Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (359349) > Сторінка 3155 з 5990

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 599 1198 1797 2396 2995 3150 3151 3152 3153 3154 3155 3156 3157 3158 3159 3160 3594 4193 4792 5391 5990  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQ9945BEY-T1_GE3 SQ9945BEY-T1_GE3 VISHAY sq9945bey.pdf Description: VISHAY - SQ9945BEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6 A, 6 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+64.28 грн
50+57.10 грн
100+49.92 грн
500+37.44 грн
1000+31.77 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9945BEY-T1_GE3 SQ9945BEY-T1_GE3 VISHAY sq9945bey.pdf Description: VISHAY - SQ9945BEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6 A, 6 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.92 грн
500+37.44 грн
1000+31.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CW02BR1500JE70 CW02BR1500JE70 VISHAY 2237770.pdf Description: VISHAY - CW02BR1500JE70 - RESISTOR WIREWOUND, 0.15 OHM, 3W, 5%
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial Leaded
Widerstandstechnologie: Wirewound
Qualifikation: -
Nennleistung: 3
Widerstandstyp: High Power
Widerstand: 0.15
Betriebstemperatur, min.: -65
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 90ppm/°C
Produktlänge: 15.8
Produktpalette: CW Series
Nennspannung: -
Produktdurchmesser: 4.78
Betriebstemperatur, max.: 350
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICTE5-E3/54 ICTE5-E3/54 VISHAY 2045927.pdf Description: VISHAY - ICTE5-E3/54 - TVS-Diode, TRANSZORB, Unidirektional, 5 V, 7.5 V, DO-201, 2 Pin(s)
Bauform - Diode: DO-201
Durchbruchspannung, min.: 6
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: -
Sperrspannung: 5
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: TRANSZORB
Klemmspannung, max.: 7.5
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSSD10X50A10R0JS06 RSSD10X50A10R0JS06 VISHAY 2050712.pdf Description: VISHAY - RSSD10X50A10R0JS06 - Widerstand, Lötfahne, 10 ohm, RSSD, 25 W, ± 5%, Lötfahne
Produkthöhe: -
Widerstandstechnologie: Drahtwiderstand
Widerstandsmontage: Panelmontage
Qualifikation: -
Nennleistung: 25
Widerstandstyp: Hochleistung
Widerstand: 10
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Widerstandsanschlüsse: Lötfahne
Temperaturkoeffizient: ± 75ppm/°C
Produktlänge: 50
Produktpalette: RSSD
Nennspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 450
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTO025C10R00JTE3 DTO025C10R00JTE3 VISHAY VISH-S-A0013891890-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - DTO025C10R00JTE3 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, Dickschicht, 10 ohm, ± 5%, 25 W, TO-252 (DPAK)
Bauform/Gehäuse des Widerstands: TO-252 (DPAK)
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Widerstandstyp: Hochleistung
Nennleistung: 25
Widerstand: 10
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 150ppm/°C
Produktlänge: 8.2
Produktpalette: DTO25
Nennspannung: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktbreite: 7.3
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VY2101K29Y5SS63V0 VY2101K29Y5SS63V0 VISHAY vy2series.pdf Description: VISHAY - VY2101K29Y5SS63V0 - Funkentstörkondensator (Keramik), 100 pF, ± 10%, X1 / Y2, 440 V, 300 V, Radial bedrahtet
tariffCode: 85322300
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial bedrahtet
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 10mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Entstörklasse: X1 / Y2
Nennspannung Y: 300V
euEccn: NLR
Kapazität: 100pF
Produktpalette: VY2 Series
Nennspannung X: 440V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 12942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+15.28 грн
67+12.52 грн
100+9.68 грн
250+8.45 грн
500+7.30 грн
1000+6.80 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
VY2221K29Y5SS63V7 VY2221K29Y5SS63V7 VISHAY 4330021.pdf Description: VISHAY - VY2221K29Y5SS63V7 - Funkentstörkondensator (Keramik), Scheibe, 220 pF, ± 10%, X1 / Y2, 440 V, 300 V, Radial bedrahtet
tariffCode: 85322300
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial bedrahtet
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 7.5mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Entstörklasse: X1 / Y2
Nennspannung Y: 300V
euEccn: NLR
Kapazität: 220pF
Produktpalette: VY2 Series
Nennspannung X: 440V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 26953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+31.05 грн
50+18.70 грн
100+16.44 грн
250+12.40 грн
500+10.59 грн
1000+9.95 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
BY206GP-E3/54 BY206GP-E3/54 VISHAY 2313398.pdf Description: VISHAY - BY206GP-E3/54 - Diode mit Standard-Erholzeit, 350 V, 400 mA, Einfach, 1.5 V, 1 µs, 15 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 15A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.5V
Sperrverzögerungszeit: 1µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 400mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 350V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BY206
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 18440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+31.05 грн
39+21.95 грн
100+19.78 грн
500+16.28 грн
1000+13.17 грн
5000+11.23 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
BFC233860563 BFC233860563 VISHAY VISH-S-A0014180312-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - BFC233860563 - Sicherheitskondensator, Metallisiertes PP, Radiales Gehäuse, 2 Pins, 0.065 µF, ± 20%, Y2
tariffCode: 85322500
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radiales Gehäuse, 2 Pins
dv/dt: 100V/µs
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 15mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: 20%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
Qualifikation: AEC-Q200
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Entstörklasse: Y2
Nennspannung Y: 300VAC
euEccn: NLR
Dielektrikum: Metallisiertes PP
Kapazität: 65000pF
Produktpalette: MKP338 6 Series
Nennspannung X: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Feuchtigkeitsklasse: GRADE II (Testbedingung A)
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+139.41 грн
10+95.16 грн
50+90.99 грн
100+78.29 грн
200+70.84 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
AC05AT0004708JAC00 AC05AT0004708JAC00 VISHAY 2848044.pdf Description: VISHAY - AC05AT0004708JAC00 - Widerstand für Durchsteckmontage, 4.7 ohm, AC-AT Series, 5 W, ± 5%, Axial bedrahtet
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Drahtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 5W
Widerstandstyp: Hochleistung
Widerstand: 4.7ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 5%
Temperaturkoeffizient: -10ppm/K bis -80ppm/K
Produktlänge: 18mm
euEccn: NLR
Produktpalette: AC-AT Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: -
Produktdurchmesser: 7.5mm
Betriebstemperatur, max.: 250°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.04 грн
16+53.01 грн
50+47.25 грн
100+39.45 грн
200+32.13 грн
500+29.34 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
AC05000002000JAC00 AC05000002000JAC00 VISHAY 3716281.pdf Description: VISHAY - AC05000002000JAC00 - Widerstand für Durchsteckmontage, 200 ohm, AC Series, 5 W, ± 5%, Axial bedrahtet
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Drahtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 5W
Widerstandstyp: Hochleistung
Widerstand: 200ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 5%
Temperaturkoeffizient: -10ppm/K bis -80ppm/K
Produktlänge: 18mm
euEccn: NLR
Produktpalette: AC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: -
Produktdurchmesser: 7.5mm
Betriebstemperatur, max.: 250°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+82.98 грн
17+51.76 грн
50+42.99 грн
100+31.70 грн
200+28.05 грн
500+26.76 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI5419DU-T1-GE3 SI5419DU-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001142604-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI5419DU-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK ChipFET, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 31
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 31
Bauform - Transistor: PowerPAK ChipFET
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 9256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+55.93 грн
18+47.50 грн
100+34.56 грн
500+25.35 грн
1000+16.46 грн
5000+15.88 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SI5468DC-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001241168-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI5468DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.023 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 5.7
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.31 грн
500+32.17 грн
1000+29.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI5419DU-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001142604-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI5419DU-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK ChipFET, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 31
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 9256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.56 грн
500+25.35 грн
1000+16.46 грн
5000+15.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI5457DC-T1-GE3 SI5457DC-T1-GE3 VISHAY si5457dc.pdf Description: VISHAY - SI5457DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.03 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.7W
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 76396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.95 грн
500+14.88 грн
1000+13.52 грн
5000+13.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI5457DC-T1-GE3 SI5457DC-T1-GE3 VISHAY si5457dc.pdf Description: VISHAY - SI5457DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.03 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.7W
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 76396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+32.56 грн
35+23.96 грн
100+19.95 грн
500+14.88 грн
1000+13.52 грн
5000+13.24 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
SI5471DC-T1-GE3 SI5471DC-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001110087-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI5471DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.02 ohm, 1206, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: 1206
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+46.25 грн
23+36.48 грн
100+28.22 грн
500+22.71 грн
1000+19.32 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SI5403DC-T1-GE3 SI5403DC-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001109467-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI5403DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.025 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 6
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 6.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 6.3
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5403DC-T1-GE3 SI5403DC-T1-GE3 VISHAY 2245844.pdf Description: VISHAY - SI5403DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.025 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 6
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 6.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 6.3
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5448DU-T1-GE3 SI5448DU-T1-GE3 VISHAY si5448du.pdf Description: VISHAY - SI5448DU-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 25 A, 0.00646 ohm, PowerPAK ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: PowerPAK ChipFET
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00646ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+45.41 грн
22+38.15 грн
100+27.38 грн
500+19.22 грн
1000+15.38 грн
5000+14.24 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SI5476DU-T1-GE3 SI5476DU-T1-GE3 VISHAY VISHS96242-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI5476DU-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.028 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 31
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 31
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5471DC-T1-GE3 SI5471DC-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001110087-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI5471DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.02 ohm, 1206, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: 1206
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.22 грн
500+22.71 грн
1000+19.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR426DP-T1-GE3 SIR426DP-T1-GE3 VISHAY sir426dp.pdf Description: VISHAY - SIR426DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 0.0085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41.7W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+96.00 грн
13+66.53 грн
100+51.76 грн
500+39.22 грн
1000+31.48 грн
5000+28.76 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SIR402DP-T1-E3 SIR402DP-T1-E3 VISHAY 2050520.pdf Description: VISHAY - SIR402DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.006 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 3164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.35 грн
10+84.31 грн
100+69.95 грн
500+56.35 грн
1000+48.08 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIR404DP-T1-GE3 SIR404DP-T1-GE3 VISHAY sir404dp.pdf Description: VISHAY - SIR404DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 60 A, 0.0013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+82.98 грн
500+72.86 грн
1000+65.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR422DP-T1-GE3 SIR422DP-T1-GE3 VISHAY sir422dp.pdf Description: VISHAY - SIR422DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0054 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 47886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.16 грн
18+46.66 грн
100+39.48 грн
500+32.56 грн
1000+28.91 грн
5000+27.55 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SIR414DP-T1-GE3 SIR414DP-T1-GE3 VISHAY sir414dp.pdf Description: VISHAY - SIR414DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0023 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 7961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+148.59 грн
10+102.68 грн
100+81.97 грн
500+63.95 грн
1000+54.95 грн
5000+50.80 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIR401DP-T1-GE3 SIR401DP-T1-GE3 VISHAY sir401dp.pdf Description: VISHAY - SIR401DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 0.0025 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 6754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+96.00 грн
13+64.53 грн
100+45.58 грн
500+36.35 грн
1000+31.05 грн
5000+28.48 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SIR424DP-T1-GE3 SIR424DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0000184326-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR424DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 30 A, 0.0046 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 14532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+66.78 грн
50+56.68 грн
100+46.58 грн
500+38.14 грн
1500+30.55 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SIR466DP-T1-GE3 SIR466DP-T1-GE3 VISHAY sir466dp.pdf Description: VISHAY - SIR466DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0029 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 3635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+85.98 грн
13+68.12 грн
100+50.17 грн
500+40.77 грн
1000+34.63 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SIR416DP-T1-GE3 SIR416DP-T1-GE3 VISHAY sir416dp.pdf Description: VISHAY - SIR416DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0031 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+64.53 грн
500+43.18 грн
1000+31.27 грн
2000+31.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR416DP-T1-GE3 SIR416DP-T1-GE3 VISHAY sir416dp.pdf Description: VISHAY - SIR416DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0031 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+115.20 грн
10+88.49 грн
100+64.53 грн
500+43.18 грн
1000+31.27 грн
2000+31.20 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIR424DP-T1-GE3 SIR424DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0000184326-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR424DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 30 A, 0.0046 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 14532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.58 грн
500+38.14 грн
1500+30.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR401DP-T1-GE3 SIR401DP-T1-GE3 VISHAY sir401dp.pdf Description: VISHAY - SIR401DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 0.0025 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 8248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.32 грн
500+33.18 грн
1000+30.48 грн
5000+30.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR4604LDP-T1-GE3 SIR4604LDP-T1-GE3 VISHAY sir4604ldp.pdf Description: VISHAY - SIR4604LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 51 A, 0.0074 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+117.70 грн
10+89.32 грн
100+67.78 грн
500+44.96 грн
1000+37.21 грн
5000+31.77 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740SPBF IRF740SPBF VISHAY VISH-S-A0013329289-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF740SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPF215R000FKE14 CPF215R000FKE14 VISHAY 2045686.pdf Description: VISHAY - CPF215R000FKE14 - METAL FILM RESISTOR, 15 OHM, 2W, 1%
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial Leaded
Widerstandstechnologie: Metal Film
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
Nennleistung: 2W
Widerstandstyp: High Power, Precision
Widerstand: 15ohm
usEccn: EAR99
Netzsteckertyp: 0
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/C
Produktlänge: 10.8mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CPF Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 350V
Produktdurchmesser: 3.68mm
Betriebstemperatur, max.: 230°C
Produktbreite: -
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+488.34 грн
10+469.98 грн
25+452.45 грн
50+402.30 грн
100+355.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PR02000201509JR500 PR02000201509JR500 VISHAY 2049118.pdf Description: VISHAY - PR02000201509JR500 - METAL FILM RESISTOR, 15 OHM, 2 W, 5%
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial Leaded
Widerstandstechnologie: Metal Film
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 2
Widerstandstyp: High Power
Widerstand: 15
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 250ppm/K
Produktlänge: 12
Produktpalette: PR02 Series
Produktdurchmesser: 3.9
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYV26E-TR BYV26E-TR VISHAY VISHS83127-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - BYV26E-TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 2.5 V, 75 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-57
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 2.5V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BYV26
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+32.31 грн
30+28.05 грн
100+26.21 грн
500+21.32 грн
1000+17.82 грн
5000+16.60 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
BYV26C-TR BYV26C-TR VISHAY VISHS83127-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: VISHAY - BYV26C-TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 2.5 V, 30 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-57
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 2.5V
Sperrverzögerungszeit: 30ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+38.98 грн
30+28.22 грн
100+26.63 грн
500+20.46 грн
1000+16.31 грн
5000+15.96 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
SFR16S0005609JA500 SFR16S0005609JA500 VISHAY VISH-S-A0002471251-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SFR16S0005609JA500 - Widerstand für Durchsteckmontage, 56 ohm, SFR16S Series, 500 mW, ± 5%, Axial bedrahtet, 200 V
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Metallschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 500mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 56ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 5%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/C
Produktlänge: 4.1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: SFR16S Series
productTraceability: No
Nennspannung: 200V
Produktdurchmesser: 1.9mm
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+4.84 грн
237+3.53 грн
500+2.89 грн
1000+2.16 грн
2500+1.83 грн
Мінімальне замовлення: 173
В кошику  од. на суму  грн.
DG604EEQ-T1-GE4 DG604EEQ-T1-GE4 VISHAY dg604e.pdf Description: VISHAY - DG604EEQ-T1-GE4 - Analoger Multiplexer/Demultiplexer, 2 Schaltungen, 1:1, 101 Ohm, 3V-16V, ± 3V bis ± 8V, TSSOP-14
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Analoger Multiplexer
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 16V, ± 3V bis ± 8V
Einschaltwiderstand, max.: 101ohm
Einschaltwiderstand, typ.: 64ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: 1:1
Schalterkonfiguration: -
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache & zweifache Spannungsversorgung
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Schaltkreise: 2Schaltkreis(e)
Schnittstellen: -
Durchlasswiderstand, max.: 101ohm
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+110.19 грн
12+74.88 грн
50+70.54 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW080524K0FKEA CRCW080524K0FKEA VISHAY 2310790.pdf Description: VISHAY - CRCW080524K0FKEA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 24 kohm, ± 1%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 24kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 1.25mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+1.84 грн
530+1.58 грн
1000+0.88 грн
2500+0.69 грн
5000+0.58 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ186E-T1_GE3 SQJQ186E-T1_GE3 VISHAY Description: VISHAY - SQJQ186E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 245 A, 0.0019 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 245A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+256.27 грн
10+185.32 грн
100+133.56 грн
500+93.79 грн
1000+80.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ186E-T1_GE3 SQJQ186E-T1_GE3 VISHAY Description: VISHAY - SQJQ186E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 245 A, 0.0019 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 245A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+133.56 грн
500+93.79 грн
1000+80.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
597D156X9050E2T 597D156X9050E2T VISHAY VISH-S-A0013856978-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - 597D156X9050E2T - Tantalkondensator zur Oberflächenmontage, TANTAMOUNT®, 15 µF, 50 V, 2917 [Metrisch: 7343], ± 10%
Qualifikation: -
Rippelstrom: 900
Ausfallrate: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
597D156X9050E2T 597D156X9050E2T VISHAY VISH-S-A0013856978-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - 597D156X9050E2T - Tantalkondensator zur Oberflächenmontage, TANTAMOUNT®, 15 µF, 50 V, 2917 [Metrisch: 7343], ± 10%
Produkthöhe: 4
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 2917 [Metrisch: 7343]
Baugröße: 2917
Ausfallrate: -
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, min.: -55
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.3
Produktlänge: 7.3
Kapazität: 15
Spannung (DC): 50
Rippelstrom: 900
Produktpalette: 597D
Hersteller-Größencode: E
Name der Serie: 597D
Betriebstemperatur, max.: 85
Produktbreite: 4.3
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE6.8CA-E3/54 1.5KE6.8CA-E3/54 VISHAY 2045671.pdf Description: VISHAY - 1.5KE6.8CA-E3/54 - TVS DIODE, 1.5KW, 6.8V, 1.5KE
tariffCode: 85363030
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG24N65E-GE3 SIHG24N65E-GE3 VISHAY VISH-S-A0011299575-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHG24N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.12 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+465.80 грн
10+363.96 грн
100+242.92 грн
500+205.41 грн
1000+188.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG018N60E-GE3 SIHG018N60E-GE3 VISHAY 2786151.pdf Description: VISHAY - SIHG018N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 99 A, 0.021 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 524W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1388.22 грн
5+1374.87 грн
10+1361.51 грн
50+837.16 грн
100+723.39 грн
250+674.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG80N60EF-GE3 SIHG80N60EF-GE3 VISHAY 2786159.pdf Description: VISHAY - SIHG80N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 80 A, 0.028 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1197.06 грн
5+1126.10 грн
10+1055.15 грн
50+913.89 грн
100+782.06 грн
250+757.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG70N60AEF-GE3 SIHG70N60AEF-GE3 VISHAY VISH-S-A0011299573-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHG70N60AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 60 A, 0.0355 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0355ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+857.31 грн
5+783.85 грн
10+709.55 грн
50+580.58 грн
100+462.94 грн
250+461.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG065N60E-GE3 SIHG065N60E-GE3 VISHAY sihg065n60e.pdf Description: VISHAY - SIHG065N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.057 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+587.68 грн
5+563.47 грн
10+538.43 грн
50+403.07 грн
100+339.16 грн
250+332.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG17N80AE-GE3 SIHG17N80AE-GE3 VISHAY 3164667.pdf Description: VISHAY - SIHG17N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 15 A, 0.25 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+268.80 грн
10+201.18 грн
100+151.09 грн
500+113.95 грн
1000+98.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG44N65EF-GE3 SIHG44N65EF-GE3 VISHAY 3672787.pdf Description: VISHAY - SIHG44N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.063 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+755.47 грн
5+701.21 грн
10+646.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG21N65EF-GE3 SIHG21N65EF-GE3 VISHAY 3672785.pdf Description: VISHAY - SIHG21N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.15 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+411.54 грн
10+355.61 грн
100+277.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG039N60EF-GE3 SIHG039N60EF-GE3 VISHAY VISH-S-A0011299447-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHG039N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.036 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+803.05 грн
5+682.01 грн
10+560.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG068N60EF-GE3 SIHG068N60EF-GE3 VISHAY VISH-S-A0011299547-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHG068N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 41 A, 0.059 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+511.71 грн
10+352.27 грн
100+257.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG186N60EF-GE3 SIHG186N60EF-GE3 VISHAY VISH-S-A0011831067-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHG186N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8.4 A, 0.168 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+281.32 грн
10+266.29 грн
100+147.75 грн
500+110.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9945BEY-T1_GE3 sq9945bey.pdf
SQ9945BEY-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ9945BEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6 A, 6 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+64.28 грн
50+57.10 грн
100+49.92 грн
500+37.44 грн
1000+31.77 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9945BEY-T1_GE3 sq9945bey.pdf
SQ9945BEY-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ9945BEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6 A, 6 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+49.92 грн
500+37.44 грн
1000+31.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CW02BR1500JE70 2237770.pdf
CW02BR1500JE70
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CW02BR1500JE70 - RESISTOR WIREWOUND, 0.15 OHM, 3W, 5%
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial Leaded
Widerstandstechnologie: Wirewound
Qualifikation: -
Nennleistung: 3
Widerstandstyp: High Power
Widerstand: 0.15
Betriebstemperatur, min.: -65
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 90ppm/°C
Produktlänge: 15.8
Produktpalette: CW Series
Nennspannung: -
Produktdurchmesser: 4.78
Betriebstemperatur, max.: 350
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICTE5-E3/54 2045927.pdf
ICTE5-E3/54
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - ICTE5-E3/54 - TVS-Diode, TRANSZORB, Unidirektional, 5 V, 7.5 V, DO-201, 2 Pin(s)
Bauform - Diode: DO-201
Durchbruchspannung, min.: 6
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: -
Sperrspannung: 5
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: TRANSZORB
Klemmspannung, max.: 7.5
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSSD10X50A10R0JS06 2050712.pdf
RSSD10X50A10R0JS06
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - RSSD10X50A10R0JS06 - Widerstand, Lötfahne, 10 ohm, RSSD, 25 W, ± 5%, Lötfahne
Produkthöhe: -
Widerstandstechnologie: Drahtwiderstand
Widerstandsmontage: Panelmontage
Qualifikation: -
Nennleistung: 25
Widerstandstyp: Hochleistung
Widerstand: 10
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Widerstandsanschlüsse: Lötfahne
Temperaturkoeffizient: ± 75ppm/°C
Produktlänge: 50
Produktpalette: RSSD
Nennspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 450
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTO025C10R00JTE3 VISH-S-A0013891890-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DTO025C10R00JTE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - DTO025C10R00JTE3 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, Dickschicht, 10 ohm, ± 5%, 25 W, TO-252 (DPAK)
Bauform/Gehäuse des Widerstands: TO-252 (DPAK)
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Widerstandstyp: Hochleistung
Nennleistung: 25
Widerstand: 10
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 150ppm/°C
Produktlänge: 8.2
Produktpalette: DTO25
Nennspannung: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktbreite: 7.3
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VY2101K29Y5SS63V0 vy2series.pdf
VY2101K29Y5SS63V0
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VY2101K29Y5SS63V0 - Funkentstörkondensator (Keramik), 100 pF, ± 10%, X1 / Y2, 440 V, 300 V, Radial bedrahtet
tariffCode: 85322300
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial bedrahtet
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 10mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Entstörklasse: X1 / Y2
Nennspannung Y: 300V
euEccn: NLR
Kapazität: 100pF
Produktpalette: VY2 Series
Nennspannung X: 440V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 12942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
55+15.28 грн
67+12.52 грн
100+9.68 грн
250+8.45 грн
500+7.30 грн
1000+6.80 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
VY2221K29Y5SS63V7 4330021.pdf
VY2221K29Y5SS63V7
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VY2221K29Y5SS63V7 - Funkentstörkondensator (Keramik), Scheibe, 220 pF, ± 10%, X1 / Y2, 440 V, 300 V, Radial bedrahtet
tariffCode: 85322300
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial bedrahtet
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 7.5mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Entstörklasse: X1 / Y2
Nennspannung Y: 300V
euEccn: NLR
Kapazität: 220pF
Produktpalette: VY2 Series
Nennspannung X: 440V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 26953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+31.05 грн
50+18.70 грн
100+16.44 грн
250+12.40 грн
500+10.59 грн
1000+9.95 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
BY206GP-E3/54 2313398.pdf
BY206GP-E3/54
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - BY206GP-E3/54 - Diode mit Standard-Erholzeit, 350 V, 400 mA, Einfach, 1.5 V, 1 µs, 15 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 15A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.5V
Sperrverzögerungszeit: 1µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 400mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 350V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BY206
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 18440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+31.05 грн
39+21.95 грн
100+19.78 грн
500+16.28 грн
1000+13.17 грн
5000+11.23 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
BFC233860563 VISH-S-A0014180312-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFC233860563
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - BFC233860563 - Sicherheitskondensator, Metallisiertes PP, Radiales Gehäuse, 2 Pins, 0.065 µF, ± 20%, Y2
tariffCode: 85322500
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radiales Gehäuse, 2 Pins
dv/dt: 100V/µs
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 15mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: 20%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
Qualifikation: AEC-Q200
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Entstörklasse: Y2
Nennspannung Y: 300VAC
euEccn: NLR
Dielektrikum: Metallisiertes PP
Kapazität: 65000pF
Produktpalette: MKP338 6 Series
Nennspannung X: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Feuchtigkeitsklasse: GRADE II (Testbedingung A)
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+139.41 грн
10+95.16 грн
50+90.99 грн
100+78.29 грн
200+70.84 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
AC05AT0004708JAC00 2848044.pdf
AC05AT0004708JAC00
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - AC05AT0004708JAC00 - Widerstand für Durchsteckmontage, 4.7 ohm, AC-AT Series, 5 W, ± 5%, Axial bedrahtet
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Drahtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 5W
Widerstandstyp: Hochleistung
Widerstand: 4.7ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 5%
Temperaturkoeffizient: -10ppm/K bis -80ppm/K
Produktlänge: 18mm
euEccn: NLR
Produktpalette: AC-AT Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: -
Produktdurchmesser: 7.5mm
Betriebstemperatur, max.: 250°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+121.04 грн
16+53.01 грн
50+47.25 грн
100+39.45 грн
200+32.13 грн
500+29.34 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
AC05000002000JAC00 3716281.pdf
AC05000002000JAC00
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - AC05000002000JAC00 - Widerstand für Durchsteckmontage, 200 ohm, AC Series, 5 W, ± 5%, Axial bedrahtet
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Drahtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 5W
Widerstandstyp: Hochleistung
Widerstand: 200ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 5%
Temperaturkoeffizient: -10ppm/K bis -80ppm/K
Produktlänge: 18mm
euEccn: NLR
Produktpalette: AC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: -
Produktdurchmesser: 7.5mm
Betriebstemperatur, max.: 250°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+82.98 грн
17+51.76 грн
50+42.99 грн
100+31.70 грн
200+28.05 грн
500+26.76 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI5419DU-T1-GE3 VISH-S-A0001142604-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI5419DU-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI5419DU-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK ChipFET, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 31
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 31
Bauform - Transistor: PowerPAK ChipFET
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 9256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+55.93 грн
18+47.50 грн
100+34.56 грн
500+25.35 грн
1000+16.46 грн
5000+15.88 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SI5468DC-T1-GE3 VISH-S-A0001241168-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI5468DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.023 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 5.7
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+35.31 грн
500+32.17 грн
1000+29.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI5419DU-T1-GE3 VISH-S-A0001142604-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI5419DU-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK ChipFET, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 31
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 9256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+34.56 грн
500+25.35 грн
1000+16.46 грн
5000+15.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI5457DC-T1-GE3 si5457dc.pdf
SI5457DC-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI5457DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.03 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.7W
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 76396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+19.95 грн
500+14.88 грн
1000+13.52 грн
5000+13.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI5457DC-T1-GE3 si5457dc.pdf
SI5457DC-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI5457DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.03 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.7W
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 76396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+32.56 грн
35+23.96 грн
100+19.95 грн
500+14.88 грн
1000+13.52 грн
5000+13.24 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
SI5471DC-T1-GE3 VISH-S-A0001110087-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI5471DC-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI5471DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.02 ohm, 1206, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: 1206
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+46.25 грн
23+36.48 грн
100+28.22 грн
500+22.71 грн
1000+19.32 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SI5403DC-T1-GE3 VISH-S-A0001109467-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI5403DC-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI5403DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.025 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 6
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 6.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 6.3
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5403DC-T1-GE3 2245844.pdf
SI5403DC-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI5403DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.025 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 6
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 6.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 6.3
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5448DU-T1-GE3 si5448du.pdf
SI5448DU-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI5448DU-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 25 A, 0.00646 ohm, PowerPAK ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: PowerPAK ChipFET
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00646ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+45.41 грн
22+38.15 грн
100+27.38 грн
500+19.22 грн
1000+15.38 грн
5000+14.24 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SI5476DU-T1-GE3 VISHS96242-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI5476DU-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI5476DU-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.028 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 31
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 31
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5471DC-T1-GE3 VISH-S-A0001110087-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI5471DC-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI5471DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.02 ohm, 1206, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: 1206
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+28.22 грн
500+22.71 грн
1000+19.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR426DP-T1-GE3 sir426dp.pdf
SIR426DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR426DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 0.0085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41.7W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+96.00 грн
13+66.53 грн
100+51.76 грн
500+39.22 грн
1000+31.48 грн
5000+28.76 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SIR402DP-T1-E3 2050520.pdf
SIR402DP-T1-E3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR402DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.006 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 3164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+104.35 грн
10+84.31 грн
100+69.95 грн
500+56.35 грн
1000+48.08 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIR404DP-T1-GE3 sir404dp.pdf
SIR404DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR404DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 60 A, 0.0013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+82.98 грн
500+72.86 грн
1000+65.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR422DP-T1-GE3 sir422dp.pdf
SIR422DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR422DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0054 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 47886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+95.16 грн
18+46.66 грн
100+39.48 грн
500+32.56 грн
1000+28.91 грн
5000+27.55 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SIR414DP-T1-GE3 sir414dp.pdf
SIR414DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR414DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0023 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 7961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+148.59 грн
10+102.68 грн
100+81.97 грн
500+63.95 грн
1000+54.95 грн
5000+50.80 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIR401DP-T1-GE3 sir401dp.pdf
SIR401DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR401DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 0.0025 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 6754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+96.00 грн
13+64.53 грн
100+45.58 грн
500+36.35 грн
1000+31.05 грн
5000+28.48 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SIR424DP-T1-GE3 VISH-S-A0000184326-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR424DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR424DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 30 A, 0.0046 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 14532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+66.78 грн
50+56.68 грн
100+46.58 грн
500+38.14 грн
1500+30.55 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SIR466DP-T1-GE3 sir466dp.pdf
SIR466DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR466DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0029 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 3635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+85.98 грн
13+68.12 грн
100+50.17 грн
500+40.77 грн
1000+34.63 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SIR416DP-T1-GE3 sir416dp.pdf
SIR416DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR416DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0031 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+64.53 грн
500+43.18 грн
1000+31.27 грн
2000+31.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR416DP-T1-GE3 sir416dp.pdf
SIR416DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR416DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0031 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+115.20 грн
10+88.49 грн
100+64.53 грн
500+43.18 грн
1000+31.27 грн
2000+31.20 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIR424DP-T1-GE3 VISH-S-A0000184326-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR424DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR424DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 30 A, 0.0046 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 14532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+46.58 грн
500+38.14 грн
1500+30.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR401DP-T1-GE3 sir401dp.pdf
SIR401DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR401DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 0.0025 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 8248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+40.32 грн
500+33.18 грн
1000+30.48 грн
5000+30.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR4604LDP-T1-GE3 sir4604ldp.pdf
SIR4604LDP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR4604LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 51 A, 0.0074 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+117.70 грн
10+89.32 грн
100+67.78 грн
500+44.96 грн
1000+37.21 грн
5000+31.77 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740SPBF VISH-S-A0013329289-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF740SPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF740SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPF215R000FKE14 2045686.pdf
CPF215R000FKE14
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CPF215R000FKE14 - METAL FILM RESISTOR, 15 OHM, 2W, 1%
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial Leaded
Widerstandstechnologie: Metal Film
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
Nennleistung: 2W
Widerstandstyp: High Power, Precision
Widerstand: 15ohm
usEccn: EAR99
Netzsteckertyp: 0
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/C
Produktlänge: 10.8mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CPF Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 350V
Produktdurchmesser: 3.68mm
Betriebstemperatur, max.: 230°C
Produktbreite: -
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+488.34 грн
10+469.98 грн
25+452.45 грн
50+402.30 грн
100+355.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PR02000201509JR500 2049118.pdf
PR02000201509JR500
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - PR02000201509JR500 - METAL FILM RESISTOR, 15 OHM, 2 W, 5%
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial Leaded
Widerstandstechnologie: Metal Film
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 2
Widerstandstyp: High Power
Widerstand: 15
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 250ppm/K
Produktlänge: 12
Produktpalette: PR02 Series
Produktdurchmesser: 3.9
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYV26E-TR VISHS83127-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BYV26E-TR
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - BYV26E-TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 2.5 V, 75 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-57
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 2.5V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BYV26
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+32.31 грн
30+28.05 грн
100+26.21 грн
500+21.32 грн
1000+17.82 грн
5000+16.60 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
BYV26C-TR description VISHS83127-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BYV26C-TR
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - BYV26C-TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 2.5 V, 30 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-57
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 2.5V
Sperrverzögerungszeit: 30ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+38.98 грн
30+28.22 грн
100+26.63 грн
500+20.46 грн
1000+16.31 грн
5000+15.96 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
SFR16S0005609JA500 VISH-S-A0002471251-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SFR16S0005609JA500
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SFR16S0005609JA500 - Widerstand für Durchsteckmontage, 56 ohm, SFR16S Series, 500 mW, ± 5%, Axial bedrahtet, 200 V
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Metallschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 500mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 56ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 5%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/C
Produktlänge: 4.1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: SFR16S Series
productTraceability: No
Nennspannung: 200V
Produktdurchmesser: 1.9mm
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
173+4.84 грн
237+3.53 грн
500+2.89 грн
1000+2.16 грн
2500+1.83 грн
Мінімальне замовлення: 173
В кошику  од. на суму  грн.
DG604EEQ-T1-GE4 dg604e.pdf
DG604EEQ-T1-GE4
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - DG604EEQ-T1-GE4 - Analoger Multiplexer/Demultiplexer, 2 Schaltungen, 1:1, 101 Ohm, 3V-16V, ± 3V bis ± 8V, TSSOP-14
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Analoger Multiplexer
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 16V, ± 3V bis ± 8V
Einschaltwiderstand, max.: 101ohm
Einschaltwiderstand, typ.: 64ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: 1:1
Schalterkonfiguration: -
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache & zweifache Spannungsversorgung
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Schaltkreise: 2Schaltkreis(e)
Schnittstellen: -
Durchlasswiderstand, max.: 101ohm
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+110.19 грн
12+74.88 грн
50+70.54 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW080524K0FKEA 2310790.pdf
CRCW080524K0FKEA
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW080524K0FKEA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 24 kohm, ± 1%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 24kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 1.25mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+1.84 грн
530+1.58 грн
1000+0.88 грн
2500+0.69 грн
5000+0.58 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ186E-T1_GE3
SQJQ186E-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ186E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 245 A, 0.0019 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 245A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+256.27 грн
10+185.32 грн
100+133.56 грн
500+93.79 грн
1000+80.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ186E-T1_GE3
SQJQ186E-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ186E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 245 A, 0.0019 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 245A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+133.56 грн
500+93.79 грн
1000+80.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
597D156X9050E2T VISH-S-A0013856978-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
597D156X9050E2T
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - 597D156X9050E2T - Tantalkondensator zur Oberflächenmontage, TANTAMOUNT®, 15 µF, 50 V, 2917 [Metrisch: 7343], ± 10%
Qualifikation: -
Rippelstrom: 900
Ausfallrate: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
597D156X9050E2T VISH-S-A0013856978-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
597D156X9050E2T
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - 597D156X9050E2T - Tantalkondensator zur Oberflächenmontage, TANTAMOUNT®, 15 µF, 50 V, 2917 [Metrisch: 7343], ± 10%
Produkthöhe: 4
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 2917 [Metrisch: 7343]
Baugröße: 2917
Ausfallrate: -
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, min.: -55
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.3
Produktlänge: 7.3
Kapazität: 15
Spannung (DC): 50
Rippelstrom: 900
Produktpalette: 597D
Hersteller-Größencode: E
Name der Serie: 597D
Betriebstemperatur, max.: 85
Produktbreite: 4.3
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE6.8CA-E3/54 2045671.pdf
1.5KE6.8CA-E3/54
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - 1.5KE6.8CA-E3/54 - TVS DIODE, 1.5KW, 6.8V, 1.5KE
tariffCode: 85363030
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG24N65E-GE3 VISH-S-A0011299575-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIHG24N65E-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHG24N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.12 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+465.80 грн
10+363.96 грн
100+242.92 грн
500+205.41 грн
1000+188.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG018N60E-GE3 2786151.pdf
SIHG018N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHG018N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 99 A, 0.021 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 524W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1388.22 грн
5+1374.87 грн
10+1361.51 грн
50+837.16 грн
100+723.39 грн
250+674.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG80N60EF-GE3 2786159.pdf
SIHG80N60EF-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHG80N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 80 A, 0.028 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1197.06 грн
5+1126.10 грн
10+1055.15 грн
50+913.89 грн
100+782.06 грн
250+757.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG70N60AEF-GE3 VISH-S-A0011299573-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIHG70N60AEF-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHG70N60AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 60 A, 0.0355 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0355ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+857.31 грн
5+783.85 грн
10+709.55 грн
50+580.58 грн
100+462.94 грн
250+461.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG065N60E-GE3 sihg065n60e.pdf
SIHG065N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHG065N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.057 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+587.68 грн
5+563.47 грн
10+538.43 грн
50+403.07 грн
100+339.16 грн
250+332.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG17N80AE-GE3 3164667.pdf
SIHG17N80AE-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHG17N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 15 A, 0.25 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+268.80 грн
10+201.18 грн
100+151.09 грн
500+113.95 грн
1000+98.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG44N65EF-GE3 3672787.pdf
SIHG44N65EF-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHG44N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.063 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+755.47 грн
5+701.21 грн
10+646.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG21N65EF-GE3 3672785.pdf
SIHG21N65EF-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHG21N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.15 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+411.54 грн
10+355.61 грн
100+277.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG039N60EF-GE3 VISH-S-A0011299447-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIHG039N60EF-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHG039N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.036 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+803.05 грн
5+682.01 грн
10+560.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG068N60EF-GE3 VISH-S-A0011299547-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIHG068N60EF-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHG068N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 41 A, 0.059 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+511.71 грн
10+352.27 грн
100+257.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG186N60EF-GE3 VISH-S-A0011831067-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIHG186N60EF-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHG186N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8.4 A, 0.168 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+281.32 грн
10+266.29 грн
100+147.75 грн
500+110.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 599 1198 1797 2396 2995 3150 3151 3152 3153 3154 3155 3156 3157 3158 3159 3160 3594 4193 4792 5391 5990  [ Наступна Сторінка >> ]