Продукція > SEMIQ > Всі товари виробника SEMIQ (284) > Сторінка 3 з 5

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GP2D020A065U SemiQ GP2D020A065U.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D030A065B SemiQ Description: DIODE SILICON CARBIDE
Packaging: Tube
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D060A120B SemiQ GP2D060A120B.pdf Description: DIODE SCHOTKY 1.2KV 60A TO247-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T020A120H GP2T020A120H SemiQ GP2T020A120H.pdf SiC MOSFETs 1200V, 18mOhm, TO-247-4L MOSFET
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1589.14 грн
10+1288.08 грн
120+968.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T040A120H GP2T040A120H SemiQ GP2T040A120H.pdf Description: SIC MOSFET 1200V 40M TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 322W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3192 pF @ 1000 V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1666.83 грн
30+1413.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T040A120H GP2T040A120H SemiQ GP2T040A120H-3032323.pdf MOSFET SiC MOSFET 1200V 40mohm TO-247-4L
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1602.99 грн
10+1392.69 грн
30+1177.82 грн
60+1111.37 грн
120+1045.72 грн
270+1014.08 грн
510+948.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T040A120J GP2T040A120J SemiQ GP2T040A120J.pdf SiC MOSFETs 1200V, 40mOhm, TO-263-7L MOSFET
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+936.69 грн
10+722.27 грн
100+522.07 грн
500+465.91 грн
1000+396.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T040A120U GP2T040A120U SemiQ GP2T040A120U.pdf Description: SIC MOSFET 1200V 40M TO-247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 322W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3192 pF @ 1000 V
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1612.92 грн
30+1223.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T040A120U GP2T040A120U SemiQ GP2T040A120U-3032364.pdf MOSFET SiC MOSFET 1200V 40mohm TO-247-3L
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1546.69 грн
10+1343.57 грн
30+1136.68 грн
60+1072.61 грн
120+1009.33 грн
270+977.69 грн
510+914.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T080A120H SemiQ GP2T080A120H.pdf Description: SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 1000 V
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+948.93 грн
10+839.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T080A120H GP2T080A120H SemiQ GP2T080A120H-2999273.pdf SiC MOSFETs SiC MOSFET 1200V 80mohm TO-247-4L
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+982.83 грн
10+830.52 грн
30+654.17 грн
120+601.17 грн
270+564.78 грн
510+529.98 грн
1020+476.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T080A120J GP2T080A120J SemiQ GP2T080A120J-3359589.pdf SiC MOSFETs 1200V, 80mOhm, TO-263-7L MOSFET
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+984.68 грн
10+855.99 грн
50+631.23 грн
100+601.96 грн
250+566.36 грн
500+531.56 грн
1000+477.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T080A120U GP2T080A120U SemiQ GP2T080A120U.pdf MOSFET
на замовлення 1211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+980.06 грн
10+827.79 грн
30+653.38 грн
120+599.59 грн
270+563.99 грн
510+529.19 грн
1020+476.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T080A120U GP2T080A120U SemiQ GP2T080A120U.pdf Description: SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 1000 V
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+569.02 грн
30+345.05 грн
120+313.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D005A120C SemiQ Description: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A DPAK-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D005A170B GP3D005A170B SemiQ GP3D005A170B.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 5A 1700V TO-247-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D005A170B GP3D005A170B SemiQ GP3D005A170B.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 21A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 347pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 21A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 5
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1700
на замовлення 2530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+313.17 грн
30+166.96 грн
120+137.22 грн
510+108.29 грн
1020+100.81 грн
2010+98.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D006A065A GP3D006A065A SemiQ GP3D006A065A.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 6A 650V
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+203.03 грн
10+98.24 грн
100+78.94 грн
500+61.70 грн
1000+52.76 грн
5000+51.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D006A065A GP3D006A065A SemiQ GP3D006A065A.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2L
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+167.71 грн
10+144.61 грн
100+116.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D008A065A GP3D008A065A SemiQ GP3D008A065A-1916841.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 8A 650V TO-220
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+219.64 грн
10+140.09 грн
100+113.91 грн
500+83.06 грн
1000+71.43 грн
2500+68.03 грн
5000+65.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D008A065D GP3D008A065D SemiQ GP3D008A065D.pdf Description: DIODE SIC 650V 8A TO263-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A065A GP3D010A065A SemiQ GP3D010A065A.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 419pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A065A GP3D010A065A SemiQ GP3D010A065A-1916775.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 10A 650V TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A065B GP3D010A065B SemiQ GP3D010A065B.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 419pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A065B GP3D010A065B SemiQ GP3D010A065B-1916820.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 650V TO-247-2
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+299.00 грн
10+192.85 грн
120+143.17 грн
510+125.77 грн
1020+107.58 грн
2520+102.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A065C SemiQ Description: DIODE SILICON CARBIDE
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A065D GP3D010A065D SemiQ GP3D010A065D.pdf Description: DIODE SIC 650V 8A TO263-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TO-263-2L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A065D GP3D010A065D SemiQ GP3D010A065D.pdf Description: DIODE SIC 650V 8A TO263-2L
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TO-263-2L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A120A GP3D010A120A SemiQ GP3D010A120A-1916683.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 1200V TO-220
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+410.67 грн
10+392.97 грн
100+204.08 грн
500+168.49 грн
1000+162.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A120A GP3D010A120A SemiQ GP3D010A120A.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 608pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+367.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A120B GP3D010A120B SemiQ GP3D010A120B.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 608pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A120B GP3D010A120B SemiQ GP3D010A120B-1916852.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 1200V TO-247-2
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+388.52 грн
10+286.54 грн
120+202.50 грн
510+192.22 грн
1020+180.35 грн
2520+175.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A120S GP3D010A120S SemiQ GP3D010A120S.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 1200V SMC DO-214AB
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+454.04 грн
10+338.39 грн
100+238.09 грн
500+211.20 грн
1000+181.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A170B GP3D010A170B SemiQ GP3D010A170B.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 39A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 699pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 39A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1700 V
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+731.59 грн
30+433.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A170B GP3D010A170B SemiQ GP3D010A170B-2140984.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky 1700V 103nC 10A
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+752.12 грн
10+455.74 грн
120+394.71 грн
270+346.46 грн
2520+345.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D012A065A GP3D012A065A SemiQ GP3D012A065A.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-2
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+344.83 грн
10+297.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D012A065A GP3D012A065A SemiQ GP3D012A065A-1916857.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 12A 650V TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D012A065B GP3D012A065B SemiQ GP3D012A065B.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 572pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+361.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D012A065B GP3D012A065B SemiQ GP3D012A065B-1916648.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 12A 650V TO-247-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D015A120A GP3D015A120A SemiQ GP3D015A120A-1915591.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 15A 1200V TO-220
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+669.99 грн
10+566.72 грн
100+409.74 грн
250+401.04 грн
500+362.28 грн
1000+305.33 грн
5000+301.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D015A120A GP3D015A120A SemiQ GP3D015A120A.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 15A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 962pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+681.96 грн
10+593.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D015A120B GP3D015A120B SemiQ GP3D015A120B-1916698.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 15A 1200V TO-247-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D015A120B GP3D015A120B SemiQ GP3D015A120B.pdf Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-2
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+768.38 грн
10+668.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A065A GP3D020A065A SemiQ GP3D020A065A.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1247pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A065A GP3D020A065A SemiQ GP3D020A065A-1916731.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 650V TO-220
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+427.28 грн
100+307.47 грн
250+259.45 грн
500+253.12 грн
1000+236.51 грн
2500+230.98 грн
5000+227.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A065B GP3D020A065B SemiQ GP3D020A065B-1916785.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 650V TO-247-2
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+450.35 грн
10+352.04 грн
120+261.82 грн
510+232.56 грн
1020+187.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A065B GP3D020A065B SemiQ GP3D020A065B.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 835pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+500.56 грн
30+260.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A065U GP3D020A065U SemiQ GP3D020A065U-1916793.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 650V TO-247-3
на замовлення 574 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+347.91 грн
10+271.99 грн
120+205.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A065U GP3D020A065U SemiQ GP3D020A065U.pdf Description: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+413.28 грн
30+251.78 грн
120+237.70 грн
510+208.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A120B GP3D020A120B SemiQ GP3D020A120B.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 20A 1200V TO-247-2
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+547.25 грн
10+516.69 грн
120+330.64 грн
510+313.24 грн
1020+294.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A120B GP3D020A120B SemiQ GP3D020A120B.pdf Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-2
на замовлення 1131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+988.29 грн
10+859.65 грн
100+711.77 грн
500+581.66 грн
1000+511.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A120U GP3D020A120U SemiQ GP3D020A120U-1916846.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 1200V TO-247-3
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+806.57 грн
120+597.65 грн
270+509.41 грн
510+491.22 грн
1020+469.86 грн
2520+458.00 грн
5010+454.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A170B GP3D020A170B SemiQ GP3D020A170B.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky 1700V 203nC 20A
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1146.18 грн
10+1037.93 грн
30+866.16 грн
60+836.89 грн
120+762.54 грн
270+725.36 грн
510+677.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A170B GP3D020A170B SemiQ GP3D020A170B.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 67A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1403pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 67A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1700 V
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1084.12 грн
10+920.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D024A065U GP3D024A065U SemiQ GP3D024A065U-1916742.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 24A 650V TO-247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D024A065U GP3D024A065U SemiQ GP3D024A065U.pdf Description: DIODE ARR SIC 650V 12A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 12A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D030A060B SemiQ Description: DIODE SCHOTTKY 600V 30A TO247
Packaging: Tube
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D030A065B GP3D030A065B SemiQ GP3D030A065B-1916624.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 30A 650V TO-247-2
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+490.95 грн
10+320.20 грн
120+277.65 грн
10020+276.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D030A065B GP3D030A065B SemiQ GP3D030A065B.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1247pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+511.69 грн
30+289.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D030A120B GP3D030A120B SemiQ GP3D030A120B-1916827.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 30A 1200V TO-247-2
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+741.97 грн
10+666.78 грн
120+536.31 грн
510+512.58 грн
1020+492.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D020A065U GP2D020A065U.pdf
Виробник: SemiQ
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D030A065B
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SILICON CARBIDE
Packaging: Tube
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D060A120B GP2D060A120B.pdf
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SCHOTKY 1.2KV 60A TO247-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T020A120H GP2T020A120H.pdf
GP2T020A120H
Виробник: SemiQ
SiC MOSFETs 1200V, 18mOhm, TO-247-4L MOSFET
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1589.14 грн
10+1288.08 грн
120+968.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T040A120H GP2T040A120H.pdf
GP2T040A120H
Виробник: SemiQ
Description: SIC MOSFET 1200V 40M TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 322W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3192 pF @ 1000 V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1666.83 грн
30+1413.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T040A120H GP2T040A120H-3032323.pdf
GP2T040A120H
Виробник: SemiQ
MOSFET SiC MOSFET 1200V 40mohm TO-247-4L
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1602.99 грн
10+1392.69 грн
30+1177.82 грн
60+1111.37 грн
120+1045.72 грн
270+1014.08 грн
510+948.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T040A120J GP2T040A120J.pdf
GP2T040A120J
Виробник: SemiQ
SiC MOSFETs 1200V, 40mOhm, TO-263-7L MOSFET
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+936.69 грн
10+722.27 грн
100+522.07 грн
500+465.91 грн
1000+396.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T040A120U GP2T040A120U.pdf
GP2T040A120U
Виробник: SemiQ
Description: SIC MOSFET 1200V 40M TO-247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 322W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3192 pF @ 1000 V
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1612.92 грн
30+1223.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T040A120U GP2T040A120U-3032364.pdf
GP2T040A120U
Виробник: SemiQ
MOSFET SiC MOSFET 1200V 40mohm TO-247-3L
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1546.69 грн
10+1343.57 грн
30+1136.68 грн
60+1072.61 грн
120+1009.33 грн
270+977.69 грн
510+914.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T080A120H GP2T080A120H.pdf
Виробник: SemiQ
Description: SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 1000 V
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+948.93 грн
10+839.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T080A120H GP2T080A120H-2999273.pdf
GP2T080A120H
Виробник: SemiQ
SiC MOSFETs SiC MOSFET 1200V 80mohm TO-247-4L
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+982.83 грн
10+830.52 грн
30+654.17 грн
120+601.17 грн
270+564.78 грн
510+529.98 грн
1020+476.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T080A120J GP2T080A120J-3359589.pdf
GP2T080A120J
Виробник: SemiQ
SiC MOSFETs 1200V, 80mOhm, TO-263-7L MOSFET
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+984.68 грн
10+855.99 грн
50+631.23 грн
100+601.96 грн
250+566.36 грн
500+531.56 грн
1000+477.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T080A120U GP2T080A120U.pdf
GP2T080A120U
Виробник: SemiQ
MOSFET
на замовлення 1211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+980.06 грн
10+827.79 грн
30+653.38 грн
120+599.59 грн
270+563.99 грн
510+529.19 грн
1020+476.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T080A120U GP2T080A120U.pdf
GP2T080A120U
Виробник: SemiQ
Description: SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 1000 V
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+569.02 грн
30+345.05 грн
120+313.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D005A120C
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A DPAK-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D005A170B GP3D005A170B.pdf
GP3D005A170B
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 5A 1700V TO-247-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D005A170B GP3D005A170B.pdf
GP3D005A170B
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1700V 21A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 347pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 21A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 5
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1700
на замовлення 2530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+313.17 грн
30+166.96 грн
120+137.22 грн
510+108.29 грн
1020+100.81 грн
2010+98.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D006A065A GP3D006A065A.pdf
GP3D006A065A
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 6A 650V
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+203.03 грн
10+98.24 грн
100+78.94 грн
500+61.70 грн
1000+52.76 грн
5000+51.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D006A065A GP3D006A065A.pdf
GP3D006A065A
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2L
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+167.71 грн
10+144.61 грн
100+116.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D008A065A GP3D008A065A-1916841.pdf
GP3D008A065A
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 8A 650V TO-220
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+219.64 грн
10+140.09 грн
100+113.91 грн
500+83.06 грн
1000+71.43 грн
2500+68.03 грн
5000+65.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D008A065D GP3D008A065D.pdf
GP3D008A065D
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIC 650V 8A TO263-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A065A GP3D010A065A.pdf
GP3D010A065A
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 419pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A065A GP3D010A065A-1916775.pdf
GP3D010A065A
Виробник: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 10A 650V TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A065B GP3D010A065B.pdf
GP3D010A065B
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 419pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A065B GP3D010A065B-1916820.pdf
GP3D010A065B
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 650V TO-247-2
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+299.00 грн
10+192.85 грн
120+143.17 грн
510+125.77 грн
1020+107.58 грн
2520+102.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A065C
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SILICON CARBIDE
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A065D GP3D010A065D.pdf
GP3D010A065D
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIC 650V 8A TO263-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TO-263-2L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A065D GP3D010A065D.pdf
GP3D010A065D
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIC 650V 8A TO263-2L
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TO-263-2L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A120A GP3D010A120A-1916683.pdf
GP3D010A120A
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 1200V TO-220
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+410.67 грн
10+392.97 грн
100+204.08 грн
500+168.49 грн
1000+162.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A120A GP3D010A120A.pdf
GP3D010A120A
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 608pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+367.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A120B GP3D010A120B.pdf
GP3D010A120B
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 608pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A120B GP3D010A120B-1916852.pdf
GP3D010A120B
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 1200V TO-247-2
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+388.52 грн
10+286.54 грн
120+202.50 грн
510+192.22 грн
1020+180.35 грн
2520+175.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A120S GP3D010A120S.pdf
GP3D010A120S
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 1200V SMC DO-214AB
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+454.04 грн
10+338.39 грн
100+238.09 грн
500+211.20 грн
1000+181.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A170B GP3D010A170B.pdf
GP3D010A170B
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 39A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 699pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 39A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1700 V
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+731.59 грн
30+433.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A170B GP3D010A170B-2140984.pdf
GP3D010A170B
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky 1700V 103nC 10A
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+752.12 грн
10+455.74 грн
120+394.71 грн
270+346.46 грн
2520+345.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D012A065A GP3D012A065A.pdf
GP3D012A065A
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-2
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+344.83 грн
10+297.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D012A065A GP3D012A065A-1916857.pdf
GP3D012A065A
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 12A 650V TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D012A065B GP3D012A065B.pdf
GP3D012A065B
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 572pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+361.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D012A065B GP3D012A065B-1916648.pdf
GP3D012A065B
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 12A 650V TO-247-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D015A120A GP3D015A120A-1915591.pdf
GP3D015A120A
Виробник: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 15A 1200V TO-220
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+669.99 грн
10+566.72 грн
100+409.74 грн
250+401.04 грн
500+362.28 грн
1000+305.33 грн
5000+301.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D015A120A GP3D015A120A.pdf
GP3D015A120A
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 15A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 962pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+681.96 грн
10+593.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D015A120B GP3D015A120B-1916698.pdf
GP3D015A120B
Виробник: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 15A 1200V TO-247-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D015A120B GP3D015A120B.pdf
GP3D015A120B
Виробник: SemiQ
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-2
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+768.38 грн
10+668.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A065A GP3D020A065A.pdf
GP3D020A065A
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1247pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A065A GP3D020A065A-1916731.pdf
GP3D020A065A
Виробник: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 650V TO-220
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+427.28 грн
100+307.47 грн
250+259.45 грн
500+253.12 грн
1000+236.51 грн
2500+230.98 грн
5000+227.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A065B GP3D020A065B-1916785.pdf
GP3D020A065B
Виробник: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 650V TO-247-2
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+450.35 грн
10+352.04 грн
120+261.82 грн
510+232.56 грн
1020+187.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A065B GP3D020A065B.pdf
GP3D020A065B
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 835pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+500.56 грн
30+260.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A065U GP3D020A065U-1916793.pdf
GP3D020A065U
Виробник: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 650V TO-247-3
на замовлення 574 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+347.91 грн
10+271.99 грн
120+205.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A065U GP3D020A065U.pdf
GP3D020A065U
Виробник: SemiQ
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+413.28 грн
30+251.78 грн
120+237.70 грн
510+208.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A120B GP3D020A120B.pdf
GP3D020A120B
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 20A 1200V TO-247-2
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+547.25 грн
10+516.69 грн
120+330.64 грн
510+313.24 грн
1020+294.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A120B GP3D020A120B.pdf
GP3D020A120B
Виробник: SemiQ
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-2
на замовлення 1131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+988.29 грн
10+859.65 грн
100+711.77 грн
500+581.66 грн
1000+511.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A120U GP3D020A120U-1916846.pdf
GP3D020A120U
Виробник: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 1200V TO-247-3
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+806.57 грн
120+597.65 грн
270+509.41 грн
510+491.22 грн
1020+469.86 грн
2520+458.00 грн
5010+454.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A170B GP3D020A170B.pdf
GP3D020A170B
Виробник: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky 1700V 203nC 20A
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1146.18 грн
10+1037.93 грн
30+866.16 грн
60+836.89 грн
120+762.54 грн
270+725.36 грн
510+677.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A170B GP3D020A170B.pdf
GP3D020A170B
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 67A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1403pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 67A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1700 V
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1084.12 грн
10+920.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D024A065U GP3D024A065U-1916742.pdf
GP3D024A065U
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 24A 650V TO-247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D024A065U GP3D024A065U.pdf
GP3D024A065U
Виробник: SemiQ
Description: DIODE ARR SIC 650V 12A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 12A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D030A060B
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SCHOTTKY 600V 30A TO247
Packaging: Tube
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D030A065B GP3D030A065B-1916624.pdf
GP3D030A065B
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 30A 650V TO-247-2
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+490.95 грн
10+320.20 грн
120+277.65 грн
10020+276.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D030A065B GP3D030A065B.pdf
GP3D030A065B
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1247pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+511.69 грн
30+289.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D030A120B GP3D030A120B-1916827.pdf
GP3D030A120B
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 30A 1200V TO-247-2
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+741.97 грн
10+666.78 грн
120+536.31 грн
510+512.58 грн
1020+492.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5  [ Наступна Сторінка >> ]