Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > Всі товари виробника VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION (40417) > Сторінка 173 з 674

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 67 134 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 201 268 335 402 469 536 603 670 674  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
1N4937GP-E3/54 1N4937GP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n4933gp.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 12849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+17.15 грн
28+11.40 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
1N4948GP-E3/54 1N4948GP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n4942gp.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
на замовлення 13476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+21.23 грн
21+15.65 грн
100+14.48 грн
500+12.51 грн
1000+12.04 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
1N5059GP-E3/54 1N5059GP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n5059gp.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 27757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.97 грн
22+14.63 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
1N5061GP-E3/54 1N5061GP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n5059gp.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 10027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.83 грн
11+30.12 грн
100+24.98 грн
500+18.00 грн
1000+16.24 грн
2000+14.76 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
1N5062GP-E3/54 1N5062GP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n5059gp.pdf Description: DIODE STANDARD 800V 1A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 7642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.66 грн
13+24.53 грн
100+21.21 грн
500+17.46 грн
1000+15.75 грн
2000+14.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
1N5397-E3/54 1N5397-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n5391.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 1.5A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 28392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.35 грн
57+5.58 грн
100+3.88 грн
500+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
1N5399-E3/54 1N5399-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n5391.pdf Description: DIODE STD 1000V 1.5A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 39136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+8.17 грн
59+5.35 грн
100+5.22 грн
500+3.66 грн
1000+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
1N5615GP-E3/54 1N5615GP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n5615gp.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 200 V
на замовлення 7448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.63 грн
11+31.06 грн
100+24.83 грн
500+17.88 грн
1000+16.14 грн
2000+14.67 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
1N5618GP-E3/54 1N5618GP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5614GP-1N5622GP.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 12V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5619GP-E3/54 1N5619GP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n5615gp.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 600 V
на замовлення 5222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.63 грн
11+31.06 грн
100+24.83 грн
500+17.88 грн
1000+16.14 грн
2000+14.67 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
1N5625GP-E3/54 1N5625GP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5624-27.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5627GP-E3/54 1N5627GP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5624-27.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B140-E3/61T B140-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division b120.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 40 V
на замовлення 113118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.33 грн
41+7.71 грн
100+6.73 грн
500+4.65 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
B240A-E3/61T B240A-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division b230la.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
на замовлення 1869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.97 грн
27+11.80 грн
100+10.91 грн
500+10.22 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
B340A-E3/61T B340A-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division b330la.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
на замовлення 12441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.03 грн
17+19.58 грн
100+15.40 грн
500+10.91 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
B340LB-E3/52T B340LB-E3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division b340lb.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 40 V
на замовлення 9771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.56 грн
17+18.79 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BY255P-E3/54 BY255P-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division by251p.pdf Description: DIODE STANDARD 1300V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1300
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V
на замовлення 23251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.21 грн
17+18.72 грн
100+16.57 грн
500+14.15 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10G-E3/TR BYG10G-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg10.pdf Description: DIODE AVAL 400V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
на замовлення 5162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.86 грн
23+14.23 грн
100+11.11 грн
500+9.44 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10J-E3/TR BYG10J-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg10.pdf Description: DIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.31 грн
21+15.26 грн
100+10.79 грн
500+8.47 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10M-E3/TR BYG10M-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg10.pdf Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
на замовлення 53024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.78 грн
29+11.01 грн
100+10.36 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10Y-E3/TR BYG10Y-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg10.pdf Description: DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1600 V
на замовлення 18120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.40 грн
16+20.76 грн
100+18.87 грн
500+13.93 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BYG20D-E3/TR BYG20D-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg20d.pdf Description: DIODE AVAL 200V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 32245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.40 грн
17+19.19 грн
100+11.02 грн
500+8.60 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BYG20G-E3/TR BYG20G-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg20d.pdf Description: DIODE AVAL 400V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
на замовлення 1213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.13 грн
21+15.26 грн
100+12.83 грн
500+9.67 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BYG21K-E3/TR BYG21K-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg21k.pdf Description: DIODE AVAL 800V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.03 грн
16+20.13 грн
100+12.05 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BYG21M-E3/TR BYG21M-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg21k.pdf description Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
на замовлення 28591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.03 грн
18+18.32 грн
100+13.93 грн
500+9.83 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BYG22B-E3/TR BYG22B-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg22a.pdf Description: DIODE AVALANCHE 100V 2A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
на замовлення 44182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.46 грн
13+25.95 грн
100+20.00 грн
500+15.01 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BYG22D-E3/TR BYG22D-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg22a.pdf Description: DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 100705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.48 грн
14+23.28 грн
100+20.08 грн
500+15.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BYG23M-E3/TR BYG23M-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg23m.pdf Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 283868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.76 грн
20+15.73 грн
100+13.38 грн
500+10.46 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-1000-E3/96 BYM10-1000-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 32432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+24.50 грн
18+18.48 грн
100+13.82 грн
500+9.88 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BYM11-1000-E3/96 BYM11-1000-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym1150.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 5229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.03 грн
17+19.34 грн
100+14.86 грн
500+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BYM13-40-E3/96 BYM13-40-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym13.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A GL41
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB (GL41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
на замовлення 9916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+39.20 грн
10+32.16 грн
100+22.38 грн
500+16.40 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BYS10-45-E3/TR BYS10-45-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division bys10.pdf description Description: DIODE SCHOTTKY 45V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 45 V
на замовлення 14961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.41 грн
32+10.14 грн
100+9.59 грн
500+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BYV26EGP-E3/54 BYV26EGP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division byv26dgp.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 10802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.26 грн
10+32.40 грн
100+26.36 грн
500+19.03 грн
1000+17.19 грн
2000+15.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DF005S-E3/77 DF005S-E3/77 Vishay General Semiconductor - Diodes Division dfs.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 1A DFS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DFS
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 4369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.11 грн
10+50.96 грн
100+29.72 грн
500+23.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DF04SA-E3/77 DF04SA-E3/77 Vishay General Semiconductor - Diodes Division dfsa.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 1A DFS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DFS
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 6695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.86 грн
10+39.32 грн
100+20.10 грн
500+16.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DF04S-E3/77 DF04S-E3/77 Vishay General Semiconductor - Diodes Division dfs.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 1A DFS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DFS
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.11 грн
10+49.70 грн
100+30.78 грн
500+24.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DF06SA-E3/77 DF06SA-E3/77 Vishay General Semiconductor - Diodes Division dfsa.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DFS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DFS
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 2942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.68 грн
10+43.56 грн
100+28.47 грн
500+20.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DF06S-E3/77 DF06S-E3/77 Vishay General Semiconductor - Diodes Division dfs.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DFS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DFS
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 31274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.93 грн
10+51.27 грн
100+33.73 грн
500+24.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DF08S-E3/77 DF08S-E3/77 Vishay General Semiconductor - Diodes Division dfs.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DFS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DFS
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 2718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.11 грн
10+50.88 грн
100+33.39 грн
500+23.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DF10SA-E3/77 DF10SA-E3/77 Vishay General Semiconductor - Diodes Division dfsa.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DFS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DFS
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 8248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.68 грн
10+43.56 грн
100+28.47 грн
500+20.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DF10S-E3/77 DF10S-E3/77 Vishay General Semiconductor - Diodes Division dfs.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DFS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DFS
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 4590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.93 грн
10+51.27 грн
100+33.73 грн
500+24.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
EGF1T-E3/67A EGF1T-E3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division egf1t.pdf Description: DIODE STANDARD 1300V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V
на замовлення 4242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.56 грн
13+25.95 грн
100+23.82 грн
500+17.94 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
EGL34D-E3/98 EGL34D-E3/98 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl34.pdf Description: DIODE STD 200V 500MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 10439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.48 грн
14+22.49 грн
100+14.61 грн
500+12.35 грн
1000+11.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
EGL34G-E3/98 EGL34G-E3/98 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl34.pdf Description: DIODE STD 400V 500MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 5816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.31 грн
19+17.46 грн
100+15.65 грн
500+12.11 грн
1000+11.16 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
EGL41B-E3/96 EGL41B-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl41.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 3432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.56 грн
12+28.23 грн
100+16.95 грн
500+14.73 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
EGL41D-E3/96 EGL41D-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl41.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 3458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.56 грн
14+23.98 грн
100+15.96 грн
500+12.56 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
EGL41G-E3/96 EGL41G-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl41.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 14pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 2531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.38 грн
14+23.04 грн
100+18.97 грн
500+16.62 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ES1A-E3/61T ES1A-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division es1.pdf Description: DIODE STANDARD 50V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 4601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.41 грн
26+12.11 грн
100+10.03 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
ES1B-E3/61T ES1B-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division es1.pdf description Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 97836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.78 грн
32+10.14 грн
100+9.37 грн
500+6.48 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
ES2A-E3/52T ES2A-E3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division es2.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
на замовлення 3179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.85 грн
13+26.03 грн
100+18.13 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
GF1A-E3/67A GF1A-E3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division gf1x.pdf Description: DIODE STANDARD 50V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 5137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.40 грн
15+21.39 грн
100+19.92 грн
500+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
GF1B-E3/67A GF1B-E3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division gf1x.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 1082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.10 грн
13+25.40 грн
100+20.98 грн
500+16.20 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
GF1G-E3/67A GF1G-E3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division gf1x.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 24730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.75 грн
14+23.83 грн
100+21.79 грн
500+16.14 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
GF1J-E3/67A GF1J-E3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division gf1x.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 4508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.75 грн
13+25.32 грн
100+21.79 грн
500+16.00 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
GF1M-E3/67A GF1M-E3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division gf1x.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 37704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.45 грн
10+32.24 грн
100+25.44 грн
500+18.29 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
GL34G-E3/98 GL34G-E3/98 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gl34a.pdf Description: DIODE STD 400V 500MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 4375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+39.20 грн
13+25.01 грн
100+18.68 грн
500+13.51 грн
1000+12.10 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
GL34J-E3/98 GL34J-E3/98 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gl34a.pdf Description: DIODE STD 600V 500MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 1364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+24.50 грн
19+16.67 грн
100+13.23 грн
500+10.77 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
GL41G-E3/96 GL41G-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 16833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+40.01 грн
20+16.20 грн
100+15.81 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
GL41J-E3/96 GL41J-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 7323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.31 грн
15+21.15 грн
100+14.70 грн
500+10.76 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
GL41M-E3/96 GL41M-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 7001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.46 грн
13+25.87 грн
100+21.87 грн
500+16.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
1N4937GP-E3/54 1n4933gp.pdf
1N4937GP-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 12849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+17.15 грн
28+11.40 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
1N4948GP-E3/54 1n4942gp.pdf
1N4948GP-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
на замовлення 13476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+21.23 грн
21+15.65 грн
100+14.48 грн
500+12.51 грн
1000+12.04 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
1N5059GP-E3/54 1n5059gp.pdf
1N5059GP-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 27757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+17.97 грн
22+14.63 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
1N5061GP-E3/54 1n5059gp.pdf
1N5061GP-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 10027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.83 грн
11+30.12 грн
100+24.98 грн
500+18.00 грн
1000+16.24 грн
2000+14.76 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
1N5062GP-E3/54 1n5059gp.pdf
1N5062GP-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 800V 1A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 7642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.66 грн
13+24.53 грн
100+21.21 грн
500+17.46 грн
1000+15.75 грн
2000+14.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
1N5397-E3/54 1n5391.pdf
1N5397-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 1.5A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 28392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+7.35 грн
57+5.58 грн
100+3.88 грн
500+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
1N5399-E3/54 1n5391.pdf
1N5399-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STD 1000V 1.5A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 39136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+8.17 грн
59+5.35 грн
100+5.22 грн
500+3.66 грн
1000+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
1N5615GP-E3/54 1n5615gp.pdf
1N5615GP-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 200 V
на замовлення 7448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.63 грн
11+31.06 грн
100+24.83 грн
500+17.88 грн
1000+16.14 грн
2000+14.67 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
1N5618GP-E3/54 1N5614GP-1N5622GP.pdf
1N5618GP-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 12V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5619GP-E3/54 1n5615gp.pdf
1N5619GP-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 600 V
на замовлення 5222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.63 грн
11+31.06 грн
100+24.83 грн
500+17.88 грн
1000+16.14 грн
2000+14.67 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
1N5625GP-E3/54 1N5624-27.pdf
1N5625GP-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5627GP-E3/54 1N5624-27.pdf
1N5627GP-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B140-E3/61T b120.pdf
B140-E3/61T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 40 V
на замовлення 113118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.33 грн
41+7.71 грн
100+6.73 грн
500+4.65 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
B240A-E3/61T b230la.pdf
B240A-E3/61T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
на замовлення 1869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+17.97 грн
27+11.80 грн
100+10.91 грн
500+10.22 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
B340A-E3/61T b330la.pdf
B340A-E3/61T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
на замовлення 12441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.03 грн
17+19.58 грн
100+15.40 грн
500+10.91 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
B340LB-E3/52T b340lb.pdf
B340LB-E3/52T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 40 V
на замовлення 9771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.56 грн
17+18.79 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BY255P-E3/54 by251p.pdf
BY255P-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1300V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1300
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V
на замовлення 23251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.21 грн
17+18.72 грн
100+16.57 грн
500+14.15 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10G-E3/TR byg10.pdf
BYG10G-E3/TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 400V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
на замовлення 5162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.86 грн
23+14.23 грн
100+11.11 грн
500+9.44 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10J-E3/TR byg10.pdf
BYG10J-E3/TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.31 грн
21+15.26 грн
100+10.79 грн
500+8.47 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10M-E3/TR byg10.pdf
BYG10M-E3/TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
на замовлення 53024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.78 грн
29+11.01 грн
100+10.36 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10Y-E3/TR byg10.pdf
BYG10Y-E3/TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1600 V
на замовлення 18120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.40 грн
16+20.76 грн
100+18.87 грн
500+13.93 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BYG20D-E3/TR byg20d.pdf
BYG20D-E3/TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 200V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 32245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.40 грн
17+19.19 грн
100+11.02 грн
500+8.60 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BYG20G-E3/TR byg20d.pdf
BYG20G-E3/TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 400V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
на замовлення 1213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.13 грн
21+15.26 грн
100+12.83 грн
500+9.67 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BYG21K-E3/TR byg21k.pdf
BYG21K-E3/TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 800V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.03 грн
16+20.13 грн
100+12.05 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BYG21M-E3/TR description byg21k.pdf
BYG21M-E3/TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
на замовлення 28591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.03 грн
18+18.32 грн
100+13.93 грн
500+9.83 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BYG22B-E3/TR byg22a.pdf
BYG22B-E3/TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 100V 2A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
на замовлення 44182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.46 грн
13+25.95 грн
100+20.00 грн
500+15.01 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BYG22D-E3/TR byg22a.pdf
BYG22D-E3/TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 100705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.48 грн
14+23.28 грн
100+20.08 грн
500+15.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BYG23M-E3/TR byg23m.pdf
BYG23M-E3/TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 283868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.76 грн
20+15.73 грн
100+13.38 грн
500+10.46 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-1000-E3/96 bym10-xxx.pdf
BYM10-1000-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 32432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+24.50 грн
18+18.48 грн
100+13.82 грн
500+9.88 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BYM11-1000-E3/96 bym1150.pdf
BYM11-1000-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 5229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.03 грн
17+19.34 грн
100+14.86 грн
500+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BYM13-40-E3/96 bym13.pdf
BYM13-40-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A GL41
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB (GL41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
на замовлення 9916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.20 грн
10+32.16 грн
100+22.38 грн
500+16.40 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BYS10-45-E3/TR description bys10.pdf
BYS10-45-E3/TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 45 V
на замовлення 14961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.41 грн
32+10.14 грн
100+9.59 грн
500+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BYV26EGP-E3/54 byv26dgp.pdf
BYV26EGP-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 10802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.26 грн
10+32.40 грн
100+26.36 грн
500+19.03 грн
1000+17.19 грн
2000+15.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DF005S-E3/77 dfs.pdf
DF005S-E3/77
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 1A DFS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DFS
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 4369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.11 грн
10+50.96 грн
100+29.72 грн
500+23.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DF04SA-E3/77 dfsa.pdf
DF04SA-E3/77
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 1A DFS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DFS
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 6695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.86 грн
10+39.32 грн
100+20.10 грн
500+16.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DF04S-E3/77 dfs.pdf
DF04S-E3/77
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 1A DFS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DFS
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.11 грн
10+49.70 грн
100+30.78 грн
500+24.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DF06SA-E3/77 dfsa.pdf
DF06SA-E3/77
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DFS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DFS
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 2942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.68 грн
10+43.56 грн
100+28.47 грн
500+20.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DF06S-E3/77 dfs.pdf
DF06S-E3/77
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DFS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DFS
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 31274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.93 грн
10+51.27 грн
100+33.73 грн
500+24.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DF08S-E3/77 dfs.pdf
DF08S-E3/77
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DFS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DFS
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 2718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.11 грн
10+50.88 грн
100+33.39 грн
500+23.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DF10SA-E3/77 dfsa.pdf
DF10SA-E3/77
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DFS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DFS
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 8248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.68 грн
10+43.56 грн
100+28.47 грн
500+20.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DF10S-E3/77 dfs.pdf
DF10S-E3/77
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DFS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DFS
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 4590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.93 грн
10+51.27 грн
100+33.73 грн
500+24.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
EGF1T-E3/67A egf1t.pdf
EGF1T-E3/67A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1300V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V
на замовлення 4242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.56 грн
13+25.95 грн
100+23.82 грн
500+17.94 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
EGL34D-E3/98 egl34.pdf
EGL34D-E3/98
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STD 200V 500MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 10439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.48 грн
14+22.49 грн
100+14.61 грн
500+12.35 грн
1000+11.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
EGL34G-E3/98 egl34.pdf
EGL34G-E3/98
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STD 400V 500MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 5816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.31 грн
19+17.46 грн
100+15.65 грн
500+12.11 грн
1000+11.16 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
EGL41B-E3/96 egl41.pdf
EGL41B-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 3432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.56 грн
12+28.23 грн
100+16.95 грн
500+14.73 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
EGL41D-E3/96 egl41.pdf
EGL41D-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 3458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.56 грн
14+23.98 грн
100+15.96 грн
500+12.56 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
EGL41G-E3/96 egl41.pdf
EGL41G-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 14pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 2531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.38 грн
14+23.04 грн
100+18.97 грн
500+16.62 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ES1A-E3/61T es1.pdf
ES1A-E3/61T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 50V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 4601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.41 грн
26+12.11 грн
100+10.03 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
ES1B-E3/61T description es1.pdf
ES1B-E3/61T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 97836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.78 грн
32+10.14 грн
100+9.37 грн
500+6.48 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
ES2A-E3/52T es2.pdf
ES2A-E3/52T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
на замовлення 3179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.85 грн
13+26.03 грн
100+18.13 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
GF1A-E3/67A gf1x.pdf
GF1A-E3/67A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 50V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 5137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.40 грн
15+21.39 грн
100+19.92 грн
500+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
GF1B-E3/67A gf1x.pdf
GF1B-E3/67A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 1082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.10 грн
13+25.40 грн
100+20.98 грн
500+16.20 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
GF1G-E3/67A gf1x.pdf
GF1G-E3/67A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 24730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.75 грн
14+23.83 грн
100+21.79 грн
500+16.14 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
GF1J-E3/67A gf1x.pdf
GF1J-E3/67A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 4508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.75 грн
13+25.32 грн
100+21.79 грн
500+16.00 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
GF1M-E3/67A gf1x.pdf
GF1M-E3/67A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 37704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.45 грн
10+32.24 грн
100+25.44 грн
500+18.29 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
GL34G-E3/98 gl34a.pdf
GL34G-E3/98
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STD 400V 500MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 4375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.20 грн
13+25.01 грн
100+18.68 грн
500+13.51 грн
1000+12.10 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
GL34J-E3/98 gl34a.pdf
GL34J-E3/98
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STD 600V 500MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 1364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+24.50 грн
19+16.67 грн
100+13.23 грн
500+10.77 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
GL41G-E3/96 bym10-xxx.pdf
GL41G-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 16833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+40.01 грн
20+16.20 грн
100+15.81 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
GL41J-E3/96 bym10-xxx.pdf
GL41J-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 7323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.31 грн
15+21.15 грн
100+14.70 грн
500+10.76 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
GL41M-E3/96 bym10-xxx.pdf
GL41M-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 7001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.46 грн
13+25.87 грн
100+21.87 грн
500+16.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 67 134 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 201 268 335 402 469 536 603 670 674  [ Наступна Сторінка >> ]