Продукція > SEMIQ > Всі товари виробника SEMIQ (308) > Сторінка 3 з 6

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GP2D005A120C GP2D005A120C SemiQ GP2D005A120C.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO252-2L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 317pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252-2L (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D005A120C GP2D005A120C SemiQ GP2D005A120C.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO252-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 317pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252-2L (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D006A065C GP2D006A065C SemiQ GP2D006A065C.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO252-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 316pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-252-2L (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D010A065A SemiQ 1560_GP2D010A065A.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 527pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D010A065C SemiQ GP2D010A065C.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D010A120A GP2D010A120A SemiQ GP2D010A120A.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 635pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D010A120B GP2D010A120B SemiQ GP2D010A120B.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 635pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D010A120C GP2D010A120C SemiQ GP2D010A120C.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO252L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 635pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D010A120U SemiQ Description: DIODE ARR SIC 1200V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 17A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D020A065B SemiQ GP2D020A065B.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1054pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D020A065U SemiQ GP2D020A065U.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D030A065B SemiQ Description: DIODE SILICON CARBIDE
Packaging: Tube
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D060A120B SemiQ GP2D060A120B.pdf Description: DIODE SCHOTKY 1.2KV 60A TO247-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T020A120H GP2T020A120H SemiQ GP2T020A120H.pdf SiC MOSFETs 1200V, 18mOhm, TO-247-4L MOSFET
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1393.92 грн
10+1129.84 грн
120+849.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T030A170H SemiQ Description: SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 564W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6202 pF @ 1200 V
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2004.50 грн
10+1410.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T040A120H GP2T040A120H SemiQ GP2T040A120H-3032323.pdf MOSFET SiC MOSFET 1200V 40mohm TO-247-4L
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1406.06 грн
10+1221.60 грн
30+1033.12 грн
60+974.84 грн
120+917.25 грн
270+889.50 грн
510+831.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T040A120H GP2T040A120H SemiQ GP2T040A120H.pdf Description: SIC MOSFET 1200V 40M TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 322W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3192 pF @ 1000 V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+824.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T040A120J GP2T040A120J SemiQ GP2T040A120J.pdf SiC MOSFETs 1200V, 40mOhm, TO-263-7L MOSFET
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+821.62 грн
10+633.54 грн
100+457.93 грн
500+408.67 грн
1000+347.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T040A120U GP2T040A120U SemiQ GP2T040A120U.pdf Description: SIC MOSFET 1200V 40M TO-247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 322W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3192 pF @ 1000 V
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1471.37 грн
30+1116.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T040A120U GP2T040A120U SemiQ GP2T040A120U.pdf SiC MOSFETs SiC MOSFET 1200V 40mohm TO-247-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T080A120H GP2T080A120H SemiQ GP2T080A120H-2999273.pdf SiC MOSFETs SiC MOSFET 1200V 80mohm TO-247-4L
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+862.09 грн
10+728.49 грн
30+573.80 грн
120+527.32 грн
270+495.40 грн
510+464.87 грн
1020+418.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T080A120H GP2T080A120H SemiQ GP2T080A120H.pdf Description: SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 1000 V
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+544.06 грн
30+302.99 грн
120+254.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T080A120J GP2T080A120J SemiQ GP2T080A120J-3359589.pdf SiC MOSFETs 1200V, 80mOhm, TO-263-7L MOSFET
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+863.71 грн
10+750.84 грн
50+553.68 грн
100+528.01 грн
250+496.79 грн
500+466.26 грн
1000+419.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T080A120U GP2T080A120U SemiQ GP2T080A120U.pdf Description: SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 1000 V
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+512.05 грн
30+283.80 грн
120+237.80 грн
510+191.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T080A120U GP2T080A120U SemiQ GP2T080A120U.pdf MOSFET
на замовлення 1211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+859.66 грн
10+726.10 грн
30+573.11 грн
120+525.93 грн
270+494.71 грн
510+464.18 грн
1020+417.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D005A120C SemiQ Description: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A DPAK-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D005A170B GP3D005A170B SemiQ GP3D005A170B.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 21A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 347pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 21A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 5
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1700
на замовлення 2327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+311.45 грн
30+165.64 грн
120+136.12 грн
510+107.42 грн
1020+100.00 грн
2010+93.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D005A170B GP3D005A170B SemiQ GP3D005A170B.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 5A 1700V TO-247-2
на замовлення 10320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+300.32 грн
10+165.17 грн
120+117.26 грн
510+103.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D006A065A GP3D006A065A SemiQ GP3D006A065A.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 6A 650V
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+192.66 грн
10+93.36 грн
100+74.93 грн
500+58.42 грн
1000+49.96 грн
5000+45.79 грн
10000+45.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D006A065A GP3D006A065A SemiQ GP3D006A065A.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 229pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 650 V
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D008A065A GP3D008A065A SemiQ GP3D008A065A.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 8A 650V TO-220
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+192.66 грн
10+122.88 грн
100+85.34 грн
500+72.85 грн
1000+62.65 грн
2500+59.67 грн
5000+57.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D008A065D GP3D008A065D SemiQ GP3D008A065D.pdf Description: DIODE SIC 650V 8A TO263-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A065A GP3D010A065A SemiQ GP3D010A065A.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 650V TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A065A GP3D010A065A SemiQ GP3D010A065A.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 419pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A065B GP3D010A065B SemiQ GP3D010A065B.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 650V TO-247-2
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+262.27 грн
10+169.16 грн
120+125.58 грн
510+110.32 грн
1020+94.36 грн
2520+89.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A065B GP3D010A065B SemiQ GP3D010A065B.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 419pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A065C SemiQ Description: DIODE SILICON CARBIDE
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A065D GP3D010A065D SemiQ GP3D010A065D.pdf Description: DIODE SIC 650V 8A TO263-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TO-263-2L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A065D GP3D010A065D SemiQ GP3D010A065D.pdf Description: DIODE SIC 650V 8A TO263-2L
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TO-263-2L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A120A GP3D010A120A SemiQ GP3D010A120A-1916683.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 1200V TO-220
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+360.22 грн
10+344.70 грн
100+179.01 грн
500+147.79 грн
1000+142.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A120A GP3D010A120A SemiQ GP3D010A120A.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 608pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+311.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A120B GP3D010A120B SemiQ GP3D010A120B.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 1200V TO-247-2
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+340.79 грн
10+251.34 грн
120+177.62 грн
510+168.60 грн
1020+158.19 грн
2520+154.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A120B GP3D010A120B SemiQ GP3D010A120B.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 608pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A120S GP3D010A120S SemiQ GP3D010A120S.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 1200V SMC DO-214AB
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+398.26 грн
10+296.82 грн
100+208.84 грн
500+185.25 грн
1000+164.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A170B GP3D010A170B SemiQ GP3D010A170B.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 39A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 699pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 39A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1700 V
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+667.38 грн
30+395.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A170B GP3D010A170B SemiQ GP3D010A170B.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky 1700V 103nC 10A
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+456.54 грн
10+256.13 грн
120+184.56 грн
510+157.50 грн
1020+147.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A170B SemiQ GP3D010A170B.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky 1700V 103nC 10A Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D012A065A GP3D012A065A SemiQ GP3D012A065A.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-2
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+314.57 грн
10+271.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D012A065A GP3D012A065A SemiQ GP3D012A065A-1916857.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 12A 650V TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D012A065B GP3D012A065B SemiQ GP3D012A065B.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 572pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+330.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D012A065B GP3D012A065B SemiQ GP3D012A065B-1916648.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 12A 650V TO-247-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D015A120A GP3D015A120A SemiQ GP3D015A120A.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 962pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D015A120A GP3D015A120A SemiQ GP3D015A120A-1915591.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 15A 1200V TO-220
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+587.68 грн
10+497.10 грн
100+359.41 грн
250+351.78 грн
500+317.78 грн
1000+267.82 грн
5000+264.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D015A120B GP3D015A120B SemiQ GP3D015A120B.pdf Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-2
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+700.95 грн
10+610.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D015A120B GP3D015A120B SemiQ GP3D015A120B-1916698.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 15A 1200V TO-247-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A065A GP3D020A065A SemiQ GP3D020A065A-1916731.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 650V TO-220
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+374.79 грн
100+269.69 грн
250+227.58 грн
500+222.03 грн
1000+207.46 грн
2500+202.60 грн
5000+199.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A065A GP3D020A065A SemiQ GP3D020A065A.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1247pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A065B GP3D020A065B SemiQ GP3D020A065B-1916785.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 650V TO-247-2
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+395.02 грн
10+308.79 грн
120+229.66 грн
510+203.99 грн
1020+164.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A065B GP3D020A065B SemiQ GP3D020A065B.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 835pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+456.63 грн
30+237.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A065B SemiQ GP3D020A065B.pdf DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-2 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D005A120C GP2D005A120C.pdf
GP2D005A120C
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO252-2L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 317pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252-2L (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D005A120C GP2D005A120C.pdf
GP2D005A120C
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO252-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 317pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252-2L (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D006A065C GP2D006A065C.pdf
GP2D006A065C
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO252-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 316pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-252-2L (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D010A065A 1560_GP2D010A065A.pdf
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 527pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D010A065C GP2D010A065C.pdf
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D010A120A GP2D010A120A.pdf
GP2D010A120A
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 635pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D010A120B GP2D010A120B.pdf
GP2D010A120B
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 635pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D010A120C GP2D010A120C.pdf
GP2D010A120C
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO252L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 635pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D010A120U
Виробник: SemiQ
Description: DIODE ARR SIC 1200V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 17A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D020A065B GP2D020A065B.pdf
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1054pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D020A065U GP2D020A065U.pdf
Виробник: SemiQ
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D030A065B
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SILICON CARBIDE
Packaging: Tube
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2D060A120B GP2D060A120B.pdf
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SCHOTKY 1.2KV 60A TO247-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T020A120H GP2T020A120H.pdf
GP2T020A120H
Виробник: SemiQ
SiC MOSFETs 1200V, 18mOhm, TO-247-4L MOSFET
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1393.92 грн
10+1129.84 грн
120+849.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T030A170H
Виробник: SemiQ
Description: SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 564W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6202 pF @ 1200 V
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2004.50 грн
10+1410.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T040A120H GP2T040A120H-3032323.pdf
GP2T040A120H
Виробник: SemiQ
MOSFET SiC MOSFET 1200V 40mohm TO-247-4L
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1406.06 грн
10+1221.60 грн
30+1033.12 грн
60+974.84 грн
120+917.25 грн
270+889.50 грн
510+831.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T040A120H GP2T040A120H.pdf
GP2T040A120H
Виробник: SemiQ
Description: SIC MOSFET 1200V 40M TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 322W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3192 pF @ 1000 V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+824.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T040A120J GP2T040A120J.pdf
GP2T040A120J
Виробник: SemiQ
SiC MOSFETs 1200V, 40mOhm, TO-263-7L MOSFET
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+821.62 грн
10+633.54 грн
100+457.93 грн
500+408.67 грн
1000+347.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T040A120U GP2T040A120U.pdf
GP2T040A120U
Виробник: SemiQ
Description: SIC MOSFET 1200V 40M TO-247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 322W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3192 pF @ 1000 V
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1471.37 грн
30+1116.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T040A120U GP2T040A120U.pdf
GP2T040A120U
Виробник: SemiQ
SiC MOSFETs SiC MOSFET 1200V 40mohm TO-247-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T080A120H GP2T080A120H-2999273.pdf
GP2T080A120H
Виробник: SemiQ
SiC MOSFETs SiC MOSFET 1200V 80mohm TO-247-4L
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+862.09 грн
10+728.49 грн
30+573.80 грн
120+527.32 грн
270+495.40 грн
510+464.87 грн
1020+418.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T080A120H GP2T080A120H.pdf
GP2T080A120H
Виробник: SemiQ
Description: SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 1000 V
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+544.06 грн
30+302.99 грн
120+254.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T080A120J GP2T080A120J-3359589.pdf
GP2T080A120J
Виробник: SemiQ
SiC MOSFETs 1200V, 80mOhm, TO-263-7L MOSFET
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+863.71 грн
10+750.84 грн
50+553.68 грн
100+528.01 грн
250+496.79 грн
500+466.26 грн
1000+419.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T080A120U GP2T080A120U.pdf
GP2T080A120U
Виробник: SemiQ
Description: SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 1000 V
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+512.05 грн
30+283.80 грн
120+237.80 грн
510+191.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP2T080A120U GP2T080A120U.pdf
GP2T080A120U
Виробник: SemiQ
MOSFET
на замовлення 1211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+859.66 грн
10+726.10 грн
30+573.11 грн
120+525.93 грн
270+494.71 грн
510+464.18 грн
1020+417.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D005A120C
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A DPAK-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D005A170B GP3D005A170B.pdf
GP3D005A170B
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1700V 21A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 347pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 21A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 5
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1700
на замовлення 2327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+311.45 грн
30+165.64 грн
120+136.12 грн
510+107.42 грн
1020+100.00 грн
2010+93.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D005A170B GP3D005A170B.pdf
GP3D005A170B
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 5A 1700V TO-247-2
на замовлення 10320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+300.32 грн
10+165.17 грн
120+117.26 грн
510+103.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D006A065A GP3D006A065A.pdf
GP3D006A065A
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 6A 650V
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+192.66 грн
10+93.36 грн
100+74.93 грн
500+58.42 грн
1000+49.96 грн
5000+45.79 грн
10000+45.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D006A065A GP3D006A065A.pdf
GP3D006A065A
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 229pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 650 V
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+183.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D008A065A GP3D008A065A.pdf
GP3D008A065A
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 8A 650V TO-220
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+192.66 грн
10+122.88 грн
100+85.34 грн
500+72.85 грн
1000+62.65 грн
2500+59.67 грн
5000+57.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D008A065D GP3D008A065D.pdf
GP3D008A065D
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIC 650V 8A TO263-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A065A GP3D010A065A.pdf
GP3D010A065A
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 650V TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A065A GP3D010A065A.pdf
GP3D010A065A
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 419pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A065B GP3D010A065B.pdf
GP3D010A065B
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 650V TO-247-2
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+262.27 грн
10+169.16 грн
120+125.58 грн
510+110.32 грн
1020+94.36 грн
2520+89.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A065B GP3D010A065B.pdf
GP3D010A065B
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 419pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A065C
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SILICON CARBIDE
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A065D GP3D010A065D.pdf
GP3D010A065D
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIC 650V 8A TO263-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TO-263-2L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A065D GP3D010A065D.pdf
GP3D010A065D
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIC 650V 8A TO263-2L
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TO-263-2L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A120A GP3D010A120A-1916683.pdf
GP3D010A120A
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 1200V TO-220
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+360.22 грн
10+344.70 грн
100+179.01 грн
500+147.79 грн
1000+142.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A120A GP3D010A120A.pdf
GP3D010A120A
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 608pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+311.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A120B GP3D010A120B.pdf
GP3D010A120B
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 1200V TO-247-2
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+340.79 грн
10+251.34 грн
120+177.62 грн
510+168.60 грн
1020+158.19 грн
2520+154.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A120B GP3D010A120B.pdf
GP3D010A120B
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 608pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A120S GP3D010A120S.pdf
GP3D010A120S
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 1200V SMC DO-214AB
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+398.26 грн
10+296.82 грн
100+208.84 грн
500+185.25 грн
1000+164.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A170B GP3D010A170B.pdf
GP3D010A170B
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 39A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 699pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 39A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1700 V
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+667.38 грн
30+395.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A170B GP3D010A170B.pdf
GP3D010A170B
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky 1700V 103nC 10A
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+456.54 грн
10+256.13 грн
120+184.56 грн
510+157.50 грн
1020+147.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A170B GP3D010A170B.pdf
Виробник: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky 1700V 103nC 10A Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D012A065A GP3D012A065A.pdf
GP3D012A065A
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-2
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+314.57 грн
10+271.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D012A065A GP3D012A065A-1916857.pdf
GP3D012A065A
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 12A 650V TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D012A065B GP3D012A065B.pdf
GP3D012A065B
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 572pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+330.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D012A065B GP3D012A065B-1916648.pdf
GP3D012A065B
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 12A 650V TO-247-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D015A120A GP3D015A120A.pdf
GP3D015A120A
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1200V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 962pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D015A120A GP3D015A120A-1915591.pdf
GP3D015A120A
Виробник: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 15A 1200V TO-220
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+587.68 грн
10+497.10 грн
100+359.41 грн
250+351.78 грн
500+317.78 грн
1000+267.82 грн
5000+264.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D015A120B GP3D015A120B.pdf
GP3D015A120B
Виробник: SemiQ
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-2
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+700.95 грн
10+610.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D015A120B GP3D015A120B-1916698.pdf
GP3D015A120B
Виробник: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 15A 1200V TO-247-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A065A GP3D020A065A-1916731.pdf
GP3D020A065A
Виробник: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 650V TO-220
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+374.79 грн
100+269.69 грн
250+227.58 грн
500+222.03 грн
1000+207.46 грн
2500+202.60 грн
5000+199.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A065A GP3D020A065A.pdf
GP3D020A065A
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1247pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A065B GP3D020A065B-1916785.pdf
GP3D020A065B
Виробник: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 650V TO-247-2
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+395.02 грн
10+308.79 грн
120+229.66 грн
510+203.99 грн
1020+164.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A065B GP3D020A065B.pdf
GP3D020A065B
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 835pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+456.63 грн
30+237.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A065B GP3D020A065B.pdf
Виробник: SemiQ
DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-2 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6  [ Наступна Сторінка >> ]