Результат пошуку "IRF9530" : 29
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF9530NPBF Код товару: 32844
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові P-канальніКорпус: TO-220 Uds,V: 100 V Id,A: 12 А Rds(on),Om: 0,3 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 500/25 Монтаж: THT |
у наявності: 276 шт
243 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ 18 шт - РАДІОМАГ-Львів 3 шт - РАДІОМАГ-Харків |
|
||||||||||||||
|
IRF9530SPBF Код товару: 192850
Додати до обраних
Обраний товар
|
VBsemi |
Транзистори > Польові P-канальніКорпус: D2Pak Uds,V: 100 V Id,A: 12 А Ciss, pF/Qg, nC: 2765/67 Монтаж: SMD |
у наявності: 76 шт
36 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ 20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||
| IRF9530 | Siliconix |
P-MOSFET 12A 100V 88W 0.3Ω IRF9530 IRF9530 TIRF9530кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 139 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRF9530 | Siliconix |
P-MOSFET 12A 100V 88W 0.3Ω IRF9530 IRF9530 TIRF9530кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 250 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRF9530N | Infineon |
P-MOSFET 14A 100V 79W 0.2Ω IRF9530N TIRF9530nкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 450 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRF9530N-ML | MOSLEADER |
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 13A; 40W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF9530; IRF9530-BE3; IRF9530N; SP001570634; IRF9530N-ML MOSLEADER TIRF9530n MOS кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 55 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRF9530NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -14A Power dissipation: 79W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Gate charge: 38.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2208 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRF9530NSTRL | Infineon |
P-MOSFET 100V 14A IRF9530NS, IRF9530NSTRL, IRF9530NSTRR IRF9530NS TIRF9530ns кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 353 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRF9530PBF | VISHAY |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -8.2A Pulsed drain current: -48A Power dissipation: 88W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF9530S | Siliconix |
P-MOSFET 12A 100V 75W 0.2Ω IFR9530S smd TIRF9530sкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 144 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRF9530SPBF | VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -8.2A Pulsed drain current: -48A Power dissipation: 88W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 592 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRF9530NLPBF | IR |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF9530NPBF 50K |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF9530NPBF/IR | IR | 08+; |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF9530NS | IR |
TO-263 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF9530NSPBF | International Rectifier/Infineon |
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 14 A; Ptot, Вт = 3,8; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 760 @ 25; Qg, нКл = 58 @ 10 В; Rds = 200 мОм @ 8,4 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK |
на замовлення 74 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF9530PBF | Vishay Siliconix |
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 12 А; Ptot, Вт = 88; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 860 @ 25; Qg, нКл = 38 @ 10 В; Rds = 300 мОм @ 7,2 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB |
на замовлення 50 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| Транзистор IRF9530NPBF | IR | Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-100V; Id=-14A; Pdmax=79W; Rds=0,2 Ohm |
на замовлення 7 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRF9530 Код товару: 78154
Додати до обраних
Обраний товар
|
Vishay |
Транзистори > Польові P-канальніКорпус: TO-220 Uds,V: 100 V Id,A: 48 A Rds(on),Om: 0,3 Ohm Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||
|
IRF9530N Код товару: 7932
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові P-канальніКорпус: TO-220 Uds,V: 100 V Id,A: 12 A Rds(on),Om: 0,2 Ohm Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRF9530NS Код товару: 58984
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові P-канальні |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
IRF9530NSPBF Код товару: 154938
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF9530PBF Код товару: 215123
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові P-канальні |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF9530SPBF Код товару: 35683
Додати до обраних
Обраний товар
|
Siliconix |
Транзистори > Польові P-канальніКорпус: D2Pak Uds,V: 100 V Id,A: 12 А Rds(on),Om: 0,3 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 860/38 Монтаж: SMD |
товару немає в наявності
|
|
| IRF9530NPBF Код товару: 32844
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 12 А
Rds(on),Om: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 500/25
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 12 А
Rds(on),Om: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 500/25
Монтаж: THT
у наявності: 276 шт
243 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
18 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
18 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 22.00 грн |
| 10+ | 19.80 грн |
| 100+ | 17.90 грн |
| IRF9530SPBF Код товару: 192850
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: VBsemi
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Uds,V: 100 V
Id,A: 12 А
Ciss, pF/Qg, nC: 2765/67
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Uds,V: 100 V
Id,A: 12 А
Ciss, pF/Qg, nC: 2765/67
Монтаж: SMD
у наявності: 76 шт
36 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 40.00 грн |
| 10+ | 36.00 грн |
| IRF9530 | ![]() |
![]() |
Виробник: Siliconix
P-MOSFET 12A 100V 88W 0.3Ω IRF9530 IRF9530 TIRF9530
кількість в упаковці: 50 шт
P-MOSFET 12A 100V 88W 0.3Ω IRF9530 IRF9530 TIRF9530
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 139 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 55.73 грн |
| IRF9530 | ![]() |
![]() |
Виробник: Siliconix
P-MOSFET 12A 100V 88W 0.3Ω IRF9530 IRF9530 TIRF9530
кількість в упаковці: 50 шт
P-MOSFET 12A 100V 88W 0.3Ω IRF9530 IRF9530 TIRF9530
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 55.73 грн |
| IRF9530N | ![]() |
на замовлення 450 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 27.17 грн |
| IRF9530N-ML |
Виробник: MOSLEADER
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 13A; 40W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF9530; IRF9530-BE3; IRF9530N; SP001570634; IRF9530N-ML MOSLEADER TIRF9530n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 13A; 40W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF9530; IRF9530-BE3; IRF9530N; SP001570634; IRF9530N-ML MOSLEADER TIRF9530n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 22.25 грн |
| IRF9530NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2208 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 83.41 грн |
| 10+ | 51.78 грн |
| 25+ | 45.89 грн |
| 50+ | 42.98 грн |
| 100+ | 40.18 грн |
| 250+ | 36.69 грн |
| 500+ | 34.85 грн |
| IRF9530NSTRL |
Виробник: Infineon
P-MOSFET 100V 14A IRF9530NS, IRF9530NSTRL, IRF9530NSTRR IRF9530NS TIRF9530ns
кількість в упаковці: 10 шт
P-MOSFET 100V 14A IRF9530NS, IRF9530NSTRL, IRF9530NSTRR IRF9530NS TIRF9530ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 353 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 37.42 грн |
| IRF9530PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF9530S |
![]() |
на замовлення 144 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 39.78 грн |
| IRF9530SPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 592 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 127.20 грн |
| 10+ | 66.35 грн |
| 25+ | 55.38 грн |
| 50+ | 53.63 грн |
| 100+ | 50.25 грн |
| 250+ | 48.60 грн |
| 500+ | 46.86 грн |
| IRF9530NLPBF |
Виробник: IR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF9530NPBF/IR |
Виробник: IR
08+;
08+;
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF9530NS |
![]() |
Виробник: IR
TO-263
TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF9530NSPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 14 A; Ptot, Вт = 3,8; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 760 @ 25; Qg, нКл = 58 @ 10 В; Rds = 200 мОм @ 8,4 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 14 A; Ptot, Вт = 3,8; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 760 @ 25; Qg, нКл = 58 @ 10 В; Rds = 200 мОм @ 8,4 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK
на замовлення 74 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF9530PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 12 А; Ptot, Вт = 88; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 860 @ 25; Qg, нКл = 38 @ 10 В; Rds = 300 мОм @ 7,2 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 12 А; Ptot, Вт = 88; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 860 @ 25; Qg, нКл = 38 @ 10 В; Rds = 300 мОм @ 7,2 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
на замовлення 50 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| Транзистор IRF9530NPBF |
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-100V; Id=-14A; Pdmax=79W; Rds=0,2 Ohm
Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-100V; Id=-14A; Pdmax=79W; Rds=0,2 Ohm
на замовлення 7 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 59.08 грн |
| IRF9530 Код товару: 78154
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: Vishay
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 48 A
Rds(on),Om: 0,3 Ohm
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 48 A
Rds(on),Om: 0,3 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 40.00 грн |
| 10+ | 23.10 грн |
| IRF9530N Код товару: 7932
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 12 A
Rds(on),Om: 0,2 Ohm
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 12 A
Rds(on),Om: 0,2 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF9530NS Код товару: 58984
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF9530NSPBF Код товару: 154938
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF9530PBF Код товару: 215123
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF9530SPBF Код товару: 35683
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Uds,V: 100 V
Id,A: 12 А
Rds(on),Om: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 860/38
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Uds,V: 100 V
Id,A: 12 А
Rds(on),Om: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 860/38
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 49.50 грн |
| 10+ | 43.90 грн |






