| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GP2D005A120C | SemiQ |
 Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO252-2LPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 317pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: TO-252-2L (DPAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
GP2D005A120C | SemiQ |
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO252-2L Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 317pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: TO-252-2L (DPAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
GP2D006A065C | SemiQ |
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO252-2L Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 316pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: TO-252-2L (DPAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GP2D010A065A | SemiQ |
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 527pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| GP2D010A065C | SemiQ |
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO252 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
 |
GP2D010A120A | SemiQ |
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 635pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
GP2D010A120B | SemiQ |
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 635pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
GP2D010A120C | SemiQ |
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO252L Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 635pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GP2D010A120U | SemiQ |
Description: DIODE ARR SIC 1200V 17A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 17A (DC) Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| GP2D020A065B | SemiQ |
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-2 Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 20 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Discontinued at Digi-Key Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-247-2 Current - Average Rectified (Io): 20A Capacitance @ Vr, F: 1054pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-2 Packaging: Tube |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| GP2D020A065U | SemiQ |
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A (DC) Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| GP2D030A065B | SemiQ |
Description: DIODE SILICON CARBIDE Part Status: Discontinued at Digi-Key Packaging: Tube |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| GP2D060A120B | SemiQ |
Description: DIODE SCHOTKY 1.2KV 60A TO247-2 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
 |
GP2T020A120H | SemiQ |
SiC MOSFETs 1200V, 18mOhm, TO-247-4L MOSFET |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| GP2T030A170H | SemiQ |
Description: SIC MOSFET Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 60A, 20V Power Dissipation (Max): 564W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA Supplier Device Package: TO-247-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6202 pF @ 1200 V |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
GP2T040A120H | SemiQ |
Description: SIC MOSFET 1200V 40M TO-247-4L Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V Power Dissipation (Max): 322W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA Supplier Device Package: TO-247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3192 pF @ 1000 V |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
GP2T040A120H | SemiQ |
MOSFET SiC MOSFET 1200V 40mohm TO-247-4L |
на замовлення 92 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
GP2T040A120J | SemiQ |
SiC MOSFETs 1200V, 40mOhm, TO-263-7L MOSFET |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
GP2T040A120U | SemiQ |
Description: SIC MOSFET 1200V 40M TO-247-3L Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V Power Dissipation (Max): 322W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3192 pF @ 1000 V |
на замовлення 61 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
GP2T040A120U | SemiQ |
SiC MOSFETs SiC MOSFET 1200V 40mohm TO-247-3L |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
GP2T080A120H | SemiQ |
SiC MOSFETs SiC MOSFET 1200V 80mohm TO-247-4L |
на замовлення 44 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
GP2T080A120H | SemiQ |
Description: SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-4L Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA Supplier Device Package: TO-247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 1000 V |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
GP2T080A120J | SemiQ |
SiC MOSFETs 1200V, 80mOhm, TO-263-7L MOSFET |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
GP2T080A120U | SemiQ |
MOSFET |
на замовлення 1211 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
GP2T080A120U | SemiQ |
Description: SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-3L Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 1000 V |
на замовлення 637 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| GP3D005A120C | SemiQ |
Description: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A DPAK-2 Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
 |
GP3D005A170B | SemiQ |
Description: DIODE SIL CARB 1700V 21A TO2472 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 347pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 21A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 5 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1700 |
на замовлення 1769 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
GP3D005A170B | SemiQ |
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 5A 1700V TO-247-2 |
на замовлення 10320 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
GP3D006A065A | SemiQ |
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 6A 650V |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
GP3D006A065A | SemiQ |
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2L Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 229pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-220-2L Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 650 V |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
GP3D008A065A | SemiQ |
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 8A 650V TO-220 |
на замовлення 88 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
GP3D008A065D | SemiQ |
Description: DIODE SIC 650V 8A TO263-2L Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263-2L Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
GP3D010A065A | SemiQ |
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 419pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
GP3D010A065A | SemiQ |
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 650V TO-220 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
GP3D010A065B | SemiQ |
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 650V TO-247-2 |
на замовлення 92 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
GP3D010A065B | SemiQ |
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 419pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GP3D010A065C | SemiQ |
Description: DIODE SILICON CARBIDE Packaging: Tube |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
|
GP3D010A065D | SemiQ |
Description: DIODE SIC 650V 8A TO263-2L Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-263-2L Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
GP3D010A065D | SemiQ |
Description: DIODE SIC 650V 8A TO263-2L Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-263-2L Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
GP3D010A120A | SemiQ |
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 1200V TO-220 |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
GP3D010A120A | SemiQ |
Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 608pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
GP3D010A120B | SemiQ |
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 1200V TO-247-2 |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
GP3D010A120B | SemiQ |
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 608pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
GP3D010A120S | SemiQ |
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 1200V SMC DO-214AB |
на замовлення 146 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
GP3D010A170B | SemiQ |
SiC Schottky Diodes SiC Schottky 1700V 103nC 10A |
на замовлення 110 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
GP3D010A170B | SemiQ |
Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 39A TO247-2 Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-247-2 Current - Average Rectified (Io): 39A Capacitance @ Vr, F: 699pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-2 Packaging: Tube |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| GP3D010A170B | SemiQ |
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky 1700V 103nC 10A Діоди та діодні збірки |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
 |
GP3D012A065A | SemiQ |
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-2 |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
GP3D012A065A | SemiQ |
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 12A 650V TO-220 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
GP3D012A065B | SemiQ |
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO247-2 Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-247-2 Current - Average Rectified (Io): 12A Capacitance @ Vr, F: 572pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-2 Packaging: Tube |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
GP3D012A065B | SemiQ |
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 12A 650V TO-247-2 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
GP3D015A120A | SemiQ |
Description: DIODE SIL CARB 1200V 15A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 962pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
GP3D015A120A | SemiQ |
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 15A 1200V TO-220 |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
GP3D015A120B | SemiQ |
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-2 |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
GP3D015A120B | SemiQ |
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 15A 1200V TO-247-2 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
GP3D020A065A | SemiQ |
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2 Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 30 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-220-2 Current - Average Rectified (Io): 20A Capacitance @ Vr, F: 1247pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
GP3D020A065A | SemiQ |
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 650V TO-220 |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
GP3D020A065B | SemiQ |
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-2 Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-247-2 Current - Average Rectified (Io): 20A Capacitance @ Vr, F: 835pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-2 Packaging: Tube |
на замовлення 59 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
GP3D020A065B | SemiQ |
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 650V TO-247-2 |
на замовлення 54 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| GP3D020A065B | SemiQ |
DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-2 Діоди та діодні збірки |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| GP2D005A120C |
|
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO252-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 317pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252-2L (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO252-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 317pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252-2L (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GP2D005A120C |
|
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO252-2L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 317pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252-2L (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO252-2L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 317pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252-2L (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GP2D006A065C |
|
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO252-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 316pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-252-2L (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO252-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 316pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-252-2L (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GP2D010A065A |
|
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 527pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 527pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GP2D010A065C |
|
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO252
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO252
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GP2D010A120A |
|
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 635pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 635pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GP2D010A120B |
|
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 635pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 635pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GP2D010A120C |
|
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO252L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 635pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO252L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 635pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GP2D010A120U |
Виробник: SemiQ
Description: DIODE ARR SIC 1200V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 17A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Description: DIODE ARR SIC 1200V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 17A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GP2D020A065B |
|
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 20A
Capacitance @ Vr, F: 1054pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 20A
Capacitance @ Vr, F: 1054pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GP2D020A065U |
|
Виробник: SemiQ
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GP2D030A065B |
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SILICON CARBIDE
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Packaging: Tube
Description: DIODE SILICON CARBIDE
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GP2D060A120B |
|
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SCHOTKY 1.2KV 60A TO247-2
Description: DIODE SCHOTKY 1.2KV 60A TO247-2
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GP2T020A120H |
|
Виробник: SemiQ
SiC MOSFETs 1200V, 18mOhm, TO-247-4L MOSFET
SiC MOSFETs 1200V, 18mOhm, TO-247-4L MOSFET
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1415.99 грн |
| 10+ | 1147.74 грн |
| 120+ | 863.41 грн |
| GP2T030A170H |
Виробник: SemiQ
Description: SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 564W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6202 pF @ 1200 V
Description: SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 564W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6202 pF @ 1200 V
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2036.24 грн |
| 10+ | 1432.75 грн |
| GP2T040A120H |
|
Виробник: SemiQ
Description: SIC MOSFET 1200V 40M TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 322W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3192 pF @ 1000 V
Description: SIC MOSFET 1200V 40M TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 322W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3192 pF @ 1000 V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 837.33 грн |
| GP2T040A120H |
|
Виробник: SemiQ
MOSFET SiC MOSFET 1200V 40mohm TO-247-4L
MOSFET SiC MOSFET 1200V 40mohm TO-247-4L
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1428.33 грн |
| 10+ | 1240.95 грн |
| 30+ | 1049.49 грн |
| 60+ | 990.28 грн |
| 120+ | 931.78 грн |
| 270+ | 903.59 грн |
| 510+ | 845.09 грн |
| GP2T040A120J |
|
Виробник: SemiQ
SiC MOSFETs 1200V, 40mOhm, TO-263-7L MOSFET
SiC MOSFETs 1200V, 40mOhm, TO-263-7L MOSFET
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 834.63 грн |
| 10+ | 643.58 грн |
| 100+ | 465.18 грн |
| 500+ | 415.14 грн |
| 1000+ | 353.12 грн |
| GP2T040A120U |
|
Виробник: SemiQ
Description: SIC MOSFET 1200V 40M TO-247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 322W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3192 pF @ 1000 V
Description: SIC MOSFET 1200V 40M TO-247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 322W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3192 pF @ 1000 V
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1494.67 грн |
| 30+ | 1133.79 грн |
| GP2T040A120U |
|
Виробник: SemiQ
SiC MOSFETs SiC MOSFET 1200V 40mohm TO-247-3L
SiC MOSFETs SiC MOSFET 1200V 40mohm TO-247-3L
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GP2T080A120H |
|
Виробник: SemiQ
SiC MOSFETs SiC MOSFET 1200V 80mohm TO-247-4L
SiC MOSFETs SiC MOSFET 1200V 80mohm TO-247-4L
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 875.75 грн |
| 10+ | 740.03 грн |
| 30+ | 582.89 грн |
| 120+ | 535.67 грн |
| 270+ | 503.25 грн |
| 510+ | 472.23 грн |
| 1020+ | 425.01 грн |
| GP2T080A120H |
|
Виробник: SemiQ
Description: SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 1000 V
Description: SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 1000 V
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 552.67 грн |
| 30+ | 307.79 грн |
| 120+ | 258.52 грн |
| GP2T080A120J |
|
Виробник: SemiQ
SiC MOSFETs 1200V, 80mOhm, TO-263-7L MOSFET
SiC MOSFETs 1200V, 80mOhm, TO-263-7L MOSFET
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 877.39 грн |
| 10+ | 762.73 грн |
| 50+ | 562.45 грн |
| 100+ | 536.37 грн |
| 250+ | 504.66 грн |
| 500+ | 473.64 грн |
| 1000+ | 425.71 грн |
| GP2T080A120U |
|
Виробник: SemiQ
MOSFET
MOSFET
на замовлення 1211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 873.28 грн |
| 10+ | 737.60 грн |
| 30+ | 582.19 грн |
| 120+ | 534.26 грн |
| 270+ | 502.54 грн |
| 510+ | 471.53 грн |
| 1020+ | 424.30 грн |
| GP2T080A120U |
|
Виробник: SemiQ
Description: SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 1000 V
Description: SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 1000 V
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 520.16 грн |
| 30+ | 288.30 грн |
| 120+ | 241.57 грн |
| 510+ | 194.57 грн |
| GP3D005A120C |
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A DPAK-2
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A DPAK-2
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GP3D005A170B |
|
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1700V 21A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 347pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 21A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 5
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1700
Description: DIODE SIL CARB 1700V 21A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 347pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 21A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 5
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1700
на замовлення 1769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 534.43 грн |
| 30+ | 296.75 грн |
| 120+ | 248.83 грн |
| 510+ | 200.57 грн |
| 1020+ | 188.55 грн |
| GP3D005A170B |
|
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 5A 1700V TO-247-2
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 5A 1700V TO-247-2
на замовлення 10320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 305.07 грн |
| 10+ | 167.78 грн |
| 120+ | 119.12 грн |
| 510+ | 105.02 грн |
| GP3D006A065A |
|
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 6A 650V
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 6A 650V
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 195.71 грн |
| 10+ | 94.83 грн |
| 100+ | 76.12 грн |
| 500+ | 59.35 грн |
| 1000+ | 50.75 грн |
| 5000+ | 46.52 грн |
| 10000+ | 46.17 грн |
| GP3D006A065A |
|
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 229pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 229pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 650 V
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 186.34 грн |
| GP3D008A065A |
|
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 8A 650V TO-220
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 8A 650V TO-220
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 195.71 грн |
| 10+ | 124.82 грн |
| 100+ | 86.69 грн |
| 500+ | 74.01 грн |
| 1000+ | 63.65 грн |
| 2500+ | 60.62 грн |
| 5000+ | 58.64 грн |
| GP3D008A065D |
|
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIC 650V 8A TO263-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Description: DIODE SIC 650V 8A TO263-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GP3D010A065A |
|
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 419pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 419pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GP3D010A065A |
|
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 650V TO-220
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 650V TO-220
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GP3D010A065B |
|
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 650V TO-247-2
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 650V TO-247-2
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 266.42 грн |
| 10+ | 171.84 грн |
| 120+ | 127.57 грн |
| 510+ | 112.07 грн |
| 1020+ | 95.86 грн |
| 2520+ | 90.92 грн |
| GP3D010A065B |
|
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 419pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 419pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GP3D010A065D |
|
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIC 650V 8A TO263-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Description: DIODE SIC 650V 8A TO263-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GP3D010A065D |
|
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIC 650V 8A TO263-2L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Description: DIODE SIC 650V 8A TO263-2L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GP3D010A120A |
|
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 1200V TO-220
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 1200V TO-220
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 365.92 грн |
| 10+ | 350.16 грн |
| 100+ | 181.84 грн |
| 500+ | 150.13 грн |
| 1000+ | 144.49 грн |
| GP3D010A120A |
|
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 608pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 608pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 316.38 грн |
| GP3D010A120B |
|
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 1200V TO-247-2
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 1200V TO-247-2
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 346.19 грн |
| 10+ | 255.32 грн |
| 120+ | 180.44 грн |
| 510+ | 171.27 грн |
| 1020+ | 160.70 грн |
| 2520+ | 156.47 грн |
| GP3D010A120B |
|
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 608pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 608pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GP3D010A120S |
|
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 1200V SMC DO-214AB
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 1200V SMC DO-214AB
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 404.57 грн |
| 10+ | 301.52 грн |
| 100+ | 212.15 грн |
| 500+ | 188.19 грн |
| 1000+ | 167.04 грн |
| GP3D010A170B |
|
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky 1700V 103nC 10A
SiC Schottky Diodes SiC Schottky 1700V 103nC 10A
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 463.78 грн |
| 10+ | 260.19 грн |
| 120+ | 187.48 грн |
| 510+ | 160.00 грн |
| 1020+ | 149.42 грн |
| GP3D010A170B |
|
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 39A TO247-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 39A
Capacitance @ Vr, F: 699pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 39A TO247-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 39A
Capacitance @ Vr, F: 699pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 677.95 грн |
| 30+ | 401.68 грн |
| GP3D010A170B |
|
Виробник: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky 1700V 103nC 10A Діоди та діодні збірки
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky 1700V 103nC 10A Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GP3D012A065A |
|
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-2
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-2
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 319.55 грн |
| 10+ | 276.10 грн |
| GP3D012A065A |
|
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 12A 650V TO-220
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 12A 650V TO-220
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GP3D012A065B |
|
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO247-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 12A
Capacitance @ Vr, F: 572pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO247-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 12A
Capacitance @ Vr, F: 572pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 335.41 грн |
| GP3D012A065B |
|
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 12A 650V TO-247-2
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 12A 650V TO-247-2
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GP3D015A120A |
|
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1200V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 962pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
Description: DIODE SIL CARB 1200V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 962pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GP3D015A120A |
|
Виробник: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 15A 1200V TO-220
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 15A 1200V TO-220
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 596.99 грн |
| 10+ | 504.97 грн |
| 100+ | 365.10 грн |
| 250+ | 357.35 грн |
| 500+ | 322.81 грн |
| 1000+ | 272.06 грн |
| 5000+ | 268.54 грн |
| GP3D015A120B |
|
Виробник: SemiQ
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-2
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-2
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 712.05 грн |
| 10+ | 619.71 грн |
| GP3D015A120B |
|
Виробник: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 15A 1200V TO-247-2
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 15A 1200V TO-247-2
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GP3D020A065A |
|
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 20A
Capacitance @ Vr, F: 1247pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 20A
Capacitance @ Vr, F: 1247pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GP3D020A065A |
|
Виробник: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 650V TO-220
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 650V TO-220
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 380.72 грн |
| 100+ | 273.97 грн |
| 250+ | 231.18 грн |
| 500+ | 225.54 грн |
| 1000+ | 210.74 грн |
| 2500+ | 205.81 грн |
| 5000+ | 202.28 грн |
| GP3D020A065B |
|
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 20A
Capacitance @ Vr, F: 835pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 20A
Capacitance @ Vr, F: 835pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 463.86 грн |
| 30+ | 241.39 грн |
| GP3D020A065B |
|
Виробник: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 650V TO-247-2
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 650V TO-247-2
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 401.28 грн |
| 10+ | 313.68 грн |
| 120+ | 233.30 грн |
| 510+ | 207.22 грн |
| 1020+ | 167.04 грн |
| GP3D020A065B |
|
Виробник: SemiQ
DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-2 Діоди та діодні збірки
DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-2 Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.