Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (349652) > Сторінка 3040 з 5828

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 582 1164 1746 2328 2910 3035 3036 3037 3038 3039 3040 3041 3042 3043 3044 3045 3492 4074 4656 5238 5820 5828  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIR158DP-T1-RE3 SIR158DP-T1-RE3 VISHAY 2259366.pdf Description: VISHAY - SIR158DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.00145 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+171.66 грн
10+116.37 грн
100+87.48 грн
500+72.73 грн
1000+59.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIR167DP-T1-GE3 SIR167DP-T1-GE3 VISHAY sir167dp.pdf Description: VISHAY - SIR167DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0046 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+94.08 грн
50+65.20 грн
100+50.84 грн
500+38.39 грн
1500+30.06 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SISS67DN-T1-GE3 SISS67DN-T1-GE3 VISHAY 2687542.pdf Description: VISHAY - SISS67DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0046 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 60
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65.8
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.8
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+94.91 грн
10+85.00 грн
100+66.27 грн
500+50.88 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10BDP-T1-GE3 SIRA10BDP-T1-GE3 VISHAY 2687524.pdf Description: VISHAY - SIRA10BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0023 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+57.11 грн
18+46.30 грн
100+29.88 грн
500+23.14 грн
1000+16.48 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SISA18BDN-T1-GE3 SISA18BDN-T1-GE3 VISHAY 3747845.pdf Description: VISHAY - SISA18BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0055 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 60
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 36.8
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36.8
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+60.25 грн
16+53.07 грн
100+40.69 грн
500+29.89 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SISA04DN-T1-GE3 SISA04DN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001798660-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SISA04DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0018 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+94.91 грн
11+76.09 грн
100+53.40 грн
500+40.08 грн
1000+34.17 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18BDP-T1-GE3 SIRA18BDP-T1-GE3 VISHAY 2856438.pdf Description: VISHAY - SIRA18BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0055 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 17W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 17W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
на замовлення 5195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.54 грн
500+15.63 грн
1000+13.16 грн
5000+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA04DN-T1-GE3 SISHA04DN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0013329332-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SISHA04DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0018 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 7920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.42 грн
500+30.73 грн
1000+22.00 грн
5000+21.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ5V1C-HG3_A/H PLZ5V1C-HG3_A/H VISHAY plzseries.pdf Description: VISHAY - PLZ5V1C-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 10612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+13.45 грн
90+9.24 грн
209+3.96 грн
500+3.22 грн
1000+2.55 грн
5000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ5V1B-G3/H PLZ5V1B-G3/H VISHAY plzseries.pdf Description: VISHAY - PLZ5V1B-G3/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 18281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+20.47 грн
61+13.62 грн
134+6.19 грн
500+5.13 грн
1000+2.26 грн
5000+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
TZX5V1B-TAP TZX5V1B-TAP VISHAY tzxserie.pdf Description: VISHAY - TZX5V1B-TAP - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 175 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: TZX5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+10.23 грн
114+7.26 грн
257+3.22 грн
500+2.76 грн
1000+1.77 грн
5000+1.70 грн
Мінімальне замовлення: 81
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ5V1C-HG3_A/H PLZ5V1C-HG3_A/H VISHAY 3177834.pdf Description: VISHAY - PLZ5V1C-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 10612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.22 грн
1000+2.55 грн
5000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ5V1B-HG3_A/H PLZ5V1B-HG3_A/H VISHAY 3177834.pdf Description: VISHAY - PLZ5V1B-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 15880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+16.18 грн
73+11.31 грн
179+4.62 грн
500+3.76 грн
1000+3.04 грн
5000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ5V1A-HG3_A/H PLZ5V1A-HG3_A/H VISHAY 3177834.pdf Description: VISHAY - PLZ5V1A-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ5V1B-G3/H PLZ5V1B-G3/H VISHAY VISH-S-A0011038632-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - PLZ5V1B-G3/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 18281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.13 грн
1000+2.26 грн
5000+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ5V1B-HG3_A/H PLZ5V1B-HG3_A/H VISHAY plzseries.pdf Description: VISHAY - PLZ5V1B-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 15880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.76 грн
1000+3.04 грн
5000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ5V1A-HG3_A/H PLZ5V1A-HG3_A/H VISHAY 3177834.pdf Description: VISHAY - PLZ5V1A-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+19.31 грн
64+13.04 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
VS-1N3208 VS-1N3208 VISHAY VISH-S-A0004148052-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - VS-1N3208 - STANDARD DIODE, 15A, 50V, DO-203AB
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-203AB
Durchlassstoßstrom: 250A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Stud
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.5V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Konfiguration Diodenmodul: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+527.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CNS471A6 CNS471A6 VISHAY doc?60043 Description: VISHAY - CNS471A6 - Dekadenteiler, 100 Ohm bis 9 MOhm, Produktreihe CNS 471, 6 Elemente, SIP
tariffCode: 85332100
Widerstand, R1: -
Absolute Widerstandstoleranz: 0.1%
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: SIP
Absoluter TCR: 25ppm/K
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Netzwerkelement: Spannungsteiler
usEccn: EAR99
Anzahl der Elemente: 6Element(e)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Nennleistung pro Widerstand: 100mW
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CNS 471 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Widerstand, R2: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9514.70 грн
2+8325.47 грн
3+7943.36 грн
5+7021.16 грн
10+6153.55 грн
20+5740.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RS3G-E3/57T RS3G-E3/57T VISHAY VISH-S-A0007914366-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - RS3G-E3/57T - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 3 A, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 150ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
593D105X9025A2TE3 593D105X9025A2TE3 VISHAY 593d.pdf Description: VISHAY - 593D105X9025A2TE3 - CAP, 1UF, 25V, TANT, CASE A
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 1.6mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1206 [3216 Metric]
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: 10%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 4ohm
Produktlänge: 3.2mm
euEccn: NLR
Kapazität: 1µF
Spannung (DC): 25V
Rippelstrom: 140mA
Produktpalette: TANTAMOUNT 593D Series
Hersteller-Größencode: A
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 1.6mm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+51.99 грн
30+28.06 грн
34+24.76 грн
50+19.92 грн
100+15.56 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DG408DQ-T1-E3 DG408DQ-T1-E3 VISHAY VISH-S-A0003397363-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - DG408DQ-T1-E3 - Analoger Multiplexer, 8:1, 1 Schaltkreis, 100 Ohm, ± 5V bis ± 20V, 5V bis 36V, TSSOP-16
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Analoger Multiplexer
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: ± 5V bis ± 20V, 5V bis 36V
Einschaltwiderstand, max.: 100ohm
Einschaltwiderstand, typ.: 40ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: 8:1
Schalterkonfiguration: -
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache & zweifache Spannungsversorgung
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Schaltkreise: 1Schaltkreis(e)
Schnittstellen: -
Durchlasswiderstand, max.: 100ohm
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 2835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+164.76 грн
250+146.43 грн
500+142.89 грн
1000+141.48 грн
2500+138.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW080527R0FKEAHP CRCW080527R0FKEAHP VISHAY 2884023.pdf Description: VISHAY - CRCW080527R0FKEAHP - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 27 ohm, ± 1%, 500 mW, 0805 [Metrisch 2012]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 500mW
Widerstandstyp: Impulsspannungsfest, Hochleistung
Widerstand: 27ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW-HP e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 1.25mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
131+6.31 грн
159+5.21 грн
500+3.31 грн
1000+2.78 грн
2500+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 131
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW080527R0FKEAHP CRCW080527R0FKEAHP VISHAY crcwhpe3.pdf Description: VISHAY - CRCW080527R0FKEAHP - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 27 ohm, ± 1%, 500 mW, 0805 [Metrisch 2012]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 500mW
Widerstandstyp: Impulsspannungsfest, Hochleistung
Widerstand: 27ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW-HP e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 1.25mm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
VS-60APH03L-N3 VS-60APH03L-N3 VISHAY VISH-S-A0008532333-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - VS-60APH03L-N3 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 300 V, 60 A, Einfach, 1.45 V, 42 ns, 450 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247AD
Durchlassstoßstrom: 450A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.45V
Sperrverzögerungszeit: 42ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 300V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: FRED Pt Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+225.30 грн
10+144.42 грн
100+123.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RO116SF1D502 RO116SF1D502 VISHAY Description: VISHAY - RO116SF1D502 - Drehpotentiometer, 5 kohm, 1 Umdrehung(en), Linear, 400 mW, ± 10%, RO11 Series
tariffCode: 85334010
Produkthöhe: -
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: -
Anzahl der Umdrehungen: 1Umdrehung(en)
Widerstandstechnologie: Kunststoff, leitfähig
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Potentiometermontage: Servohalterung
Nennleistung: 400mW
Einstellungsart: Drehschalter
Bahnwiderstand: 5kohm
Widerstandsverlauf: Linear
usEccn: EAR99
Anzahl der Einbaustellen: 1
Wellendurchmesser: 3.175mm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 10%
Temperaturkoeffizient: -
Produktlänge: 37.1mm
euEccn: NLR
Potentiometer: Präzision
Länge der Welle: 16.6mm
Produktpalette: RO11 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Potentiometeranschlüsse: Lötstützpunkt
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: -
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+93422.16 грн
5+88057.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW0805100RJNEA CRCW0805100RJNEA VISHAY 2310790.pdf Description: VISHAY - CRCW0805100RJNEA - RES, THICK FILM, 100R, 5%, 0.125W, 0805, REEL
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [2012 Metric]
Widerstandstechnologie: Thick Film
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: General Purpose
Widerstand: 100ohm
usEccn: EAR99
Netzsteckertyp: 0
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 5%
Temperaturkoeffizient: 200ppm/K
Produktlänge: 2.01mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+0.33 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TNPU0805100RBZEN00 TNPU0805100RBZEN00 VISHAY VISH-S-A0009556860-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - TNPU0805100RBZEN00 - RES, THIN FILM, 100R, 0.1%, 0.125W, 0805
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [2012 Metric]
Widerstandstechnologie: Thin Film
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Precision
Widerstand: 100ohm
usEccn: EAR99
Netzsteckertyp: 0
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 0.1%
Temperaturkoeffizient: 5ppm/K
Produktlänge: 2.01mm
euEccn: NLR
Produktpalette: TNPU e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+199.72 грн
10+138.65 грн
25+121.32 грн
50+97.32 грн
100+79.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
LL103B-GS08 LL103B-GS08 VISHAY VISH-S-A0014148067-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - LL103B-GS08 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 600 mV, 15 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-80 (MiniMELF)
Durchlassstoßstrom: 15A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 600mV
Sperrverzögerungszeit: 10ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: LL103
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+19.31 грн
65+12.87 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA92EP-T1_GE3 SQJA92EP-T1_GE3 VISHAY VISH-S-A0002923619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQJA92EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 57 A, 0.0078 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 57
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0078
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+99.86 грн
10+89.13 грн
100+69.74 грн
500+53.49 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SIR584DP-T1-RE3 SIR584DP-T1-RE3 VISHAY 3646755.pdf Description: VISHAY - SIR584DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0031 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 100
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 5620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+89.96 грн
500+68.51 грн
1000+52.42 грн
5000+51.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR584DP-T1-RE3 SIR584DP-T1-RE3 VISHAY 3646755.pdf Description: VISHAY - SIR584DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0031 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 100
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 5620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.79 грн
10+111.41 грн
100+89.96 грн
500+68.51 грн
1000+52.42 грн
5000+51.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826BDP-T1-RE3 SIR826BDP-T1-RE3 VISHAY 2774760.pdf Description: VISHAY - SIR826BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80.8 A, 0.00435 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 80.8
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00435
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00435
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 4927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+137.00 грн
10+121.32 грн
100+96.56 грн
500+74.18 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826LDP-T1-RE3 SIR826LDP-T1-RE3 VISHAY 3164661.pdf Description: VISHAY - SIR826LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 86 A, 0.00415 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00415ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 18914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+146.90 грн
10+94.08 грн
100+72.87 грн
500+52.19 грн
1000+38.69 грн
5000+37.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826BDP-T1-RE3 SIR826BDP-T1-RE3 VISHAY 2774760.pdf Description: VISHAY - SIR826BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80.8 A, 0.00435 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung: 83
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00435
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 4927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+96.56 грн
500+74.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR120DP-T1-RE3 SIR120DP-T1-RE3 VISHAY 2816253.pdf Description: VISHAY - SIR120DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 106 A, 0.00296 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00296ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 22973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+127.09 грн
50+109.76 грн
100+92.43 грн
500+64.60 грн
1500+58.43 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIR880BDP-T1-RE3 SIR880BDP-T1-RE3 VISHAY sir880bdp.pdf Description: VISHAY - SIR880BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70.6 A, 0.0053 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+119.67 грн
10+85.00 грн
100+57.69 грн
500+42.91 грн
1000+36.50 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIR120DP-T1-RE3 SIR120DP-T1-RE3 VISHAY 2816253.pdf Description: VISHAY - SIR120DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 106 A, 0.00296 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00296ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00296ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 22973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+92.43 грн
500+64.60 грн
1500+58.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ186EP-T1_GE3 SQJ186EP-T1_GE3 VISHAY sqj186ep.pdf Description: VISHAY - SQJ186EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.011 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.43 грн
13+63.71 грн
100+49.52 грн
500+36.63 грн
1000+28.30 грн
5000+26.39 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ186EP-T1_GE3 SQJ186EP-T1_GE3 VISHAY sqj186ep.pdf Description: VISHAY - SQJ186EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.011 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 135W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.52 грн
500+36.63 грн
1000+28.30 грн
5000+26.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5802DP-T1-RE3 SIR5802DP-T1-RE3 VISHAY 3257158.pdf Description: VISHAY - SIR5802DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 137.5 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 4739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+107.29 грн
500+82.00 грн
1000+62.96 грн
3000+59.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ128LDP-T1-GE3 SIJ128LDP-T1-GE3 VISHAY sij128ldp.pdf Description: VISHAY - SIJ128LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25.5 A, 0.013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 21785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+130.39 грн
10+91.61 грн
100+67.10 грн
500+54.10 грн
1000+48.03 грн
5000+46.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIR880BDP-T1-RE3 SIR880BDP-T1-RE3 VISHAY sir880bdp.pdf Description: VISHAY - SIR880BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70.6 A, 0.0053 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.69 грн
500+42.91 грн
1000+36.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR122LDP-T1-RE3 SIR122LDP-T1-RE3 VISHAY 3296219.pdf Description: VISHAY - SIR122LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 62.3 A, 0.0061 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 62.3
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0061
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 5986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+71.80 грн
500+55.71 грн
1000+42.87 грн
5000+42.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR122LDP-T1-RE3 SIR122LDP-T1-RE3 VISHAY 3296219.pdf Description: VISHAY - SIR122LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 62.3 A, 0.0061 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 62.3
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0061
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 5986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+94.91 грн
10+84.18 грн
100+71.80 грн
500+55.71 грн
1000+42.87 грн
5000+42.02 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5802DP-T1-RE3 SIR5802DP-T1-RE3 VISHAY 3257158.pdf Description: VISHAY - SIR5802DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 137.5 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 4739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+170.01 грн
10+136.17 грн
100+107.29 грн
500+82.00 грн
1000+62.96 грн
3000+59.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA92EP-T1_GE3 SQJA92EP-T1_GE3 VISHAY VISH-S-A0002923619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQJA92EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 57 A, 0.0078 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung: 68
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+69.74 грн
500+53.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA62DP-T1-RE3 SIRA62DP-T1-RE3 VISHAY 2687527.pdf Description: VISHAY - SIRA62DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.001 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung: 65.7
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+68.00 грн
500+51.96 грн
1000+35.51 грн
5000+34.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826LDP-T1-RE3 SIR826LDP-T1-RE3 VISHAY 3164661.pdf Description: VISHAY - SIR826LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 86 A, 0.00415 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00415ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 18914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+72.87 грн
500+52.19 грн
1000+38.69 грн
5000+37.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ128LDP-T1-GE3 SIJ128LDP-T1-GE3 VISHAY sij128ldp.pdf Description: VISHAY - SIJ128LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25.5 A, 0.013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 21785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.10 грн
500+54.10 грн
1000+48.03 грн
5000+46.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFC246804475 BFC246804475 VISHAY VISH-S-A0004894652-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - BFC246804475 - Universeller Folienkondensator, Metallisiertes PET, Radiales Gehäuse, 2 Pins, 4.7 µF, ± 10%, 63 V
tariffCode: 85322900
Produkthöhe: 19.5mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radiales Gehäuse, 2 Pins
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 22.5mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
Qualifikation: AEC-Q200
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Produktlänge: 19.5mm
euEccn: NLR
Dielektrikum: Metallisiertes PET
Spannung (AC): 63V
Kapazität: 4.7µF
Spannung (DC): 100V
Produktpalette: MKT468 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Feuchtigkeitsklasse: GRADE II (Testbedingung A)
Produktbreite: 26mm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+370.55 грн
50+342.49 грн
100+283.90 грн
250+244.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BFC233810334 BFC233810334 VISHAY VISH-S-A0014148101-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - BFC233810334 - Sicherheitskondensator, Metallisiertes PP, Radiales Gehäuse, 2 Pins, 0.33 µF, ± 20%, X1
tariffCode: 85322500
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radiales Gehäuse, 2 Pins
dv/dt: 100V/µs
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 27.5mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Entstörklasse: X1
Nennspannung Y: -
euEccn: NLR
Dielektrikum: Metallisiertes PP
Kapazität: 0.33µF
Produktpalette: MKP338 1 Series
Nennspannung X: 440VAC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Feuchtigkeitsklasse: GRADE II (Testbedingung A)
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+373.85 грн
5+299.58 грн
10+225.30 грн
20+189.28 грн
40+156.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
F339X143348KII2B0 F339X143348KII2B0 VISHAY VISH-S-A0013954603-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - F339X143348KII2B0 - Sicherheitskondensator, Metallisiertes PP, Radiales Gehäuse, 2 Pins, 0.33 µF, ± 10%, X1
tariffCode: 85322500
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radiales Gehäuse, 2 Pins
dv/dt: 100V/µs
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 22.5mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
Qualifikation: AEC-Q200
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Entstörklasse: X1
Nennspannung Y: -
euEccn: NLR
Dielektrikum: Metallisiertes PP
Kapazität: 0.33µF
Produktpalette: F339X1 Series
Nennspannung X: 480VAC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 110°C
Feuchtigkeitsklasse: GRADE II (Testbedingung B)
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+383.76 грн
5+312.78 грн
10+240.98 грн
25+179.32 грн
50+124.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW020113K0FNED CRCW020113K0FNED VISHAY crcw0201e3.pdf Description: VISHAY - CRCW020113K0FNED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 13 kohm, ± 1%, 50 mW, 0201 [Metrisch 0603]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0201 [Metrisch 0603]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 50mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 13kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 200ppm/K
Produktlänge: 0.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.3mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
381+2.17 грн
658+1.25 грн
893+0.92 грн
2500+0.85 грн
Мінімальне замовлення: 381
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW020113K0FNED. CRCW020113K0FNED. VISHAY 2238160.pdf Description: VISHAY - CRCW020113K0FNED. - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, Dickschicht, 13 kohm, ± 1%, 50 mW, 0201 [Metrisch 0603]
tariffCode: 85332100
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0201 [Metrisch 0603]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
Qualifikation: -
Nennleistung: 50
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 13
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/K
Produktlänge: 0.6
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 30
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 0.3
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+0.78 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C4V7-E3-08 BZT52C4V7-E3-08 VISHAY VISH-S-A0003312328-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - BZT52C4V7-E3-08 - Zener-Diode, 4.7 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZT52
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 22582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+11.06 грн
107+7.72 грн
206+4.02 грн
500+3.51 грн
1000+3.03 грн
5000+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C4V7-E3-08 BZT52C4V7-E3-08 VISHAY VISH-S-A0003312328-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - BZT52C4V7-E3-08 - Zener-Diode, 4.7 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZT52
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 22582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.51 грн
1000+3.03 грн
5000+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
489D106X0016C1VE3 489D106X0016C1VE3 VISHAY VISH-S-A0011038576-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - 489D106X0016C1VE3 - Tantalkondensator, Harzbeschichtung, 10 µF, 16 V, ± 20%, Radial bedrahtet, 2.5 mm
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 8mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial bedrahtet
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
Anschlussabstand: 2.5mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Produktlänge: -
euEccn: NLR
Kapazität: 10µF
Spannung (DC): 16V
Rippelstrom: -
Produktpalette: 489D Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: -
Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.26 грн
12+69.24 грн
50+61.07 грн
100+52.49 грн
200+45.48 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
489D475X0035D6VE3 489D475X0035D6VE3 VISHAY VISH-S-A0011038576-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - 489D475X0035D6VE3 - Tantalkondensator, Harzbeschichtung, 4.7 µF, 35 V, ± 20%, Radial bedrahtet, 5 mm
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 13mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial bedrahtet
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
Anschlussabstand: 5mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Produktlänge: -
euEccn: NLR
Kapazität: 4.7µF
Spannung (DC): 35V
Rippelstrom: -
Produktpalette: 489D Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: -
Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+113.89 грн
10+84.18 грн
50+74.28 грн
100+62.15 грн
200+54.04 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
489D105X0035B1VE3 489D105X0035B1VE3 VISHAY VISH-S-A0011038576-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - 489D105X0035B1VE3 - Tantalkondensator, Harzbeschichtung, 1 µF, 35 V, ± 20%, Radial bedrahtet, 2.5 mm
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 7.5mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial bedrahtet
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
Anschlussabstand: 2.5mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Produktlänge: -
euEccn: NLR
Kapazität: 1µF
Spannung (DC): 35V
Rippelstrom: -
Produktpalette: 489D Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: -
Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+56.61 грн
20+41.84 грн
50+36.97 грн
100+31.73 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SIR158DP-T1-RE3 2259366.pdf
SIR158DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR158DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.00145 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+171.66 грн
10+116.37 грн
100+87.48 грн
500+72.73 грн
1000+59.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIR167DP-T1-GE3 sir167dp.pdf
SIR167DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR167DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0046 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+94.08 грн
50+65.20 грн
100+50.84 грн
500+38.39 грн
1500+30.06 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SISS67DN-T1-GE3 2687542.pdf
SISS67DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISS67DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0046 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 60
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65.8
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.8
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+94.91 грн
10+85.00 грн
100+66.27 грн
500+50.88 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10BDP-T1-GE3 2687524.pdf
SIRA10BDP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA10BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0023 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+57.11 грн
18+46.30 грн
100+29.88 грн
500+23.14 грн
1000+16.48 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SISA18BDN-T1-GE3 3747845.pdf
SISA18BDN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISA18BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0055 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 60
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 36.8
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36.8
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+60.25 грн
16+53.07 грн
100+40.69 грн
500+29.89 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SISA04DN-T1-GE3 VISH-S-A0001798660-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SISA04DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISA04DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0018 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+94.91 грн
11+76.09 грн
100+53.40 грн
500+40.08 грн
1000+34.17 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18BDP-T1-GE3 2856438.pdf
SIRA18BDP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA18BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0055 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 17W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 17W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
на замовлення 5195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+21.54 грн
500+15.63 грн
1000+13.16 грн
5000+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA04DN-T1-GE3 VISH-S-A0013329332-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SISHA04DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISHA04DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0018 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 7920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+42.42 грн
500+30.73 грн
1000+22.00 грн
5000+21.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ5V1C-HG3_A/H plzseries.pdf
PLZ5V1C-HG3_A/H
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - PLZ5V1C-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 10612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
62+13.45 грн
90+9.24 грн
209+3.96 грн
500+3.22 грн
1000+2.55 грн
5000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ5V1B-G3/H plzseries.pdf
PLZ5V1B-G3/H
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - PLZ5V1B-G3/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 18281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
41+20.47 грн
61+13.62 грн
134+6.19 грн
500+5.13 грн
1000+2.26 грн
5000+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
TZX5V1B-TAP tzxserie.pdf
TZX5V1B-TAP
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - TZX5V1B-TAP - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 175 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: TZX5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
81+10.23 грн
114+7.26 грн
257+3.22 грн
500+2.76 грн
1000+1.77 грн
5000+1.70 грн
Мінімальне замовлення: 81
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ5V1C-HG3_A/H 3177834.pdf
PLZ5V1C-HG3_A/H
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - PLZ5V1C-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 10612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.22 грн
1000+2.55 грн
5000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ5V1B-HG3_A/H 3177834.pdf
PLZ5V1B-HG3_A/H
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - PLZ5V1B-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 15880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
52+16.18 грн
73+11.31 грн
179+4.62 грн
500+3.76 грн
1000+3.04 грн
5000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ5V1A-HG3_A/H 3177834.pdf
PLZ5V1A-HG3_A/H
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - PLZ5V1A-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ5V1B-G3/H VISH-S-A0011038632-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PLZ5V1B-G3/H
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - PLZ5V1B-G3/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 18281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.13 грн
1000+2.26 грн
5000+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ5V1B-HG3_A/H plzseries.pdf
PLZ5V1B-HG3_A/H
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - PLZ5V1B-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 15880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.76 грн
1000+3.04 грн
5000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ5V1A-HG3_A/H 3177834.pdf
PLZ5V1A-HG3_A/H
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - PLZ5V1A-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
43+19.31 грн
64+13.04 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
VS-1N3208 VISH-S-A0004148052-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
VS-1N3208
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VS-1N3208 - STANDARD DIODE, 15A, 50V, DO-203AB
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-203AB
Durchlassstoßstrom: 250A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Stud
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.5V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Konfiguration Diodenmodul: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+527.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CNS471A6 doc?60043
CNS471A6
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CNS471A6 - Dekadenteiler, 100 Ohm bis 9 MOhm, Produktreihe CNS 471, 6 Elemente, SIP
tariffCode: 85332100
Widerstand, R1: -
Absolute Widerstandstoleranz: 0.1%
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: SIP
Absoluter TCR: 25ppm/K
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Netzwerkelement: Spannungsteiler
usEccn: EAR99
Anzahl der Elemente: 6Element(e)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Nennleistung pro Widerstand: 100mW
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CNS 471 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Widerstand, R2: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+9514.70 грн
2+8325.47 грн
3+7943.36 грн
5+7021.16 грн
10+6153.55 грн
20+5740.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RS3G-E3/57T VISH-S-A0007914366-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
RS3G-E3/57T
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - RS3G-E3/57T - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 3 A, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 150ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+26.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
593D105X9025A2TE3 593d.pdf
593D105X9025A2TE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - 593D105X9025A2TE3 - CAP, 1UF, 25V, TANT, CASE A
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 1.6mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1206 [3216 Metric]
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: 10%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 4ohm
Produktlänge: 3.2mm
euEccn: NLR
Kapazität: 1µF
Spannung (DC): 25V
Rippelstrom: 140mA
Produktpalette: TANTAMOUNT 593D Series
Hersteller-Größencode: A
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 1.6mm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+51.99 грн
30+28.06 грн
34+24.76 грн
50+19.92 грн
100+15.56 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DG408DQ-T1-E3 VISH-S-A0003397363-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DG408DQ-T1-E3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - DG408DQ-T1-E3 - Analoger Multiplexer, 8:1, 1 Schaltkreis, 100 Ohm, ± 5V bis ± 20V, 5V bis 36V, TSSOP-16
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Analoger Multiplexer
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: ± 5V bis ± 20V, 5V bis 36V
Einschaltwiderstand, max.: 100ohm
Einschaltwiderstand, typ.: 40ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: 8:1
Schalterkonfiguration: -
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache & zweifache Spannungsversorgung
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Schaltkreise: 1Schaltkreis(e)
Schnittstellen: -
Durchlasswiderstand, max.: 100ohm
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 2835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+164.76 грн
250+146.43 грн
500+142.89 грн
1000+141.48 грн
2500+138.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW080527R0FKEAHP 2884023.pdf
CRCW080527R0FKEAHP
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW080527R0FKEAHP - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 27 ohm, ± 1%, 500 mW, 0805 [Metrisch 2012]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 500mW
Widerstandstyp: Impulsspannungsfest, Hochleistung
Widerstand: 27ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW-HP e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 1.25mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
131+6.31 грн
159+5.21 грн
500+3.31 грн
1000+2.78 грн
2500+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 131
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW080527R0FKEAHP crcwhpe3.pdf
CRCW080527R0FKEAHP
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW080527R0FKEAHP - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 27 ohm, ± 1%, 500 mW, 0805 [Metrisch 2012]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 500mW
Widerstandstyp: Impulsspannungsfest, Hochleistung
Widerstand: 27ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW-HP e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 1.25mm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
VS-60APH03L-N3 VISH-S-A0008532333-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
VS-60APH03L-N3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VS-60APH03L-N3 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 300 V, 60 A, Einfach, 1.45 V, 42 ns, 450 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247AD
Durchlassstoßstrom: 450A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.45V
Sperrverzögerungszeit: 42ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 300V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: FRED Pt Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+225.30 грн
10+144.42 грн
100+123.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RO116SF1D502
RO116SF1D502
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - RO116SF1D502 - Drehpotentiometer, 5 kohm, 1 Umdrehung(en), Linear, 400 mW, ± 10%, RO11 Series
tariffCode: 85334010
Produkthöhe: -
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: -
Anzahl der Umdrehungen: 1Umdrehung(en)
Widerstandstechnologie: Kunststoff, leitfähig
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Potentiometermontage: Servohalterung
Nennleistung: 400mW
Einstellungsart: Drehschalter
Bahnwiderstand: 5kohm
Widerstandsverlauf: Linear
usEccn: EAR99
Anzahl der Einbaustellen: 1
Wellendurchmesser: 3.175mm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 10%
Temperaturkoeffizient: -
Produktlänge: 37.1mm
euEccn: NLR
Potentiometer: Präzision
Länge der Welle: 16.6mm
Produktpalette: RO11 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Potentiometeranschlüsse: Lötstützpunkt
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: -
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+93422.16 грн
5+88057.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW0805100RJNEA 2310790.pdf
CRCW0805100RJNEA
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW0805100RJNEA - RES, THICK FILM, 100R, 5%, 0.125W, 0805, REEL
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [2012 Metric]
Widerstandstechnologie: Thick Film
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: General Purpose
Widerstand: 100ohm
usEccn: EAR99
Netzsteckertyp: 0
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 5%
Temperaturkoeffizient: 200ppm/K
Produktlänge: 2.01mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+0.33 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TNPU0805100RBZEN00 VISH-S-A0009556860-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TNPU0805100RBZEN00
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - TNPU0805100RBZEN00 - RES, THIN FILM, 100R, 0.1%, 0.125W, 0805
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [2012 Metric]
Widerstandstechnologie: Thin Film
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Precision
Widerstand: 100ohm
usEccn: EAR99
Netzsteckertyp: 0
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 0.1%
Temperaturkoeffizient: 5ppm/K
Produktlänge: 2.01mm
euEccn: NLR
Produktpalette: TNPU e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+199.72 грн
10+138.65 грн
25+121.32 грн
50+97.32 грн
100+79.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
LL103B-GS08 VISH-S-A0014148067-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
LL103B-GS08
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - LL103B-GS08 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 600 mV, 15 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-80 (MiniMELF)
Durchlassstoßstrom: 15A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 600mV
Sperrverzögerungszeit: 10ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: LL103
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
43+19.31 грн
65+12.87 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA92EP-T1_GE3 VISH-S-A0002923619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQJA92EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJA92EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 57 A, 0.0078 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 57
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0078
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+99.86 грн
10+89.13 грн
100+69.74 грн
500+53.49 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SIR584DP-T1-RE3 3646755.pdf
SIR584DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR584DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0031 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 100
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 5620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+89.96 грн
500+68.51 грн
1000+52.42 грн
5000+51.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR584DP-T1-RE3 3646755.pdf
SIR584DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR584DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0031 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 100
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 5620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+123.79 грн
10+111.41 грн
100+89.96 грн
500+68.51 грн
1000+52.42 грн
5000+51.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826BDP-T1-RE3 2774760.pdf
SIR826BDP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR826BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80.8 A, 0.00435 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 80.8
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00435
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00435
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 4927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+137.00 грн
10+121.32 грн
100+96.56 грн
500+74.18 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826LDP-T1-RE3 3164661.pdf
SIR826LDP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR826LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 86 A, 0.00415 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00415ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 18914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+146.90 грн
10+94.08 грн
100+72.87 грн
500+52.19 грн
1000+38.69 грн
5000+37.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826BDP-T1-RE3 2774760.pdf
SIR826BDP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR826BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80.8 A, 0.00435 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung: 83
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00435
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 4927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+96.56 грн
500+74.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR120DP-T1-RE3 2816253.pdf
SIR120DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR120DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 106 A, 0.00296 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00296ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 22973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+127.09 грн
50+109.76 грн
100+92.43 грн
500+64.60 грн
1500+58.43 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIR880BDP-T1-RE3 sir880bdp.pdf
SIR880BDP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR880BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70.6 A, 0.0053 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+119.67 грн
10+85.00 грн
100+57.69 грн
500+42.91 грн
1000+36.50 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIR120DP-T1-RE3 2816253.pdf
SIR120DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR120DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 106 A, 0.00296 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00296ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00296ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 22973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+92.43 грн
500+64.60 грн
1500+58.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ186EP-T1_GE3 sqj186ep.pdf
SQJ186EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ186EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.011 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+92.43 грн
13+63.71 грн
100+49.52 грн
500+36.63 грн
1000+28.30 грн
5000+26.39 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ186EP-T1_GE3 sqj186ep.pdf
SQJ186EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ186EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.011 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 135W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+49.52 грн
500+36.63 грн
1000+28.30 грн
5000+26.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5802DP-T1-RE3 3257158.pdf
SIR5802DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR5802DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 137.5 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 4739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+107.29 грн
500+82.00 грн
1000+62.96 грн
3000+59.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ128LDP-T1-GE3 sij128ldp.pdf
SIJ128LDP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIJ128LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25.5 A, 0.013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 21785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+130.39 грн
10+91.61 грн
100+67.10 грн
500+54.10 грн
1000+48.03 грн
5000+46.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIR880BDP-T1-RE3 sir880bdp.pdf
SIR880BDP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR880BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70.6 A, 0.0053 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+57.69 грн
500+42.91 грн
1000+36.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR122LDP-T1-RE3 3296219.pdf
SIR122LDP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR122LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 62.3 A, 0.0061 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 62.3
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0061
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 5986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+71.80 грн
500+55.71 грн
1000+42.87 грн
5000+42.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR122LDP-T1-RE3 3296219.pdf
SIR122LDP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR122LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 62.3 A, 0.0061 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 62.3
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0061
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 5986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+94.91 грн
10+84.18 грн
100+71.80 грн
500+55.71 грн
1000+42.87 грн
5000+42.02 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5802DP-T1-RE3 3257158.pdf
SIR5802DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR5802DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 137.5 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 4739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+170.01 грн
10+136.17 грн
100+107.29 грн
500+82.00 грн
1000+62.96 грн
3000+59.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA92EP-T1_GE3 VISH-S-A0002923619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQJA92EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJA92EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 57 A, 0.0078 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung: 68
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+69.74 грн
500+53.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA62DP-T1-RE3 2687527.pdf
SIRA62DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA62DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.001 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung: 65.7
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+68.00 грн
500+51.96 грн
1000+35.51 грн
5000+34.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826LDP-T1-RE3 3164661.pdf
SIR826LDP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR826LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 86 A, 0.00415 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00415ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 18914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+72.87 грн
500+52.19 грн
1000+38.69 грн
5000+37.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ128LDP-T1-GE3 sij128ldp.pdf
SIJ128LDP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIJ128LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25.5 A, 0.013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 21785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+67.10 грн
500+54.10 грн
1000+48.03 грн
5000+46.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFC246804475 VISH-S-A0004894652-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFC246804475
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - BFC246804475 - Universeller Folienkondensator, Metallisiertes PET, Radiales Gehäuse, 2 Pins, 4.7 µF, ± 10%, 63 V
tariffCode: 85322900
Produkthöhe: 19.5mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radiales Gehäuse, 2 Pins
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 22.5mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
Qualifikation: AEC-Q200
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Produktlänge: 19.5mm
euEccn: NLR
Dielektrikum: Metallisiertes PET
Spannung (AC): 63V
Kapazität: 4.7µF
Spannung (DC): 100V
Produktpalette: MKT468 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Feuchtigkeitsklasse: GRADE II (Testbedingung A)
Produktbreite: 26mm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+370.55 грн
50+342.49 грн
100+283.90 грн
250+244.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BFC233810334 VISH-S-A0014148101-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFC233810334
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - BFC233810334 - Sicherheitskondensator, Metallisiertes PP, Radiales Gehäuse, 2 Pins, 0.33 µF, ± 20%, X1
tariffCode: 85322500
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radiales Gehäuse, 2 Pins
dv/dt: 100V/µs
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 27.5mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Entstörklasse: X1
Nennspannung Y: -
euEccn: NLR
Dielektrikum: Metallisiertes PP
Kapazität: 0.33µF
Produktpalette: MKP338 1 Series
Nennspannung X: 440VAC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Feuchtigkeitsklasse: GRADE II (Testbedingung A)
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+373.85 грн
5+299.58 грн
10+225.30 грн
20+189.28 грн
40+156.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
F339X143348KII2B0 VISH-S-A0013954603-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
F339X143348KII2B0
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - F339X143348KII2B0 - Sicherheitskondensator, Metallisiertes PP, Radiales Gehäuse, 2 Pins, 0.33 µF, ± 10%, X1
tariffCode: 85322500
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radiales Gehäuse, 2 Pins
dv/dt: 100V/µs
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 22.5mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
Qualifikation: AEC-Q200
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Entstörklasse: X1
Nennspannung Y: -
euEccn: NLR
Dielektrikum: Metallisiertes PP
Kapazität: 0.33µF
Produktpalette: F339X1 Series
Nennspannung X: 480VAC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 110°C
Feuchtigkeitsklasse: GRADE II (Testbedingung B)
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+383.76 грн
5+312.78 грн
10+240.98 грн
25+179.32 грн
50+124.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW020113K0FNED crcw0201e3.pdf
CRCW020113K0FNED
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW020113K0FNED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 13 kohm, ± 1%, 50 mW, 0201 [Metrisch 0603]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0201 [Metrisch 0603]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 50mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 13kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 200ppm/K
Produktlänge: 0.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.3mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
381+2.17 грн
658+1.25 грн
893+0.92 грн
2500+0.85 грн
Мінімальне замовлення: 381
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW020113K0FNED. 2238160.pdf
CRCW020113K0FNED.
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW020113K0FNED. - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, Dickschicht, 13 kohm, ± 1%, 50 mW, 0201 [Metrisch 0603]
tariffCode: 85332100
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0201 [Metrisch 0603]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
Qualifikation: -
Nennleistung: 50
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 13
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/K
Produktlänge: 0.6
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 30
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 0.3
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+0.78 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C4V7-E3-08 VISH-S-A0003312328-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BZT52C4V7-E3-08
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - BZT52C4V7-E3-08 - Zener-Diode, 4.7 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZT52
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 22582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
75+11.06 грн
107+7.72 грн
206+4.02 грн
500+3.51 грн
1000+3.03 грн
5000+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C4V7-E3-08 VISH-S-A0003312328-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BZT52C4V7-E3-08
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - BZT52C4V7-E3-08 - Zener-Diode, 4.7 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZT52
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 22582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.51 грн
1000+3.03 грн
5000+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
489D106X0016C1VE3 VISH-S-A0011038576-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
489D106X0016C1VE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - 489D106X0016C1VE3 - Tantalkondensator, Harzbeschichtung, 10 µF, 16 V, ± 20%, Radial bedrahtet, 2.5 mm
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 8mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial bedrahtet
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
Anschlussabstand: 2.5mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Produktlänge: -
euEccn: NLR
Kapazität: 10µF
Spannung (DC): 16V
Rippelstrom: -
Produktpalette: 489D Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: -
Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+93.26 грн
12+69.24 грн
50+61.07 грн
100+52.49 грн
200+45.48 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
489D475X0035D6VE3 VISH-S-A0011038576-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
489D475X0035D6VE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - 489D475X0035D6VE3 - Tantalkondensator, Harzbeschichtung, 4.7 µF, 35 V, ± 20%, Radial bedrahtet, 5 mm
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 13mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial bedrahtet
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
Anschlussabstand: 5mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Produktlänge: -
euEccn: NLR
Kapazität: 4.7µF
Spannung (DC): 35V
Rippelstrom: -
Produktpalette: 489D Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: -
Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+113.89 грн
10+84.18 грн
50+74.28 грн
100+62.15 грн
200+54.04 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
489D105X0035B1VE3 VISH-S-A0011038576-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
489D105X0035B1VE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - 489D105X0035B1VE3 - Tantalkondensator, Harzbeschichtung, 1 µF, 35 V, ± 20%, Radial bedrahtet, 2.5 mm
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 7.5mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial bedrahtet
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
Anschlussabstand: 2.5mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Produktlänge: -
euEccn: NLR
Kapazität: 1µF
Spannung (DC): 35V
Rippelstrom: -
Produktpalette: 489D Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: -
Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+56.61 грн
20+41.84 грн
50+36.97 грн
100+31.73 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 582 1164 1746 2328 2910 3035 3036 3037 3038 3039 3040 3041 3042 3043 3044 3045 3492 4074 4656 5238 5820 5828  [ Наступна Сторінка >> ]