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SISA18BDN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SISA18BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 6830 µohm, PowerPAK 1212, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 36.8W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6830µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 11707 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SISA04DN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SISA04DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2150 µohm, PowerPAK 1212, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2150µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 2954 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SIRA18BDP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIRA18BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 6830 µohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 17W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 17W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6830µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 3650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SISHA04DN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SISHA04DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0018 ohm, PowerPAK 1212, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 52W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 7890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PLZ5V1C-HG3_A/H | VISHAY |
Description: VISHAY - PLZ5V1C-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF) rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: PLZ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 5.1V SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 10612 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PLZ5V1B-G3/H | VISHAY |
Description: VISHAY - PLZ5V1B-G3/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF) rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: PLZ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 5.1V SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 17041 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TZX5V1B-TAP | VISHAY |
Description: VISHAY - TZX5V1B-TAP - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 175 °C, DurchsteckmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-35 rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: TZX5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Zener-Spannung, nom.: 5.1V SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 27710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PLZ5V1C-HG3_A/H | VISHAY |
Description: VISHAY - PLZ5V1C-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF) rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: PLZ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 5.1V SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 10612 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PLZ5V1B-HG3_A/H | VISHAY |
Description: VISHAY - PLZ5V1B-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF) rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: PLZ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 5.1V SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 15880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PLZ5V1A-HG3_A/H | VISHAY |
Description: VISHAY - PLZ5V1A-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF) rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: PLZ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 5.1V SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 71 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
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PLZ5V1B-G3/H | VISHAY |
Description: VISHAY - PLZ5V1B-G3/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF) rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: PLZ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 5.1V SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 17041 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PLZ5V1B-HG3_A/H | VISHAY |
Description: VISHAY - PLZ5V1B-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF) rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: PLZ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 5.1V SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 15880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PLZ5V1A-HG3_A/H | VISHAY |
Description: VISHAY - PLZ5V1A-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF) rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: PLZ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 5.1V SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 71 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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VS-1N3208 | VISHAY |
Description: VISHAY - VS-1N3208 - STANDARD DIODE, 15A, 50V, DO-203ABtariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 2Pin(s) euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 |
на замовлення 79 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
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CNS471A6 | VISHAY |
Description: VISHAY - CNS471A6 - Dekadenteiler, 100 Ohm bis 9 MOhm, Produktreihe CNS 471, 6 Elemente, SIPtariffCode: 85332100 Widerstand, R1: - Absolute Widerstandstoleranz: 0.1% rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: SIP Absoluter TCR: 25ppm/K hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Netzwerkelement: Spannungsteiler usEccn: EAR99 Anzahl der Elemente: 6Element(e) euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Nennleistung pro Widerstand: 100mW Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CNS 471 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Widerstand, R2: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RS3G-E3/57T | VISHAY |
Description: VISHAY - RS3G-E3/57T - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 3 A, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 100 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AB (SMC) Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 150ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 367 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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593D105X9025A2TE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - 593D105X9025A2TE3 - CAP, 1UF, 25V, TANT, CASE AtariffCode: 85322100 Produkthöhe: 1.6mm Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1206 [3216 Metric] rohsCompliant: YES Ausfallrate: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kapazitätstoleranz: 10% Qualifikation: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 4ohm Produktlänge: 3.2mm euEccn: NLR Kapazität: 1µF Spannung (DC): 25V Rippelstrom: 140mA Produktpalette: TANTAMOUNT 593D Series Hersteller-Größencode: A productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C Produktbreite: 1.6mm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 449 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DG408DQ-T1-E3 | VISHAY |
Description: VISHAY - DG408DQ-T1-E3 - Analoger Multiplexer, 8:1, 1 Schaltkreis, 100 Ohm, ± 5V bis ± 20V, 5V bis 36V, TSSOP-16tariffCode: 85423990 IC-Funktion: Analoger Multiplexer rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: ± 5V bis ± 20V, 5V bis 36V Einschaltwiderstand, max.: 100ohm Einschaltwiderstand, typ.: 40ohm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP MSL: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: 8:1 Schalterkonfiguration: - euEccn: NLR Stromversorgung: Einfache & zweifache Spannungsversorgung Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Anzahl der Schaltkreise: 1Schaltkreis(e) Schnittstellen: - Durchlasswiderstand, max.: 100ohm Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
на замовлення 2268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CRCW080527R0FKEAHP | VISHAY |
Description: VISHAY - CRCW080527R0FKEAHP - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 27 ohm, ± 1%, 500 mW, 0805 [Metrisch 2012]tariffCode: 85332100 rohsCompliant: Y-EX Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 500mW Widerstandstyp: Impulsspannungsfest, Hochleistung Widerstand: 27ohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: ± 1% Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K Produktlänge: 2mm euEccn: NLR Produktpalette: CRCW-HP e3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Nennspannung: 150V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 1.25mm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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VS-60APH03L-N3 | VISHAY |
Description: VISHAY - VS-60APH03L-N3 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 300 V, 60 A, Einfach, 1.45 V, 42 ns, 450 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247AD Durchlassstoßstrom: 450A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.45V Sperrverzögerungszeit: 42ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: FRED Pt Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 300V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 687 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RO116SF1D502 | VISHAY |
Description: VISHAY - RO116SF1D502 - Drehpotentiometer, 5 kohm, 1 Umdrehung(en), Linear, 400 mW, ± 10%, RO11 SeriestariffCode: 85334010 Produkthöhe: - rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: - Anzahl der Umdrehungen: 1Umdrehung(en) Widerstandstechnologie: Kunststoff, leitfähig hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Potentiometermontage: Servohalterung Nennleistung: 400mW Einstellungsart: Drehschalter Bahnwiderstand: 5kohm Widerstandsverlauf: Linear usEccn: EAR99 Anzahl der Einbaustellen: 1 Wellendurchmesser: 3.175mm Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: ± 10% Temperaturkoeffizient: - Produktlänge: 37.1mm euEccn: NLR Potentiometer: Präzision Länge der Welle: 16.6mm Produktpalette: RO11 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Potentiometeranschlüsse: Lötstützpunkt Betriebstemperatur, max.: 125°C Produktbreite: - SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TNPU0805100RBZEN00 | VISHAY |
Description: VISHAY - TNPU0805100RBZEN00 - RES, THIN FILM, 100R, 0.1%, 0.125W, 0805tariffCode: 85332100 rohsCompliant: Y-EX Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [2012 Metric] Widerstandstechnologie: Thin Film hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 125mW Widerstandstyp: Precision Widerstand: 100ohm usEccn: EAR99 Netzsteckertyp: 0 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: 0.1% Temperaturkoeffizient: 5ppm/K Produktlänge: 2.01mm euEccn: NLR Produktpalette: TNPU e3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Nennspannung: 150V Betriebstemperatur, max.: 125°C Produktbreite: 0 directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 529 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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LL103B-GS08 | VISHAY |
Description: VISHAY - LL103B-GS08 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 600 mV, 15 A, 150 °CtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-80 (MiniMELF) Durchlassstoßstrom: 15A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 600mV Sperrverzögerungszeit: 10ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: LL103 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
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SQJA92EP-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQJA92EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 57 A, 0.0078 ohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 Dauer-Drainstrom Id: 57 hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 68 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 euEccn: NLR Verlustleistung: 68 Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0078 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 2696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SIR584DP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR584DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0031 ohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 Dauer-Drainstrom Id: 100 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 83.3 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 83.3 Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 5620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SIR584DP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR584DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0031 ohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 Dauer-Drainstrom Id: 100 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 83.3 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 83.3 Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 5620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SIR826BDP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR826BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80.8 A, 5100 µohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 3147 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SIR826LDP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR826LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 86 A, 0.00415 ohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 86A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00415ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 14390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SIR826BDP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR826BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80.8 A, 5100 µohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 3147 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SIR120DP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR120DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 106 A, 0.00296 ohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 106A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00296ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 18217 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SIR880BDP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR880BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70.6 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 71.4W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
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SIR120DP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR120DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 106 A, 0.00296 ohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 106A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 100W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00296ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00296ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 18217 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SQJ186EP-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ186EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.011 ohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 135W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 9433 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SQJ186EP-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ186EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.011 ohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 135W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 135W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 9433 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SIR5802DP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR5802DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 137.5 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 137.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 104W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 4739 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SIJ128LDP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIJ128LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25.5 A, 0.013 ohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 22.3W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 21591 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SIR880BDP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR880BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70.6 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 71.4W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 71.4W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
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SIR122LDP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR122LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 62.3 A, 0.0061 ohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 Dauer-Drainstrom Id: 62.3 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 65.7 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 65.7 Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0061 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 5986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SIR122LDP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR122LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 62.3 A, 0.0061 ohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 Dauer-Drainstrom Id: 62.3 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 65.7 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 65.7 Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0061 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 5986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SIR5802DP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR5802DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 137.5 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 137.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 104W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 4739 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SQJA92EP-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQJA92EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 57 A, 0.0078 ohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung: 68 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078 Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 2696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SIRA62DP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIRA62DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.001 ohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung: 65.7 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001 Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 5990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SIR826LDP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR826LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 86 A, 0.00415 ohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 86A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00415ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 18914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SIJ128LDP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIJ128LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25.5 A, 0.013 ohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 22.3W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 21591 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BFC246804475 | VISHAY |
Description: VISHAY - BFC246804475 - Universeller Folienkondensator, Metallisiertes PET, Radiales Gehäuse, 2 Pins, 4.7 µF, ± 10%, 63 VtariffCode: 85322900 Produkthöhe: 19.5mm Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radiales Gehäuse, 2 Pins rohsCompliant: YES Anschlussabstand: 22.5mm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kapazitätstoleranz: ± 10% Kondensatormontage: Durchsteckmontage Qualifikation: AEC-Q200 usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Produktlänge: 19.5mm euEccn: NLR Dielektrikum: Metallisiertes PET Spannung (AC): 63V Kapazität: 4.7µF Spannung (DC): 100V Produktpalette: MKT468 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet Betriebstemperatur, max.: 100°C Feuchtigkeitsklasse: GRADE II (Testbedingung A) Produktbreite: 26mm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BFC233810334 | VISHAY |
Description: VISHAY - BFC233810334 - Sicherheitskondensator, Metallisiertes PP, Radiales Gehäuse, 2 Pins, 0.33 µF, ± 20%, X1tariffCode: 85322500 Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radiales Gehäuse, 2 Pins dv/dt: 100V/µs rohsCompliant: YES Anschlussabstand: 27.5mm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kapazitätstoleranz: ± 20% Kondensatormontage: Durchsteckmontage Qualifikation: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Entstörklasse: X1 Nennspannung Y: - euEccn: NLR Dielektrikum: Metallisiertes PP Kapazität: 0.33µF Produktpalette: MKP338 1 Series Nennspannung X: 440VAC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 105°C Feuchtigkeitsklasse: GRADE II (Testbedingung A) SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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F339X143348KII2B0 | VISHAY |
Description: VISHAY - F339X143348KII2B0 - Sicherheitskondensator, Metallisiertes PP, Radiales Gehäuse, 2 Pins, 0.33 µF, ± 10%, X1tariffCode: 85322500 Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radiales Gehäuse, 2 Pins dv/dt: 100V/µs rohsCompliant: YES Anschlussabstand: 22.5mm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kapazitätstoleranz: ± 10% Kondensatormontage: Durchsteckmontage Qualifikation: AEC-Q200 usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Entstörklasse: X1 Nennspannung Y: - euEccn: NLR Dielektrikum: Metallisiertes PP Kapazität: 0.33µF Produktpalette: F339X1 Series Nennspannung X: 480VAC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 110°C Feuchtigkeitsklasse: GRADE II (Testbedingung B) SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CRCW020113K0FNED | VISHAY |
Description: VISHAY - CRCW020113K0FNED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 13 kohm, ± 1%, 50 mW, 0201 [Metrisch 0603]tariffCode: 85332100 rohsCompliant: Y-EX Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0201 [Metrisch 0603] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Nennleistung: 50mW Widerstandstyp: Universell Widerstand: 13kohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: ± 1% Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/K Produktlänge: 0.6mm euEccn: NLR Produktpalette: CRCW e3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Nennspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 0.3mm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 9360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CRCW020113K0FNED. | VISHAY |
Description: VISHAY - CRCW020113K0FNED. - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, Dickschicht, 13 kohm, ± 1%, 50 mW, 0201 [Metrisch 0603]tariffCode: 85332100 Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0201 [Metrisch 0603] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand hazardous: false Qualifikation: - Nennleistung: 50 Widerstandstyp: Universell Widerstand: 13 usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55 Widerstandstoleranz: ± 1% Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/K Produktlänge: 0.6 euEccn: NLR Produktpalette: CRCW e3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Nennspannung: 30 Betriebstemperatur, max.: 155 Produktbreite: 0.3 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZT52C4V7-E3-08 | VISHAY |
Description: VISHAY - BZT52C4V7-E3-08 - Zener-Diode, 4.7 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BZT52 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 4.7V SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 15567 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZT52C4V7-E3-08 | VISHAY |
Description: VISHAY - BZT52C4V7-E3-08 - Zener-Diode, 4.7 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BZT52 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 4.7V SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 15567 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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489D106X0016C1VE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - 489D106X0016C1VE3 - Tantalkondensator, Harzbeschichtung, 10 µF, 16 V, ± 20%, Radial bedrahtet, 2.5 mm tariffCode: 85322100 Produkthöhe: 8mm Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial bedrahtet rohsCompliant: YES Ausfallrate: - Anschlussabstand: 2.5mm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kapazitätstoleranz: ± 20% Qualifikation: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Produktlänge: - euEccn: NLR Kapazität: 10µF Spannung (DC): 16V Rippelstrom: - Produktpalette: 489D Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktdurchmesser: - Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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489D475X0035D6VE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - 489D475X0035D6VE3 - Tantalkondensator, Harzbeschichtung, 4.7 µF, 35 V, ± 20%, Radial bedrahtet, 5 mmtariffCode: 85322100 Produkthöhe: 13mm Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial bedrahtet rohsCompliant: YES Ausfallrate: - Anschlussabstand: 5mm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kapazitätstoleranz: ± 20% Qualifikation: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Produktlänge: - euEccn: NLR Kapazität: 4.7µF Spannung (DC): 35V Rippelstrom: - Produktpalette: 489D Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktdurchmesser: - Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 344 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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489D105X0035B1VE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - 489D105X0035B1VE3 - Tantalkondensator, Harzbeschichtung, 1 µF, 35 V, ± 20%, Radial bedrahtet, 2.5 mmtariffCode: 85322100 Produkthöhe: 7.5mm Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial bedrahtet rohsCompliant: YES Ausfallrate: - Anschlussabstand: 2.5mm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kapazitätstoleranz: ± 20% Qualifikation: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Produktlänge: - euEccn: NLR Kapazität: 1µF Spannung (DC): 35V Rippelstrom: - Produktpalette: 489D Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktdurchmesser: - Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 191 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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790D335X9016A2BE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - 790D335X9016A2BE3 - Tantalkondensator, Harz-Formteil, 3.3 µF, 16 V, ± 10%, Radial bedrahtet, 2.54 mmtariffCode: 85322100 Produkthöhe: 7.3mm Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial bedrahtet rohsCompliant: YES Ausfallrate: - Anschlussabstand: 2.54mm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kapazitätstoleranz: ± 10% Qualifikation: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Produktlänge: 4.7mm euEccn: NLR Kapazität: 3.3µF Spannung (DC): 16V Rippelstrom: - Produktpalette: 790D Series productTraceability: No Produktdurchmesser: - Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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298D227X0004P2T | VISHAY |
Description: VISHAY - 298D227X0004P2T - Tantalkondensator zur Oberflächenmontage, MICROTAN®, 220 µF, 4 V, 1005 [Metrisch 2512], ± 20%tariffCode: 85322100 Produkthöhe: 1.25mm Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1005 [Metrisch 2512] rohsCompliant: YES Ausfallrate: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kapazitätstoleranz: ± 20% Qualifikation: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 3ohm Produktlänge: 2.45mm euEccn: NLR Kapazität: 220µF Spannung (DC): 4V Rippelstrom: 122mA Produktpalette: MICROTAN 298D Series Hersteller-Größencode: P productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C Produktbreite: 1.5mm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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489D105X0035B6VE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - 489D105X0035B6VE3 - Tantalkondensator, Harzbeschichtung, 1 µF, 35 V, ± 20%, Radial bedrahtet, 5 mmtariffCode: 85322100 Produkthöhe: 11.5mm Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial bedrahtet rohsCompliant: YES Ausfallrate: - Anschlussabstand: 5mm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kapazitätstoleranz: ± 20% Qualifikation: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Produktlänge: - euEccn: NLR Kapazität: 1µF Spannung (DC): 35V Rippelstrom: - Produktpalette: 489D Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktdurchmesser: - Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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790D226X9040C2BE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - 790D226X9040C2BE3 - Tantalkondensator, Harz-Formteil, 22 µF, 40 V, ± 10%, Radial bedrahtet, 10.2 mmtariffCode: 85322100 Produkthöhe: 10.5mm Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial bedrahtet rohsCompliant: YES Ausfallrate: - Anschlussabstand: 10.2mm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kapazitätstoleranz: ± 10% Qualifikation: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Produktlänge: 12.3mm euEccn: NLR Kapazität: 22µF Spannung (DC): 40V Rippelstrom: - Produktpalette: 790D Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktdurchmesser: - Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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489D106X0035F6VE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - 489D106X0035F6VE3 - Tantalkondensator, Harzbeschichtung, 10 µF, 35 V, ± 20%, Radial bedrahtet, 5 mmtariffCode: 85322100 Produkthöhe: 15mm Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial bedrahtet rohsCompliant: YES Ausfallrate: - Anschlussabstand: 5mm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kapazitätstoleranz: ± 20% Qualifikation: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Produktlänge: - euEccn: NLR Kapazität: 10µF Spannung (DC): 35V Rippelstrom: - Produktpalette: 489D Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktdurchmesser: - Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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790D105X9040A2BE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - 790D105X9040A2BE3 - Tantalkondensator, Harz-Formteil, 1 µF, 40 V, ± 10%, Radial bedrahtet, 2.54 mmtariffCode: 85322100 Produkthöhe: 7.3mm Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial bedrahtet rohsCompliant: YES Ausfallrate: - Anschlussabstand: 2.54mm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kapazitätstoleranz: 10% Qualifikation: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Produktlänge: 4.7mm euEccn: NLR Kapazität: 1µF Spannung (DC): 40V Rippelstrom: - Produktpalette: 790D Series productTraceability: No Produktdurchmesser: - Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| SISA18BDN-T1-GE3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISA18BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 6830 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6830µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SISA18BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 6830 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6830µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 11707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 60.66 грн |
| 20+ | 44.02 грн |
| 100+ | 31.43 грн |
| 500+ | 21.18 грн |
| 1000+ | 17.74 грн |
| 5000+ | 16.15 грн |
| SISA04DN-T1-GE3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISA04DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2150 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2150µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SISA04DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2150 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2150µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 151.22 грн |
| 10+ | 96.31 грн |
| 100+ | 63.87 грн |
| 500+ | 48.64 грн |
| 1000+ | 39.25 грн |
| SIRA18BDP-T1-GE3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA18BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 6830 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 17W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 17W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6830µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIRA18BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 6830 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 17W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 17W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6830µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 24.16 грн |
| 500+ | 17.10 грн |
| 1000+ | 14.05 грн |
| SISHA04DN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISHA04DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0018 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SISHA04DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0018 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 7890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 47.06 грн |
| 500+ | 33.26 грн |
| 1000+ | 24.69 грн |
| 5000+ | 22.74 грн |
| PLZ5V1C-HG3_A/H |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - PLZ5V1C-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - PLZ5V1C-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 10612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 62+ | 13.77 грн |
| 90+ | 9.46 грн |
| 209+ | 4.06 грн |
| 500+ | 3.29 грн |
| 1000+ | 2.61 грн |
| 5000+ | 2.56 грн |
| PLZ5V1B-G3/H |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - PLZ5V1B-G3/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - PLZ5V1B-G3/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 97+ | 8.79 грн |
| 135+ | 6.29 грн |
| 269+ | 3.14 грн |
| 500+ | 2.57 грн |
| 1000+ | 2.19 грн |
| 5000+ | 2.13 грн |
| TZX5V1B-TAP |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - TZX5V1B-TAP - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 175 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: TZX5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - TZX5V1B-TAP - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 175 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: TZX5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 27710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 89+ | 9.55 грн |
| 126+ | 6.72 грн |
| 313+ | 2.70 грн |
| 500+ | 2.06 грн |
| 1000+ | 1.56 грн |
| 5000+ | 1.27 грн |
| PLZ5V1C-HG3_A/H |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - PLZ5V1C-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - PLZ5V1C-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 10612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 3.29 грн |
| 1000+ | 2.61 грн |
| 5000+ | 2.56 грн |
| PLZ5V1B-HG3_A/H |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - PLZ5V1B-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - PLZ5V1B-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 77+ | 10.98 грн |
| 113+ | 7.54 грн |
| 252+ | 3.36 грн |
| 500+ | 2.63 грн |
| 1000+ | 2.02 грн |
| 5000+ | 2.01 грн |
| PLZ5V1A-HG3_A/H |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - PLZ5V1A-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - PLZ5V1A-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| PLZ5V1B-G3/H |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - PLZ5V1B-G3/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - PLZ5V1B-G3/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 2.57 грн |
| 1000+ | 2.19 грн |
| 5000+ | 2.13 грн |
| PLZ5V1B-HG3_A/H |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - PLZ5V1B-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - PLZ5V1B-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 2.63 грн |
| 1000+ | 2.02 грн |
| 5000+ | 2.01 грн |
| PLZ5V1A-HG3_A/H |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - PLZ5V1A-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - PLZ5V1A-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 43+ | 19.77 грн |
| 64+ | 13.35 грн |
| VS-1N3208 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VS-1N3208 - STANDARD DIODE, 15A, 50V, DO-203AB
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Description: VISHAY - VS-1N3208 - STANDARD DIODE, 15A, 50V, DO-203AB
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| CNS471A6 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CNS471A6 - Dekadenteiler, 100 Ohm bis 9 MOhm, Produktreihe CNS 471, 6 Elemente, SIP
tariffCode: 85332100
Widerstand, R1: -
Absolute Widerstandstoleranz: 0.1%
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: SIP
Absoluter TCR: 25ppm/K
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Netzwerkelement: Spannungsteiler
usEccn: EAR99
Anzahl der Elemente: 6Element(e)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Nennleistung pro Widerstand: 100mW
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CNS 471 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Widerstand, R2: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: VISHAY - CNS471A6 - Dekadenteiler, 100 Ohm bis 9 MOhm, Produktreihe CNS 471, 6 Elemente, SIP
tariffCode: 85332100
Widerstand, R1: -
Absolute Widerstandstoleranz: 0.1%
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: SIP
Absoluter TCR: 25ppm/K
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Netzwerkelement: Spannungsteiler
usEccn: EAR99
Anzahl der Elemente: 6Element(e)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Nennleistung pro Widerstand: 100mW
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CNS 471 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Widerstand, R2: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 9740.02 грн |
| 2+ | 8522.62 грн |
| 3+ | 8131.47 грн |
| 5+ | 7187.43 грн |
| 10+ | 6299.28 грн |
| 20+ | 5876.38 грн |
| RS3G-E3/57T |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - RS3G-E3/57T - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 3 A, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 150ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - RS3G-E3/57T - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 3 A, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 150ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 27.63 грн |
| 593D105X9025A2TE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - 593D105X9025A2TE3 - CAP, 1UF, 25V, TANT, CASE A
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 1.6mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1206 [3216 Metric]
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: 10%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 4ohm
Produktlänge: 3.2mm
euEccn: NLR
Kapazität: 1µF
Spannung (DC): 25V
Rippelstrom: 140mA
Produktpalette: TANTAMOUNT 593D Series
Hersteller-Größencode: A
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 1.6mm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: VISHAY - 593D105X9025A2TE3 - CAP, 1UF, 25V, TANT, CASE A
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 1.6mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1206 [3216 Metric]
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: 10%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 4ohm
Produktlänge: 3.2mm
euEccn: NLR
Kapazität: 1µF
Spannung (DC): 25V
Rippelstrom: 140mA
Produktpalette: TANTAMOUNT 593D Series
Hersteller-Größencode: A
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 1.6mm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 53.22 грн |
| 30+ | 28.72 грн |
| 34+ | 25.34 грн |
| 50+ | 20.40 грн |
| 100+ | 15.93 грн |
| DG408DQ-T1-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - DG408DQ-T1-E3 - Analoger Multiplexer, 8:1, 1 Schaltkreis, 100 Ohm, ± 5V bis ± 20V, 5V bis 36V, TSSOP-16
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Analoger Multiplexer
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: ± 5V bis ± 20V, 5V bis 36V
Einschaltwiderstand, max.: 100ohm
Einschaltwiderstand, typ.: 40ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: 8:1
Schalterkonfiguration: -
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache & zweifache Spannungsversorgung
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Schaltkreise: 1Schaltkreis(e)
Schnittstellen: -
Durchlasswiderstand, max.: 100ohm
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Description: VISHAY - DG408DQ-T1-E3 - Analoger Multiplexer, 8:1, 1 Schaltkreis, 100 Ohm, ± 5V bis ± 20V, 5V bis 36V, TSSOP-16
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Analoger Multiplexer
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: ± 5V bis ± 20V, 5V bis 36V
Einschaltwiderstand, max.: 100ohm
Einschaltwiderstand, typ.: 40ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: 8:1
Schalterkonfiguration: -
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache & zweifache Spannungsversorgung
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Schaltkreise: 1Schaltkreis(e)
Schnittstellen: -
Durchlasswiderstand, max.: 100ohm
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 160.03 грн |
| 250+ | 141.21 грн |
| 500+ | 128.17 грн |
| 1000+ | 108.62 грн |
| CRCW080527R0FKEAHP |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW080527R0FKEAHP - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 27 ohm, ± 1%, 500 mW, 0805 [Metrisch 2012]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 500mW
Widerstandstyp: Impulsspannungsfest, Hochleistung
Widerstand: 27ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW-HP e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 1.25mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - CRCW080527R0FKEAHP - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 27 ohm, ± 1%, 500 mW, 0805 [Metrisch 2012]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 500mW
Widerstandstyp: Impulsspannungsfest, Hochleistung
Widerstand: 27ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW-HP e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 1.25mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 2.83 грн |
| VS-60APH03L-N3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VS-60APH03L-N3 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 300 V, 60 A, Einfach, 1.45 V, 42 ns, 450 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247AD
Durchlassstoßstrom: 450A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.45V
Sperrverzögerungszeit: 42ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: FRED Pt Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 300V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - VS-60APH03L-N3 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 300 V, 60 A, Einfach, 1.45 V, 42 ns, 450 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247AD
Durchlassstoßstrom: 450A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.45V
Sperrverzögerungszeit: 42ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: FRED Pt Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 300V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 234.86 грн |
| 10+ | 143.62 грн |
| 100+ | 126.72 грн |
| 500+ | 113.75 грн |
| RO116SF1D502 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - RO116SF1D502 - Drehpotentiometer, 5 kohm, 1 Umdrehung(en), Linear, 400 mW, ± 10%, RO11 Series
tariffCode: 85334010
Produkthöhe: -
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: -
Anzahl der Umdrehungen: 1Umdrehung(en)
Widerstandstechnologie: Kunststoff, leitfähig
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Potentiometermontage: Servohalterung
Nennleistung: 400mW
Einstellungsart: Drehschalter
Bahnwiderstand: 5kohm
Widerstandsverlauf: Linear
usEccn: EAR99
Anzahl der Einbaustellen: 1
Wellendurchmesser: 3.175mm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 10%
Temperaturkoeffizient: -
Produktlänge: 37.1mm
euEccn: NLR
Potentiometer: Präzision
Länge der Welle: 16.6mm
Produktpalette: RO11 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Potentiometeranschlüsse: Lötstützpunkt
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Description: VISHAY - RO116SF1D502 - Drehpotentiometer, 5 kohm, 1 Umdrehung(en), Linear, 400 mW, ± 10%, RO11 Series
tariffCode: 85334010
Produkthöhe: -
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: -
Anzahl der Umdrehungen: 1Umdrehung(en)
Widerstandstechnologie: Kunststoff, leitfähig
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Potentiometermontage: Servohalterung
Nennleistung: 400mW
Einstellungsart: Drehschalter
Bahnwiderstand: 5kohm
Widerstandsverlauf: Linear
usEccn: EAR99
Anzahl der Einbaustellen: 1
Wellendurchmesser: 3.175mm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 10%
Temperaturkoeffizient: -
Produktlänge: 37.1mm
euEccn: NLR
Potentiometer: Präzision
Länge der Welle: 16.6mm
Produktpalette: RO11 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Potentiometeranschlüsse: Lötstützpunkt
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 85412.07 грн |
| TNPU0805100RBZEN00 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - TNPU0805100RBZEN00 - RES, THIN FILM, 100R, 0.1%, 0.125W, 0805
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [2012 Metric]
Widerstandstechnologie: Thin Film
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Precision
Widerstand: 100ohm
usEccn: EAR99
Netzsteckertyp: 0
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 0.1%
Temperaturkoeffizient: 5ppm/K
Produktlänge: 2.01mm
euEccn: NLR
Produktpalette: TNPU e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - TNPU0805100RBZEN00 - RES, THIN FILM, 100R, 0.1%, 0.125W, 0805
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [2012 Metric]
Widerstandstechnologie: Thin Film
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Precision
Widerstand: 100ohm
usEccn: EAR99
Netzsteckertyp: 0
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 0.1%
Temperaturkoeffizient: 5ppm/K
Produktlänge: 2.01mm
euEccn: NLR
Produktpalette: TNPU e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 204.45 грн |
| 10+ | 141.93 грн |
| 25+ | 124.19 грн |
| 50+ | 99.63 грн |
| 100+ | 81.10 грн |
| LL103B-GS08 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - LL103B-GS08 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 600 mV, 15 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-80 (MiniMELF)
Durchlassstoßstrom: 15A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 600mV
Sperrverzögerungszeit: 10ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: LL103
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: VISHAY - LL103B-GS08 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 600 mV, 15 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-80 (MiniMELF)
Durchlassstoßstrom: 15A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 600mV
Sperrverzögerungszeit: 10ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: LL103
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| SQJA92EP-T1_GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJA92EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 57 A, 0.0078 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 57
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0078
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: VISHAY - SQJA92EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 57 A, 0.0078 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 57
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0078
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 102.22 грн |
| 10+ | 91.24 грн |
| 100+ | 71.39 грн |
| 500+ | 54.76 грн |
| SIR584DP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR584DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0031 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 100
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: VISHAY - SIR584DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0031 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 100
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 5620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 92.09 грн |
| 500+ | 70.13 грн |
| 1000+ | 53.66 грн |
| 5000+ | 52.57 грн |
| SIR584DP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR584DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0031 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 100
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: VISHAY - SIR584DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0031 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 100
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 5620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 126.72 грн |
| 10+ | 114.05 грн |
| 100+ | 92.09 грн |
| 500+ | 70.13 грн |
| 1000+ | 53.66 грн |
| 5000+ | 52.57 грн |
| SIR826BDP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR826BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80.8 A, 5100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIR826BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80.8 A, 5100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 146.16 грн |
| 10+ | 110.67 грн |
| 100+ | 77.72 грн |
| 500+ | 57.58 грн |
| 1000+ | 50.11 грн |
| SIR826LDP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR826LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 86 A, 0.00415 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00415ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIR826LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 86 A, 0.00415 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00415ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 14390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 137.71 грн |
| 50+ | 102.22 грн |
| 100+ | 75.87 грн |
| 500+ | 56.17 грн |
| 1500+ | 47.50 грн |
| SIR826BDP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR826BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80.8 A, 5100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIR826BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80.8 A, 5100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 77.72 грн |
| 500+ | 57.58 грн |
| 1000+ | 50.11 грн |
| SIR120DP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR120DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 106 A, 0.00296 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00296ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIR120DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 106 A, 0.00296 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00296ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 18217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 174.03 грн |
| 10+ | 117.43 грн |
| 100+ | 86.17 грн |
| 500+ | 60.80 грн |
| 1000+ | 51.12 грн |
| 5000+ | 45.91 грн |
| SIR880BDP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR880BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70.6 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SIR880BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70.6 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| SIR120DP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR120DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 106 A, 0.00296 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00296ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00296ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIR120DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 106 A, 0.00296 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00296ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00296ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 18217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 86.17 грн |
| 500+ | 60.80 грн |
| 1000+ | 51.12 грн |
| 5000+ | 45.91 грн |
| SQJ186EP-T1_GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ186EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.011 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SQJ186EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.011 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 9433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 113.21 грн |
| 13+ | 67.92 грн |
| 100+ | 53.90 грн |
| 500+ | 36.79 грн |
| 1000+ | 30.41 грн |
| 5000+ | 27.81 грн |
| SQJ186EP-T1_GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ186EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.011 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 135W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SQJ186EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.011 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 135W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 9433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 53.90 грн |
| 500+ | 36.79 грн |
| 1000+ | 30.41 грн |
| 5000+ | 27.81 грн |
| SIR5802DP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR5802DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 137.5 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: VISHAY - SIR5802DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 137.5 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 4739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 109.83 грн |
| 500+ | 83.94 грн |
| 1000+ | 64.45 грн |
| 3000+ | 60.54 грн |
| SIJ128LDP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIJ128LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25.5 A, 0.013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIJ128LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25.5 A, 0.013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 21591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 68.35 грн |
| 15+ | 59.48 грн |
| 100+ | 54.74 грн |
| 500+ | 45.42 грн |
| 1000+ | 39.03 грн |
| 5000+ | 36.79 грн |
| SIR880BDP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR880BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70.6 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SIR880BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70.6 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| SIR122LDP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR122LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 62.3 A, 0.0061 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 62.3
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0061
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: VISHAY - SIR122LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 62.3 A, 0.0061 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 62.3
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0061
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 5986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 73.50 грн |
| 500+ | 57.03 грн |
| 1000+ | 43.88 грн |
| 5000+ | 43.01 грн |
| SIR122LDP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR122LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 62.3 A, 0.0061 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 62.3
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0061
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: VISHAY - SIR122LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 62.3 A, 0.0061 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 62.3
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0061
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 5986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 97.16 грн |
| 10+ | 86.17 грн |
| 100+ | 73.50 грн |
| 500+ | 57.03 грн |
| 1000+ | 43.88 грн |
| 5000+ | 43.01 грн |
| SIR5802DP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR5802DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 137.5 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: VISHAY - SIR5802DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 137.5 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 4739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 174.03 грн |
| 10+ | 139.40 грн |
| 100+ | 109.83 грн |
| 500+ | 83.94 грн |
| 1000+ | 64.45 грн |
| 3000+ | 60.54 грн |
| SQJA92EP-T1_GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJA92EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 57 A, 0.0078 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung: 68
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: VISHAY - SQJA92EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 57 A, 0.0078 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung: 68
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 71.39 грн |
| 500+ | 54.76 грн |
| SIRA62DP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA62DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.001 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung: 65.7
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: VISHAY - SIRA62DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.001 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung: 65.7
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 69.61 грн |
| 500+ | 53.19 грн |
| 1000+ | 36.35 грн |
| 5000+ | 35.63 грн |
| SIR826LDP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR826LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 86 A, 0.00415 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00415ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIR826LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 86 A, 0.00415 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00415ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 18914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 74.60 грн |
| 500+ | 53.42 грн |
| 1000+ | 39.61 грн |
| 5000+ | 38.09 грн |
| SIJ128LDP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIJ128LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25.5 A, 0.013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIJ128LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25.5 A, 0.013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 21591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 54.74 грн |
| 500+ | 45.42 грн |
| 1000+ | 39.03 грн |
| 5000+ | 36.79 грн |
| BFC246804475 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - BFC246804475 - Universeller Folienkondensator, Metallisiertes PET, Radiales Gehäuse, 2 Pins, 4.7 µF, ± 10%, 63 V
tariffCode: 85322900
Produkthöhe: 19.5mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radiales Gehäuse, 2 Pins
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 22.5mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
Qualifikation: AEC-Q200
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Produktlänge: 19.5mm
euEccn: NLR
Dielektrikum: Metallisiertes PET
Spannung (AC): 63V
Kapazität: 4.7µF
Spannung (DC): 100V
Produktpalette: MKT468 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Feuchtigkeitsklasse: GRADE II (Testbedingung A)
Produktbreite: 26mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - BFC246804475 - Universeller Folienkondensator, Metallisiertes PET, Radiales Gehäuse, 2 Pins, 4.7 µF, ± 10%, 63 V
tariffCode: 85322900
Produkthöhe: 19.5mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radiales Gehäuse, 2 Pins
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 22.5mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
Qualifikation: AEC-Q200
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Produktlänge: 19.5mm
euEccn: NLR
Dielektrikum: Metallisiertes PET
Spannung (AC): 63V
Kapazität: 4.7µF
Spannung (DC): 100V
Produktpalette: MKT468 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Feuchtigkeitsklasse: GRADE II (Testbedingung A)
Produktbreite: 26mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 565.19 грн |
| 50+ | 405.52 грн |
| 100+ | 342.16 грн |
| 250+ | 301.24 грн |
| BFC233810334 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - BFC233810334 - Sicherheitskondensator, Metallisiertes PP, Radiales Gehäuse, 2 Pins, 0.33 µF, ± 20%, X1
tariffCode: 85322500
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radiales Gehäuse, 2 Pins
dv/dt: 100V/µs
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 27.5mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Entstörklasse: X1
Nennspannung Y: -
euEccn: NLR
Dielektrikum: Metallisiertes PP
Kapazität: 0.33µF
Produktpalette: MKP338 1 Series
Nennspannung X: 440VAC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Feuchtigkeitsklasse: GRADE II (Testbedingung A)
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - BFC233810334 - Sicherheitskondensator, Metallisiertes PP, Radiales Gehäuse, 2 Pins, 0.33 µF, ± 20%, X1
tariffCode: 85322500
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radiales Gehäuse, 2 Pins
dv/dt: 100V/µs
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 27.5mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Entstörklasse: X1
Nennspannung Y: -
euEccn: NLR
Dielektrikum: Metallisiertes PP
Kapazität: 0.33µF
Produktpalette: MKP338 1 Series
Nennspannung X: 440VAC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Feuchtigkeitsklasse: GRADE II (Testbedingung A)
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 304.14 грн |
| 5+ | 242.47 грн |
| 10+ | 179.95 грн |
| 20+ | 163.17 грн |
| 40+ | 147.72 грн |
| F339X143348KII2B0 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - F339X143348KII2B0 - Sicherheitskondensator, Metallisiertes PP, Radiales Gehäuse, 2 Pins, 0.33 µF, ± 10%, X1
tariffCode: 85322500
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radiales Gehäuse, 2 Pins
dv/dt: 100V/µs
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 22.5mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
Qualifikation: AEC-Q200
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Entstörklasse: X1
Nennspannung Y: -
euEccn: NLR
Dielektrikum: Metallisiertes PP
Kapazität: 0.33µF
Produktpalette: F339X1 Series
Nennspannung X: 480VAC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 110°C
Feuchtigkeitsklasse: GRADE II (Testbedingung B)
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: VISHAY - F339X143348KII2B0 - Sicherheitskondensator, Metallisiertes PP, Radiales Gehäuse, 2 Pins, 0.33 µF, ± 10%, X1
tariffCode: 85322500
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radiales Gehäuse, 2 Pins
dv/dt: 100V/µs
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 22.5mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
Qualifikation: AEC-Q200
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Entstörklasse: X1
Nennspannung Y: -
euEccn: NLR
Dielektrikum: Metallisiertes PP
Kapazität: 0.33µF
Produktpalette: F339X1 Series
Nennspannung X: 480VAC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 110°C
Feuchtigkeitsklasse: GRADE II (Testbedingung B)
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 359.05 грн |
| 5+ | 304.98 грн |
| 10+ | 251.76 грн |
| 25+ | 232.99 грн |
| 50+ | 214.34 грн |
| CRCW020113K0FNED |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW020113K0FNED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 13 kohm, ± 1%, 50 mW, 0201 [Metrisch 0603]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0201 [Metrisch 0603]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 50mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 13kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/K
Produktlänge: 0.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.3mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - CRCW020113K0FNED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 13 kohm, ± 1%, 50 mW, 0201 [Metrisch 0603]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0201 [Metrisch 0603]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 50mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 13kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/K
Produktlänge: 0.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.3mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 333+ | 2.54 грн |
| 481+ | 1.76 грн |
| 521+ | 1.62 грн |
| 2500+ | 1.24 грн |
| 5000+ | 1.07 грн |
| CRCW020113K0FNED. |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW020113K0FNED. - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, Dickschicht, 13 kohm, ± 1%, 50 mW, 0201 [Metrisch 0603]
tariffCode: 85332100
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0201 [Metrisch 0603]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
Qualifikation: -
Nennleistung: 50
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 13
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/K
Produktlänge: 0.6
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 30
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 0.3
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: VISHAY - CRCW020113K0FNED. - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, Dickschicht, 13 kohm, ± 1%, 50 mW, 0201 [Metrisch 0603]
tariffCode: 85332100
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0201 [Metrisch 0603]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
Qualifikation: -
Nennleistung: 50
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 13
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/K
Produktlänge: 0.6
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 30
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 0.3
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 0.79 грн |
| BZT52C4V7-E3-08 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - BZT52C4V7-E3-08 - Zener-Diode, 4.7 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZT52
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - BZT52C4V7-E3-08 - Zener-Diode, 4.7 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZT52
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 96+ | 8.87 грн |
| 126+ | 6.72 грн |
| 218+ | 3.89 грн |
| 500+ | 3.46 грн |
| 1000+ | 3.06 грн |
| 5000+ | 2.71 грн |
| BZT52C4V7-E3-08 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - BZT52C4V7-E3-08 - Zener-Diode, 4.7 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZT52
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - BZT52C4V7-E3-08 - Zener-Diode, 4.7 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZT52
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 3.46 грн |
| 1000+ | 3.06 грн |
| 5000+ | 2.71 грн |
| 489D106X0016C1VE3 |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - 489D106X0016C1VE3 - Tantalkondensator, Harzbeschichtung, 10 µF, 16 V, ± 20%, Radial bedrahtet, 2.5 mm
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 8mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial bedrahtet
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
Anschlussabstand: 2.5mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Produktlänge: -
euEccn: NLR
Kapazität: 10µF
Spannung (DC): 16V
Rippelstrom: -
Produktpalette: 489D Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: -
Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - 489D106X0016C1VE3 - Tantalkondensator, Harzbeschichtung, 10 µF, 16 V, ± 20%, Radial bedrahtet, 2.5 mm
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 8mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial bedrahtet
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
Anschlussabstand: 2.5mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Produktlänge: -
euEccn: NLR
Kapazität: 10µF
Spannung (DC): 16V
Rippelstrom: -
Produktpalette: 489D Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: -
Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 108.14 грн |
| 10+ | 87.02 грн |
| 50+ | 73.58 грн |
| 100+ | 62.44 грн |
| 200+ | 52.64 грн |
| 500+ | 47.65 грн |
| 489D475X0035D6VE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - 489D475X0035D6VE3 - Tantalkondensator, Harzbeschichtung, 4.7 µF, 35 V, ± 20%, Radial bedrahtet, 5 mm
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 13mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial bedrahtet
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
Anschlussabstand: 5mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Produktlänge: -
euEccn: NLR
Kapazität: 4.7µF
Spannung (DC): 35V
Rippelstrom: -
Produktpalette: 489D Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: -
Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - 489D475X0035D6VE3 - Tantalkondensator, Harzbeschichtung, 4.7 µF, 35 V, ± 20%, Radial bedrahtet, 5 mm
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 13mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial bedrahtet
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
Anschlussabstand: 5mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Produktlänge: -
euEccn: NLR
Kapazität: 4.7µF
Spannung (DC): 35V
Rippelstrom: -
Produktpalette: 489D Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: -
Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 105.60 грн |
| 10+ | 85.33 грн |
| 50+ | 72.23 грн |
| 100+ | 61.35 грн |
| 200+ | 51.70 грн |
| 489D105X0035B1VE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - 489D105X0035B1VE3 - Tantalkondensator, Harzbeschichtung, 1 µF, 35 V, ± 20%, Radial bedrahtet, 2.5 mm
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 7.5mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial bedrahtet
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
Anschlussabstand: 2.5mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Produktlänge: -
euEccn: NLR
Kapazität: 1µF
Spannung (DC): 35V
Rippelstrom: -
Produktpalette: 489D Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: -
Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: VISHAY - 489D105X0035B1VE3 - Tantalkondensator, Harzbeschichtung, 1 µF, 35 V, ± 20%, Radial bedrahtet, 2.5 mm
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 7.5mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial bedrahtet
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
Anschlussabstand: 2.5mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Produktlänge: -
euEccn: NLR
Kapazität: 1µF
Spannung (DC): 35V
Rippelstrom: -
Produktpalette: 489D Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: -
Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 57.96 грн |
| 20+ | 42.83 грн |
| 50+ | 37.85 грн |
| 100+ | 32.48 грн |
| 790D335X9016A2BE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - 790D335X9016A2BE3 - Tantalkondensator, Harz-Formteil, 3.3 µF, 16 V, ± 10%, Radial bedrahtet, 2.54 mm
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 7.3mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial bedrahtet
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
Anschlussabstand: 2.54mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Produktlänge: 4.7mm
euEccn: NLR
Kapazität: 3.3µF
Spannung (DC): 16V
Rippelstrom: -
Produktpalette: 790D Series
productTraceability: No
Produktdurchmesser: -
Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - 790D335X9016A2BE3 - Tantalkondensator, Harz-Formteil, 3.3 µF, 16 V, ± 10%, Radial bedrahtet, 2.54 mm
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 7.3mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial bedrahtet
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
Anschlussabstand: 2.54mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Produktlänge: 4.7mm
euEccn: NLR
Kapazität: 3.3µF
Spannung (DC): 16V
Rippelstrom: -
Produktpalette: 790D Series
productTraceability: No
Produktdurchmesser: -
Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 217.12 грн |
| 10+ | 192.62 грн |
| 50+ | 185.86 грн |
| 100+ | 165.53 грн |
| 200+ | 151.34 грн |
| 298D227X0004P2T |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - 298D227X0004P2T - Tantalkondensator zur Oberflächenmontage, MICROTAN®, 220 µF, 4 V, 1005 [Metrisch 2512], ± 20%
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 1.25mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1005 [Metrisch 2512]
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 3ohm
Produktlänge: 2.45mm
euEccn: NLR
Kapazität: 220µF
Spannung (DC): 4V
Rippelstrom: 122mA
Produktpalette: MICROTAN 298D Series
Hersteller-Größencode: P
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 1.5mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - 298D227X0004P2T - Tantalkondensator zur Oberflächenmontage, MICROTAN®, 220 µF, 4 V, 1005 [Metrisch 2512], ± 20%
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 1.25mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1005 [Metrisch 2512]
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 3ohm
Produktlänge: 2.45mm
euEccn: NLR
Kapazität: 220µF
Spannung (DC): 4V
Rippelstrom: 122mA
Produktpalette: MICROTAN 298D Series
Hersteller-Größencode: P
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 1.5mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 182.48 грн |
| 50+ | 130.95 грн |
| 250+ | 114.90 грн |
| 500+ | 93.35 грн |
| 1500+ | 78.21 грн |
| 3000+ | 70.97 грн |
| 489D105X0035B6VE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - 489D105X0035B6VE3 - Tantalkondensator, Harzbeschichtung, 1 µF, 35 V, ± 20%, Radial bedrahtet, 5 mm
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 11.5mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial bedrahtet
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
Anschlussabstand: 5mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Produktlänge: -
euEccn: NLR
Kapazität: 1µF
Spannung (DC): 35V
Rippelstrom: -
Produktpalette: 489D Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: -
Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: VISHAY - 489D105X0035B6VE3 - Tantalkondensator, Harzbeschichtung, 1 µF, 35 V, ± 20%, Radial bedrahtet, 5 mm
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 11.5mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial bedrahtet
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
Anschlussabstand: 5mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Produktlänge: -
euEccn: NLR
Kapazität: 1µF
Spannung (DC): 35V
Rippelstrom: -
Produktpalette: 489D Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: -
Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 57.28 грн |
| 20+ | 42.41 грн |
| 50+ | 37.43 грн |
| 100+ | 32.09 грн |
| 200+ | 27.88 грн |
| 790D226X9040C2BE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - 790D226X9040C2BE3 - Tantalkondensator, Harz-Formteil, 22 µF, 40 V, ± 10%, Radial bedrahtet, 10.2 mm
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 10.5mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial bedrahtet
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
Anschlussabstand: 10.2mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Produktlänge: 12.3mm
euEccn: NLR
Kapazität: 22µF
Spannung (DC): 40V
Rippelstrom: -
Produktpalette: 790D Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: -
Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - 790D226X9040C2BE3 - Tantalkondensator, Harz-Formteil, 22 µF, 40 V, ± 10%, Radial bedrahtet, 10.2 mm
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 10.5mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial bedrahtet
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
Anschlussabstand: 10.2mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Produktlänge: 12.3mm
euEccn: NLR
Kapazität: 22µF
Spannung (DC): 40V
Rippelstrom: -
Produktpalette: 790D Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: -
Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1070.40 грн |
| 5+ | 957.19 грн |
| 10+ | 843.98 грн |
| 20+ | 772.72 грн |
| 40+ | 611.90 грн |
| 100+ | 566.28 грн |
| 489D106X0035F6VE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - 489D106X0035F6VE3 - Tantalkondensator, Harzbeschichtung, 10 µF, 35 V, ± 20%, Radial bedrahtet, 5 mm
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 15mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial bedrahtet
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
Anschlussabstand: 5mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Produktlänge: -
euEccn: NLR
Kapazität: 10µF
Spannung (DC): 35V
Rippelstrom: -
Produktpalette: 489D Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: -
Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: VISHAY - 489D106X0035F6VE3 - Tantalkondensator, Harzbeschichtung, 10 µF, 35 V, ± 20%, Radial bedrahtet, 5 mm
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 15mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial bedrahtet
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
Anschlussabstand: 5mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Produktlänge: -
euEccn: NLR
Kapazität: 10µF
Spannung (DC): 35V
Rippelstrom: -
Produktpalette: 489D Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: -
Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 181.64 грн |
| 10+ | 134.33 грн |
| 50+ | 118.28 грн |
| 100+ | 98.84 грн |
| 790D105X9040A2BE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - 790D105X9040A2BE3 - Tantalkondensator, Harz-Formteil, 1 µF, 40 V, ± 10%, Radial bedrahtet, 2.54 mm
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 7.3mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial bedrahtet
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
Anschlussabstand: 2.54mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: 10%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Produktlänge: 4.7mm
euEccn: NLR
Kapazität: 1µF
Spannung (DC): 40V
Rippelstrom: -
Produktpalette: 790D Series
productTraceability: No
Produktdurchmesser: -
Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - 790D105X9040A2BE3 - Tantalkondensator, Harz-Formteil, 1 µF, 40 V, ± 10%, Radial bedrahtet, 2.54 mm
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 7.3mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial bedrahtet
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
Anschlussabstand: 2.54mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: 10%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Produktlänge: 4.7mm
euEccn: NLR
Kapazität: 1µF
Spannung (DC): 40V
Rippelstrom: -
Produktpalette: 790D Series
productTraceability: No
Produktdurchmesser: -
Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 372.57 грн |
| 10+ | 245.84 грн |
| 50+ | 197.69 грн |
| 100+ | 168.66 грн |
| 200+ | 143.38 грн |
































