Продукція > SEMIQ > Всі товари виробника SEMIQ (239) > Сторінка 3 з 4

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GP3D010A120B GP3D010A120B SemiQ GP3D010A120B.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 608pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A170B GP3D010A170B SemiQ GP3D010A170B-2140984.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky 1700V 103nC 10A
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+697.83 грн
10+422.84 грн
120+366.22 грн
270+321.45 грн
2520+320.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A170B GP3D010A170B SemiQ GP3D010A170B.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 39A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 699pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 39A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1700 V
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+678.78 грн
30+402.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D012A065A GP3D012A065A SemiQ GP3D012A065A.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-2
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+319.94 грн
10+276.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D012A065A GP3D012A065A SemiQ GP3D012A065A-1916857.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 12A 650V TO-220
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+279.99 грн
10+232.10 грн
100+162.19 грн
250+153.39 грн
500+144.58 грн
1000+123.30 грн
2500+116.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D012A065B GP3D012A065B SemiQ GP3D012A065B-1916648.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 12A 650V TO-247-2
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+330.50 грн
10+279.36 грн
120+220.17 грн
270+213.57 грн
510+201.09 грн
1020+182.74 грн
5010+179.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D012A065B GP3D012A065B SemiQ GP3D012A065B.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 572pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+335.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D015A120A GP3D015A120A SemiQ GP3D015A120A-1915591.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 15A 1200V TO-220
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+621.62 грн
10+525.81 грн
100+380.16 грн
250+372.09 грн
500+336.13 грн
1000+283.29 грн
5000+279.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D015A120A GP3D015A120A SemiQ GP3D015A120A.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 15A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 962pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+632.73 грн
10+550.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D015A120B GP3D015A120B SemiQ GP3D015A120B-1916698.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 15A 1200V TO-247-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D015A120B GP3D015A120B SemiQ GP3D015A120B.pdf Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-2
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+712.92 грн
10+620.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A065A GP3D020A065A SemiQ GP3D020A065A.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1247pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A065A GP3D020A065A SemiQ GP3D020A065A-1916731.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 650V TO-220
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+396.43 грн
100+285.27 грн
250+240.72 грн
500+234.85 грн
1000+219.44 грн
2500+214.30 грн
5000+210.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A065B GP3D020A065B SemiQ GP3D020A065B.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 835pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+464.43 грн
30+241.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A065B GP3D020A065B SemiQ GP3D020A065B-1916785.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 650V TO-247-2
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+417.84 грн
10+326.63 грн
120+242.92 грн
510+215.77 грн
1020+173.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A065U GP3D020A065U SemiQ GP3D020A065U.pdf Description: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+383.45 грн
30+233.60 грн
120+220.54 грн
510+193.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A065U GP3D020A065U SemiQ GP3D020A065U-1916793.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 650V TO-247-3
на замовлення 574 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+322.80 грн
10+252.35 грн
120+190.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A120B GP3D020A120B SemiQ GP3D020A120B-1916802.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 20A 1200V TO-247-2
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+699.54 грн
10+591.64 грн
120+427.87 грн
270+410.26 грн
510+377.23 грн
1020+339.80 грн
2520+324.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A120B GP3D020A120B SemiQ GP3D020A120B.pdf Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-2
на замовлення 1131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+916.95 грн
10+797.59 грн
100+660.39 грн
500+539.67 грн
1000+474.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A120U GP3D020A120U SemiQ GP3D020A120U-1916846.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 1200V TO-247-3
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+748.34 грн
120+554.51 грн
270+472.64 грн
510+455.76 грн
1020+435.94 грн
2520+424.93 грн
5010+422.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A170B GP3D020A170B SemiQ GP3D020A170B.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 67A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1403pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 67A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1700 V
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1005.86 грн
10+853.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A170B GP3D020A170B SemiQ GP3D020A170B.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky 1700V 203nC 20A
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1063.43 грн
10+963.00 грн
30+803.63 грн
60+776.48 грн
120+707.49 грн
270+672.99 грн
510+628.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D024A065U GP3D024A065U SemiQ GP3D024A065U-1916742.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 24A 650V TO-247-3
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+508.60 грн
10+454.07 грн
120+344.94 грн
270+336.86 грн
510+315.58 грн
1020+289.89 грн
2520+281.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D024A065U GP3D024A065U SemiQ GP3D024A065U.pdf Description: DIODE ARR SIC 650V 12A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 12A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D030A060B SemiQ Description: DIODE SCHOTTKY 600V 30A TO247
Packaging: Tube
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D030A065B GP3D030A065B SemiQ GP3D030A065B.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1247pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+474.75 грн
30+268.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D030A065B GP3D030A065B SemiQ GP3D030A065B-1916624.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 30A 650V TO-247-2
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+455.51 грн
10+297.09 грн
120+257.60 грн
10020+256.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D030A120B GP3D030A120B SemiQ GP3D030A120B.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 30A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1762pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D030A120B GP3D030A120B SemiQ GP3D030A120B-1916827.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 30A 1200V TO-247-2
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+642.17 грн
120+632.15 грн
510+537.96 грн
1020+520.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D030A120U GP3D030A120U SemiQ GP3D030A120U-1916639.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 30A 1200V TO-247-3
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D030A120U GP3D030A120U SemiQ GP3D030A120U.pdf Description: DIODE ARR SIC 1200V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+726.41 грн
30+412.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D040A065U GP3D040A065U SemiQ GP3D040A065U.pdf Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V TO247-3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+651.79 грн
10+566.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D040A065U GP3D040A065U SemiQ GP3D040A065U-1916860.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 40A 650V TO-247-3
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+657.58 грн
10+555.35 грн
120+423.47 грн
270+413.19 грн
510+397.04 грн
1020+366.95 грн
2520+346.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D040A120U GP3D040A120U SemiQ GP3D040A120U-1916868.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 40A 1200V TO-247-3
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1163.61 грн
10+1054.15 грн
30+879.22 грн
60+849.87 грн
120+773.54 грн
270+736.11 грн
510+687.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D050A065B GP3D050A065B SemiQ Description: SIC SCHOTTKY RECTIFIER
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D050A120B GP3D050A120B SemiQ GP3D050A120B.pdf Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-2
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1933.13 грн
10+1717.04 грн
100+1466.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D050A120B GP3D050A120B SemiQ GP3D050A120B-1915593.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 1200V 50A TO-247-2
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1490.69 грн
10+1403.56 грн
30+1034.81 грн
120+973.16 грн
270+956.28 грн
510+882.16 грн
1020+841.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D050B170B GP3D050B170B SemiQ GP3D050B170B_rev0_3-3476163.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 50A 1700V TO-247-2
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1778.38 грн
10+1558.02 грн
30+1263.06 грн
60+1224.16 грн
120+1184.53 грн
270+1106.00 грн
510+1017.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D060A120B SemiQ Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 60A TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D060A120U GP3D060A120U SemiQ GP3D060A120U.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D060A120U GP3D060A120U SemiQ GP3D060A120U-1916754.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 60A 1200V TO-247-3
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2409.42 грн
10+2191.01 грн
120+1904.49 грн
510+1767.99 грн
1020+1679.92 грн
2520+1652.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GPA015A120MN-ND GPA015A120MN-ND SemiQ GPA015A120MN-ND_REV2.1_10-13.pdf Description: IGBT NPT/TRENCH 1200V 30A TO-3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 320 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: NPT and Trench
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/166ns
Switching Energy: 1.61mJ (on), 530µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 212 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GPA020A120MN-FD GPA020A120MN-FD SemiQ GPA020A120MN-FD_REV1.1_10-13.pdf Description: IGBT 1200V 40A 223W TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 425 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/150ns
Switching Energy: 2.8mJ (on), 480µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 223 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GPA020A135MN-FD GPA020A135MN-FD SemiQ GPA020A135MN-FD_REV0.1_12-13.pdf Description: IGBT 1350V 40A 223W TO3PN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GPA025A120MN-ND GPA025A120MN-ND SemiQ GPA025A120MN-ND_REV1.1_10-13.pdf Description: IGBT 1200V 50A 312W TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 480 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: NPT and Trench
Td (on/off) @ 25°C: 57ns/240ns
Switching Energy: 4.15mJ (on), 870µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 350 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 312 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GPA030A120MN-FD GPA030A120MN-FD SemiQ GPA030A120MN-FD_REV1.1_10-13.pdf Description: IGBT 1200V 60A 329W TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 450 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/245ns
Switching Energy: 4.5mJ (on), 850µJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 330 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 329 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GPA030A135MN-FDR GPA030A135MN-FDR SemiQ GPA030A135MN-FDR_REV0.0_2-14.pdf Description: IGBT 1350V 60A 329W TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 450 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/145ns
Switching Energy: 4.4mJ (on), 1.18mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 300 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 329 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GPA040A120L-FD GPA040A120L-FD SemiQ GPA040A120L-FD.pdf Description: IGBT 1200V 80A 480W TO264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GPA040A120L-ND GPA040A120L-ND SemiQ GPA040A120L-ND.pdf Description: IGBT 1200V 80A 455W TO264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GPA040A120MN-FD GPA040A120MN-FD SemiQ GPA040A120MN-FD_REV0.0_3-14.pdf Description: IGBT 1200V 80A 480W TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 55ns/200ns
Switching Energy: 5.3mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 480 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 480 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GPA042A100L-ND GPA042A100L-ND SemiQ GPA042A100L-ND_REV1_8-12.pdf Description: IGBT 1000V 60A 463W TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 465 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-264
IGBT Type: NPT and Trench
Td (on/off) @ 25°C: 230ns/1480ns
Switching Energy: 13.1mJ (on), 6.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 60A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 405 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 463 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GPI040A060MN-FD GPI040A060MN-FD SemiQ GPI040A060MN-FD_REV0_9-13.pdf Description: IGBT 600V 80A 231W TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/85ns
Switching Energy: 1.46mJ (on), 540µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 173 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 231 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSID080A120B1A5 GSID080A120B1A5 SemiQ GSID080A120B1A5.pdf Description: IGBT MOD 1200V 160A 1710W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSID100A120S5C1 GSID100A120S5C1 SemiQ Description: IGBT MOD 1200V 170A 650W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 170 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 650 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13.7 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSID150A120S3B1 GSID150A120S3B1 SemiQ Description: IGBT MODULE 1200V 300A 940W D3
Packaging: Bulk
Package / Case: D-3 Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: D3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 940 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSID150A120S5C1 GSID150A120S5C1 SemiQ Description: IGBT MOD 1200V 285A 1087W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 285 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1087 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 21.2 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSID150A120S6A4 GSID150A120S6A4 SemiQ GSID150A120S6A4.pdf Description: IGBT MOD 1200V 275A 1035W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 275 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1035 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 20.2 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSID150A120T2C1 GSID150A120T2C1 SemiQ Description: IGBT MOD 1200V 285A 1087W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 285 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1087 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 21.2 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSID200A120S3B1 GSID200A120S3B1 SemiQ Description: IGBT MODULE 1200V 400A 1595W D3
Packaging: Bulk
Package / Case: D-3 Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: D3
Current - Collector (Ic) (Max): 400 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1595 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 20 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSID200A120S5C1 GSID200A120S5C1 SemiQ Description: IGBT MODULE 1200V 335A
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 335 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 22.4 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A120B GP3D010A120B.pdf
GP3D010A120B
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 608pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A170B GP3D010A170B-2140984.pdf
GP3D010A170B
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky 1700V 103nC 10A
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+697.83 грн
10+422.84 грн
120+366.22 грн
270+321.45 грн
2520+320.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A170B GP3D010A170B.pdf
GP3D010A170B
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 39A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 699pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 39A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1700 V
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+678.78 грн
30+402.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D012A065A GP3D012A065A.pdf
GP3D012A065A
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-2
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+319.94 грн
10+276.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D012A065A GP3D012A065A-1916857.pdf
GP3D012A065A
Виробник: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 12A 650V TO-220
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+279.99 грн
10+232.10 грн
100+162.19 грн
250+153.39 грн
500+144.58 грн
1000+123.30 грн
2500+116.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D012A065B GP3D012A065B-1916648.pdf
GP3D012A065B
Виробник: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 12A 650V TO-247-2
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+330.50 грн
10+279.36 грн
120+220.17 грн
270+213.57 грн
510+201.09 грн
1020+182.74 грн
5010+179.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D012A065B GP3D012A065B.pdf
GP3D012A065B
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 572pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+335.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D015A120A GP3D015A120A-1915591.pdf
GP3D015A120A
Виробник: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 15A 1200V TO-220
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+621.62 грн
10+525.81 грн
100+380.16 грн
250+372.09 грн
500+336.13 грн
1000+283.29 грн
5000+279.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D015A120A GP3D015A120A.pdf
GP3D015A120A
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 15A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 962pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+632.73 грн
10+550.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D015A120B GP3D015A120B-1916698.pdf
GP3D015A120B
Виробник: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 15A 1200V TO-247-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D015A120B GP3D015A120B.pdf
GP3D015A120B
Виробник: SemiQ
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-2
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+712.92 грн
10+620.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A065A GP3D020A065A.pdf
GP3D020A065A
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1247pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A065A GP3D020A065A-1916731.pdf
GP3D020A065A
Виробник: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 650V TO-220
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+396.43 грн
100+285.27 грн
250+240.72 грн
500+234.85 грн
1000+219.44 грн
2500+214.30 грн
5000+210.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A065B GP3D020A065B.pdf
GP3D020A065B
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 835pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+464.43 грн
30+241.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A065B GP3D020A065B-1916785.pdf
GP3D020A065B
Виробник: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 650V TO-247-2
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+417.84 грн
10+326.63 грн
120+242.92 грн
510+215.77 грн
1020+173.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A065U GP3D020A065U.pdf
GP3D020A065U
Виробник: SemiQ
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+383.45 грн
30+233.60 грн
120+220.54 грн
510+193.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A065U GP3D020A065U-1916793.pdf
GP3D020A065U
Виробник: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 650V TO-247-3
на замовлення 574 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+322.80 грн
10+252.35 грн
120+190.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A120B GP3D020A120B-1916802.pdf
GP3D020A120B
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 20A 1200V TO-247-2
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+699.54 грн
10+591.64 грн
120+427.87 грн
270+410.26 грн
510+377.23 грн
1020+339.80 грн
2520+324.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A120B GP3D020A120B.pdf
GP3D020A120B
Виробник: SemiQ
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-2
на замовлення 1131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+916.95 грн
10+797.59 грн
100+660.39 грн
500+539.67 грн
1000+474.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A120U GP3D020A120U-1916846.pdf
GP3D020A120U
Виробник: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 1200V TO-247-3
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+748.34 грн
120+554.51 грн
270+472.64 грн
510+455.76 грн
1020+435.94 грн
2520+424.93 грн
5010+422.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A170B GP3D020A170B.pdf
GP3D020A170B
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 67A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1403pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 67A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1700 V
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1005.86 грн
10+853.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A170B GP3D020A170B.pdf
GP3D020A170B
Виробник: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky 1700V 203nC 20A
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1063.43 грн
10+963.00 грн
30+803.63 грн
60+776.48 грн
120+707.49 грн
270+672.99 грн
510+628.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D024A065U GP3D024A065U-1916742.pdf
GP3D024A065U
Виробник: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 24A 650V TO-247-3
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+508.60 грн
10+454.07 грн
120+344.94 грн
270+336.86 грн
510+315.58 грн
1020+289.89 грн
2520+281.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D024A065U GP3D024A065U.pdf
GP3D024A065U
Виробник: SemiQ
Description: DIODE ARR SIC 650V 12A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 12A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D030A060B
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SCHOTTKY 600V 30A TO247
Packaging: Tube
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D030A065B GP3D030A065B.pdf
GP3D030A065B
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1247pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+474.75 грн
30+268.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D030A065B GP3D030A065B-1916624.pdf
GP3D030A065B
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 30A 650V TO-247-2
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+455.51 грн
10+297.09 грн
120+257.60 грн
10020+256.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D030A120B GP3D030A120B.pdf
GP3D030A120B
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1200V 30A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1762pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D030A120B GP3D030A120B-1916827.pdf
GP3D030A120B
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 30A 1200V TO-247-2
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+642.17 грн
120+632.15 грн
510+537.96 грн
1020+520.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D030A120U GP3D030A120U-1916639.pdf
GP3D030A120U
Виробник: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 30A 1200V TO-247-3
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D030A120U GP3D030A120U.pdf
GP3D030A120U
Виробник: SemiQ
Description: DIODE ARR SIC 1200V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+726.41 грн
30+412.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D040A065U GP3D040A065U.pdf
GP3D040A065U
Виробник: SemiQ
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V TO247-3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+651.79 грн
10+566.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D040A065U GP3D040A065U-1916860.pdf
GP3D040A065U
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 40A 650V TO-247-3
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+657.58 грн
10+555.35 грн
120+423.47 грн
270+413.19 грн
510+397.04 грн
1020+366.95 грн
2520+346.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D040A120U GP3D040A120U-1916868.pdf
GP3D040A120U
Виробник: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 40A 1200V TO-247-3
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1163.61 грн
10+1054.15 грн
30+879.22 грн
60+849.87 грн
120+773.54 грн
270+736.11 грн
510+687.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D050A065B
GP3D050A065B
Виробник: SemiQ
Description: SIC SCHOTTKY RECTIFIER
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D050A120B GP3D050A120B.pdf
GP3D050A120B
Виробник: SemiQ
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-2
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1933.13 грн
10+1717.04 грн
100+1466.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D050A120B GP3D050A120B-1915593.pdf
GP3D050A120B
Виробник: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 1200V 50A TO-247-2
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1490.69 грн
10+1403.56 грн
30+1034.81 грн
120+973.16 грн
270+956.28 грн
510+882.16 грн
1020+841.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D050B170B GP3D050B170B_rev0_3-3476163.pdf
GP3D050B170B
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 50A 1700V TO-247-2
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1778.38 грн
10+1558.02 грн
30+1263.06 грн
60+1224.16 грн
120+1184.53 грн
270+1106.00 грн
510+1017.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D060A120B
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 60A TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D060A120U GP3D060A120U.pdf
GP3D060A120U
Виробник: SemiQ
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D060A120U GP3D060A120U-1916754.pdf
GP3D060A120U
Виробник: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 60A 1200V TO-247-3
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2409.42 грн
10+2191.01 грн
120+1904.49 грн
510+1767.99 грн
1020+1679.92 грн
2520+1652.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GPA015A120MN-ND GPA015A120MN-ND_REV2.1_10-13.pdf
GPA015A120MN-ND
Виробник: SemiQ
Description: IGBT NPT/TRENCH 1200V 30A TO-3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 320 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: NPT and Trench
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/166ns
Switching Energy: 1.61mJ (on), 530µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 212 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GPA020A120MN-FD GPA020A120MN-FD_REV1.1_10-13.pdf
GPA020A120MN-FD
Виробник: SemiQ
Description: IGBT 1200V 40A 223W TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 425 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/150ns
Switching Energy: 2.8mJ (on), 480µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 223 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GPA020A135MN-FD GPA020A135MN-FD_REV0.1_12-13.pdf
GPA020A135MN-FD
Виробник: SemiQ
Description: IGBT 1350V 40A 223W TO3PN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GPA025A120MN-ND GPA025A120MN-ND_REV1.1_10-13.pdf
GPA025A120MN-ND
Виробник: SemiQ
Description: IGBT 1200V 50A 312W TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 480 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: NPT and Trench
Td (on/off) @ 25°C: 57ns/240ns
Switching Energy: 4.15mJ (on), 870µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 350 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 312 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GPA030A120MN-FD GPA030A120MN-FD_REV1.1_10-13.pdf
GPA030A120MN-FD
Виробник: SemiQ
Description: IGBT 1200V 60A 329W TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 450 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/245ns
Switching Energy: 4.5mJ (on), 850µJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 330 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 329 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GPA030A135MN-FDR GPA030A135MN-FDR_REV0.0_2-14.pdf
GPA030A135MN-FDR
Виробник: SemiQ
Description: IGBT 1350V 60A 329W TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 450 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/145ns
Switching Energy: 4.4mJ (on), 1.18mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 300 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 329 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GPA040A120L-FD GPA040A120L-FD.pdf
GPA040A120L-FD
Виробник: SemiQ
Description: IGBT 1200V 80A 480W TO264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GPA040A120L-ND GPA040A120L-ND.pdf
GPA040A120L-ND
Виробник: SemiQ
Description: IGBT 1200V 80A 455W TO264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GPA040A120MN-FD GPA040A120MN-FD_REV0.0_3-14.pdf
GPA040A120MN-FD
Виробник: SemiQ
Description: IGBT 1200V 80A 480W TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 55ns/200ns
Switching Energy: 5.3mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 480 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 480 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GPA042A100L-ND GPA042A100L-ND_REV1_8-12.pdf
GPA042A100L-ND
Виробник: SemiQ
Description: IGBT 1000V 60A 463W TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 465 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-264
IGBT Type: NPT and Trench
Td (on/off) @ 25°C: 230ns/1480ns
Switching Energy: 13.1mJ (on), 6.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 60A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 405 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 463 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GPI040A060MN-FD GPI040A060MN-FD_REV0_9-13.pdf
GPI040A060MN-FD
Виробник: SemiQ
Description: IGBT 600V 80A 231W TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/85ns
Switching Energy: 1.46mJ (on), 540µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 173 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 231 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSID080A120B1A5 GSID080A120B1A5.pdf
GSID080A120B1A5
Виробник: SemiQ
Description: IGBT MOD 1200V 160A 1710W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSID100A120S5C1
GSID100A120S5C1
Виробник: SemiQ
Description: IGBT MOD 1200V 170A 650W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 170 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 650 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13.7 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSID150A120S3B1
GSID150A120S3B1
Виробник: SemiQ
Description: IGBT MODULE 1200V 300A 940W D3
Packaging: Bulk
Package / Case: D-3 Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: D3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 940 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSID150A120S5C1
GSID150A120S5C1
Виробник: SemiQ
Description: IGBT MOD 1200V 285A 1087W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 285 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1087 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 21.2 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSID150A120S6A4 GSID150A120S6A4.pdf
GSID150A120S6A4
Виробник: SemiQ
Description: IGBT MOD 1200V 275A 1035W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 275 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1035 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 20.2 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSID150A120T2C1
GSID150A120T2C1
Виробник: SemiQ
Description: IGBT MOD 1200V 285A 1087W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 285 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1087 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 21.2 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSID200A120S3B1
GSID200A120S3B1
Виробник: SemiQ
Description: IGBT MODULE 1200V 400A 1595W D3
Packaging: Bulk
Package / Case: D-3 Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: D3
Current - Collector (Ic) (Max): 400 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1595 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 20 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSID200A120S5C1
GSID200A120S5C1
Виробник: SemiQ
Description: IGBT MODULE 1200V 335A
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 335 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 22.4 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]