Продукція > SEMIQ > Всі товари виробника SEMIQ (309) > Сторінка 4 з 6

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
GP3D020A065B SemiQ GP3D020A065B.pdf DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-2 Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A065U GP3D020A065U SemiQ GP3D020A065U-1916793.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 650V TO-247-3
на замовлення 574 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A065U GP3D020A065U SemiQ GP3D020A065U.pdf Description: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO247-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+373.45 грн
30+227.51 грн
120+214.79 грн
510+188.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A120B GP3D020A120B SemiQ GP3D020A120B.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 20A 1200V TO-247-2
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A120B GP3D020A120B SemiQ GP3D020A120B.pdf Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-2
на замовлення 1131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+893.02 грн
10+776.78 грн
100+643.16 грн
500+525.59 грн
1000+462.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A120U GP3D020A120U SemiQ GP3D020A120U-1916846.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 1200V TO-247-3
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A170B GP3D020A170B SemiQ GP3D020A170B.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 67A TO247-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 67A
Capacitance @ Vr, F: 1403pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+979.62 грн
10+831.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A170B GP3D020A170B SemiQ GP3D020A170B.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky 1700V 203nC 20A
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D024A065U GP3D024A065U SemiQ GP3D024A065U.pdf Description: DIODE ARR SIC 650V 12A TO247-3
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 12A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D024A065U GP3D024A065U SemiQ GP3D024A065U-1916742.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 24A 650V TO-247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D030A060B SemiQ Description: DIODE SCHOTTKY 600V 30A TO247
Part Status: Active
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D030A065B GP3D030A065B SemiQ GP3D030A065B.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 30A 650V TO-247-2
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D030A065B GP3D030A065B SemiQ GP3D030A065B.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 30A
Capacitance @ Vr, F: 1247pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+442.26 грн
30+241.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D030A120B GP3D030A120B SemiQ GP3D030A120B.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 30A TO2472
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 30A
Capacitance @ Vr, F: 1762pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D030A120B GP3D030A120B SemiQ GP3D030A120B.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 30A 1200V TO-247-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D030A120U GP3D030A120U SemiQ GP3D030A120U.pdf Description: DIODE ARR SIC 1200V 15A TO247-3
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+702.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D030A120U GP3D030A120U SemiQ GP3D030A120U.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 30A 1200V TO-247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D040A065U GP3D040A065U SemiQ GP3D040A065U.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 40A 650V TO-247-3
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D040A065U GP3D040A065U SemiQ GP3D040A065U.pdf Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V TO247-3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+634.78 грн
10+551.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D040A120U GP3D040A120U SemiQ GP3D040A120U-1916868.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 40A 1200V TO-247-3
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D050A065B GP3D050A065B SemiQ Description: SIC SCHOTTKY RECTIFIER
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D050A065B SemiQ DIODE SIL CARB 650V 135A TO247-2 Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D050A120B GP3D050A120B SemiQ GP3D050A120B-1915593.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 1200V 50A TO-247-2
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D050A120B GP3D050A120B SemiQ GP3D050A120B.pdf Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-2
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1882.70 грн
10+1672.25 грн
100+1427.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D050B170B GP3D050B170B SemiQ GP3D050B170B.pdf Description: 1700V, 50A SIC DIODE, TO-247-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3511pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 151A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1.7 kV
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1224.72 грн
30+731.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D050B170B GP3D050B170B SemiQ GP3D050B170B.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 50A 1700V TO-247-2
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D050B170B SemiQ GP3D050B170B.pdf 1700V, 50A SIC DIODE, TO-247-2L Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D060A120B SemiQ Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 60A TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D060A120U GP3D060A120U SemiQ GP3D060A120U.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D060A120U GP3D060A120U SemiQ GP3D060A120U-1916754.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 60A 1200V TO-247-3
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GP3T014A120H GP3T014A120H SemiQ GP3T014A120H.pdf Description: GEN3 1200V 14M SIC MOSFET TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 133A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 484W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 258 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6242 pF @ 1000 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+912.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3T016A120H GP3T016A120H SemiQ GP3T016A120H.pdf SiC MOSFETs Gen3 1200V, 16mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3T016A120H GP3T016A120H SemiQ GP3T016A120H.pdf Description: GEN3 1200V, 16M SIC MOSFET, TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 132A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 484W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6779 pF @ 1000 V
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+904.62 грн
10+608.37 грн
100+459.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3T016A120TS SemiQ GP3T016A120TS.pdf Description: GEN3 1200V 16M SIC MOSFET TSPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: TSPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6779 pF @ 1000 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+904.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3T017A120H GP3T017A120H SemiQ GP3T017A120H.pdf Description: GEN3 1200V 17M SIC MOSFET TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 226 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5828 pF @ 1000 V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+834.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3T020A120H GP3T020A120H SemiQ GP3T020A120H.pdf Description: GEN3 1200V, 20M SIC MOSFET, TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6078 pF @ 1000 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+826.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3T020A120H GP3T020A120H SemiQ GP3T020A120H.pdf SiC MOSFETs Gen3 1200V, 20mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GP3T020A120TS SemiQ GP3T020A120TS.pdf Description: GEN3 1200V 20M SIC MOSFET TSPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6078 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: TSPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 40A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), Variant
Packaging: Tube
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+785.55 грн
36+443.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3T034A120H GP3T034A120H SemiQ GP3T034A120H.pdf Description: GEN3 1200V 34M SIC MOSFET TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 246W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2584 pF @ 1000 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+559.01 грн
30+312.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3T040A120H GP3T040A120H SemiQ GP3T040A120H.pdf Description: GEN3 1200V, 40M SIC MOSFET, TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 246W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2803 pF @ 1000 V
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+551.28 грн
10+360.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3T040A120H GP3T040A120H SemiQ GP3T040A120H.pdf SiC MOSFETs Gen3 1200V, 40mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GP3T040A120TS SemiQ GP3T040A120TS.pdf Description: GEN3 1200V 40M SIC MOSFET TSPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TSPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2803 pF @ 1000 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+551.28 грн
36+300.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3T080A120H GP3T080A120H SemiQ GP3T080A120H.pdf Description: GEN3 1200V, 80M SIC MOSFET, TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1351 pF @ 1000 V
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+403.60 грн
10+259.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3T080A120H GP3T080A120H SemiQ GP3T080A120H.pdf SiC MOSFETs Gen3 1200V, 80mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GP3T080A120J SemiQ GP3T080A120J.pdf Description: GEN3 1200V 80M SIC MOSFET TO-263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1351 pF @ 1000 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+403.60 грн
50+204.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3T080A120TS SemiQ GP3T080A120TS.pdf Description: GEN3 1200V 80M SIC MOSFET TSPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1351 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: TSPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), Variant
Packaging: Tube
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+382.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GPA015A120MN-ND GPA015A120MN-ND SemiQ GPA015A120MN-ND_REV2.1_10-13.pdf Description: IGBT NPT/TRENCH 1200V 30A TO-3PN
Reverse Recovery Time (trr): 320 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Power - Max: 212 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Gate Charge: 210 nC
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1.61mJ (on), 530µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/166ns
IGBT Type: NPT and Trench
Supplier Device Package: TO-3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GPA020A120MN-FD GPA020A120MN-FD SemiQ GPA020A120MN-FD_REV1.1_10-13.pdf Description: IGBT 1200V 40A 223W TO3PN
Gate Charge: 210 nC
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 2.8mJ (on), 480µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/150ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 425 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Power - Max: 223 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GPA020A135MN-FD GPA020A135MN-FD SemiQ GPA020A135MN-FD_REV0.1_12-13.pdf Description: IGBT 1350V 40A 223W TO3PN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GPA025A120MN-ND GPA025A120MN-ND SemiQ GPA025A120MN-ND_REV1.1_10-13.pdf Description: IGBT 1200V 50A 312W TO3PN
Power - Max: 312 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Gate Charge: 350 nC
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 4.15mJ (on), 870µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 57ns/240ns
IGBT Type: NPT and Trench
Supplier Device Package: TO-3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 25A
Reverse Recovery Time (trr): 480 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GPA030A120MN-FD GPA030A120MN-FD SemiQ GPA030A120MN-FD_REV1.1_10-13.pdf Description: IGBT 1200V 60A 329W TO3PN
Power - Max: 329 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 330 nC
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 4.5mJ (on), 850µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/245ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 450 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GPA030A135MN-FDR GPA030A135MN-FDR SemiQ GPA030A135MN-FDR_REV0.0_2-14.pdf Description: IGBT 1350V 60A 329W TO3PN
Power - Max: 329 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 300 nC
Test Condition: 600V, 30A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 4.4mJ (on), 1.18mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/145ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 450 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GPA040A120L-FD GPA040A120L-FD SemiQ GPA040A120L-FD.pdf Description: IGBT 1200V 80A 480W TO264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GPA040A120L-ND GPA040A120L-ND SemiQ GPA040A120L-ND.pdf Description: IGBT 1200V 80A 455W TO264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GPA040A120MN-FD GPA040A120MN-FD SemiQ GPA040A120MN-FD_REV0.0_3-14.pdf Description: IGBT 1200V 80A 480W TO3PN
Power - Max: 480 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 480 nC
Test Condition: 600V, 40A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 5.3mJ (on), 1.1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 55ns/200ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GPA042A100L-ND GPA042A100L-ND SemiQ GPA042A100L-ND_REV1_8-12.pdf Description: IGBT 1000V 60A 463W TO264
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Gate Charge: 405 nC
Test Condition: 600V, 60A, 50Ohm, 15V
Switching Energy: 13.1mJ (on), 6.3mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 230ns/1480ns
IGBT Type: NPT and Trench
Supplier Device Package: TO-264
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Reverse Recovery Time (trr): 465 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Power - Max: 463 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GPI040A060MN-FD GPI040A060MN-FD SemiQ GPI040A060MN-FD_REV0_9-13.pdf Description: IGBT 600V 80A 231W TO3PN
Power - Max: 231 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Gate Charge: 173 nC
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 1.46mJ (on), 540µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/85ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSID080A120B1A5 GSID080A120B1A5 SemiQ GSID080A120B1A5.pdf Description: IGBT MOD 1200V 160A 1710W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSID100A120S5C1 GSID100A120S5C1 SemiQ Description: IGBT MOD 1200V 170A 650W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 170 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 650 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13.7 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSID150A120S3B1 GSID150A120S3B1 SemiQ Description: IGBT MODULE 1200V 300A 940W D3
Packaging: Bulk
Package / Case: D-3 Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: D3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 940 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A065B GP3D020A065B.pdf
Виробник: SemiQ
DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-2 Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A065U GP3D020A065U-1916793.pdf
GP3D020A065U
Виробник: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 650V TO-247-3
на замовлення 574 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A065U GP3D020A065U.pdf
GP3D020A065U
Виробник: SemiQ
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO247-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+373.45 грн
30+227.51 грн
120+214.79 грн
510+188.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A120B GP3D020A120B.pdf
GP3D020A120B
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 20A 1200V TO-247-2
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A120B GP3D020A120B.pdf
GP3D020A120B
Виробник: SemiQ
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-2
на замовлення 1131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+893.02 грн
10+776.78 грн
100+643.16 грн
500+525.59 грн
1000+462.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A120U GP3D020A120U-1916846.pdf
GP3D020A120U
Виробник: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 1200V TO-247-3
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A170B GP3D020A170B.pdf
GP3D020A170B
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 67A TO247-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 67A
Capacitance @ Vr, F: 1403pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+979.62 грн
10+831.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A170B GP3D020A170B.pdf
GP3D020A170B
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky 1700V 203nC 20A
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D024A065U GP3D024A065U.pdf
GP3D024A065U
Виробник: SemiQ
Description: DIODE ARR SIC 650V 12A TO247-3
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 12A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D024A065U GP3D024A065U-1916742.pdf
GP3D024A065U
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 24A 650V TO-247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D030A060B
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SCHOTTKY 600V 30A TO247
Part Status: Active
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D030A065B GP3D030A065B.pdf
GP3D030A065B
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 30A 650V TO-247-2
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D030A065B GP3D030A065B.pdf
GP3D030A065B
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 30A
Capacitance @ Vr, F: 1247pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+442.26 грн
30+241.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D030A120B GP3D030A120B.pdf
GP3D030A120B
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1200V 30A TO2472
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 30A
Capacitance @ Vr, F: 1762pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D030A120B GP3D030A120B.pdf
GP3D030A120B
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 30A 1200V TO-247-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D030A120U GP3D030A120U.pdf
GP3D030A120U
Виробник: SemiQ
Description: DIODE ARR SIC 1200V 15A TO247-3
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+702.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D030A120U GP3D030A120U.pdf
GP3D030A120U
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 30A 1200V TO-247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D040A065U GP3D040A065U.pdf
GP3D040A065U
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 40A 650V TO-247-3
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D040A065U GP3D040A065U.pdf
GP3D040A065U
Виробник: SemiQ
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V TO247-3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+634.78 грн
10+551.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D040A120U GP3D040A120U-1916868.pdf
GP3D040A120U
Виробник: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 40A 1200V TO-247-3
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D050A065B
GP3D050A065B
Виробник: SemiQ
Description: SIC SCHOTTKY RECTIFIER
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D050A065B
Виробник: SemiQ
DIODE SIL CARB 650V 135A TO247-2 Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D050A120B GP3D050A120B-1915593.pdf
GP3D050A120B
Виробник: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 1200V 50A TO-247-2
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D050A120B GP3D050A120B.pdf
GP3D050A120B
Виробник: SemiQ
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-2
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1882.70 грн
10+1672.25 грн
100+1427.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D050B170B GP3D050B170B.pdf
GP3D050B170B
Виробник: SemiQ
Description: 1700V, 50A SIC DIODE, TO-247-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3511pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 151A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1.7 kV
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1224.72 грн
30+731.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D050B170B GP3D050B170B.pdf
GP3D050B170B
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 50A 1700V TO-247-2
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D050B170B GP3D050B170B.pdf
Виробник: SemiQ
1700V, 50A SIC DIODE, TO-247-2L Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D060A120B
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 60A TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D060A120U GP3D060A120U.pdf
GP3D060A120U
Виробник: SemiQ
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D060A120U GP3D060A120U-1916754.pdf
GP3D060A120U
Виробник: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 60A 1200V TO-247-3
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GP3T014A120H GP3T014A120H.pdf
GP3T014A120H
Виробник: SemiQ
Description: GEN3 1200V 14M SIC MOSFET TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 133A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 484W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 258 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6242 pF @ 1000 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+912.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3T016A120H GP3T016A120H.pdf
GP3T016A120H
Виробник: SemiQ
SiC MOSFETs Gen3 1200V, 16mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3T016A120H GP3T016A120H.pdf
GP3T016A120H
Виробник: SemiQ
Description: GEN3 1200V, 16M SIC MOSFET, TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 132A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 484W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6779 pF @ 1000 V
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+904.62 грн
10+608.37 грн
100+459.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3T016A120TS GP3T016A120TS.pdf
Виробник: SemiQ
Description: GEN3 1200V 16M SIC MOSFET TSPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: TSPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6779 pF @ 1000 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+904.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3T017A120H GP3T017A120H.pdf
GP3T017A120H
Виробник: SemiQ
Description: GEN3 1200V 17M SIC MOSFET TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 226 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5828 pF @ 1000 V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+834.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3T020A120H GP3T020A120H.pdf
GP3T020A120H
Виробник: SemiQ
Description: GEN3 1200V, 20M SIC MOSFET, TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6078 pF @ 1000 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+826.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3T020A120H GP3T020A120H.pdf
GP3T020A120H
Виробник: SemiQ
SiC MOSFETs Gen3 1200V, 20mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GP3T020A120TS GP3T020A120TS.pdf
Виробник: SemiQ
Description: GEN3 1200V 20M SIC MOSFET TSPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6078 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: TSPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 40A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), Variant
Packaging: Tube
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+785.55 грн
36+443.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3T034A120H GP3T034A120H.pdf
GP3T034A120H
Виробник: SemiQ
Description: GEN3 1200V 34M SIC MOSFET TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 246W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2584 pF @ 1000 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+559.01 грн
30+312.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3T040A120H GP3T040A120H.pdf
GP3T040A120H
Виробник: SemiQ
Description: GEN3 1200V, 40M SIC MOSFET, TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 246W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2803 pF @ 1000 V
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+551.28 грн
10+360.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3T040A120H GP3T040A120H.pdf
GP3T040A120H
Виробник: SemiQ
SiC MOSFETs Gen3 1200V, 40mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GP3T040A120TS GP3T040A120TS.pdf
Виробник: SemiQ
Description: GEN3 1200V 40M SIC MOSFET TSPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TSPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2803 pF @ 1000 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+551.28 грн
36+300.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3T080A120H GP3T080A120H.pdf
GP3T080A120H
Виробник: SemiQ
Description: GEN3 1200V, 80M SIC MOSFET, TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1351 pF @ 1000 V
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+403.60 грн
10+259.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3T080A120H GP3T080A120H.pdf
GP3T080A120H
Виробник: SemiQ
SiC MOSFETs Gen3 1200V, 80mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GP3T080A120J GP3T080A120J.pdf
Виробник: SemiQ
Description: GEN3 1200V 80M SIC MOSFET TO-263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1351 pF @ 1000 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+403.60 грн
50+204.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3T080A120TS GP3T080A120TS.pdf
Виробник: SemiQ
Description: GEN3 1200V 80M SIC MOSFET TSPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1351 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: TSPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), Variant
Packaging: Tube
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+382.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GPA015A120MN-ND GPA015A120MN-ND_REV2.1_10-13.pdf
GPA015A120MN-ND
Виробник: SemiQ
Description: IGBT NPT/TRENCH 1200V 30A TO-3PN
Reverse Recovery Time (trr): 320 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Power - Max: 212 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Gate Charge: 210 nC
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1.61mJ (on), 530µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/166ns
IGBT Type: NPT and Trench
Supplier Device Package: TO-3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GPA020A120MN-FD GPA020A120MN-FD_REV1.1_10-13.pdf
GPA020A120MN-FD
Виробник: SemiQ
Description: IGBT 1200V 40A 223W TO3PN
Gate Charge: 210 nC
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 2.8mJ (on), 480µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/150ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 425 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Power - Max: 223 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GPA020A135MN-FD GPA020A135MN-FD_REV0.1_12-13.pdf
GPA020A135MN-FD
Виробник: SemiQ
Description: IGBT 1350V 40A 223W TO3PN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GPA025A120MN-ND GPA025A120MN-ND_REV1.1_10-13.pdf
GPA025A120MN-ND
Виробник: SemiQ
Description: IGBT 1200V 50A 312W TO3PN
Power - Max: 312 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Gate Charge: 350 nC
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 4.15mJ (on), 870µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 57ns/240ns
IGBT Type: NPT and Trench
Supplier Device Package: TO-3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 25A
Reverse Recovery Time (trr): 480 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GPA030A120MN-FD GPA030A120MN-FD_REV1.1_10-13.pdf
GPA030A120MN-FD
Виробник: SemiQ
Description: IGBT 1200V 60A 329W TO3PN
Power - Max: 329 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 330 nC
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 4.5mJ (on), 850µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/245ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 450 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GPA030A135MN-FDR GPA030A135MN-FDR_REV0.0_2-14.pdf
GPA030A135MN-FDR
Виробник: SemiQ
Description: IGBT 1350V 60A 329W TO3PN
Power - Max: 329 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 300 nC
Test Condition: 600V, 30A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 4.4mJ (on), 1.18mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/145ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 450 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GPA040A120L-FD GPA040A120L-FD.pdf
GPA040A120L-FD
Виробник: SemiQ
Description: IGBT 1200V 80A 480W TO264
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GPA040A120L-ND GPA040A120L-ND.pdf
GPA040A120L-ND
Виробник: SemiQ
Description: IGBT 1200V 80A 455W TO264
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GPA040A120MN-FD GPA040A120MN-FD_REV0.0_3-14.pdf
GPA040A120MN-FD
Виробник: SemiQ
Description: IGBT 1200V 80A 480W TO3PN
Power - Max: 480 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 480 nC
Test Condition: 600V, 40A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 5.3mJ (on), 1.1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 55ns/200ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GPA042A100L-ND GPA042A100L-ND_REV1_8-12.pdf
GPA042A100L-ND
Виробник: SemiQ
Description: IGBT 1000V 60A 463W TO264
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Gate Charge: 405 nC
Test Condition: 600V, 60A, 50Ohm, 15V
Switching Energy: 13.1mJ (on), 6.3mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 230ns/1480ns
IGBT Type: NPT and Trench
Supplier Device Package: TO-264
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Reverse Recovery Time (trr): 465 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Power - Max: 463 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GPI040A060MN-FD GPI040A060MN-FD_REV0_9-13.pdf
GPI040A060MN-FD
Виробник: SemiQ
Description: IGBT 600V 80A 231W TO3PN
Power - Max: 231 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Gate Charge: 173 nC
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 1.46mJ (on), 540µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/85ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSID080A120B1A5 GSID080A120B1A5.pdf
GSID080A120B1A5
Виробник: SemiQ
Description: IGBT MOD 1200V 160A 1710W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSID100A120S5C1
GSID100A120S5C1
Виробник: SemiQ
Description: IGBT MOD 1200V 170A 650W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 170 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 650 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13.7 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSID150A120S3B1
GSID150A120S3B1
Виробник: SemiQ
Description: IGBT MODULE 1200V 300A 940W D3
Packaging: Bulk
Package / Case: D-3 Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: D3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 940 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6  [ Наступна Сторінка >> ]