Результат пошуку "IRF9530" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 445
Мінімальне замовлення: 13
Мінімальне замовлення: 675
Мінімальне замовлення: 263
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 14
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 151
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 142
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 126
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 278
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 215
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 12
Мінімальне замовлення: 68
Мінімальне замовлення: 138
Мінімальне замовлення: 136
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 53
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 99
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 6
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF9530NPBF Код товару: 32844 |
IR |
Транзистори > Польові P-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 100 V Id,A: 12 А Rds(on),Om: 0,3 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 500/25 Монтаж: THT |
у наявності: 215 шт
171 шт - склад
14 шт - РАДІОМАГ-Київ 14 шт - РАДІОМАГ-Львів 12 шт - РАДІОМАГ-Харків 4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
|||||||||||||||||
IRF9530SPBF Код товару: 192850 |
VBsemi |
Транзистори > Польові P-канальні Корпус: D2Pak Uds,V: 100 V Id,A: 12 А Ciss, pF/Qg, nC: 2765/67 |
у наявності: 77 шт
77 шт - склад
|
|
|||||||||||||||||
IRF9530 | Siliconix |
P-MOSFET 12A 100V 88W 0.3Ω IRF9530 IRF9530 TIRF9530 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 239 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9530 | Siliconix |
P-MOSFET 12A 100V 88W 0.3Ω IRF9530 IRF9530 TIRF9530 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 250 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9530N | Infineon |
P-MOSFET 14A 100V 79W 0.2Ω IRF9530N TIRF9530n кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 163 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9530N-ML | MOSLEADER |
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 13A; 40W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF9530; IRF9530-BE3; IRF9530N; SP001570634; IRF9530N-ML MOSLEADER TIRF9530n MOS кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9530NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -14A Power dissipation: 79W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Gate charge: 38.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 722 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9530NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -14A Power dissipation: 79W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Gate charge: 38.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 722 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9530NPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V |
на замовлення 26548 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9530NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRF9530NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 12099 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9530NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9530NPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9530NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1021 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9530NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRF9530NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9530NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 12096 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9530NPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC |
на замовлення 48111 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9530NSPBF | International Rectifier/Infineon | P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 14 A; Ptot, Вт = 3,8; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 760 @ 25; Qg, нКл = 58 @ 10 В; Rds = 200 мОм @ 8,4 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK |
на замовлення 74 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9530NSTRL | Infineon |
P-MOSFET 100V 14A IRF9530NS, IRF9530NSTRL, IRF9530NSTRR IRF9530NS TIRF9530ns кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 433 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9530NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9530NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9530NSTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC |
на замовлення 435 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9530NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9530NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9530NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9530NSTRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9530NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V |
на замовлення 232 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9530NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9530NSTRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9530NSTRRPBF | ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF9530NSTRRPBF - IRF9530NS 100V SINGLE P-CHANNEL IR MOSF tariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 5600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9530PBF | VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; 88W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -8.2A Power dissipation: 88W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 986 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9530PBF | Vishay Siliconix | P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 12 А; Ptot, Вт = 88; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 860 @ 25; Qg, нКл = 38 @ 10 В; Rds = 300 мОм @ 7,2 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB |
на замовлення 50 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9530PBF | VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; 88W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -8.2A Power dissipation: 88W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 986 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9530PBF | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1608 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9530PBF | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9530PBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO220 100V 12A P-CH MOSFET |
на замовлення 2695 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9530PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V |
на замовлення 10929 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9530PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRF9530PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 88W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 1592 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9530PBF | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9530PBF | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1602 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9530PBF | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9530PBF-BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 713 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9530PBF-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs TO220 100V 12A P-CH MOSFET |
на замовлення 2902 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9530PBF-BE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - IRF9530PBF-BE3 - MOSFET, P-CH, 100V, 12A, TO-220AB tariffCode: 0 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 88W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: P Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
на замовлення 713 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9530PBF-BE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V |
на замовлення 3349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9530S | Siliconix |
P-MOSFET 12A 100V 75W 0.2Ω IFR9530S smd TIRF9530s кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 144 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9530SPBF | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; 88W; D2PAK,TO263 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -8.2A Power dissipation: 88W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 284 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9530SPBF | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; 88W; D2PAK,TO263 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -8.2A Power dissipation: 88W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 284 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9530SPBF | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRF9530SPBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRF9530SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 88W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9530SPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V |
на замовлення 1018 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9530SPBF | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9530SPBF | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1569 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9530SPBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO263 100V 12A P-CH MOSFET |
на замовлення 1136 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9530STRLPBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO263 100V 12A P-CH MOSFET |
на замовлення 1003 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9530STRLPBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRF9530STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.7W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm |
на замовлення 371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9530STRLPBF | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRF9530STRLPBF | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9530STRLPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V |
на замовлення 1813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9530STRLPBF | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
IRF9530NPBF Код товару: 32844 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 12 А
Rds(on),Om: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 500/25
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 12 А
Rds(on),Om: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 500/25
Монтаж: THT
у наявності: 215 шт
171 шт - склад
14 шт - РАДІОМАГ-Київ
14 шт - РАДІОМАГ-Львів
12 шт - РАДІОМАГ-Харків
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
14 шт - РАДІОМАГ-Київ
14 шт - РАДІОМАГ-Львів
12 шт - РАДІОМАГ-Харків
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 22 грн |
10+ | 19.8 грн |
100+ | 17.9 грн |
IRF9530SPBF Код товару: 192850 |
Виробник: VBsemi
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Uds,V: 100 V
Id,A: 12 А
Ciss, pF/Qg, nC: 2765/67
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Uds,V: 100 V
Id,A: 12 А
Ciss, pF/Qg, nC: 2765/67
у наявності: 77 шт
77 шт - склад
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 40 грн |
10+ | 36 грн |
IRF9530 |
Виробник: Siliconix
P-MOSFET 12A 100V 88W 0.3Ω IRF9530 IRF9530 TIRF9530
кількість в упаковці: 50 шт
P-MOSFET 12A 100V 88W 0.3Ω IRF9530 IRF9530 TIRF9530
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 239 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 52.05 грн |
IRF9530 |
Виробник: Siliconix
P-MOSFET 12A 100V 88W 0.3Ω IRF9530 IRF9530 TIRF9530
кількість в упаковці: 50 шт
P-MOSFET 12A 100V 88W 0.3Ω IRF9530 IRF9530 TIRF9530
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 52.05 грн |
IRF9530N |
на замовлення 163 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 29.24 грн |
IRF9530N-ML |
Виробник: MOSLEADER
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 13A; 40W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF9530; IRF9530-BE3; IRF9530N; SP001570634; IRF9530N-ML MOSLEADER TIRF9530n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 13A; 40W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF9530; IRF9530-BE3; IRF9530N; SP001570634; IRF9530N-ML MOSLEADER TIRF9530n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 21.15 грн |
IRF9530NPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 722 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 48.53 грн |
11+ | 34.89 грн |
30+ | 28.71 грн |
80+ | 27.11 грн |
500+ | 26.68 грн |
IRF9530NPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 722 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 58.24 грн |
10+ | 43.48 грн |
30+ | 34.45 грн |
80+ | 32.54 грн |
500+ | 32.01 грн |
1000+ | 31.4 грн |
IRF9530NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 26548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 104.17 грн |
50+ | 47.55 грн |
100+ | 42.34 грн |
500+ | 31.15 грн |
1000+ | 28.39 грн |
2000+ | 26.06 грн |
5000+ | 23.16 грн |
10000+ | 21.83 грн |
IRF9530NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)IRF9530NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 72.49 грн |
14+ | 43.31 грн |
100+ | 36.52 грн |
500+ | 30.79 грн |
1000+ | 24.91 грн |
2000+ | 22.66 грн |
5000+ | 19.31 грн |
IRF9530NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
445+ | 27.52 грн |
447+ | 27.42 грн |
500+ | 27.11 грн |
IRF9530NPBF |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9530NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRF9530NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 63.17 грн |
17+ | 46.26 грн |
100+ | 35.85 грн |
500+ | 30.31 грн |
1000+ | 26.1 грн |
IRF9530NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)IRF9530NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
675+ | 30.46 грн |
IRF9530NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
263+ | 46.55 грн |
312+ | 39.25 грн |
500+ | 34.33 грн |
1000+ | 28.92 грн |
2000+ | 25.37 грн |
5000+ | 20.76 грн |
IRF9530NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC
MOSFETs MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC
на замовлення 48111 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 72.7 грн |
10+ | 44.14 грн |
100+ | 33.22 грн |
500+ | 28.26 грн |
1000+ | 25.33 грн |
2000+ | 24.49 грн |
5000+ | 23.59 грн |
IRF9530NSPBF |
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 14 A; Ptot, Вт = 3,8; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 760 @ 25; Qg, нКл = 58 @ 10 В; Rds = 200 мОм @ 8,4 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 14 A; Ptot, Вт = 3,8; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 760 @ 25; Qg, нКл = 58 @ 10 В; Rds = 200 мОм @ 8,4 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK
на замовлення 74 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 44.79 грн |
15+ | 41.81 грн |
100+ | 38.81 грн |
IRF9530NSTRL |
Виробник: Infineon
P-MOSFET 100V 14A IRF9530NS, IRF9530NSTRL, IRF9530NSTRR IRF9530NS TIRF9530ns
кількість в упаковці: 10 шт
P-MOSFET 100V 14A IRF9530NS, IRF9530NSTRL, IRF9530NSTRR IRF9530NS TIRF9530ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 433 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 34.94 грн |
IRF9530NSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 33.96 грн |
IRF9530NSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
151+ | 81.53 грн |
152+ | 80.71 грн |
212+ | 57.78 грн |
332+ | 35.62 грн |
IRF9530NSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC
MOSFETs MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 109.9 грн |
10+ | 76.16 грн |
100+ | 46.47 грн |
500+ | 41.87 грн |
800+ | 32.59 грн |
IRF9530NSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
142+ | 86.53 грн |
150+ | 81.64 грн |
184+ | 66.56 грн |
200+ | 61.13 грн |
500+ | 53.51 грн |
800+ | 36.95 грн |
1600+ | 33.2 грн |
IRF9530NSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 104.16 грн |
10+ | 75.7 грн |
25+ | 74.95 грн |
100+ | 51.73 грн |
250+ | 30.62 грн |
IRF9530NSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 31.38 грн |
IRF9530NSTRLPBF |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRF9530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 104.11 грн |
10+ | 81.41 грн |
50+ | 70.53 грн |
100+ | 55.32 грн |
250+ | 50.05 грн |
IRF9530NSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 132.1 грн |
10+ | 80.9 грн |
100+ | 54.43 грн |
IRF9530NSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
126+ | 97.75 грн |
130+ | 94.28 грн |
177+ | 69.31 грн |
200+ | 62.41 грн |
500+ | 42.41 грн |
1600+ | 40.54 грн |
IRF9530NSTRLPBF |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRF9530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 55.32 грн |
250+ | 50.05 грн |
IRF9530NSTRRPBF |
Виробник: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF9530NSTRRPBF - IRF9530NS 100V SINGLE P-CHANNEL IR MOSF
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF9530NSTRRPBF - IRF9530NS 100V SINGLE P-CHANNEL IR MOSF
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
278+ | 82.98 грн |
IRF9530PBF |
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; 88W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; 88W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 50.1 грн |
10+ | 41.14 грн |
30+ | 28.35 грн |
82+ | 26.89 грн |
IRF9530PBF |
Виробник: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 12 А; Ptot, Вт = 88; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 860 @ 25; Qg, нКл = 38 @ 10 В; Rds = 300 мОм @ 7,2 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 12 А; Ptot, Вт = 88; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 860 @ 25; Qg, нКл = 38 @ 10 В; Rds = 300 мОм @ 7,2 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
на замовлення 50 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 120.46 грн |
10+ | 112.43 грн |
100+ | 104.4 грн |
IRF9530PBF |
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; 88W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; 88W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 986 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 60.12 грн |
10+ | 51.27 грн |
30+ | 34.02 грн |
82+ | 32.27 грн |
10000+ | 31.49 грн |
IRF9530PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 170.16 грн |
50+ | 90.73 грн |
100+ | 82.45 грн |
500+ | 65.24 грн |
1000+ | 56.1 грн |
IRF9530PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
215+ | 57.04 грн |
IRF9530PBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 100V 12A P-CH MOSFET
MOSFETs TO220 100V 12A P-CH MOSFET
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 130.26 грн |
10+ | 82.66 грн |
100+ | 65.52 грн |
500+ | 53.45 грн |
1000+ | 47.24 грн |
25000+ | 46.68 грн |
IRF9530PBF |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
на замовлення 10929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 178.14 грн |
50+ | 84.09 грн |
100+ | 75.6 грн |
500+ | 56.95 грн |
1000+ | 52.45 грн |
2000+ | 48.67 грн |
5000+ | 45.45 грн |
IRF9530PBF |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF9530PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: VISHAY - IRF9530PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 135.42 грн |
10+ | 93.15 грн |
100+ | 78.28 грн |
500+ | 56.84 грн |
1000+ | 46.57 грн |
IRF9530PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 52.97 грн |
IRF9530PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
68+ | 182.49 грн |
126+ | 97.31 грн |
139+ | 88.43 грн |
500+ | 69.97 грн |
1000+ | 60.17 грн |
IRF9530PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
138+ | 88.69 грн |
152+ | 80.7 грн |
500+ | 65.84 грн |
750+ | 56.63 грн |
IRF9530PBF-BE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
136+ | 90.32 грн |
142+ | 86.27 грн |
250+ | 82.82 грн |
500+ | 76.97 грн |
IRF9530PBF-BE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 100V 12A P-CH MOSFET
MOSFETs TO220 100V 12A P-CH MOSFET
на замовлення 2902 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 120.49 грн |
10+ | 62.91 грн |
100+ | 51.43 грн |
500+ | 47.31 грн |
1000+ | 47.24 грн |
10000+ | 46.06 грн |
IRF9530PBF-BE3 |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF9530PBF-BE3 - MOSFET, P-CH, 100V, 12A, TO-220AB
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
Description: VISHAY - IRF9530PBF-BE3 - MOSFET, P-CH, 100V, 12A, TO-220AB
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 115.07 грн |
11+ | 76.71 грн |
25+ | 74.37 грн |
50+ | 66.15 грн |
100+ | 59.05 грн |
500+ | 53.01 грн |
IRF9530PBF-BE3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
на замовлення 3349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 142.66 грн |
50+ | 67.28 грн |
100+ | 60.48 грн |
500+ | 46.21 грн |
IRF9530S |
на замовлення 144 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 37.15 грн |
IRF9530SPBF |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; 88W; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; 88W; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 72.8 грн |
10+ | 63.97 грн |
20+ | 42.16 грн |
55+ | 39.98 грн |
IRF9530SPBF |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; 88W; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; 88W; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 284 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 87.36 грн |
10+ | 79.71 грн |
20+ | 50.59 грн |
55+ | 47.97 грн |
IRF9530SPBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)IRF9530SPBF |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF9530SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: VISHAY - IRF9530SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 146.38 грн |
10+ | 114.29 грн |
100+ | 96.28 грн |
IRF9530SPBF |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 222.68 грн |
50+ | 106.88 грн |
100+ | 96.48 грн |
500+ | 73.42 грн |
1000+ | 67.92 грн |
IRF9530SPBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
53+ | 230.98 грн |
99+ | 124.51 грн |
108+ | 113.55 грн |
500+ | 90.67 грн |
1000+ | 78.27 грн |
IRF9530SPBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 215.37 грн |
50+ | 116.09 грн |
100+ | 105.87 грн |
500+ | 84.54 грн |
1000+ | 72.98 грн |
IRF9530SPBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 100V 12A P-CH MOSFET
MOSFETs TO263 100V 12A P-CH MOSFET
на замовлення 1136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 145.73 грн |
10+ | 118.77 грн |
100+ | 97 грн |
1000+ | 95.6 грн |
2000+ | 83.74 грн |
IRF9530STRLPBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 100V 12A P-CH MOSFET
MOSFETs TO263 100V 12A P-CH MOSFET
на замовлення 1003 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 183.99 грн |
10+ | 133.21 грн |
100+ | 88.62 грн |
800+ | 78.85 грн |
IRF9530STRLPBF |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF9530STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.7W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
Description: VISHAY - IRF9530STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.7W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 102.55 грн |
IRF9530STRLPBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)IRF9530STRLPBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
99+ | 124.34 грн |
131+ | 93.56 грн |
138+ | 88.87 грн |
IRF9530STRLPBF |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
на замовлення 1813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 234.75 грн |
10+ | 147.19 грн |
100+ | 102.4 грн |
IRF9530STRLPBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 109.28 грн |
10+ | 100.82 грн |
25+ | 75.59 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]