42 грн
100+57.58 грн
2000+54.96 грн
5000+50.39 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF 91063.pdf
IRF830PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF 91063.pdf
IRF830PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
143+90.99 грн
162+80.45 грн
500+79.89 грн
1000+70.93 грн
Мінімальне замовлення: 143
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF irl620.pdf
IRF830PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
на замовлення 2459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+176.79 грн
50+83.40 грн
100+74.94 грн
500+56.42 грн
1000+51.94 грн
2000+48.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF VISH-S-A0019267810-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF830PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF830PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+130.84 грн
12+71.15 грн
100+60.17 грн
500+54.75 грн
1000+49.50 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]