Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > Всі товари виробника VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION (41228) > Сторінка 208 з 688

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 68 136 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 272 340 408 476 544 612 680 688  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SMAZ5927B-E3/61 SMAZ5927B-E3/61 Vishay General Semiconductor - Diodes Division smaz59xb.pdf Description: DIODE ZENER 12V 500MW DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 9.1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Impedance (Max) (Zzt): 6.5 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Package / Case: DO-214AC, SMA
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 1902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.94 грн
18+17.42 грн
100+7.96 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMZJ3789B-E3/52 SMZJ3789B-E3/52 Vishay General Semiconductor - Diodes Division smzj.pdf Description: DIODE ZENER 10V 1.5W DO214AA
на замовлення 4214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.95 грн
11+27.72 грн
100+17.74 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS2PH10HM3/84A SS2PH10HM3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS2PH9_PH10_Dec23_2014.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO220AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS3P6HM3/84A SS3P6HM3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss3p5.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO220AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 780 mV @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Current - Average Rectified (Io): 3A
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-220AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.40 грн
16+18.90 грн
100+11.35 грн
500+9.86 грн
1000+6.70 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TGL41-36A-E3/96 TGL41-36A-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division tgl41.pdf Description: TVS DIODE 30.8VWM DO213AB
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 49.9V
Voltage - Breakdown (Min): 34.2V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-213AB (GL41)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30.8V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.93 грн
10+75.68 грн
100+50.68 грн
500+37.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TGL41-6.8A-E3/96 TGL41-6.8A-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division tgl41.pdf Description: TVS DIODE 5.8VWM 10.5V DO213AB
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 10.5V
Voltage - Breakdown (Min): 6.45V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-213AB (GL41)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.8V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 38.1A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.54 грн
10+78.87 грн
100+52.95 грн
500+39.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VBUS052CD-FAH-GS08 VBUS052CD-FAH-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vbus052c.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 5VC LLP1713-7L
Type: Steering (Rail to Rail)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Power Line Protection: Yes
Power - Peak Pulse: 63W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 5V
Voltage - Breakdown (Min): 6.9V
Unidirectional Channels: 2
Supplier Device Package: LLP1713-7L
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3.5A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 0.8pF @ 1MHz
Applications: HDMI
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
на замовлення 12281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.57 грн
10+30.61 грн
100+22.94 грн
500+17.02 грн
1000+15.50 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5819-E3/73 1N5819-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n5817.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 40 V
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.34 грн
10+31.50 грн
100+20.27 грн
500+14.47 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DGP15-E3/73 DGP15-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division cgp15.pdf Description: DIODE GP 1.5KV 1.5A DO204AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1500 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.74 грн
10+43.81 грн
100+30.29 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SB3H100-E3/73 SB3H100-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division sb3h90.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO201AD
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-201AD, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: DO-201AD
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Schottky
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.34 грн
10+33.43 грн
100+22.44 грн
500+16.78 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS385-TR BAS385-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division bas385.pdf Description: DIODE SCHOTT 30V 200MA MICROMELF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: MicroMELF
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.3 µA @ 25 V
на замовлення 13831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.17 грн
20+15.49 грн
100+9.73 грн
500+6.78 грн
1000+6.02 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SD103AWS-E3-08 SD103AWS-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division sd103aws_sd103bws_sd103cws.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 350MA SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 10 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 350mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 30 V
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.10 грн
16+19.64 грн
100+12.40 грн
500+8.70 грн
1000+7.75 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S1AHE3_A/I S1AHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division s1.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S1DHE3_A/H S1DHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division s1.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+4.37 грн
3600+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3AHE3_A/H S3AHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division s3a.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Current - Average Rectified (Io): 3A
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3AHE3_A/I S3AHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division s3a.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Current - Average Rectified (Io): 3A
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3MHE3_A/I S3MHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division s3a.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO214AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Current - Average Rectified (Io): 3A
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S5AHE3_A/H S5AHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division s5a.pdf Description: DIODE STANDARD 50V 5A DO214AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Current - Average Rectified (Io): 5A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S5AHE3_A/I S5AHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division s5a.pdf Description: DIODE STANDARD 50V 5A DO214AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Current - Average Rectified (Io): 5A
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S5JHE3_A/I S5JHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division s5a.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Current - Average Rectified (Io): 5A
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S5MHE3_A/H S5MHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division s5a.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 5A DO214AB
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Current - Average Rectified (Io): 5A
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
850+14.14 грн
Мінімальне замовлення: 850 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S5MHE3_A/I S5MHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division s5a.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 5A DO214AB
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Current - Average Rectified (Io): 5A
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3500+12.88 грн
7000+12.20 грн
Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MPG06AHE3_A/54 MPG06AHE3_A/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MPG06%28A-M%29.pdf Description: DIODE STANDARD 50V 1A MPG06
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: MPG06
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 600 ns
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: MPG06, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 22000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MPG06BHE3_A/54 MPG06BHE3_A/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MPG06(A-M).pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A MPG06
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: MPG06
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 600 ns
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: MPG06, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 22000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MPG06BHE3_A/73 MPG06BHE3_A/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MPG06(A-M).pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A MPG06
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 18000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MPG06GHE3_A/73 MPG06GHE3_A/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MPG06(A-M).pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A MPG06
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: MPG06
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 600 ns
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: MPG06, Axial
Packaging: Tape & Box (TB)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MPG06JHE3_A/73 MPG06JHE3_A/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MPG06(A-M).pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A MPG06
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: MPG06
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 600 ns
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: MPG06, Axial
Packaging: Tape & Box (TB)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MPG06KHE3_A/54 MPG06KHE3_A/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MPG06(A-M).pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1A MPG06
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: MPG06, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 600 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: MPG06
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 22000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MPG06KHE3_A/73 MPG06KHE3_A/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MPG06(A-M).pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1A MPG06
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: MPG06, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 600 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: MPG06
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MPG06MHE3_A/54 MPG06MHE3_A/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MPG06(A-M).pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A MPG06
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: MPG06, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 600 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: MPG06
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 22000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MPG06MHE3_A/73 MPG06MHE3_A/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MPG06(A-M).pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A MPG06
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: MPG06, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 600 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: MPG06
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RMPG06BHE3_A/54 RMPG06BHE3_A/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division rmpg06.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 1A MPG06
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: MPG06
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 6.6pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: MPG06, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 16500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RMPG06DHE3_A/54 RMPG06DHE3_A/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division rmpg06.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 1A MPG06
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: MPG06
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 6.6pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: MPG06, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 16500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RMPG06DHE3_A/73 RMPG06DHE3_A/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division rmpg06.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A MPG06
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RMPG06GHE3_A/54 RMPG06GHE3_A/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division rmpg06.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 1A MPG06
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: MPG06
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 6.6pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: MPG06, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 16500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RMPG06GHE3_A/73 RMPG06GHE3_A/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division rmpg06.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 1A MPG06
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: MPG06, Axial
Packaging: Tape & Box (TB)
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: MPG06
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 6.6pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RMPG06JHE3_A/73 RMPG06JHE3_A/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division rmpg06.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A MPG06
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RMPG06KHE3_A/54 RMPG06KHE3_A/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division rmpg06.pdf Description: DIODE STANDARD 800V 1A MPG06
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: MPG06
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 6.6pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: MPG06, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 16500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB510AHE3_A/H P6SMB510AHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division p6smb.pdf Description: TVS DIODE 434VWM 698VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 860mA
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 434V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 485V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 698V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB510AHE3_A/I P6SMB510AHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division p6smb.pdf Description: TVS DIODE 434VWM 698VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 860mA
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 434V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 485V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 698V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MPG06DHE3_A/54 MPG06DHE3_A/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MPG06(A-M).pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A MPG06
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: MPG06
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 600 ns
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: MPG06, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 22000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-113CNQ100ASLPBF VS-113CNQ100ASLPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-113CNQ100APbF.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 55A D618SL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 110 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D-61-8-SL
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 55A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: D-61-8-SL
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-10CTQ150SPBF VS-10CTQ150SPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10CTQ150%28SPBF%2C-1PBF%29.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 150V 5A TO263AB
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-20CTQ150SPBF VS-20CTQ150SPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20CTQ150SPBF%2C-1PBF.pdf Description: DIODE ARR SCHOT 150V 10A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-20ETF02SPBF VS-20ETF02SPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20ETF..SPbF_Series.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 20A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.67 V @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Current - Average Rectified (Io): 20A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-20ETF12SPBF VS-20ETF12SPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20ETFxxSPBF.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.31 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Current - Average Rectified (Io): 20A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-30CTH02SPBF VS-30CTH02SPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30CTH02(SPbF,PbF).pdf Description: DIODE ARRAY GP 200V 15A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-40CTQ150SPBF VS-40CTQ150SPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40CTQ150%28SPBF%2C-1PBF%29.pdf Description: DIODE ARR SCHOT 150V 20A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.16 V @ 40 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-82CNQ030ASLPBF VS-82CNQ030ASLPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-82CNQ030APbF.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 40A D618SL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 80 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-61-8-SL
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: D-61-8-SL
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-83CNQ100ASLPBF VS-83CNQ100ASLPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-83CNQ080A,100A.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 40A D618SL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 80 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D-61-8-SL
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: D-61-8-SL
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-MBRB1045PBF VS-MBRB1045PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBRB10%2835%2C45%29PbF.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 5V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-20CTQ150STRLPBF VS-20CTQ150STRLPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20CTQ150SPBF%2C-1PBF.pdf Description: DIODE ARR SCHOT 150V 10A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-20ETF10STRRPBF VS-20ETF10STRRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-20etf08s-m3.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 20A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.31 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VSSA310S-E3/5AT VSSA310S-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division vssa310s.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 1.7A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1.7A
Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 4V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7500+6.65 грн
15000+6.32 грн
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S1JHE3_A/H S1JHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division s1.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 57600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+6.24 грн
3600+5.06 грн
5400+4.83 грн
9000+3.92 грн
45000+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SE20AFBHM3/6A SE20AFBHM3/6A Vishay General Semiconductor - Diodes Division se20afb.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 2A DO221AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 14000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SE20AFJHM3/6A SE20AFJHM3/6A Vishay General Semiconductor - Diodes Division se20afb.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO221AC
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SE30AFBHM3/6A SE30AFBHM3/6A Vishay General Semiconductor - Diodes Division se30afb.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1.4A DO221AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 19pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.4A
Supplier Device Package: DO-221AC (SlimSMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3500+9.25 грн
7000+8.21 грн
10500+7.86 грн
Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SE30AFJHM3/6A SE30AFJHM3/6A Vishay General Semiconductor - Diodes Division se30afb.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 1.4A DO221AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 19pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.4A
Supplier Device Package: DO-221AC (SlimSMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 66500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3500+7.31 грн
7000+6.66 грн
Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
V10PL45-M3/86A V10PL45-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division v10pl45-m3.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 6A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 45 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+28.96 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMAZ5927B-E3/61 smaz59xb.pdf
SMAZ5927B-E3/61
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 12V 500MW DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 9.1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Impedance (Max) (Zzt): 6.5 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Package / Case: DO-214AC, SMA
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 1902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+26.94 грн
18+17.42 грн
100+7.96 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMZJ3789B-E3/52 smzj.pdf
SMZJ3789B-E3/52
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 10V 1.5W DO214AA
на замовлення 4214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+46.95 грн
11+27.72 грн
100+17.74 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS2PH10HM3/84A SS2PH9_PH10_Dec23_2014.pdf
SS2PH10HM3/84A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO220AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS3P6HM3/84A ss3p5.pdf
SS3P6HM3/84A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO220AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 780 mV @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Current - Average Rectified (Io): 3A
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-220AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+25.40 грн
16+18.90 грн
100+11.35 грн
500+9.86 грн
1000+6.70 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TGL41-36A-E3/96 tgl41.pdf
TGL41-36A-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 30.8VWM DO213AB
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 49.9V
Voltage - Breakdown (Min): 34.2V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-213AB (GL41)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30.8V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+123.93 грн
10+75.68 грн
100+50.68 грн
500+37.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TGL41-6.8A-E3/96 tgl41.pdf
TGL41-6.8A-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 5.8VWM 10.5V DO213AB
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 10.5V
Voltage - Breakdown (Min): 6.45V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-213AB (GL41)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.8V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 38.1A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+128.54 грн
10+78.87 грн
100+52.95 грн
500+39.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VBUS052CD-FAH-GS08 vbus052c.pdf
VBUS052CD-FAH-GS08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 5VWM 5VC LLP1713-7L
Type: Steering (Rail to Rail)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Power Line Protection: Yes
Power - Peak Pulse: 63W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 5V
Voltage - Breakdown (Min): 6.9V
Unidirectional Channels: 2
Supplier Device Package: LLP1713-7L
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3.5A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 0.8pF @ 1MHz
Applications: HDMI
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
на замовлення 12281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+41.57 грн
10+30.61 грн
100+22.94 грн
500+17.02 грн
1000+15.50 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5819-E3/73 1n5817.pdf
1N5819-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 40 V
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+52.34 грн
10+31.50 грн
100+20.27 грн
500+14.47 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DGP15-E3/73 cgp15.pdf
DGP15-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 1.5KV 1.5A DO204AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1500 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+67.74 грн
10+43.81 грн
100+30.29 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SB3H100-E3/73 sb3h90.pdf
SB3H100-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO201AD
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-201AD, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: DO-201AD
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Schottky
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+52.34 грн
10+33.43 грн
100+22.44 грн
500+16.78 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS385-TR bas385.pdf
BAS385-TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTT 30V 200MA MICROMELF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: MicroMELF
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.3 µA @ 25 V
на замовлення 13831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+26.17 грн
20+15.49 грн
100+9.73 грн
500+6.78 грн
1000+6.02 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SD103AWS-E3-08 sd103aws_sd103bws_sd103cws.pdf
SD103AWS-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 350MA SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 10 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 350mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 30 V
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.10 грн
16+19.64 грн
100+12.40 грн
500+8.70 грн
1000+7.75 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S1AHE3_A/I s1.pdf
S1AHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S1DHE3_A/H s1.pdf
S1DHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1800+4.37 грн
3600+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3AHE3_A/H s3a.pdf
S3AHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Current - Average Rectified (Io): 3A
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Grade: Automotive
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3AHE3_A/I s3a.pdf
S3AHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Current - Average Rectified (Io): 3A
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3MHE3_A/I s3a.pdf
S3MHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO214AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Current - Average Rectified (Io): 3A
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S5AHE3_A/H s5a.pdf
S5AHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 50V 5A DO214AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Current - Average Rectified (Io): 5A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S5AHE3_A/I s5a.pdf
S5AHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 50V 5A DO214AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Current - Average Rectified (Io): 5A
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S5JHE3_A/I s5a.pdf
S5JHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Current - Average Rectified (Io): 5A
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S5MHE3_A/H s5a.pdf
S5MHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1000V 5A DO214AB
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Current - Average Rectified (Io): 5A
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
850+14.14 грн
Мінімальне замовлення: 850 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S5MHE3_A/I s5a.pdf
S5MHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1000V 5A DO214AB
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Current - Average Rectified (Io): 5A
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3500+12.88 грн
7000+12.20 грн
Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MPG06AHE3_A/54 MPG06%28A-M%29.pdf
MPG06AHE3_A/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 50V 1A MPG06
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: MPG06
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 600 ns
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: MPG06, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 22000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MPG06BHE3_A/54 MPG06(A-M).pdf
MPG06BHE3_A/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A MPG06
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: MPG06
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 600 ns
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: MPG06, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 22000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MPG06BHE3_A/73 MPG06(A-M).pdf
MPG06BHE3_A/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A MPG06
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 18000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MPG06GHE3_A/73 MPG06(A-M).pdf
MPG06GHE3_A/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A MPG06
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: MPG06
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 600 ns
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: MPG06, Axial
Packaging: Tape & Box (TB)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MPG06JHE3_A/73 MPG06(A-M).pdf
MPG06JHE3_A/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A MPG06
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: MPG06
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 600 ns
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: MPG06, Axial
Packaging: Tape & Box (TB)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MPG06KHE3_A/54 MPG06(A-M).pdf
MPG06KHE3_A/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A MPG06
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: MPG06, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 600 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: MPG06
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 22000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MPG06KHE3_A/73 MPG06(A-M).pdf
MPG06KHE3_A/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A MPG06
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: MPG06, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 600 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: MPG06
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MPG06MHE3_A/54 MPG06(A-M).pdf
MPG06MHE3_A/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A MPG06
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: MPG06, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 600 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: MPG06
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 22000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MPG06MHE3_A/73 MPG06(A-M).pdf
MPG06MHE3_A/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A MPG06
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: MPG06, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 600 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: MPG06
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RMPG06BHE3_A/54 rmpg06.pdf
RMPG06BHE3_A/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 100V 1A MPG06
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: MPG06
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 6.6pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: MPG06, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 16500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RMPG06DHE3_A/54 rmpg06.pdf
RMPG06DHE3_A/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 200V 1A MPG06
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: MPG06
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 6.6pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: MPG06, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 16500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RMPG06DHE3_A/73 rmpg06.pdf
RMPG06DHE3_A/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A MPG06
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RMPG06GHE3_A/54 rmpg06.pdf
RMPG06GHE3_A/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 400V 1A MPG06
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: MPG06
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 6.6pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: MPG06, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 16500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RMPG06GHE3_A/73 rmpg06.pdf
RMPG06GHE3_A/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 400V 1A MPG06
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: MPG06, Axial
Packaging: Tape & Box (TB)
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: MPG06
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 6.6pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RMPG06JHE3_A/73 rmpg06.pdf
RMPG06JHE3_A/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A MPG06
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RMPG06KHE3_A/54 rmpg06.pdf
RMPG06KHE3_A/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 800V 1A MPG06
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: MPG06
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 6.6pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: MPG06, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 16500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB510AHE3_A/H p6smb.pdf
P6SMB510AHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 434VWM 698VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 860mA
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 434V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 485V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 698V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB510AHE3_A/I p6smb.pdf
P6SMB510AHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 434VWM 698VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 860mA
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 434V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 485V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 698V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MPG06DHE3_A/54 MPG06(A-M).pdf
MPG06DHE3_A/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A MPG06
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: MPG06
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 600 ns
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: MPG06, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 22000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-113CNQ100ASLPBF VS-113CNQ100APbF.pdf
VS-113CNQ100ASLPBF
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 55A D618SL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 110 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D-61-8-SL
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 55A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: D-61-8-SL
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-10CTQ150SPBF VS-10CTQ150%28SPBF%2C-1PBF%29.pdf
VS-10CTQ150SPBF
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOTT 150V 5A TO263AB
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-20CTQ150SPBF VS-20CTQ150SPBF%2C-1PBF.pdf
VS-20CTQ150SPBF
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOT 150V 10A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-20ETF02SPBF VS-20ETF..SPbF_Series.pdf
VS-20ETF02SPBF
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 20A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.67 V @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Current - Average Rectified (Io): 20A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-20ETF12SPBF VS-20ETFxxSPBF.pdf
VS-20ETF12SPBF
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.31 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Current - Average Rectified (Io): 20A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-30CTH02SPBF VS-30CTH02(SPbF,PbF).pdf
VS-30CTH02SPBF
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARRAY GP 200V 15A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-40CTQ150SPBF VS-40CTQ150%28SPBF%2C-1PBF%29.pdf
VS-40CTQ150SPBF
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOT 150V 20A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.16 V @ 40 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-82CNQ030ASLPBF VS-82CNQ030APbF.pdf
VS-82CNQ030ASLPBF
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 40A D618SL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 80 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-61-8-SL
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: D-61-8-SL
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-83CNQ100ASLPBF VS-83CNQ080A,100A.pdf
VS-83CNQ100ASLPBF
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 40A D618SL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 80 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D-61-8-SL
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: D-61-8-SL
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-MBRB1045PBF VS-MBRB10%2835%2C45%29PbF.pdf
VS-MBRB1045PBF
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 5V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-20CTQ150STRLPBF VS-20CTQ150SPBF%2C-1PBF.pdf
VS-20CTQ150STRLPBF
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOT 150V 10A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-20ETF10STRRPBF vs-20etf08s-m3.pdf
VS-20ETF10STRRPBF
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1000V 20A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.31 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VSSA310S-E3/5AT vssa310s.pdf
VSSA310S-E3/5AT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 1.7A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1.7A
Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 4V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7500+6.65 грн
15000+6.32 грн
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S1JHE3_A/H s1.pdf
S1JHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 57600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1800+6.24 грн
3600+5.06 грн
5400+4.83 грн
9000+3.92 грн
45000+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SE20AFBHM3/6A se20afb.pdf
SE20AFBHM3/6A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 2A DO221AC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 14000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SE20AFJHM3/6A se20afb.pdf
SE20AFJHM3/6A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO221AC
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SE30AFBHM3/6A se30afb.pdf
SE30AFBHM3/6A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1.4A DO221AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 19pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.4A
Supplier Device Package: DO-221AC (SlimSMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3500+9.25 грн
7000+8.21 грн
10500+7.86 грн
Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SE30AFJHM3/6A se30afb.pdf
SE30AFJHM3/6A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 1.4A DO221AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 19pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.4A
Supplier Device Package: DO-221AC (SlimSMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 66500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3500+7.31 грн
7000+6.66 грн
Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
V10PL45-M3/86A v10pl45-m3.pdf
V10PL45-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 6A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 45 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+28.96 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 68 136 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 272 340 408 476 544 612 680 688  [ Наступна Сторінка >> ]