Продукція > TOSHIBA > Всі товари виробника TOSHIBA (53050) > Сторінка 733 з 885

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 88 176 264 352 440 528 616 704 728 729 730 731 732 733 734 735 736 737 738 792 880 885  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK3A60DA(STA4,Q,M) TK3A60DA(STA4,Q,M) TOSHIBA 3934705.pdf Description: TOSHIBA - TK3A60DA(STA4,Q,M) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.5 A, 2.2 ohm, SC-67, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: SC-67
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+115.64 грн
13+68.53 грн
100+48.72 грн
500+35.85 грн
1000+27.84 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3075(TE12L,Q) 2SK3075(TE12L,Q) TOSHIBA TOSCS49853-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TOSHIBA - 2SK3075(TE12L,Q) - HF-FET-Transistor, 30 V, 5 A, 20 W, 520 MHz, SMD
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 520MHz
Betriebsfrequenz, min.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: SMD
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+522.93 грн
10+439.60 грн
50+397.94 грн
200+330.04 грн
500+271.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK11A65W,S5X(M TK11A65W,S5X(M TOSHIBA 3934627.pdf Description: TOSHIBA - TK11A65W,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11.1 A, 0.33 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+158.15 грн
11+80.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
EVB-TCKE805NA EVB-TCKE805NA TOSHIBA docget.jsp?did=139443&prodName=TCKE800NA&returnFlg=false Description: TOSHIBA - EVB-TCKE805NA - Evaluationsboard, TCKE805NA, elektronische Sicherung, Power-Management
tariffCode: 84733080
Prozessorkern: TCKE805NA
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Toshiba
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TCKE805NA
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Elektronische Sicherung
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6171.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R203NC,L1Q(M TPN2R203NC,L1Q(M TOSHIBA 3934829.pdf Description: TOSHIBA - TPN2R203NC,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0018 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+109.69 грн
12+74.40 грн
100+52.29 грн
500+42.87 грн
1000+33.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R003PL,LQ(S TPH2R003PL,LQ(S TOSHIBA 3973722.pdf Description: TOSHIBA - TPH2R003PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0013 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 116W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.88 грн
500+33.48 грн
1000+29.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R003PL,LQ(S TPH2R003PL,LQ(S TOSHIBA 3973722.pdf Description: TOSHIBA - TPH2R003PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0013 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 116W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+77.89 грн
14+61.73 грн
100+43.88 грн
500+33.48 грн
1000+29.88 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
XPJR6604PB,LXHQ(O XPJR6604PB,LXHQ(O TOSHIBA 4002396.pdf Description: TOSHIBA - XPJR6604PB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 660 µohm, S-TOGL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: S-TOGL
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 660µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+154.75 грн
10+104.59 грн
100+89.28 грн
500+79.75 грн
1000+72.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM3HQF10BFG(DBB) TMPM3HQF10BFG(DBB) TOSHIBA 3975704.pdf Description: TOSHIBA - TMPM3HQF10BFG(DBB) - ARM-MCU, TXZ+ Family TMPM3H Series Microcontrollers, ARM Cortex-M3, 32 Bit, 120 MHz, 1 MB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: LQFP
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 21Kanäle
Programmspeichergröße: 1MB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 120MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: TXZ+
RAM-Speichergröße: 128KB
MCU-Baureihe: TMPM3H
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 134I/O(s)
Anzahl der Pins: 144Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: TXZ+ Family TMPM3H Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+944.68 грн
10+699.79 грн
25+651.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM4KNFYAFG(DBB) TMPM4KNFYAFG(DBB) TOSHIBA 3765814.pdf Description: TOSHIBA - TMPM4KNFYAFG(DBB) - ARM-MCU, TXZ Family TMPM4K Series Microcontrollers, ARM Cortex-M4F, 32 Bit, 160 MHz, 256 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M4F
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: LQFP
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 22Channels
Programmspeichergröße: 256KB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 160MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: TXZ+
RAM-Speichergröße: 24KB
MCU-Baureihe: TMPM4K
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 87I/O(s)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: TXZ Family TMPM4K Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, UART, SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+641.12 грн
10+528.03 грн
25+494.02 грн
50+448.47 грн
100+399.40 грн
250+387.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPN7R006PL,L1Q(M TPN7R006PL,L1Q(M TOSHIBA 3934840.pdf Description: TOSHIBA - TPN7R006PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 76 A, 0.0054 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+59.61 грн
18+48.47 грн
100+35.71 грн
500+27.79 грн
1000+23.61 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
TPN7R006PL,L1Q(M TPN7R006PL,L1Q(M TOSHIBA 3934840.pdf Description: TOSHIBA - TPN7R006PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 76 A, 0.0054 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.71 грн
500+27.79 грн
1000+23.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R203NC,L1Q(M TPN2R203NC,L1Q(M TOSHIBA 3934829.pdf Description: TOSHIBA - TPN2R203NC,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0018 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+52.29 грн
500+42.87 грн
1000+33.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TW060Z120C,S1F(S TW060Z120C,S1F(S TOSHIBA 3983300.pdf Description: TOSHIBA - TW060Z120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1694.64 грн
5+1632.56 грн
10+1570.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K339R,LF(T SSM3K339R,LF(T TOSHIBA 3622434.pdf Description: TOSHIBA - SSM3K339R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 2 A, 0.145 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+26.02 грн
51+16.92 грн
117+7.31 грн
500+5.76 грн
1000+4.30 грн
5000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K339R,LF(T SSM3K339R,LF(T TOSHIBA 3622434.pdf Description: TOSHIBA - SSM3K339R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 2 A, 0.145 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.145ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.76 грн
1000+4.30 грн
5000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE805NA,RF(S TCKE805NA,RF(S TOSHIBA 3999375.pdf Description: TOSHIBA - TCKE805NA,RF(S - Hot-Swap-Controller, elektronische Sicherung, 4.4V bis 18V Versorgung, 1 Kanal, WSON-10, -40-85°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Elektronische Sicherung
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Leistungsschalter: MOSFET
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+61.11 грн
250+56.12 грн
500+55.76 грн
1000+55.39 грн
2500+55.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE800NL,RF(S TCKE800NL,RF(S TOSHIBA 3999375.pdf Description: TOSHIBA - TCKE800NL,RF(S - Hot-Swap-Controller, elektronische Sicherung, 4.4V bis 18V Versorgung, 1 Kanal, WSON-10, -40-85°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Elektronische Sicherung
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Leistungsschalter: MOSFET
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+130.95 грн
10+102.89 грн
50+94.38 грн
100+77.69 грн
250+68.22 грн
500+64.28 грн
1000+59.18 грн
2500+57.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE800NA,RF(S TCKE800NA,RF(S TOSHIBA 3999375.pdf Description: TOSHIBA - TCKE800NA,RF(S - Hot-Swap-Controller, elektronische Sicherung, 4.4V bis 18V Versorgung, 1 Kanal, WSON-10, -40-85°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Elektronische Sicherung
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Leistungsschalter: MOSFET
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+77.69 грн
250+68.22 грн
500+64.28 грн
1000+59.18 грн
2500+57.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE800NA,RF(S TCKE800NA,RF(S TOSHIBA 3999375.pdf Description: TOSHIBA - TCKE800NA,RF(S - Hot-Swap-Controller, elektronische Sicherung, 4.4V bis 18V Versorgung, 1 Kanal, WSON-10, -40-85°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Elektronische Sicherung
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Leistungsschalter: MOSFET
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+130.95 грн
10+102.89 грн
50+94.38 грн
100+77.69 грн
250+68.22 грн
500+64.28 грн
1000+59.18 грн
2500+57.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE812NA,RF(S TCKE812NA,RF(S TOSHIBA 3999375.pdf Description: TOSHIBA - TCKE812NA,RF(S - Hot-Swap-Controller, elektronische Sicherung, 4.4V bis 18V Versorgung, 1 Kanal, WSON-10, -40-85°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Elektronische Sicherung
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Leistungsschalter: MOSFET
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+130.95 грн
10+102.89 грн
50+94.38 грн
100+77.69 грн
250+68.22 грн
500+64.28 грн
1000+59.18 грн
2500+57.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE800NL,RF(S TCKE800NL,RF(S TOSHIBA 3999375.pdf Description: TOSHIBA - TCKE800NL,RF(S - Hot-Swap-Controller, elektronische Sicherung, 4.4V bis 18V Versorgung, 1 Kanal, WSON-10, -40-85°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Elektronische Sicherung
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Leistungsschalter: MOSFET
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+77.69 грн
250+68.22 грн
500+64.28 грн
1000+59.18 грн
2500+57.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE812NA,RF(S TCKE812NA,RF(S TOSHIBA 3999375.pdf Description: TOSHIBA - TCKE812NA,RF(S - Hot-Swap-Controller, elektronische Sicherung, 4.4V bis 18V Versorgung, 1 Kanal, WSON-10, -40-85°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Elektronische Sicherung
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Leistungsschalter: MOSFET
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+77.69 грн
250+68.22 грн
500+64.28 грн
1000+59.18 грн
2500+57.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE805NA,RF(S TCKE805NA,RF(S TOSHIBA 3999375.pdf Description: TOSHIBA - TCKE805NA,RF(S - Hot-Swap-Controller, elektronische Sicherung, 4.4V bis 18V Versorgung, 1 Kanal, WSON-10, -40-85°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Elektronische Sicherung
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Leistungsschalter: MOSFET
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+133.50 грн
10+96.93 грн
50+81.46 грн
100+61.11 грн
250+56.12 грн
500+55.76 грн
1000+55.39 грн
2500+55.03 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LF(T SSM3K361R,LF(T TOSHIBA 3622436.pdf Description: TOSHIBA - SSM3K361R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+103.74 грн
50+64.20 грн
100+55.86 грн
500+46.98 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LF(T SSM3K361R,LF(T TOSHIBA 3622436.pdf Description: TOSHIBA - SSM3K361R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.051ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+55.86 грн
500+46.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TC78B041FNG(Z,EL) TC78B041FNG(Z,EL) TOSHIBA 3621003.pdf Description: TOSHIBA - TC78B041FNG(Z,EL) - Motortreiber, bürstenloser DC-Motor, 18V, 2mA, 6V bis 16.5V, SSOP-30
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2mA
Motortyp: Bürstenloser Gleichstrommotor
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 18V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 6V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 30Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 16.5V
Betriebstemperatur, max.: 115°C
Anzahl der Ausgänge: 3Ausgänge
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+176.86 грн
10+147.95 грн
25+121.59 грн
100+101.06 грн
500+84.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QM,LQ(M1 TPH4R008QM,LQ(M1 TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH4R008QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 140 A, 0.0031 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+55.86 грн
500+46.27 грн
1000+40.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N120C,S1F(S TW015N120C,S1F(S TOSHIBA 3760624.pdf Description: TOSHIBA - TW015N120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 431W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8714.66 грн
5+7625.44 грн
10+6318.54 грн
50+5260.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW015Z120C,S1F(S TW015Z120C,S1F(S TOSHIBA 3983294.pdf Description: TOSHIBA - TW015Z120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.015 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 431W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4846.68 грн
5+4559.28 грн
10+4271.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK22V65X5,LQ(S TK22V65X5,LQ(S TOSHIBA 3934666.pdf Description: TOSHIBA - TK22V65X5,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22 A, 0.14 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+422.60 грн
10+335.02 грн
100+270.39 грн
500+235.29 грн
1000+203.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK22V65X5,LQ(S TK22V65X5,LQ(S TOSHIBA 3934666.pdf Description: TOSHIBA - TK22V65X5,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22 A, 0.14 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+270.39 грн
500+235.29 грн
1000+203.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3906(TPL,E(T TLP3906(TPL,E(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - TLP3906(TPL,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 4 Pin(s), 3.75 kVrms
tariffCode: 85414900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Isolationsspannung: 3.75kVrms
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.29 грн
10+97.78 грн
25+81.29 грн
50+73.03 грн
100+64.14 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3906(TPL,E(T TLP3906(TPL,E(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - TLP3906(TPL,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 4 Pin(s), 3.75 kVrms
tariffCode: 85414900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Isolationsspannung: 3.75kVrms
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+64.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W,RQ(S TK14G65W,RQ(S TOSHIBA 3934640.pdf Description: TOSHIBA - TK14G65W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.22 ohm, D2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+214.27 грн
10+153.90 грн
100+138.60 грн
500+114.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W,RQ(S TK14G65W,RQ(S TOSHIBA 3934640.pdf Description: TOSHIBA - TK14G65W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.22 ohm, D2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+138.60 грн
500+114.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TW083Z65C,S1F(S TW083Z65C,S1F(S TOSHIBA 3983301.pdf Description: TOSHIBA - TW083Z65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 111W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+981.24 грн
5+954.88 грн
10+928.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW083N65C,S1F(S TW083N65C,S1F(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TW083N65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.113 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 111W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.113ohm
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPD1055FA,BXH(S TPD1055FA,BXH(S TOSHIBA 3973724.pdf Description: TOSHIBA - TPD1055FA,BXH(S - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side, MOSFET, 10 Pin(s), WSON-EP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WSON-EP
Eingang: CMOS, TTL
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: -0.3VDC
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 25VDC
Eingabeverzögerung: -
Ausgabeverzögerung: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+187.31 грн
250+175.65 грн
500+162.53 грн
1000+147.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPD1055FA,BXH(S TPD1055FA,BXH(S TOSHIBA 3973724.pdf Description: TOSHIBA - TPD1055FA,BXH(S - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side, MOSFET, 10 Pin(s), WSON-EP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WSON-EP
Eingang: CMOS, TTL
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: -0.3VDC
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 25VDC
Eingabeverzögerung: -
Ausgabeverzögerung: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+363.93 грн
10+264.44 грн
25+244.03 грн
50+214.76 грн
100+187.31 грн
250+175.65 грн
500+162.53 грн
1000+147.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE712BNL,RF(S TCKE712BNL,RF(S TOSHIBA 3999374.pdf Description: TOSHIBA - TCKE712BNL,RF(S - Hot-Swap-Controller, elektronische Sicherung, 4.4V bis 13.2V Versorgung, 1 Kanal, WSON-10, -40-85°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Elektronische Sicherung
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 13.2V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Leistungsschalter: MOSFET
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.16 грн
250+46.94 грн
500+46.64 грн
1000+46.35 грн
2500+46.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE712BNL,RF(S TCKE712BNL,RF(S TOSHIBA 3999374.pdf Description: TOSHIBA - TCKE712BNL,RF(S - Hot-Swap-Controller, elektronische Sicherung, 4.4V bis 13.2V Versorgung, 1 Kanal, WSON-10, -40-85°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Elektronische Sicherung
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 13.2V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Leistungsschalter: MOSFET
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+112.24 грн
11+81.29 грн
50+68.19 грн
100+51.16 грн
250+46.94 грн
500+46.64 грн
1000+46.35 грн
2500+46.06 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TRS8E65H,S1Q(S TRS8E65H,S1Q(S TOSHIBA 3973735.pdf Description: TOSHIBA - TRS8E65H,S1Q(S - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 23 A, 22 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 22nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 23A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+284.85 грн
10+282.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TRS8V65H,LQ(S TRS8V65H,LQ(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TRS8V65H,LQ(S - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Anode, 650 V, 23 A, 22 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 22nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Anode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 23A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+144.55 грн
500+118.43 грн
1000+94.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TRS8V65H,LQ(S TRS8V65H,LQ(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TRS8V65H,LQ(S - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Anode, 650 V, 23 A, 22 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 22nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Anode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 23A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+238.93 грн
10+179.41 грн
100+144.55 грн
500+118.43 грн
1000+94.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TBD62083APG(Z,HZW) TBD62083APG(Z,HZW) TOSHIBA 3937417.pdf Description: TOSHIBA - TBD62083APG(Z,HZW) - Peripherietreiber, 50V/0.5Aout, 8 Ausgänge, PDIP, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85412900
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
hazardous: false
Ausgangsspannung: 50V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform - Treiber: PDIP
Ausgangsstrom: 500mA
Versorgungsspannung, max.: -
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+170.91 грн
11+82.99 грн
50+77.12 грн
100+66.09 грн
250+52.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J351R,LF(T SSM3J351R,LF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM3J351R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.134 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.134ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+129.24 грн
50+74.66 грн
100+47.62 грн
500+36.32 грн
1500+30.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7404PU,L1Q(M TPHR7404PU,L1Q(M TOSHIBA docget.jsp?did=69938&prodName=TPHR7404PU Description: TOSHIBA - TPHR7404PU,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 400 A, 510 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 400A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 510µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+81.37 грн
500+69.64 грн
1000+58.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7404PU,L1Q(M TPHR7404PU,L1Q(M TOSHIBA docget.jsp?did=69938&prodName=TPHR7404PU Description: TOSHIBA - TPHR7404PU,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 400 A, 510 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 400A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 510µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+186.21 грн
10+119.04 грн
100+81.37 грн
500+69.64 грн
1000+58.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J338R,LF(T SSM3J338R,LF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM3J338R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.0139 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0139ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+29.85 грн
51+16.84 грн
100+13.60 грн
500+9.79 грн
1000+6.05 грн
5000+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J338R,LF(T SSM3J338R,LF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM3J338R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.0139 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0139ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0139ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.60 грн
500+9.79 грн
1000+6.05 грн
5000+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLP172GM(TPR,E(T TLP172GM(TPR,E(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - TLP172GM(TPR,E(T - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 350 V, 110 mA, SOP-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415900
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 350V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 110mA
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 0.8pF
Bauform MOSFET-Relais: SOP-4
Durchlasswiderstand, max.: 50ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLP172GAM(TPL,E(T TLP172GAM(TPL,E(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - TLP172GAM(TPL,E(T - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 400 V, 110 mA, SOP-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415900
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 400V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 110mA
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 0.8pF
Bauform MOSFET-Relais: SOP-4
Durchlasswiderstand, max.: 65ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+65.23 грн
500+56.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLP172GM(TPR,E(T TLP172GM(TPR,E(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - TLP172GM(TPR,E(T - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 350 V, 110 mA, SOP-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415900
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 350V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 110mA
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 0.8pF
Bauform MOSFET-Relais: SOP-4
Durchlasswiderstand, max.: 50ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.29 грн
12+77.29 грн
25+71.51 грн
50+61.11 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TLP172GAM(TPL,E(T TLP172GAM(TPL,E(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - TLP172GAM(TPL,E(T - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 400 V, 110 mA, SOP-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415900
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 400V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 110mA
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 0.8pF
Bauform MOSFET-Relais: SOP-4
Durchlasswiderstand, max.: 65ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+134.35 грн
10+97.78 грн
25+90.98 грн
50+77.38 грн
100+65.23 грн
500+56.85 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TK100E08N1,S1X(S TK100E08N1,S1X(S TOSHIBA 3934614.pdf Description: TOSHIBA - TK100E08N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 214 A, 2600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 214A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+431.10 грн
10+224.48 грн
100+204.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50D,RQ(S TK3P50D,RQ(S TOSHIBA 3732411.pdf Description: TOSHIBA - TK3P50D,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+105.44 грн
12+72.36 грн
100+50.68 грн
500+37.98 грн
1000+29.37 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50D,RQ(S TK3P50D,RQ(S TOSHIBA 3732411.pdf Description: TOSHIBA - TK3P50D,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.68 грн
500+37.98 грн
1000+29.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5754H(TP,E(T TLP5754H(TP,E(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - TLP5754H(TP,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 6 Pin(s), 5 kVrms
tariffCode: 85414900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Isolationsspannung: 5kVrms
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5754H(TP,E(T TLP5754H(TP,E(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - TLP5754H(TP,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 6 Pin(s), 5 kVrms
tariffCode: 85414900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Isolationsspannung: 5kVrms
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+130.10 грн
10+104.59 грн
25+90.98 грн
50+82.11 грн
100+67.34 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A60DA(STA4,Q,M) 3934705.pdf
TK3A60DA(STA4,Q,M)
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK3A60DA(STA4,Q,M) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.5 A, 2.2 ohm, SC-67, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: SC-67
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+115.64 грн
13+68.53 грн
100+48.72 грн
500+35.85 грн
1000+27.84 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3075(TE12L,Q) TOSCS49853-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SK3075(TE12L,Q)
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK3075(TE12L,Q) - HF-FET-Transistor, 30 V, 5 A, 20 W, 520 MHz, SMD
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 520MHz
Betriebsfrequenz, min.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: SMD
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+522.93 грн
10+439.60 грн
50+397.94 грн
200+330.04 грн
500+271.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK11A65W,S5X(M 3934627.pdf
TK11A65W,S5X(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK11A65W,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11.1 A, 0.33 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+158.15 грн
11+80.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
EVB-TCKE805NA docget.jsp?did=139443&prodName=TCKE800NA&returnFlg=false
EVB-TCKE805NA
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - EVB-TCKE805NA - Evaluationsboard, TCKE805NA, elektronische Sicherung, Power-Management
tariffCode: 84733080
Prozessorkern: TCKE805NA
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Toshiba
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TCKE805NA
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Elektronische Sicherung
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6171.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R203NC,L1Q(M 3934829.pdf
TPN2R203NC,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN2R203NC,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0018 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+109.69 грн
12+74.40 грн
100+52.29 грн
500+42.87 грн
1000+33.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R003PL,LQ(S 3973722.pdf
TPH2R003PL,LQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH2R003PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0013 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 116W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+43.88 грн
500+33.48 грн
1000+29.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R003PL,LQ(S 3973722.pdf
TPH2R003PL,LQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH2R003PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0013 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 116W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+77.89 грн
14+61.73 грн
100+43.88 грн
500+33.48 грн
1000+29.88 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
XPJR6604PB,LXHQ(O 4002396.pdf
XPJR6604PB,LXHQ(O
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - XPJR6604PB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 660 µohm, S-TOGL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: S-TOGL
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 660µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+154.75 грн
10+104.59 грн
100+89.28 грн
500+79.75 грн
1000+72.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM3HQF10BFG(DBB) 3975704.pdf
TMPM3HQF10BFG(DBB)
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TMPM3HQF10BFG(DBB) - ARM-MCU, TXZ+ Family TMPM3H Series Microcontrollers, ARM Cortex-M3, 32 Bit, 120 MHz, 1 MB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: LQFP
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 21Kanäle
Programmspeichergröße: 1MB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 120MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: TXZ+
RAM-Speichergröße: 128KB
MCU-Baureihe: TMPM3H
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 134I/O(s)
Anzahl der Pins: 144Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: TXZ+ Family TMPM3H Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+944.68 грн
10+699.79 грн
25+651.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM4KNFYAFG(DBB) 3765814.pdf
TMPM4KNFYAFG(DBB)
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TMPM4KNFYAFG(DBB) - ARM-MCU, TXZ Family TMPM4K Series Microcontrollers, ARM Cortex-M4F, 32 Bit, 160 MHz, 256 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M4F
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: LQFP
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 22Channels
Programmspeichergröße: 256KB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 160MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: TXZ+
RAM-Speichergröße: 24KB
MCU-Baureihe: TMPM4K
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 87I/O(s)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: TXZ Family TMPM4K Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, UART, SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+641.12 грн
10+528.03 грн
25+494.02 грн
50+448.47 грн
100+399.40 грн
250+387.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPN7R006PL,L1Q(M 3934840.pdf
TPN7R006PL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN7R006PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 76 A, 0.0054 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+59.61 грн
18+48.47 грн
100+35.71 грн
500+27.79 грн
1000+23.61 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
TPN7R006PL,L1Q(M 3934840.pdf
TPN7R006PL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN7R006PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 76 A, 0.0054 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+35.71 грн
500+27.79 грн
1000+23.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R203NC,L1Q(M 3934829.pdf
TPN2R203NC,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN2R203NC,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0018 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+52.29 грн
500+42.87 грн
1000+33.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TW060Z120C,S1F(S 3983300.pdf
TW060Z120C,S1F(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TW060Z120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1694.64 грн
5+1632.56 грн
10+1570.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K339R,LF(T 3622434.pdf
SSM3K339R,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K339R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 2 A, 0.145 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33+26.02 грн
51+16.92 грн
117+7.31 грн
500+5.76 грн
1000+4.30 грн
5000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K339R,LF(T 3622434.pdf
SSM3K339R,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K339R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 2 A, 0.145 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.145ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.76 грн
1000+4.30 грн
5000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE805NA,RF(S 3999375.pdf
TCKE805NA,RF(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TCKE805NA,RF(S - Hot-Swap-Controller, elektronische Sicherung, 4.4V bis 18V Versorgung, 1 Kanal, WSON-10, -40-85°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Elektronische Sicherung
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Leistungsschalter: MOSFET
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+61.11 грн
250+56.12 грн
500+55.76 грн
1000+55.39 грн
2500+55.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE800NL,RF(S 3999375.pdf
TCKE800NL,RF(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TCKE800NL,RF(S - Hot-Swap-Controller, elektronische Sicherung, 4.4V bis 18V Versorgung, 1 Kanal, WSON-10, -40-85°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Elektronische Sicherung
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Leistungsschalter: MOSFET
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+130.95 грн
10+102.89 грн
50+94.38 грн
100+77.69 грн
250+68.22 грн
500+64.28 грн
1000+59.18 грн
2500+57.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE800NA,RF(S 3999375.pdf
TCKE800NA,RF(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TCKE800NA,RF(S - Hot-Swap-Controller, elektronische Sicherung, 4.4V bis 18V Versorgung, 1 Kanal, WSON-10, -40-85°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Elektronische Sicherung
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Leistungsschalter: MOSFET
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+77.69 грн
250+68.22 грн
500+64.28 грн
1000+59.18 грн
2500+57.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE800NA,RF(S 3999375.pdf
TCKE800NA,RF(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TCKE800NA,RF(S - Hot-Swap-Controller, elektronische Sicherung, 4.4V bis 18V Versorgung, 1 Kanal, WSON-10, -40-85°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Elektronische Sicherung
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Leistungsschalter: MOSFET
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+130.95 грн
10+102.89 грн
50+94.38 грн
100+77.69 грн
250+68.22 грн
500+64.28 грн
1000+59.18 грн
2500+57.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE812NA,RF(S 3999375.pdf
TCKE812NA,RF(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TCKE812NA,RF(S - Hot-Swap-Controller, elektronische Sicherung, 4.4V bis 18V Versorgung, 1 Kanal, WSON-10, -40-85°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Elektronische Sicherung
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Leistungsschalter: MOSFET
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+130.95 грн
10+102.89 грн
50+94.38 грн
100+77.69 грн
250+68.22 грн
500+64.28 грн
1000+59.18 грн
2500+57.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE800NL,RF(S 3999375.pdf
TCKE800NL,RF(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TCKE800NL,RF(S - Hot-Swap-Controller, elektronische Sicherung, 4.4V bis 18V Versorgung, 1 Kanal, WSON-10, -40-85°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Elektronische Sicherung
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Leistungsschalter: MOSFET
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+77.69 грн
250+68.22 грн
500+64.28 грн
1000+59.18 грн
2500+57.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE812NA,RF(S 3999375.pdf
TCKE812NA,RF(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TCKE812NA,RF(S - Hot-Swap-Controller, elektronische Sicherung, 4.4V bis 18V Versorgung, 1 Kanal, WSON-10, -40-85°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Elektronische Sicherung
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Leistungsschalter: MOSFET
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+77.69 грн
250+68.22 грн
500+64.28 грн
1000+59.18 грн
2500+57.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE805NA,RF(S 3999375.pdf
TCKE805NA,RF(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TCKE805NA,RF(S - Hot-Swap-Controller, elektronische Sicherung, 4.4V bis 18V Versorgung, 1 Kanal, WSON-10, -40-85°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Elektronische Sicherung
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Leistungsschalter: MOSFET
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+133.50 грн
10+96.93 грн
50+81.46 грн
100+61.11 грн
250+56.12 грн
500+55.76 грн
1000+55.39 грн
2500+55.03 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LF(T 3622436.pdf
SSM3K361R,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K361R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+103.74 грн
50+64.20 грн
100+55.86 грн
500+46.98 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LF(T 3622436.pdf
SSM3K361R,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K361R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.051ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+55.86 грн
500+46.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TC78B041FNG(Z,EL) 3621003.pdf
TC78B041FNG(Z,EL)
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TC78B041FNG(Z,EL) - Motortreiber, bürstenloser DC-Motor, 18V, 2mA, 6V bis 16.5V, SSOP-30
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2mA
Motortyp: Bürstenloser Gleichstrommotor
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 18V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 6V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 30Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 16.5V
Betriebstemperatur, max.: 115°C
Anzahl der Ausgänge: 3Ausgänge
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+176.86 грн
10+147.95 грн
25+121.59 грн
100+101.06 грн
500+84.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QM,LQ(M1
TPH4R008QM,LQ(M1
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH4R008QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 140 A, 0.0031 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+55.86 грн
500+46.27 грн
1000+40.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N120C,S1F(S 3760624.pdf
TW015N120C,S1F(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TW015N120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 431W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8714.66 грн
5+7625.44 грн
10+6318.54 грн
50+5260.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW015Z120C,S1F(S 3983294.pdf
TW015Z120C,S1F(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TW015Z120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.015 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 431W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4846.68 грн
5+4559.28 грн
10+4271.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK22V65X5,LQ(S 3934666.pdf
TK22V65X5,LQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK22V65X5,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22 A, 0.14 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+422.60 грн
10+335.02 грн
100+270.39 грн
500+235.29 грн
1000+203.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK22V65X5,LQ(S 3934666.pdf
TK22V65X5,LQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK22V65X5,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22 A, 0.14 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+270.39 грн
500+235.29 грн
1000+203.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3906(TPL,E(T
TLP3906(TPL,E(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP3906(TPL,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 4 Pin(s), 3.75 kVrms
tariffCode: 85414900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Isolationsspannung: 3.75kVrms
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+123.29 грн
10+97.78 грн
25+81.29 грн
50+73.03 грн
100+64.14 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3906(TPL,E(T
TLP3906(TPL,E(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP3906(TPL,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 4 Pin(s), 3.75 kVrms
tariffCode: 85414900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Isolationsspannung: 3.75kVrms
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+64.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W,RQ(S 3934640.pdf
TK14G65W,RQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK14G65W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.22 ohm, D2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+214.27 грн
10+153.90 грн
100+138.60 грн
500+114.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W,RQ(S 3934640.pdf
TK14G65W,RQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK14G65W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.22 ohm, D2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+138.60 грн
500+114.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TW083Z65C,S1F(S 3983301.pdf
TW083Z65C,S1F(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TW083Z65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 111W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+981.24 грн
5+954.88 грн
10+928.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW083N65C,S1F(S
TW083N65C,S1F(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TW083N65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.113 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 111W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.113ohm
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPD1055FA,BXH(S 3973724.pdf
TPD1055FA,BXH(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPD1055FA,BXH(S - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side, MOSFET, 10 Pin(s), WSON-EP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WSON-EP
Eingang: CMOS, TTL
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: -0.3VDC
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 25VDC
Eingabeverzögerung: -
Ausgabeverzögerung: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+187.31 грн
250+175.65 грн
500+162.53 грн
1000+147.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPD1055FA,BXH(S 3973724.pdf
TPD1055FA,BXH(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPD1055FA,BXH(S - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side, MOSFET, 10 Pin(s), WSON-EP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WSON-EP
Eingang: CMOS, TTL
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: -0.3VDC
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 25VDC
Eingabeverzögerung: -
Ausgabeverzögerung: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+363.93 грн
10+264.44 грн
25+244.03 грн
50+214.76 грн
100+187.31 грн
250+175.65 грн
500+162.53 грн
1000+147.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE712BNL,RF(S 3999374.pdf
TCKE712BNL,RF(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TCKE712BNL,RF(S - Hot-Swap-Controller, elektronische Sicherung, 4.4V bis 13.2V Versorgung, 1 Kanal, WSON-10, -40-85°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Elektronische Sicherung
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 13.2V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Leistungsschalter: MOSFET
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+51.16 грн
250+46.94 грн
500+46.64 грн
1000+46.35 грн
2500+46.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE712BNL,RF(S 3999374.pdf
TCKE712BNL,RF(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TCKE712BNL,RF(S - Hot-Swap-Controller, elektronische Sicherung, 4.4V bis 13.2V Versorgung, 1 Kanal, WSON-10, -40-85°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Elektronische Sicherung
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 13.2V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Leistungsschalter: MOSFET
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+112.24 грн
11+81.29 грн
50+68.19 грн
100+51.16 грн
250+46.94 грн
500+46.64 грн
1000+46.35 грн
2500+46.06 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TRS8E65H,S1Q(S 3973735.pdf
TRS8E65H,S1Q(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TRS8E65H,S1Q(S - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 23 A, 22 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 22nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 23A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+284.85 грн
10+282.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TRS8V65H,LQ(S
TRS8V65H,LQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TRS8V65H,LQ(S - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Anode, 650 V, 23 A, 22 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 22nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Anode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 23A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+144.55 грн
500+118.43 грн
1000+94.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TRS8V65H,LQ(S
TRS8V65H,LQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TRS8V65H,LQ(S - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Anode, 650 V, 23 A, 22 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 22nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Anode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 23A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+238.93 грн
10+179.41 грн
100+144.55 грн
500+118.43 грн
1000+94.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TBD62083APG(Z,HZW) 3937417.pdf
TBD62083APG(Z,HZW)
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TBD62083APG(Z,HZW) - Peripherietreiber, 50V/0.5Aout, 8 Ausgänge, PDIP, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85412900
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
hazardous: false
Ausgangsspannung: 50V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform - Treiber: PDIP
Ausgangsstrom: 500mA
Versorgungsspannung, max.: -
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+170.91 грн
11+82.99 грн
50+77.12 грн
100+66.09 грн
250+52.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J351R,LF(T
SSM3J351R,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3J351R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.134 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.134ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+129.24 грн
50+74.66 грн
100+47.62 грн
500+36.32 грн
1500+30.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7404PU,L1Q(M docget.jsp?did=69938&prodName=TPHR7404PU
TPHR7404PU,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPHR7404PU,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 400 A, 510 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 400A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 510µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+81.37 грн
500+69.64 грн
1000+58.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7404PU,L1Q(M docget.jsp?did=69938&prodName=TPHR7404PU
TPHR7404PU,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPHR7404PU,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 400 A, 510 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 400A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 510µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+186.21 грн
10+119.04 грн
100+81.37 грн
500+69.64 грн
1000+58.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J338R,LF(T
SSM3J338R,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3J338R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.0139 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0139ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+29.85 грн
51+16.84 грн
100+13.60 грн
500+9.79 грн
1000+6.05 грн
5000+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J338R,LF(T
SSM3J338R,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3J338R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.0139 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0139ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0139ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.60 грн
500+9.79 грн
1000+6.05 грн
5000+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLP172GM(TPR,E(T
TLP172GM(TPR,E(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP172GM(TPR,E(T - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 350 V, 110 mA, SOP-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415900
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 350V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 110mA
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 0.8pF
Bauform MOSFET-Relais: SOP-4
Durchlasswiderstand, max.: 50ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLP172GAM(TPL,E(T
TLP172GAM(TPL,E(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP172GAM(TPL,E(T - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 400 V, 110 mA, SOP-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415900
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 400V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 110mA
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 0.8pF
Bauform MOSFET-Relais: SOP-4
Durchlasswiderstand, max.: 65ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+65.23 грн
500+56.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLP172GM(TPR,E(T
TLP172GM(TPR,E(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP172GM(TPR,E(T - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 350 V, 110 mA, SOP-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415900
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 350V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 110mA
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 0.8pF
Bauform MOSFET-Relais: SOP-4
Durchlasswiderstand, max.: 50ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+106.29 грн
12+77.29 грн
25+71.51 грн
50+61.11 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TLP172GAM(TPL,E(T
TLP172GAM(TPL,E(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP172GAM(TPL,E(T - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 400 V, 110 mA, SOP-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415900
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 400V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 110mA
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 0.8pF
Bauform MOSFET-Relais: SOP-4
Durchlasswiderstand, max.: 65ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+134.35 грн
10+97.78 грн
25+90.98 грн
50+77.38 грн
100+65.23 грн
500+56.85 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TK100E08N1,S1X(S 3934614.pdf
TK100E08N1,S1X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK100E08N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 214 A, 2600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 214A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+431.10 грн
10+224.48 грн
100+204.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50D,RQ(S 3732411.pdf
TK3P50D,RQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK3P50D,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+105.44 грн
12+72.36 грн
100+50.68 грн
500+37.98 грн
1000+29.37 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50D,RQ(S 3732411.pdf
TK3P50D,RQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK3P50D,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+50.68 грн
500+37.98 грн
1000+29.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5754H(TP,E(T
TLP5754H(TP,E(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP5754H(TP,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 6 Pin(s), 5 kVrms
tariffCode: 85414900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Isolationsspannung: 5kVrms
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+67.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5754H(TP,E(T
TLP5754H(TP,E(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP5754H(TP,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 6 Pin(s), 5 kVrms
tariffCode: 85414900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Isolationsspannung: 5kVrms
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+130.10 грн
10+104.59 грн
25+90.98 грн
50+82.11 грн
100+67.34 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 88 176 264 352 440 528 616 704 728 729 730 731 732 733 734 735 736 737 738 792 880 885  [ Наступна Сторінка >> ]