Продукція > SEMIQ > Всі товари виробника SEMIQ (280) > Сторінка 3 з 5

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GP2T040A120H GP2T040A120H SemiQ GP2T040A120H.pdf Description: SIC MOSFET 1200V 40M TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 322W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3192 pF @ 1000 V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1632.02 грн
30+1384.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T040A120H GP2T040A120H SemiQ GP2T040A120H-3032323.pdf MOSFET SiC MOSFET 1200V 40mohm TO-247-4L
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1569.51 грн
10+1363.61 грн
30+1153.22 грн
60+1088.16 грн
120+1023.88 грн
270+992.90 грн
510+928.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T040A120J GP2T040A120J SemiQ GP2T040A120J.pdf SiC MOSFETs 1200V, 40mOhm, TO-263-7L MOSFET
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+917.13 грн
10+707.19 грн
100+511.17 грн
500+456.18 грн
1000+388.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T040A120U GP2T040A120U SemiQ GP2T040A120U.pdf Description: SIC MOSFET 1200V 40M TO-247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 322W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3192 pF @ 1000 V
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1579.24 грн
30+1197.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T040A120U GP2T040A120U SemiQ GP2T040A120U-3032364.pdf MOSFET SiC MOSFET 1200V 40mohm TO-247-3L
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1514.39 грн
10+1315.52 грн
30+1112.95 грн
60+1050.21 грн
120+988.25 грн
270+957.27 грн
510+895.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T080A120H GP2T080A120H SemiQ GP2T080A120H-2999273.pdf SiC MOSFETs SiC MOSFET 1200V 80mohm TO-247-4L
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+962.31 грн
10+813.18 грн
30+640.51 грн
120+588.62 грн
270+552.99 грн
510+518.91 грн
1020+467.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T080A120H SemiQ GP2T080A120H.pdf Description: SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 1000 V
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+929.11 грн
10+822.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T080A120J GP2T080A120J SemiQ GP2T080A120J-3359589.pdf SiC MOSFETs 1200V, 80mOhm, TO-263-7L MOSFET
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+964.12 грн
10+838.12 грн
50+618.05 грн
100+589.39 грн
250+554.54 грн
500+520.46 грн
1000+467.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T080A120U GP2T080A120U SemiQ GP2T080A120U.pdf Description: SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 1000 V
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+557.13 грн
30+337.85 грн
120+306.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T080A120U GP2T080A120U SemiQ GP2T080A120U.pdf MOSFET
на замовлення 1211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+959.60 грн
10+810.51 грн
30+639.73 грн
120+587.07 грн
270+552.21 грн
510+518.14 грн
1020+466.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D005A120C SemiQ Description: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A DPAK-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D005A170B GP3D005A170B SemiQ GP3D005A170B.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 21A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 347pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 21A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 5
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1700
на замовлення 2783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+314.17 грн
30+167.27 грн
120+137.47 грн
510+108.49 грн
1020+101.00 грн
2010+98.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D005A170B GP3D005A170B SemiQ GP3D005A170B.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 5A 1700V TO-247-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D006A065A GP3D006A065A SemiQ GP3D006A065A.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 6A 650V
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+198.79 грн
10+96.19 грн
100+77.29 грн
500+60.41 грн
1000+51.66 грн
5000+50.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D006A065A GP3D006A065A SemiQ GP3D006A065A.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2L
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+164.21 грн
10+141.59 грн
100+113.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D008A065A GP3D008A065A SemiQ GP3D008A065A-1916841.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 8A 650V TO-220
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+215.05 грн
10+137.16 грн
100+111.53 грн
500+81.32 грн
1000+69.94 грн
2500+66.61 грн
5000+64.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D008A065D GP3D008A065D SemiQ GP3D008A065D.pdf Description: DIODE SIC 650V 8A TO263-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Average Rectified (Io): 8A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TO-263-2L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A065A GP3D010A065A SemiQ GP3D010A065A-1916775.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 10A 650V TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A065A GP3D010A065A SemiQ GP3D010A065A.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 419pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A065B GP3D010A065B SemiQ GP3D010A065B-1916820.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 650V TO-247-2
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+292.76 грн
10+188.82 грн
120+140.18 грн
510+123.14 грн
1020+105.33 грн
2520+99.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A065B GP3D010A065B SemiQ GP3D010A065B.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 419pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A065C SemiQ Description: DIODE SILICON CARBIDE
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A065D GP3D010A065D SemiQ GP3D010A065D.pdf Description: DIODE SIC 650V 8A TO263-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TO-263-2L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A065D GP3D010A065D SemiQ GP3D010A065D.pdf Description: DIODE SIC 650V 8A TO263-2L
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TO-263-2L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A120A GP3D010A120A SemiQ GP3D010A120A-1916683.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 1200V TO-220
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+402.09 грн
10+384.77 грн
100+199.82 грн
500+164.97 грн
1000+158.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A120A GP3D010A120A SemiQ GP3D010A120A.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 608pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+359.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A120B GP3D010A120B SemiQ GP3D010A120B-1916852.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 1200V TO-247-2
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+380.41 грн
10+280.56 грн
120+198.27 грн
510+188.20 грн
1020+176.58 грн
2520+171.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A120B GP3D010A120B SemiQ GP3D010A120B.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 608pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A120S GP3D010A120S SemiQ GP3D010A120S.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 1200V SMC DO-214AB
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+444.56 грн
10+331.33 грн
100+233.12 грн
500+206.79 грн
1000+178.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A170B GP3D010A170B SemiQ GP3D010A170B.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 39A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 699pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 39A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1700 V
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+716.31 грн
30+424.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A170B GP3D010A170B SemiQ GP3D010A170B-2140984.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky 1700V 103nC 10A
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+736.41 грн
10+446.22 грн
120+386.47 грн
270+339.23 грн
2520+338.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D012A065A GP3D012A065A SemiQ GP3D012A065A.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-2
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+337.63 грн
10+291.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D012A065A GP3D012A065A SemiQ GP3D012A065A-1916857.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 12A 650V TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D012A065B GP3D012A065B SemiQ GP3D012A065B.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 572pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+354.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D012A065B GP3D012A065B SemiQ GP3D012A065B-1916648.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 12A 650V TO-247-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D015A120A GP3D015A120A SemiQ GP3D015A120A.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 15A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 962pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+667.72 грн
10+580.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D015A120A GP3D015A120A SemiQ GP3D015A120A-1915591.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 15A 1200V TO-220
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+656.00 грн
10+554.89 грн
100+401.19 грн
250+392.67 грн
500+354.72 грн
1000+298.95 грн
5000+295.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D015A120B GP3D015A120B SemiQ GP3D015A120B.pdf Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-2
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+752.34 грн
10+654.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D015A120B GP3D015A120B SemiQ GP3D015A120B-1916698.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 15A 1200V TO-247-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A065A GP3D020A065A SemiQ GP3D020A065A-1916731.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 650V TO-220
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+418.36 грн
100+301.05 грн
250+254.03 грн
500+247.84 грн
1000+231.57 грн
2500+226.15 грн
5000+222.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A065A GP3D020A065A SemiQ GP3D020A065A.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1247pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A065B GP3D020A065B SemiQ GP3D020A065B.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 835pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+490.11 грн
30+255.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A065B GP3D020A065B SemiQ GP3D020A065B-1916785.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 650V TO-247-2
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+440.95 грн
10+344.69 грн
120+256.36 грн
510+227.70 грн
1020+183.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A065U GP3D020A065U SemiQ GP3D020A065U-1916793.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 650V TO-247-3
на замовлення 574 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+340.65 грн
10+266.31 грн
120+201.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A065U GP3D020A065U SemiQ GP3D020A065U.pdf Description: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+404.65 грн
30+246.52 грн
120+232.74 грн
510+203.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A120B GP3D020A120B SemiQ GP3D020A120B.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 20A 1200V TO-247-2
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+535.82 грн
10+505.90 грн
120+323.74 грн
510+306.70 грн
1020+288.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A120B GP3D020A120B SemiQ GP3D020A120B.pdf Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-2
на замовлення 1131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+967.65 грн
10+841.70 грн
100+696.91 грн
500+569.51 грн
1000+501.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A120U GP3D020A120U SemiQ GP3D020A120U-1916846.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 1200V TO-247-3
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+789.73 грн
120+585.17 грн
270+498.77 грн
510+480.96 грн
1020+460.05 грн
2520+448.43 грн
5010+445.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A170B GP3D020A170B SemiQ GP3D020A170B.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky 1700V 203nC 20A
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1122.24 грн
10+1016.25 грн
30+848.07 грн
60+819.41 грн
120+746.61 грн
270+710.21 грн
510+663.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A170B GP3D020A170B SemiQ GP3D020A170B.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 67A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1403pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 67A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1700 V
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1061.49 грн
10+900.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D024A065U GP3D024A065U SemiQ GP3D024A065U-1916742.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 24A 650V TO-247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D024A065U GP3D024A065U SemiQ GP3D024A065U.pdf Description: DIODE ARR SIC 650V 12A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 12A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D030A060B SemiQ Description: DIODE SCHOTTKY 600V 30A TO247
Packaging: Tube
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D030A065B GP3D030A065B SemiQ GP3D030A065B.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1247pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+501.00 грн
30+283.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D030A065B GP3D030A065B SemiQ GP3D030A065B-1916624.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 30A 650V TO-247-2
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+480.70 грн
10+313.52 грн
120+271.85 грн
10020+271.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D030A120B GP3D030A120B SemiQ GP3D030A120B-1916827.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 30A 1200V TO-247-2
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+726.48 грн
10+652.86 грн
120+525.11 грн
510+501.87 грн
1020+481.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D030A120B GP3D030A120B SemiQ GP3D030A120B.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 30A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1762pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D030A120U GP3D030A120U SemiQ GP3D030A120U.pdf Description: DIODE ARR SIC 1200V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+766.58 грн
30+435.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D030A120U GP3D030A120U SemiQ GP3D030A120U-1916639.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 30A 1200V TO-247-3
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D040A065U GP3D040A065U SemiQ GP3D040A065U.pdf Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V TO247-3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+687.83 грн
10+597.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T040A120H GP2T040A120H.pdf
GP2T040A120H
Виробник: SemiQ
Description: SIC MOSFET 1200V 40M TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 322W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3192 pF @ 1000 V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1632.02 грн
30+1384.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T040A120H GP2T040A120H-3032323.pdf
GP2T040A120H
Виробник: SemiQ
MOSFET SiC MOSFET 1200V 40mohm TO-247-4L
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1569.51 грн
10+1363.61 грн
30+1153.22 грн
60+1088.16 грн
120+1023.88 грн
270+992.90 грн
510+928.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T040A120J GP2T040A120J.pdf
GP2T040A120J
Виробник: SemiQ
SiC MOSFETs 1200V, 40mOhm, TO-263-7L MOSFET
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+917.13 грн
10+707.19 грн
100+511.17 грн
500+456.18 грн
1000+388.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T040A120U GP2T040A120U.pdf
GP2T040A120U
Виробник: SemiQ
Description: SIC MOSFET 1200V 40M TO-247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 322W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3192 pF @ 1000 V
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1579.24 грн
30+1197.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T040A120U GP2T040A120U-3032364.pdf
GP2T040A120U
Виробник: SemiQ
MOSFET SiC MOSFET 1200V 40mohm TO-247-3L
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1514.39 грн
10+1315.52 грн
30+1112.95 грн
60+1050.21 грн
120+988.25 грн
270+957.27 грн
510+895.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T080A120H GP2T080A120H-2999273.pdf
GP2T080A120H
Виробник: SemiQ
SiC MOSFETs SiC MOSFET 1200V 80mohm TO-247-4L
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+962.31 грн
10+813.18 грн
30+640.51 грн
120+588.62 грн
270+552.99 грн
510+518.91 грн
1020+467.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T080A120H GP2T080A120H.pdf
Виробник: SemiQ
Description: SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 1000 V
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+929.11 грн
10+822.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T080A120J GP2T080A120J-3359589.pdf
GP2T080A120J
Виробник: SemiQ
SiC MOSFETs 1200V, 80mOhm, TO-263-7L MOSFET
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+964.12 грн
10+838.12 грн
50+618.05 грн
100+589.39 грн
250+554.54 грн
500+520.46 грн
1000+467.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T080A120U GP2T080A120U.pdf
GP2T080A120U
Виробник: SemiQ
Description: SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 1000 V
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+557.13 грн
30+337.85 грн
120+306.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T080A120U GP2T080A120U.pdf
GP2T080A120U
Виробник: SemiQ
MOSFET
на замовлення 1211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+959.60 грн
10+810.51 грн
30+639.73 грн
120+587.07 грн
270+552.21 грн
510+518.14 грн
1020+466.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D005A120C
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A DPAK-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D005A170B GP3D005A170B.pdf
GP3D005A170B
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1700V 21A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 347pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 21A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 5
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1700
на замовлення 2783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+314.17 грн
30+167.27 грн
120+137.47 грн
510+108.49 грн
1020+101.00 грн
2010+98.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D005A170B GP3D005A170B.pdf
GP3D005A170B
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 5A 1700V TO-247-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D006A065A GP3D006A065A.pdf
GP3D006A065A
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 6A 650V
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+198.79 грн
10+96.19 грн
100+77.29 грн
500+60.41 грн
1000+51.66 грн
5000+50.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D006A065A GP3D006A065A.pdf
GP3D006A065A
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2L
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+164.21 грн
10+141.59 грн
100+113.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D008A065A GP3D008A065A-1916841.pdf
GP3D008A065A
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 8A 650V TO-220
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+215.05 грн
10+137.16 грн
100+111.53 грн
500+81.32 грн
1000+69.94 грн
2500+66.61 грн
5000+64.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D008A065D GP3D008A065D.pdf
GP3D008A065D
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIC 650V 8A TO263-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Average Rectified (Io): 8A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TO-263-2L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A065A GP3D010A065A-1916775.pdf
GP3D010A065A
Виробник: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 10A 650V TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A065A GP3D010A065A.pdf
GP3D010A065A
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 419pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A065B GP3D010A065B-1916820.pdf
GP3D010A065B
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 650V TO-247-2
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+292.76 грн
10+188.82 грн
120+140.18 грн
510+123.14 грн
1020+105.33 грн
2520+99.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A065B GP3D010A065B.pdf
GP3D010A065B
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 419pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A065C
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SILICON CARBIDE
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A065D GP3D010A065D.pdf
GP3D010A065D
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIC 650V 8A TO263-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TO-263-2L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A065D GP3D010A065D.pdf
GP3D010A065D
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIC 650V 8A TO263-2L
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TO-263-2L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A120A GP3D010A120A-1916683.pdf
GP3D010A120A
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 1200V TO-220
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+402.09 грн
10+384.77 грн
100+199.82 грн
500+164.97 грн
1000+158.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A120A GP3D010A120A.pdf
GP3D010A120A
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 608pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+359.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A120B GP3D010A120B-1916852.pdf
GP3D010A120B
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 1200V TO-247-2
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+380.41 грн
10+280.56 грн
120+198.27 грн
510+188.20 грн
1020+176.58 грн
2520+171.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A120B GP3D010A120B.pdf
GP3D010A120B
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 608pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A120S GP3D010A120S.pdf
GP3D010A120S
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 1200V SMC DO-214AB
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+444.56 грн
10+331.33 грн
100+233.12 грн
500+206.79 грн
1000+178.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A170B GP3D010A170B.pdf
GP3D010A170B
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 39A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 699pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 39A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1700 V
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+716.31 грн
30+424.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A170B GP3D010A170B-2140984.pdf
GP3D010A170B
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky 1700V 103nC 10A
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+736.41 грн
10+446.22 грн
120+386.47 грн
270+339.23 грн
2520+338.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D012A065A GP3D012A065A.pdf
GP3D012A065A
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-2
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+337.63 грн
10+291.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D012A065A GP3D012A065A-1916857.pdf
GP3D012A065A
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 12A 650V TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D012A065B GP3D012A065B.pdf
GP3D012A065B
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 572pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+354.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D012A065B GP3D012A065B-1916648.pdf
GP3D012A065B
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 12A 650V TO-247-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D015A120A GP3D015A120A.pdf
GP3D015A120A
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 15A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 962pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+667.72 грн
10+580.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D015A120A GP3D015A120A-1915591.pdf
GP3D015A120A
Виробник: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 15A 1200V TO-220
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+656.00 грн
10+554.89 грн
100+401.19 грн
250+392.67 грн
500+354.72 грн
1000+298.95 грн
5000+295.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D015A120B GP3D015A120B.pdf
GP3D015A120B
Виробник: SemiQ
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-2
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+752.34 грн
10+654.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D015A120B GP3D015A120B-1916698.pdf
GP3D015A120B
Виробник: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 15A 1200V TO-247-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A065A GP3D020A065A-1916731.pdf
GP3D020A065A
Виробник: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 650V TO-220
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+418.36 грн
100+301.05 грн
250+254.03 грн
500+247.84 грн
1000+231.57 грн
2500+226.15 грн
5000+222.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A065A GP3D020A065A.pdf
GP3D020A065A
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1247pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A065B GP3D020A065B.pdf
GP3D020A065B
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 835pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+490.11 грн
30+255.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A065B GP3D020A065B-1916785.pdf
GP3D020A065B
Виробник: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 650V TO-247-2
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+440.95 грн
10+344.69 грн
120+256.36 грн
510+227.70 грн
1020+183.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A065U GP3D020A065U-1916793.pdf
GP3D020A065U
Виробник: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 650V TO-247-3
на замовлення 574 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+340.65 грн
10+266.31 грн
120+201.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A065U GP3D020A065U.pdf
GP3D020A065U
Виробник: SemiQ
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+404.65 грн
30+246.52 грн
120+232.74 грн
510+203.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A120B GP3D020A120B.pdf
GP3D020A120B
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 20A 1200V TO-247-2
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+535.82 грн
10+505.90 грн
120+323.74 грн
510+306.70 грн
1020+288.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A120B GP3D020A120B.pdf
GP3D020A120B
Виробник: SemiQ
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-2
на замовлення 1131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+967.65 грн
10+841.70 грн
100+696.91 грн
500+569.51 грн
1000+501.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A120U GP3D020A120U-1916846.pdf
GP3D020A120U
Виробник: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 1200V TO-247-3
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+789.73 грн
120+585.17 грн
270+498.77 грн
510+480.96 грн
1020+460.05 грн
2520+448.43 грн
5010+445.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A170B GP3D020A170B.pdf
GP3D020A170B
Виробник: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky 1700V 203nC 20A
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1122.24 грн
10+1016.25 грн
30+848.07 грн
60+819.41 грн
120+746.61 грн
270+710.21 грн
510+663.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A170B GP3D020A170B.pdf
GP3D020A170B
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 67A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1403pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 67A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1700 V
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1061.49 грн
10+900.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D024A065U GP3D024A065U-1916742.pdf
GP3D024A065U
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 24A 650V TO-247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D024A065U GP3D024A065U.pdf
GP3D024A065U
Виробник: SemiQ
Description: DIODE ARR SIC 650V 12A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 12A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D030A060B
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SCHOTTKY 600V 30A TO247
Packaging: Tube
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D030A065B GP3D030A065B.pdf
GP3D030A065B
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1247pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+501.00 грн
30+283.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D030A065B GP3D030A065B-1916624.pdf
GP3D030A065B
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 30A 650V TO-247-2
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+480.70 грн
10+313.52 грн
120+271.85 грн
10020+271.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D030A120B GP3D030A120B-1916827.pdf
GP3D030A120B
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 30A 1200V TO-247-2
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+726.48 грн
10+652.86 грн
120+525.11 грн
510+501.87 грн
1020+481.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D030A120B GP3D030A120B.pdf
GP3D030A120B
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1200V 30A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1762pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D030A120U GP3D030A120U.pdf
GP3D030A120U
Виробник: SemiQ
Description: DIODE ARR SIC 1200V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+766.58 грн
30+435.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D030A120U GP3D030A120U-1916639.pdf
GP3D030A120U
Виробник: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 30A 1200V TO-247-3
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D040A065U GP3D040A065U.pdf
GP3D040A065U
Виробник: SemiQ
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V TO247-3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+687.83 грн
10+597.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5  [ Наступна Сторінка >> ]