Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (349359) > Сторінка 1112 з 5823

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 582 1107 1108 1109 1110 1111 1112 1113 1114 1115 1116 1117 1164 1746 2328 2910 3492 4074 4656 5238 5820 5823  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7149ADP-T1-GE3 SI7149ADP-T1-GE3 VISHAY si7149adp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -50A; 31W; PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -50A
On-state resistance: 9.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 31W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 43.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3172 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+73.29 грн
32+35.14 грн
87+32.09 грн
500+31.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7149DP-T1-GE3 VISHAY si7149dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -50A; Idm: -70A; 44.4W
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -50A
On-state resistance: 5.2mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 44.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 147nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -70A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7153DN-T1-GE3 SI7153DN-T1-GE3 VISHAY SI7153DN.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -18A; Idm: -100A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Power dissipation: 52W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -100A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4504 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+34.66 грн
25+30.18 грн
47+23.91 грн
128+22.62 грн
3000+21.70 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI7155DP-T1-GE3 VISHAY si7155dp.pdf SI7155DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7157DP-T1-GE3 VISHAY si7157dp.pdf SI7157DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7164DP-T1-GE3 VISHAY si7164dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 60A; Idm: 80A; 104W
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 60A
On-state resistance: 6.25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 104W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 75nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7172ADP-T1-RE3 VISHAY si7172adp.pdf SI7172ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7172DP-T1-GE3 VISHAY si7172dp.pdf SI7172DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7174DP-T1-GE3 VISHAY si7174dp.pdf SI7174DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7178DP-T1-GE3 VISHAY si7178dp.pdf description SI7178DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7190ADP-T1-RE3 VISHAY si7190adp.pdf SI7190ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7190DP-T1-GE3 VISHAY si7190dp.pdf SI7190DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7192DP-T1-GE3 VISHAY si7192dp.pdf SI7192DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7212DN-T1-E3 VISHAY si7212dn.pdf SI7212DN-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7212DN-T1-GE3 VISHAY si7212dn.pdf SI7212DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7216DN-T1-E3 VISHAY si7216dn.pdf SI7216DN-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7216DN-T1-GE3 VISHAY si7216dn.pdf SI7216DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7220DN-T1-E3 VISHAY si7220dn.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 60V; 4.8A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 2.6W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7220DN-T1-GE3 VISHAY si7220dn.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 60V; 4.8A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 2.6W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7223DN-T1-GE3 VISHAY si7223dn.pdf SI7223DN-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7232DN-T1-GE3 VISHAY si7232dn.pdf SI7232DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7234DP-T1-GE3 VISHAY si7234dp.pdf SI7234DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7252ADP-T1-GE3 VISHAY si7252adp.pdf SI7252ADP-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7252DP-T1-GE3 VISHAY si7252dp.pdf SI7252DP-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7272DP-T1-GE3 VISHAY si7272dp.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 25A; Idm: 60A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7288DP-T1-GE3 SI7288DP-T1-GE3 VISHAY si7288dp.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 20A; Idm: 50A
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 15.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2655 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+134.69 грн
10+90.72 грн
18+64.37 грн
47+60.69 грн
500+58.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7308DN-T1-E3 VISHAY 73419.pdf SI7308DN-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7308DN-T1-GE3 VISHAY si7308dn.pdf SI7308DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7309DN-T1-E3 VISHAY si7309dn.pdf SI7309DN-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7309DN-T1-GE3 VISHAY si7309dn.pdf SI7309DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7315DN-T1-GE3 VISHAY si7315dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -8.9A; Idm: -10A; 33W
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 33W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: -10A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -8.9A
On-state resistance: 315mΩ
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7317DN-T1-GE3 VISHAY si7317dn.pdf SI7317DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7322ADN-T1-GE3 VISHAY si7322adn.pdf SI7322ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7322DN-T1-GE3 VISHAY si7322dn.pdf SI7322DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7326DN-T1-E3 VISHAY si7326dn.pdf SI7326DN-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7326DN-T1-GE3 VISHAY si7326dn.pdf SI7326DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7328DN-T1-E3 VISHAY si7328dn.pdf SI7328DN-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7328DN-T1-GE3 VISHAY si7328dn.pdf SI7328DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7336ADP-T1-E3 VISHAY si7336adp.pdf SI7336ADP-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7336ADP-T1-GE3 VISHAY si7336adp.pdf SI7336ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7370DP-T1-E3 VISHAY si7370dp.pdf SI7370DP-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7370DP-T1-GE3 VISHAY si7370dp.pdf SI7370DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7374DP-T1-E3 VISHAY 73560.pdf SI7374DP-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7386DP-T1-E3 VISHAY si7386dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 19A; Idm: 50A; 5W
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 19A
On-state resistance: 9.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7386DP-T1-GE3 VISHAY si7386dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 19A; Idm: 50A; 5W
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 19A
On-state resistance: 9.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7390DP-T1-E3 VISHAY si7390dp.pdf SI7390DP-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7390DP-T1-GE3 VISHAY si7390dp.pdf SI7390DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7414DN-T1-E3 VISHAY 71738.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 5.6A; Idm: 30A; 0.8W
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 5.6A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7414DN-T1-GE3 VISHAY 71738.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 8.7A; Idm: 30A
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8.7A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7415DN-T1-E3 VISHAY si7415dn.pdf SI7415DN-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7415DN-T1-GE3 VISHAY si7415dn.pdf SI7415DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7421DN-T1-E3 VISHAY 72416.pdf SI7421DN-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7421DN-T1-GE3 VISHAY 72416.pdf SI7421DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7423DN-T1-E3 VISHAY Si7423DN.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -11.7A; Idm: -30A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11.7A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -30A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7423DN-T1-GE3 VISHAY 72582.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -11.7A; Idm: -30A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11.7A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -30A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7430DP-T1-E3 VISHAY si7430dp.pdf SI7430DP-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7430DP-T1-GE3 VISHAY si7430dp.pdf SI7430DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7431DP-T1-E3 VISHAY si7431dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -200V; -3.8A; Idm: -30A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 5.4W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 135nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7431DP-T1-GE3 VISHAY si7431dp.pdf SI7431DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7434ADP-T1-RE3 VISHAY si7434adp.pdf SI7434ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7149ADP-T1-GE3 si7149adp.pdf
SI7149ADP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -50A; 31W; PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -50A
On-state resistance: 9.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 31W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 43.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3172 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.29 грн
32+35.14 грн
87+32.09 грн
500+31.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7149DP-T1-GE3 si7149dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -50A; Idm: -70A; 44.4W
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -50A
On-state resistance: 5.2mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 44.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 147nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -70A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7153DN-T1-GE3 SI7153DN.pdf
SI7153DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -18A; Idm: -100A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Power dissipation: 52W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -100A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4504 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+34.66 грн
25+30.18 грн
47+23.91 грн
128+22.62 грн
3000+21.70 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI7155DP-T1-GE3 si7155dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7155DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7157DP-T1-GE3 si7157dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7157DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7164DP-T1-GE3 si7164dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 60A; Idm: 80A; 104W
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 60A
On-state resistance: 6.25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 104W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 75nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7172ADP-T1-RE3 si7172adp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7172ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7172DP-T1-GE3 si7172dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7172DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7174DP-T1-GE3 si7174dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7174DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7178DP-T1-GE3 description si7178dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7178DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7190ADP-T1-RE3 si7190adp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7190ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7190DP-T1-GE3 si7190dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7190DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7192DP-T1-GE3 si7192dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7192DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7212DN-T1-E3 si7212dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7212DN-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7212DN-T1-GE3 si7212dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7212DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7216DN-T1-E3 si7216dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7216DN-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7216DN-T1-GE3 si7216dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7216DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7220DN-T1-E3 si7220dn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 60V; 4.8A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 2.6W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7220DN-T1-GE3 si7220dn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 60V; 4.8A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 2.6W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7223DN-T1-GE3 si7223dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7223DN-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7232DN-T1-GE3 si7232dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7232DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7234DP-T1-GE3 si7234dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7234DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7252ADP-T1-GE3 si7252adp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7252ADP-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7252DP-T1-GE3 si7252dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7252DP-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7272DP-T1-GE3 si7272dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 25A; Idm: 60A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7288DP-T1-GE3 si7288dp.pdf
SI7288DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 20A; Idm: 50A
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 15.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2655 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.69 грн
10+90.72 грн
18+64.37 грн
47+60.69 грн
500+58.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7308DN-T1-E3 73419.pdf
Виробник: VISHAY
SI7308DN-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7308DN-T1-GE3 si7308dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7308DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7309DN-T1-E3 si7309dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7309DN-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7309DN-T1-GE3 si7309dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7309DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7315DN-T1-GE3 si7315dn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -8.9A; Idm: -10A; 33W
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 33W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: -10A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -8.9A
On-state resistance: 315mΩ
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7317DN-T1-GE3 si7317dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7317DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7322ADN-T1-GE3 si7322adn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7322ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7322DN-T1-GE3 si7322dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7322DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7326DN-T1-E3 si7326dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7326DN-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7326DN-T1-GE3 si7326dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7326DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7328DN-T1-E3 si7328dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7328DN-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7328DN-T1-GE3 si7328dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7328DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7336ADP-T1-E3 si7336adp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7336ADP-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7336ADP-T1-GE3 si7336adp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7336ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7370DP-T1-E3 si7370dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7370DP-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7370DP-T1-GE3 si7370dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7370DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7374DP-T1-E3 73560.pdf
Виробник: VISHAY
SI7374DP-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7386DP-T1-E3 si7386dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 19A; Idm: 50A; 5W
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 19A
On-state resistance: 9.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7386DP-T1-GE3 si7386dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 19A; Idm: 50A; 5W
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 19A
On-state resistance: 9.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7390DP-T1-E3 si7390dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7390DP-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7390DP-T1-GE3 si7390dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7390DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7414DN-T1-E3 71738.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 5.6A; Idm: 30A; 0.8W
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 5.6A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7414DN-T1-GE3 71738.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 8.7A; Idm: 30A
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8.7A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7415DN-T1-E3 si7415dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7415DN-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7415DN-T1-GE3 si7415dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7415DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7421DN-T1-E3 72416.pdf
Виробник: VISHAY
SI7421DN-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7421DN-T1-GE3 72416.pdf
Виробник: VISHAY
SI7421DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7423DN-T1-E3 Si7423DN.PDF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -11.7A; Idm: -30A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11.7A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -30A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7423DN-T1-GE3 72582.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -11.7A; Idm: -30A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11.7A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -30A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7430DP-T1-E3 si7430dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7430DP-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7430DP-T1-GE3 si7430dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7430DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7431DP-T1-E3 si7431dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -200V; -3.8A; Idm: -30A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 5.4W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 135nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7431DP-T1-GE3 si7431dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7431DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7434ADP-T1-RE3 si7434adp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7434ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 582 1107 1108 1109 1110 1111 1112 1113 1114 1115 1116 1117 1164 1746 2328 2910 3492 4074 4656 5238 5820 5823  [ Наступна Сторінка >> ]