Результат пошуку "IRLB" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLB3034PBF IRLB3034PBF
Код товару: 36195
Додати до обраних Обраний товар

IR irlb3034pbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 40 V
Idd,A: 195 A
Rds(on), Ohm: 1,4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10315/108
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 84 шт
49 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+116.00 грн
10+105.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF
Код товару: 113437
Додати до обраних Обраний товар

IR irlb3813pbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 190 A
Rds(on), Ohm: 1,95 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 8420/57
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 107 шт
65 шт - склад
7 шт - РАДІОМАГ-Київ
7 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Одеса
25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+55.00 грн
10+49.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF
Код товару: 86447
Додати до обраних Обраний товар

IR IRLB4132PbF.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 150 A
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 357 шт
345 шт - склад
7 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+32.00 грн
10+28.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8748PBF IRLB8748PBF
Код товару: 100095
Додати до обраних Обраний товар

IR irlb8748pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535660665b2595 Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 78 A
Rds(on), Ohm: 4,8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2139pF/15V
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 59 шт
49 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+34.00 грн
10+30.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034 UMW ec0245684965af85ff49cc1f6681016e.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2mOhm; 343A; 375W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLB3034; SP001578716; IRLB3034 UMW TIRLB3034 UMW
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034 IRLB3034 International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2mOhm; 343A; 375W; -55°C ~ 175°C; IRLB3034 TIRLB3034
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 67 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+84.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034PBF IRLB3034PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb3034pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 343A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+264.09 грн
6+150.20 грн
17+141.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034PBF IRLB3034PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb3034pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 343A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 123 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+316.91 грн
6+187.17 грн
17+170.13 грн
250+163.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034PBF IRLB3034PBF Infineon Technologies infineon-irlb3034-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+253.78 грн
54+229.38 грн
100+213.92 грн
500+182.75 грн
1000+157.60 грн
2000+147.81 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034PBF IRLB3034PBF Infineon Technologies infineon-irlb3034-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+136.11 грн
Мінімальне замовлення: 700
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034PBF IRLB3034PBF Infineon Technologies infineon-irlb3034-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
167+183.02 грн
Мінімальне замовлення: 167
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034PBF IRLB3034PBF Infineon Technologies infineon-irlb3034-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
167+183.02 грн
Мінімальне замовлення: 167
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034PBF IRLB3034PBF Infineon Technologies infineon-irlb3034-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
795+147.76 грн
Мінімальне замовлення: 795
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034PBF; 343A; 40V; 375W; 1,7mOm; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF)
на замовлення 44 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
4+216.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036 Infineon Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 16V; 2,4mOhm; 195A; 380W; -55°C~175°C; Substitute: IRLB3036; IRLB3036G; IRLB3036 TIRLB3036
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+119.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF IRLB3036PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb3036pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 91nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+285.55 грн
5+187.75 грн
14+177.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF IRLB3036PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb3036pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 91nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 252 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+342.66 грн
5+233.97 грн
14+212.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies infineon-irlb3036-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+152.28 грн
Мінімальне замовлення: 81
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies infineon-irlb3036-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+212.30 грн
69+178.13 грн
100+149.67 грн
500+123.93 грн
1000+114.02 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies infineon-irlb3036-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+194.26 грн
10+159.10 грн
100+121.44 грн
500+104.41 грн
1000+93.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies irlb3036pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566033ea2589 Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11210 pF @ 50 V
на замовлення 1788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+266.60 грн
10+191.20 грн
100+135.23 грн
500+104.49 грн
1000+99.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF IRLB3036PBF INFINEON 3732235.pdf Description: INFINEON - IRLB3036PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 165 A, 0.0019 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+294.63 грн
10+222.83 грн
100+156.80 грн
500+124.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies infineon-irlb3036-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+226.22 грн
Мінімальне замовлення: 54
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies infineon-irlb3036-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBFXKMA1 IRLB3036PBFXKMA1 INFINEON 3732235.pdf Description: INFINEON - IRLB3036PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 0.0024 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+224.48 грн
10+196.42 грн
100+162.58 грн
500+135.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb3813pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.92 грн
10+90.43 грн
12+78.17 грн
32+73.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb3813pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 830 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+127.01 грн
10+108.51 грн
12+93.80 грн
32+88.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies infineon-irlb3813-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
172+71.17 грн
188+64.91 грн
221+55.23 грн
228+51.69 грн
Мінімальне замовлення: 172
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies infineon-irlb3813-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+42.21 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF INFINEON INFN-S-A0012905122-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLB3813PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 260 A, 0.0016 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+132.05 грн
11+78.24 грн
100+72.96 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies infineon-irlb3813-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies infineon-irlb3813-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+131.12 грн
100+125.26 грн
250+120.23 грн
500+111.75 грн
1000+100.10 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies infineon-irlb3813-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+131.12 грн
100+125.26 грн
250+120.23 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies irlb3813pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356603cfe258b Description: MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8420 pF @ 15 V
на замовлення 12161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.37 грн
50+65.94 грн
100+63.64 грн
500+51.21 грн
1000+47.10 грн
2000+43.65 грн
5000+41.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies infineon-irlb3813-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+45.58 грн
Мінімальне замовлення: 268
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030 Infineon Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRLB4030 TIRLB4030
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+154.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030 Infineon Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRLB4030 TIRLB4030
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+154.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030PBF IRLB4030PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb4030pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+222.83 грн
7+134.88 грн
19+127.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030PBF IRLB4030PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb4030pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 104 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+267.39 грн
7+168.08 грн
19+152.65 грн
500+149.90 грн
1000+147.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030PBF IRLB4030PBF Infineon Technologies infineon-irlb4030-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+276.24 грн
10+181.26 грн
100+129.77 грн
500+108.89 грн
1000+80.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030PBF IRLB4030PBF Infineon Technologies infineon-irlb4030-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+185.46 грн
82+149.67 грн
100+133.40 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030PBF IRLB4030PBF Infineon Technologies infineon-irlb4030-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+221.52 грн
58+213.09 грн
100+205.86 грн
250+192.48 грн
500+173.37 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030PBF IRLB4030PBF Infineon Technologies infineon-irlb4030-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+298.33 грн
63+195.76 грн
100+140.15 грн
500+117.61 грн
1000+86.74 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030PBF IRLB4030PBF Infineon Technologies infineon-irlb4030-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030PBF IRLB4030PBF Infineon Technologies irlb4030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604640258d Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11360 pF @ 50 V
на замовлення 7406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+261.03 грн
10+163.61 грн
100+115.47 грн
500+96.29 грн
1000+85.31 грн
2000+81.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132 International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,5mOhm; 150A; 140W; -55°C ~ 175°C; IRLB4132 TIRLB4132
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+25.44 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLB4132PbF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 620A
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+87.48 грн
10+47.36 грн
31+29.73 грн
83+28.12 грн
500+27.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLB4132PbF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 620A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 871 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+104.98 грн
10+59.02 грн
31+35.68 грн
83+33.75 грн
500+32.55 грн
2000+32.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies infineon-irlb4132-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
603+50.59 грн
Мінімальне замовлення: 603
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies IRLB4132PbF.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 15 V
на замовлення 4184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.43 грн
10+60.00 грн
100+36.84 грн
500+27.07 грн
1000+25.50 грн
2000+24.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies infineon-irlb4132-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
603+50.59 грн
Мінімальне замовлення: 603
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF INFINEON 2915227.pdf Description: INFINEON - IRLB4132PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 0.0025 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.26 грн
15+56.78 грн
100+38.62 грн
500+28.74 грн
1000+24.76 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies infineon-irlb4132-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+102.38 грн
11+58.69 грн
100+38.66 грн
500+27.95 грн
1000+25.86 грн
2000+23.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies infineon-irlb4132-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
316+38.64 грн
321+38.07 грн
336+36.36 грн
500+30.51 грн
1000+26.36 грн
Мінімальне замовлення: 316
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF; 100A; 30V; 140W; 3,5mOm; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
10+69.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF IRLB8314PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 664A
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+95.73 грн
10+46.13 грн
31+29.50 грн
84+27.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF IRLB8314PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 664A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+114.88 грн
10+57.49 грн
31+35.40 грн
84+33.47 грн
5000+32.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF IRLB8314PBF Infineon Technologies irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f Description: MOSFET N-CH 30V 171A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 171A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 15 V
на замовлення 1337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.09 грн
50+43.30 грн
100+40.89 грн
500+31.43 грн
1000+28.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF IRLB8314PBF Infineon Technologies 116714363039863irlb8314pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
298+41.00 грн
299+40.83 грн
500+33.84 грн
1000+29.73 грн
Мінімальне замовлення: 298
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF IRLB8314PBF Infineon Technologies 116714363039863irlb8314pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 19660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
288+42.47 грн
304+40.20 грн
500+35.29 грн
1000+30.42 грн
2000+26.38 грн
5000+23.93 грн
10000+20.52 грн
Мінімальне замовлення: 288
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034PBF
Код товару: 36195
Додати до обраних Обраний товар

irlb3034pbf-datasheet.pdf
IRLB3034PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 40 V
Idd,A: 195 A
Rds(on), Ohm: 1,4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10315/108
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 84 шт
49 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+116.00 грн
10+105.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF
Код товару: 113437
Додати до обраних Обраний товар

irlb3813pbf-datasheet.pdf
IRLB3813PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 190 A
Rds(on), Ohm: 1,95 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 8420/57
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 107 шт
65 шт - склад
7 шт - РАДІОМАГ-Київ
7 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Одеса
25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+55.00 грн
10+49.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF
Код товару: 86447
Додати до обраних Обраний товар

IRLB4132PbF.pdf
IRLB4132PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 150 A
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 357 шт
345 шт - склад
7 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість Ціна
1+32.00 грн
10+28.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8748PBF
Код товару: 100095
Додати до обраних Обраний товар

irlb8748pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535660665b2595
IRLB8748PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 78 A
Rds(on), Ohm: 4,8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2139pF/15V
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 59 шт
49 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
Кількість Ціна
1+34.00 грн
10+30.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034 ec0245684965af85ff49cc1f6681016e.pdf
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2mOhm; 343A; 375W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLB3034; SP001578716; IRLB3034 UMW TIRLB3034 UMW
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+60.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034 IRLB3034
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2mOhm; 343A; 375W; -55°C ~ 175°C; IRLB3034 TIRLB3034
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 67 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+84.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034PBF irlb3034pbf.pdf
IRLB3034PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 343A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+264.09 грн
6+150.20 грн
17+141.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034PBF irlb3034pbf.pdf
IRLB3034PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 343A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 123 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+316.91 грн
6+187.17 грн
17+170.13 грн
250+163.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034PBF infineon-irlb3034-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB3034PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
49+253.78 грн
54+229.38 грн
100+213.92 грн
500+182.75 грн
1000+157.60 грн
2000+147.81 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034PBF infineon-irlb3034-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB3034PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
700+136.11 грн
Мінімальне замовлення: 700
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034PBF infineon-irlb3034-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB3034PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
167+183.02 грн
Мінімальне замовлення: 167
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034PBF infineon-irlb3034-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB3034PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
167+183.02 грн
Мінімальне замовлення: 167
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034PBF infineon-irlb3034-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB3034PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
795+147.76 грн
Мінімальне замовлення: 795
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034PBF; 343A; 40V; 375W; 1,7mOm; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF)
на замовлення 44 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
4+216.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 16V; 2,4mOhm; 195A; 380W; -55°C~175°C; Substitute: IRLB3036; IRLB3036G; IRLB3036 TIRLB3036
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+119.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF irlb3036pbf.pdf
IRLB3036PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 91nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+285.55 грн
5+187.75 грн
14+177.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF irlb3036pbf.pdf
IRLB3036PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 91nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 252 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+342.66 грн
5+233.97 грн
14+212.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF infineon-irlb3036-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB3036PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
81+152.28 грн
Мінімальне замовлення: 81
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF infineon-irlb3036-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB3036PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
58+212.30 грн
69+178.13 грн
100+149.67 грн
500+123.93 грн
1000+114.02 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF infineon-irlb3036-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB3036PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+194.26 грн
10+159.10 грн
100+121.44 грн
500+104.41 грн
1000+93.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF irlb3036pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566033ea2589
IRLB3036PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11210 pF @ 50 V
на замовлення 1788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+266.60 грн
10+191.20 грн
100+135.23 грн
500+104.49 грн
1000+99.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF 3732235.pdf
IRLB3036PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB3036PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 165 A, 0.0019 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+294.63 грн
10+222.83 грн
100+156.80 грн
500+124.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF infineon-irlb3036-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB3036PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
54+226.22 грн
Мінімальне замовлення: 54
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF infineon-irlb3036-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB3036PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBFXKMA1 3732235.pdf
IRLB3036PBFXKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB3036PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 0.0024 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+224.48 грн
10+196.42 грн
100+162.58 грн
500+135.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF irlb3813pbf.pdf
IRLB3813PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.92 грн
10+90.43 грн
12+78.17 грн
32+73.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF irlb3813pbf.pdf
IRLB3813PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 830 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.01 грн
10+108.51 грн
12+93.80 грн
32+88.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF infineon-irlb3813-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB3813PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
172+71.17 грн
188+64.91 грн
221+55.23 грн
228+51.69 грн
Мінімальне замовлення: 172
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF infineon-irlb3813-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB3813PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+42.21 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF INFN-S-A0012905122-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLB3813PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB3813PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 260 A, 0.0016 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+132.05 грн
11+78.24 грн
100+72.96 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF infineon-irlb3813-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB3813PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF infineon-irlb3813-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB3813PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
94+131.12 грн
100+125.26 грн
250+120.23 грн
500+111.75 грн
1000+100.10 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF infineon-irlb3813-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB3813PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
94+131.12 грн
100+125.26 грн
250+120.23 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF irlb3813pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356603cfe258b
IRLB3813PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8420 pF @ 15 V
на замовлення 12161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.37 грн
50+65.94 грн
100+63.64 грн
500+51.21 грн
1000+47.10 грн
2000+43.65 грн
5000+41.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF infineon-irlb3813-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB3813PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
268+45.58 грн
Мінімальне замовлення: 268
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRLB4030 TIRLB4030
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+154.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRLB4030 TIRLB4030
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+154.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030PBF irlb4030pbf.pdf
IRLB4030PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+222.83 грн
7+134.88 грн
19+127.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030PBF irlb4030pbf.pdf
IRLB4030PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 104 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+267.39 грн
7+168.08 грн
19+152.65 грн
500+149.90 грн
1000+147.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030PBF infineon-irlb4030-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB4030PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+276.24 грн
10+181.26 грн
100+129.77 грн
500+108.89 грн
1000+80.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030PBF infineon-irlb4030-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB4030PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
66+185.46 грн
82+149.67 грн
100+133.40 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030PBF infineon-irlb4030-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB4030PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
56+221.52 грн
58+213.09 грн
100+205.86 грн
250+192.48 грн
500+173.37 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030PBF infineon-irlb4030-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB4030PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
41+298.33 грн
63+195.76 грн
100+140.15 грн
500+117.61 грн
1000+86.74 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030PBF infineon-irlb4030-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB4030PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030PBF irlb4030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604640258d
IRLB4030PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11360 pF @ 50 V
на замовлення 7406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+261.03 грн
10+163.61 грн
100+115.47 грн
500+96.29 грн
1000+85.31 грн
2000+81.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,5mOhm; 150A; 140W; -55°C ~ 175°C; IRLB4132 TIRLB4132
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+25.44 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PbF.pdf
IRLB4132PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 620A
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+87.48 грн
10+47.36 грн
31+29.73 грн
83+28.12 грн
500+27.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PbF.pdf
IRLB4132PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 620A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 871 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+104.98 грн
10+59.02 грн
31+35.68 грн
83+33.75 грн
500+32.55 грн
2000+32.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF infineon-irlb4132-datasheet-v01_00-en.pdf
IRLB4132PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
603+50.59 грн
Мінімальне замовлення: 603
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PbF.pdf
IRLB4132PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 15 V
на замовлення 4184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+107.43 грн
10+60.00 грн
100+36.84 грн
500+27.07 грн
1000+25.50 грн
2000+24.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF infineon-irlb4132-datasheet-v01_00-en.pdf
IRLB4132PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
603+50.59 грн
Мінімальне замовлення: 603
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF 2915227.pdf
IRLB4132PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB4132PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 0.0025 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+93.26 грн
15+56.78 грн
100+38.62 грн
500+28.74 грн
1000+24.76 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF infineon-irlb4132-datasheet-v01_00-en.pdf
IRLB4132PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+102.38 грн
11+58.69 грн
100+38.66 грн
500+27.95 грн
1000+25.86 грн
2000+23.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF infineon-irlb4132-datasheet-v01_00-en.pdf
IRLB4132PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
316+38.64 грн
321+38.07 грн
336+36.36 грн
500+30.51 грн
1000+26.36 грн
Мінімальне замовлення: 316
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF; 100A; 30V; 140W; 3,5mOm; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
10+69.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f
IRLB8314PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 664A
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+95.73 грн
10+46.13 грн
31+29.50 грн
84+27.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f
IRLB8314PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 664A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.88 грн
10+57.49 грн
31+35.40 грн
84+33.47 грн
5000+32.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f
IRLB8314PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 171A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 171A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 15 V
на замовлення 1337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.09 грн
50+43.30 грн
100+40.89 грн
500+31.43 грн
1000+28.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF 116714363039863irlb8314pbf.pdf
IRLB8314PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
298+41.00 грн
299+40.83 грн
500+33.84 грн
1000+29.73 грн
Мінімальне замовлення: 298
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF 116714363039863irlb8314pbf.pdf
IRLB8314PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 19660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
288+42.47 грн
304+40.20 грн
500+35.29 грн
1000+30.42 грн
2000+26.38 грн
5000+23.93 грн
10000+20.52 грн
Мінімальне замовлення: 288
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]