Продукція > SEMIQ > Всі товари виробника SEMIQ (308) > Сторінка 2 з 6

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GCMX040B120S1-E1 GCMX040B120S1-E1 SemiQ GCMX040B120S1-E1.pdf Description: SIC 1200V 40M MOSFET SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3185 pF @ 1000 V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1672.75 грн
10+1164.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX040B120S1-E1 GCMX040B120S1-E1 SemiQ GCMX040B120S1_E1.pdf MOSFET Modules 1200V SiC MOSFET Power Module
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1640.81 грн
10+1168.94 грн
100+949.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX040C120S1-E1 GCMX040C120S1-E1 SemiQ GCMX040C120S1_E1.pdf MOSFET Modules Gen3 1200V 40mohm SiC MOSFET Module, SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX040C120S1-E1 GCMX040C120S1-E1 SemiQ GCMX040C120S1-E1.pdf Description: GEN3 1200V 40M SIC MOSFET MODULE
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 1000 V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1620.46 грн
10+1126.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX080A120B2H1P GCMX080A120B2H1P SemiQ GCMX080A120B2H1P.pdf Description: MOSFET 4N-CH 1200V 27A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 119W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1362pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2924.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX080A120B2H1P GCMX080A120B2H1P SemiQ GCMX080A120B2H1P.pdf MOSFET Modules SiC 1200V 80mohm MOSFET Full-Bridge Module
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2778.93 грн
10+2290.01 грн
40+1991.31 грн
100+1729.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX080A120B2H2P GCMX080A120B2H2P SemiQ GCMX080A120B2H2P.pdf MOSFET Modules 1200V, 80mohm SiC MOSFET Full Bridge Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX080A120B2H2P SemiQ GCMX080A120B2H2P.pdf Description: 1200V, 80M SIC MOSFET FULL BRIDG
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 119W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3067.63 грн
10+2221.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX080A120B2T1P GCMX080A120B2T1P SemiQ GCMX080A120B2T1P.pdf Description: 1200V 80 SIC MOSFET SIX-PACK MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 6 N-Channel (Phase Leg)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 103W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2493.91 грн
10+1785.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX080A120B2T1P GCMX080A120B2T1P SemiQ GCMX080A120B2T1P.pdf MOSFET Modules 1200V 80ohm SiC MOSFET Six-Pack Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX080B120S1-E1 GCMX080B120S1-E1 SemiQ GCMX080B120S1-E1.pdf Description: SIC 1200V 80M MOSFET SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1336 pF @ 1000 V
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1417.51 грн
10+978.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX080B120S1-E1 GCMX080B120S1-E1 SemiQ GCMX080B120S1_E1.pdf MOSFET Modules SiC 1200V 80mO MOSFET SOT-227
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1413.35 грн
10+1000.58 грн
100+717.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX080C120S1-E1 GCMX080C120S1-E1 SemiQ GCMX080C120S1-E1.pdf Description: GEN3 1200V 80M SIC MOSFET MODULE
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 118W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1328 pF @ 1000 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1515.86 грн
10+1049.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX080C120S1-E1 GCMX080C120S1-E1 SemiQ GCMX080C120S1-E1.pdf MOSFET Modules Gen3 1200V 80mohm SiC MOSFET Module, SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX2P3B120S3B1-N SemiQ GCMX2P3B120S3B1-N.pdf Description: GEN3 1200V 2.4M SIC 62MM HALF BR
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 1705W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 608A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42900pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 300A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1566nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120mA
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11148.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GDP60Z120E GDP60Z120E SemiQ GDP60Z120E.pdf Description: DIODE SCHOTT 1.2KV 60A TO247-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHIS020A060B1P2 SemiQ GHIS020A060B1P2.pdf Description: SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHIS040A120S-A2 GHIS040A120S-A2 SemiQ GHIS040A120S-A2.pdf Description: IGBT MOD 1200V 80A 480W SOT227
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHIS060A060S-A1 GHIS060A060S-A1 SemiQ GHIS060A060S-A1.pdf Description: IGBT MOD 600V 120A 297W SOT227
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHIS060A060S-A2 GHIS060A060S-A2 SemiQ GHIS060A060S-A2.pdf Description: IGBT MOD 600V 120A 312W SOT227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHIS060A120S-A1 GHIS060A120S-A1 SemiQ GHIS060A120S-A1.pdf Description: IGBT MOD 1200V 120A 680W SOT227
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHIS060A120S-A2 GHIS060A120S-A2 SemiQ GHIS060A120S-A2.pdf Description: IGBT MOD 1200V 120A 680W SOT227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS010A060S-D3 GHXS010A060S-D3 SemiQ GHXS010A060S-D3.pdf Description: DIODE MOD SIC 600V 10A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1337.11 грн
10+920.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS010A060S-D3 GHXS010A060S-D3 SemiQ GHXS010A060S_D3.pdf Diode Modules SiC SBD Parallel Power Module 600V 10A
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1336.45 грн
10+940.74 грн
100+665.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS015A120S-D3 GHXS015A120S-D3 SemiQ GHXS015A120S_D3-1916837.pdf Discrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 1200V 15A
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS015A120S-D3 GHXS015A120S-D3 SemiQ GHXS015A120S-D3.pdf Description: DIODE SCHOT SBD 1200V 15A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3113.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS020A060S-D3 GHXS020A060S-D3 SemiQ GHXS020A060S-D3.pdf Description: DIODE MOD SIC 600V 20A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1509.62 грн
10+1045.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS020A060S-D3 GHXS020A060S-D3 SemiQ GHXS020A060S_D3.pdf Diode Modules SiC SBD Parallel Power Module 600V 20A
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1538.82 грн
10+1069.20 грн
100+775.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A060S-D1E GHXS030A060S-D1E SemiQ GHXS030A060S_D1E.pdf Diode Modules SiC SBD Rectifier Bridge Power Module 600V 30A
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2349.91 грн
10+1834.40 грн
100+1418.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A060S-D1E GHXS030A060S-D1E SemiQ GHXS030A060S-D1E.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 600V 30A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide Schottky
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 30 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2074.75 грн
10+1474.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A060S-D3 GHXS030A060S-D3 SemiQ GHXS030A060S_D3-1916863.pdf Diode Modules SiC SBD Parallel Power Module 600V 30A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A060S-D3 GHXS030A060S-D3 SemiQ GHXS030A060S-D3.pdf Description: DIODE MOD SIC SCHOT 600V SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A120S-D1E GHXS030A120S-D1E SemiQ GHXS030A120S_D1E-1916767.pdf Discrete Semiconductor Modules SiC SBD Rectifier Bridge Power Module 1200V 30A
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+8125.53 грн
10+7595.33 грн
30+6505.42 грн
100+6241.07 грн
250+6123.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A120S-D1E GHXS030A120S-D1E SemiQ GHXS030A120S-D1E.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 30A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide Schottky
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV
Current - Average Rectified (Io): 30 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3439.18 грн
10+2502.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A120S-D3 GHXS030A120S-D3 SemiQ GHXS030A120S_D3-1915598.pdf Discrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 1200V 30A
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5163.65 грн
10+4781.09 грн
30+4082.54 грн
100+3725.21 грн
250+3655.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A120S-D3 GHXS030A120S-D3 SemiQ GHXS030A120S-D3.pdf Description: DIODE SCHOTKY 1200V 30A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5296.93 грн
10+4791.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS045A120S-D3 GHXS045A120S-D3 SemiQ GHXS045A120S_D3-1916832.pdf Discrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 1200A 45A
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7300.67 грн
10+6825.35 грн
30+5772.73 грн
100+5522.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS045A120S-D3 GHXS045A120S-D3 SemiQ GHXS045A120S-D3.pdf Description: DIODE MOD SIC 1200V 45A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 45A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 45 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050A060S-D3 GHXS050A060S-D3 SemiQ GHXS050A060S_D3-1916603.pdf Diode Modules SiC SBD Parallel Power Module 600V 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050A060S-D3 GHXS050A060S-D3 SemiQ GHXS050A060S-D3.pdf Description: DIODE SCHOTT SBD 600V 50A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4086.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050A170S-D3 GHXS050A170S-D3 SemiQ Description: DIODE MOD SIC 1700V 150A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 750 µA @ 1700 V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12368.86 грн
10+11155.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050A170S-D3 GHXS050A170S-D3 SemiQ GHXS050A170S_D3-1916809.pdf Diode Modules SiC SBD Parallel Power Module 1700V 50A
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2931.12 грн
10+2455.98 грн
100+1892.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050B065S-D3 GHXS050B065S-D3 SemiQ GHXS050B065S_D3.pdf Diode Modules SiC SBD 650V 50A SiC Power Modules
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1679.66 грн
10+1198.47 грн
100+890.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050B065S-D3 GHXS050B065S-D3 SemiQ GHXS050B065S-D3.pdf Description: DIODE MOD SIC 650V 95A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 95A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 125 µA @ 650 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1681.34 грн
10+1172.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050B120S-D3 GHXS050B120S-D3 SemiQ GHXS050B120S_D3-1916892.pdf Discrete Semiconductor Modules SiC SBD 1200V 50A SiC Power Modules
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3356.09 грн
10+2811.84 грн
20+2362.52 грн
50+2283.42 грн
100+2205.01 грн
200+2125.92 грн
500+2027.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050B120S-D3 GHXS050B120S-D3 SemiQ GHXS050B120S-D3.pdf Description: DIODE MOD SIC 1200V 101A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 101A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050B170S-D3 GHXS050B170S-D3 SemiQ GHXS050B170S_D3-3476201.pdf Diode Modules SiC 1700V 50A Schottky Diode Module
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3067.92 грн
10+2570.08 грн
100+1980.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050B170S-D3 GHXS050B170S-D3 SemiQ GHXS050B170S-D3.pdf Description: 1700V, 50A SIC DUAL DIODE MODULE
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 110A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1.7 kV
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2835.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS060A120S-D3 GHXS060A120S-D3 SemiQ GHXS060A120S-D3.pdf Diode Modules 1200V, 60A, SOT-227 diode module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS060B120S-D3 GHXS060B120S-D3 SemiQ GHXS060B120S_D3-1916721.pdf Discrete Semiconductor Modules SiC SBD Power Dual Diode Module 1200A 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS060B120S-D3 GHXS060B120S-D3 SemiQ Description: DIODE MOD SIC 1200V 161A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 161A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS100B065S-D3 GHXS100B065S-D3 SemiQ GHXS100B065S-D3.pdf Description: DIODE MOD SIC 650V 193A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 193A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2166.07 грн
10+1533.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS100B065S-D3 GHXS100B065S-D3 SemiQ GHXS100B065S_D3.pdf Diode Modules SiC SBD 650V 100A SiC Power Modules
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2165.35 грн
10+1567.90 грн
100+1226.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS100B120S-D3 GHXS100B120S-D3 SemiQ GHXS100B120S-D3.pdf Description: DIODE MOD SIC 1200V 198A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 198A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3152.71 грн
10+2281.96 грн
100+2014.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS100B120S-D3 GHXS100B120S-D3 SemiQ GHXS100B120S_D3-1916878.pdf Diode Modules SiC SBD 1200V 100A SiC Power Modules
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3150.48 грн
10+2334.69 грн
100+1957.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS100B170S-D3 GHXS100B170S-D3 SemiQ GHXS100B170S-D3_rev0.2.pdf Description: 1700V, 100A SIC DUAL DIODE MODUL
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 214A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1.7 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS100B170S-D3 GHXS100B170S-D3 SemiQ GHXS100B170S_D3.pdf Diode Modules SiC 1700V 100A Schottky Diode Module
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4639.11 грн
10+3777.32 грн
100+2924.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D003A060C GP2D003A060C SemiQ GP2D003A060C_REV2_8-27-15.pdf Description: DIODE SIL CARB 600V 3A TO252-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 158pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-252-2L (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D003A060C GP2D003A060C SemiQ GP2D003A060C_REV2_8-27-15.pdf Description: DIODE SIL CARB 600V 3A TO252-2L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 158pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-252-2L (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D003A065A GP2D003A065A SemiQ GP2D003A065A_REV2_8-27-15.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 3A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 158pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX040B120S1-E1 GCMX040B120S1-E1.pdf
GCMX040B120S1-E1
Виробник: SemiQ
Description: SIC 1200V 40M MOSFET SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3185 pF @ 1000 V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1672.75 грн
10+1164.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX040B120S1-E1 GCMX040B120S1_E1.pdf
GCMX040B120S1-E1
Виробник: SemiQ
MOSFET Modules 1200V SiC MOSFET Power Module
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1640.81 грн
10+1168.94 грн
100+949.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX040C120S1-E1 GCMX040C120S1_E1.pdf
GCMX040C120S1-E1
Виробник: SemiQ
MOSFET Modules Gen3 1200V 40mohm SiC MOSFET Module, SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX040C120S1-E1 GCMX040C120S1-E1.pdf
GCMX040C120S1-E1
Виробник: SemiQ
Description: GEN3 1200V 40M SIC MOSFET MODULE
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 1000 V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1620.46 грн
10+1126.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX080A120B2H1P GCMX080A120B2H1P.pdf
GCMX080A120B2H1P
Виробник: SemiQ
Description: MOSFET 4N-CH 1200V 27A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 119W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1362pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2924.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX080A120B2H1P GCMX080A120B2H1P.pdf
GCMX080A120B2H1P
Виробник: SemiQ
MOSFET Modules SiC 1200V 80mohm MOSFET Full-Bridge Module
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2778.93 грн
10+2290.01 грн
40+1991.31 грн
100+1729.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX080A120B2H2P GCMX080A120B2H2P.pdf
GCMX080A120B2H2P
Виробник: SemiQ
MOSFET Modules 1200V, 80mohm SiC MOSFET Full Bridge Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX080A120B2H2P GCMX080A120B2H2P.pdf
Виробник: SemiQ
Description: 1200V, 80M SIC MOSFET FULL BRIDG
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 119W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3067.63 грн
10+2221.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX080A120B2T1P GCMX080A120B2T1P.pdf
GCMX080A120B2T1P
Виробник: SemiQ
Description: 1200V 80 SIC MOSFET SIX-PACK MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 6 N-Channel (Phase Leg)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 103W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2493.91 грн
10+1785.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX080A120B2T1P GCMX080A120B2T1P.pdf
GCMX080A120B2T1P
Виробник: SemiQ
MOSFET Modules 1200V 80ohm SiC MOSFET Six-Pack Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX080B120S1-E1 GCMX080B120S1-E1.pdf
GCMX080B120S1-E1
Виробник: SemiQ
Description: SIC 1200V 80M MOSFET SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1336 pF @ 1000 V
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1417.51 грн
10+978.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX080B120S1-E1 GCMX080B120S1_E1.pdf
GCMX080B120S1-E1
Виробник: SemiQ
MOSFET Modules SiC 1200V 80mO MOSFET SOT-227
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1413.35 грн
10+1000.58 грн
100+717.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX080C120S1-E1 GCMX080C120S1-E1.pdf
GCMX080C120S1-E1
Виробник: SemiQ
Description: GEN3 1200V 80M SIC MOSFET MODULE
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 118W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1328 pF @ 1000 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1515.86 грн
10+1049.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX080C120S1-E1 GCMX080C120S1-E1.pdf
GCMX080C120S1-E1
Виробник: SemiQ
MOSFET Modules Gen3 1200V 80mohm SiC MOSFET Module, SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX2P3B120S3B1-N GCMX2P3B120S3B1-N.pdf
Виробник: SemiQ
Description: GEN3 1200V 2.4M SIC 62MM HALF BR
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 1705W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 608A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42900pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 300A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1566nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120mA
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+11148.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GDP60Z120E GDP60Z120E.pdf
GDP60Z120E
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SCHOTT 1.2KV 60A TO247-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHIS020A060B1P2 GHIS020A060B1P2.pdf
Виробник: SemiQ
Description: SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHIS040A120S-A2 GHIS040A120S-A2.pdf
GHIS040A120S-A2
Виробник: SemiQ
Description: IGBT MOD 1200V 80A 480W SOT227
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHIS060A060S-A1 GHIS060A060S-A1.pdf
GHIS060A060S-A1
Виробник: SemiQ
Description: IGBT MOD 600V 120A 297W SOT227
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHIS060A060S-A2 GHIS060A060S-A2.pdf
GHIS060A060S-A2
Виробник: SemiQ
Description: IGBT MOD 600V 120A 312W SOT227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHIS060A120S-A1 GHIS060A120S-A1.pdf
GHIS060A120S-A1
Виробник: SemiQ
Description: IGBT MOD 1200V 120A 680W SOT227
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHIS060A120S-A2 GHIS060A120S-A2.pdf
GHIS060A120S-A2
Виробник: SemiQ
Description: IGBT MOD 1200V 120A 680W SOT227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS010A060S-D3 GHXS010A060S-D3.pdf
GHXS010A060S-D3
Виробник: SemiQ
Description: DIODE MOD SIC 600V 10A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1337.11 грн
10+920.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS010A060S-D3 GHXS010A060S_D3.pdf
GHXS010A060S-D3
Виробник: SemiQ
Diode Modules SiC SBD Parallel Power Module 600V 10A
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1336.45 грн
10+940.74 грн
100+665.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS015A120S-D3 GHXS015A120S_D3-1916837.pdf
GHXS015A120S-D3
Виробник: SemiQ
Discrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 1200V 15A
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS015A120S-D3 GHXS015A120S-D3.pdf
GHXS015A120S-D3
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SCHOT SBD 1200V 15A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3113.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS020A060S-D3 GHXS020A060S-D3.pdf
GHXS020A060S-D3
Виробник: SemiQ
Description: DIODE MOD SIC 600V 20A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1509.62 грн
10+1045.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS020A060S-D3 GHXS020A060S_D3.pdf
GHXS020A060S-D3
Виробник: SemiQ
Diode Modules SiC SBD Parallel Power Module 600V 20A
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1538.82 грн
10+1069.20 грн
100+775.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A060S-D1E GHXS030A060S_D1E.pdf
GHXS030A060S-D1E
Виробник: SemiQ
Diode Modules SiC SBD Rectifier Bridge Power Module 600V 30A
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2349.91 грн
10+1834.40 грн
100+1418.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A060S-D1E GHXS030A060S-D1E.pdf
GHXS030A060S-D1E
Виробник: SemiQ
Description: BRIDGE RECT 1P 600V 30A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide Schottky
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 30 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2074.75 грн
10+1474.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A060S-D3 GHXS030A060S_D3-1916863.pdf
GHXS030A060S-D3
Виробник: SemiQ
Diode Modules SiC SBD Parallel Power Module 600V 30A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A060S-D3 GHXS030A060S-D3.pdf
GHXS030A060S-D3
Виробник: SemiQ
Description: DIODE MOD SIC SCHOT 600V SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A120S-D1E GHXS030A120S_D1E-1916767.pdf
GHXS030A120S-D1E
Виробник: SemiQ
Discrete Semiconductor Modules SiC SBD Rectifier Bridge Power Module 1200V 30A
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8125.53 грн
10+7595.33 грн
30+6505.42 грн
100+6241.07 грн
250+6123.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A120S-D1E GHXS030A120S-D1E.pdf
GHXS030A120S-D1E
Виробник: SemiQ
Description: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 30A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide Schottky
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV
Current - Average Rectified (Io): 30 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3439.18 грн
10+2502.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A120S-D3 GHXS030A120S_D3-1915598.pdf
GHXS030A120S-D3
Виробник: SemiQ
Discrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 1200V 30A
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5163.65 грн
10+4781.09 грн
30+4082.54 грн
100+3725.21 грн
250+3655.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A120S-D3 GHXS030A120S-D3.pdf
GHXS030A120S-D3
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SCHOTKY 1200V 30A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5296.93 грн
10+4791.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS045A120S-D3 GHXS045A120S_D3-1916832.pdf
GHXS045A120S-D3
Виробник: SemiQ
Discrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 1200A 45A
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7300.67 грн
10+6825.35 грн
30+5772.73 грн
100+5522.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS045A120S-D3 GHXS045A120S-D3.pdf
GHXS045A120S-D3
Виробник: SemiQ
Description: DIODE MOD SIC 1200V 45A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 45A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 45 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050A060S-D3 GHXS050A060S_D3-1916603.pdf
GHXS050A060S-D3
Виробник: SemiQ
Diode Modules SiC SBD Parallel Power Module 600V 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050A060S-D3 GHXS050A060S-D3.pdf
GHXS050A060S-D3
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SCHOTT SBD 600V 50A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4086.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050A170S-D3
GHXS050A170S-D3
Виробник: SemiQ
Description: DIODE MOD SIC 1700V 150A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 750 µA @ 1700 V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+12368.86 грн
10+11155.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050A170S-D3 GHXS050A170S_D3-1916809.pdf
GHXS050A170S-D3
Виробник: SemiQ
Diode Modules SiC SBD Parallel Power Module 1700V 50A
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2931.12 грн
10+2455.98 грн
100+1892.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050B065S-D3 GHXS050B065S_D3.pdf
GHXS050B065S-D3
Виробник: SemiQ
Diode Modules SiC SBD 650V 50A SiC Power Modules
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1679.66 грн
10+1198.47 грн
100+890.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050B065S-D3 GHXS050B065S-D3.pdf
GHXS050B065S-D3
Виробник: SemiQ
Description: DIODE MOD SIC 650V 95A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 95A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 125 µA @ 650 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1681.34 грн
10+1172.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050B120S-D3 GHXS050B120S_D3-1916892.pdf
GHXS050B120S-D3
Виробник: SemiQ
Discrete Semiconductor Modules SiC SBD 1200V 50A SiC Power Modules
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3356.09 грн
10+2811.84 грн
20+2362.52 грн
50+2283.42 грн
100+2205.01 грн
200+2125.92 грн
500+2027.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050B120S-D3 GHXS050B120S-D3.pdf
GHXS050B120S-D3
Виробник: SemiQ
Description: DIODE MOD SIC 1200V 101A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 101A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050B170S-D3 GHXS050B170S_D3-3476201.pdf
GHXS050B170S-D3
Виробник: SemiQ
Diode Modules SiC 1700V 50A Schottky Diode Module
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3067.92 грн
10+2570.08 грн
100+1980.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050B170S-D3 GHXS050B170S-D3.pdf
GHXS050B170S-D3
Виробник: SemiQ
Description: 1700V, 50A SIC DUAL DIODE MODULE
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 110A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1.7 kV
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2835.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS060A120S-D3 GHXS060A120S-D3.pdf
GHXS060A120S-D3
Виробник: SemiQ
Diode Modules 1200V, 60A, SOT-227 diode module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS060B120S-D3 GHXS060B120S_D3-1916721.pdf
GHXS060B120S-D3
Виробник: SemiQ
Discrete Semiconductor Modules SiC SBD Power Dual Diode Module 1200A 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS060B120S-D3
GHXS060B120S-D3
Виробник: SemiQ
Description: DIODE MOD SIC 1200V 161A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 161A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS100B065S-D3 GHXS100B065S-D3.pdf
GHXS100B065S-D3
Виробник: SemiQ
Description: DIODE MOD SIC 650V 193A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 193A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2166.07 грн
10+1533.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS100B065S-D3 GHXS100B065S_D3.pdf
GHXS100B065S-D3
Виробник: SemiQ
Diode Modules SiC SBD 650V 100A SiC Power Modules
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2165.35 грн
10+1567.90 грн
100+1226.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS100B120S-D3 GHXS100B120S-D3.pdf
GHXS100B120S-D3
Виробник: SemiQ
Description: DIODE MOD SIC 1200V 198A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 198A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3152.71 грн
10+2281.96 грн
100+2014.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS100B120S-D3 GHXS100B120S_D3-1916878.pdf
GHXS100B120S-D3
Виробник: SemiQ
Diode Modules SiC SBD 1200V 100A SiC Power Modules
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3150.48 грн
10+2334.69 грн
100+1957.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS100B170S-D3 GHXS100B170S-D3_rev0.2.pdf
GHXS100B170S-D3
Виробник: SemiQ
Description: 1700V, 100A SIC DUAL DIODE MODUL
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 214A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1.7 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS100B170S-D3 GHXS100B170S_D3.pdf
GHXS100B170S-D3
Виробник: SemiQ
Diode Modules SiC 1700V 100A Schottky Diode Module
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4639.11 грн
10+3777.32 грн
100+2924.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D003A060C GP2D003A060C_REV2_8-27-15.pdf
GP2D003A060C
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 600V 3A TO252-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 158pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-252-2L (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D003A060C GP2D003A060C_REV2_8-27-15.pdf
GP2D003A060C
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 600V 3A TO252-2L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 158pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-252-2L (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D003A065A GP2D003A065A_REV2_8-27-15.pdf
GP2D003A065A
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 3A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 158pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6  [ Наступна Сторінка >> ]