Продукція > SEMIQ > Всі товари виробника SEMIQ (315) > Сторінка 3 з 6

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
GHXS400A120S7D5 GHXS400A120S7D5 SemiQ GHXS400A120S7D5.pdf Diode Modules SiC 1200V 300A Half-Bridge Power Module
на замовлення 6 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+14853.59 грн
10+11545.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D003A060C GP2D003A060C SemiQ GP2D003A060C_REV2_8-27-15.pdf Description: DIODE SIL CARB 600V 3A TO252-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 158pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-252-2L (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D003A060C GP2D003A060C SemiQ GP2D003A060C_REV2_8-27-15.pdf Description: DIODE SIL CARB 600V 3A TO252-2L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 158pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-252-2L (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D003A065A GP2D003A065A SemiQ GP2D003A065A_REV2_8-27-15.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 3A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 158pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D005A120C GP2D005A120C SemiQ GP2D005A120C.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO252-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 317pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252-2L (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D005A120C GP2D005A120C SemiQ GP2D005A120C.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO252-2L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 317pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252-2L (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D006A065A GP2D006A065A SemiQ 1560_GP2D006A065A.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D006A065C GP2D006A065C SemiQ 1560_GP2D006A065C.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO252-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 316pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-252-2L (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D010A065A SemiQ 1560_GP2D010A065A.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 527pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D010A065C SemiQ GP2D010A065C.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D010A120A GP2D010A120A SemiQ GP2D010A120A.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 635pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D010A120B GP2D010A120B SemiQ GP2D010A120B.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 635pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D010A120C GP2D010A120C SemiQ GP2D010A120C.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO252L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 635pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D010A120U SemiQ Description: DIODE ARR SIC 1200V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 17A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D020A065B SemiQ GP2D020A065B.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1054pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D020A065U SemiQ GP2D020A065U.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D030A065B SemiQ Description: DIODE SILICON CARBIDE
Packaging: Tube
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D060A120B SemiQ GP2D060A120B.pdf Description: DIODE SCHOTKY 1.2KV 60A TO247-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T020A120H GP2T020A120H SemiQ GP2T020A120H.pdf SiC MOSFETs 1200V, 18mOhm, TO-247-4L MOSFET
на замовлення 30 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+1469.23 грн
10+1190.89 грн
120+895.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T030A170H GP2T030A170H SemiQ Description: SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 564W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6202 pF @ 1200 V
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1994.63 грн
10+1403.88 грн
50+1183.71 грн
100+1044.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T040A120H GP2T040A120H SemiQ GP2T040A120H.pdf Description: SIC MOSFET 1200V 40M TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 322W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3192 pF @ 1000 V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+814.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T040A120H GP2T040A120H SemiQ GP2T040A120H-3032323.pdf MOSFET SiC MOSFET 1200V 40mohm TO-247-4L
на замовлення 92 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+1482.03 грн
10+1287.61 грн
30+1088.94 грн
60+1027.51 грн
120+966.81 грн
270+937.56 грн
510+876.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T040A120J GP2T040A120J SemiQ GP2T040A120J.pdf SiC MOSFETs 1200V, 40mOhm, TO-263-7L MOSFET
на замовлення 25 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+935.98 грн
10+667.77 грн
100+482.68 грн
500+430.75 грн
1000+402.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T040A120U GP2T040A120U SemiQ GP2T040A120U.pdf Description: SIC MOSFET 1200V 40M TO-247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 322W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3192 pF @ 1000 V
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1453.94 грн
30+1102.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T040A120U GP2T040A120U SemiQ GP2T040A120U.pdf SiC MOSFETs SiC MOSFET 1200V 40mohm TO-247-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T080A120H GP2T080A120H SemiQ GP2T080A120H.pdf Description: SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 1000 V
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+537.61 грн
30+299.40 грн
120+251.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T080A120H GP2T080A120H SemiQ GP2T080A120H-2999273.pdf SiC MOSFETs SiC MOSFET 1200V 80mohm TO-247-4L
на замовлення 44 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+908.67 грн
10+767.86 грн
30+604.81 грн
120+555.81 грн
270+522.17 грн
510+489.99 грн
1020+440.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T080A120J GP2T080A120J SemiQ GP2T080A120J.pdf SiC MOSFETs 1200V, 80mOhm, TO-263-7L MOSFET
на замовлення 6 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+604.08 грн
10+419.67 грн
100+293.99 грн
500+261.81 грн
1000+231.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T080A120U GP2T080A120U SemiQ GP2T080A120U.pdf SiC MOSFETs
на замовлення 36 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+566.53 грн
10+293.52 грн
120+234.02 грн
510+215.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T080A120U GP2T080A120U SemiQ GP2T080A120U.pdf Description: SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 1000 V
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+505.99 грн
30+280.44 грн
120+234.98 грн
510+189.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D005A120C SemiQ Description: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A DPAK-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D005A170B GP3D005A170B SemiQ GP3D005A170B.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 5A 1700V TO-247-2
на замовлення 9779 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+555.44 грн
10+330.52 грн
120+240.61 грн
510+206.97 грн
1020+192.34 грн
2520+191.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D006A065A GP3D006A065A SemiQ GP3D006A065A.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 6A 650V
на замовлення 120 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+209.89 грн
10+132.04 грн
100+78.98 грн
500+66.70 грн
1000+59.09 грн
2500+55.87 грн
5000+53.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D006A065A GP3D006A065A SemiQ GP3D006A065A.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 229pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 650 V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.66 грн
10+115.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D006A065F GP3D006A065F SemiQ GP3D006A065F.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 6A 650V TO-220-2L-FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D008A065A GP3D008A065A SemiQ GP3D008A065A.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 8A 650V TO-220
на замовлення 3 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+253.40 грн
10+162.32 грн
100+98.73 грн
500+82.64 грн
1000+76.79 грн
2500+72.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D008A065D GP3D008A065D SemiQ GP3D008A065D.pdf Description: DIODE SIC 650V 8A TO263-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A065A GP3D010A065A SemiQ GP3D010A065A.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 419pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A065A GP3D010A065A SemiQ GP3D010A065A.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 650V TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A065B GP3D010A065B SemiQ GP3D010A065B.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 419pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A065B GP3D010A065B SemiQ GP3D010A065B.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 650V TO-247-2
на замовлення 92 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+276.44 грн
10+178.30 грн
120+132.37 грн
510+116.28 грн
1020+99.46 грн
2520+94.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A065C SemiQ Description: DIODE SILICON CARBIDE
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A065D GP3D010A065D SemiQ GP3D010A065D.pdf Description: DIODE SIC 650V 8A TO263-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A065D GP3D010A065D SemiQ GP3D010A065D.pdf Description: DIODE SIC 650V 8A TO263-2L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A120A GP3D010A120A SemiQ GP3D010A120A-1916683.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 1200V TO-220
на замовлення 96 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+379.68 грн
10+363.32 грн
100+188.68 грн
500+155.77 грн
1000+149.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A120A GP3D010A120A SemiQ GP3D010A120A.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 608pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+307.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A120B GP3D010A120B SemiQ GP3D010A120B.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 608pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A120B GP3D010A120B SemiQ GP3D010A120B.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 1200V TO-247-2
на замовлення 3 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+359.20 грн
10+264.92 грн
120+187.22 грн
510+177.71 грн
1020+166.74 грн
2520+162.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A120S GP3D010A120S SemiQ GP3D010A120S.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 1200V SMC DO-214AB
на замовлення 69 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+532.41 грн
10+343.98 грн
100+220.13 грн
500+195.26 грн
1000+173.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A170B GP3D010A170B SemiQ GP3D010A170B.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 39A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 699pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 39A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1700 V
на замовлення 1815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+585.43 грн
30+328.22 грн
60+300.08 грн
120+259.41 грн
510+223.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A170B GP3D010A170B SemiQ GP3D010A170B.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky 1700V 103nC 10A
на замовлення 110 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+481.21 грн
10+269.97 грн
120+194.53 грн
510+166.01 грн
1020+155.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A170B SemiQ GP3D010A170B.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky 1700V 103nC 10A Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D012A065A GP3D012A065A SemiQ GP3D012A065A-1916857.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 12A 650V TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D012A065A GP3D012A065A SemiQ GP3D012A065A.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-2
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+310.84 грн
10+268.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D012A065B GP3D012A065B SemiQ GP3D012A065B.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 572pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+326.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D012A065B GP3D012A065B SemiQ GP3D012A065B-1916648.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 12A 650V TO-247-2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D015A120A GP3D015A120A SemiQ GP3D015A120A.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 962pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D015A120A GP3D015A120A SemiQ GP3D015A120A.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 15A 1200V TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D015A120B GP3D015A120B SemiQ GP3D015A120B.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 15A 1200V TO-247-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D015A120B GP3D015A120B SemiQ GP3D015A120B.pdf Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-2
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+692.65 грн
10+602.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS400A120S7D5 GHXS400A120S7D5.pdf
GHXS400A120S7D5
Виробник: SemiQ
Diode Modules SiC 1200V 300A Half-Bridge Power Module
на замовлення 6 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+14853.59 грн
10+11545.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D003A060C GP2D003A060C_REV2_8-27-15.pdf
GP2D003A060C
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 600V 3A TO252-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 158pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-252-2L (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D003A060C GP2D003A060C_REV2_8-27-15.pdf
GP2D003A060C
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 600V 3A TO252-2L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 158pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-252-2L (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D003A065A GP2D003A065A_REV2_8-27-15.pdf
GP2D003A065A
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 3A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 158pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D005A120C GP2D005A120C.pdf
GP2D005A120C
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO252-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 317pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252-2L (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D005A120C GP2D005A120C.pdf
GP2D005A120C
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO252-2L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 317pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252-2L (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D006A065A 1560_GP2D006A065A.pdf
GP2D006A065A
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D006A065C 1560_GP2D006A065C.pdf
GP2D006A065C
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO252-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 316pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-252-2L (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D010A065A 1560_GP2D010A065A.pdf
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 527pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D010A065C GP2D010A065C.pdf
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D010A120A GP2D010A120A.pdf
GP2D010A120A
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 635pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D010A120B GP2D010A120B.pdf
GP2D010A120B
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 635pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D010A120C GP2D010A120C.pdf
GP2D010A120C
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO252L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 635pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D010A120U
Виробник: SemiQ
Description: DIODE ARR SIC 1200V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 17A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D020A065B GP2D020A065B.pdf
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1054pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D020A065U GP2D020A065U.pdf
Виробник: SemiQ
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D030A065B
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SILICON CARBIDE
Packaging: Tube
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D060A120B GP2D060A120B.pdf
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SCHOTKY 1.2KV 60A TO247-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T020A120H GP2T020A120H.pdf
GP2T020A120H
Виробник: SemiQ
SiC MOSFETs 1200V, 18mOhm, TO-247-4L MOSFET
на замовлення 30 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1469.23 грн
10+1190.89 грн
120+895.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T030A170H
GP2T030A170H
Виробник: SemiQ
Description: SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 564W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6202 pF @ 1200 V
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1994.63 грн
10+1403.88 грн
50+1183.71 грн
100+1044.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T040A120H GP2T040A120H.pdf
GP2T040A120H
Виробник: SemiQ
Description: SIC MOSFET 1200V 40M TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 322W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3192 pF @ 1000 V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+814.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T040A120H GP2T040A120H-3032323.pdf
GP2T040A120H
Виробник: SemiQ
MOSFET SiC MOSFET 1200V 40mohm TO-247-4L
на замовлення 92 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1482.03 грн
10+1287.61 грн
30+1088.94 грн
60+1027.51 грн
120+966.81 грн
270+937.56 грн
510+876.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T040A120J GP2T040A120J.pdf
GP2T040A120J
Виробник: SemiQ
SiC MOSFETs 1200V, 40mOhm, TO-263-7L MOSFET
на замовлення 25 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+935.98 грн
10+667.77 грн
100+482.68 грн
500+430.75 грн
1000+402.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T040A120U GP2T040A120U.pdf
GP2T040A120U
Виробник: SemiQ
Description: SIC MOSFET 1200V 40M TO-247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 322W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3192 pF @ 1000 V
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1453.94 грн
30+1102.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T040A120U GP2T040A120U.pdf
GP2T040A120U
Виробник: SemiQ
SiC MOSFETs SiC MOSFET 1200V 40mohm TO-247-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T080A120H GP2T080A120H.pdf
GP2T080A120H
Виробник: SemiQ
Description: SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 1000 V
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+537.61 грн
30+299.40 грн
120+251.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T080A120H GP2T080A120H-2999273.pdf
GP2T080A120H
Виробник: SemiQ
SiC MOSFETs SiC MOSFET 1200V 80mohm TO-247-4L
на замовлення 44 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+908.67 грн
10+767.86 грн
30+604.81 грн
120+555.81 грн
270+522.17 грн
510+489.99 грн
1020+440.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T080A120J GP2T080A120J.pdf
GP2T080A120J
Виробник: SemiQ
SiC MOSFETs 1200V, 80mOhm, TO-263-7L MOSFET
на замовлення 6 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+604.08 грн
10+419.67 грн
100+293.99 грн
500+261.81 грн
1000+231.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T080A120U GP2T080A120U.pdf
GP2T080A120U
Виробник: SemiQ
SiC MOSFETs
на замовлення 36 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+566.53 грн
10+293.52 грн
120+234.02 грн
510+215.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T080A120U GP2T080A120U.pdf
GP2T080A120U
Виробник: SemiQ
Description: SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 1000 V
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+505.99 грн
30+280.44 грн
120+234.98 грн
510+189.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D005A120C
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A DPAK-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D005A170B GP3D005A170B.pdf
GP3D005A170B
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 5A 1700V TO-247-2
на замовлення 9779 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+555.44 грн
10+330.52 грн
120+240.61 грн
510+206.97 грн
1020+192.34 грн
2520+191.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D006A065A GP3D006A065A.pdf
GP3D006A065A
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 6A 650V
на замовлення 120 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+209.89 грн
10+132.04 грн
100+78.98 грн
500+66.70 грн
1000+59.09 грн
2500+55.87 грн
5000+53.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D006A065A GP3D006A065A.pdf
GP3D006A065A
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 229pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 650 V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+186.66 грн
10+115.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D006A065F GP3D006A065F.pdf
GP3D006A065F
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 6A 650V TO-220-2L-FP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D008A065A GP3D008A065A.pdf
GP3D008A065A
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 8A 650V TO-220
на замовлення 3 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+253.40 грн
10+162.32 грн
100+98.73 грн
500+82.64 грн
1000+76.79 грн
2500+72.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D008A065D GP3D008A065D.pdf
GP3D008A065D
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIC 650V 8A TO263-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A065A GP3D010A065A.pdf
GP3D010A065A
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 419pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A065A GP3D010A065A.pdf
GP3D010A065A
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 650V TO-220
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A065B GP3D010A065B.pdf
GP3D010A065B
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 419pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A065B GP3D010A065B.pdf
GP3D010A065B
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 650V TO-247-2
на замовлення 92 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+276.44 грн
10+178.30 грн
120+132.37 грн
510+116.28 грн
1020+99.46 грн
2520+94.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A065C
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SILICON CARBIDE
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A065D GP3D010A065D.pdf
GP3D010A065D
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIC 650V 8A TO263-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A065D GP3D010A065D.pdf
GP3D010A065D
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIC 650V 8A TO263-2L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A120A GP3D010A120A-1916683.pdf
GP3D010A120A
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 1200V TO-220
на замовлення 96 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+379.68 грн
10+363.32 грн
100+188.68 грн
500+155.77 грн
1000+149.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A120A GP3D010A120A.pdf
GP3D010A120A
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 608pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+307.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A120B GP3D010A120B.pdf
GP3D010A120B
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 608pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A120B GP3D010A120B.pdf
GP3D010A120B
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 1200V TO-247-2
на замовлення 3 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+359.20 грн
10+264.92 грн
120+187.22 грн
510+177.71 грн
1020+166.74 грн
2520+162.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A120S GP3D010A120S.pdf
GP3D010A120S
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 1200V SMC DO-214AB
на замовлення 69 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+532.41 грн
10+343.98 грн
100+220.13 грн
500+195.26 грн
1000+173.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A170B GP3D010A170B.pdf
GP3D010A170B
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1700V 39A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 699pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 39A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1700 V
на замовлення 1815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+585.43 грн
30+328.22 грн
60+300.08 грн
120+259.41 грн
510+223.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A170B GP3D010A170B.pdf
GP3D010A170B
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky 1700V 103nC 10A
на замовлення 110 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+481.21 грн
10+269.97 грн
120+194.53 грн
510+166.01 грн
1020+155.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A170B GP3D010A170B.pdf
Виробник: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky 1700V 103nC 10A Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D012A065A GP3D012A065A-1916857.pdf
GP3D012A065A
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 12A 650V TO-220
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D012A065A GP3D012A065A.pdf
GP3D012A065A
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-2
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+310.84 грн
10+268.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D012A065B GP3D012A065B.pdf
GP3D012A065B
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 572pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+326.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D012A065B GP3D012A065B-1916648.pdf
GP3D012A065B
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 12A 650V TO-247-2
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D015A120A GP3D015A120A.pdf
GP3D015A120A
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1200V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 962pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D015A120A GP3D015A120A.pdf
GP3D015A120A
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 15A 1200V TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D015A120B GP3D015A120B.pdf
GP3D015A120B
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 15A 1200V TO-247-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D015A120B GP3D015A120B.pdf
GP3D015A120B
Виробник: SemiQ
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-2
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+692.65 грн
10+602.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.