Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
GCMS004A120S7B1 | SemiQ |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
GCMS008A120B1B1 | SemiQ |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
GCMS010B120S1-E1 | SemiQ |
Description: 1700V, 15M SIC MOSFET MODULE, SO Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 204A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 20V Power Dissipation (Max): 652W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40mA Supplier Device Package: SOT-227 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 416 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10878 pF @ 1000 V |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
GCMS020A120S1-E1 | SemiQ |
![]() |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
GCMS020A120S1-E1 | SemiQ |
![]() |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
GCMS020B120S1-E1 | SemiQ |
![]() Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 113A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 50A, 20V Power Dissipation (Max): 395W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA Supplier Device Package: SOT-227 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5279 pF @ 1000 V |
на замовлення 44 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
GCMS040A120B1H1 | SemiQ |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
GCMS040A120B3C1 | SemiQ |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
GCMS040A120S1-E1 | SemiQ |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
GCMS040A120S1-E1 | SemiQ |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
GCMS040B120S1-E1 | SemiQ |
![]() |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
GCMS040B120S1-E1 | SemiQ |
![]() Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V Power Dissipation (Max): 242W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA Supplier Device Package: SOT-227 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3110 pF @ 1000 V |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
GCMS080A120S1-E1 | SemiQ |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
GCMS080B120S1-E1 | SemiQ |
![]() Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V Power Dissipation (Max): 142W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA Supplier Device Package: SOT-227 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1374 pF @ 1000 V |
на замовлення 37 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
GCMS080B120S1-E1 | SemiQ |
![]() |
на замовлення 1386 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
GCMX010A120B2B1P | SemiQ |
![]() Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 750W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 214A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 100A, 20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 476nC @ 20V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40mA |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
GCMX010A120B3B1P | SemiQ |
![]() Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 577W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 173A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 483nC @ 20V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40mA |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
GCMX010B120S1-E1 | SemiQ |
![]() Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 204A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 20V Power Dissipation (Max): 652W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40mA Supplier Device Package: SOT-227 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 418 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10864 pF @ 1000 V |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
GCMX015A170S1-E1 | SemiQ |
Description: SIC MOSFET MOD Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 100A, 20V Power Dissipation (Max): 652W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40mA Supplier Device Package: SOT-227 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 430 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12803 pF @ 1.2 kV |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
GCMX020A120B2B1P | SemiQ |
![]() |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
GCMX020A120B2H1P | SemiQ |
![]() Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 333W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 50A, 20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222nC @ 20V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
GCMX020A120B3H1P | SemiQ |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
GCMX020B120S1-E1 | SemiQ |
![]() Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 113A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 50A, 20V Power Dissipation (Max): 395W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA Supplier Device Package: SOT-227 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5349 pF @ 1000 V |
на замовлення 54 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
GCMX030A170S1-E1 | SemiQ |
Description: SIC MOSFET MOD Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 50A, 20V Power Dissipation (Max): 341W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA Supplier Device Package: SOT-227 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 226 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6333 pF @ 1.2 kV |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
GCMX040A120B2H1P | SemiQ |
![]() Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 217W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121nC @ 20V FET Feature: Silicon Carbide (SiC) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
GCMX040A120B2H1P | SemiQ |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
GCMX040A120B3H1P | SemiQ |
![]() |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
GCMX040B120S1-E1 | SemiQ |
![]() Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V Power Dissipation (Max): 242W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA Supplier Device Package: SOT-227 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3185 pF @ 1000 V |
на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
GCMX040B120S1-E1 | SemiQ |
![]() |
на замовлення 145 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
GCMX080A120B2H1P | SemiQ |
![]() |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
GCMX080A120B2H1P | SemiQ |
![]() Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 119W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1362pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 20V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
GCMX080A120B2H2P | SemiQ |
Description: 1200V, 80M SIC MOSFET FULL BRIDG Packaging: Box Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 119W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 20V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
GCMX080B120S1-E1 | SemiQ |
![]() |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
GCMX080B120S1-E1 | SemiQ |
![]() Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V Power Dissipation (Max): 142W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA Supplier Device Package: SOT-227 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1336 pF @ 1000 V |
на замовлення 33 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
GDP60Z120E | SemiQ |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
GHIS020A060B1P2 | SemiQ |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
GHIS040A120S-A2 | SemiQ |
![]() |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
GHIS060A060S-A1 | SemiQ |
![]() |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
GHIS060A060S-A2 | SemiQ |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
GHIS060A120S-A1 | SemiQ |
![]() |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
GHIS060A120S-A2 | SemiQ |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
GHXS010A060S-D3 | SemiQ |
![]() Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
GHXS010A060S-D3 | SemiQ |
![]() |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
GHXS015A120S-D3 | SemiQ |
![]() Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
GHXS015A120S-D3 | SemiQ |
![]() |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
GHXS020A060S-D3 | SemiQ |
![]() Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
GHXS020A060S-D3 | SemiQ |
![]() |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
GHXS030A060S-D1E | SemiQ |
![]() |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
GHXS030A060S-D1E | SemiQ |
![]() Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide Schottky Supplier Device Package: SOT-227 Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 30 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V |
на замовлення 41 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
GHXS030A060S-D3 | SemiQ |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
GHXS030A060S-D3 | SemiQ |
![]() Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
GHXS030A120S-D1E | SemiQ |
![]() Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide Schottky Supplier Device Package: SOT-227 Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV Current - Average Rectified (Io): 30 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
GHXS030A120S-D1E | SemiQ |
![]() |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
GHXS030A120S-D3 | SemiQ |
![]() |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
GHXS030A120S-D3 | SemiQ |
![]() Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
GHXS045A120S-D3 | SemiQ |
![]() Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 45A Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 45 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 1200 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
GHXS045A120S-D3 | SemiQ |
![]() |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
GHXS050A060S-D3 | SemiQ |
![]() Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
GHXS050A060S-D3 | SemiQ |
![]() |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
GHXS050A170S-D3 | SemiQ |
![]() |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
GCMS004A120S7B1 |
![]() |
Виробник: SemiQ
Description: SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL
Description: SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GCMS008A120B1B1 |
![]() |
Виробник: SemiQ
Description: SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL
Description: SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GCMS010B120S1-E1 |
Виробник: SemiQ
Description: 1700V, 15M SIC MOSFET MODULE, SO
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 204A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 20V
Power Dissipation (Max): 652W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 416 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10878 pF @ 1000 V
Description: 1700V, 15M SIC MOSFET MODULE, SO
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 204A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 20V
Power Dissipation (Max): 652W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 416 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10878 pF @ 1000 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3916.27 грн |
10+ | 2855.52 грн |
GCMS020A120S1-E1 |
![]() |
Виробник: SemiQ
Discrete Semiconductor Modules SiC MOSFET/ SBD Module SOT-227 Copak 1200V 20 mohm
Discrete Semiconductor Modules SiC MOSFET/ SBD Module SOT-227 Copak 1200V 20 mohm
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 10378.33 грн |
10+ | 9154.82 грн |
20+ | 7834.48 грн |
50+ | 7639.99 грн |
GCMS020A120S1-E1 |
![]() |
Виробник: SemiQ
Description: SIC MOSFET/ SBD MODULE SOT-227 C
Description: SIC MOSFET/ SBD MODULE SOT-227 C
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
GCMS020B120S1-E1 |
![]() |
Виробник: SemiQ
Description: SIC 1200V 20M MOSFET & 50A SBD S
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5279 pF @ 1000 V
Description: SIC 1200V 20M MOSFET & 50A SBD S
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5279 pF @ 1000 V
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2652.39 грн |
10+ | 1899.83 грн |
GCMS040A120B1H1 |
![]() |
Виробник: SemiQ
Description: SIC MOSFET FULL BRIDGE MODULE B1
Description: SIC MOSFET FULL BRIDGE MODULE B1
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GCMS040A120B3C1 |
![]() |
Виробник: SemiQ
Description: SIC MOSFET 6-PACK MODULE B2_EASY
Description: SIC MOSFET 6-PACK MODULE B2_EASY
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GCMS040A120S1-E1 |
![]() |
Виробник: SemiQ
Description: SIC MOSFET/ SBD MODULE SOT-227 C
Description: SIC MOSFET/ SBD MODULE SOT-227 C
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GCMS040A120S1-E1 |
![]() |
Виробник: SemiQ
Discrete Semiconductor Modules SiC MOSFET/SBD Module SOT-227 Copak 1200V 40 mohm
Discrete Semiconductor Modules SiC MOSFET/SBD Module SOT-227 Copak 1200V 40 mohm
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GCMS040B120S1-E1 |
![]() |
Виробник: SemiQ
MOSFET Modules
MOSFET Modules
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2667.15 грн |
10+ | 1938.66 грн |
100+ | 1527.26 грн |
GCMS040B120S1-E1 |
![]() |
Виробник: SemiQ
Description: SIC 1200V 40M MOSFET & 15A SBD S
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3110 pF @ 1000 V
Description: SIC 1200V 40M MOSFET & 15A SBD S
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3110 pF @ 1000 V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2322.93 грн |
10+ | 1772.54 грн |
GCMS080A120S1-E1 |
![]() |
Виробник: SemiQ
Discrete Semiconductor Modules SiC MOSFET/SBD Module SOT-227 Copak 1200V 80 mohm
Discrete Semiconductor Modules SiC MOSFET/SBD Module SOT-227 Copak 1200V 80 mohm
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GCMS080B120S1-E1 |
![]() |
Виробник: SemiQ
Description: SIC 1200V 80M MOSFET & 10A SBD S
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1374 pF @ 1000 V
Description: SIC 1200V 80M MOSFET & 10A SBD S
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1374 pF @ 1000 V
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1567.94 грн |
10+ | 1088.56 грн |
GCMS080B120S1-E1 |
![]() |
Виробник: SemiQ
Discrete Semiconductor Modules SiC 1200V 80mO MOSFET & 10A SBD SOT-227
Discrete Semiconductor Modules SiC 1200V 80mO MOSFET & 10A SBD SOT-227
на замовлення 1386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1827.19 грн |
10+ | 1298.07 грн |
100+ | 949.68 грн |
GCMX010A120B2B1P |
![]() |
Виробник: SemiQ
Description: SIC 1200V 10M MOSFET HALF-BRIDGE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 750W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 214A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 100A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 476nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40mA
Description: SIC 1200V 10M MOSFET HALF-BRIDGE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 750W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 214A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 100A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 476nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40mA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GCMX010A120B3B1P |
![]() |
Виробник: SemiQ
Description: SIC 1200V 10M MOSFET HALF-BRIDGE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 577W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 173A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 483nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40mA
Description: SIC 1200V 10M MOSFET HALF-BRIDGE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 577W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 173A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 483nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40mA
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 7265.70 грн |
10+ | 5762.79 грн |
GCMX010B120S1-E1 |
![]() |
Виробник: SemiQ
Description: 1200V, 10M SIC MOSFET MODULE, SO
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 204A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 20V
Power Dissipation (Max): 652W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 418 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10864 pF @ 1000 V
Description: 1200V, 10M SIC MOSFET MODULE, SO
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 204A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 20V
Power Dissipation (Max): 652W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 418 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10864 pF @ 1000 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3071.57 грн |
10+ | 2219.69 грн |
GCMX015A170S1-E1 |
Виробник: SemiQ
Description: SIC MOSFET MOD
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 100A, 20V
Power Dissipation (Max): 652W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 430 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12803 pF @ 1.2 kV
Description: SIC MOSFET MOD
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 100A, 20V
Power Dissipation (Max): 652W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 430 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12803 pF @ 1.2 kV
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 4153.64 грн |
10+ | 3046.49 грн |
GCMX020A120B2B1P |
![]() |
Виробник: SemiQ
Discrete Semiconductor Modules SiC 1200V 20mohm MOSFET Half-Bridge Module
Discrete Semiconductor Modules SiC 1200V 20mohm MOSFET Half-Bridge Module
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 4672.43 грн |
10+ | 4187.91 грн |
25+ | 3519.09 грн |
50+ | 3398.00 грн |
100+ | 3276.17 грн |
250+ | 3154.34 грн |
500+ | 3124.98 грн |
GCMX020A120B2H1P |
![]() |
Виробник: SemiQ
Description: MOSFET 4N-CH 1200V 102A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 333W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 50A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Description: MOSFET 4N-CH 1200V 102A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 333W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 50A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 7514.98 грн |
GCMX020A120B3H1P |
![]() |
Виробник: SemiQ
MOSFET Modules SiC 1200V 20mohm MOSFET Full-Bridge Module
MOSFET Modules SiC 1200V 20mohm MOSFET Full-Bridge Module
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GCMX020B120S1-E1 |
![]() |
Виробник: SemiQ
Description: SIC 1200V 20M MOSFET SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5349 pF @ 1000 V
Description: SIC 1200V 20M MOSFET SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5349 pF @ 1000 V
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2219.72 грн |
10+ | 1573.32 грн |
GCMX030A170S1-E1 |
Виробник: SemiQ
Description: SIC MOSFET MOD
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 226 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6333 pF @ 1.2 kV
Description: SIC MOSFET MOD
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 226 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6333 pF @ 1.2 kV
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2665.10 грн |
10+ | 1909.39 грн |
GCMX040A120B2H1P |
![]() |
Виробник: SemiQ
Description: SIC 1200V 40M MOSFET FULL-BRIDGE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 217W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121nC @ 20V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Description: SIC 1200V 40M MOSFET FULL-BRIDGE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 217W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121nC @ 20V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GCMX040A120B2H1P |
![]() |
Виробник: SemiQ
MOSFET Modules SiC 1200V 40mohm MOSFET Full-Bridge Module
MOSFET Modules SiC 1200V 40mohm MOSFET Full-Bridge Module
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GCMX040A120B3H1P |
![]() |
Виробник: SemiQ
Discrete Semiconductor Modules SiC 1200V 40mohm MOSFET Full-Bridge Module
Discrete Semiconductor Modules SiC 1200V 40mohm MOSFET Full-Bridge Module
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 4923.31 грн |
10+ | 4412.41 грн |
25+ | 3708.44 грн |
50+ | 3580.01 грн |
100+ | 3451.57 грн |
250+ | 3323.87 грн |
500+ | 3291.58 грн |
GCMX040B120S1-E1 |
![]() |
Виробник: SemiQ
Description: SIC 1200V 40M MOSFET SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3185 pF @ 1000 V
Description: SIC 1200V 40M MOSFET SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3185 pF @ 1000 V
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1644.94 грн |
10+ | 1145.36 грн |
GCMX040B120S1-E1 |
![]() |
Виробник: SemiQ
MOSFET Modules
MOSFET Modules
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2281.85 грн |
10+ | 1676.17 грн |
200+ | 1285.07 грн |
GCMX080A120B2H1P |
![]() |
Виробник: SemiQ
MOSFET Modules SiC 1200V 80mohm MOSFET Full-Bridge Module
MOSFET Modules SiC 1200V 80mohm MOSFET Full-Bridge Module
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3408.64 грн |
10+ | 2994.50 грн |
25+ | 2449.05 грн |
50+ | 2056.41 грн |
GCMX080A120B2H1P |
![]() |
Виробник: SemiQ
Description: MOSFET 4N-CH 1200V 27A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 119W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1362pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Description: MOSFET 4N-CH 1200V 27A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 119W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1362pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2673.03 грн |
10+ | 1906.56 грн |
GCMX080A120B2H2P |
Виробник: SemiQ
Description: 1200V, 80M SIC MOSFET FULL BRIDG
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 119W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Description: 1200V, 80M SIC MOSFET FULL BRIDG
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 119W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GCMX080B120S1-E1 |
![]() |
Виробник: SemiQ
MOSFET Modules SiC 1200V 80mO MOSFET SOT-227
MOSFET Modules SiC 1200V 80mO MOSFET SOT-227
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1883.70 грн |
10+ | 1466.86 грн |
20+ | 1274.80 грн |
100+ | 1094.99 грн |
200+ | 1094.26 грн |
GCMX080B120S1-E1 |
![]() |
Виробник: SemiQ
Description: SIC 1200V 80M MOSFET SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1336 pF @ 1000 V
Description: SIC 1200V 80M MOSFET SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1336 pF @ 1000 V
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1420.27 грн |
10+ | 980.38 грн |
GDP60Z120E |
![]() |
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SCHOTT 1.2KV 60A TO247-2
Description: DIODE SCHOTT 1.2KV 60A TO247-2
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GHIS020A060B1P2 |
![]() |
Виробник: SemiQ
Description: SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES
Description: SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GHIS040A120S-A2 |
![]() |
Виробник: SemiQ
Description: IGBT MOD 1200V 80A 480W SOT227
Description: IGBT MOD 1200V 80A 480W SOT227
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
GHIS060A060S-A1 |
![]() |
Виробник: SemiQ
Description: IGBT MOD 600V 120A 297W SOT227
Description: IGBT MOD 600V 120A 297W SOT227
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
GHIS060A060S-A2 |
![]() |
Виробник: SemiQ
Description: IGBT MOD 600V 120A 312W SOT227
Description: IGBT MOD 600V 120A 312W SOT227
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GHIS060A120S-A1 |
![]() |
Виробник: SemiQ
Description: IGBT MOD 1200V 120A 680W SOT227
Description: IGBT MOD 1200V 120A 680W SOT227
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
GHIS060A120S-A2 |
![]() |
Виробник: SemiQ
Description: IGBT MOD 1200V 120A 680W SOT227
Description: IGBT MOD 1200V 120A 680W SOT227
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GHXS010A060S-D3 |
![]() |
Виробник: SemiQ
Description: DIODE MOD SIC 600V 10A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
Description: DIODE MOD SIC 600V 10A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1340.09 грн |
10+ | 922.05 грн |
GHXS010A060S-D3 |
![]() |
Виробник: SemiQ
Diode Modules SiC SBD Parallel Power Module 600V 10A
Diode Modules SiC SBD Parallel Power Module 600V 10A
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1356.26 грн |
10+ | 1129.27 грн |
200+ | 981.24 грн |
GHXS015A120S-D3 |
![]() |
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SCHOT SBD 1200V 15A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Description: DIODE SCHOT SBD 1200V 15A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3166.84 грн |
GHXS015A120S-D3 |
![]() |
Виробник: SemiQ
Discrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 1200V 15A
Discrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 1200V 15A
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
GHXS020A060S-D3 |
![]() |
Виробник: SemiQ
Description: DIODE MOD SIC 600V 20A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
Description: DIODE MOD SIC 600V 20A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GHXS020A060S-D3 |
![]() |
Виробник: SemiQ
Diode Modules SiC SBD Parallel Power Module 600V 20A
Diode Modules SiC SBD Parallel Power Module 600V 20A
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2727.94 грн |
10+ | 2046.69 грн |
20+ | 1745.97 грн |
50+ | 1733.49 грн |
100+ | 1579.37 грн |
200+ | 1527.26 грн |
500+ | 1500.11 грн |
GHXS030A060S-D1E |
![]() |
Виробник: SemiQ
Diode Modules SiC SBD Rectifier Bridge Power Module 600V 30A
Diode Modules SiC SBD Rectifier Bridge Power Module 600V 30A
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2943.71 грн |
10+ | 2244.18 грн |
50+ | 1950.73 грн |
100+ | 1814.96 грн |
GHXS030A060S-D1E |
![]() |
Виробник: SemiQ
Description: BRIDGE RECT 1P 600V 30A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide Schottky
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 30 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
Description: BRIDGE RECT 1P 600V 30A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide Schottky
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 30 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2516.64 грн |
10+ | 1796.78 грн |
GHXS030A060S-D3 |
![]() |
Виробник: SemiQ
Diode Modules SiC SBD Parallel Power Module 600V 30A
Diode Modules SiC SBD Parallel Power Module 600V 30A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GHXS030A060S-D3 |
![]() |
Виробник: SemiQ
Description: DIODE MOD SIC SCHOT 600V SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
Description: DIODE MOD SIC SCHOT 600V SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GHXS030A120S-D1E |
![]() |
Виробник: SemiQ
Description: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 30A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide Schottky
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV
Current - Average Rectified (Io): 30 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Description: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 30A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide Schottky
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV
Current - Average Rectified (Io): 30 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3446.29 грн |
10+ | 2507.45 грн |
GHXS030A120S-D1E |
![]() |
Виробник: SemiQ
Discrete Semiconductor Modules SiC SBD Rectifier Bridge Power Module 1200V 30A
Discrete Semiconductor Modules SiC SBD Rectifier Bridge Power Module 1200V 30A
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 8594.81 грн |
10+ | 8033.99 грн |
30+ | 6881.13 грн |
100+ | 6601.51 грн |
250+ | 6476.75 грн |
GHXS030A120S-D3 |
![]() |
Виробник: SemiQ
Discrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 1200V 30A
Discrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 1200V 30A
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 5461.87 грн |
10+ | 5057.22 грн |
30+ | 4318.32 грн |
100+ | 3940.36 грн |
250+ | 3866.23 грн |
GHXS030A120S-D3 |
![]() |
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SCHOTKY 1200V 30A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Description: DIODE SCHOTKY 1200V 30A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 5387.35 грн |
10+ | 4873.46 грн |
GHXS045A120S-D3 |
![]() |
Виробник: SemiQ
Description: DIODE MOD SIC 1200V 45A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 45A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 45 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 1200 V
Description: DIODE MOD SIC 1200V 45A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 45A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 45 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GHXS045A120S-D3 |
![]() |
Виробник: SemiQ
Discrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 1200A 45A
Discrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 1200A 45A
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 7722.31 грн |
10+ | 7219.54 грн |
30+ | 6106.12 грн |
100+ | 5841.18 грн |
GHXS050A060S-D3 |
![]() |
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SCHOTT SBD 600V 50A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
Description: DIODE SCHOTT SBD 600V 50A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 4156.02 грн |
GHXS050A060S-D3 |
![]() |
Виробник: SemiQ
Diode Modules SiC SBD Parallel Power Module 600V 50A
Diode Modules SiC SBD Parallel Power Module 600V 50A
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3058.44 грн |
20+ | 2034.03 грн |
50+ | 1712.94 грн |
100+ | 1657.90 грн |
200+ | 1547.08 грн |
500+ | 1422.32 грн |
GHXS050A170S-D3 |
![]() |
Виробник: SemiQ
Diode Modules SiC SBD Parallel Power Module 1700V 50A
Diode Modules SiC SBD Parallel Power Module 1700V 50A
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 4445.53 грн |
10+ | 3724.55 грн |
20+ | 3129.39 грн |
50+ | 3024.44 грн |
100+ | 2920.96 грн |
200+ | 2816.01 грн |
500+ | 2686.11 грн |