Продукція > SEMIQ > Всі товари виробника SEMIQ (284) > Сторінка 1 з 5

Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GCMS004A120S7B1 GCMS004A120S7B1 SemiQ GCMS004A120S7B1.pdf Description: SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS007C120S1-E1 GCMS007C120S1-E1 SemiQ GCMS007C120S1-E1.pdf Description: GEN3 1200V 7M SIC MOSFET & SBD
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 189A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 100A, 18V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 536W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 505 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13094 pF @ 1000 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2971.71 грн
10+2138.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS008A120B1B1 GCMS008A120B1B1 SemiQ GCMS008A120B1B1.pdf Description: SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS008C120S1-E1 GCMS008C120S1-E1 SemiQ GCMS008C120S1-E1.pdf Description: GEN3 1200V 8M SIC MOSFET & SBD
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 189A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 100A, 18V
Power Dissipation (Max): 536W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 506 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14085 pF @ 1000 V
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3040.17 грн
10+2190.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS008C120S1-E1 GCMS008C120S1-E1 SemiQ GCMS008C120S1_E1-3601839.pdf MOSFET Modules Gen3 1200V 8mohm SiC MOSFET & SBD Module, SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS010B120S1-E1 GCMS010B120S1-E1 SemiQ GCMS010B120S1-E1.pdf Description: 1700V, 15M SIC MOSFET MODULE, SO
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 204A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 20V
Power Dissipation (Max): 652W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 416 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10878 pF @ 1000 V
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3965.14 грн
10+2903.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS014C120S1-E1 GCMS014C120S1-E1 SemiQ GCMS014C120S1-E1.pdf Description: GEN3 1200V 14M SIC MOSFET & SBD
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 50A, 18V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 303W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 259 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6331 pF @ 1000 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2248.68 грн
10+1591.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS016C120S1-E1 GCMS016C120S1-E1 SemiQ GCMS016C120S1-E1.pdf Description: GEN3 1200V 16M SIC MOSFET & SBD
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 303W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 249 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6796 pF @ 1000 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2323.12 грн
10+1648.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS020A120S1-E1 GCMS020A120S1-E1 SemiQ GCMS020A120S1_E1-1951826.pdf Discrete Semiconductor Modules SiC MOSFET/ SBD Module SOT-227 Copak 1200V 20 mohm
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+11185.83 грн
10+9867.12 грн
20+8444.05 грн
50+8234.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS020A120S1-E1 GCMS020A120S1-E1 SemiQ GCMS020A120S1-E1.pdf Description: SIC MOSFET/ SBD MODULE SOT-227 C
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS020B120S1-E1 GCMS020B120S1-E1 SemiQ GCMS020B120S1-E1.pdf Description: SIC 1200V 20M MOSFET & 50A SBD S
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5279 pF @ 1000 V
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2744.96 грн
10+1965.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS020B120S1-E1 GCMS020B120S1-E1 SemiQ GCMS020B120S1_E1-3393786.pdf Discrete Semiconductor Modules SiC 1200V 20mohm MOSFET & 50A SBD SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS034C120S1-E1 GCMS034C120S1-E1 SemiQ GCMS034C120S1-E1.pdf Description: GEN3 1200V 34M SIC MOSFET & SBD
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 20A, 18V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2609 pF @ 1000 V
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1852.51 грн
10+1296.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS040A120B1H1 SemiQ GCMS040A120B1H1.pdf Description: SIC MOSFET FULL BRIDGE MODULE B1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS040A120B3C1 SemiQ GCMS040A120B3C1.pdf Description: SIC MOSFET 6-PACK MODULE B2_EASY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS040A120S1-E1 SemiQ GCMS040A120S1-E1.pdf Description: SIC MOSFET/ SBD MODULE SOT-227 C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS040A120S1-E1 GCMS040A120S1-E1 SemiQ GCMS040A120S1_E1-1916658.pdf Discrete Semiconductor Modules SiC MOSFET/SBD Module SOT-227 Copak 1200V 40 mohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS040B120S1-E1 GCMS040B120S1-E1 SemiQ GCMS040B120S1_E1.pdf MOSFET Modules 1200V SiC COPACK Power Module
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2314.50 грн
10+1732.91 грн
100+1323.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS040B120S1-E1 GCMS040B120S1-E1 SemiQ GCMS040B120S1-E1.pdf Description: SIC 1200V 40M MOSFET & 15A SBD S
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3110 pF @ 1000 V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2180.23 грн
10+1540.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS040C120S1-E1 GCMS040C120S1-E1 SemiQ GCMS040C120S1-E1.pdf Description: GEN3 1200V 40M SIC MOSFET & SBD
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2745 pF @ 1000 V
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1804.59 грн
10+1261.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS080A120S1-E1 GCMS080A120S1-E1 SemiQ GCMS080A120S1_E1-1916710.pdf Discrete Semiconductor Modules SiC MOSFET/SBD Module SOT-227 Copak 1200V 80 mohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS080B120S1-E1 GCMS080B120S1-E1 SemiQ GCMS080B120S1-E1.pdf Description: SIC 1200V 80M MOSFET & 10A SBD S
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1374 pF @ 1000 V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1622.33 грн
10+1126.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS080B120S1-E1 GCMS080B120S1-E1 SemiQ GCMS080B120S1_E1.pdf Discrete Semiconductor Modules SiC 1200V 80mO MOSFET & 10A SBD SOT-227
на замовлення 759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1770.94 грн
10+1266.25 грн
100+1069.45 грн
1000+926.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS080C120S1-E1 GCMS080C120S1-E1 SemiQ GCMS080C120S1-E1.pdf Description: GEN3 1200V 80M SIC MOSFET & SBD
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 118W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1332 pF @ 1000 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1614.63 грн
10+1120.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS080C120S1-E1 GCMS080C120S1-E1 SemiQ GCMS080C120S1-E1.pdf MOSFET Modules Gen3 1200V 80mohm SiC MOSFET & SBD Module, SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX003A120S3B1-N GCMX003A120S3B1-N SemiQ GCMX003A120S3B1-N.pdf Description: 1200V, 3M SIC MOSFET HALF BRIDGE
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 2113W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 625A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41400pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 300A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1408nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120mA
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17242.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX003A120S3B1-N GCMX003A120S3B1-N SemiQ GCMX003A120S3B1-N.pdf MOSFET Modules 1200V, 3mohm, 625A SiC MOSFET Half Bridge Module
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+20696.69 грн
10+17387.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX003A120S7B1 SemiQ GCMX003A120S7B1.pdf Description: 1200V 3M SIC HALF BRIDGE 62MM MO
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 1.546kW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 529A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37200pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 300A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1326nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX005A120S3B1-N SemiQ gcmx005a120s3b1-n.pdf Description: 1200V, 5M SIC MOSFET HALF BRIDGE
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 1.531kW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 424A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26400pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 200A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 901nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80mA
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14173.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX005A170S3B1-N GCMX005A170S3B1-N SemiQ Description: SIC MOSFET MOD
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 2113W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700V (1.7kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 397A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43600pF @ 1200V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 200A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1416nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120mA
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+22940.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX007C120S1-E1 GCMX007C120S1-E1 SemiQ GCMX007C120S1-E1.pdf Description: GEN3 1200V 7M SIC MOSFET MODULE,
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 100A, 18V
Power Dissipation (Max): 536W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 510 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12952 pF @ 1000 V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2342.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX008C120S1-E1 GCMX008C120S1-E1 SemiQ GCMX008C120S1-E1.pdf Description: GEN3 1200V 8M SIC MOSFET MODULE,
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 188A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 100A, 18V
Power Dissipation (Max): 536W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 506 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14067 pF @ 1000 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2400.13 грн
10+1705.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX010A120B2B1P GCMX010A120B2B1P SemiQ GCMX010A120B2B1P.pdf Description: MOSFET 2N-CH 1200V 214A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 750W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 214A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 100A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 476nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40mA
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6070.06 грн
10+4662.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX010A120B2B1P GCMX010A120B2B1P SemiQ GCMX010A120B2B1P-3393547.pdf MOSFET Modules SiC 1200V 10mohm MOSFET Half-Bridge Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX010A120B3B1P GCMX010A120B3B1P SemiQ GCMX010A120B3B1P_rev1_0-3394168.pdf MOSFET Modules SiC 1200V 10mohm MOSFET Half-Bridge Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX010A120B3B1P GCMX010A120B3B1P SemiQ GCMX010A120B3B1P_rev1.0.pdf Description: SIC 1200V 10M MOSFET HALF-BRIDGE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 577W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 173A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 483nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40mA
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7831.02 грн
10+6211.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX010A120B3H1P GCMX010A120B3H1P SemiQ gcmx010a120b3h1p-3571089.pdf MOSFET Modules 1200V, 10mohm SiC MOSFET Full Bridge Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX010B120S1-E1 GCMX010B120S1-E1 SemiQ GCMX010B120S1-E1.pdf Description: 1200V, 10M SIC MOSFET MODULE, SO
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 204A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 20V
Power Dissipation (Max): 652W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 418 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10864 pF @ 1000 V
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3178.78 грн
10+2296.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX014C120S1-E1 GCMX014C120S1-E1 SemiQ GCMX014C120S1-E1.pdf Description: GEN3 1200V 14M SIC MOSFET MODULE
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 303W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 261 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6288 pF @ 1000 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1986.85 грн
10+1394.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX015A170S1-E1 GCMX015A170S1-E1 SemiQ Description: SIC MOSFET MOD
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 100A, 20V
Power Dissipation (Max): 652W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 430 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12803 pF @ 1.2 kV
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4096.91 грн
10+3004.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX016C120S1-E1 GCMX016C120S1-E1 SemiQ GCMX016C120S1-E1.pdf Description: GEN3 1200V 16M SIC MOSFET MODULE
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 303W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 248 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6822 pF @ 1000 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2013.37 грн
10+1413.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX020A120B2B1P GCMX020A120B2B1P SemiQ GCMX020A120B2B1P-3393646.pdf Discrete Semiconductor Modules SiC 1200V 20mohm MOSFET Half-Bridge Module
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5035.98 грн
10+4513.75 грн
25+3792.90 грн
50+3662.38 грн
100+3531.08 грн
250+3399.77 грн
500+3368.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX020A120B2H1P GCMX020A120B2H1P SemiQ GCMX020A120B2H1P_rev1.0.pdf Description: MOSFET 4N-CH 1200V 102A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 333W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 50A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8099.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX020A120B2H1P GCMX020A120B2H1P SemiQ GCMX020A120B2H1P_rev1.0.pdf MOSFET Modules SiC 1200V 20mohm MOSFET Full-Bridge Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX020A120B3H1P GCMX020A120B3H1P SemiQ MOSFET Modules SiC 1200V 20mohm MOSFET Full-Bridge Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX020B120S1-E1 GCMX020B120S1-E1 SemiQ GCMX020B120S1_E1-3393785.pdf MOSFET Modules SiC 1200V 20mohm MOSFET SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX020B120S1-E1 GCMX020B120S1-E1 SemiQ GCMX020B120S1-E1.pdf Description: SIC 1200V 20M MOSFET SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5349 pF @ 1000 V
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2296.60 грн
10+1628.08 грн
100+1413.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX030A170S1-E1 GCMX030A170S1-E1 SemiQ Description: SIC MOSFET MOD
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 226 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6333 pF @ 1.2 kV
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2800.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX034C120S1-E1 GCMX034C120S1-E1 SemiQ GCMX034C120S1-E1.pdf Description: GEN3 1200V 34M SIC MOSFET MODULE
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 1000 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1712.18 грн
10+1192.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX040A120B2H1P GCMX040A120B2H1P SemiQ GCMX040A120B2H1P_rev1.0.pdf MOSFET Modules SiC 1200V 40mohm MOSFET Full-Bridge Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX040A120B2H1P GCMX040A120B2H1P SemiQ GCMX040A120B2H1P_rev1.0.pdf Description: SIC 1200V 40M MOSFET FULL-BRIDGE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 217W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121nC @ 20V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX040A120B3H1P GCMX040A120B3H1P SemiQ MOSFET Modules SiC 1200V 40mohm MOSFET Full-Bridge Module
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4578.24 грн
10+3590.44 грн
40+3122.12 грн
100+2887.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX040B120S1-E1 GCMX040B120S1-E1 SemiQ GCMX040B120S1-E1.pdf Description: SIC 1200V 40M MOSFET SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3185 pF @ 1000 V
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1702.77 грн
10+1185.12 грн
100+968.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX040B120S1-E1 GCMX040B120S1-E1 SemiQ GCMX040B120S1_E1-3105082.pdf MOSFET Modules
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2459.39 грн
10+1806.59 грн
200+1385.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX040C120S1-E1 GCMX040C120S1-E1 SemiQ GCMX040C120S1-E1.pdf Description: GEN3 1200V 40M SIC MOSFET MODULE
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 1000 V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1648.86 грн
10+1145.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX080A120B2H1P GCMX080A120B2H1P SemiQ GCMX080A120B2H1P.pdf MOSFET Modules SiC 1200V 80mohm MOSFET Full-Bridge Module
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3168.13 грн
10+2610.73 грн
40+2270.20 грн
100+1971.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX080A120B2H1P GCMX080A120B2H1P SemiQ GCMX080A120B2H1P.pdf Description: MOSFET 4N-CH 1200V 27A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 119W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1362pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3206.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX080A120B2H2P SemiQ GCMX080A120B2H2P.pdf Description: 1200V, 80M SIC MOSFET FULL BRIDG
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 119W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3362.75 грн
10+2435.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX080A120B2H2P GCMX080A120B2H2P SemiQ GCMX080A120B2H2P.pdf MOSFET Modules 1200V, 80mohm SiC MOSFET Full Bridge Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX080A120B2T1P GCMX080A120B2T1P SemiQ GCMX080A120B2T1P.pdf MOSFET Modules 1200V 80ohm SiC MOSFET Six-Pack Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS004A120S7B1 GCMS004A120S7B1.pdf
GCMS004A120S7B1
Виробник: SemiQ
Description: SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS007C120S1-E1 GCMS007C120S1-E1.pdf
GCMS007C120S1-E1
Виробник: SemiQ
Description: GEN3 1200V 7M SIC MOSFET & SBD
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 189A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 100A, 18V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 536W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 505 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13094 pF @ 1000 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2971.71 грн
10+2138.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS008A120B1B1 GCMS008A120B1B1.pdf
GCMS008A120B1B1
Виробник: SemiQ
Description: SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS008C120S1-E1 GCMS008C120S1-E1.pdf
GCMS008C120S1-E1
Виробник: SemiQ
Description: GEN3 1200V 8M SIC MOSFET & SBD
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 189A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 100A, 18V
Power Dissipation (Max): 536W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 506 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14085 pF @ 1000 V
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3040.17 грн
10+2190.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS008C120S1-E1 GCMS008C120S1_E1-3601839.pdf
GCMS008C120S1-E1
Виробник: SemiQ
MOSFET Modules Gen3 1200V 8mohm SiC MOSFET & SBD Module, SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS010B120S1-E1 GCMS010B120S1-E1.pdf
GCMS010B120S1-E1
Виробник: SemiQ
Description: 1700V, 15M SIC MOSFET MODULE, SO
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 204A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 20V
Power Dissipation (Max): 652W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 416 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10878 pF @ 1000 V
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3965.14 грн
10+2903.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS014C120S1-E1 GCMS014C120S1-E1.pdf
GCMS014C120S1-E1
Виробник: SemiQ
Description: GEN3 1200V 14M SIC MOSFET & SBD
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 50A, 18V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 303W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 259 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6331 pF @ 1000 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2248.68 грн
10+1591.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS016C120S1-E1 GCMS016C120S1-E1.pdf
GCMS016C120S1-E1
Виробник: SemiQ
Description: GEN3 1200V 16M SIC MOSFET & SBD
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 303W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 249 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6796 pF @ 1000 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2323.12 грн
10+1648.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS020A120S1-E1 GCMS020A120S1_E1-1951826.pdf
GCMS020A120S1-E1
Виробник: SemiQ
Discrete Semiconductor Modules SiC MOSFET/ SBD Module SOT-227 Copak 1200V 20 mohm
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+11185.83 грн
10+9867.12 грн
20+8444.05 грн
50+8234.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS020A120S1-E1 GCMS020A120S1-E1.pdf
GCMS020A120S1-E1
Виробник: SemiQ
Description: SIC MOSFET/ SBD MODULE SOT-227 C
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS020B120S1-E1 GCMS020B120S1-E1.pdf
GCMS020B120S1-E1
Виробник: SemiQ
Description: SIC 1200V 20M MOSFET & 50A SBD S
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5279 pF @ 1000 V
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2744.96 грн
10+1965.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS020B120S1-E1 GCMS020B120S1_E1-3393786.pdf
GCMS020B120S1-E1
Виробник: SemiQ
Discrete Semiconductor Modules SiC 1200V 20mohm MOSFET & 50A SBD SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS034C120S1-E1 GCMS034C120S1-E1.pdf
GCMS034C120S1-E1
Виробник: SemiQ
Description: GEN3 1200V 34M SIC MOSFET & SBD
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 20A, 18V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2609 pF @ 1000 V
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1852.51 грн
10+1296.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS040A120B1H1 GCMS040A120B1H1.pdf
Виробник: SemiQ
Description: SIC MOSFET FULL BRIDGE MODULE B1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS040A120B3C1 GCMS040A120B3C1.pdf
Виробник: SemiQ
Description: SIC MOSFET 6-PACK MODULE B2_EASY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS040A120S1-E1 GCMS040A120S1-E1.pdf
Виробник: SemiQ
Description: SIC MOSFET/ SBD MODULE SOT-227 C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS040A120S1-E1 GCMS040A120S1_E1-1916658.pdf
GCMS040A120S1-E1
Виробник: SemiQ
Discrete Semiconductor Modules SiC MOSFET/SBD Module SOT-227 Copak 1200V 40 mohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS040B120S1-E1 GCMS040B120S1_E1.pdf
GCMS040B120S1-E1
Виробник: SemiQ
MOSFET Modules 1200V SiC COPACK Power Module
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2314.50 грн
10+1732.91 грн
100+1323.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS040B120S1-E1 GCMS040B120S1-E1.pdf
GCMS040B120S1-E1
Виробник: SemiQ
Description: SIC 1200V 40M MOSFET & 15A SBD S
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3110 pF @ 1000 V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2180.23 грн
10+1540.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS040C120S1-E1 GCMS040C120S1-E1.pdf
GCMS040C120S1-E1
Виробник: SemiQ
Description: GEN3 1200V 40M SIC MOSFET & SBD
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2745 pF @ 1000 V
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1804.59 грн
10+1261.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS080A120S1-E1 GCMS080A120S1_E1-1916710.pdf
GCMS080A120S1-E1
Виробник: SemiQ
Discrete Semiconductor Modules SiC MOSFET/SBD Module SOT-227 Copak 1200V 80 mohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS080B120S1-E1 GCMS080B120S1-E1.pdf
GCMS080B120S1-E1
Виробник: SemiQ
Description: SIC 1200V 80M MOSFET & 10A SBD S
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1374 pF @ 1000 V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1622.33 грн
10+1126.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS080B120S1-E1 GCMS080B120S1_E1.pdf
GCMS080B120S1-E1
Виробник: SemiQ
Discrete Semiconductor Modules SiC 1200V 80mO MOSFET & 10A SBD SOT-227
на замовлення 759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1770.94 грн
10+1266.25 грн
100+1069.45 грн
1000+926.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS080C120S1-E1 GCMS080C120S1-E1.pdf
GCMS080C120S1-E1
Виробник: SemiQ
Description: GEN3 1200V 80M SIC MOSFET & SBD
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 118W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1332 pF @ 1000 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1614.63 грн
10+1120.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS080C120S1-E1 GCMS080C120S1-E1.pdf
GCMS080C120S1-E1
Виробник: SemiQ
MOSFET Modules Gen3 1200V 80mohm SiC MOSFET & SBD Module, SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX003A120S3B1-N GCMX003A120S3B1-N.pdf
GCMX003A120S3B1-N
Виробник: SemiQ
Description: 1200V, 3M SIC MOSFET HALF BRIDGE
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 2113W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 625A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41400pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 300A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1408nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120mA
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+17242.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX003A120S3B1-N GCMX003A120S3B1-N.pdf
GCMX003A120S3B1-N
Виробник: SemiQ
MOSFET Modules 1200V, 3mohm, 625A SiC MOSFET Half Bridge Module
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+20696.69 грн
10+17387.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX003A120S7B1 GCMX003A120S7B1.pdf
Виробник: SemiQ
Description: 1200V 3M SIC HALF BRIDGE 62MM MO
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 1.546kW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 529A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37200pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 300A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1326nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX005A120S3B1-N gcmx005a120s3b1-n.pdf
Виробник: SemiQ
Description: 1200V, 5M SIC MOSFET HALF BRIDGE
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 1.531kW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 424A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26400pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 200A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 901nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80mA
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+14173.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX005A170S3B1-N
GCMX005A170S3B1-N
Виробник: SemiQ
Description: SIC MOSFET MOD
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 2113W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700V (1.7kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 397A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43600pF @ 1200V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 200A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1416nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120mA
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+22940.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX007C120S1-E1 GCMX007C120S1-E1.pdf
GCMX007C120S1-E1
Виробник: SemiQ
Description: GEN3 1200V 7M SIC MOSFET MODULE,
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 100A, 18V
Power Dissipation (Max): 536W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 510 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12952 pF @ 1000 V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2342.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX008C120S1-E1 GCMX008C120S1-E1.pdf
GCMX008C120S1-E1
Виробник: SemiQ
Description: GEN3 1200V 8M SIC MOSFET MODULE,
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 188A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 100A, 18V
Power Dissipation (Max): 536W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 506 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14067 pF @ 1000 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2400.13 грн
10+1705.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX010A120B2B1P GCMX010A120B2B1P.pdf
GCMX010A120B2B1P
Виробник: SemiQ
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 214A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 750W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 214A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 100A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 476nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40mA
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6070.06 грн
10+4662.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX010A120B2B1P GCMX010A120B2B1P-3393547.pdf
GCMX010A120B2B1P
Виробник: SemiQ
MOSFET Modules SiC 1200V 10mohm MOSFET Half-Bridge Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX010A120B3B1P GCMX010A120B3B1P_rev1_0-3394168.pdf
GCMX010A120B3B1P
Виробник: SemiQ
MOSFET Modules SiC 1200V 10mohm MOSFET Half-Bridge Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX010A120B3B1P GCMX010A120B3B1P_rev1.0.pdf
GCMX010A120B3B1P
Виробник: SemiQ
Description: SIC 1200V 10M MOSFET HALF-BRIDGE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 577W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 173A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 483nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40mA
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7831.02 грн
10+6211.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX010A120B3H1P gcmx010a120b3h1p-3571089.pdf
GCMX010A120B3H1P
Виробник: SemiQ
MOSFET Modules 1200V, 10mohm SiC MOSFET Full Bridge Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX010B120S1-E1 GCMX010B120S1-E1.pdf
GCMX010B120S1-E1
Виробник: SemiQ
Description: 1200V, 10M SIC MOSFET MODULE, SO
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 204A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 20V
Power Dissipation (Max): 652W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 418 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10864 pF @ 1000 V
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3178.78 грн
10+2296.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX014C120S1-E1 GCMX014C120S1-E1.pdf
GCMX014C120S1-E1
Виробник: SemiQ
Description: GEN3 1200V 14M SIC MOSFET MODULE
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 303W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 261 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6288 pF @ 1000 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1986.85 грн
10+1394.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX015A170S1-E1
GCMX015A170S1-E1
Виробник: SemiQ
Description: SIC MOSFET MOD
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 100A, 20V
Power Dissipation (Max): 652W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 430 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12803 pF @ 1.2 kV
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4096.91 грн
10+3004.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX016C120S1-E1 GCMX016C120S1-E1.pdf
GCMX016C120S1-E1
Виробник: SemiQ
Description: GEN3 1200V 16M SIC MOSFET MODULE
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 303W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 248 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6822 pF @ 1000 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2013.37 грн
10+1413.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX020A120B2B1P GCMX020A120B2B1P-3393646.pdf
GCMX020A120B2B1P
Виробник: SemiQ
Discrete Semiconductor Modules SiC 1200V 20mohm MOSFET Half-Bridge Module
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5035.98 грн
10+4513.75 грн
25+3792.90 грн
50+3662.38 грн
100+3531.08 грн
250+3399.77 грн
500+3368.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX020A120B2H1P GCMX020A120B2H1P_rev1.0.pdf
GCMX020A120B2H1P
Виробник: SemiQ
Description: MOSFET 4N-CH 1200V 102A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 333W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 50A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8099.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX020A120B2H1P GCMX020A120B2H1P_rev1.0.pdf
GCMX020A120B2H1P
Виробник: SemiQ
MOSFET Modules SiC 1200V 20mohm MOSFET Full-Bridge Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX020A120B3H1P
GCMX020A120B3H1P
Виробник: SemiQ
MOSFET Modules SiC 1200V 20mohm MOSFET Full-Bridge Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX020B120S1-E1 GCMX020B120S1_E1-3393785.pdf
GCMX020B120S1-E1
Виробник: SemiQ
MOSFET Modules SiC 1200V 20mohm MOSFET SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX020B120S1-E1 GCMX020B120S1-E1.pdf
GCMX020B120S1-E1
Виробник: SemiQ
Description: SIC 1200V 20M MOSFET SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5349 pF @ 1000 V
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2296.60 грн
10+1628.08 грн
100+1413.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX030A170S1-E1
GCMX030A170S1-E1
Виробник: SemiQ
Description: SIC MOSFET MOD
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 226 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6333 pF @ 1.2 kV
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2800.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX034C120S1-E1 GCMX034C120S1-E1.pdf
GCMX034C120S1-E1
Виробник: SemiQ
Description: GEN3 1200V 34M SIC MOSFET MODULE
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 1000 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1712.18 грн
10+1192.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX040A120B2H1P GCMX040A120B2H1P_rev1.0.pdf
GCMX040A120B2H1P
Виробник: SemiQ
MOSFET Modules SiC 1200V 40mohm MOSFET Full-Bridge Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX040A120B2H1P GCMX040A120B2H1P_rev1.0.pdf
GCMX040A120B2H1P
Виробник: SemiQ
Description: SIC 1200V 40M MOSFET FULL-BRIDGE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 217W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121nC @ 20V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX040A120B3H1P
GCMX040A120B3H1P
Виробник: SemiQ
MOSFET Modules SiC 1200V 40mohm MOSFET Full-Bridge Module
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4578.24 грн
10+3590.44 грн
40+3122.12 грн
100+2887.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX040B120S1-E1 GCMX040B120S1-E1.pdf
GCMX040B120S1-E1
Виробник: SemiQ
Description: SIC 1200V 40M MOSFET SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3185 pF @ 1000 V
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1702.77 грн
10+1185.12 грн
100+968.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX040B120S1-E1 GCMX040B120S1_E1-3105082.pdf
GCMX040B120S1-E1
Виробник: SemiQ
MOSFET Modules
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2459.39 грн
10+1806.59 грн
200+1385.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX040C120S1-E1 GCMX040C120S1-E1.pdf
GCMX040C120S1-E1
Виробник: SemiQ
Description: GEN3 1200V 40M SIC MOSFET MODULE
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 1000 V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1648.86 грн
10+1145.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX080A120B2H1P GCMX080A120B2H1P.pdf
GCMX080A120B2H1P
Виробник: SemiQ
MOSFET Modules SiC 1200V 80mohm MOSFET Full-Bridge Module
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3168.13 грн
10+2610.73 грн
40+2270.20 грн
100+1971.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX080A120B2H1P GCMX080A120B2H1P.pdf
GCMX080A120B2H1P
Виробник: SemiQ
Description: MOSFET 4N-CH 1200V 27A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 119W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1362pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3206.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX080A120B2H2P GCMX080A120B2H2P.pdf
Виробник: SemiQ
Description: 1200V, 80M SIC MOSFET FULL BRIDG
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 119W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3362.75 грн
10+2435.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX080A120B2H2P GCMX080A120B2H2P.pdf
GCMX080A120B2H2P
Виробник: SemiQ
MOSFET Modules 1200V, 80mohm SiC MOSFET Full Bridge Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX080A120B2T1P GCMX080A120B2T1P.pdf
GCMX080A120B2T1P
Виробник: SemiQ
MOSFET Modules 1200V 80ohm SiC MOSFET Six-Pack Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5  [ Наступна Сторінка >> ]