Продукція > SEMIQ > Всі товари виробника SEMIQ (267) > Сторінка 2 з 5

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GHIS060A060S-A1 GHIS060A060S-A1 SemiQ GHIS060A060S-A1.pdf Description: IGBT MOD 600V 120A 297W SOT227
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHIS060A060S-A2 GHIS060A060S-A2 SemiQ GHIS060A060S-A2.pdf Description: IGBT MOD 600V 120A 312W SOT227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHIS060A120S-A1 GHIS060A120S-A1 SemiQ GHIS060A120S-A1.pdf Description: IGBT MOD 1200V 120A 680W SOT227
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHIS060A120S-A2 GHIS060A120S-A2 SemiQ GHIS060A120S-A2.pdf Description: IGBT MOD 1200V 120A 680W SOT227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS010A060S-D3 GHXS010A060S-D3 SemiQ GHXS010A060S_D3.pdf Diode Modules SiC SBD Parallel Power Module 600V 10A
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1454.06 грн
10+1023.53 грн
100+723.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS010A060S-D3 GHXS010A060S-D3 SemiQ GHXS010A060S-D3.pdf Description: DIODE MOD SIC 600V 10A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1344.12 грн
10+924.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS015A120S-D3 GHXS015A120S-D3 SemiQ GHXS015A120S-D3.pdf Description: DIODE SCHOT SBD 1200V 15A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3257.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS015A120S-D3 GHXS015A120S-D3 SemiQ GHXS015A120S_D3-1916837.pdf Discrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 1200V 15A
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS020A060S-D3 GHXS020A060S-D3 SemiQ GHXS020A060S_D3.pdf Diode Modules SiC SBD Parallel Power Module 600V 20A
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1674.23 грн
10+1163.30 грн
100+843.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS020A060S-D3 GHXS020A060S-D3 SemiQ GHXS020A060S-D3.pdf Description: DIODE MOD SIC 600V 20A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1517.23 грн
10+1050.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A060S-D1E GHXS030A060S-D1E SemiQ GHXS030A060S-D1E.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 600V 30A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide Schottky
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 30 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2235.02 грн
10+1584.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A060S-D1E GHXS030A060S-D1E SemiQ GHXS030A060S_D1E.pdf Diode Modules SiC SBD Rectifier Bridge Power Module 600V 30A
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2556.71 грн
10+1995.83 грн
100+1543.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A060S-D3 GHXS030A060S-D3 SemiQ GHXS030A060S_D3-1916863.pdf Diode Modules SiC SBD Parallel Power Module 600V 30A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A060S-D3 GHXS030A060S-D3 SemiQ GHXS030A060S-D3.pdf Description: DIODE MOD SIC SCHOT 600V SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A120S-D1E GHXS030A120S-D1E SemiQ GHXS030A120S_D1E-1916767.pdf Discrete Semiconductor Modules SiC SBD Rectifier Bridge Power Module 1200V 30A
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+8840.59 грн
10+8263.74 грн
30+7077.91 грн
100+6790.29 грн
250+6661.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A120S-D1E GHXS030A120S-D1E SemiQ GHXS030A120S-D1E.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 30A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide Schottky
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV
Current - Average Rectified (Io): 30 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3456.65 грн
10+2514.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A120S-D3 GHXS030A120S-D3 SemiQ GHXS030A120S_D3-1915598.pdf Discrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 1200V 30A
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5618.07 грн
10+5201.84 грн
30+4441.81 грн
100+4053.04 грн
250+3976.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A120S-D3 GHXS030A120S-D3 SemiQ GHXS030A120S-D3.pdf Description: DIODE SCHOTKY 1200V 30A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5541.41 грн
10+5012.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS045A120S-D3 GHXS045A120S-D3 SemiQ GHXS045A120S-D3.pdf Description: DIODE MOD SIC 1200V 45A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 45A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 45 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS045A120S-D3 GHXS045A120S-D3 SemiQ GHXS045A120S_D3-1916832.pdf Discrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 1200A 45A
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7943.15 грн
10+7425.99 грн
30+6280.74 грн
100+6008.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050A060S-D3 GHXS050A060S-D3 SemiQ GHXS050A060S-D3.pdf Description: DIODE SCHOTT SBD 600V 50A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4274.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050A060S-D3 GHXS050A060S-D3 SemiQ GHXS050A060S_D3-1916603.pdf Diode Modules SiC SBD Parallel Power Module 600V 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050A170S-D3 GHXS050A170S-D3 SemiQ GHXS050A170S_D3-1916809.pdf Diode Modules SiC SBD Parallel Power Module 1700V 50A
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3189.06 грн
10+2672.11 грн
100+2058.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050A170S-D3 GHXS050A170S-D3 SemiQ Description: DIODE MOD SIC 1700V 150A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 750 µA @ 1700 V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12939.76 грн
10+11670.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050B065S-D3 GHXS050B065S-D3 SemiQ GHXS050B065S-D3.pdf Description: DIODE MOD SIC 650V 95A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 95A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 125 µA @ 650 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1963.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050B065S-D3 GHXS050B065S-D3 SemiQ GHXS050B065S_D3.pdf Diode Modules SiC SBD 650V 50A SiC Power Modules
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1966.63 грн
10+1504.47 грн
100+1126.31 грн
500+1125.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050B120S-D3 GHXS050B120S-D3 SemiQ GHXS050B120S-D3.pdf Description: DIODE MOD SIC 1200V 101A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 101A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050B120S-D3 GHXS050B120S-D3 SemiQ GHXS050B120S_D3-1916892.pdf Discrete Semiconductor Modules SiC SBD 1200V 50A SiC Power Modules
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3651.43 грн
10+3059.29 грн
20+2570.42 грн
50+2484.36 грн
100+2399.06 грн
200+2313.00 грн
500+2205.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050B170S-D3 GHXS050B170S-D3 SemiQ GHXS050B170S_D3-3476201.pdf Diode Modules SiC 1700V 50A Schottky Diode Module
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3337.90 грн
10+2796.25 грн
100+2154.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050B170S-D3 GHXS050B170S-D3 SemiQ GHXS050B170S-D3.pdf Description: 1700V, 50A SIC DUAL DIODE MODULE
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 110A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1.7 kV
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2965.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS060A120S-D3 GHXS060A120S-D3 SemiQ GHXS060A120S-D3.pdf Diode Modules 1200V, 60A, SOT-227 diode module
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3781.78 грн
10+3064.50 грн
100+2354.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS060B120S-D3 GHXS060B120S-D3 SemiQ GHXS060B120S_D3-1916721.pdf Discrete Semiconductor Modules SiC SBD Power Dual Diode Module 1200A 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS060B120S-D3 GHXS060B120S-D3 SemiQ Description: DIODE MOD SIC 1200V 161A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 161A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS100B065S-D3 GHXS100B065S-D3 SemiQ GHXS100B065S_D3.pdf Diode Modules SiC SBD 650V 100A SiC Power Modules
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2355.91 грн
10+1705.88 грн
100+1334.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS100B065S-D3 GHXS100B065S-D3 SemiQ GHXS100B065S-D3.pdf Description: DIODE MOD SIC 650V 193A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 193A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2177.04 грн
10+1541.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS100B120S-D3 GHXS100B120S-D3 SemiQ GHXS100B120S_D3-1916878.pdf Diode Modules SiC SBD 1200V 100A SiC Power Modules
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3427.73 грн
10+2540.15 грн
100+2129.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS100B120S-D3 GHXS100B120S-D3 SemiQ GHXS100B120S-D3.pdf Description: DIODE MOD SIC 1200V 198A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 198A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3168.39 грн
10+2293.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS100B170S-D3 GHXS100B170S-D3 SemiQ GHXS100B170S_D3.pdf Diode Modules SiC 1700V 100A Schottky Diode Module
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5047.36 грн
10+4109.73 грн
100+3181.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS100B170S-D3 GHXS100B170S-D3 SemiQ GHXS100B170S-D3_rev0.2.pdf Description: 1700V, 100A SIC DUAL DIODE MODUL
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 214A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1.7 kV
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4591.71 грн
10+3505.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D003A060C GP2D003A060C SemiQ GP2D003A060C_REV2_8-27-15.pdf Description: DIODE SIL CARB 600V 3A TO252-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 158pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-252-2L (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D003A060C GP2D003A060C SemiQ GP2D003A060C_REV2_8-27-15.pdf Description: DIODE SIL CARB 600V 3A TO252-2L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 158pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-252-2L (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D003A065A GP2D003A065A SemiQ GP2D003A065A_REV2_8-27-15.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 3A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 158pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D005A120C GP2D005A120C SemiQ GP2D005A120C.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO252-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 317pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252-2L (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D005A120C GP2D005A120C SemiQ GP2D005A120C.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO252-2L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 317pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252-2L (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D006A065C GP2D006A065C SemiQ GP2D006A065C.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO252-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 316pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-252-2L (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D010A065A SemiQ GP2D010A065A.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D010A065C SemiQ GP2D010A065C.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D010A120A GP2D010A120A SemiQ GP2D010A120A.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 635pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D010A120B GP2D010A120B SemiQ GP2D010A120B.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 635pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D010A120C GP2D010A120C SemiQ GP2D010A120C.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO252L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 635pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D010A120U SemiQ Description: DIODE ARR SIC 1200V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 17A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D020A065B SemiQ GP2D020A065B.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1054pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D020A065U SemiQ GP2D020A065U.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D030A065B SemiQ Description: DIODE SILICON CARBIDE
Packaging: Tube
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D060A120B SemiQ GP2D060A120B.pdf Description: DIODE SCHOTKY 1.2KV 60A TO247-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T020A120H GP2T020A120H SemiQ GP2T020A120H-3359577.pdf SiC MOSFETs 1200V, 18mOhm, TO-247-4L MOSFET
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1516.59 грн
10+1229.27 грн
120+924.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T040A120H GP2T040A120H SemiQ GP2T040A120H-3032323.pdf MOSFET SiC MOSFET 1200V 40mohm TO-247-4L
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1529.80 грн
10+1329.11 грн
30+1124.04 грн
60+1060.63 грн
120+997.97 грн
270+967.78 грн
510+905.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T040A120H GP2T040A120H SemiQ GP2T040A120H.pdf Description: SIC MOSFET 1200V 40M TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 322W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3192 pF @ 1000 V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1590.73 грн
30+1349.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T040A120J GP2T040A120J SemiQ GP2T040A120J-3359568.pdf SiC MOSFETs 1200V, 40mOhm, TO-263-7L MOSFET
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+893.92 грн
10+689.30 грн
100+498.23 грн
500+444.63 грн
1000+378.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T040A120U GP2T040A120U SemiQ GP2T040A120U-3032364.pdf MOSFET SiC MOSFET 1200V 40mohm TO-247-3L
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1476.07 грн
10+1282.23 грн
30+1084.79 грн
60+1023.64 грн
120+963.25 грн
270+933.05 грн
510+872.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHIS060A060S-A1 GHIS060A060S-A1.pdf
GHIS060A060S-A1
Виробник: SemiQ
Description: IGBT MOD 600V 120A 297W SOT227
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHIS060A060S-A2 GHIS060A060S-A2.pdf
GHIS060A060S-A2
Виробник: SemiQ
Description: IGBT MOD 600V 120A 312W SOT227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHIS060A120S-A1 GHIS060A120S-A1.pdf
GHIS060A120S-A1
Виробник: SemiQ
Description: IGBT MOD 1200V 120A 680W SOT227
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHIS060A120S-A2 GHIS060A120S-A2.pdf
GHIS060A120S-A2
Виробник: SemiQ
Description: IGBT MOD 1200V 120A 680W SOT227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS010A060S-D3 GHXS010A060S_D3.pdf
GHXS010A060S-D3
Виробник: SemiQ
Diode Modules SiC SBD Parallel Power Module 600V 10A
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1454.06 грн
10+1023.53 грн
100+723.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS010A060S-D3 GHXS010A060S-D3.pdf
GHXS010A060S-D3
Виробник: SemiQ
Description: DIODE MOD SIC 600V 10A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1344.12 грн
10+924.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS015A120S-D3 GHXS015A120S-D3.pdf
GHXS015A120S-D3
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SCHOT SBD 1200V 15A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3257.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS015A120S-D3 GHXS015A120S_D3-1916837.pdf
GHXS015A120S-D3
Виробник: SemiQ
Discrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 1200V 15A
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS020A060S-D3 GHXS020A060S_D3.pdf
GHXS020A060S-D3
Виробник: SemiQ
Diode Modules SiC SBD Parallel Power Module 600V 20A
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1674.23 грн
10+1163.30 грн
100+843.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS020A060S-D3 GHXS020A060S-D3.pdf
GHXS020A060S-D3
Виробник: SemiQ
Description: DIODE MOD SIC 600V 20A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1517.23 грн
10+1050.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A060S-D1E GHXS030A060S-D1E.pdf
GHXS030A060S-D1E
Виробник: SemiQ
Description: BRIDGE RECT 1P 600V 30A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide Schottky
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 30 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2235.02 грн
10+1584.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A060S-D1E GHXS030A060S_D1E.pdf
GHXS030A060S-D1E
Виробник: SemiQ
Diode Modules SiC SBD Rectifier Bridge Power Module 600V 30A
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2556.71 грн
10+1995.83 грн
100+1543.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A060S-D3 GHXS030A060S_D3-1916863.pdf
GHXS030A060S-D3
Виробник: SemiQ
Diode Modules SiC SBD Parallel Power Module 600V 30A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A060S-D3 GHXS030A060S-D3.pdf
GHXS030A060S-D3
Виробник: SemiQ
Description: DIODE MOD SIC SCHOT 600V SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A120S-D1E GHXS030A120S_D1E-1916767.pdf
GHXS030A120S-D1E
Виробник: SemiQ
Discrete Semiconductor Modules SiC SBD Rectifier Bridge Power Module 1200V 30A
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8840.59 грн
10+8263.74 грн
30+7077.91 грн
100+6790.29 грн
250+6661.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A120S-D1E GHXS030A120S-D1E.pdf
GHXS030A120S-D1E
Виробник: SemiQ
Description: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 30A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide Schottky
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV
Current - Average Rectified (Io): 30 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3456.65 грн
10+2514.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A120S-D3 GHXS030A120S_D3-1915598.pdf
GHXS030A120S-D3
Виробник: SemiQ
Discrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 1200V 30A
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5618.07 грн
10+5201.84 грн
30+4441.81 грн
100+4053.04 грн
250+3976.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A120S-D3 GHXS030A120S-D3.pdf
GHXS030A120S-D3
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SCHOTKY 1200V 30A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5541.41 грн
10+5012.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS045A120S-D3 GHXS045A120S-D3.pdf
GHXS045A120S-D3
Виробник: SemiQ
Description: DIODE MOD SIC 1200V 45A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 45A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 45 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS045A120S-D3 GHXS045A120S_D3-1916832.pdf
GHXS045A120S-D3
Виробник: SemiQ
Discrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 1200A 45A
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7943.15 грн
10+7425.99 грн
30+6280.74 грн
100+6008.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050A060S-D3 GHXS050A060S-D3.pdf
GHXS050A060S-D3
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SCHOTT SBD 600V 50A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4274.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050A060S-D3 GHXS050A060S_D3-1916603.pdf
GHXS050A060S-D3
Виробник: SemiQ
Diode Modules SiC SBD Parallel Power Module 600V 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050A170S-D3 GHXS050A170S_D3-1916809.pdf
GHXS050A170S-D3
Виробник: SemiQ
Diode Modules SiC SBD Parallel Power Module 1700V 50A
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3189.06 грн
10+2672.11 грн
100+2058.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050A170S-D3
GHXS050A170S-D3
Виробник: SemiQ
Description: DIODE MOD SIC 1700V 150A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 750 µA @ 1700 V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+12939.76 грн
10+11670.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050B065S-D3 GHXS050B065S-D3.pdf
GHXS050B065S-D3
Виробник: SemiQ
Description: DIODE MOD SIC 650V 95A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 95A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 125 µA @ 650 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1963.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050B065S-D3 GHXS050B065S_D3.pdf
GHXS050B065S-D3
Виробник: SemiQ
Diode Modules SiC SBD 650V 50A SiC Power Modules
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1966.63 грн
10+1504.47 грн
100+1126.31 грн
500+1125.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050B120S-D3 GHXS050B120S-D3.pdf
GHXS050B120S-D3
Виробник: SemiQ
Description: DIODE MOD SIC 1200V 101A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 101A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050B120S-D3 GHXS050B120S_D3-1916892.pdf
GHXS050B120S-D3
Виробник: SemiQ
Discrete Semiconductor Modules SiC SBD 1200V 50A SiC Power Modules
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3651.43 грн
10+3059.29 грн
20+2570.42 грн
50+2484.36 грн
100+2399.06 грн
200+2313.00 грн
500+2205.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050B170S-D3 GHXS050B170S_D3-3476201.pdf
GHXS050B170S-D3
Виробник: SemiQ
Diode Modules SiC 1700V 50A Schottky Diode Module
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3337.90 грн
10+2796.25 грн
100+2154.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050B170S-D3 GHXS050B170S-D3.pdf
GHXS050B170S-D3
Виробник: SemiQ
Description: 1700V, 50A SIC DUAL DIODE MODULE
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 110A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1.7 kV
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2965.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS060A120S-D3 GHXS060A120S-D3.pdf
GHXS060A120S-D3
Виробник: SemiQ
Diode Modules 1200V, 60A, SOT-227 diode module
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3781.78 грн
10+3064.50 грн
100+2354.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS060B120S-D3 GHXS060B120S_D3-1916721.pdf
GHXS060B120S-D3
Виробник: SemiQ
Discrete Semiconductor Modules SiC SBD Power Dual Diode Module 1200A 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS060B120S-D3
GHXS060B120S-D3
Виробник: SemiQ
Description: DIODE MOD SIC 1200V 161A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 161A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS100B065S-D3 GHXS100B065S_D3.pdf
GHXS100B065S-D3
Виробник: SemiQ
Diode Modules SiC SBD 650V 100A SiC Power Modules
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2355.91 грн
10+1705.88 грн
100+1334.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS100B065S-D3 GHXS100B065S-D3.pdf
GHXS100B065S-D3
Виробник: SemiQ
Description: DIODE MOD SIC 650V 193A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 193A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2177.04 грн
10+1541.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS100B120S-D3 GHXS100B120S_D3-1916878.pdf
GHXS100B120S-D3
Виробник: SemiQ
Diode Modules SiC SBD 1200V 100A SiC Power Modules
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3427.73 грн
10+2540.15 грн
100+2129.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS100B120S-D3 GHXS100B120S-D3.pdf
GHXS100B120S-D3
Виробник: SemiQ
Description: DIODE MOD SIC 1200V 198A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 198A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3168.39 грн
10+2293.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS100B170S-D3 GHXS100B170S_D3.pdf
GHXS100B170S-D3
Виробник: SemiQ
Diode Modules SiC 1700V 100A Schottky Diode Module
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5047.36 грн
10+4109.73 грн
100+3181.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS100B170S-D3 GHXS100B170S-D3_rev0.2.pdf
GHXS100B170S-D3
Виробник: SemiQ
Description: 1700V, 100A SIC DUAL DIODE MODUL
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 214A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1.7 kV
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4591.71 грн
10+3505.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D003A060C GP2D003A060C_REV2_8-27-15.pdf
GP2D003A060C
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 600V 3A TO252-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 158pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-252-2L (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D003A060C GP2D003A060C_REV2_8-27-15.pdf
GP2D003A060C
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 600V 3A TO252-2L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 158pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-252-2L (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D003A065A GP2D003A065A_REV2_8-27-15.pdf
GP2D003A065A
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 3A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 158pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D005A120C GP2D005A120C.pdf
GP2D005A120C
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO252-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 317pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252-2L (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D005A120C GP2D005A120C.pdf
GP2D005A120C
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO252-2L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 317pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252-2L (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D006A065C GP2D006A065C.pdf
GP2D006A065C
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO252-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 316pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-252-2L (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D010A065A GP2D010A065A.pdf
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D010A065C GP2D010A065C.pdf
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D010A120A GP2D010A120A.pdf
GP2D010A120A
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 635pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D010A120B GP2D010A120B.pdf
GP2D010A120B
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 635pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D010A120C GP2D010A120C.pdf
GP2D010A120C
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO252L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 635pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D010A120U
Виробник: SemiQ
Description: DIODE ARR SIC 1200V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 17A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D020A065B GP2D020A065B.pdf
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1054pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D020A065U GP2D020A065U.pdf
Виробник: SemiQ
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D030A065B
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SILICON CARBIDE
Packaging: Tube
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D060A120B GP2D060A120B.pdf
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SCHOTKY 1.2KV 60A TO247-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T020A120H GP2T020A120H-3359577.pdf
GP2T020A120H
Виробник: SemiQ
SiC MOSFETs 1200V, 18mOhm, TO-247-4L MOSFET
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1516.59 грн
10+1229.27 грн
120+924.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T040A120H GP2T040A120H-3032323.pdf
GP2T040A120H
Виробник: SemiQ
MOSFET SiC MOSFET 1200V 40mohm TO-247-4L
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1529.80 грн
10+1329.11 грн
30+1124.04 грн
60+1060.63 грн
120+997.97 грн
270+967.78 грн
510+905.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T040A120H GP2T040A120H.pdf
GP2T040A120H
Виробник: SemiQ
Description: SIC MOSFET 1200V 40M TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 322W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3192 pF @ 1000 V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1590.73 грн
30+1349.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T040A120J GP2T040A120J-3359568.pdf
GP2T040A120J
Виробник: SemiQ
SiC MOSFETs 1200V, 40mOhm, TO-263-7L MOSFET
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+893.92 грн
10+689.30 грн
100+498.23 грн
500+444.63 грн
1000+378.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T040A120U GP2T040A120U-3032364.pdf
GP2T040A120U
Виробник: SemiQ
MOSFET SiC MOSFET 1200V 40mohm TO-247-3L
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1476.07 грн
10+1282.23 грн
30+1084.79 грн
60+1023.64 грн
120+963.25 грн
270+933.05 грн
510+872.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5  [ Наступна Сторінка >> ]