Результат пошуку "IRF9530" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF9530NPBF IRF9530NPBF
Код товару: 32844
Додати до обраних Обраний товар

IR irf9530n.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 12 А
Rds(on),Om: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 500/25
Монтаж: THT
у наявності: 112 шт
82 шт - склад
9 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
7 шт - РАДІОМАГ-Харків
9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+22.00 грн
10+19.80 грн
100+17.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530SPBF IRF9530SPBF
Код товару: 192850
Додати до обраних Обраний товар

VBsemi IRF9530SPBF.pdf description Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Uds,V: 100 V
Id,A: 12 А
Ciss, pF/Qg, nC: 2765/67
Монтаж: SMD
у наявності: 76 шт
56 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+40.00 грн
10+36.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530 HARRIS HRISSD80-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF9530.pdf description IRF9530
на замовлення 1667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+162.44 грн
500+146.10 грн
1000+134.86 грн
Мінімальне замовлення: 189
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530 IRF9530 Harris Corporation HRISSD80-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 3295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
182+117.38 грн
Мінімальне замовлення: 182
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530 HARRIS HRISSD80-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF9530.pdf description IRF9530
на замовлення 1583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+162.44 грн
500+146.10 грн
1000+134.86 грн
Мінімальне замовлення: 189
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530 Siliconix HRISSD80-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF9530.pdf description P-MOSFET 12A 100V 88W 0.3Ω IRF9530 IRF9530 TIRF9530
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+55.07 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530 Siliconix HRISSD80-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF9530.pdf description P-MOSFET 12A 100V 88W 0.3Ω IRF9530 IRF9530 TIRF9530
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 139 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+55.07 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530N Infineon description P-MOSFET 14A 100V 79W 0.2Ω IRF9530N TIRF9530n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 850 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+25.49 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530N-ML MOSLEADER Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 13A; 40W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF9530; IRF9530-BE3; IRF9530N; SP001570634; IRF9530N-ML MOSLEADER TIRF9530n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 65 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+21.99 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF IR irf9530npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611b9931dc1 Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-100V; Id=-14A; Pdmax=79W; Rds=0,2 Ohm
на замовлення 21 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
5+58.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF IRF9530NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E531D85A9F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf9530n.pdf?ci_sign=2c38ddd36f45d6a026a2c2caf41a7917df1e373c Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies infineon-irf9530n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 32844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
233+52.63 грн
236+52.09 грн
281+43.72 грн
500+35.25 грн
1000+29.07 грн
2000+26.12 грн
5000+23.63 грн
10000+22.96 грн
Мінімальне замовлення: 233
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies infineon-irf9530n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+30.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies infineon-irf9530n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
350+35.06 грн
437+28.12 грн
500+25.33 грн
Мінімальне замовлення: 350
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies infineon-irf9530n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+39.92 грн
50+39.52 грн
100+34.84 грн
500+29.30 грн
1000+24.74 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies Infineon_IRF9530N_DataSheet_v01_01_EN-3363072.pdf MOSFETs MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC
на замовлення 30393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.86 грн
10+50.87 грн
100+40.56 грн
500+32.76 грн
1000+29.62 грн
2000+27.32 грн
5000+25.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies irf9530npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611b9931dc1 Description: MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 15422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+81.96 грн
50+43.97 грн
100+41.86 грн
500+31.07 грн
1000+28.15 грн
2000+25.98 грн
5000+23.08 грн
10000+21.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies infineon-irf9530n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+33.19 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF IRF9530NPBF INFINEON INFN-S-A0012826407-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9530NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+69.88 грн
17+52.54 грн
100+45.67 грн
500+35.79 грн
1000+29.80 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies infineon-irf9530n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
286+42.99 грн
289+42.56 грн
327+37.52 грн
500+31.55 грн
1000+26.64 грн
Мінімальне замовлення: 286
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies infineon-irf9530n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 32858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+48.54 грн
50+48.04 грн
100+40.32 грн
500+32.51 грн
1000+26.81 грн
2000+24.09 грн
5000+21.79 грн
10000+21.18 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRL Infineon P-MOSFET 100V 14A IRF9530NS, IRF9530NSTRL, IRF9530NSTRR IRF9530NS TIRF9530ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 353 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+36.98 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0002297163-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+128.78 грн
10+91.00 грн
50+77.95 грн
100+60.27 грн
250+54.53 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Infineon Technologies irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3 Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+38.84 грн
1600+36.36 грн
2400+35.32 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Infineon Technologies 652infineon-irf9530ns.pdf-ds-v01_01-en.pdffileid5546d462533600a40153.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+122.60 грн
142+86.64 грн
200+78.87 грн
500+59.98 грн
800+51.89 грн
1600+38.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0002297163-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+60.27 грн
250+54.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Infineon Technologies 652infineon-irf9530ns.pdf-ds-v01_01-en.pdffileid5546d462533600a40153.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 28800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+40.87 грн
2400+38.26 грн
4800+33.02 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Infineon Technologies irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3 Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 3249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.21 грн
10+80.60 грн
100+54.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Infineon Technologies 652infineon-irf9530ns.pdf-ds-v01_01-en.pdffileid5546d462533600a40153.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 28800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+37.70 грн
2400+35.29 грн
4800+30.46 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Infineon Technologies 652infineon-irf9530ns.pdf-ds-v01_01-en.pdffileid5546d462533600a40153.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+122.60 грн
142+86.64 грн
200+78.87 грн
500+59.98 грн
800+51.89 грн
1600+38.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Infineon Technologies Infineon_irf9530ns_pdf_DS_v01_01_EN-1732104.pdf MOSFETs MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC
на замовлення 3512 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+133.93 грн
10+93.29 грн
100+54.64 грн
500+37.58 грн
800+35.51 грн
2400+33.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRRPBF IRF9530NSTRRPBF Infineon Technologies irf9530ns.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
246+124.64 грн
500+112.38 грн
1000+103.19 грн
Мінімальне замовлення: 246
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530PBF IRF9530PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A7F14AFF74B7474A&compId=irf9530.pdf?ci_sign=2ba2e3117e35c8bd9c7be2bbf5da5b781477414f Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530PBF IRF9530PBF Vishay doc91076.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 10350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
165+74.71 грн
Мінімальне замовлення: 165
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530PBF IRF9530PBF VISHAY VISH-S-A0013276545-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF9530PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.38 грн
10+126.20 грн
100+84.48 грн
500+60.91 грн
1000+54.01 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530PBF IRF9530PBF Vishay Semiconductors 91076.pdf MOSFETs TO220 100V 12A P-CH MOSFET
на замовлення 3838 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.18 грн
10+83.17 грн
100+67.35 грн
500+54.80 грн
1000+51.12 грн
2000+50.59 грн
5000+47.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530PBF IRF9530PBF Vishay Siliconix 91076.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
на замовлення 6435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.18 грн
50+71.29 грн
100+69.20 грн
500+51.98 грн
1000+50.56 грн
2000+49.35 грн
5000+46.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530PBF-BE3 IRF9530PBF-BE3 Vishay Siliconix 91076.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
на замовлення 3332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.91 грн
50+56.06 грн
100+55.38 грн
500+49.28 грн
1000+47.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530PBF-BE3 IRF9530PBF-BE3 Vishay doc91076.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+90.53 грн
142+86.48 грн
250+83.02 грн
500+77.16 грн
Мінімальне замовлення: 136
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530PBF-BE3 IRF9530PBF-BE3 Vishay / Siliconix 91076.pdf MOSFETs TO220 100V 12A P-CH MOSFET
на замовлення 1592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.04 грн
10+64.86 грн
100+55.72 грн
500+51.66 грн
1000+47.60 грн
2000+43.93 грн
5000+43.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530PBF-BE3 IRF9530PBF-BE3 VISHAY 3204814.pdf Description: VISHAY - IRF9530PBF-BE3 - MOSFET, P-CH, 100V, 12A, TO-220AB
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+155.39 грн
10+117.62 грн
25+74.78 грн
50+65.61 грн
100+57.18 грн
500+53.87 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530S Siliconix sihf9530.pdf P-MOSFET 12A 100V 75W 0.2Ω IFR9530S smd TIRF9530s
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 144 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+39.31 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530SPBF IRF9530SPBF Vishay sihf9530.pdf description Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
138+89.13 грн
139+88.66 грн
145+84.92 грн
500+73.26 грн
Мінімальне замовлення: 138
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530SPBF IRF9530SPBF Vishay Semiconductors sihf9530.pdf description MOSFETs TO263 100V 12A P-CH MOSFET
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+189.29 грн
10+128.50 грн
100+101.02 грн
500+85.72 грн
1000+79.59 грн
2000+73.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530SPBF IRF9530SPBF Vishay sihf9530.pdf description Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+82.21 грн
50+81.78 грн
100+78.33 грн
500+67.56 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530SPBF IRF9530SPBF Vishay sihf9530.pdf description Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530SPBF IRF9530SPBF VISHAY VISH-S-A0013329342-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: VISHAY - IRF9530SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+189.74 грн
10+155.39 грн
100+120.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530SPBF IRF9530SPBF Vishay Siliconix sihf9530.pdf description Description: MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.23 грн
50+110.41 грн
100+103.83 грн
500+79.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530STRLPBF IRF9530STRLPBF Vishay sihf9530.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+117.97 грн
10+75.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530STRLPBF IRF9530STRLPBF VISHAY VISH-S-A0013329342-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF9530STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.7W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+212.06 грн
10+154.54 грн
100+118.48 грн
500+86.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530STRLPBF IRF9530STRLPBF Vishay sihf9530.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530STRLPBF IRF9530STRLPBF Vishay Siliconix sihf9530.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.48 грн
10+134.57 грн
100+103.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530STRLPBF IRF9530STRLPBF Vishay Siliconix sihf9530.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+77.68 грн
1600+74.09 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530STRLPBF IRF9530STRLPBF VISHAY VISH-S-A0013329342-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF9530STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.7W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+118.48 грн
500+86.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530STRLPBF IRF9530STRLPBF Vishay Semiconductors sihf9530.pdf MOSFETs TO263 100V 12A P-CH MOSFET
на замовлення 1836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+187.50 грн
10+138.18 грн
100+101.79 грн
500+75.77 грн
800+70.94 грн
2400+68.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NLPBF IR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF 50K
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF/IR IR 08+;
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NS IR Infineon-irf9530ns.pdf-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3 TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSPBF International Rectifier/Infineon irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3 description P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 14 A; Ptot, Вт = 3,8; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 760 @ 25; Qg, нКл = 58 @ 10 В; Rds = 200 мОм @ 8,4 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK
на замовлення 74 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF
Код товару: 32844
Додати до обраних Обраний товар

irf9530n.pdf
IRF9530NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 12 А
Rds(on),Om: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 500/25
Монтаж: THT
у наявності: 112 шт
82 шт - склад
9 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
7 шт - РАДІОМАГ-Харків
9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+22.00 грн
10+19.80 грн
100+17.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530SPBF
Код товару: 192850
Додати до обраних Обраний товар

description IRF9530SPBF.pdf
IRF9530SPBF
Виробник: VBsemi
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Uds,V: 100 V
Id,A: 12 А
Ciss, pF/Qg, nC: 2765/67
Монтаж: SMD
у наявності: 76 шт
56 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+40.00 грн
10+36.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530 description HRISSD80-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF9530.pdf
Виробник: HARRIS
IRF9530
на замовлення 1667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
189+162.44 грн
500+146.10 грн
1000+134.86 грн
Мінімальне замовлення: 189
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530 description HRISSD80-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF9530
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 3295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
182+117.38 грн
Мінімальне замовлення: 182
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530 description HRISSD80-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF9530.pdf
Виробник: HARRIS
IRF9530
на замовлення 1583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
189+162.44 грн
500+146.10 грн
1000+134.86 грн
Мінімальне замовлення: 189
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530 description HRISSD80-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF9530.pdf
Виробник: Siliconix
P-MOSFET 12A 100V 88W 0.3Ω IRF9530 IRF9530 TIRF9530
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+55.07 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530 description HRISSD80-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF9530.pdf
Виробник: Siliconix
P-MOSFET 12A 100V 88W 0.3Ω IRF9530 IRF9530 TIRF9530
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 139 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+55.07 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530N description
Виробник: Infineon
P-MOSFET 14A 100V 79W 0.2Ω IRF9530N TIRF9530n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 850 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+25.49 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530N-ML
Виробник: MOSLEADER
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 13A; 40W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF9530; IRF9530-BE3; IRF9530N; SP001570634; IRF9530N-ML MOSLEADER TIRF9530n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 65 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+21.99 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF irf9530npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611b9931dc1
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-100V; Id=-14A; Pdmax=79W; Rds=0,2 Ohm
на замовлення 21 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
5+58.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E531D85A9F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf9530n.pdf?ci_sign=2c38ddd36f45d6a026a2c2caf41a7917df1e373c
IRF9530NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF infineon-irf9530n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF9530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 32844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
233+52.63 грн
236+52.09 грн
281+43.72 грн
500+35.25 грн
1000+29.07 грн
2000+26.12 грн
5000+23.63 грн
10000+22.96 грн
Мінімальне замовлення: 233
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF infineon-irf9530n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF9530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+30.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF infineon-irf9530n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF9530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
350+35.06 грн
437+28.12 грн
500+25.33 грн
Мінімальне замовлення: 350
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF infineon-irf9530n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF9530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+39.92 грн
50+39.52 грн
100+34.84 грн
500+29.30 грн
1000+24.74 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF Infineon_IRF9530N_DataSheet_v01_01_EN-3363072.pdf
IRF9530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC
на замовлення 30393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.86 грн
10+50.87 грн
100+40.56 грн
500+32.76 грн
1000+29.62 грн
2000+27.32 грн
5000+25.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF irf9530npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611b9931dc1
IRF9530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 15422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+81.96 грн
50+43.97 грн
100+41.86 грн
500+31.07 грн
1000+28.15 грн
2000+25.98 грн
5000+23.08 грн
10000+21.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF infineon-irf9530n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF9530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+33.19 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF INFN-S-A0012826407-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9530NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9530NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+69.88 грн
17+52.54 грн
100+45.67 грн
500+35.79 грн
1000+29.80 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF infineon-irf9530n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF9530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
286+42.99 грн
289+42.56 грн
327+37.52 грн
500+31.55 грн
1000+26.64 грн
Мінімальне замовлення: 286
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF infineon-irf9530n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF9530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 32858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+48.54 грн
50+48.04 грн
100+40.32 грн
500+32.51 грн
1000+26.81 грн
2000+24.09 грн
5000+21.79 грн
10000+21.18 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRL
Виробник: Infineon
P-MOSFET 100V 14A IRF9530NS, IRF9530NSTRL, IRF9530NSTRR IRF9530NS TIRF9530ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 353 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+36.98 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF INFN-S-A0002297163-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9530NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+128.78 грн
10+91.00 грн
50+77.95 грн
100+60.27 грн
250+54.53 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3
IRF9530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+38.84 грн
1600+36.36 грн
2400+35.32 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF 652infineon-irf9530ns.pdf-ds-v01_01-en.pdffileid5546d462533600a40153.pdf
IRF9530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+122.60 грн
142+86.64 грн
200+78.87 грн
500+59.98 грн
800+51.89 грн
1600+38.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF INFN-S-A0002297163-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9530NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+60.27 грн
250+54.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF 652infineon-irf9530ns.pdf-ds-v01_01-en.pdffileid5546d462533600a40153.pdf
IRF9530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 28800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+40.87 грн
2400+38.26 грн
4800+33.02 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3
IRF9530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 3249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.21 грн
10+80.60 грн
100+54.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF 652infineon-irf9530ns.pdf-ds-v01_01-en.pdffileid5546d462533600a40153.pdf
IRF9530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 28800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+37.70 грн
2400+35.29 грн
4800+30.46 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF 652infineon-irf9530ns.pdf-ds-v01_01-en.pdffileid5546d462533600a40153.pdf
IRF9530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+122.60 грн
142+86.64 грн
200+78.87 грн
500+59.98 грн
800+51.89 грн
1600+38.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF Infineon_irf9530ns_pdf_DS_v01_01_EN-1732104.pdf
IRF9530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC
на замовлення 3512 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.93 грн
10+93.29 грн
100+54.64 грн
500+37.58 грн
800+35.51 грн
2400+33.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRRPBF irf9530ns.pdf
IRF9530NSTRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
246+124.64 грн
500+112.38 грн
1000+103.19 грн
Мінімальне замовлення: 246
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A7F14AFF74B7474A&compId=irf9530.pdf?ci_sign=2ba2e3117e35c8bd9c7be2bbf5da5b781477414f
IRF9530PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530PBF doc91076.pdf
IRF9530PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 10350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
165+74.71 грн
Мінімальне замовлення: 165
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530PBF VISH-S-A0013276545-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9530PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF9530PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+149.38 грн
10+126.20 грн
100+84.48 грн
500+60.91 грн
1000+54.01 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530PBF 91076.pdf
IRF9530PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 100V 12A P-CH MOSFET
на замовлення 3838 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.18 грн
10+83.17 грн
100+67.35 грн
500+54.80 грн
1000+51.12 грн
2000+50.59 грн
5000+47.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530PBF 91076.pdf
IRF9530PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
на замовлення 6435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.18 грн
50+71.29 грн
100+69.20 грн
500+51.98 грн
1000+50.56 грн
2000+49.35 грн
5000+46.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530PBF-BE3 91076.pdf
IRF9530PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
на замовлення 3332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.91 грн
50+56.06 грн
100+55.38 грн
500+49.28 грн
1000+47.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530PBF-BE3 doc91076.pdf
IRF9530PBF-BE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
136+90.53 грн
142+86.48 грн
250+83.02 грн
500+77.16 грн
Мінімальне замовлення: 136
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530PBF-BE3 91076.pdf
IRF9530PBF-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 100V 12A P-CH MOSFET
на замовлення 1592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+158.04 грн
10+64.86 грн
100+55.72 грн
500+51.66 грн
1000+47.60 грн
2000+43.93 грн
5000+43.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530PBF-BE3 3204814.pdf
IRF9530PBF-BE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF9530PBF-BE3 - MOSFET, P-CH, 100V, 12A, TO-220AB
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+155.39 грн
10+117.62 грн
25+74.78 грн
50+65.61 грн
100+57.18 грн
500+53.87 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530S sihf9530.pdf
Виробник: Siliconix
P-MOSFET 12A 100V 75W 0.2Ω IFR9530S smd TIRF9530s
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 144 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+39.31 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530SPBF description sihf9530.pdf
IRF9530SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
138+89.13 грн
139+88.66 грн
145+84.92 грн
500+73.26 грн
Мінімальне замовлення: 138
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530SPBF description sihf9530.pdf
IRF9530SPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 100V 12A P-CH MOSFET
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+189.29 грн
10+128.50 грн
100+101.02 грн
500+85.72 грн
1000+79.59 грн
2000+73.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530SPBF description sihf9530.pdf
IRF9530SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+82.21 грн
50+81.78 грн
100+78.33 грн
500+67.56 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530SPBF description sihf9530.pdf
IRF9530SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530SPBF description VISH-S-A0013329342-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9530SPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF9530SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+189.74 грн
10+155.39 грн
100+120.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530SPBF description sihf9530.pdf
IRF9530SPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+167.23 грн
50+110.41 грн
100+103.83 грн
500+79.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530STRLPBF sihf9530.pdf
IRF9530STRLPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+117.97 грн
10+75.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530STRLPBF VISH-S-A0013329342-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9530STRLPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF9530STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.7W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+212.06 грн
10+154.54 грн
100+118.48 грн
500+86.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530STRLPBF sihf9530.pdf
IRF9530STRLPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530STRLPBF sihf9530.pdf
IRF9530STRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+180.48 грн
10+134.57 грн
100+103.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530STRLPBF sihf9530.pdf
IRF9530STRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+77.68 грн
1600+74.09 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530STRLPBF VISH-S-A0013329342-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9530STRLPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF9530STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.7W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+118.48 грн
500+86.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530STRLPBF sihf9530.pdf
IRF9530STRLPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 100V 12A P-CH MOSFET
на замовлення 1836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+187.50 грн
10+138.18 грн
100+101.79 грн
500+75.77 грн
800+70.94 грн
2400+68.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NLPBF
Виробник: IR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF 50K
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF/IR
Виробник: IR
08+;
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NS Infineon-irf9530ns.pdf-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3
Виробник: IR
TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSPBF description irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 14 A; Ptot, Вт = 3,8; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 760 @ 25; Qg, нКл = 58 @ 10 В; Rds = 200 мОм @ 8,4 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK
на замовлення 74 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]