Результат пошуку "irf64" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRF640 IRF640
Код товару: 7926 		Philips IRF640.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/70
Монтаж: THT
у наявності: 328 шт
1+27 грн
10+ 23.1 грн
IRF640 IRF640
Код товару: 192240 		en.CD00000702.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 11 A
Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1600/57
Монтаж: THT
у наявності: 52 шт
1+27 грн
10+ 25.6 грн
IRF640NPBF IRF640NPBF
Код товару: 42934 		IR irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Монтаж: THT
у наявності: 579 шт
1+28 грн
10+ 25.2 грн
100+ 22.5 грн
IRF640NSPBF IRF640NSPBF
Код товару: 116935 		IR irf640npbf-935925-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Монтаж: SMD
у наявності: 24 шт
1+53 грн
10+ 49 грн
IRF644PBF IRF644PBF
Код товару: 181182 		IR IRF644.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 250 V
Idd,A: 14 A
Rds(on), Ohm: 0,24 Ohm
Монтаж: THT
у наявності: 15 шт
1+42 грн
IRF640 IR en.CD00000702.pdf description Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=18A; Pdmax=125W; Rds=0,18 Ohm
на замовлення 15 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
7+39.9 грн
10+ 32.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF640 en.CD00000702.pdf description транзистор 18A, 200V, 0.180 Ohm, N-Channel Power MOSFETs TO-220
на замовлення 66 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3+113.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF640 SLKOR en.CD00000702.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640N; SP001570078; IRF640 SLKOR TIRF640n SLK
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+23.83 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRF640; 18A; 200V; 0,18R; 125W; N-канальный; корпус: ТО220; STM
на замовлення 983 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
30+22.29 грн
Мінімальне замовлення: 30
IRF640ACP001 Fairchild Semiconductor Description: MOSFET N-CH 200V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
346+59.47 грн
Мінімальне замовлення: 346
IRF640ACP001 ONSEMI nd_datasheet Description: ONSEMI - IRF640ACP001 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
417+60.79 грн
Мінімальне замовлення: 417
IRF640N HXY MOSFET description Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 145mOhm; 18A; 125W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF640; IRF640N; SP001570078; IRF640N HXY MOSFET TIRF640n HXY
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+21.43 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRF640N JSMicro Semiconductor description Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640N; SP001570078; IRF640N JSMICRO TIRF640n JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+30 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF640NL International Rectifier IRF640.pdf N-MOSFET 200V 18A 150mΩ 150W IRF640NL IR TIRF640nl
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+32.4 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRF640NLPBF IRF640NLPBF INFINEON INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF640NLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+142.33 грн
10+ 103.72 грн
100+ 83.28 грн
500+ 64.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF640NLPBF IRF640NLPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee description Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.91 грн
50+ 93.88 грн
100+ 77.24 грн
500+ 61.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF640NPBF IRF640NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf640n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+61.32 грн
10+ 48.15 грн
24+ 34.8 грн
66+ 32.9 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF640NPBF IR irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=18A; Pdmax=125W; Rds=0,18 Ohm (аналог IRF640 только без свинца)
на замовлення 386 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
5+61.29 грн
10+ 51.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF640NPBF IRF640NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf640n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 298 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+73.59 грн
10+ 60.01 грн
24+ 41.76 грн
66+ 39.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF640NPBF IRF640NPBF INFINEON INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF640NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 58545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.52 грн
12+ 66.09 грн
100+ 48.45 грн
500+ 38.8 грн
1000+ 29.14 грн
5000+ 28.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 23370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
243+48.2 грн
281+ 41.75 грн
500+ 37.02 грн
1000+ 30.91 грн
2000+ 24.13 грн
5000+ 22.93 грн
10000+ 22.71 грн
Мінімальне замовлення: 243
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies Infineon_IRF640N_DataSheet_v01_01_EN-3363196.pdf MOSFET MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
на замовлення 34518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.81 грн
10+ 56.5 грн
100+ 40.56 грн
500+ 35.84 грн
1000+ 30.44 грн
2000+ 29.42 грн
5000+ 28.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 23380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+53.2 грн
13+ 44.96 грн
100+ 38.97 грн
500+ 33.3 грн
1000+ 26.62 грн
2000+ 21.61 грн
5000+ 21.39 грн
10000+ 21.18 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 23380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.7 грн
Мінімальне замовлення: 14
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 61382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.94 грн
50+ 43.64 грн
100+ 34.58 грн
500+ 27.51 грн
1000+ 27.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+41.16 грн
16+ 37.04 грн
100+ 33.68 грн
Мінімальне замовлення: 15
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 14089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
335+35.01 грн
373+ 31.4 грн
386+ 30.33 грн
500+ 27.83 грн
1000+ 24.73 грн
2000+ 22.65 грн
4000+ 21.56 грн
Мінімальне замовлення: 335
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
353+33.23 грн
Мінімальне замовлення: 353
IRF640NS International Rectifier description Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; IRF640NS smd TIRF640ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+64.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF640NSPBF International Rectifier/Infineon irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee N-канальний ПТ; Udss, В = 200; Id = 18 А; Ptot, Вт = 150; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1160 @ 25; Qg, нКл = 67 @ 10 В; Rds = 150 мОм @ 11 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK
на замовлення 262 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
25+25.96 грн
26+ 24.23 грн
100+ 22.5 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf640npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.18 грн
10+ 75.92 грн
16+ 53.43 грн
43+ 49.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf640npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 725 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+119.01 грн
10+ 94.61 грн
16+ 64.11 грн
43+ 59.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee Description: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 35368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.31 грн
10+ 85.69 грн
100+ 68.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+24.88 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+58.32 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF640N_DataSheet_v01_01_EN-3363196.pdf MOSFET MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
на замовлення 6769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+114.95 грн
10+ 91.58 грн
100+ 65.26 грн
250+ 63.37 грн
800+ 46.63 грн
2400+ 42.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee Description: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 34400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+59.92 грн
1600+ 48.96 грн
2400+ 46.51 грн
5600+ 42 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF640NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+127.19 грн
10+ 94.63 грн
50+ 84.79 грн
100+ 69.31 грн
250+ 62.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF640NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+69.31 грн
250+ 62.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+60.85 грн
202+ 58.01 грн
226+ 51.78 грн
236+ 47.95 грн
500+ 44.32 грн
1600+ 38.95 грн
3200+ 37.78 грн
Мінімальне замовлення: 193
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+62.87 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+53.47 грн
2400+ 48.03 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+57.58 грн
2400+ 51.72 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF640NSTRRPBF IRF640NSTRRPBF Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+65.22 грн
10+ 60.26 грн
25+ 59.66 грн
50+ 56.95 грн
100+ 38.04 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRF640NSTRRPBF IRF640NSTRRPBF Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+64.89 грн
183+ 64.25 грн
184+ 63.61 грн
Мінімальне замовлення: 181
IRF640PBF IRF640PBF VISHAY IRF640PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+51.48 грн
10+ 40.56 грн
25+ 33.04 грн
69+ 31.63 грн
1000+ 31.07 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF640PBF VISHAY sihf640.pdf N-Channel, 200V, 18A, 125W, 0.18R, TO220
на замовлення 70 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
4+64.8 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF640PBF IRF640PBF VISHAY IRF640PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2139 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+61.78 грн
10+ 50.55 грн
25+ 39.65 грн
69+ 37.96 грн
1000+ 37.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF640PBF IRF640PBF Vishay sihf640.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.41 грн
Мінімальне замовлення: 13
IRF640PBF IRF640PBF Vishay sihf640.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
245+47.84 грн
Мінімальне замовлення: 245
IRF640PBF IRF640PBF Vishay Siliconix sihf640.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.67 грн
50+ 101.23 грн
100+ 83.29 грн
1000+ 56.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF640PBF IRF640PBF Vishay sihf640.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+82.01 грн
900+ 74.93 грн
1800+ 69.72 грн
2700+ 63.41 грн
Мінімальне замовлення: 143
IRF640PBF IRF640PBF Vishay sihf640.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+73.51 грн
161+ 72.86 грн
164+ 71.53 грн
213+ 53.06 грн
Мінімальне замовлення: 160
IRF640PBF IRF640PBF Vishay sihf640.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+73.13 грн
10+ 68.47 грн
25+ 67.66 грн
50+ 64.09 грн
100+ 45.62 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF640PBF IRF640PBF VISHAY VISH-S-A0001814992-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF640PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 20830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.84 грн
10+ 110.53 грн
100+ 94.63 грн
500+ 86.47 грн
1000+ 77.87 грн
5000+ 76.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF640PBF IRF640PBF Vishay Semiconductors sihf640.pdf MOSFET 200V N-CH MOSFET TO220IDF
на замовлення 7719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+126.76 грн
10+ 105.55 грн
100+ 80.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF640
Код товару: 7926		 description IRF640.pdf
IRF640
Виробник: Philips
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/70
Монтаж: THT
у наявності: 328 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+27 грн
10+ 23.1 грн
IRF640
Код товару: 192240		 description en.CD00000702.pdf
IRF640
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 11 A
Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1600/57
Монтаж: THT
у наявності: 52 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+27 грн
10+ 25.6 грн
IRF640NPBF
Код товару: 42934		 irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
IRF640NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Монтаж: THT
у наявності: 579 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+28 грн
10+ 25.2 грн
100+ 22.5 грн
IRF640NSPBF
Код товару: 116935		 irf640npbf-935925-datasheet.pdf
IRF640NSPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Монтаж: SMD
у наявності: 24 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+53 грн
10+ 49 грн
IRF644PBF
Код товару: 181182		 IRF644.pdf
IRF644PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 250 V
Idd,A: 14 A
Rds(on), Ohm: 0,24 Ohm
Монтаж: THT
у наявності: 15 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+42 грн
IRF640 description en.CD00000702.pdf
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=18A; Pdmax=125W; Rds=0,18 Ohm
на замовлення 15 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+39.9 грн
10+ 32.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF640 description en.CD00000702.pdf
транзистор 18A, 200V, 0.180 Ohm, N-Channel Power MOSFETs TO-220
на замовлення 66 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+113.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF640 description en.CD00000702.pdf
Виробник: SLKOR
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640N; SP001570078; IRF640 SLKOR TIRF640n SLK
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+23.83 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRF640; 18A; 200V; 0,18R; 125W; N-канальный; корпус: ТО220; STM
на замовлення 983 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+22.29 грн
Мінімальне замовлення: 30
IRF640ACP001
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
346+59.47 грн
Мінімальне замовлення: 346
IRF640ACP001 nd_datasheet
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - IRF640ACP001 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
417+60.79 грн
Мінімальне замовлення: 417
IRF640N description
Виробник: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 145mOhm; 18A; 125W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF640; IRF640N; SP001570078; IRF640N HXY MOSFET TIRF640n HXY
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+21.43 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRF640N description
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640N; SP001570078; IRF640N JSMICRO TIRF640n JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+30 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF640NL IRF640.pdf
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 200V 18A 150mΩ 150W IRF640NL IR TIRF640nl
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+32.4 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRF640NLPBF description INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF640NLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF640NLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+142.33 грн
10+ 103.72 грн
100+ 83.28 грн
500+ 64.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF640NLPBF description irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
IRF640NLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+121.91 грн
50+ 93.88 грн
100+ 77.24 грн
500+ 61.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF640NPBF irf640n.pdf
IRF640NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+61.32 грн
10+ 48.15 грн
24+ 34.8 грн
66+ 32.9 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF640NPBF irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=18A; Pdmax=125W; Rds=0,18 Ohm (аналог IRF640 только без свинца)
на замовлення 386 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+61.29 грн
10+ 51.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF640NPBF irf640n.pdf
IRF640NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 298 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+73.59 грн
10+ 60.01 грн
24+ 41.76 грн
66+ 39.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF640NPBF INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF640NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF640NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 58545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+82.52 грн
12+ 66.09 грн
100+ 48.45 грн
500+ 38.8 грн
1000+ 29.14 грн
5000+ 28.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF640NPBF infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF640NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 23370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
243+48.2 грн
281+ 41.75 грн
500+ 37.02 грн
1000+ 30.91 грн
2000+ 24.13 грн
5000+ 22.93 грн
10000+ 22.71 грн
Мінімальне замовлення: 243
IRF640NPBF infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF640NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF640NPBF infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF640NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF640NPBF Infineon_IRF640N_DataSheet_v01_01_EN-3363196.pdf
IRF640NPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
на замовлення 34518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+68.81 грн
10+ 56.5 грн
100+ 40.56 грн
500+ 35.84 грн
1000+ 30.44 грн
2000+ 29.42 грн
5000+ 28.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF640NPBF infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF640NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 23380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+53.2 грн
13+ 44.96 грн
100+ 38.97 грн
500+ 33.3 грн
1000+ 26.62 грн
2000+ 21.61 грн
5000+ 21.39 грн
10000+ 21.18 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRF640NPBF infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF640NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 23380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+23.7 грн
Мінімальне замовлення: 14
IRF640NPBF irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
IRF640NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 61382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+56.94 грн
50+ 43.64 грн
100+ 34.58 грн
500+ 27.51 грн
1000+ 27.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF640NPBF infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF640NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+41.16 грн
16+ 37.04 грн
100+ 33.68 грн
Мінімальне замовлення: 15
IRF640NPBF infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF640NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 14089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
335+35.01 грн
373+ 31.4 грн
386+ 30.33 грн
500+ 27.83 грн
1000+ 24.73 грн
2000+ 22.65 грн
4000+ 21.56 грн
Мінімальне замовлення: 335
IRF640NPBF infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF640NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
353+33.23 грн
Мінімальне замовлення: 353
IRF640NS description
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; IRF640NS smd TIRF640ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+64.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF640NSPBF irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ; Udss, В = 200; Id = 18 А; Ptot, Вт = 150; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1160 @ 25; Qg, нКл = 67 @ 10 В; Rds = 150 мОм @ 11 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK
на замовлення 262 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+25.96 грн
26+ 24.23 грн
100+ 22.5 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRF640NSTRLPBF irf640npbf.pdf
IRF640NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+99.18 грн
10+ 75.92 грн
16+ 53.43 грн
43+ 49.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF640NSTRLPBF irf640npbf.pdf
IRF640NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 725 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+119.01 грн
10+ 94.61 грн
16+ 64.11 грн
43+ 59.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF640NSTRLPBF irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
IRF640NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 35368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+107.31 грн
10+ 85.69 грн
100+ 68.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF640NSTRLPBF infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF640NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+24.88 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF640NSTRLPBF infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF640NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+58.32 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF640NSTRLPBF Infineon_IRF640N_DataSheet_v01_01_EN-3363196.pdf
IRF640NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
на замовлення 6769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+114.95 грн
10+ 91.58 грн
100+ 65.26 грн
250+ 63.37 грн
800+ 46.63 грн
2400+ 42.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF640NSTRLPBF irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
IRF640NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 34400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+59.92 грн
1600+ 48.96 грн
2400+ 46.51 грн
5600+ 42 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF640NSTRLPBF INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF640NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF640NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+127.19 грн
10+ 94.63 грн
50+ 84.79 грн
100+ 69.31 грн
250+ 62.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF640NSTRLPBF infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF640NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF640NSTRLPBF INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF640NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF640NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+69.31 грн
250+ 62.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF640NSTRLPBF infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF640NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF640NSTRLPBF infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF640NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
193+60.85 грн
202+ 58.01 грн
226+ 51.78 грн
236+ 47.95 грн
500+ 44.32 грн
1600+ 38.95 грн
3200+ 37.78 грн
Мінімальне замовлення: 193
IRF640NSTRLPBF infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF640NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+62.87 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF640NSTRLPBF infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF640NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+53.47 грн
2400+ 48.03 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF640NSTRLPBF infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF640NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+57.58 грн
2400+ 51.72 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF640NSTRRPBF infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF640NSTRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+65.22 грн
10+ 60.26 грн
25+ 59.66 грн
50+ 56.95 грн
100+ 38.04 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRF640NSTRRPBF infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF640NSTRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
181+64.89 грн
183+ 64.25 грн
184+ 63.61 грн
Мінімальне замовлення: 181
IRF640PBF IRF640PBF.pdf
IRF640PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+51.48 грн
10+ 40.56 грн
25+ 33.04 грн
69+ 31.63 грн
1000+ 31.07 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF640PBF sihf640.pdf
Виробник: VISHAY
N-Channel, 200V, 18A, 125W, 0.18R, TO220
на замовлення 70 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+64.8 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF640PBF IRF640PBF.pdf
IRF640PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2139 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+61.78 грн
10+ 50.55 грн
25+ 39.65 грн
69+ 37.96 грн
1000+ 37.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF640PBF sihf640.pdf
IRF640PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+24.41 грн
Мінімальне замовлення: 13
IRF640PBF sihf640.pdf
IRF640PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
245+47.84 грн
Мінімальне замовлення: 245
IRF640PBF sihf640.pdf
IRF640PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+130.67 грн
50+ 101.23 грн
100+ 83.29 грн
1000+ 56.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF640PBF sihf640.pdf
IRF640PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
143+82.01 грн
900+ 74.93 грн
1800+ 69.72 грн
2700+ 63.41 грн
Мінімальне замовлення: 143
IRF640PBF sihf640.pdf
IRF640PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
160+73.51 грн
161+ 72.86 грн
164+ 71.53 грн
213+ 53.06 грн
Мінімальне замовлення: 160
IRF640PBF sihf640.pdf
IRF640PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+73.13 грн
10+ 68.47 грн
25+ 67.66 грн
50+ 64.09 грн
100+ 45.62 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF640PBF VISH-S-A0001814992-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF640PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF640PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 20830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+143.84 грн
10+ 110.53 грн
100+ 94.63 грн
500+ 86.47 грн
1000+ 77.87 грн
5000+ 76.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF640PBF sihf640.pdf
IRF640PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 200V N-CH MOSFET TO220IDF
на замовлення 7719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+126.76 грн
10+ 105.55 грн
100+ 80.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]