Результат пошуку "IRF9530" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRF9530NPBF IRF9530NPBF
Код товару: 32844
IR irf9530n.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 12 А
Rds(on),Om: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 500/25
Монтаж: THT
у наявності: 215 шт
171 шт - склад
14 шт - РАДІОМАГ-Київ
14 шт - РАДІОМАГ-Львів
12 шт - РАДІОМАГ-Харків
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+22 грн
10+ 19.8 грн
100+ 17.9 грн
IRF9530SPBF IRF9530SPBF
Код товару: 192850
VBsemi IRF9530SPBF.pdf description Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Uds,V: 100 V
Id,A: 12 А
Ciss, pF/Qg, nC: 2765/67
у наявності: 77 шт
77 шт - склад
1+40 грн
10+ 36 грн
IRF9530 Siliconix HRISSD80-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF9530.pdf description P-MOSFET 12A 100V 88W 0.3Ω IRF9530 IRF9530 TIRF9530
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 239 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+52.05 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF9530 Siliconix HRISSD80-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF9530.pdf description P-MOSFET 12A 100V 88W 0.3Ω IRF9530 IRF9530 TIRF9530
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+52.05 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF9530N Infineon description P-MOSFET 14A 100V 79W 0.2Ω IRF9530N TIRF9530n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 163 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+29.24 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF9530N-ML MOSLEADER Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 13A; 40W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF9530; IRF9530-BE3; IRF9530N; SP001570634; IRF9530N-ML MOSLEADER TIRF9530n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+21.15 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF9530NPBF IRF9530NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9530n.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 722 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+48.53 грн
11+ 34.89 грн
30+ 28.71 грн
80+ 27.11 грн
500+ 26.68 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRF9530NPBF IRF9530NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9530n.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 722 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+58.24 грн
10+ 43.48 грн
30+ 34.45 грн
80+ 32.54 грн
500+ 32.01 грн
1000+ 31.4 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies irf9530npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611b9931dc1 Description: MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 26548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.17 грн
50+ 47.55 грн
100+ 42.34 грн
500+ 31.15 грн
1000+ 28.39 грн
2000+ 26.06 грн
5000+ 23.16 грн
10000+ 21.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies infineon-irf9530n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies infineon-irf9530n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+72.49 грн
14+ 43.31 грн
100+ 36.52 грн
500+ 30.79 грн
1000+ 24.91 грн
2000+ 22.66 грн
5000+ 19.31 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies infineon-irf9530n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
445+27.52 грн
447+ 27.42 грн
500+ 27.11 грн
Мінімальне замовлення: 445
IRF9530NPBF IRF9530NPBF INFINEON INFN-S-A0012826407-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9530NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+63.17 грн
17+ 46.26 грн
100+ 35.85 грн
500+ 30.31 грн
1000+ 26.1 грн
Мінімальне замовлення: 13
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies infineon-irf9530n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies infineon-irf9530n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
675+30.46 грн
Мінімальне замовлення: 675
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies infineon-irf9530n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
263+46.55 грн
312+ 39.25 грн
500+ 34.33 грн
1000+ 28.92 грн
2000+ 25.37 грн
5000+ 20.76 грн
Мінімальне замовлення: 263
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies Infineon_IRF9530N_DataSheet_v01_01_EN-3363072.pdf MOSFETs MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC
на замовлення 48111 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.7 грн
10+ 44.14 грн
100+ 33.22 грн
500+ 28.26 грн
1000+ 25.33 грн
2000+ 24.49 грн
5000+ 23.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF9530NSPBF International Rectifier/Infineon irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3 description P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 14 A; Ptot, Вт = 3,8; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 760 @ 25; Qg, нКл = 58 @ 10 В; Rds = 200 мОм @ 8,4 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK
на замовлення 74 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
14+44.79 грн
15+ 41.81 грн
100+ 38.81 грн
Мінімальне замовлення: 14
IRF9530NSTRL Infineon P-MOSFET 100V 14A IRF9530NS, IRF9530NSTRL, IRF9530NSTRR IRF9530NS TIRF9530ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 433 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+34.94 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Infineon Technologies 652infineon-irf9530ns.pdf-ds-v01_01-en.pdffileid5546d462533600a40153.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+33.96 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Infineon Technologies 652infineon-irf9530ns.pdf-ds-v01_01-en.pdffileid5546d462533600a40153.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
151+81.53 грн
152+ 80.71 грн
212+ 57.78 грн
332+ 35.62 грн
Мінімальне замовлення: 151
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Infineon Technologies Infineon_irf9530ns_pdf_DS_v01_01_EN-1732104.pdf MOSFETs MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+109.9 грн
10+ 76.16 грн
100+ 46.47 грн
500+ 41.87 грн
800+ 32.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Infineon Technologies 652infineon-irf9530ns.pdf-ds-v01_01-en.pdffileid5546d462533600a40153.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
142+86.53 грн
150+ 81.64 грн
184+ 66.56 грн
200+ 61.13 грн
500+ 53.51 грн
800+ 36.95 грн
1600+ 33.2 грн
Мінімальне замовлення: 142
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Infineon Technologies 652infineon-irf9530ns.pdf-ds-v01_01-en.pdffileid5546d462533600a40153.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+104.16 грн
10+ 75.7 грн
25+ 74.95 грн
100+ 51.73 грн
250+ 30.62 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Infineon Technologies 652infineon-irf9530ns.pdf-ds-v01_01-en.pdffileid5546d462533600a40153.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+31.38 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0002297163-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.11 грн
10+ 81.41 грн
50+ 70.53 грн
100+ 55.32 грн
250+ 50.05 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Infineon Technologies irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3 Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.1 грн
10+ 80.9 грн
100+ 54.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Infineon Technologies 652infineon-irf9530ns.pdf-ds-v01_01-en.pdffileid5546d462533600a40153.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+97.75 грн
130+ 94.28 грн
177+ 69.31 грн
200+ 62.41 грн
500+ 42.41 грн
1600+ 40.54 грн
Мінімальне замовлення: 126
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0002297163-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+55.32 грн
250+ 50.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF9530NSTRRPBF ROCHESTER ELECTRONICS Infineon-irf9530ns.pdf-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3 Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF9530NSTRRPBF - IRF9530NS 100V SINGLE P-CHANNEL IR MOSF
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+82.98 грн
Мінімальне замовлення: 278
IRF9530PBF IRF9530PBF VISHAY irf9530.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; 88W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+50.1 грн
10+ 41.14 грн
30+ 28.35 грн
82+ 26.89 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF9530PBF Vishay Siliconix 91076.pdf P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 12 А; Ptot, Вт = 88; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 860 @ 25; Qg, нКл = 38 @ 10 В; Rds = 300 мОм @ 7,2 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
на замовлення 50 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
6+120.46 грн
10+ 112.43 грн
100+ 104.4 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF9530PBF IRF9530PBF VISHAY irf9530.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; 88W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 986 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+60.12 грн
10+ 51.27 грн
30+ 34.02 грн
82+ 32.27 грн
10000+ 31.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF9530PBF IRF9530PBF Vishay 91076.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+170.16 грн
50+ 90.73 грн
100+ 82.45 грн
500+ 65.24 грн
1000+ 56.1 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF9530PBF IRF9530PBF Vishay 91076.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
215+57.04 грн
Мінімальне замовлення: 215
IRF9530PBF IRF9530PBF Vishay Semiconductors 91076.pdf MOSFETs TO220 100V 12A P-CH MOSFET
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+130.26 грн
10+ 82.66 грн
100+ 65.52 грн
500+ 53.45 грн
1000+ 47.24 грн
25000+ 46.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9530PBF IRF9530PBF Vishay Siliconix 91076.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
на замовлення 10929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.14 грн
50+ 84.09 грн
100+ 75.6 грн
500+ 56.95 грн
1000+ 52.45 грн
2000+ 48.67 грн
5000+ 45.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF9530PBF IRF9530PBF VISHAY VISH-S-A0013276545-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF9530PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+135.42 грн
10+ 93.15 грн
100+ 78.28 грн
500+ 56.84 грн
1000+ 46.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF9530PBF IRF9530PBF Vishay 91076.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+52.97 грн
Мінімальне замовлення: 12
IRF9530PBF IRF9530PBF Vishay 91076.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+182.49 грн
126+ 97.31 грн
139+ 88.43 грн
500+ 69.97 грн
1000+ 60.17 грн
Мінімальне замовлення: 68
IRF9530PBF IRF9530PBF Vishay 91076.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
138+88.69 грн
152+ 80.7 грн
500+ 65.84 грн
750+ 56.63 грн
Мінімальне замовлення: 138
IRF9530PBF-BE3 IRF9530PBF-BE3 Vishay 91076.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+90.32 грн
142+ 86.27 грн
250+ 82.82 грн
500+ 76.97 грн
Мінімальне замовлення: 136
IRF9530PBF-BE3 IRF9530PBF-BE3 Vishay / Siliconix 91076.pdf MOSFETs TO220 100V 12A P-CH MOSFET
на замовлення 2902 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.49 грн
10+ 62.91 грн
100+ 51.43 грн
500+ 47.31 грн
1000+ 47.24 грн
10000+ 46.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9530PBF-BE3 IRF9530PBF-BE3 VISHAY 3204814.pdf Description: VISHAY - IRF9530PBF-BE3 - MOSFET, P-CH, 100V, 12A, TO-220AB
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+115.07 грн
11+ 76.71 грн
25+ 74.37 грн
50+ 66.15 грн
100+ 59.05 грн
500+ 53.01 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF9530PBF-BE3 IRF9530PBF-BE3 Vishay Siliconix 91076.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
на замовлення 3349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.66 грн
50+ 67.28 грн
100+ 60.48 грн
500+ 46.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9530S Siliconix sihf9530.pdf P-MOSFET 12A 100V 75W 0.2Ω IFR9530S smd TIRF9530s
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 144 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+37.15 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRF9530SPBF IRF9530SPBF VISHAY IRF9530S.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; 88W; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+72.8 грн
10+ 63.97 грн
20+ 42.16 грн
55+ 39.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF9530SPBF IRF9530SPBF VISHAY IRF9530S.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; 88W; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 284 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+87.36 грн
10+ 79.71 грн
20+ 50.59 грн
55+ 47.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF9530SPBF IRF9530SPBF Vishay sihf9530.pdf description Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF9530SPBF IRF9530SPBF VISHAY VISH-S-A0013329342-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: VISHAY - IRF9530SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+146.38 грн
10+ 114.29 грн
100+ 96.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF9530SPBF IRF9530SPBF Vishay Siliconix sihf9530.pdf description Description: MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.68 грн
50+ 106.88 грн
100+ 96.48 грн
500+ 73.42 грн
1000+ 67.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF9530SPBF IRF9530SPBF Vishay sihf9530.pdf description Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+230.98 грн
99+ 124.51 грн
108+ 113.55 грн
500+ 90.67 грн
1000+ 78.27 грн
Мінімальне замовлення: 53
IRF9530SPBF IRF9530SPBF Vishay sihf9530.pdf description Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+215.37 грн
50+ 116.09 грн
100+ 105.87 грн
500+ 84.54 грн
1000+ 72.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9530SPBF IRF9530SPBF Vishay Semiconductors sihf9530.pdf description MOSFETs TO263 100V 12A P-CH MOSFET
на замовлення 1136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.73 грн
10+ 118.77 грн
100+ 97 грн
1000+ 95.6 грн
2000+ 83.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9530STRLPBF IRF9530STRLPBF Vishay Semiconductors sihf9530.pdf MOSFETs TO263 100V 12A P-CH MOSFET
на замовлення 1003 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+183.99 грн
10+ 133.21 грн
100+ 88.62 грн
800+ 78.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF9530STRLPBF IRF9530STRLPBF VISHAY VISH-S-A0013329342-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF9530STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.7W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+102.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF9530STRLPBF IRF9530STRLPBF Vishay sihf9530.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF9530STRLPBF IRF9530STRLPBF Vishay sihf9530.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
99+124.34 грн
131+ 93.56 грн
138+ 88.87 грн
Мінімальне замовлення: 99
IRF9530STRLPBF IRF9530STRLPBF Vishay Siliconix sihf9530.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
на замовлення 1813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+234.75 грн
10+ 147.19 грн
100+ 102.4 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF9530STRLPBF IRF9530STRLPBF Vishay sihf9530.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+109.28 грн
10+ 100.82 грн
25+ 75.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF9530NPBF
Код товару: 32844
irf9530n.pdf
IRF9530NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 12 А
Rds(on),Om: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 500/25
Монтаж: THT
у наявності: 215 шт
171 шт - склад
14 шт - РАДІОМАГ-Київ
14 шт - РАДІОМАГ-Львів
12 шт - РАДІОМАГ-Харків
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
1+22 грн
10+ 19.8 грн
100+ 17.9 грн
IRF9530SPBF
Код товару: 192850
description IRF9530SPBF.pdf
IRF9530SPBF
Виробник: VBsemi
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Uds,V: 100 V
Id,A: 12 А
Ciss, pF/Qg, nC: 2765/67
у наявності: 77 шт
77 шт - склад
Кількість Ціна без ПДВ
1+40 грн
10+ 36 грн
IRF9530 description HRISSD80-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF9530.pdf
Виробник: Siliconix
P-MOSFET 12A 100V 88W 0.3Ω IRF9530 IRF9530 TIRF9530
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 239 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+52.05 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF9530 description HRISSD80-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF9530.pdf
Виробник: Siliconix
P-MOSFET 12A 100V 88W 0.3Ω IRF9530 IRF9530 TIRF9530
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+52.05 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF9530N description
Виробник: Infineon
P-MOSFET 14A 100V 79W 0.2Ω IRF9530N TIRF9530n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 163 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+29.24 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF9530N-ML
Виробник: MOSLEADER
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 13A; 40W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF9530; IRF9530-BE3; IRF9530N; SP001570634; IRF9530N-ML MOSLEADER TIRF9530n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+21.15 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF9530NPBF irf9530n.pdf
IRF9530NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 722 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+48.53 грн
11+ 34.89 грн
30+ 28.71 грн
80+ 27.11 грн
500+ 26.68 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRF9530NPBF irf9530n.pdf
IRF9530NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 722 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+58.24 грн
10+ 43.48 грн
30+ 34.45 грн
80+ 32.54 грн
500+ 32.01 грн
1000+ 31.4 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF9530NPBF irf9530npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611b9931dc1
IRF9530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 26548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+104.17 грн
50+ 47.55 грн
100+ 42.34 грн
500+ 31.15 грн
1000+ 28.39 грн
2000+ 26.06 грн
5000+ 23.16 грн
10000+ 21.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9530NPBF infineon-irf9530n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF9530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF9530NPBF infineon-irf9530n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF9530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+72.49 грн
14+ 43.31 грн
100+ 36.52 грн
500+ 30.79 грн
1000+ 24.91 грн
2000+ 22.66 грн
5000+ 19.31 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRF9530NPBF infineon-irf9530n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF9530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
445+27.52 грн
447+ 27.42 грн
500+ 27.11 грн
Мінімальне замовлення: 445
IRF9530NPBF INFN-S-A0012826407-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9530NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9530NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+63.17 грн
17+ 46.26 грн
100+ 35.85 грн
500+ 30.31 грн
1000+ 26.1 грн
Мінімальне замовлення: 13
IRF9530NPBF infineon-irf9530n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF9530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF9530NPBF infineon-irf9530n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF9530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
675+30.46 грн
Мінімальне замовлення: 675
IRF9530NPBF infineon-irf9530n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF9530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
263+46.55 грн
312+ 39.25 грн
500+ 34.33 грн
1000+ 28.92 грн
2000+ 25.37 грн
5000+ 20.76 грн
Мінімальне замовлення: 263
IRF9530NPBF Infineon_IRF9530N_DataSheet_v01_01_EN-3363072.pdf
IRF9530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC
на замовлення 48111 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+72.7 грн
10+ 44.14 грн
100+ 33.22 грн
500+ 28.26 грн
1000+ 25.33 грн
2000+ 24.49 грн
5000+ 23.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF9530NSPBF description irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 14 A; Ptot, Вт = 3,8; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 760 @ 25; Qg, нКл = 58 @ 10 В; Rds = 200 мОм @ 8,4 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK
на замовлення 74 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+44.79 грн
15+ 41.81 грн
100+ 38.81 грн
Мінімальне замовлення: 14
IRF9530NSTRL
Виробник: Infineon
P-MOSFET 100V 14A IRF9530NS, IRF9530NSTRL, IRF9530NSTRR IRF9530NS TIRF9530ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 433 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+34.94 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF9530NSTRLPBF 652infineon-irf9530ns.pdf-ds-v01_01-en.pdffileid5546d462533600a40153.pdf
IRF9530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+33.96 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF9530NSTRLPBF 652infineon-irf9530ns.pdf-ds-v01_01-en.pdffileid5546d462533600a40153.pdf
IRF9530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
151+81.53 грн
152+ 80.71 грн
212+ 57.78 грн
332+ 35.62 грн
Мінімальне замовлення: 151
IRF9530NSTRLPBF Infineon_irf9530ns_pdf_DS_v01_01_EN-1732104.pdf
IRF9530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+109.9 грн
10+ 76.16 грн
100+ 46.47 грн
500+ 41.87 грн
800+ 32.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9530NSTRLPBF 652infineon-irf9530ns.pdf-ds-v01_01-en.pdffileid5546d462533600a40153.pdf
IRF9530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
142+86.53 грн
150+ 81.64 грн
184+ 66.56 грн
200+ 61.13 грн
500+ 53.51 грн
800+ 36.95 грн
1600+ 33.2 грн
Мінімальне замовлення: 142
IRF9530NSTRLPBF 652infineon-irf9530ns.pdf-ds-v01_01-en.pdffileid5546d462533600a40153.pdf
IRF9530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+104.16 грн
10+ 75.7 грн
25+ 74.95 грн
100+ 51.73 грн
250+ 30.62 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF9530NSTRLPBF 652infineon-irf9530ns.pdf-ds-v01_01-en.pdffileid5546d462533600a40153.pdf
IRF9530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+31.38 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF9530NSTRLPBF INFN-S-A0002297163-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9530NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+104.11 грн
10+ 81.41 грн
50+ 70.53 грн
100+ 55.32 грн
250+ 50.05 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF9530NSTRLPBF irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3
IRF9530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+132.1 грн
10+ 80.9 грн
100+ 54.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9530NSTRLPBF 652infineon-irf9530ns.pdf-ds-v01_01-en.pdffileid5546d462533600a40153.pdf
IRF9530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
126+97.75 грн
130+ 94.28 грн
177+ 69.31 грн
200+ 62.41 грн
500+ 42.41 грн
1600+ 40.54 грн
Мінімальне замовлення: 126
IRF9530NSTRLPBF INFN-S-A0002297163-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9530NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+55.32 грн
250+ 50.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF9530NSTRRPBF Infineon-irf9530ns.pdf-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3
Виробник: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF9530NSTRRPBF - IRF9530NS 100V SINGLE P-CHANNEL IR MOSF
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
278+82.98 грн
Мінімальне замовлення: 278
IRF9530PBF irf9530.pdf
IRF9530PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; 88W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+50.1 грн
10+ 41.14 грн
30+ 28.35 грн
82+ 26.89 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF9530PBF 91076.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 12 А; Ptot, Вт = 88; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 860 @ 25; Qg, нКл = 38 @ 10 В; Rds = 300 мОм @ 7,2 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
на замовлення 50 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+120.46 грн
10+ 112.43 грн
100+ 104.4 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF9530PBF irf9530.pdf
IRF9530PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; 88W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 986 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+60.12 грн
10+ 51.27 грн
30+ 34.02 грн
82+ 32.27 грн
10000+ 31.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF9530PBF 91076.pdf
IRF9530PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+170.16 грн
50+ 90.73 грн
100+ 82.45 грн
500+ 65.24 грн
1000+ 56.1 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF9530PBF 91076.pdf
IRF9530PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
215+57.04 грн
Мінімальне замовлення: 215
IRF9530PBF 91076.pdf
IRF9530PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 100V 12A P-CH MOSFET
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+130.26 грн
10+ 82.66 грн
100+ 65.52 грн
500+ 53.45 грн
1000+ 47.24 грн
25000+ 46.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9530PBF 91076.pdf
IRF9530PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
на замовлення 10929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+178.14 грн
50+ 84.09 грн
100+ 75.6 грн
500+ 56.95 грн
1000+ 52.45 грн
2000+ 48.67 грн
5000+ 45.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF9530PBF VISH-S-A0013276545-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9530PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF9530PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+135.42 грн
10+ 93.15 грн
100+ 78.28 грн
500+ 56.84 грн
1000+ 46.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF9530PBF 91076.pdf
IRF9530PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+52.97 грн
Мінімальне замовлення: 12
IRF9530PBF 91076.pdf
IRF9530PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
68+182.49 грн
126+ 97.31 грн
139+ 88.43 грн
500+ 69.97 грн
1000+ 60.17 грн
Мінімальне замовлення: 68
IRF9530PBF 91076.pdf
IRF9530PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
138+88.69 грн
152+ 80.7 грн
500+ 65.84 грн
750+ 56.63 грн
Мінімальне замовлення: 138
IRF9530PBF-BE3 91076.pdf
IRF9530PBF-BE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
136+90.32 грн
142+ 86.27 грн
250+ 82.82 грн
500+ 76.97 грн
Мінімальне замовлення: 136
IRF9530PBF-BE3 91076.pdf
IRF9530PBF-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 100V 12A P-CH MOSFET
на замовлення 2902 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+120.49 грн
10+ 62.91 грн
100+ 51.43 грн
500+ 47.31 грн
1000+ 47.24 грн
10000+ 46.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9530PBF-BE3 3204814.pdf
IRF9530PBF-BE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF9530PBF-BE3 - MOSFET, P-CH, 100V, 12A, TO-220AB
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+115.07 грн
11+ 76.71 грн
25+ 74.37 грн
50+ 66.15 грн
100+ 59.05 грн
500+ 53.01 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF9530PBF-BE3 91076.pdf
IRF9530PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
на замовлення 3349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+142.66 грн
50+ 67.28 грн
100+ 60.48 грн
500+ 46.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9530S sihf9530.pdf
Виробник: Siliconix
P-MOSFET 12A 100V 75W 0.2Ω IFR9530S smd TIRF9530s
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 144 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+37.15 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRF9530SPBF description IRF9530S.pdf
IRF9530SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; 88W; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+72.8 грн
10+ 63.97 грн
20+ 42.16 грн
55+ 39.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF9530SPBF description IRF9530S.pdf
IRF9530SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; 88W; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 284 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+87.36 грн
10+ 79.71 грн
20+ 50.59 грн
55+ 47.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF9530SPBF description sihf9530.pdf
IRF9530SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF9530SPBF description VISH-S-A0013329342-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9530SPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF9530SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+146.38 грн
10+ 114.29 грн
100+ 96.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF9530SPBF description sihf9530.pdf
IRF9530SPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+222.68 грн
50+ 106.88 грн
100+ 96.48 грн
500+ 73.42 грн
1000+ 67.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF9530SPBF description sihf9530.pdf
IRF9530SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
53+230.98 грн
99+ 124.51 грн
108+ 113.55 грн
500+ 90.67 грн
1000+ 78.27 грн
Мінімальне замовлення: 53
IRF9530SPBF description sihf9530.pdf
IRF9530SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+215.37 грн
50+ 116.09 грн
100+ 105.87 грн
500+ 84.54 грн
1000+ 72.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9530SPBF description sihf9530.pdf
IRF9530SPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 100V 12A P-CH MOSFET
на замовлення 1136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+145.73 грн
10+ 118.77 грн
100+ 97 грн
1000+ 95.6 грн
2000+ 83.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9530STRLPBF sihf9530.pdf
IRF9530STRLPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 100V 12A P-CH MOSFET
на замовлення 1003 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+183.99 грн
10+ 133.21 грн
100+ 88.62 грн
800+ 78.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF9530STRLPBF VISH-S-A0013329342-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9530STRLPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF9530STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.7W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+102.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF9530STRLPBF sihf9530.pdf
IRF9530STRLPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF9530STRLPBF sihf9530.pdf
IRF9530STRLPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
99+124.34 грн
131+ 93.56 грн
138+ 88.87 грн
Мінімальне замовлення: 99
IRF9530STRLPBF sihf9530.pdf
IRF9530STRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
на замовлення 1813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+234.75 грн
10+ 147.19 грн
100+ 102.4 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF9530STRLPBF sihf9530.pdf
IRF9530STRLPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+109.28 грн
10+ 100.82 грн
25+ 75.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]