Результат пошуку "rf96" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRF9610 IRF9610
Код товару: 174702
Siliconix irf9610-datasheet.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Id,A: 1,8 A
Rds(on),Om: 3,0 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 170/11
Монтаж: THT
у наявності: 85 шт
1+30 грн
10+ 27 грн
IRF9610PBF IRF9610PBF
Код товару: 35442
IR/Infineon irf9610.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Id,A: 1,8 A
Rds(on),Om: 3,0 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 170/11
Монтаж: THT
у наявності: 4 шт
1+32 грн
IRF9622 IRF9622
Код товару: 30496
IR IRF9622.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Id,A: 3 А
Rds(on),Om: 2,4 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 350/16
Монтаж: THT
у наявності: 5 шт
1+33.5 грн
IRF9640PBF IRF9640PBF
Код товару: 22646
IR IRF9640PBF.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Id,A: 11 А
Rds(on),Om: 0,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/44
Монтаж: THT
у наявності: 240 шт
очікується: 20 шт
1+32 грн
10+ 28.8 грн
100+ 25.9 грн
IRF9640PBF IRF9640PBF
Код товару: 123234
Siliconix sihf9640-datasheet.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 200 V
Id,A: 11 А
Rds(on),Om: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/44
Монтаж: THT
у наявності: 187 шт
очікується: 20 шт
1+35 грн
10+ 31.5 грн
100+ 27.9 грн
RF96 трансивер LoRa SX1276 маркований Hope RF
на замовлення 40 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
1+278.78 грн
RF9601CK
на замовлення 108 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RF9640
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RF9643
на замовлення 348 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
A-RF96ABCR Assmann WSW Components ASS_5680_CO.pdf Description: DIN 41612,F,STYLE R,96,2.54,THT,
Packaging: Tray
Connector Type: Receptacle, Female Sockets
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole, Right Angle
Number of Positions: 96
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Style: R
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Level, Class: 3
Contact Finish Thickness: FLASH
Number of Rows: 3
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+378.35 грн
10+ 330.85 грн
25+ 313.37 грн
40+ 287.24 грн
150+ 273.56 грн
300+ 239.36 грн
450+ 228.71 грн
DRF960-24-1
+1
DRF960-24-1 TDK-LAMBDA DRF.pdf Category: Din Rail Mounting Power Supplies
Description: Power supply: switched-mode; for DIN rail; 960W; 24VDC; 40A; 95%
Output current: 40A
Mounting: for DIN rail mounting
Supply voltage: 180...264V AC
Operating temperature: -25...70°C
Output voltage: 24V DC
Power: 960W
Efficiency: 95%
Additional functions: adjustable output voltage
Protection: anti-overvoltage OVP; over current OCP; overheating OTP
Manufacturer series: DRF
Kind of power supply: for DIN rail
Electrical connection: terminal block
Body dimensions: 110x123.4x139mm
Indication: LED
Type of power supply: switched-mode
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+25279.48 грн
DRF960-24-1
+1
DRF960-24-1 TDK-LAMBDA DRF.pdf Category: Din Rail Mounting Power Supplies
Description: Power supply: switched-mode; for DIN rail; 960W; 24VDC; 40A; 95%
Output current: 40A
Mounting: for DIN rail mounting
Supply voltage: 180...264V AC
Operating temperature: -25...70°C
Output voltage: 24V DC
Power: 960W
Efficiency: 95%
Additional functions: adjustable output voltage
Protection: anti-overvoltage OVP; over current OCP; overheating OTP
Manufacturer series: DRF
Kind of power supply: for DIN rail
Electrical connection: terminal block
Body dimensions: 110x123.4x139mm
Indication: LED
Type of power supply: switched-mode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+30335.38 грн
DRF960-24-1 DRF960-24-1 TDK-Lambda Americas Inc drf_e.pdf Description: AC/DC DIN RAIL SUPPLY 24V 960W
Packaging: Box
Power (Watts): 960W
Features: Adjustable Output, Load Sharing, PFC, Remote On/Off, Universal Input
Size / Dimension: 5.47" L x 4.33" W x 4.86" H (139.0mm x 110.0mm x 123.4mm)
Operating Temperature: -25°C ~ 70°C (With Derating)
Applications: Industrial, ITE (Commercial)
Input Type: AC
Approval Agency: CE
Efficiency: 95%
Current - Output (Max): 40A
Voltage - Output 1: 24V
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 3 kV
AC Voltage - Input: 180 ~ 264 VAC
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+31988.9 грн
10+ 28003.31 грн
DRF960-24-1 DRF960-24-1 TDK-Lambda drf_e.pdf DIN Rail Power Supplies AC-DC, DIN Rail, Input 230VAC, Output 24V 40A, 960W
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+33661.22 грн
10+ 31428.47 грн
IRF9610 International Rectifier/Infineon 91080.pdf P-канальний ПТ; Udss, В = -200; Id = -1,8; Ptot, Вт = 20; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 170 @ -25; Qg, нКл = 11; Rds = 3 Ом; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = -3 В; TO-220
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+624 грн
10+ 62.4 грн
100+ 22.78 грн
IRF9610 Vishay 91080.pdf P-MOSFET 1.8A 200V 20W 3Ω IRF9610 TIRF9610
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+22.82 грн
Мінімальне замовлення: 30
IRF9610 Siliconix 91080.pdf P-MOSFET 1.8A 200V 20W 3Ω IRF9610 TIRF9610
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+22.82 грн
Мінімальне замовлення: 30
IRF9610PBF IRF9610PBF VISHAY IRF9610PBF.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1A; 20W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -1A
Power dissipation: 20W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+59.25 грн
10+ 35.56 грн
11+ 31.54 грн
33+ 24.15 грн
90+ 22.81 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF9610PBF IRF9610PBF VISHAY IRF9610PBF.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1A; 20W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -1A
Power dissipation: 20W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 704 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+71.1 грн
6+ 44.31 грн
10+ 37.84 грн
33+ 28.99 грн
90+ 27.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF9610PBF IRF9610PBF Vishay Semiconductors 91080.pdf MOSFET MOSFET P-CHANNEL 200V
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+106.71 грн
10+ 86.67 грн
100+ 64.09 грн
250+ 57.84 грн
500+ 51.79 грн
1000+ 45.67 грн
2000+ 43.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9610PBF IRF9610PBF Vishay 91080.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+16.61 грн
Мінімальне замовлення: 19
IRF9610PBF IRF9610PBF Vishay Siliconix 91080.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 11274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+102.43 грн
50+ 79.12 грн
100+ 65.1 грн
500+ 51.7 грн
1000+ 43.86 грн
2000+ 41.67 грн
5000+ 39.45 грн
10000+ 38.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9610PBF-BE3 IRF9610PBF-BE3 Vishay Siliconix 91080.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+102.43 грн
50+ 79.12 грн
100+ 65.1 грн
500+ 51.7 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9610PBF-BE3 IRF9610PBF-BE3 Vishay / Siliconix 91080.pdf MOSFET 200V P-CH HEXFET MOSFET
на замовлення 2721 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+112.72 грн
10+ 74.82 грн
100+ 56.04 грн
250+ 52.69 грн
500+ 50.63 грн
1000+ 43.03 грн
2000+ 42.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9610SPBF IRF9610SPBF Vishay Semiconductors sihf9610.pdf MOSFET MOSFET P-CHANNEL 200V
на замовлення 2372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+127.75 грн
10+ 97.78 грн
100+ 83.74 грн
250+ 79.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9610SPBF IRF9610SPBF Vishay Siliconix sihf9610.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 1102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.85 грн
10+ 95.61 грн
100+ 76.09 грн
500+ 60.42 грн
1000+ 51.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9620 Siliconix 91082.pdf description Transistor P-Channel MOSFET; 200V; 20V; 1,5Ohm; 3,5A; 40W; -55°C ~ 150°C; IRF9620 TIRF9620
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+26.3 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF9620PBF IRF9620PBF VISHAY IRF9620PBF.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2A; 40W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1451 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.42 грн
9+ 39.59 грн
10+ 36.23 грн
26+ 30.86 грн
70+ 28.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF9620PBF IRF9620PBF VISHAY IRF9620PBF.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2A; 40W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1451 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+73.7 грн
6+ 49.33 грн
10+ 43.48 грн
26+ 37.04 грн
70+ 34.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF9620PBF IRF9620PBF Vishay Semiconductors 91082.pdf MOSFET 200V P-CH HEXFET MOSFET
на замовлення 2756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+104.46 грн
10+ 82.22 грн
100+ 59.2 грн
500+ 53.98 грн
1000+ 53.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9620PBF IRF9620PBF Vishay 91082.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.12 грн
Мінімальне замовлення: 15
IRF9620PBF IRF9620PBF Vishay Siliconix 91082.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 3.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 5530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+102.43 грн
50+ 79.4 грн
100+ 65.33 грн
500+ 51.88 грн
1000+ 44.02 грн
2000+ 41.82 грн
5000+ 39.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9620PBF-BE3 IRF9620PBF-BE3 Vishay Siliconix 91082.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 3.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+102.43 грн
50+ 79.4 грн
100+ 65.33 грн
500+ 51.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9620PBF-BE3 IRF9620PBF-BE3 Vishay / Siliconix 91082.pdf MOSFET 200V P-CH HEXFET MOSFET
на замовлення 1815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+111.97 грн
10+ 85.19 грн
100+ 62.93 грн
500+ 54.04 грн
1000+ 53.98 грн
2000+ 43.48 грн
5000+ 41.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9620SPBF IRF9620SPBF Vishay Siliconix sihf9620.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.05 грн
10+ 130.37 грн
100+ 103.75 грн
500+ 82.39 грн
1000+ 69.9 грн
2000+ 66.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF9620SPBF IRF9620SPBF Vishay / Siliconix sihf9620.pdf MOSFET 200V P-CH HEXFET MOSFET
на замовлення 3915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.79 грн
10+ 122.96 грн
100+ 84.38 грн
250+ 78.58 грн
500+ 71.5 грн
1000+ 60.48 грн
2000+ 57.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9620STRLPBF IRF9620STRLPBF Vishay Siliconix sihf9620.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+91.17 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF9620STRLPBF IRF9620STRLPBF Vishay Semiconductors sihf9620.pdf MOSFET 200V P-CH HEXFET MOSFET
на замовлення 4790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.28 грн
10+ 117.78 грн
100+ 81.16 грн
250+ 75.36 грн
500+ 68.28 грн
800+ 52.95 грн
9600+ 52.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9620STRLPBF IRF9620STRLPBF Vishay Siliconix sihf9620.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.05 грн
10+ 130.37 грн
100+ 103.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF9622 IRF9622 Harris Corporation HRISD017-5-80.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 1128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
683+28.05 грн
Мінімальне замовлення: 683
IRF9622156 IRF9622156 Harris Corporation Description: 3A, 200V, 2.4OHM, P-CHANNEL, POW
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+28.05 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF9630 IRF9630 Harris Corporation HRISD017-5-85.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 28049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
211+90.43 грн
Мінімальне замовлення: 211
IRF9630PBF IRF9630PBF VISHAY IRF9630PBF.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; 74W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -4A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+82.37 грн
7+ 53.68 грн
10+ 47.64 грн
19+ 41.6 грн
52+ 38.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF9630PBF IRF9630PBF VISHAY IRF9630PBF.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; 74W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -4A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1121 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+98.85 грн
4+ 66.89 грн
10+ 57.17 грн
19+ 49.92 грн
52+ 46.7 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9630PBF IRF9630PBF Vishay Semiconductors IRF9630%2CSiHF9630.pdf MOSFET 200V P-CH HEXFET MOSFET
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+110.47 грн
10+ 84.45 грн
100+ 60.48 грн
500+ 50.95 грн
1000+ 41.48 грн
2000+ 39.03 грн
5000+ 37.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9630PBF IRF9630PBF Vishay sihf9630.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.92 грн
Мінімальне замовлення: 14
IRF9630PBF IRF9630PBF Vishay Siliconix IRF9630%2CSiHF9630.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+100.34 грн
50+ 77.63 грн
100+ 61.51 грн
500+ 48.93 грн
1000+ 39.86 грн
2000+ 37.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9630PBF-BE3 IRF9630PBF-BE3 Vishay / Siliconix irf9630.pdf MOSFET 200V P-CH HEXFET MOSFET
на замовлення 5352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.19 грн
10+ 74.07 грн
1000+ 61.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF9630PBF-BE3 IRF9630PBF-BE3 Vishay Siliconix irf9630.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 1802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+100.34 грн
50+ 77.63 грн
100+ 61.51 грн
500+ 48.93 грн
1000+ 39.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9630SPBF IRF9630SPBF VISHAY IRF9630S.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; 74W; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -4A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 777 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.59 грн
7+ 53.68 грн
10+ 46.97 грн
20+ 38.92 грн
55+ 36.9 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF9630SPBF IRF9630SPBF VISHAY IRF9630S.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; 74W; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -4A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 777 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+66.89 грн
10+ 56.36 грн
20+ 46.7 грн
55+ 44.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF9630SPBF IRF9630SPBF Vishay Semiconductors IRF9630S_SiHF9630S.pdf MOSFET 200V P-CH HEXFET MOSFET
на замовлення 5407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+114.98 грн
10+ 83.7 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9630SPBF IRF9630SPBF Vishay sihf9630.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SMD-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.46 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRF9630SPBF IRF9630SPBF Vishay Siliconix IRF9630S_SiHF9630S.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 4025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.37 грн
50+ 137.84 грн
100+ 113.42 грн
500+ 90.06 грн
1000+ 76.42 грн
2000+ 72.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF9630STRLPBF IRF9630STRLPBF Vishay Siliconix IRF9630S_SiHF9630S.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.37 грн
10+ 142.51 грн
100+ 113.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF9630STRLPBF IRF9630STRLPBF Vishay Siliconix IRF9630S_SiHF9630S.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+99.66 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF9630STRLPBF IRF9630STRLPBF Vishay Semiconductors IRF9630S_SiHF9630S.pdf MOSFET MOSFET P-CHANNEL 200V
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+195.39 грн
10+ 160 грн
100+ 110.79 грн
250+ 105.64 грн
500+ 90.82 грн
800+ 81.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF9632 IRF9632 Harris Corporation HRISD017-5-85.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+98.16 грн
Мінімальне замовлення: 195
IRF9640 Siliconix IRF9640_SiHF9640.pdf description P-MOSFET 11A 200V 125W 0.5Ω IRF9640 TIRF9640
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+31.26 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF9640PBF IRF9640PBF VISHAY IRF9640PBF.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -6.8A; 125W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -6.8A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.73 грн
10+ 47.5 грн
21+ 38.38 грн
56+ 36.3 грн
250+ 36.23 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF9610
Код товару: 174702
irf9610-datasheet.pdf
IRF9610
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Id,A: 1,8 A
Rds(on),Om: 3,0 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 170/11
Монтаж: THT
у наявності: 85 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+30 грн
10+ 27 грн
IRF9610PBF
Код товару: 35442
irf9610.pdf
IRF9610PBF
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Id,A: 1,8 A
Rds(on),Om: 3,0 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 170/11
Монтаж: THT
у наявності: 4 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+32 грн
IRF9622
Код товару: 30496
IRF9622.pdf
IRF9622
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Id,A: 3 А
Rds(on),Om: 2,4 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 350/16
Монтаж: THT
у наявності: 5 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+33.5 грн
IRF9640PBF
Код товару: 22646
IRF9640PBF.pdf
IRF9640PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Id,A: 11 А
Rds(on),Om: 0,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/44
Монтаж: THT
у наявності: 240 шт
очікується: 20 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+32 грн
10+ 28.8 грн
100+ 25.9 грн
IRF9640PBF
Код товару: 123234
sihf9640-datasheet.pdf
IRF9640PBF
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 200 V
Id,A: 11 А
Rds(on),Om: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/44
Монтаж: THT
у наявності: 187 шт
очікується: 20 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+35 грн
10+ 31.5 грн
100+ 27.9 грн
RF96
трансивер LoRa SX1276 маркований Hope RF
на замовлення 40 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+278.78 грн
RF9601CK
на замовлення 108 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RF9640
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RF9643
на замовлення 348 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
A-RF96ABCR ASS_5680_CO.pdf
Виробник: Assmann WSW Components
Description: DIN 41612,F,STYLE R,96,2.54,THT,
Packaging: Tray
Connector Type: Receptacle, Female Sockets
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole, Right Angle
Number of Positions: 96
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Style: R
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Level, Class: 3
Contact Finish Thickness: FLASH
Number of Rows: 3
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+378.35 грн
10+ 330.85 грн
25+ 313.37 грн
40+ 287.24 грн
150+ 273.56 грн
300+ 239.36 грн
450+ 228.71 грн
DRF960-24-1 DRF.pdf
Виробник: TDK-LAMBDA
Category: Din Rail Mounting Power Supplies
Description: Power supply: switched-mode; for DIN rail; 960W; 24VDC; 40A; 95%
Output current: 40A
Mounting: for DIN rail mounting
Supply voltage: 180...264V AC
Operating temperature: -25...70°C
Output voltage: 24V DC
Power: 960W
Efficiency: 95%
Additional functions: adjustable output voltage
Protection: anti-overvoltage OVP; over current OCP; overheating OTP
Manufacturer series: DRF
Kind of power supply: for DIN rail
Electrical connection: terminal block
Body dimensions: 110x123.4x139mm
Indication: LED
Type of power supply: switched-mode
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+25279.48 грн
DRF960-24-1 DRF.pdf
Виробник: TDK-LAMBDA
Category: Din Rail Mounting Power Supplies
Description: Power supply: switched-mode; for DIN rail; 960W; 24VDC; 40A; 95%
Output current: 40A
Mounting: for DIN rail mounting
Supply voltage: 180...264V AC
Operating temperature: -25...70°C
Output voltage: 24V DC
Power: 960W
Efficiency: 95%
Additional functions: adjustable output voltage
Protection: anti-overvoltage OVP; over current OCP; overheating OTP
Manufacturer series: DRF
Kind of power supply: for DIN rail
Electrical connection: terminal block
Body dimensions: 110x123.4x139mm
Indication: LED
Type of power supply: switched-mode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+30335.38 грн
DRF960-24-1 drf_e.pdf
DRF960-24-1
Виробник: TDK-Lambda Americas Inc
Description: AC/DC DIN RAIL SUPPLY 24V 960W
Packaging: Box
Power (Watts): 960W
Features: Adjustable Output, Load Sharing, PFC, Remote On/Off, Universal Input
Size / Dimension: 5.47" L x 4.33" W x 4.86" H (139.0mm x 110.0mm x 123.4mm)
Operating Temperature: -25°C ~ 70°C (With Derating)
Applications: Industrial, ITE (Commercial)
Input Type: AC
Approval Agency: CE
Efficiency: 95%
Current - Output (Max): 40A
Voltage - Output 1: 24V
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 3 kV
AC Voltage - Input: 180 ~ 264 VAC
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+31988.9 грн
10+ 28003.31 грн
DRF960-24-1 drf_e.pdf
DRF960-24-1
Виробник: TDK-Lambda
DIN Rail Power Supplies AC-DC, DIN Rail, Input 230VAC, Output 24V 40A, 960W
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+33661.22 грн
10+ 31428.47 грн
IRF9610 91080.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ; Udss, В = -200; Id = -1,8; Ptot, Вт = 20; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 170 @ -25; Qg, нКл = 11; Rds = 3 Ом; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = -3 В; TO-220
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+624 грн
10+ 62.4 грн
100+ 22.78 грн
IRF9610 91080.pdf
Виробник: Vishay
P-MOSFET 1.8A 200V 20W 3Ω IRF9610 TIRF9610
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+22.82 грн
Мінімальне замовлення: 30
IRF9610 91080.pdf
Виробник: Siliconix
P-MOSFET 1.8A 200V 20W 3Ω IRF9610 TIRF9610
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+22.82 грн
Мінімальне замовлення: 30
IRF9610PBF IRF9610PBF.pdf
IRF9610PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1A; 20W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -1A
Power dissipation: 20W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+59.25 грн
10+ 35.56 грн
11+ 31.54 грн
33+ 24.15 грн
90+ 22.81 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF9610PBF IRF9610PBF.pdf
IRF9610PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1A; 20W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -1A
Power dissipation: 20W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 704 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+71.1 грн
6+ 44.31 грн
10+ 37.84 грн
33+ 28.99 грн
90+ 27.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF9610PBF 91080.pdf
IRF9610PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET MOSFET P-CHANNEL 200V
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+106.71 грн
10+ 86.67 грн
100+ 64.09 грн
250+ 57.84 грн
500+ 51.79 грн
1000+ 45.67 грн
2000+ 43.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9610PBF 91080.pdf
IRF9610PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+16.61 грн
Мінімальне замовлення: 19
IRF9610PBF 91080.pdf
IRF9610PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 11274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+102.43 грн
50+ 79.12 грн
100+ 65.1 грн
500+ 51.7 грн
1000+ 43.86 грн
2000+ 41.67 грн
5000+ 39.45 грн
10000+ 38.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9610PBF-BE3 91080.pdf
IRF9610PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+102.43 грн
50+ 79.12 грн
100+ 65.1 грн
500+ 51.7 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9610PBF-BE3 91080.pdf
IRF9610PBF-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 200V P-CH HEXFET MOSFET
на замовлення 2721 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+112.72 грн
10+ 74.82 грн
100+ 56.04 грн
250+ 52.69 грн
500+ 50.63 грн
1000+ 43.03 грн
2000+ 42.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9610SPBF sihf9610.pdf
IRF9610SPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET MOSFET P-CHANNEL 200V
на замовлення 2372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+127.75 грн
10+ 97.78 грн
100+ 83.74 грн
250+ 79.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9610SPBF sihf9610.pdf
IRF9610SPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 1102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+119.85 грн
10+ 95.61 грн
100+ 76.09 грн
500+ 60.42 грн
1000+ 51.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9620 description 91082.pdf
Виробник: Siliconix
Transistor P-Channel MOSFET; 200V; 20V; 1,5Ohm; 3,5A; 40W; -55°C ~ 150°C; IRF9620 TIRF9620
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+26.3 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF9620PBF IRF9620PBF.pdf
IRF9620PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2A; 40W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1451 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+61.42 грн
9+ 39.59 грн
10+ 36.23 грн
26+ 30.86 грн
70+ 28.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF9620PBF IRF9620PBF.pdf
IRF9620PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2A; 40W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1451 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+73.7 грн
6+ 49.33 грн
10+ 43.48 грн
26+ 37.04 грн
70+ 34.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF9620PBF 91082.pdf
IRF9620PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 200V P-CH HEXFET MOSFET
на замовлення 2756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+104.46 грн
10+ 82.22 грн
100+ 59.2 грн
500+ 53.98 грн
1000+ 53.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9620PBF 91082.pdf
IRF9620PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+21.12 грн
Мінімальне замовлення: 15
IRF9620PBF 91082.pdf
IRF9620PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 3.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 5530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+102.43 грн
50+ 79.4 грн
100+ 65.33 грн
500+ 51.88 грн
1000+ 44.02 грн
2000+ 41.82 грн
5000+ 39.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9620PBF-BE3 91082.pdf
IRF9620PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 3.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+102.43 грн
50+ 79.4 грн
100+ 65.33 грн
500+ 51.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9620PBF-BE3 91082.pdf
IRF9620PBF-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 200V P-CH HEXFET MOSFET
на замовлення 1815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+111.97 грн
10+ 85.19 грн
100+ 62.93 грн
500+ 54.04 грн
1000+ 53.98 грн
2000+ 43.48 грн
5000+ 41.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9620SPBF sihf9620.pdf
IRF9620SPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+163.05 грн
10+ 130.37 грн
100+ 103.75 грн
500+ 82.39 грн
1000+ 69.9 грн
2000+ 66.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF9620SPBF sihf9620.pdf
IRF9620SPBF
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 200V P-CH HEXFET MOSFET
на замовлення 3915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+148.79 грн
10+ 122.96 грн
100+ 84.38 грн
250+ 78.58 грн
500+ 71.5 грн
1000+ 60.48 грн
2000+ 57.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9620STRLPBF sihf9620.pdf
IRF9620STRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+91.17 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF9620STRLPBF sihf9620.pdf
IRF9620STRLPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 200V P-CH HEXFET MOSFET
на замовлення 4790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+144.28 грн
10+ 117.78 грн
100+ 81.16 грн
250+ 75.36 грн
500+ 68.28 грн
800+ 52.95 грн
9600+ 52.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9620STRLPBF sihf9620.pdf
IRF9620STRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+163.05 грн
10+ 130.37 грн
100+ 103.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF9622 HRISD017-5-80.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF9622
Виробник: Harris Corporation
Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 1128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
683+28.05 грн
Мінімальне замовлення: 683
IRF9622156
IRF9622156
Виробник: Harris Corporation
Description: 3A, 200V, 2.4OHM, P-CHANNEL, POW
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+28.05 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF9630 HRISD017-5-85.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF9630
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 28049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
211+90.43 грн
Мінімальне замовлення: 211
IRF9630PBF IRF9630PBF.pdf
IRF9630PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; 74W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -4A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+82.37 грн
7+ 53.68 грн
10+ 47.64 грн
19+ 41.6 грн
52+ 38.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF9630PBF IRF9630PBF.pdf
IRF9630PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; 74W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -4A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1121 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+98.85 грн
4+ 66.89 грн
10+ 57.17 грн
19+ 49.92 грн
52+ 46.7 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9630PBF IRF9630%2CSiHF9630.pdf
IRF9630PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 200V P-CH HEXFET MOSFET
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+110.47 грн
10+ 84.45 грн
100+ 60.48 грн
500+ 50.95 грн
1000+ 41.48 грн
2000+ 39.03 грн
5000+ 37.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9630PBF sihf9630.pdf
IRF9630PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+22.92 грн
Мінімальне замовлення: 14
IRF9630PBF IRF9630%2CSiHF9630.pdf
IRF9630PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+100.34 грн
50+ 77.63 грн
100+ 61.51 грн
500+ 48.93 грн
1000+ 39.86 грн
2000+ 37.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9630PBF-BE3 irf9630.pdf
IRF9630PBF-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 200V P-CH HEXFET MOSFET
на замовлення 5352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+96.19 грн
10+ 74.07 грн
1000+ 61.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF9630PBF-BE3 irf9630.pdf
IRF9630PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 1802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+100.34 грн
50+ 77.63 грн
100+ 61.51 грн
500+ 48.93 грн
1000+ 39.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9630SPBF IRF9630S.pdf
IRF9630SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; 74W; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -4A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 777 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+63.59 грн
7+ 53.68 грн
10+ 46.97 грн
20+ 38.92 грн
55+ 36.9 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF9630SPBF IRF9630S.pdf
IRF9630SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; 74W; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -4A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 777 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+66.89 грн
10+ 56.36 грн
20+ 46.7 грн
55+ 44.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF9630SPBF IRF9630S_SiHF9630S.pdf
IRF9630SPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 200V P-CH HEXFET MOSFET
на замовлення 5407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+114.98 грн
10+ 83.7 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9630SPBF sihf9630.pdf
IRF9630SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SMD-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+29.46 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRF9630SPBF IRF9630S_SiHF9630S.pdf
IRF9630SPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 4025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+178.37 грн
50+ 137.84 грн
100+ 113.42 грн
500+ 90.06 грн
1000+ 76.42 грн
2000+ 72.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF9630STRLPBF IRF9630S_SiHF9630S.pdf
IRF9630STRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+178.37 грн
10+ 142.51 грн
100+ 113.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF9630STRLPBF IRF9630S_SiHF9630S.pdf
IRF9630STRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+99.66 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF9630STRLPBF IRF9630S_SiHF9630S.pdf
IRF9630STRLPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET MOSFET P-CHANNEL 200V
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+195.39 грн
10+ 160 грн
100+ 110.79 грн
250+ 105.64 грн
500+ 90.82 грн
800+ 81.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF9632 HRISD017-5-85.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF9632
Виробник: Harris Corporation
Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
195+98.16 грн
Мінімальне замовлення: 195
IRF9640 description IRF9640_SiHF9640.pdf
Виробник: Siliconix
P-MOSFET 11A 200V 125W 0.5Ω IRF9640 TIRF9640
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+31.26 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF9640PBF IRF9640PBF.pdf
IRF9640PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -6.8A; 125W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -6.8A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+50.73 грн
10+ 47.5 грн
21+ 38.38 грн
56+ 36.3 грн
250+ 36.23 грн
Мінімальне замовлення: 7
Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]