Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (349502) > Сторінка 1113 з 5826

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 582 1108 1109 1110 1111 1112 1113 1114 1115 1116 1117 1118 1164 1746 2328 2910 3492 4074 4656 5238 5820 5826  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7434DP-T1-E3 VISHAY si7434dp.pdf SI7434DP-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7434DP-T1-GE3 VISHAY si7434dp.pdf SI7434DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7439DP-T1-E3 VISHAY si7439dp.pdf SI7439DP-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7439DP-T1-GE3 VISHAY si7439dp.pdf SI7439DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-E3 VISHAY si7450dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 5.3A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 5.2W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-GE3 VISHAY si7450dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.2A; Idm: 40A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1.2W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-RE3 VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 5.3A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 5.2W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454DDP-T1-GE3 VISHAY si7454ddp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; Idm: 40A; 19W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 19W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454DP-T1-E3 VISHAY 71618.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 7.8A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 7.8A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 4.8W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454DP-T1-GE3 VISHAY si7454dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 7.8A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 7.8A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 4.8W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454FDP-T1-RE3 VISHAY si7454fdp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 23.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 23.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 39W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456CDP-T1-GE3 VISHAY si7456cd.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 27.5A; Idm: 50A
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 27.5A
On-state resistance: 31.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 23nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DDP-T1-GE3 VISHAY si7456ddp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 27.8A; Idm: 70A; 22.8W
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 27.8A
On-state resistance: 23mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 22.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 29.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DP-T1-E3 VISHAY si7456dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 9.3A; Idm: 40A
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.3A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 44nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DP-T1-GE3 VISHAY 71603.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.7A; Idm: 40A; 1W
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7460DP-T1-E3 VISHAY si7460dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 18A; Idm: 40A; 5.4W
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 18A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.1µC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7460DP-T1-GE3 VISHAY si7460dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 18A; Idm: 40A; 5.4W
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 18A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.1µC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7461DP-T1-E3 VISHAY si7461dp.pdf SI7461DP-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 VISHAY si7461dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8.6A; Idm: -60A; 1.2W
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.19µC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -60A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.6A
On-state resistance: 14.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5812 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+246.59 грн
10+167.12 грн
11+102.08 грн
29+96.56 грн
1000+93.80 грн
3000+92.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7463ADP-T1-GE3 VISHAY si7463adp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -46A; Idm: -70A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -46A
Pulsed drain current: -70A
Power dissipation: 25W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 144nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7463DP-T1-E3 VISHAY si7463dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -11A; Idm: -60A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -11A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 1.2W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7463DP-T1-GE3 VISHAY si7463dp.pdf SI7463DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7464DP-T1-E3 VISHAY si7464dp.pdf SI7464DP-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7464DP-T1-GE3 VISHAY si7464dp.pdf SI7464DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-E3 SI7465DP-T1-E3 VISHAY 73113.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -5A; Idm: -25A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5A
Power dissipation: 3.5W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -25A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+104.98 грн
10+83.08 грн
18+64.37 грн
48+60.69 грн
500+58.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-GE3 VISHAY 73113.pdf SI7465DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469ADP-T1-RE3 VISHAY si7469adp.pdf SI7469ADP-T1-RE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-E3 VISHAY si7469dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -28A; Idm: -40A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -28A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 83W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 160nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-GE3 VISHAY si7469dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -28A; Idm: -40A; 53W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -28A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 53W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 160nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7478DP-T1-E3 VISHAY si7478dp.pdf SI7478DP-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7478DP-T1-GE3 VISHAY si7478dp.pdf SI7478DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7489DP-T1-E3 VISHAY si7489dp.pdf SI7489DP-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7489DP-T1-GE3 VISHAY si7489dp.pdf SI7489DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7540ADP-T1-GE3 VISHAY si7540adp.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20/-20V; 12/-9A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 12/-9A
On-state resistance: 43/19.5mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 3.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 48/27nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7611DN-T1-GE3 VISHAY si7611dn.pdf SI7611DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7613DN-T1-GE3 VISHAY si7613dn.pdf SI7613DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY si7615adn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -35A; Idm: -80A; 33W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -35A
On-state resistance: 4.4mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 33W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 183nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -80A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3199 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+69.32 грн
6+53.48 грн
10+43.59 грн
34+32.83 грн
93+31.08 грн
100+29.98 грн
500+29.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615CDN-T1-GE3 VISHAY si7615cdn.pdf SI7615CDN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7617DN-T1-GE3 SI7617DN-T1-GE3 VISHAY si7617dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13.9A; Idm: -60A; 33W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -13.9A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 12.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 59nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -60A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+73.29 грн
10+57.11 грн
25+45.80 грн
67+43.31 грн
1000+41.84 грн
3000+41.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7619DN-T1-GE3 VISHAY si7619dn.pdf SI7619DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7623DN-T1-GE3 VISHAY si7623dn.pdf SI7623DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7625DN-T1-GE3 VISHAY si7625dn.pdf SI7625DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7629DN-T1-GE3 VISHAY si7629dn.pdf SI7629DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7633DP-T1-GE3 VISHAY si7633dp.pdf SI7633DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7634BDP-T1-E3 VISHAY si7634bd.pdf SI7634BDP-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7634BDP-T1-GE3 VISHAY si7634bd.pdf SI7634BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7636DP-T1-E3 VISHAY si7636dp.pdf SI7636DP-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7636DP-T1-GE3 VISHAY si7636dp.pdf SI7636DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7655ADN-T1-GE3 SI7655ADN-T1-GE3 VISHAY si7655adn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -40A; Idm: -100A; 36W
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -40A
On-state resistance: 3.6mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 36W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 225nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -100A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2855 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+65.36 грн
6+54.43 грн
25+46.35 грн
27+40.46 грн
74+38.26 грн
3000+37.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7655DN-T1-GE3 VISHAY si7655dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -40A; Idm: -100A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -40A
On-state resistance: 8.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 225nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -100A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7658ADP-T1-GE3 VISHAY si7658adp.pdf SI7658ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7686DP-T1-E3 VISHAY si7686dp.pdf SI7686DP-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7686DP-T1-GE3 VISHAY si7686dp.pdf SI7686DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7716ADN-T1-GE3 VISHAY SI7716ADN.pdf SI7716ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si7726DN-T1-GE3 VISHAY si7726dn.pdf SI7726DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7738DP-T1-E3 VISHAY si7738dp.pdf SI7738DP-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7738DP-T1-GE3 VISHAY si7738dp.pdf SI7738DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7742DP-T1-GE3 VISHAY si7742dp.pdf SI7742DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7772DP-T1-GE3 VISHAY si7772dp.pdf SI7772DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7804DN-T1-E3 VISHAY 72317.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 10A; Idm: 40A; 3.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 3.5W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7434DP-T1-E3 si7434dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7434DP-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7434DP-T1-GE3 si7434dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7434DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7439DP-T1-E3 si7439dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7439DP-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7439DP-T1-GE3 si7439dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7439DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-E3 si7450dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 5.3A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 5.2W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-GE3 si7450dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.2A; Idm: 40A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1.2W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 5.3A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 5.2W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454DDP-T1-GE3 si7454ddp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; Idm: 40A; 19W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 19W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454DP-T1-E3 71618.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 7.8A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 7.8A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 4.8W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454DP-T1-GE3 si7454dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 7.8A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 7.8A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 4.8W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454FDP-T1-RE3 si7454fdp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 23.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 23.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 39W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456CDP-T1-GE3 si7456cd.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 27.5A; Idm: 50A
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 27.5A
On-state resistance: 31.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 23nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DDP-T1-GE3 si7456ddp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 27.8A; Idm: 70A; 22.8W
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 27.8A
On-state resistance: 23mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 22.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 29.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DP-T1-E3 si7456dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 9.3A; Idm: 40A
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.3A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 44nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DP-T1-GE3 71603.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.7A; Idm: 40A; 1W
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7460DP-T1-E3 si7460dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 18A; Idm: 40A; 5.4W
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 18A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.1µC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7460DP-T1-GE3 si7460dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 18A; Idm: 40A; 5.4W
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 18A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.1µC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7461DP-T1-E3 si7461dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7461DP-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7461DP-T1-GE3 si7461dp.pdf
SI7461DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8.6A; Idm: -60A; 1.2W
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.19µC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -60A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.6A
On-state resistance: 14.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5812 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+246.59 грн
10+167.12 грн
11+102.08 грн
29+96.56 грн
1000+93.80 грн
3000+92.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7463ADP-T1-GE3 si7463adp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -46A; Idm: -70A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -46A
Pulsed drain current: -70A
Power dissipation: 25W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 144nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7463DP-T1-E3 si7463dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -11A; Idm: -60A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -11A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 1.2W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7463DP-T1-GE3 si7463dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7463DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7464DP-T1-E3 si7464dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7464DP-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7464DP-T1-GE3 si7464dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7464DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-E3 73113.pdf
SI7465DP-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -5A; Idm: -25A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5A
Power dissipation: 3.5W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -25A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+104.98 грн
10+83.08 грн
18+64.37 грн
48+60.69 грн
500+58.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-GE3 73113.pdf
Виробник: VISHAY
SI7465DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469ADP-T1-RE3 si7469adp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7469ADP-T1-RE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-E3 si7469dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -28A; Idm: -40A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -28A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 83W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 160nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-GE3 si7469dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -28A; Idm: -40A; 53W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -28A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 53W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 160nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7478DP-T1-E3 si7478dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7478DP-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7478DP-T1-GE3 si7478dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7478DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7489DP-T1-E3 si7489dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7489DP-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7489DP-T1-GE3 si7489dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7489DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7540ADP-T1-GE3 si7540adp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20/-20V; 12/-9A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 12/-9A
On-state resistance: 43/19.5mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 3.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 48/27nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7611DN-T1-GE3 si7611dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7611DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7613DN-T1-GE3 si7613dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7613DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 si7615adn.pdf
SI7615ADN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -35A; Idm: -80A; 33W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -35A
On-state resistance: 4.4mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 33W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 183nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -80A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3199 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.32 грн
6+53.48 грн
10+43.59 грн
34+32.83 грн
93+31.08 грн
100+29.98 грн
500+29.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615CDN-T1-GE3 si7615cdn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7615CDN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7617DN-T1-GE3 si7617dn.pdf
SI7617DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13.9A; Idm: -60A; 33W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -13.9A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 12.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 59nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -60A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.29 грн
10+57.11 грн
25+45.80 грн
67+43.31 грн
1000+41.84 грн
3000+41.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7619DN-T1-GE3 si7619dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7619DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7623DN-T1-GE3 si7623dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7623DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7625DN-T1-GE3 si7625dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7625DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7629DN-T1-GE3 si7629dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7629DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7633DP-T1-GE3 si7633dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7633DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7634BDP-T1-E3 si7634bd.pdf
Виробник: VISHAY
SI7634BDP-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7634BDP-T1-GE3 si7634bd.pdf
Виробник: VISHAY
SI7634BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7636DP-T1-E3 si7636dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7636DP-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7636DP-T1-GE3 si7636dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7636DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7655ADN-T1-GE3 si7655adn.pdf
SI7655ADN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -40A; Idm: -100A; 36W
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -40A
On-state resistance: 3.6mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 36W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 225nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -100A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2855 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.36 грн
6+54.43 грн
25+46.35 грн
27+40.46 грн
74+38.26 грн
3000+37.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7655DN-T1-GE3 si7655dn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -40A; Idm: -100A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -40A
On-state resistance: 8.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 225nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -100A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7658ADP-T1-GE3 si7658adp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7658ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7686DP-T1-E3 si7686dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7686DP-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7686DP-T1-GE3 si7686dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7686DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7716ADN-T1-GE3 SI7716ADN.pdf
Виробник: VISHAY
SI7716ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si7726DN-T1-GE3 si7726dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7726DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7738DP-T1-E3 si7738dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7738DP-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7738DP-T1-GE3 si7738dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7738DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7742DP-T1-GE3 si7742dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7742DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7772DP-T1-GE3 si7772dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7772DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7804DN-T1-E3 72317.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 10A; Idm: 40A; 3.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 3.5W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 582 1108 1109 1110 1111 1112 1113 1114 1115 1116 1117 1118 1164 1746 2328 2910 3492 4074 4656 5238 5820 5826  [ Наступна Сторінка >> ]