Продукція > TOSHIBA > Всі товари виробника TOSHIBA (53052) > Сторінка 737 з 885

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 88 176 264 352 440 528 616 704 732 733 734 735 736 737 738 739 740 741 742 792 880 885  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK3R1E04PL,S1X(S TK3R1E04PL,S1X(S TOSHIBA 3934709.pdf Description: TOSHIBA - TK3R1E04PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 128 A, 0.0025 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+166.21 грн
10+92.05 грн
100+74.50 грн
500+47.73 грн
1000+38.87 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK7E80W,S1X(S TK7E80W,S1X(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK7E80W,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6.5 A, 0.795 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.795ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+294.06 грн
10+288.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK70J20D,S1Q(O TK70J20D,S1Q(O TOSHIBA 3973718.pdf Description: TOSHIBA - TK70J20D,S1Q(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 70 A, 0.02 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 410W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+647.79 грн
5+479.87 грн
10+386.97 грн
50+326.88 грн
100+265.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK040Z65Z,S1F(O TK040Z65Z,S1F(O TOSHIBA 3934605.pdf Description: TOSHIBA - TK040Z65Z,S1F(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 57 A, 0.033 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+887.30 грн
5+838.72 грн
10+789.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK065Z65Z,S1F(O TK065Z65Z,S1F(O TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK065Z65Z,S1F(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+489.25 грн
5+488.40 грн
10+487.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W5,S1VF(S TK31N60W5,S1VF(S TOSHIBA 3934689.pdf Description: TOSHIBA - TK31N60W5,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.082 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+765.41 грн
10+451.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2E06PL,S1X(S TK3R2E06PL,S1X(S TOSHIBA 3934713.pdf Description: TOSHIBA - TK3R2E06PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 160 A, 0.0024 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 168W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+230.99 грн
10+94.61 грн
100+91.20 грн
500+79.94 грн
1000+69.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK46E08N1,S1X(S TK46E08N1,S1X(S TOSHIBA 3934720.pdf Description: TOSHIBA - TK46E08N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.0069 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 103W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+161.95 грн
11+78.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK58E06N1,S1X(S TK58E06N1,S1X(S TOSHIBA 3934731.pdf Description: TOSHIBA - TK58E06N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 0.0044 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+155.98 грн
11+77.99 грн
100+76.46 грн
500+69.49 грн
1000+62.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK110N65Z,S1F(S TK110N65Z,S1F(S TOSHIBA 3934624.pdf Description: TOSHIBA - TK110N65Z,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.092 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+473.91 грн
10+296.62 грн
100+290.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK090N65Z,S1F(S TK090N65Z,S1F(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK090N65Z,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+582.16 грн
10+514.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK62Z60X,S1F(O TK62Z60X,S1F(O TOSHIBA 3934743.pdf Description: TOSHIBA - TK62Z60X,S1F(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61.8 A, 0.033 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1200.97 грн
5+1200.11 грн
10+1199.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK090Z65Z,S1F(O TK090Z65Z,S1F(O TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK090Z65Z,S1F(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+415.10 грн
5+406.57 грн
10+398.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK62N60W5,S1VF(S TK62N60W5,S1VF(S TOSHIBA 3934741.pdf Description: TOSHIBA - TK62N60W5,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61.8 A, 0.036 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+920.54 грн
5+832.75 грн
10+744.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK12E80W,S1X(S TK12E80W,S1X(S TOSHIBA 3934632.pdf Description: TOSHIBA - TK12E80W,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11.5 A, 0.38 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+280.42 грн
10+189.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK110E10PL,S1X(S TK110E10PL,S1X(S TOSHIBA 3934623.pdf Description: TOSHIBA - TK110E10PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 64 A, 0.009 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+152.57 грн
12+73.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK60J25D,S1Q(O TK60J25D,S1Q(O TOSHIBA 3973717.pdf Description: TOSHIBA - TK60J25D,S1Q(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 60 A, 0.0285 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 410W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0285ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+637.56 грн
5+471.35 грн
10+380.15 грн
50+321.34 грн
100+260.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60X,S1F(S TK31N60X,S1F(S TOSHIBA 3934690.pdf Description: TOSHIBA - TK31N60X,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+587.27 грн
10+359.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK65E10N1,S1X(S TK65E10N1,S1X(S TOSHIBA 3934745.pdf Description: TOSHIBA - TK65E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 148 A, 0.004 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 148A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+284.69 грн
10+174.73 грн
100+122.74 грн
500+101.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VX(S TK31E60W,S1VX(S TOSHIBA TOSCS48799-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TOSHIBA - TK31E60W,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+817.41 грн
10+503.74 грн
100+458.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK50J30D,S1Q(O TK50J30D,S1Q(O TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK50J30D,S1Q(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 410W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+623.92 грн
10+495.22 грн
100+399.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK40J20D,S1F(O TK40J20D,S1F(O TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK40J20D,S1F(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 40 A, 0.0374 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0374ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+463.68 грн
10+436.40 грн
100+363.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK10E80W,S1X(S TK10E80W,S1X(S TOSHIBA 3934620.pdf Description: TOSHIBA - TK10E80W,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9.5 A, 0.46 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+326.45 грн
10+167.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK40E10N1,S1X(S TK40E10N1,S1X(S TOSHIBA 3934717.pdf Description: TOSHIBA - TK40E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0068 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+230.99 грн
10+109.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK10E60W,S1VX(S TK10E60W,S1VX(S TOSHIBA TOSCS48755-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TOSHIBA - TK10E60W,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.327 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.327ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+365.66 грн
10+185.81 грн
100+184.96 грн
500+135.34 грн
1000+119.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK14N65W,S1F(S TK14N65W,S1F(S TOSHIBA 3934642.pdf Description: TOSHIBA - TK14N65W,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.22 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+282.98 грн
10+167.06 грн
100+139.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK34E10N1,S1X(S TK34E10N1,S1X(S TOSHIBA 3934692.pdf Description: TOSHIBA - TK34E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.0079 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 103W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+136.38 грн
12+76.80 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TK2R4E08QM,S1X(S TK2R4E08QM,S1X(S TOSHIBA 3934685.pdf Description: TOSHIBA - TK2R4E08QM,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 290 A, 0.00197 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 290A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00197ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+236.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK5R1E06PL,S1X(S TK5R1E06PL,S1X(S TOSHIBA 3934736.pdf Description: TOSHIBA - TK5R1E06PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 98 A, 0.0039 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+146.60 грн
10+98.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK42E12N1,S1X(S TK42E12N1,S1X(S TOSHIBA 3934718.pdf Description: TOSHIBA - TK42E12N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 88 A, 0.0078 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+148.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK72E08N1,S1X(S TK72E08N1,S1X(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK72E08N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 157 A, 0.0036 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 157A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+242.92 грн
10+123.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W,S1F(S TK35N65W,S1F(S TOSHIBA 3934696.pdf Description: TOSHIBA - TK35N65W,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.068 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+743.25 грн
5+669.95 грн
10+595.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK7R2E10PL,S1X(S TK7R2E10PL,S1X(S TOSHIBA 3934769.pdf Description: TOSHIBA - TK7R2E10PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 94 A, 0.0061 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 94A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 123W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+141.49 грн
10+104.84 грн
100+75.35 грн
500+59.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TK8R2E06PL,S1X(S TK8R2E06PL,S1X(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK8R2E06PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.0061 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 81W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+145.75 грн
11+78.25 грн
100+62.31 грн
500+42.74 грн
1000+33.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R9E10PL,S1X(S TK3R9E10PL,S1X(S TOSHIBA 3934716.pdf Description: TOSHIBA - TK3R9E10PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0033 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+254.85 грн
10+140.64 грн
100+138.08 грн
500+98.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK14E65W5,S1X(S TK14E65W5,S1X(S TOSHIBA 3934639.pdf Description: TOSHIBA - TK14E65W5,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.25 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+304.29 грн
10+157.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK100E06N1,S1X(S TK100E06N1,S1X(S TOSHIBA 3934613.pdf Description: TOSHIBA - TK100E06N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 263 A, 0.0019 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 263A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+294.06 грн
10+163.65 грн
100+162.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK25N60X5,S1F(S TK25N60X5,S1F(S TOSHIBA 3934671.pdf Description: TOSHIBA - TK25N60X5,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.12 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+397.20 грн
10+392.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK28N65W5,S1F(S TK28N65W5,S1F(S TOSHIBA 3934678.pdf Description: TOSHIBA - TK28N65W5,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 27.6 A, 0.11 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK62N60W,S1VF(S TK62N60W,S1VF(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK62N60W,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61.8 A, 0.033 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1604.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31Z60X,S1F(O TK31Z60X,S1F(O TOSHIBA 3934691.pdf Description: TOSHIBA - TK31Z60X,S1F(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+956.34 грн
10+605.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK17N65W,S1F(S TK17N65W,S1F(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK17N65W,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17.3 A, 0.17 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+385.26 грн
10+377.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK14E65W,S1X(S TK14E65W,S1X(S TOSHIBA 3934638.pdf Description: TOSHIBA - TK14E65W,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.22 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+268.49 грн
10+239.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK16E60W,S1VX(S TK16E60W,S1VX(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK16E60W,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.16 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+291.50 грн
10+262.52 грн
100+146.60 грн
500+116.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK39Z60X,S1F(O TK39Z60X,S1F(O TOSHIBA 3934704.pdf Description: TOSHIBA - TK39Z60X,S1F(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+532.72 грн
5+398.90 грн
10+329.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK28N65W,S1F(S TK28N65W,S1F(S TOSHIBA 3934677.pdf Description: TOSHIBA - TK28N65W,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 27.6 A, 0.094 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+493.51 грн
10+287.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK5R3E08QM,S1X(S TK5R3E08QM,S1X(S TOSHIBA 3934739.pdf Description: TOSHIBA - TK5R3E08QM,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 126 A, 0.0042 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+131.26 грн
10+90.35 грн
100+80.63 грн
500+59.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TK7R0E08QM,S1X(S TK7R0E08QM,S1X(S TOSHIBA 3934768.pdf Description: TOSHIBA - TK7R0E08QM,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 82 A, 0.0055 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.59 грн
10+92.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
1SS362FV,L3F(T 1SS362FV,L3F(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - 1SS362FV,L3F(T - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 85 V, 100 mA, 1.2 V, 1 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-723
Durchlassstoßstrom: 1A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 85V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 18950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.57 грн
1000+2.91 грн
5000+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
1SS362FV,L3F(T 1SS362FV,L3F(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - 1SS362FV,L3F(T - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 85 V, 100 mA, 1.2 V, 1 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-723
Durchlassstoßstrom: 1A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 85V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 18950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+11.08 грн
127+6.76 грн
177+4.83 грн
500+3.57 грн
1000+2.91 грн
5000+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 77
В кошику  од. на суму  грн.
TK4P60DA,RQ(S2 TK4P60DA,RQ(S2 TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK4P60DA,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 2.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+75.35 грн
18+48.93 грн
100+39.29 грн
500+31.42 грн
1000+25.79 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TK4P60D,RQ(S TK4P60D,RQ(S TOSHIBA 3934724.pdf Description: TOSHIBA - TK4P60D,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.70 грн
500+31.98 грн
1000+29.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK4P60DA,RQ(S2 TK4P60DA,RQ(S2 TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK4P60DA,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 2.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.29 грн
500+31.42 грн
1000+25.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK4P60D,RQ(S TK4P60D,RQ(S TOSHIBA 3934724.pdf Description: TOSHIBA - TK4P60D,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+97.17 грн
14+64.61 грн
100+42.70 грн
500+31.98 грн
1000+29.00 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LF18,LM(CT TCR2LF18,LM(CT TOSHIBA 3621054.pdf Description: TOSHIBA - TCR2LF18,LM(CT - LDO-Festspannungsregler, 1.8V, 200mA, SOT-25-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-25
Nennausgangsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 200mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.5V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 1.8V 200mA LDO Voltage Regulators
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 270mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+36.99 грн
36+23.78 грн
100+11.76 грн
500+8.31 грн
1000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LF18,LM(CT TCR2LF18,LM(CT TOSHIBA 3621054.pdf Description: TOSHIBA - TCR2LF18,LM(CT - LDO-Festspannungsregler, 1.8V, 200mA, SOT-25-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-25
Nennausgangsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 200mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.5V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 1.8V 200mA LDO Voltage Regulators
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 270mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+36.99 грн
36+23.78 грн
100+11.76 грн
500+8.31 грн
1000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
TK16V60W,LVQ(S TK16V60W,LVQ(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK16V60W,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.16 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+240.36 грн
10+198.60 грн
100+138.93 грн
500+113.97 грн
1000+97.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK16V60W,LVQ(S TK16V60W,LVQ(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK16V60W,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.16 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 139W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+138.93 грн
500+113.97 грн
1000+97.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK16V60W5,LVQ(S TK16V60W5,LVQ(S TOSHIBA TOSC-S-A0000741712-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TOSHIBA - TK16V60W5,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.196 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.196ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+323.89 грн
10+259.97 грн
100+202.01 грн
500+164.63 грн
1000+130.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK16V60W5,LVQ(S TK16V60W5,LVQ(S TOSHIBA TOSC-S-A0000741712-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TOSHIBA - TK16V60W5,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.196 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 139W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.196ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.196ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+202.01 грн
500+164.63 грн
1000+130.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1E04PL,S1X(S 3934709.pdf
TK3R1E04PL,S1X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK3R1E04PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 128 A, 0.0025 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+166.21 грн
10+92.05 грн
100+74.50 грн
500+47.73 грн
1000+38.87 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK7E80W,S1X(S
TK7E80W,S1X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK7E80W,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6.5 A, 0.795 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.795ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+294.06 грн
10+288.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK70J20D,S1Q(O 3973718.pdf
TK70J20D,S1Q(O
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK70J20D,S1Q(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 70 A, 0.02 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 410W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+647.79 грн
5+479.87 грн
10+386.97 грн
50+326.88 грн
100+265.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK040Z65Z,S1F(O 3934605.pdf
TK040Z65Z,S1F(O
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK040Z65Z,S1F(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 57 A, 0.033 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+887.30 грн
5+838.72 грн
10+789.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK065Z65Z,S1F(O
TK065Z65Z,S1F(O
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK065Z65Z,S1F(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+489.25 грн
5+488.40 грн
10+487.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W5,S1VF(S 3934689.pdf
TK31N60W5,S1VF(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK31N60W5,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.082 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+765.41 грн
10+451.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2E06PL,S1X(S 3934713.pdf
TK3R2E06PL,S1X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK3R2E06PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 160 A, 0.0024 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 168W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+230.99 грн
10+94.61 грн
100+91.20 грн
500+79.94 грн
1000+69.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK46E08N1,S1X(S 3934720.pdf
TK46E08N1,S1X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK46E08N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.0069 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 103W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+161.95 грн
11+78.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK58E06N1,S1X(S 3934731.pdf
TK58E06N1,S1X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK58E06N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 0.0044 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+155.98 грн
11+77.99 грн
100+76.46 грн
500+69.49 грн
1000+62.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK110N65Z,S1F(S 3934624.pdf
TK110N65Z,S1F(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK110N65Z,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.092 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+473.91 грн
10+296.62 грн
100+290.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK090N65Z,S1F(S
TK090N65Z,S1F(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK090N65Z,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+582.16 грн
10+514.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK62Z60X,S1F(O 3934743.pdf
TK62Z60X,S1F(O
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK62Z60X,S1F(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61.8 A, 0.033 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1200.97 грн
5+1200.11 грн
10+1199.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK090Z65Z,S1F(O
TK090Z65Z,S1F(O
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK090Z65Z,S1F(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+415.10 грн
5+406.57 грн
10+398.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK62N60W5,S1VF(S 3934741.pdf
TK62N60W5,S1VF(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK62N60W5,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61.8 A, 0.036 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+920.54 грн
5+832.75 грн
10+744.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK12E80W,S1X(S 3934632.pdf
TK12E80W,S1X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK12E80W,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11.5 A, 0.38 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+280.42 грн
10+189.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK110E10PL,S1X(S 3934623.pdf
TK110E10PL,S1X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK110E10PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 64 A, 0.009 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+152.57 грн
12+73.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK60J25D,S1Q(O 3973717.pdf
TK60J25D,S1Q(O
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK60J25D,S1Q(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 60 A, 0.0285 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 410W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0285ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+637.56 грн
5+471.35 грн
10+380.15 грн
50+321.34 грн
100+260.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60X,S1F(S 3934690.pdf
TK31N60X,S1F(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK31N60X,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+587.27 грн
10+359.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK65E10N1,S1X(S 3934745.pdf
TK65E10N1,S1X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK65E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 148 A, 0.004 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 148A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+284.69 грн
10+174.73 грн
100+122.74 грн
500+101.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VX(S TOSCS48799-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TK31E60W,S1VX(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK31E60W,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+817.41 грн
10+503.74 грн
100+458.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK50J30D,S1Q(O
TK50J30D,S1Q(O
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK50J30D,S1Q(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 410W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+623.92 грн
10+495.22 грн
100+399.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK40J20D,S1F(O
TK40J20D,S1F(O
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK40J20D,S1F(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 40 A, 0.0374 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0374ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+463.68 грн
10+436.40 грн
100+363.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK10E80W,S1X(S 3934620.pdf
TK10E80W,S1X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK10E80W,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9.5 A, 0.46 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+326.45 грн
10+167.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK40E10N1,S1X(S 3934717.pdf
TK40E10N1,S1X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK40E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0068 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+230.99 грн
10+109.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK10E60W,S1VX(S TOSCS48755-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TK10E60W,S1VX(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK10E60W,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.327 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.327ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+365.66 грн
10+185.81 грн
100+184.96 грн
500+135.34 грн
1000+119.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK14N65W,S1F(S 3934642.pdf
TK14N65W,S1F(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK14N65W,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.22 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+282.98 грн
10+167.06 грн
100+139.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK34E10N1,S1X(S 3934692.pdf
TK34E10N1,S1X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK34E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.0079 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 103W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+136.38 грн
12+76.80 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TK2R4E08QM,S1X(S 3934685.pdf
TK2R4E08QM,S1X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK2R4E08QM,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 290 A, 0.00197 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 290A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00197ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+236.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK5R1E06PL,S1X(S 3934736.pdf
TK5R1E06PL,S1X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK5R1E06PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 98 A, 0.0039 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+146.60 грн
10+98.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK42E12N1,S1X(S 3934718.pdf
TK42E12N1,S1X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK42E12N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 88 A, 0.0078 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+148.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK72E08N1,S1X(S
TK72E08N1,S1X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK72E08N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 157 A, 0.0036 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 157A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+242.92 грн
10+123.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W,S1F(S 3934696.pdf
TK35N65W,S1F(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK35N65W,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.068 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+743.25 грн
5+669.95 грн
10+595.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK7R2E10PL,S1X(S 3934769.pdf
TK7R2E10PL,S1X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK7R2E10PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 94 A, 0.0061 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 94A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 123W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+141.49 грн
10+104.84 грн
100+75.35 грн
500+59.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TK8R2E06PL,S1X(S
TK8R2E06PL,S1X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK8R2E06PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.0061 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 81W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+145.75 грн
11+78.25 грн
100+62.31 грн
500+42.74 грн
1000+33.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R9E10PL,S1X(S 3934716.pdf
TK3R9E10PL,S1X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK3R9E10PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0033 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+254.85 грн
10+140.64 грн
100+138.08 грн
500+98.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK14E65W5,S1X(S 3934639.pdf
TK14E65W5,S1X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK14E65W5,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.25 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+304.29 грн
10+157.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK100E06N1,S1X(S 3934613.pdf
TK100E06N1,S1X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK100E06N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 263 A, 0.0019 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 263A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+294.06 грн
10+163.65 грн
100+162.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK25N60X5,S1F(S 3934671.pdf
TK25N60X5,S1F(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK25N60X5,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.12 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+397.20 грн
10+392.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK28N65W5,S1F(S 3934678.pdf
TK28N65W5,S1F(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK28N65W5,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 27.6 A, 0.11 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK62N60W,S1VF(S
TK62N60W,S1VF(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK62N60W,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61.8 A, 0.033 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1604.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31Z60X,S1F(O 3934691.pdf
TK31Z60X,S1F(O
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK31Z60X,S1F(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+956.34 грн
10+605.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK17N65W,S1F(S
TK17N65W,S1F(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK17N65W,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17.3 A, 0.17 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+385.26 грн
10+377.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK14E65W,S1X(S 3934638.pdf
TK14E65W,S1X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK14E65W,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.22 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+268.49 грн
10+239.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK16E60W,S1VX(S
TK16E60W,S1VX(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK16E60W,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.16 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+291.50 грн
10+262.52 грн
100+146.60 грн
500+116.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK39Z60X,S1F(O 3934704.pdf
TK39Z60X,S1F(O
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK39Z60X,S1F(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+532.72 грн
5+398.90 грн
10+329.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK28N65W,S1F(S 3934677.pdf
TK28N65W,S1F(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK28N65W,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 27.6 A, 0.094 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+493.51 грн
10+287.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK5R3E08QM,S1X(S 3934739.pdf
TK5R3E08QM,S1X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK5R3E08QM,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 126 A, 0.0042 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+131.26 грн
10+90.35 грн
100+80.63 грн
500+59.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TK7R0E08QM,S1X(S 3934768.pdf
TK7R0E08QM,S1X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK7R0E08QM,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 82 A, 0.0055 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+123.59 грн
10+92.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
1SS362FV,L3F(T
1SS362FV,L3F(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 1SS362FV,L3F(T - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 85 V, 100 mA, 1.2 V, 1 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-723
Durchlassstoßstrom: 1A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 85V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 18950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.57 грн
1000+2.91 грн
5000+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
1SS362FV,L3F(T
1SS362FV,L3F(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 1SS362FV,L3F(T - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 85 V, 100 mA, 1.2 V, 1 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-723
Durchlassstoßstrom: 1A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 85V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 18950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
77+11.08 грн
127+6.76 грн
177+4.83 грн
500+3.57 грн
1000+2.91 грн
5000+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 77
В кошику  од. на суму  грн.
TK4P60DA,RQ(S2
TK4P60DA,RQ(S2
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK4P60DA,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 2.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+75.35 грн
18+48.93 грн
100+39.29 грн
500+31.42 грн
1000+25.79 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TK4P60D,RQ(S 3934724.pdf
TK4P60D,RQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK4P60D,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+42.70 грн
500+31.98 грн
1000+29.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK4P60DA,RQ(S2
TK4P60DA,RQ(S2
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK4P60DA,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 2.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+39.29 грн
500+31.42 грн
1000+25.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK4P60D,RQ(S 3934724.pdf
TK4P60D,RQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK4P60D,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+97.17 грн
14+64.61 грн
100+42.70 грн
500+31.98 грн
1000+29.00 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LF18,LM(CT 3621054.pdf
TCR2LF18,LM(CT
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TCR2LF18,LM(CT - LDO-Festspannungsregler, 1.8V, 200mA, SOT-25-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-25
Nennausgangsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 200mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.5V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 1.8V 200mA LDO Voltage Regulators
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 270mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+36.99 грн
36+23.78 грн
100+11.76 грн
500+8.31 грн
1000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LF18,LM(CT 3621054.pdf
TCR2LF18,LM(CT
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TCR2LF18,LM(CT - LDO-Festspannungsregler, 1.8V, 200mA, SOT-25-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-25
Nennausgangsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 200mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.5V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 1.8V 200mA LDO Voltage Regulators
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 270mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+36.99 грн
36+23.78 грн
100+11.76 грн
500+8.31 грн
1000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
TK16V60W,LVQ(S
TK16V60W,LVQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK16V60W,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.16 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+240.36 грн
10+198.60 грн
100+138.93 грн
500+113.97 грн
1000+97.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK16V60W,LVQ(S
TK16V60W,LVQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK16V60W,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.16 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 139W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+138.93 грн
500+113.97 грн
1000+97.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK16V60W5,LVQ(S TOSC-S-A0000741712-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TK16V60W5,LVQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK16V60W5,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.196 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.196ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+323.89 грн
10+259.97 грн
100+202.01 грн
500+164.63 грн
1000+130.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK16V60W5,LVQ(S TOSC-S-A0000741712-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TK16V60W5,LVQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK16V60W5,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.196 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 139W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.196ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.196ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+202.01 грн
500+164.63 грн
1000+130.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 88 176 264 352 440 528 616 704 732 733 734 735 736 737 738 739 740 741 742 792 880 885  [ Наступна Сторінка >> ]