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CRCW020151K0FKED | VISHAY |
Description: VISHAY - CRCW020151K0FKED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 51 kohm, ± 1%, 50 mW, 0201 [Metrisch 0603]tariffCode: 85332100 rohsCompliant: Y-EX Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0201 [Metrisch 0603] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Nennleistung: 50mW Widerstandstyp: Universell Widerstand: 51kohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: ± 1% Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K Produktlänge: 0.6mm euEccn: NLR Produktpalette: CRCW e3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Nennspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 0.3mm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
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VCAN26B2-03G-E3-08 | VISHAY |
Description: VISHAY - VCAN26B2-03G-E3-08 - ESD-Schutzbaustein, 50 V, SOT-323, 3 Pin(s), 26.5 V, 100 WtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-323 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 100W euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 50V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: 26.5V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 15333 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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VCAN36A2-03S-E3-08 | VISHAY |
Description: VISHAY - VCAN36A2-03S-E3-08 - ESD-Schutzbaustein, 63 V, SOT-23, 3 Pin(s), 36 V, 150 WtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 150W euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 63V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: 36V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 13993 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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VCAN36A2-03GHE3-08 | VISHAY |
Description: VISHAY - VCAN36A2-03GHE3-08 - ESD-Schutzbaustein, 63 V, SOT-323, 3 Pin(s), 36 V, 150 WtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-323 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 150W euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 63V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: 36V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 10029 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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VCAN26B2-03GHE3-08 | VISHAY |
Description: VISHAY - VCAN26B2-03GHE3-08 - ESD-Schutzbaustein, 50 V, SOT-323, 3 Pin(s), 26.5 V, 100 WtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-323 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 100W euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 50V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: 26.5V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 10595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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VCAN36A2-03G-E3-08 | VISHAY |
Description: VISHAY - VCAN36A2-03G-E3-08 - ESD-Schutzbaustein, 63 V, SOT-323, 3 Pin(s), 36 V, 150 WtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-323 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 150W euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 63V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: 36V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 7749 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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VCAN36A2-03G-E3-08 | VISHAY |
Description: VISHAY - VCAN36A2-03G-E3-08 - ESD-Schutzbaustein, 63 V, SOT-323, 3 Pin(s), 36 V, 150 WtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-323 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 150W euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 63V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: 36V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 7749 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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VCAN36A2-03GHE3-08 | VISHAY |
Description: VISHAY - VCAN36A2-03GHE3-08 - ESD-Schutzbaustein, 63 V, SOT-323, 3 Pin(s), 36 V, 150 WtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-323 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 150W euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 63V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: 36V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 10029 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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VCAN26B2-03G-E3-08 | VISHAY |
Description: VISHAY - VCAN26B2-03G-E3-08 - ESD-Schutzbaustein, 50 V, SOT-323, 3 Pin(s), 26.5 V, 100 WtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-323 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 100W euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 50V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: 26.5V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 15333 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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VCAN36A2-03SHE3-08 | VISHAY |
Description: VISHAY - VCAN36A2-03SHE3-08 - ESD-Schutzbaustein, 63 V, SOT-23, 3 Pin(s), 36 V, 150 WtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 150W euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 63V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: 36V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 8839 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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VCAN36A2-03SHE3-08 | VISHAY |
Description: VISHAY - VCAN36A2-03SHE3-08 - ESD-Schutzbaustein, 63 V, SOT-23, 3 Pin(s), 36 V, 150 WtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 150W euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 63V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: 36V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 8839 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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VCAN16A2-03SHE3-08 | VISHAY |
Description: VISHAY - VCAN16A2-03SHE3-08 - ESD-Schutzbaustein, 28 V, SOT-23, 3 Pin(s), 16 V, 145 WtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 145W euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 28V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: 16V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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VCAN16A2-03GHE3-08 | VISHAY |
Description: VISHAY - VCAN16A2-03GHE3-08 - ESD-Schutzbaustein, 28 V, SOT-323, 3 Pin(s), 16 V, 140 WtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-323 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 140W euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 28V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: 16V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 23300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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VCAN16A2-03S-E3-08 | VISHAY |
Description: VISHAY - VCAN16A2-03S-E3-08 - ESD-Schutzbaustein, 28 V, SOT-23, 3 Pin(s), 16 V, 145 WtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 145W euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 28V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: 16V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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VCAN33A2-03SHE3-08 | VISHAY |
Description: VISHAY - VCAN33A2-03SHE3-08 - ESD-Schutzbaustein, 56 V, SOT-23, 3 Pin(s), 33 V, 150 WtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 150W euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 56V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: 33V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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VCAN16A2-03S-E3-08 | VISHAY |
Description: VISHAY - VCAN16A2-03S-E3-08 - ESD-Schutzbaustein, 28 V, SOT-23, 3 Pin(s), 16 V, 145 WtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 145W euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 28V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: 16V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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VCAN33A2-03S-E3-08 | VISHAY |
Description: VISHAY - VCAN33A2-03S-E3-08 - ESD-Schutzbaustein, 56 V, SOT-23, 3 Pin(s), 33 V, 150 WtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 150W euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 56V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: 33V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 6435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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VCAN16A2-03GHE3-08 | VISHAY |
Description: VISHAY - VCAN16A2-03GHE3-08 - ESD-Schutzbaustein, 28 V, SOT-323, 3 Pin(s), 16 V, 140 WtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-323 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 140W euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 28V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: 16V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 23300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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VCAN33A2-03GHE3-08 | VISHAY |
Description: VISHAY - VCAN33A2-03GHE3-08 - ESD-Schutzbaustein, 56 V, SOT-323, 3 Pin(s), 33 V, 140 WtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-323 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 140W euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 56V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: 33V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 14925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SIR165DP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR165DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 4600 µohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.8W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 5862 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SIR158DP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR158DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 1800 µohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 2474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SIR167DP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR167DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 5500 µohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.8W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 5096 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SISS67DN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SISS67DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0046 ohm, PowerPAK 1212, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 60 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 65.8 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 65.8 Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 5950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SIRA10BDP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIRA10BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0023 ohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 43W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 9377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SISA18BDN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SISA18BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 6830 µohm, PowerPAK 1212, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 36.8W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6830µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 11707 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SISA04DN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SISA04DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2150 µohm, PowerPAK 1212, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2150µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 2954 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SIRA18BDP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIRA18BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 6830 µohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 17W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 17W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6830µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 3650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SISHA04DN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SISHA04DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0018 ohm, PowerPAK 1212, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 52W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 7890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PLZ5V1C-HG3_A/H | VISHAY |
Description: VISHAY - PLZ5V1C-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF) rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: PLZ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 5.1V SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 10612 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PLZ5V1B-G3/H | VISHAY |
Description: VISHAY - PLZ5V1B-G3/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF) rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: PLZ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 5.1V SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 17041 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TZX5V1B-TAP | VISHAY |
Description: VISHAY - TZX5V1B-TAP - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 175 °C, DurchsteckmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-35 rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: TZX5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Zener-Spannung, nom.: 5.1V SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 27710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PLZ5V1C-HG3_A/H | VISHAY |
Description: VISHAY - PLZ5V1C-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF) rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: PLZ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 5.1V SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 10612 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PLZ5V1B-HG3_A/H | VISHAY |
Description: VISHAY - PLZ5V1B-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF) rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: PLZ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 5.1V SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 15880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PLZ5V1A-HG3_A/H | VISHAY |
Description: VISHAY - PLZ5V1A-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF) rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: PLZ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 5.1V SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 71 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
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PLZ5V1B-G3/H | VISHAY |
Description: VISHAY - PLZ5V1B-G3/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF) rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: PLZ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 5.1V SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 17041 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PLZ5V1B-HG3_A/H | VISHAY |
Description: VISHAY - PLZ5V1B-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF) rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: PLZ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 5.1V SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 15880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PLZ5V1A-HG3_A/H | VISHAY |
Description: VISHAY - PLZ5V1A-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF) rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: PLZ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 5.1V SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 71 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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VS-1N3208 | VISHAY |
Description: VISHAY - VS-1N3208 - STANDARD DIODE, 15A, 50V, DO-203ABtariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 2Pin(s) euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 |
на замовлення 79 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
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CNS471A6 | VISHAY |
Description: VISHAY - CNS471A6 - Dekadenteiler, 100 Ohm bis 9 MOhm, Produktreihe CNS 471, 6 Elemente, SIPtariffCode: 85332100 Widerstand, R1: - Absolute Widerstandstoleranz: 0.1% rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: SIP Absoluter TCR: 25ppm/K hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Netzwerkelement: Spannungsteiler usEccn: EAR99 Anzahl der Elemente: 6Element(e) euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Nennleistung pro Widerstand: 100mW Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CNS 471 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Widerstand, R2: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RS3G-E3/57T | VISHAY |
Description: VISHAY - RS3G-E3/57T - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 3 A, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 100 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AB (SMC) Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 150ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 367 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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593D105X9025A2TE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - 593D105X9025A2TE3 - CAP, 1UF, 25V, TANT, CASE AtariffCode: 85322100 Produkthöhe: 1.6mm Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1206 [3216 Metric] rohsCompliant: YES Ausfallrate: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kapazitätstoleranz: 10% Qualifikation: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 4ohm Produktlänge: 3.2mm euEccn: NLR Kapazität: 1µF Spannung (DC): 25V Rippelstrom: 140mA Produktpalette: TANTAMOUNT 593D Series Hersteller-Größencode: A productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C Produktbreite: 1.6mm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 449 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DG408DQ-T1-E3 | VISHAY |
Description: VISHAY - DG408DQ-T1-E3 - Analoger Multiplexer, 8:1, 1 Schaltkreis, 100 Ohm, ± 5V bis ± 20V, 5V bis 36V, TSSOP-16tariffCode: 85423990 IC-Funktion: Analoger Multiplexer rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: ± 5V bis ± 20V, 5V bis 36V Einschaltwiderstand, max.: 100ohm Einschaltwiderstand, typ.: 40ohm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP MSL: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: 8:1 Schalterkonfiguration: - euEccn: NLR Stromversorgung: Einfache & zweifache Spannungsversorgung Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Anzahl der Schaltkreise: 1Schaltkreis(e) Schnittstellen: - Durchlasswiderstand, max.: 100ohm Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
на замовлення 2268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CRCW080527R0FKEAHP | VISHAY |
Description: VISHAY - CRCW080527R0FKEAHP - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 27 ohm, ± 1%, 500 mW, 0805 [Metrisch 2012]tariffCode: 85332100 rohsCompliant: Y-EX Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 500mW Widerstandstyp: Impulsspannungsfest, Hochleistung Widerstand: 27ohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: ± 1% Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K Produktlänge: 2mm euEccn: NLR Produktpalette: CRCW-HP e3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Nennspannung: 150V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 1.25mm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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VS-60APH03L-N3 | VISHAY |
Description: VISHAY - VS-60APH03L-N3 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 300 V, 60 A, Einfach, 1.45 V, 42 ns, 450 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247AD Durchlassstoßstrom: 450A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.45V Sperrverzögerungszeit: 42ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: FRED Pt Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 300V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 687 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RO116SF1D502 | VISHAY |
Description: VISHAY - RO116SF1D502 - Drehpotentiometer, 5 kohm, 1 Umdrehung(en), Linear, 400 mW, ± 10%, RO11 SeriestariffCode: 85334010 Produkthöhe: - rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: - Anzahl der Umdrehungen: 1Umdrehung(en) Widerstandstechnologie: Kunststoff, leitfähig hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Potentiometermontage: Servohalterung Nennleistung: 400mW Einstellungsart: Drehschalter Bahnwiderstand: 5kohm Widerstandsverlauf: Linear usEccn: EAR99 Anzahl der Einbaustellen: 1 Wellendurchmesser: 3.175mm Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: ± 10% Temperaturkoeffizient: - Produktlänge: 37.1mm euEccn: NLR Potentiometer: Präzision Länge der Welle: 16.6mm Produktpalette: RO11 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Potentiometeranschlüsse: Lötstützpunkt Betriebstemperatur, max.: 125°C Produktbreite: - SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TNPU0805100RBZEN00 | VISHAY |
Description: VISHAY - TNPU0805100RBZEN00 - RES, THIN FILM, 100R, 0.1%, 0.125W, 0805tariffCode: 85332100 rohsCompliant: Y-EX Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [2012 Metric] Widerstandstechnologie: Thin Film hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 125mW Widerstandstyp: Precision Widerstand: 100ohm usEccn: EAR99 Netzsteckertyp: 0 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: 0.1% Temperaturkoeffizient: 5ppm/K Produktlänge: 2.01mm euEccn: NLR Produktpalette: TNPU e3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Nennspannung: 150V Betriebstemperatur, max.: 125°C Produktbreite: 0 directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 529 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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LL103B-GS08 | VISHAY |
Description: VISHAY - LL103B-GS08 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 600 mV, 15 A, 150 °CtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-80 (MiniMELF) Durchlassstoßstrom: 15A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 600mV Sperrverzögerungszeit: 10ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: LL103 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
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SQJA92EP-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQJA92EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 57 A, 0.0078 ohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 Dauer-Drainstrom Id: 57 hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 68 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 euEccn: NLR Verlustleistung: 68 Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0078 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 2696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SIR584DP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR584DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0031 ohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 Dauer-Drainstrom Id: 100 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 83.3 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 83.3 Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 5620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SIR584DP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR584DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0031 ohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 Dauer-Drainstrom Id: 100 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 83.3 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 83.3 Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 5620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SIR826BDP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR826BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80.8 A, 5100 µohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 3147 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SIR826LDP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR826LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 86 A, 0.00415 ohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 86A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00415ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 14390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SIR826BDP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR826BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80.8 A, 5100 µohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 3147 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SIR120DP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR120DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 106 A, 0.00296 ohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 106A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00296ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 18217 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SIR880BDP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR880BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70.6 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 71.4W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
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SIR120DP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR120DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 106 A, 0.00296 ohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 106A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 100W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00296ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00296ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 18217 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SQJ186EP-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ186EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.011 ohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 135W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 9433 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SQJ186EP-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ186EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.011 ohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 135W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 135W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 9433 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SIR5802DP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR5802DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 137.5 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 137.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 104W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 4739 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SIJ128LDP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIJ128LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25.5 A, 0.013 ohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 22.3W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 21591 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| CRCW020151K0FKED |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW020151K0FKED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 51 kohm, ± 1%, 50 mW, 0201 [Metrisch 0603]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0201 [Metrisch 0603]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 50mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 51kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 0.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.3mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - CRCW020151K0FKED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 51 kohm, ± 1%, 50 mW, 0201 [Metrisch 0603]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0201 [Metrisch 0603]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 50mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 51kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 0.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.3mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| VCAN26B2-03G-E3-08 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VCAN26B2-03G-E3-08 - ESD-Schutzbaustein, 50 V, SOT-323, 3 Pin(s), 26.5 V, 100 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 50V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 26.5V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: VISHAY - VCAN26B2-03G-E3-08 - ESD-Schutzbaustein, 50 V, SOT-323, 3 Pin(s), 26.5 V, 100 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 50V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 26.5V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 15333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 55+ | 15.54 грн |
| 80+ | 10.56 грн |
| 120+ | 7.09 грн |
| 500+ | 5.08 грн |
| 1000+ | 4.21 грн |
| 5000+ | 3.47 грн |
| VCAN36A2-03S-E3-08 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VCAN36A2-03S-E3-08 - ESD-Schutzbaustein, 63 V, SOT-23, 3 Pin(s), 36 V, 150 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 63V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 36V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - VCAN36A2-03S-E3-08 - ESD-Schutzbaustein, 63 V, SOT-23, 3 Pin(s), 36 V, 150 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Verlustleistung Pd: 150W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 63V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 36V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 6.77 грн |
| 1000+ | 5.56 грн |
| 5000+ | 3.96 грн |
| VCAN36A2-03GHE3-08 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VCAN36A2-03GHE3-08 - ESD-Schutzbaustein, 63 V, SOT-323, 3 Pin(s), 36 V, 150 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
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usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 63V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 36V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - VCAN36A2-03GHE3-08 - ESD-Schutzbaustein, 63 V, SOT-323, 3 Pin(s), 36 V, 150 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
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Verlustleistung Pd: 150W
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Begrenzungsspannung Vc, max.: 63V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 36V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 10029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 8.00 грн |
| 1000+ | 6.44 грн |
| 5000+ | 4.71 грн |
| VCAN26B2-03GHE3-08 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VCAN26B2-03GHE3-08 - ESD-Schutzbaustein, 50 V, SOT-323, 3 Pin(s), 26.5 V, 100 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
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Verlustleistung Pd: 100W
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Begrenzungsspannung Vc, max.: 50V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 26.5V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: VISHAY - VCAN26B2-03GHE3-08 - ESD-Schutzbaustein, 50 V, SOT-323, 3 Pin(s), 26.5 V, 100 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
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usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
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Begrenzungsspannung Vc, max.: 50V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 26.5V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 7.82 грн |
| 1000+ | 6.45 грн |
| 5000+ | 5.40 грн |
| VCAN36A2-03G-E3-08 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VCAN36A2-03G-E3-08 - ESD-Schutzbaustein, 63 V, SOT-323, 3 Pin(s), 36 V, 150 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 63V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 36V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - VCAN36A2-03G-E3-08 - ESD-Schutzbaustein, 63 V, SOT-323, 3 Pin(s), 36 V, 150 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 63V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 36V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 7749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 7.81 грн |
| 1000+ | 6.37 грн |
| 5000+ | 4.57 грн |
| VCAN36A2-03G-E3-08 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VCAN36A2-03G-E3-08 - ESD-Schutzbaustein, 63 V, SOT-323, 3 Pin(s), 36 V, 150 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 63V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 36V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - VCAN36A2-03G-E3-08 - ESD-Schutzbaustein, 63 V, SOT-323, 3 Pin(s), 36 V, 150 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
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usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 63V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 36V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 7749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 35+ | 24.25 грн |
| 57+ | 15.04 грн |
| 100+ | 11.24 грн |
| 500+ | 7.81 грн |
| 1000+ | 6.37 грн |
| 5000+ | 4.57 грн |
| VCAN36A2-03GHE3-08 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VCAN36A2-03GHE3-08 - ESD-Schutzbaustein, 63 V, SOT-323, 3 Pin(s), 36 V, 150 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 63V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 36V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - VCAN36A2-03GHE3-08 - ESD-Schutzbaustein, 63 V, SOT-323, 3 Pin(s), 36 V, 150 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 63V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 36V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 10029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 35+ | 24.25 грн |
| 57+ | 14.95 грн |
| 100+ | 11.32 грн |
| 500+ | 8.00 грн |
| 1000+ | 6.44 грн |
| 5000+ | 4.71 грн |
| VCAN26B2-03G-E3-08 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VCAN26B2-03G-E3-08 - ESD-Schutzbaustein, 50 V, SOT-323, 3 Pin(s), 26.5 V, 100 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 50V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 26.5V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: VISHAY - VCAN26B2-03G-E3-08 - ESD-Schutzbaustein, 50 V, SOT-323, 3 Pin(s), 26.5 V, 100 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 50V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 26.5V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 15333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 5.08 грн |
| 1000+ | 4.21 грн |
| 5000+ | 3.47 грн |
| VCAN36A2-03SHE3-08 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VCAN36A2-03SHE3-08 - ESD-Schutzbaustein, 63 V, SOT-23, 3 Pin(s), 36 V, 150 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 63V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 36V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - VCAN36A2-03SHE3-08 - ESD-Schutzbaustein, 63 V, SOT-23, 3 Pin(s), 36 V, 150 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 63V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 36V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 13.52 грн |
| 500+ | 11.53 грн |
| 1000+ | 8.04 грн |
| 5000+ | 7.89 грн |
| VCAN36A2-03SHE3-08 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VCAN36A2-03SHE3-08 - ESD-Schutzbaustein, 63 V, SOT-23, 3 Pin(s), 36 V, 150 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
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usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 63V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 36V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - VCAN36A2-03SHE3-08 - ESD-Schutzbaustein, 63 V, SOT-23, 3 Pin(s), 36 V, 150 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
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Verlustleistung Pd: 150W
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Begrenzungsspannung Vc, max.: 63V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 36V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 23+ | 37.17 грн |
| 35+ | 24.75 грн |
| 100+ | 13.52 грн |
| 500+ | 11.53 грн |
| 1000+ | 8.04 грн |
| 5000+ | 7.89 грн |
| VCAN16A2-03SHE3-08 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VCAN16A2-03SHE3-08 - ESD-Schutzbaustein, 28 V, SOT-23, 3 Pin(s), 16 V, 145 W
tariffCode: 85411000
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Verlustleistung Pd: 145W
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Begrenzungsspannung Vc, max.: 28V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 16V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - VCAN16A2-03SHE3-08 - ESD-Schutzbaustein, 28 V, SOT-23, 3 Pin(s), 16 V, 145 W
tariffCode: 85411000
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Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 16V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 12.67 грн |
| 500+ | 9.65 грн |
| 1000+ | 6.60 грн |
| VCAN16A2-03GHE3-08 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VCAN16A2-03GHE3-08 - ESD-Schutzbaustein, 28 V, SOT-323, 3 Pin(s), 16 V, 140 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
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Verlustleistung Pd: 140W
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Begrenzungsspannung Vc, max.: 28V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 16V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - VCAN16A2-03GHE3-08 - ESD-Schutzbaustein, 28 V, SOT-323, 3 Pin(s), 16 V, 140 W
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Begrenzungsspannung Vc, max.: 28V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 16V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 23300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 10.31 грн |
| 500+ | 7.72 грн |
| 1000+ | 6.47 грн |
| 5000+ | 4.74 грн |
| VCAN16A2-03S-E3-08 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VCAN16A2-03S-E3-08 - ESD-Schutzbaustein, 28 V, SOT-23, 3 Pin(s), 16 V, 145 W
tariffCode: 85411000
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Begrenzungsspannung Vc, max.: 28V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 16V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - VCAN16A2-03S-E3-08 - ESD-Schutzbaustein, 28 V, SOT-23, 3 Pin(s), 16 V, 145 W
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Verlustleistung Pd: 145W
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Begrenzungsspannung Vc, max.: 28V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 16V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 7.66 грн |
| 1000+ | 6.30 грн |
| VCAN33A2-03SHE3-08 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VCAN33A2-03SHE3-08 - ESD-Schutzbaustein, 56 V, SOT-23, 3 Pin(s), 33 V, 150 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
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Verlustleistung Pd: 150W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 56V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 33V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - VCAN33A2-03SHE3-08 - ESD-Schutzbaustein, 56 V, SOT-23, 3 Pin(s), 33 V, 150 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
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Verlustleistung Pd: 150W
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Begrenzungsspannung Vc, max.: 56V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 33V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 53.48 грн |
| 27+ | 31.68 грн |
| 100+ | 26.95 грн |
| 500+ | 16.63 грн |
| 1000+ | 13.61 грн |
| VCAN16A2-03S-E3-08 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VCAN16A2-03S-E3-08 - ESD-Schutzbaustein, 28 V, SOT-23, 3 Pin(s), 16 V, 145 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
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Verlustleistung Pd: 145W
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Begrenzungsspannung Vc, max.: 28V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 16V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - VCAN16A2-03S-E3-08 - ESD-Schutzbaustein, 28 V, SOT-23, 3 Pin(s), 16 V, 145 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
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Verlustleistung Pd: 145W
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Begrenzungsspannung Vc, max.: 28V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 16V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 42+ | 20.19 грн |
| 61+ | 13.86 грн |
| 100+ | 10.81 грн |
| 500+ | 7.66 грн |
| 1000+ | 6.30 грн |
| VCAN33A2-03S-E3-08 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VCAN33A2-03S-E3-08 - ESD-Schutzbaustein, 56 V, SOT-23, 3 Pin(s), 33 V, 150 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
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Verlustleistung Pd: 150W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 56V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 33V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - VCAN33A2-03S-E3-08 - ESD-Schutzbaustein, 56 V, SOT-23, 3 Pin(s), 33 V, 150 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 56V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 33V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 11.15 грн |
| 500+ | 7.73 грн |
| 1000+ | 6.30 грн |
| 5000+ | 4.50 грн |
| VCAN16A2-03GHE3-08 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VCAN16A2-03GHE3-08 - ESD-Schutzbaustein, 28 V, SOT-323, 3 Pin(s), 16 V, 140 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 28V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 16V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - VCAN16A2-03GHE3-08 - ESD-Schutzbaustein, 28 V, SOT-323, 3 Pin(s), 16 V, 140 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 28V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 16V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 23300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 22.73 грн |
| 55+ | 15.46 грн |
| 100+ | 10.31 грн |
| 500+ | 7.72 грн |
| 1000+ | 6.47 грн |
| 5000+ | 4.74 грн |
| VCAN33A2-03GHE3-08 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VCAN33A2-03GHE3-08 - ESD-Schutzbaustein, 56 V, SOT-323, 3 Pin(s), 33 V, 140 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 56V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 33V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - VCAN33A2-03GHE3-08 - ESD-Schutzbaustein, 56 V, SOT-323, 3 Pin(s), 33 V, 140 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 56V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 33V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 14925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 12.67 грн |
| 500+ | 8.86 грн |
| 1000+ | 7.22 грн |
| 5000+ | 5.47 грн |
| SIR165DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR165DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 4600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIR165DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 4600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 165.59 грн |
| 50+ | 113.21 грн |
| 100+ | 76.54 грн |
| 500+ | 56.64 грн |
| 1500+ | 49.17 грн |
| SIR158DP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR158DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 1800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SIR158DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 1800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 185.02 грн |
| 10+ | 119.97 грн |
| 100+ | 81.44 грн |
| 500+ | 68.80 грн |
| 1000+ | 57.13 грн |
| SIR167DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR167DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 5500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIR167DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 5500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 105.60 грн |
| 50+ | 73.67 грн |
| 100+ | 53.90 грн |
| 500+ | 39.38 грн |
| 1500+ | 33.17 грн |
| SISS67DN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISS67DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0046 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 60
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65.8
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.8
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: VISHAY - SISS67DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0046 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 60
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65.8
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.8
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 97.16 грн |
| 10+ | 87.02 грн |
| 100+ | 67.84 грн |
| 500+ | 52.09 грн |
| SIRA10BDP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA10BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0023 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: To Be Advised
Description: VISHAY - SIRA10BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0023 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 58.46 грн |
| 18+ | 47.39 грн |
| 100+ | 30.58 грн |
| 500+ | 23.69 грн |
| 1000+ | 16.87 грн |
| SISA18BDN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISA18BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 6830 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6830µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SISA18BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 6830 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6830µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 11707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 60.66 грн |
| 20+ | 44.02 грн |
| 100+ | 31.43 грн |
| 500+ | 21.18 грн |
| 1000+ | 17.74 грн |
| 5000+ | 16.15 грн |
| SISA04DN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISA04DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2150 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2150µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SISA04DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2150 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2150µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 151.22 грн |
| 10+ | 96.31 грн |
| 100+ | 63.87 грн |
| 500+ | 48.64 грн |
| 1000+ | 39.25 грн |
| SIRA18BDP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA18BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 6830 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 17W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 17W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6830µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIRA18BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 6830 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 17W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 17W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6830µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 24.16 грн |
| 500+ | 17.10 грн |
| 1000+ | 14.05 грн |
| SISHA04DN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISHA04DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0018 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SISHA04DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0018 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 7890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 47.06 грн |
| 500+ | 33.26 грн |
| 1000+ | 24.69 грн |
| 5000+ | 22.74 грн |
| PLZ5V1C-HG3_A/H |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - PLZ5V1C-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - PLZ5V1C-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 10612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 62+ | 13.77 грн |
| 90+ | 9.46 грн |
| 209+ | 4.06 грн |
| 500+ | 3.29 грн |
| 1000+ | 2.61 грн |
| 5000+ | 2.56 грн |
| PLZ5V1B-G3/H |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - PLZ5V1B-G3/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - PLZ5V1B-G3/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 97+ | 8.79 грн |
| 135+ | 6.29 грн |
| 269+ | 3.14 грн |
| 500+ | 2.57 грн |
| 1000+ | 2.19 грн |
| 5000+ | 2.13 грн |
| TZX5V1B-TAP |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - TZX5V1B-TAP - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 175 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: TZX5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - TZX5V1B-TAP - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 175 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: TZX5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 27710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 89+ | 9.55 грн |
| 126+ | 6.72 грн |
| 313+ | 2.70 грн |
| 500+ | 2.06 грн |
| 1000+ | 1.56 грн |
| 5000+ | 1.27 грн |
| PLZ5V1C-HG3_A/H |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - PLZ5V1C-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - PLZ5V1C-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 10612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 3.29 грн |
| 1000+ | 2.61 грн |
| 5000+ | 2.56 грн |
| PLZ5V1B-HG3_A/H |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - PLZ5V1B-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - PLZ5V1B-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 77+ | 10.98 грн |
| 113+ | 7.54 грн |
| 252+ | 3.36 грн |
| 500+ | 2.63 грн |
| 1000+ | 2.02 грн |
| 5000+ | 2.01 грн |
| PLZ5V1A-HG3_A/H |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - PLZ5V1A-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - PLZ5V1A-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| PLZ5V1B-G3/H |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - PLZ5V1B-G3/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - PLZ5V1B-G3/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 2.57 грн |
| 1000+ | 2.19 грн |
| 5000+ | 2.13 грн |
| PLZ5V1B-HG3_A/H |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - PLZ5V1B-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - PLZ5V1B-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 2.63 грн |
| 1000+ | 2.02 грн |
| 5000+ | 2.01 грн |
| PLZ5V1A-HG3_A/H |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - PLZ5V1A-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - PLZ5V1A-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 43+ | 19.77 грн |
| 64+ | 13.35 грн |
| VS-1N3208 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VS-1N3208 - STANDARD DIODE, 15A, 50V, DO-203AB
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Description: VISHAY - VS-1N3208 - STANDARD DIODE, 15A, 50V, DO-203AB
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| CNS471A6 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CNS471A6 - Dekadenteiler, 100 Ohm bis 9 MOhm, Produktreihe CNS 471, 6 Elemente, SIP
tariffCode: 85332100
Widerstand, R1: -
Absolute Widerstandstoleranz: 0.1%
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: SIP
Absoluter TCR: 25ppm/K
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Netzwerkelement: Spannungsteiler
usEccn: EAR99
Anzahl der Elemente: 6Element(e)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Nennleistung pro Widerstand: 100mW
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CNS 471 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Widerstand, R2: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: VISHAY - CNS471A6 - Dekadenteiler, 100 Ohm bis 9 MOhm, Produktreihe CNS 471, 6 Elemente, SIP
tariffCode: 85332100
Widerstand, R1: -
Absolute Widerstandstoleranz: 0.1%
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: SIP
Absoluter TCR: 25ppm/K
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Netzwerkelement: Spannungsteiler
usEccn: EAR99
Anzahl der Elemente: 6Element(e)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Nennleistung pro Widerstand: 100mW
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CNS 471 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Widerstand, R2: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 9740.02 грн |
| 2+ | 8522.62 грн |
| 3+ | 8131.47 грн |
| 5+ | 7187.43 грн |
| 10+ | 6299.28 грн |
| 20+ | 5876.38 грн |
| RS3G-E3/57T |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - RS3G-E3/57T - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 3 A, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 150ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - RS3G-E3/57T - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 3 A, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 150ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 27.63 грн |
| 593D105X9025A2TE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - 593D105X9025A2TE3 - CAP, 1UF, 25V, TANT, CASE A
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 1.6mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1206 [3216 Metric]
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: 10%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 4ohm
Produktlänge: 3.2mm
euEccn: NLR
Kapazität: 1µF
Spannung (DC): 25V
Rippelstrom: 140mA
Produktpalette: TANTAMOUNT 593D Series
Hersteller-Größencode: A
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 1.6mm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: VISHAY - 593D105X9025A2TE3 - CAP, 1UF, 25V, TANT, CASE A
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 1.6mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1206 [3216 Metric]
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: 10%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 4ohm
Produktlänge: 3.2mm
euEccn: NLR
Kapazität: 1µF
Spannung (DC): 25V
Rippelstrom: 140mA
Produktpalette: TANTAMOUNT 593D Series
Hersteller-Größencode: A
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 1.6mm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 53.22 грн |
| 30+ | 28.72 грн |
| 34+ | 25.34 грн |
| 50+ | 20.40 грн |
| 100+ | 15.93 грн |
| DG408DQ-T1-E3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - DG408DQ-T1-E3 - Analoger Multiplexer, 8:1, 1 Schaltkreis, 100 Ohm, ± 5V bis ± 20V, 5V bis 36V, TSSOP-16
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Analoger Multiplexer
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: ± 5V bis ± 20V, 5V bis 36V
Einschaltwiderstand, max.: 100ohm
Einschaltwiderstand, typ.: 40ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: 8:1
Schalterkonfiguration: -
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache & zweifache Spannungsversorgung
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Schaltkreise: 1Schaltkreis(e)
Schnittstellen: -
Durchlasswiderstand, max.: 100ohm
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Description: VISHAY - DG408DQ-T1-E3 - Analoger Multiplexer, 8:1, 1 Schaltkreis, 100 Ohm, ± 5V bis ± 20V, 5V bis 36V, TSSOP-16
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Analoger Multiplexer
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: ± 5V bis ± 20V, 5V bis 36V
Einschaltwiderstand, max.: 100ohm
Einschaltwiderstand, typ.: 40ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: 8:1
Schalterkonfiguration: -
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache & zweifache Spannungsversorgung
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Schaltkreise: 1Schaltkreis(e)
Schnittstellen: -
Durchlasswiderstand, max.: 100ohm
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 160.03 грн |
| 250+ | 141.21 грн |
| 500+ | 128.17 грн |
| 1000+ | 108.62 грн |
| CRCW080527R0FKEAHP |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW080527R0FKEAHP - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 27 ohm, ± 1%, 500 mW, 0805 [Metrisch 2012]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 500mW
Widerstandstyp: Impulsspannungsfest, Hochleistung
Widerstand: 27ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW-HP e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 1.25mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - CRCW080527R0FKEAHP - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 27 ohm, ± 1%, 500 mW, 0805 [Metrisch 2012]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 500mW
Widerstandstyp: Impulsspannungsfest, Hochleistung
Widerstand: 27ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW-HP e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 1.25mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 2.83 грн |
| VS-60APH03L-N3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VS-60APH03L-N3 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 300 V, 60 A, Einfach, 1.45 V, 42 ns, 450 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247AD
Durchlassstoßstrom: 450A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.45V
Sperrverzögerungszeit: 42ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: FRED Pt Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 300V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - VS-60APH03L-N3 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 300 V, 60 A, Einfach, 1.45 V, 42 ns, 450 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247AD
Durchlassstoßstrom: 450A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.45V
Sperrverzögerungszeit: 42ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: FRED Pt Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 300V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 234.86 грн |
| 10+ | 143.62 грн |
| 100+ | 126.72 грн |
| 500+ | 113.75 грн |
| RO116SF1D502 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - RO116SF1D502 - Drehpotentiometer, 5 kohm, 1 Umdrehung(en), Linear, 400 mW, ± 10%, RO11 Series
tariffCode: 85334010
Produkthöhe: -
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: -
Anzahl der Umdrehungen: 1Umdrehung(en)
Widerstandstechnologie: Kunststoff, leitfähig
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Potentiometermontage: Servohalterung
Nennleistung: 400mW
Einstellungsart: Drehschalter
Bahnwiderstand: 5kohm
Widerstandsverlauf: Linear
usEccn: EAR99
Anzahl der Einbaustellen: 1
Wellendurchmesser: 3.175mm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 10%
Temperaturkoeffizient: -
Produktlänge: 37.1mm
euEccn: NLR
Potentiometer: Präzision
Länge der Welle: 16.6mm
Produktpalette: RO11 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Potentiometeranschlüsse: Lötstützpunkt
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Description: VISHAY - RO116SF1D502 - Drehpotentiometer, 5 kohm, 1 Umdrehung(en), Linear, 400 mW, ± 10%, RO11 Series
tariffCode: 85334010
Produkthöhe: -
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: -
Anzahl der Umdrehungen: 1Umdrehung(en)
Widerstandstechnologie: Kunststoff, leitfähig
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Potentiometermontage: Servohalterung
Nennleistung: 400mW
Einstellungsart: Drehschalter
Bahnwiderstand: 5kohm
Widerstandsverlauf: Linear
usEccn: EAR99
Anzahl der Einbaustellen: 1
Wellendurchmesser: 3.175mm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 10%
Temperaturkoeffizient: -
Produktlänge: 37.1mm
euEccn: NLR
Potentiometer: Präzision
Länge der Welle: 16.6mm
Produktpalette: RO11 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Potentiometeranschlüsse: Lötstützpunkt
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 85412.07 грн |
| TNPU0805100RBZEN00 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - TNPU0805100RBZEN00 - RES, THIN FILM, 100R, 0.1%, 0.125W, 0805
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [2012 Metric]
Widerstandstechnologie: Thin Film
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Precision
Widerstand: 100ohm
usEccn: EAR99
Netzsteckertyp: 0
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 0.1%
Temperaturkoeffizient: 5ppm/K
Produktlänge: 2.01mm
euEccn: NLR
Produktpalette: TNPU e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - TNPU0805100RBZEN00 - RES, THIN FILM, 100R, 0.1%, 0.125W, 0805
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [2012 Metric]
Widerstandstechnologie: Thin Film
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Precision
Widerstand: 100ohm
usEccn: EAR99
Netzsteckertyp: 0
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 0.1%
Temperaturkoeffizient: 5ppm/K
Produktlänge: 2.01mm
euEccn: NLR
Produktpalette: TNPU e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 204.45 грн |
| 10+ | 141.93 грн |
| 25+ | 124.19 грн |
| 50+ | 99.63 грн |
| 100+ | 81.10 грн |
| LL103B-GS08 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - LL103B-GS08 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 600 mV, 15 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-80 (MiniMELF)
Durchlassstoßstrom: 15A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 600mV
Sperrverzögerungszeit: 10ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: LL103
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: VISHAY - LL103B-GS08 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 600 mV, 15 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-80 (MiniMELF)
Durchlassstoßstrom: 15A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 600mV
Sperrverzögerungszeit: 10ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: LL103
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| SQJA92EP-T1_GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJA92EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 57 A, 0.0078 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 57
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0078
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: VISHAY - SQJA92EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 57 A, 0.0078 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 57
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0078
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 102.22 грн |
| 10+ | 91.24 грн |
| 100+ | 71.39 грн |
| 500+ | 54.76 грн |
| SIR584DP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR584DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0031 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 100
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: VISHAY - SIR584DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0031 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 100
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 5620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 92.09 грн |
| 500+ | 70.13 грн |
| 1000+ | 53.66 грн |
| 5000+ | 52.57 грн |
| SIR584DP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR584DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0031 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 100
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: VISHAY - SIR584DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0031 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 100
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 5620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 126.72 грн |
| 10+ | 114.05 грн |
| 100+ | 92.09 грн |
| 500+ | 70.13 грн |
| 1000+ | 53.66 грн |
| 5000+ | 52.57 грн |
| SIR826BDP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR826BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80.8 A, 5100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIR826BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80.8 A, 5100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 146.16 грн |
| 10+ | 110.67 грн |
| 100+ | 77.72 грн |
| 500+ | 57.58 грн |
| 1000+ | 50.11 грн |
| SIR826LDP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR826LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 86 A, 0.00415 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00415ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIR826LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 86 A, 0.00415 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00415ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 14390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 137.71 грн |
| 50+ | 102.22 грн |
| 100+ | 75.87 грн |
| 500+ | 56.17 грн |
| 1500+ | 47.50 грн |
| SIR826BDP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR826BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80.8 A, 5100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIR826BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80.8 A, 5100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 77.72 грн |
| 500+ | 57.58 грн |
| 1000+ | 50.11 грн |
| SIR120DP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR120DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 106 A, 0.00296 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00296ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIR120DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 106 A, 0.00296 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00296ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 18217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 174.03 грн |
| 10+ | 117.43 грн |
| 100+ | 86.17 грн |
| 500+ | 60.80 грн |
| 1000+ | 51.12 грн |
| 5000+ | 45.91 грн |
| SIR880BDP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR880BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70.6 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SIR880BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70.6 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| SIR120DP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR120DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 106 A, 0.00296 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00296ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00296ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIR120DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 106 A, 0.00296 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00296ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00296ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 18217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 86.17 грн |
| 500+ | 60.80 грн |
| 1000+ | 51.12 грн |
| 5000+ | 45.91 грн |
| SQJ186EP-T1_GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ186EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.011 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SQJ186EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.011 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 9433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 113.21 грн |
| 13+ | 67.92 грн |
| 100+ | 53.90 грн |
| 500+ | 36.79 грн |
| 1000+ | 30.41 грн |
| 5000+ | 27.81 грн |
| SQJ186EP-T1_GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ186EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.011 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 135W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SQJ186EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.011 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 135W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 9433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 53.90 грн |
| 500+ | 36.79 грн |
| 1000+ | 30.41 грн |
| 5000+ | 27.81 грн |
| SIR5802DP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR5802DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 137.5 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: VISHAY - SIR5802DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 137.5 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 4739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 109.83 грн |
| 500+ | 83.94 грн |
| 1000+ | 64.45 грн |
| 3000+ | 60.54 грн |
| SIJ128LDP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIJ128LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25.5 A, 0.013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIJ128LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25.5 A, 0.013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 21591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 68.35 грн |
| 15+ | 59.48 грн |
| 100+ | 54.74 грн |
| 500+ | 45.42 грн |
| 1000+ | 39.03 грн |
| 5000+ | 36.79 грн |



























