Продукція > SEMIQ > Всі товари виробника SEMIQ (280) > Сторінка 4 з 5

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GP3D040A065U GP3D040A065U SemiQ GP3D040A065U.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 40A 650V TO-247-3
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+575.58 грн
10+475.62 грн
120+342.33 грн
510+308.25 грн
1020+287.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D040A120U GP3D040A120U SemiQ GP3D040A120U-1916868.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 40A 1200V TO-247-3
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1227.96 грн
10+1112.44 грн
30+927.84 грн
60+896.86 грн
120+816.32 грн
270+776.82 грн
510+725.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D050A065B GP3D050A065B SemiQ Description: SIC SCHOTTKY RECTIFIER
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D050A120B GP3D050A120B SemiQ GP3D050A120B-1915593.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 1200V 50A TO-247-2
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1573.13 грн
10+1481.18 грн
30+1092.04 грн
120+1026.98 грн
270+1009.17 грн
510+930.94 грн
1020+888.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D050A120B GP3D050A120B SemiQ GP3D050A120B.pdf Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-2
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2040.03 грн
10+1811.99 грн
100+1547.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D050B170B GP3D050B170B SemiQ SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 50A 1700V TO-247-2
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1357.17 грн
10+1070.58 грн
120+804.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D060A120B SemiQ Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 60A TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D060A120U GP3D060A120U SemiQ GP3D060A120U-1916754.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 60A 1200V TO-247-3
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2542.66 грн
10+2312.17 грн
120+2009.81 грн
510+1865.76 грн
1020+1772.82 грн
2520+1743.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D060A120U GP3D060A120U SemiQ GP3D060A120U.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GP3T016A120H GP3T016A120H SemiQ GP3T016A120H.pdf SiC MOSFETs Gen3 1200V, 16mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3T020A120H GP3T020A120H SemiQ GP3T020A120H.pdf SiC MOSFETs Gen3 1200V, 20mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+895.44 грн
10+626.14 грн
120+408.93 грн
510+393.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3T020A120TS SemiQ GP3T020A120TS.pdf Description: GEN3 1200V 20M SIC MOSFET TSPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: TSPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6078 pF @ 1000 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+851.20 грн
36+480.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3T040A120H GP3T040A120H SemiQ GP3T040A120H.pdf SiC MOSFETs Gen3 1200V, 40mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+606.30 грн
10+407.93 грн
120+259.46 грн
510+231.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3T040A120TS SemiQ GP3T040A120TS.pdf Description: GEN3 1200V 40M SIC MOSFET TSPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TSPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2803 pF @ 1000 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+567.19 грн
36+308.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3T080A120H GP3T080A120H SemiQ GP3T080A120H.pdf SiC MOSFETs Gen3 1200V, 80mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+384.92 грн
10+293.03 грн
120+183.56 грн
510+152.58 грн
1020+151.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3T080A120J SemiQ GP3T080A120J.pdf Description: GEN3 1200V 80M SIC MOSFET TO-263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1351 pF @ 1000 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+414.71 грн
50+210.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3T080A120TS SemiQ GP3T080A120TS.pdf Description: GEN3 1200V 80M SIC MOSFET TSPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TSPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1351 pF @ 1000 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+414.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GPA015A120MN-ND GPA015A120MN-ND SemiQ GPA015A120MN-ND_REV2.1_10-13.pdf Description: IGBT NPT/TRENCH 1200V 30A TO-3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 320 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: NPT and Trench
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/166ns
Switching Energy: 1.61mJ (on), 530µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 212 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GPA020A120MN-FD GPA020A120MN-FD SemiQ GPA020A120MN-FD_REV1.1_10-13.pdf Description: IGBT 1200V 40A 223W TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 425 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/150ns
Switching Energy: 2.8mJ (on), 480µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 223 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GPA020A135MN-FD GPA020A135MN-FD SemiQ GPA020A135MN-FD_REV0.1_12-13.pdf Description: IGBT 1350V 40A 223W TO3PN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GPA025A120MN-ND GPA025A120MN-ND SemiQ GPA025A120MN-ND_REV1.1_10-13.pdf Description: IGBT 1200V 50A 312W TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 480 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: NPT and Trench
Td (on/off) @ 25°C: 57ns/240ns
Switching Energy: 4.15mJ (on), 870µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 350 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 312 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GPA030A120MN-FD GPA030A120MN-FD SemiQ GPA030A120MN-FD_REV1.1_10-13.pdf Description: IGBT 1200V 60A 329W TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 450 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/245ns
Switching Energy: 4.5mJ (on), 850µJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 330 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 329 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GPA030A135MN-FDR GPA030A135MN-FDR SemiQ GPA030A135MN-FDR_REV0.0_2-14.pdf Description: IGBT 1350V 60A 329W TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 450 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/145ns
Switching Energy: 4.4mJ (on), 1.18mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 300 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 329 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GPA040A120L-FD GPA040A120L-FD SemiQ GPA040A120L-FD.pdf Description: IGBT 1200V 80A 480W TO264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GPA040A120L-ND GPA040A120L-ND SemiQ GPA040A120L-ND.pdf Description: IGBT 1200V 80A 455W TO264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GPA040A120MN-FD GPA040A120MN-FD SemiQ GPA040A120MN-FD_REV0.0_3-14.pdf Description: IGBT 1200V 80A 480W TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 55ns/200ns
Switching Energy: 5.3mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 480 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 480 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GPA042A100L-ND GPA042A100L-ND SemiQ GPA042A100L-ND_REV1_8-12.pdf Description: IGBT 1000V 60A 463W TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 465 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-264
IGBT Type: NPT and Trench
Td (on/off) @ 25°C: 230ns/1480ns
Switching Energy: 13.1mJ (on), 6.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 60A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 405 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 463 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GPI040A060MN-FD GPI040A060MN-FD SemiQ GPI040A060MN-FD_REV0_9-13.pdf Description: IGBT 600V 80A 231W TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/85ns
Switching Energy: 1.46mJ (on), 540µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 173 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 231 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSID080A120B1A5 GSID080A120B1A5 SemiQ GSID080A120B1A5.pdf Description: IGBT MOD 1200V 160A 1710W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSID100A120S5C1 GSID100A120S5C1 SemiQ Description: IGBT MOD 1200V 170A 650W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 170 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 650 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13.7 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSID150A120S3B1 GSID150A120S3B1 SemiQ Description: IGBT MODULE 1200V 300A 940W D3
Packaging: Bulk
Package / Case: D-3 Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: D3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 940 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSID150A120S5C1 GSID150A120S5C1 SemiQ Description: IGBT MOD 1200V 285A 1087W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 285 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1087 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 21.2 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSID150A120S6A4 GSID150A120S6A4 SemiQ GSID150A120S6A4.pdf Description: IGBT MOD 1200V 275A 1035W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 275 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1035 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 20.2 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSID150A120T2C1 GSID150A120T2C1 SemiQ Description: IGBT MOD 1200V 285A 1087W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 285 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1087 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 21.2 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSID200A120S3B1 GSID200A120S3B1 SemiQ Description: IGBT MODULE 1200V 400A 1595W D3
Packaging: Bulk
Package / Case: D-3 Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: D3
Current - Collector (Ic) (Max): 400 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1595 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 20 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSID200A120S5C1 GSID200A120S5C1 SemiQ Description: IGBT MODULE 1200V 335A
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 335 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 22.4 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSID200A170S3B1 GSID200A170S3B1 SemiQ Description: IGBT MODULE 1200V 400A 1630W D3
Packaging: Bulk
Package / Case: D-3 Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: D3
Current - Collector (Ic) (Max): 400 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1630 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSID300A120S5C1 GSID300A120S5C1 SemiQ Description: IGBT MOD 1200V 430A 1630W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 430 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1630 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 30 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSID300A125S5C1 GSID300A125S5C1 SemiQ Description: IGBT MOD 1250V 600A 2500W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 3 Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1250 V
Power - Max: 2500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 30.8 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSID600A120S4B1 GSID600A120S4B1 SemiQ Description: IGBT MOD 1200V 1130A 3060W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 1130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 3060 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 51 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSXD030A004S1-D3 GSXD030A004S1-D3 SemiQ GSXD030A004S1-D3_1-2020.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 45V 30A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 45 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSXD030A010S1-D3 GSXD030A010S1-D3 SemiQ GSXD030A010S1-D3.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 100V 30A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSXD050A004S1-D3 GSXD050A004S1-D3 SemiQ GSXD050A004S1-D3.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 45V 50A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 45 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSXD050A006S1-D3 GSXD050A006S1-D3 SemiQ GSXD050A006S1-D3.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 50A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSXD050A008S1-D3 GSXD050A008S1-D3 SemiQ GSXD050A008S1-D3.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 80V 50A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSXD050A010S1-D3 GSXD050A010S1-D3 SemiQ GSXD050A010S1-D3.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 100V 50A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSXD050A012S1-D3 GSXD050A012S1-D3 SemiQ GSXD050A012S1-D3.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 120V 50A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 120 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSXD050A015S1-D3 GSXD050A015S1-D3 SemiQ GSXD050A015S1-D3.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 150V 50A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSXD050A018S1-D3 GSXD050A018S1-D3 SemiQ GSXD050A018S1-D3.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 180V 50A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 180 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 180 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSXD050A020S1-D3 GSXD050A020S1-D3 SemiQ GSXD050A020S1-D3.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 200V 50A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSXD060A004S1-D3 GSXD060A004S1-D3 SemiQ GSXD060A004S1-D3.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 60A SOT227
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GSXD060A006S1-D3 GSXD060A006S1-D3 SemiQ GSXD060A006S1-D3.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 60A SOT227
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GSXD060A008S1-D3 GSXD060A008S1-D3 SemiQ GSXD060A008S1-D3.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 80V 60A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 80 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3164.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GSXD060A010S1-D3 GSXD060A010S1-D3 SemiQ GSXD060A010S1-D3.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 60A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSXD060A012S1-D3 GSXD060A012S1-D3 SemiQ GSXD060A012S1-D3.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 120V 60A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 120 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSXD060A015S1-D3 GSXD060A015S1-D3 SemiQ GSXD060A015S1-D3.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 150V 60A SOT227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSXD060A018S1-D3 GSXD060A018S1-D3 SemiQ GSXD060A018S1-D3.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 180V 60A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 180 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 180 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSXD060A020S1-D3 GSXD060A020S1-D3 SemiQ GSXD060A020S1-D3.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 60A SOT227
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GSXD080A004S1-D3 GSXD080A004S1-D3 SemiQ GSXD080A004S1-D3.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 45V 80A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 80 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 45 V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2631.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GSXD080A006S1-D3 GSXD080A006S1-D3 SemiQ GSXD080A006S1-D3_1-2020.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 80A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 80 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D040A065U GP3D040A065U.pdf
GP3D040A065U
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 40A 650V TO-247-3
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+575.58 грн
10+475.62 грн
120+342.33 грн
510+308.25 грн
1020+287.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D040A120U GP3D040A120U-1916868.pdf
GP3D040A120U
Виробник: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 40A 1200V TO-247-3
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1227.96 грн
10+1112.44 грн
30+927.84 грн
60+896.86 грн
120+816.32 грн
270+776.82 грн
510+725.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D050A065B
GP3D050A065B
Виробник: SemiQ
Description: SIC SCHOTTKY RECTIFIER
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D050A120B GP3D050A120B-1915593.pdf
GP3D050A120B
Виробник: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 1200V 50A TO-247-2
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1573.13 грн
10+1481.18 грн
30+1092.04 грн
120+1026.98 грн
270+1009.17 грн
510+930.94 грн
1020+888.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D050A120B GP3D050A120B.pdf
GP3D050A120B
Виробник: SemiQ
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-2
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2040.03 грн
10+1811.99 грн
100+1547.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D050B170B
GP3D050B170B
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 50A 1700V TO-247-2
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1357.17 грн
10+1070.58 грн
120+804.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D060A120B
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 60A TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D060A120U GP3D060A120U-1916754.pdf
GP3D060A120U
Виробник: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 60A 1200V TO-247-3
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2542.66 грн
10+2312.17 грн
120+2009.81 грн
510+1865.76 грн
1020+1772.82 грн
2520+1743.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D060A120U GP3D060A120U.pdf
GP3D060A120U
Виробник: SemiQ
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GP3T016A120H GP3T016A120H.pdf
GP3T016A120H
Виробник: SemiQ
SiC MOSFETs Gen3 1200V, 16mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3T020A120H GP3T020A120H.pdf
GP3T020A120H
Виробник: SemiQ
SiC MOSFETs Gen3 1200V, 20mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+895.44 грн
10+626.14 грн
120+408.93 грн
510+393.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3T020A120TS GP3T020A120TS.pdf
Виробник: SemiQ
Description: GEN3 1200V 20M SIC MOSFET TSPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: TSPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6078 pF @ 1000 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+851.20 грн
36+480.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3T040A120H GP3T040A120H.pdf
GP3T040A120H
Виробник: SemiQ
SiC MOSFETs Gen3 1200V, 40mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+606.30 грн
10+407.93 грн
120+259.46 грн
510+231.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3T040A120TS GP3T040A120TS.pdf
Виробник: SemiQ
Description: GEN3 1200V 40M SIC MOSFET TSPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TSPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2803 pF @ 1000 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+567.19 грн
36+308.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3T080A120H GP3T080A120H.pdf
GP3T080A120H
Виробник: SemiQ
SiC MOSFETs Gen3 1200V, 80mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+384.92 грн
10+293.03 грн
120+183.56 грн
510+152.58 грн
1020+151.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3T080A120J GP3T080A120J.pdf
Виробник: SemiQ
Description: GEN3 1200V 80M SIC MOSFET TO-263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1351 pF @ 1000 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+414.71 грн
50+210.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3T080A120TS GP3T080A120TS.pdf
Виробник: SemiQ
Description: GEN3 1200V 80M SIC MOSFET TSPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TSPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1351 pF @ 1000 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+414.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GPA015A120MN-ND GPA015A120MN-ND_REV2.1_10-13.pdf
GPA015A120MN-ND
Виробник: SemiQ
Description: IGBT NPT/TRENCH 1200V 30A TO-3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 320 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: NPT and Trench
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/166ns
Switching Energy: 1.61mJ (on), 530µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 212 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GPA020A120MN-FD GPA020A120MN-FD_REV1.1_10-13.pdf
GPA020A120MN-FD
Виробник: SemiQ
Description: IGBT 1200V 40A 223W TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 425 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/150ns
Switching Energy: 2.8mJ (on), 480µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 223 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GPA020A135MN-FD GPA020A135MN-FD_REV0.1_12-13.pdf
GPA020A135MN-FD
Виробник: SemiQ
Description: IGBT 1350V 40A 223W TO3PN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GPA025A120MN-ND GPA025A120MN-ND_REV1.1_10-13.pdf
GPA025A120MN-ND
Виробник: SemiQ
Description: IGBT 1200V 50A 312W TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 480 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: NPT and Trench
Td (on/off) @ 25°C: 57ns/240ns
Switching Energy: 4.15mJ (on), 870µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 350 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 312 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GPA030A120MN-FD GPA030A120MN-FD_REV1.1_10-13.pdf
GPA030A120MN-FD
Виробник: SemiQ
Description: IGBT 1200V 60A 329W TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 450 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/245ns
Switching Energy: 4.5mJ (on), 850µJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 330 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 329 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GPA030A135MN-FDR GPA030A135MN-FDR_REV0.0_2-14.pdf
GPA030A135MN-FDR
Виробник: SemiQ
Description: IGBT 1350V 60A 329W TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 450 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/145ns
Switching Energy: 4.4mJ (on), 1.18mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 300 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 329 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GPA040A120L-FD GPA040A120L-FD.pdf
GPA040A120L-FD
Виробник: SemiQ
Description: IGBT 1200V 80A 480W TO264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GPA040A120L-ND GPA040A120L-ND.pdf
GPA040A120L-ND
Виробник: SemiQ
Description: IGBT 1200V 80A 455W TO264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GPA040A120MN-FD GPA040A120MN-FD_REV0.0_3-14.pdf
GPA040A120MN-FD
Виробник: SemiQ
Description: IGBT 1200V 80A 480W TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 55ns/200ns
Switching Energy: 5.3mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 480 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 480 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GPA042A100L-ND GPA042A100L-ND_REV1_8-12.pdf
GPA042A100L-ND
Виробник: SemiQ
Description: IGBT 1000V 60A 463W TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 465 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-264
IGBT Type: NPT and Trench
Td (on/off) @ 25°C: 230ns/1480ns
Switching Energy: 13.1mJ (on), 6.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 60A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 405 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 463 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GPI040A060MN-FD GPI040A060MN-FD_REV0_9-13.pdf
GPI040A060MN-FD
Виробник: SemiQ
Description: IGBT 600V 80A 231W TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/85ns
Switching Energy: 1.46mJ (on), 540µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 173 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 231 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSID080A120B1A5 GSID080A120B1A5.pdf
GSID080A120B1A5
Виробник: SemiQ
Description: IGBT MOD 1200V 160A 1710W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSID100A120S5C1
GSID100A120S5C1
Виробник: SemiQ
Description: IGBT MOD 1200V 170A 650W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 170 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 650 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13.7 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSID150A120S3B1
GSID150A120S3B1
Виробник: SemiQ
Description: IGBT MODULE 1200V 300A 940W D3
Packaging: Bulk
Package / Case: D-3 Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: D3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 940 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSID150A120S5C1
GSID150A120S5C1
Виробник: SemiQ
Description: IGBT MOD 1200V 285A 1087W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 285 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1087 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 21.2 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSID150A120S6A4 GSID150A120S6A4.pdf
GSID150A120S6A4
Виробник: SemiQ
Description: IGBT MOD 1200V 275A 1035W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 275 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1035 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 20.2 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSID150A120T2C1
GSID150A120T2C1
Виробник: SemiQ
Description: IGBT MOD 1200V 285A 1087W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 285 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1087 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 21.2 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSID200A120S3B1
GSID200A120S3B1
Виробник: SemiQ
Description: IGBT MODULE 1200V 400A 1595W D3
Packaging: Bulk
Package / Case: D-3 Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: D3
Current - Collector (Ic) (Max): 400 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1595 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 20 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSID200A120S5C1
GSID200A120S5C1
Виробник: SemiQ
Description: IGBT MODULE 1200V 335A
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 335 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 22.4 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSID200A170S3B1
GSID200A170S3B1
Виробник: SemiQ
Description: IGBT MODULE 1200V 400A 1630W D3
Packaging: Bulk
Package / Case: D-3 Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: D3
Current - Collector (Ic) (Max): 400 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1630 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSID300A120S5C1
GSID300A120S5C1
Виробник: SemiQ
Description: IGBT MOD 1200V 430A 1630W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 430 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1630 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 30 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSID300A125S5C1
GSID300A125S5C1
Виробник: SemiQ
Description: IGBT MOD 1250V 600A 2500W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 3 Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1250 V
Power - Max: 2500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 30.8 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSID600A120S4B1
GSID600A120S4B1
Виробник: SemiQ
Description: IGBT MOD 1200V 1130A 3060W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 1130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 3060 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 51 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSXD030A004S1-D3 GSXD030A004S1-D3_1-2020.pdf
GSXD030A004S1-D3
Виробник: SemiQ
Description: DIODE MOD SCHOTT 45V 30A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 45 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSXD030A010S1-D3 GSXD030A010S1-D3.pdf
GSXD030A010S1-D3
Виробник: SemiQ
Description: DIODE MOD SCHOTT 100V 30A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSXD050A004S1-D3 GSXD050A004S1-D3.pdf
GSXD050A004S1-D3
Виробник: SemiQ
Description: DIODE MOD SCHOTT 45V 50A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 45 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSXD050A006S1-D3 GSXD050A006S1-D3.pdf
GSXD050A006S1-D3
Виробник: SemiQ
Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 50A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSXD050A008S1-D3 GSXD050A008S1-D3.pdf
GSXD050A008S1-D3
Виробник: SemiQ
Description: DIODE MOD SCHOTT 80V 50A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSXD050A010S1-D3 GSXD050A010S1-D3.pdf
GSXD050A010S1-D3
Виробник: SemiQ
Description: DIODE MOD SCHOTT 100V 50A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSXD050A012S1-D3 GSXD050A012S1-D3.pdf
GSXD050A012S1-D3
Виробник: SemiQ
Description: DIODE MOD SCHOTT 120V 50A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 120 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSXD050A015S1-D3 GSXD050A015S1-D3.pdf
GSXD050A015S1-D3
Виробник: SemiQ
Description: DIODE MOD SCHOTT 150V 50A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSXD050A018S1-D3 GSXD050A018S1-D3.pdf
GSXD050A018S1-D3
Виробник: SemiQ
Description: DIODE MOD SCHOTT 180V 50A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 180 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 180 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSXD050A020S1-D3 GSXD050A020S1-D3.pdf
GSXD050A020S1-D3
Виробник: SemiQ
Description: DIODE MOD SCHOTT 200V 50A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSXD060A004S1-D3 GSXD060A004S1-D3.pdf
GSXD060A004S1-D3
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 60A SOT227
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GSXD060A006S1-D3 GSXD060A006S1-D3.pdf
GSXD060A006S1-D3
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 60A SOT227
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GSXD060A008S1-D3 GSXD060A008S1-D3.pdf
GSXD060A008S1-D3
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 60A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 80 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3164.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GSXD060A010S1-D3 GSXD060A010S1-D3.pdf
GSXD060A010S1-D3
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 60A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSXD060A012S1-D3 GSXD060A012S1-D3.pdf
GSXD060A012S1-D3
Виробник: SemiQ
Description: DIODE MOD SCHOTT 120V 60A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 120 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSXD060A015S1-D3 GSXD060A015S1-D3.pdf
GSXD060A015S1-D3
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 60A SOT227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSXD060A018S1-D3 GSXD060A018S1-D3.pdf
GSXD060A018S1-D3
Виробник: SemiQ
Description: DIODE MOD SCHOTT 180V 60A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 180 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 180 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSXD060A020S1-D3 GSXD060A020S1-D3.pdf
GSXD060A020S1-D3
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 60A SOT227
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GSXD080A004S1-D3 GSXD080A004S1-D3.pdf
GSXD080A004S1-D3
Виробник: SemiQ
Description: DIODE MOD SCHOTT 45V 80A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 80 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 45 V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2631.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GSXD080A006S1-D3 GSXD080A006S1-D3_1-2020.pdf
GSXD080A006S1-D3
Виробник: SemiQ
Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 80A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 80 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5  [ Наступна Сторінка >> ]