Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > Всі товари виробника VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION (40064) > Сторінка 170 з 668

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 66 132 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 198 264 330 396 462 528 594 660 668  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AS4PM-M3/86A AS4PM-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division as4pd.pdf Description: DIODE AVALANCHE 1KV 2.4A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 962 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.89 грн
10+49.97 грн
100+38.31 грн
500+28.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
AU1PM-M3/84A AU1PM-M3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division au1pm.pdf Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1A DO220AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-220AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 7.5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
на замовлення 22232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.22 грн
14+22.22 грн
100+15.03 грн
500+11.00 грн
1000+9.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
AU2PJ-M3/86A AU2PJ-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division au2pj.pdf Description: DIODE AVALANCHE 600V 1.6A TO277A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AU2PM-M3/86A AU2PM-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division au2pm.pdf Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.3A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 29pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.3A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AU3PM-M3/86A AU3PM-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division au3pm.pdf Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.4A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 42pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 8883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.60 грн
10+65.22 грн
100+50.83 грн
500+39.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AS3PG-M3/86A AS3PG-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division as3pd.pdf Description: DIODE AVALANCHE 400V 2.1A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.2 µs
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 37pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.1A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.32 грн
10+45.29 грн
100+34.75 грн
500+25.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BYV26EGP-E3/73 BYV26EGP-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division byv26dgp.pdf Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 1785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.91 грн
10+36.86 грн
100+24.82 грн
500+17.54 грн
1000+16.95 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RGP10M-E3/73 RGP10M-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division rgp10a.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 5288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.34 грн
11+27.97 грн
100+18.84 грн
500+16.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SB360-E3/73 SB360-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division sb320.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 60 V
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.77 грн
12+27.20 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MB6S-E3/80 MB6S-E3/80 Vishay General Semiconductor - Diodes Division mb2s.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 600V 0.5A TO269AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-269AA, 4-BESOP
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TO-269AA (MBS)
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 500 mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 400 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 96009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.50 грн
10+33.64 грн
100+21.71 грн
500+15.53 грн
1000+13.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SBYV26C-E3/54 SBYV26C-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division sbyv26c.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600
на замовлення 29277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.08 грн
19+16.40 грн
100+15.79 грн
500+13.04 грн
1000+11.58 грн
2000+11.40 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54C-E3-08 BAT54C-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAT54_A_C_S_Rev1.9_3-16-16.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 200MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
на замовлення 30834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.53 грн
36+8.58 грн
100+6.12 грн
500+4.75 грн
1000+4.22 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
US1J-E3/61T US1J-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division us1_test_dcicons.pdf description Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 4351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.26 грн
19+16.94 грн
100+11.59 грн
500+8.02 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
VS-10TTS08STRLPBF VS-10TTS08STRLPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division 10TTS08S.pdf Description: SCR 800V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Hold (Ih) (Max): 30 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 15 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 140A @ 50Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 6.5 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.15 V
Current - Off State (Max): 50 µA
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Current - On State (It (RMS)) (Max): 10 A
Voltage - Off State: 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16-E3-08 BAS16-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bas16.pdf Description: DIODE STANDARD 75V 150MA SOT233
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 75 V
на замовлення 35203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+8.75 грн
55+5.67 грн
100+4.44 грн
500+3.07 грн
1000+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
BAW56-E3-08 BAW56-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division baw56.pdf Description: DIODE ARRAY GP 70V 250MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
на замовлення 10847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.73 грн
44+7.13 грн
100+5.06 грн
500+3.81 грн
1000+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C5V6P-E3-08 BZD27C5V6P-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27series.pdf Description: DIODE ZENER 5.6V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 4 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 2 V
на замовлення 47776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.69 грн
23+13.33 грн
100+8.96 грн
500+6.48 грн
1000+5.83 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
VS-MBRA140TRPBF VS-MBRA140TRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-mbra140trpbf.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 38pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
на замовлення 28803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.63 грн
13+24.45 грн
100+22.53 грн
500+17.29 грн
1000+13.25 грн
2000+12.20 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
VS-MBRS1100TRPBF VS-MBRS1100TRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBRS190TRPBF_MBRS1100TRPBF.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 780 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-MBRS130LTRPBF VS-MBRS130LTRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRS130LTRPBF.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 420 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-MBRS130TRPBF VS-MBRS130TRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRS130LTRPBF.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 420 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-MBRS340TRPBF VS-MBRS340TRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBRS340TRPbF.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 525 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-MBRS360TRPBF VS-MBRS360TRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBRS360TRPBF.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 740 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SL03-GS08 SL03-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division sl02.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1.1A DO219AB
на замовлення 14461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VBUS052BD-HTF-GS08 VBUS052BD-HTF-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vbus052bd-htf.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 16VC 4-LLP75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 1.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: 4-LLP75
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 6.9V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 16V
Power - Peak Pulse: 45W
Power Line Protection: No
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AS4PD-M3/86A AS4PD-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division as4pd.pdf Description: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 962 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 3805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.93 грн
10+42.38 грн
100+29.31 грн
500+22.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
AU2PK-M3/86A AU2PK-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division au2pm.pdf Description: DIODE AVALANCHE 800V 1.3A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 29pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.3A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AS4PJ-M3/86A AS4PJ-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division as4pd.pdf Description: DIODE AVALANCHE 600V 2.4A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 962 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.30 грн
10+48.36 грн
100+37.10 грн
500+27.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
AR1PJ-M3/84A AR1PJ-M3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division ar1pm.pdf Description: DIODE AVALANCHE 600V 1A DO220AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-220AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 12.5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 3241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.02 грн
12+27.05 грн
100+18.44 грн
500+12.98 грн
1000+9.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
AR1PG-M3/84A AR1PG-M3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division ar1pm.pdf Description: DIODE AVALANCHE 400V 1A DO220AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-220AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 12.5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
на замовлення 5860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.02 грн
12+27.05 грн
100+18.44 грн
500+12.98 грн
1000+9.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
VCUT05D1-SD0-G4-08 VCUT05D1-SD0-G4-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VCUT05D1-SD0.pdf Description: TVS DIODE 5.5VWM 13VC CLP0603
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VCUT05D1-SD0-G4-08 VCUT05D1-SD0-G4-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VCUT05D1-SD0.pdf Description: TVS DIODE 5.5VWM 13VC CLP0603
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AU1PD-M3/84A AU1PD-M3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division au1pm.pdf Description: DIODE AVALANCHE 200V 1A DO220AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-220AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 11pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 7457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.63 грн
13+24.52 грн
100+14.72 грн
500+12.79 грн
1000+8.70 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
AU1PG-M3/84A AU1PG-M3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division au1pm.pdf Description: DIODE AVALANCHE 400V 1A DO220AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-220AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 11pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
на замовлення 7309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.87 грн
18+17.40 грн
100+10.45 грн
500+9.07 грн
1000+6.39 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SS2P5-M3/84A SS2P5-M3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss2p5.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 50V 2A DO220AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-220AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 50 V
на замовлення 9876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.47 грн
20+15.63 грн
100+13.40 грн
500+9.87 грн
1000+8.88 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
AU1PJ-M3/84A AU1PJ-M3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division au1pm.pdf Description: DIODE AVALANCHE 600V 1A DO220AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-220AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 11pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 6718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.61 грн
11+28.58 грн
100+19.45 грн
500+13.69 грн
1000+10.27 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
VS-FB190SA10 VS-FB190SA10 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-FB190SA10.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 190A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 568W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.35V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-UFB280FA40 VS-UFB280FA40 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-ufb280fa40.pdf Description: DIODE MODULE GP 400V 170A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 93 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 170A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.24 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 400 V
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2189.27 грн
10+1545.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VSSA310S-M3/61T VSSA310S-M3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division vssa310s.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 1.7A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.7A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 100 V
на замовлення 9105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.24 грн
16+19.54 грн
100+13.19 грн
500+9.62 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
VSB2200S-M3/54 VSB2200S-M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSB2200S.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 2A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.23 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VSB3200-M3/54 VSB3200-M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division irl620.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VSSA310S-M3/61T VSSA310S-M3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division vssa310s.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 1.7A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.7A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 100 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+8.88 грн
3600+7.82 грн
5400+7.45 грн
9000+6.59 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
PB3008-E3/45 PB3008-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division pb3006.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 800V 30A PB
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, PB
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: isoCINK+™ PB
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 30 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+274.55 грн
10+222.31 грн
100+179.83 грн
500+150.01 грн
1000+128.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PB3508-E3/45 PB3508-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division pb3506.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 35A PB
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, PB
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: isoCINK+™ PB
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
на замовлення 548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+350.95 грн
20+181.31 грн
100+158.60 грн
500+122.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PB3510-E3/45 PB3510-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division pb3506.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 35A PB
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, PB
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: isoCINK+™ PB
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 1128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+350.95 грн
20+136.14 грн
100+132.50 грн
500+120.16 грн
1000+114.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PB5008-E3/45 PB5008-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division pb5006.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 45A PB
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, PB
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: isoCINK+™ PB
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 45 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 22.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
на замовлення 4123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+327.08 грн
20+188.25 грн
100+150.25 грн
500+138.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
V30150C-M3/4W V30150C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division v30150c.pdf Description: DIODE ARR SCHOT 150V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-220-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.36 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VBT10200C-E3/4W VBT10200C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division vt10200c.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 200V 5A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 200 V
на замовлення 753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.19 грн
50+60.19 грн
100+47.70 грн
500+37.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
VT10200C-E3/4W VT10200C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division vt10200c.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 200V 5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-220-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 200 V
на замовлення 656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.36 грн
50+65.52 грн
100+51.93 грн
500+41.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BYS12-90-E3/TR BYS12-90-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division bys12-90.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 90V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 90 V
на замовлення 18413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.61 грн
12+26.36 грн
100+16.41 грн
500+10.53 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BYS11-90-E3/TR BYS11-90-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division bys1190.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 90V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 90 V
на замовлення 5632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.22 грн
14+23.22 грн
100+11.72 грн
500+9.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MB4S-E3/80 MB4S-E3/80 Vishay General Semiconductor - Diodes Division mb2s.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 400V 0.5A TO269AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-269AA, 4-BESOP
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TO-269AA (MBS)
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 500 mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 400 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 22901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.50 грн
10+33.64 грн
100+21.71 грн
500+15.53 грн
1000+13.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SS14-E3/5AT SS14-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss12.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 40 V
на замовлення 84168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.69 грн
23+13.56 грн
100+9.35 грн
500+7.10 грн
1000+5.04 грн
2000+4.42 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
B140-E3/5AT B140-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division irl620.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 40 V
на замовлення 27641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.92 грн
30+10.27 грн
100+7.07 грн
500+5.37 грн
1000+4.57 грн
2000+4.22 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SS10PH10-M3/86A SS10PH10-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss10ph10.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 270pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
на замовлення 19027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.48 грн
10+38.70 грн
100+31.69 грн
500+22.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MBRB10100-E3/8W MBRB10100-E3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division mbr10100-m3.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 100 V
на замовлення 6838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.09 грн
10+73.11 грн
100+61.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MBRB1645-E3/81 MBRB1645-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division mbrf16xx.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 16A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 45 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRB1660-E3/81 MBRB1660-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division mbrf16xx.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 16A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EDF1DS-E3/77 EDF1DS-E3/77 Vishay General Semiconductor - Diodes Division edf1as.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DFS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DFS
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 4868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.72 грн
10+79.24 грн
100+53.05 грн
500+39.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
US1M-E3/5AT US1M-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division us1_test_dcicons.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 18477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.90 грн
22+14.10 грн
100+10.61 грн
500+7.81 грн
1000+6.24 грн
2000+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
AS4PM-M3/86A as4pd.pdf
AS4PM-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 2.4A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 962 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.89 грн
10+49.97 грн
100+38.31 грн
500+28.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
AU1PM-M3/84A au1pm.pdf
AU1PM-M3/84A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1A DO220AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-220AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 7.5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
на замовлення 22232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.22 грн
14+22.22 грн
100+15.03 грн
500+11.00 грн
1000+9.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
AU2PJ-M3/86A au2pj.pdf
AU2PJ-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 600V 1.6A TO277A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AU2PM-M3/86A au2pm.pdf
AU2PM-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.3A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 29pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.3A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AU3PM-M3/86A au3pm.pdf
AU3PM-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.4A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 42pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 8883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.60 грн
10+65.22 грн
100+50.83 грн
500+39.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AS3PG-M3/86A as3pd.pdf
AS3PG-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 400V 2.1A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.2 µs
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 37pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.1A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+53.32 грн
10+45.29 грн
100+34.75 грн
500+25.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BYV26EGP-E3/73 byv26dgp.pdf
BYV26EGP-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 1785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.91 грн
10+36.86 грн
100+24.82 грн
500+17.54 грн
1000+16.95 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RGP10M-E3/73 rgp10a.pdf
RGP10M-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 5288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.34 грн
11+27.97 грн
100+18.84 грн
500+16.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SB360-E3/73 sb320.pdf
SB360-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 60 V
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.77 грн
12+27.20 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MB6S-E3/80 mb2s.pdf
MB6S-E3/80
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1P 600V 0.5A TO269AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-269AA, 4-BESOP
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TO-269AA (MBS)
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 500 mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 400 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 96009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.50 грн
10+33.64 грн
100+21.71 грн
500+15.53 грн
1000+13.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SBYV26C-E3/54 sbyv26c.pdf
SBYV26C-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600
на замовлення 29277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.08 грн
19+16.40 грн
100+15.79 грн
500+13.04 грн
1000+11.58 грн
2000+11.40 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54C-E3-08 BAT54_A_C_S_Rev1.9_3-16-16.pdf
BAT54C-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 200MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
на замовлення 30834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+13.53 грн
36+8.58 грн
100+6.12 грн
500+4.75 грн
1000+4.22 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
US1J-E3/61T description us1_test_dcicons.pdf
US1J-E3/61T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 4351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.26 грн
19+16.94 грн
100+11.59 грн
500+8.02 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
VS-10TTS08STRLPBF 10TTS08S.pdf
VS-10TTS08STRLPBF
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: SCR 800V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Hold (Ih) (Max): 30 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 15 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 140A @ 50Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 6.5 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.15 V
Current - Off State (Max): 50 µA
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Current - On State (It (RMS)) (Max): 10 A
Voltage - Off State: 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16-E3-08 bas16.pdf
BAS16-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 75V 150MA SOT233
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 75 V
на замовлення 35203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+8.75 грн
55+5.67 грн
100+4.44 грн
500+3.07 грн
1000+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
BAW56-E3-08 baw56.pdf
BAW56-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARRAY GP 70V 250MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
на замовлення 10847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+12.73 грн
44+7.13 грн
100+5.06 грн
500+3.81 грн
1000+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C5V6P-E3-08 bzd27series.pdf
BZD27C5V6P-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 5.6V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 4 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 2 V
на замовлення 47776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.69 грн
23+13.33 грн
100+8.96 грн
500+6.48 грн
1000+5.83 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
VS-MBRA140TRPBF vs-mbra140trpbf.pdf
VS-MBRA140TRPBF
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 38pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
на замовлення 28803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.63 грн
13+24.45 грн
100+22.53 грн
500+17.29 грн
1000+13.25 грн
2000+12.20 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
VS-MBRS1100TRPBF VS-MBRS190TRPBF_MBRS1100TRPBF.pdf
VS-MBRS1100TRPBF
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 780 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-MBRS130LTRPBF MBRS130LTRPBF.pdf
VS-MBRS130LTRPBF
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 420 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-MBRS130TRPBF MBRS130LTRPBF.pdf
VS-MBRS130TRPBF
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 420 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-MBRS340TRPBF VS-MBRS340TRPbF.pdf
VS-MBRS340TRPBF
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 525 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-MBRS360TRPBF VS-MBRS360TRPBF.pdf
VS-MBRS360TRPBF
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 740 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SL03-GS08 sl02.pdf
SL03-GS08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1.1A DO219AB
на замовлення 14461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VBUS052BD-HTF-GS08 vbus052bd-htf.pdf
VBUS052BD-HTF-GS08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 5VWM 16VC 4-LLP75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 1.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: 4-LLP75
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 6.9V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 16V
Power - Peak Pulse: 45W
Power Line Protection: No
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AS4PD-M3/86A as4pd.pdf
AS4PD-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 962 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 3805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.93 грн
10+42.38 грн
100+29.31 грн
500+22.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
AU2PK-M3/86A au2pm.pdf
AU2PK-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 800V 1.3A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 29pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.3A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AS4PJ-M3/86A as4pd.pdf
AS4PJ-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 600V 2.4A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 962 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.30 грн
10+48.36 грн
100+37.10 грн
500+27.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
AR1PJ-M3/84A ar1pm.pdf
AR1PJ-M3/84A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 600V 1A DO220AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-220AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 12.5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 3241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.02 грн
12+27.05 грн
100+18.44 грн
500+12.98 грн
1000+9.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
AR1PG-M3/84A ar1pm.pdf
AR1PG-M3/84A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 400V 1A DO220AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-220AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 12.5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
на замовлення 5860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.02 грн
12+27.05 грн
100+18.44 грн
500+12.98 грн
1000+9.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
VCUT05D1-SD0-G4-08 VCUT05D1-SD0.pdf
VCUT05D1-SD0-G4-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 5.5VWM 13VC CLP0603
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VCUT05D1-SD0-G4-08 VCUT05D1-SD0.pdf
VCUT05D1-SD0-G4-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 5.5VWM 13VC CLP0603
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AU1PD-M3/84A au1pm.pdf
AU1PD-M3/84A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 200V 1A DO220AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-220AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 11pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 7457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.63 грн
13+24.52 грн
100+14.72 грн
500+12.79 грн
1000+8.70 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
AU1PG-M3/84A au1pm.pdf
AU1PG-M3/84A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 400V 1A DO220AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-220AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 11pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
на замовлення 7309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.87 грн
18+17.40 грн
100+10.45 грн
500+9.07 грн
1000+6.39 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SS2P5-M3/84A ss2p5.pdf
SS2P5-M3/84A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 2A DO220AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-220AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 50 V
на замовлення 9876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.47 грн
20+15.63 грн
100+13.40 грн
500+9.87 грн
1000+8.88 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
AU1PJ-M3/84A au1pm.pdf
AU1PJ-M3/84A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 600V 1A DO220AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-220AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 11pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 6718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.61 грн
11+28.58 грн
100+19.45 грн
500+13.69 грн
1000+10.27 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
VS-FB190SA10 VS-FB190SA10.pdf
VS-FB190SA10
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: MOSFET N-CH 100V 190A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 568W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.35V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-UFB280FA40 vs-ufb280fa40.pdf
VS-UFB280FA40
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE MODULE GP 400V 170A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 93 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 170A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.24 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 400 V
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2189.27 грн
10+1545.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VSSA310S-M3/61T vssa310s.pdf
VSSA310S-M3/61T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 1.7A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.7A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 100 V
на замовлення 9105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.24 грн
16+19.54 грн
100+13.19 грн
500+9.62 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
VSB2200S-M3/54 VSB2200S.pdf
VSB2200S-M3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 2A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.23 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VSB3200-M3/54 irl620.pdf
VSB3200-M3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VSSA310S-M3/61T vssa310s.pdf
VSSA310S-M3/61T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 1.7A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.7A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 100 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1800+8.88 грн
3600+7.82 грн
5400+7.45 грн
9000+6.59 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
PB3008-E3/45 pb3006.pdf
PB3008-E3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1P 800V 30A PB
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, PB
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: isoCINK+™ PB
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 30 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+274.55 грн
10+222.31 грн
100+179.83 грн
500+150.01 грн
1000+128.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PB3508-E3/45 pb3506.pdf
PB3508-E3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 35A PB
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, PB
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: isoCINK+™ PB
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
на замовлення 548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+350.95 грн
20+181.31 грн
100+158.60 грн
500+122.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PB3510-E3/45 pb3506.pdf
PB3510-E3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 35A PB
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, PB
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: isoCINK+™ PB
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 1128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+350.95 грн
20+136.14 грн
100+132.50 грн
500+120.16 грн
1000+114.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PB5008-E3/45 pb5006.pdf
PB5008-E3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 45A PB
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, PB
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: isoCINK+™ PB
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 45 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 22.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
на замовлення 4123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+327.08 грн
20+188.25 грн
100+150.25 грн
500+138.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
V30150C-M3/4W v30150c.pdf
V30150C-M3/4W
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOT 150V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-220-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.36 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VBT10200C-E3/4W vt10200c.pdf
VBT10200C-E3/4W
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOTT 200V 5A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 200 V
на замовлення 753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.19 грн
50+60.19 грн
100+47.70 грн
500+37.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
VT10200C-E3/4W vt10200c.pdf
VT10200C-E3/4W
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOTT 200V 5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-220-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 200 V
на замовлення 656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.36 грн
50+65.52 грн
100+51.93 грн
500+41.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BYS12-90-E3/TR bys12-90.pdf
BYS12-90-E3/TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 90V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 90 V
на замовлення 18413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.61 грн
12+26.36 грн
100+16.41 грн
500+10.53 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BYS11-90-E3/TR bys1190.pdf
BYS11-90-E3/TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 90V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 90 V
на замовлення 5632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.22 грн
14+23.22 грн
100+11.72 грн
500+9.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MB4S-E3/80 mb2s.pdf
MB4S-E3/80
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1P 400V 0.5A TO269AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-269AA, 4-BESOP
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TO-269AA (MBS)
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 500 mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 400 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 22901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.50 грн
10+33.64 грн
100+21.71 грн
500+15.53 грн
1000+13.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SS14-E3/5AT ss12.pdf
SS14-E3/5AT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 40 V
на замовлення 84168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.69 грн
23+13.56 грн
100+9.35 грн
500+7.10 грн
1000+5.04 грн
2000+4.42 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
B140-E3/5AT irl620.pdf
B140-E3/5AT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 40 V
на замовлення 27641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.92 грн
30+10.27 грн
100+7.07 грн
500+5.37 грн
1000+4.57 грн
2000+4.22 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SS10PH10-M3/86A ss10ph10.pdf
SS10PH10-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 270pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
на замовлення 19027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.48 грн
10+38.70 грн
100+31.69 грн
500+22.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MBRB10100-E3/8W mbr10100-m3.pdf
MBRB10100-E3/8W
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 100 V
на замовлення 6838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.09 грн
10+73.11 грн
100+61.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MBRB1645-E3/81 mbrf16xx.pdf
MBRB1645-E3/81
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 16A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 45 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRB1660-E3/81 mbrf16xx.pdf
MBRB1660-E3/81
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 16A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EDF1DS-E3/77 edf1as.pdf
EDF1DS-E3/77
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DFS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DFS
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 4868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.72 грн
10+79.24 грн
100+53.05 грн
500+39.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
US1M-E3/5AT us1_test_dcicons.pdf
US1M-E3/5AT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 18477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+19.90 грн
22+14.10 грн
100+10.61 грн
500+7.81 грн
1000+6.24 грн
2000+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 66 132 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 198 264 330 396 462 528 594 660 668  [ Наступна Сторінка >> ]