Результат пошуку "irf75" : > 120
Вид перегляду :
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
IRF7501 | IR | 07+ SO-8 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
IRF7503 | IR | 07+ SO-8 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
IRF7503 | IR | SO-8 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
IRF7504 | IR | SO-8 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
IRF7504 | IR | 07+ SO-8 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
IRF7504TR | IOR | DC05 TSSOP8 |
на замовлення 4600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
IRF7506 | IR | 07+ SO-8 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
IRF7506 | IR | SO-8 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
IRF7506 | IOR | 03+ |
на замовлення 2750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
IRF7506TR | IR | 04+ |
на замовлення 2700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
IRF7506TR | IR | 04+ SOP8 |
на замовлення 6700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
IRF7507 | IR | 07+ SO-8 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
IRF7507 | IR | SO-8 |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
IRF7507 | N/A |
на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
IRF7507TR |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
IRF7507TR | MSOP8 |
на замовлення 953 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
IRF7507TRPBF | International Rectifier Corporation | 2 сил. MOSFET P-кан. -20V, 0.27Ом, N-кан. 20V, 0.135Ом, -50...+150, Micro-8 (SMD) |
на замовлення 105 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||
IRF7509 | IR | 07+ SO-8 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
IRF7509 | IR | SO-8 |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
IRF7521 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
IRF7521D1TR |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
IRF7521TR | MSOP8 |
на замовлення 1230 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
IRF7523 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
IRF7523D1TRPBF |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
IRF7524 |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
IRF7524D | IOR | 1997 |
на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
IRF7524D | IOR |
на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
IRF7524D1TR | IR | MSOP-8 |
на замовлення 2775 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
IRF7526 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
IRF7526D1 | IR |
на замовлення 11920 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
IRF7526D1PBF | IOR |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
IRF7526D1TRPBF | IR | MSOP8 0541+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
IRF7526D1TRPBF | IR |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
IRF7526D1TRPBF | IR | MSOP8 0535+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
IRF7530 | IR | 07+ SO-8 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
IRF7530 | IR | SO-8 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
IRF7530TR | IOR |
на замовлення 96000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
IRF7530TRPBF | International Rectifier Corporation | MOSFET N-CH DUAL, 20V, 5.4A, MICRO-8 |
на замовлення 2 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||
IRF7534 |
на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
IRF7534D1TR | IR |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
IRF7534D1TRPBF | IOR |
на замовлення 32500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
IRF7555 | IOR |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
IRF7555 | IOR | 00+ |
на замовлення 5430 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
IRF7555 | IR | 07+ SO-8 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
IRF7555 | IR | SO-8 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
IRF7555TR | IOR | 00+ |
на замовлення 3258 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
IRF7555TR | IR | SSOP8 |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
IRF7555TRPBF | IRF | 09+ |
на замовлення 16018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
IRF7555TRPBF | IOR |
на замовлення 32500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
IRF7560 | IR | 09+ |
на замовлення 113 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
IRF7501TR Код товару: 109125 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||
IRF7507 Код товару: 27069 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SO-8 Uds,V: 20 V Idd,A: 2,4 A Rds(on), Ohm: 0,135 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 260/5,3 Примітка: Два транзистори в одному корпусі Монтаж: SMD |
товар відсутній
|
||
IRF7507TRPBF Код товару: 45759 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 |
товар відсутній
|
|||
IRF7509TRPBF Код товару: 32320 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 30 V Idd,A: 2,7 A Rds(on), Ohm: 0,11; 0,2 Ohm Монтаж: SMD |
товар відсутній
|
||
IRF7530TRPBF Код товару: 31263 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SO-8 Uds,V: 20 V Idd,A: 5,4 A Rds(on), Ohm: 0,03 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1310/18 Примітка: Два транзистори в одному корпусі Монтаж: SMD |
товар відсутній
|
||
IRF7501TR | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 20V 2.4A 8-Pin Micro T/R |
товар відсутній |
||
IRF7501TR | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.25W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Supplier Device Package: Micro8™ Part Status: Obsolete |
товар відсутній |
||
IRF7501TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 2.4A; 1.2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.4A Power dissipation: 1.2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||
IRF7501TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 2.4A; 1.2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.4A Power dissipation: 1.2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 4000 шт |
товар відсутній |
||
IRF7501TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.25W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Supplier Device Package: Micro8™ Part Status: Obsolete |
товар відсутній |
IRF7507TRPBF |
Виробник: International Rectifier Corporation
2 сил. MOSFET P-кан. -20V, 0.27Ом, N-кан. 20V, 0.135Ом, -50...+150, Micro-8 (SMD)
2 сил. MOSFET P-кан. -20V, 0.27Ом, N-кан. 20V, 0.135Ом, -50...+150, Micro-8 (SMD)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 5 дні (днів)IRF7530TRPBF |
Виробник: International Rectifier Corporation
MOSFET N-CH DUAL, 20V, 5.4A, MICRO-8
MOSFET N-CH DUAL, 20V, 5.4A, MICRO-8
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)IRF7507 Код товару: 27069 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 20 V
Idd,A: 2,4 A
Rds(on), Ohm: 0,135 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 260/5,3
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 20 V
Idd,A: 2,4 A
Rds(on), Ohm: 0,135 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 260/5,3
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
товар відсутній
IRF7509TRPBF Код товару: 32320 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 2,7 A
Rds(on), Ohm: 0,11; 0,2 Ohm
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 2,7 A
Rds(on), Ohm: 0,11; 0,2 Ohm
Монтаж: SMD
товар відсутній
IRF7530TRPBF Код товару: 31263 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 20 V
Idd,A: 5,4 A
Rds(on), Ohm: 0,03 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1310/18
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 20 V
Idd,A: 5,4 A
Rds(on), Ohm: 0,03 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1310/18
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
товар відсутній
IRF7501TR |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 20V 2.4A 8-Pin Micro T/R
Trans MOSFET N-CH Si 20V 2.4A 8-Pin Micro T/R
товар відсутній
IRF7501TR |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Obsolete
Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Obsolete
товар відсутній
IRF7501TRPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 2.4A; 1.2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 1.2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 2.4A; 1.2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 1.2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF7501TRPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 2.4A; 1.2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 1.2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 2.4A; 1.2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 1.2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRF7501TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Obsolete
Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Obsolete
товар відсутній