Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (349489) > Сторінка 1111 з 5825

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 582 1106 1107 1108 1109 1110 1111 1112 1113 1114 1115 1116 1164 1746 2328 2910 3492 4074 4656 5238 5820 5825  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI5902BDC-T1-GE3 VISHAY si5902bd.pdf SI5902BDC-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5908DC-T1-E3 VISHAY si5908dc.pdf SI5908DC-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5908DC-T1-GE3 VISHAY si5908dc.pdf SI5908DC-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si5922DU-T1-GE3 VISHAY SI5922DU-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5935CDC-T1-E3 VISHAY si5935cdc.pdf SI5935CDC-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5935CDC-T1-GE3 VISHAY Si5935CDC.PDF SI5935CDC-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5936DU-T1-GE3 VISHAY si5936du.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6A; Idm: 25A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6A
Power dissipation: 10.4W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 25A
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si5948DU-T1-GE3 VISHAY si5948du.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 6A; Idm: 10A; 7W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 7W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6415DQ-T1-E3 VISHAY 70639.pdf SI6415DQ-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6415DQ-T1-GE3 VISHAY si6415dq.pdf SI6415DQ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6423DQ-T1-E3 VISHAY 72257.pdf SI6423DQ-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6423DQ-T1-GE3 VISHAY 72257.pdf SI6423DQ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6562CDQ-T1-GE3 SI6562CDQ-T1-GE3 VISHAY si6562cd.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20/-20V; 4.2/-4.9A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 4.2/-4.9A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1/1.1W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 22/30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23/51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6913DQ-T1-E3 VISHAY si6913dq.pdf SI6913DQ-T1-E3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6913DQ-T1-GE3 VISHAY si6913dq.pdf SI6913DQ-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6926ADQ-T1-E3 VISHAY 72754.pdf SI6926ADQ-T1-E3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6926ADQ-T1-GE3 VISHAY 72754.pdf SI6926ADQ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si6954ADQ-T1-E3 VISHAY 71130.pdf SI6954ADQ-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6954ADQ-T1-GE3 VISHAY 71130.pdf SI6954ADQ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6968BEDQ-T1-E3 VISHAY si6968be.pdf SI6968BEDQ-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6968BEDQ-T1-GE3 VISHAY si6968be.pdf SI6968BEDQ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7101DN-T1-GE3 VISHAY si7101dn.pdf SI7101DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7104DN-T1-E3 VISHAY si7104dn.pdf SI7104DN-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7104DN-T1-GE3 VISHAY si7104dn.pdf SI7104DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7106DN-T1-E3 VISHAY si7106dn.pdf SI7106DN-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7106DN-T1-GE3 VISHAY si7106dn.pdf SI7106DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7108DN-T1-E3 VISHAY si7108dn.pdf description SI7108DN-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7108DN-T1-GE3 VISHAY si7108dn.pdf SI7108DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7110DN-T1-E3 VISHAY si7110dn.pdf SI7110DN-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7110DN-T1-GE3 VISHAY si7110dn.pdf SI7110DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si7111EDN-T1-GE3 VISHAY si7111edn.pdf SI7111EDN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7112DN-T1-E3 VISHAY si7112dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 17.8A; Idm: 60A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 17.8A
On-state resistance: 8.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 27nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 60A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7112DN-T1-GE3 VISHAY si7112dn.pdf SI7112DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113ADN-T1-GE3 VISHAY si7113adn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -10.8A; Idm: -20A; 17.8W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -10.8A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 17.8W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 132mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113DN-T1-E3 VISHAY si7113dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -13.2A; 52W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 52W
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13.2A
On-state resistance: 0.145Ω
Gate charge: 55nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -20A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113DN-T1-GE3 SI7113DN-T1-GE3 VISHAY si7113dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.5A; Idm: -20A; 33W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.5A
On-state resistance: 0.134Ω
Gate charge: 55nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2563 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+131.72 грн
10+105.05 грн
16+69.89 грн
43+66.21 грн
1000+64.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7114ADN-T1-GE3 VISHAY si7114ad.pdf SI7114ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7114DN-T1-E3 VISHAY si7114dn.pdf SI7114DN-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7114DN-T1-GE3 VISHAY si7114dn.pdf SI7114DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7115DN-T1-E3 VISHAY si7115dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -150V; -8.9A; Idm: -15A
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 42nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -15A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -8.9A
On-state resistance: 315mΩ
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7115DN-T1-GE3 SI7115DN-T1-GE3 VISHAY si7115dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -8.9A; Idm: -15A; 33W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -8.9A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.295Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -15A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+169.35 грн
10+136.56 грн
14+80.92 грн
38+76.33 грн
1000+74.49 грн
3000+72.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7116BDN-T1-GE3 VISHAY SI7116BDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7116DN-T1-E3 VISHAY si7116dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 16.4A; Idm: 60A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 23nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 16.4A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7116DN-T1-GE3 VISHAY si7116dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 16.4A; Idm: 60A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 23nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 16.4A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7117DN-T1-E3 VISHAY si7117dn.pdf SI7117DN-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7117DN-T1-GE3 VISHAY si7117dn.pdf SI7117DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7119DN-T1-E3 VISHAY si7119dn.pdf SI7119DN-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7119DN-T1-GE3 VISHAY si7119dn.pdf SI7119DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si7120ADN-T1-GE3 VISHAY Si7120ADN.PDF SI7120ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121ADN-T1-GE3 VISHAY si7121adn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12A; Idm: -50A; 17.8W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 17.8W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2746 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+51.50 грн
10+42.59 грн
25+33.20 грн
43+25.29 грн
118+23.91 грн
1000+23.63 грн
3000+22.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121DN-T1-GE3 VISHAY si7121adn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -16A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -16A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 52W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 30.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7129DN-T1-GE3 VISHAY si7129dn.pdf SI7129DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7135DP-T1-GE3 VISHAY si7135dp.pdf SI7135DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7137DP-T1-GE3 VISHAY si7137dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -60A; Idm: -100A; 66.6W
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -60A
On-state resistance: 1.95mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 66.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 585nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -100A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7139DP-T1-GE3 VISHAY si7139dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; Idm: -70A; 30W
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -40A
On-state resistance: 5.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 146nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -70A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7141DP-T1-GE3 VISHAY si7141dp.pdf SI7141DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7143DP-T1-GE3 VISHAY si7143dp.pdf SI7143DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7145DP-T1-GE3 VISHAY si7145dp.pdf SI7145DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7148DP-T1-E3 VISHAY 73314.pdf SI7148DP-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7148DP-T1-GE3 VISHAY 73314.pdf SI7148DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5902BDC-T1-GE3 si5902bd.pdf
Виробник: VISHAY
SI5902BDC-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5908DC-T1-E3 si5908dc.pdf
Виробник: VISHAY
SI5908DC-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5908DC-T1-GE3 si5908dc.pdf
Виробник: VISHAY
SI5908DC-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si5922DU-T1-GE3
Виробник: VISHAY
SI5922DU-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5935CDC-T1-E3 si5935cdc.pdf
Виробник: VISHAY
SI5935CDC-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5935CDC-T1-GE3 Si5935CDC.PDF
Виробник: VISHAY
SI5935CDC-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5936DU-T1-GE3 si5936du.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6A; Idm: 25A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6A
Power dissipation: 10.4W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 25A
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si5948DU-T1-GE3 si5948du.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 6A; Idm: 10A; 7W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 7W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6415DQ-T1-E3 70639.pdf
Виробник: VISHAY
SI6415DQ-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6415DQ-T1-GE3 si6415dq.pdf
Виробник: VISHAY
SI6415DQ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6423DQ-T1-E3 72257.pdf
Виробник: VISHAY
SI6423DQ-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6423DQ-T1-GE3 72257.pdf
Виробник: VISHAY
SI6423DQ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6562CDQ-T1-GE3 si6562cd.pdf
SI6562CDQ-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20/-20V; 4.2/-4.9A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 4.2/-4.9A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1/1.1W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 22/30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23/51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6913DQ-T1-E3 si6913dq.pdf
Виробник: VISHAY
SI6913DQ-T1-E3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6913DQ-T1-GE3 si6913dq.pdf
Виробник: VISHAY
SI6913DQ-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6926ADQ-T1-E3 72754.pdf
Виробник: VISHAY
SI6926ADQ-T1-E3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6926ADQ-T1-GE3 72754.pdf
Виробник: VISHAY
SI6926ADQ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si6954ADQ-T1-E3 71130.pdf
Виробник: VISHAY
SI6954ADQ-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6954ADQ-T1-GE3 71130.pdf
Виробник: VISHAY
SI6954ADQ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6968BEDQ-T1-E3 si6968be.pdf
Виробник: VISHAY
SI6968BEDQ-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6968BEDQ-T1-GE3 si6968be.pdf
Виробник: VISHAY
SI6968BEDQ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7101DN-T1-GE3 si7101dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7101DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7104DN-T1-E3 si7104dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7104DN-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7104DN-T1-GE3 si7104dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7104DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7106DN-T1-E3 si7106dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7106DN-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7106DN-T1-GE3 si7106dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7106DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7108DN-T1-E3 description si7108dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7108DN-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7108DN-T1-GE3 si7108dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7108DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7110DN-T1-E3 si7110dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7110DN-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7110DN-T1-GE3 si7110dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7110DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si7111EDN-T1-GE3 si7111edn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7111EDN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7112DN-T1-E3 si7112dn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 17.8A; Idm: 60A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 17.8A
On-state resistance: 8.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 27nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 60A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7112DN-T1-GE3 si7112dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7112DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113ADN-T1-GE3 si7113adn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -10.8A; Idm: -20A; 17.8W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -10.8A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 17.8W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 132mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113DN-T1-E3 si7113dn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -13.2A; 52W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 52W
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13.2A
On-state resistance: 0.145Ω
Gate charge: 55nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -20A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113DN-T1-GE3 si7113dn.pdf
SI7113DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.5A; Idm: -20A; 33W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.5A
On-state resistance: 0.134Ω
Gate charge: 55nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2563 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.72 грн
10+105.05 грн
16+69.89 грн
43+66.21 грн
1000+64.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7114ADN-T1-GE3 si7114ad.pdf
Виробник: VISHAY
SI7114ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7114DN-T1-E3 si7114dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7114DN-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7114DN-T1-GE3 si7114dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7114DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7115DN-T1-E3 si7115dn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -150V; -8.9A; Idm: -15A
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 42nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -15A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -8.9A
On-state resistance: 315mΩ
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7115DN-T1-GE3 si7115dn.pdf
SI7115DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -8.9A; Idm: -15A; 33W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -8.9A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.295Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -15A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+169.35 грн
10+136.56 грн
14+80.92 грн
38+76.33 грн
1000+74.49 грн
3000+72.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7116BDN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
SI7116BDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7116DN-T1-E3 si7116dn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 16.4A; Idm: 60A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 23nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 16.4A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7116DN-T1-GE3 si7116dn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 16.4A; Idm: 60A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 23nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 16.4A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7117DN-T1-E3 si7117dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7117DN-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7117DN-T1-GE3 si7117dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7117DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7119DN-T1-E3 si7119dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7119DN-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7119DN-T1-GE3 si7119dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7119DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si7120ADN-T1-GE3 Si7120ADN.PDF
Виробник: VISHAY
SI7120ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121ADN-T1-GE3 si7121adn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12A; Idm: -50A; 17.8W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 17.8W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2746 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+51.50 грн
10+42.59 грн
25+33.20 грн
43+25.29 грн
118+23.91 грн
1000+23.63 грн
3000+22.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121DN-T1-GE3 si7121adn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -16A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -16A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 52W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 30.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7129DN-T1-GE3 si7129dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7129DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7135DP-T1-GE3 si7135dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7135DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7137DP-T1-GE3 si7137dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -60A; Idm: -100A; 66.6W
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -60A
On-state resistance: 1.95mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 66.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 585nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -100A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7139DP-T1-GE3 si7139dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; Idm: -70A; 30W
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -40A
On-state resistance: 5.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 146nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -70A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7141DP-T1-GE3 si7141dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7141DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7143DP-T1-GE3 si7143dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7143DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7145DP-T1-GE3 si7145dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7145DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7148DP-T1-E3 73314.pdf
Виробник: VISHAY
SI7148DP-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7148DP-T1-GE3 73314.pdf
Виробник: VISHAY
SI7148DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 582 1106 1107 1108 1109 1110 1111 1112 1113 1114 1115 1116 1164 1746 2328 2910 3492 4074 4656 5238 5820 5825  [ Наступна Сторінка >> ]