Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (358253) > Сторінка 3720 з 5971

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 597 1194 1791 2388 2985 3582 3715 3716 3717 3718 3719 3720 3721 3722 3723 3724 3725 4179 4776 5373 5970 5971  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CRCW0805169RFKEA. CRCW0805169RFKEA. VISHAY 2310790.pdf Description: VISHAY - CRCW0805169RFKEA. - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 169 ohm, ± 1%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 169ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: No
Nennspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 1.25mm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 20110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.13 грн
629+1.41 грн
747+1.19 грн
1000+0.90 грн
2500+0.81 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SIR638ADP-T1-UE3 SIR638ADP-T1-UE3 VISHAY Description: VISHAY - SIR638ADP-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 730 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 730µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+146.41 грн
500+117.00 грн
1000+93.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR638ADP-T1-UE3 SIR638ADP-T1-UE3 VISHAY Description: VISHAY - SIR638ADP-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 730 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 730µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+279.52 грн
10+203.20 грн
100+146.41 грн
500+117.00 грн
1000+93.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
VS-62CTQ030-M3 VS-62CTQ030-M3 VISHAY vs-62ctq030-m3.pdf Description: VISHAY - VS-62CTQ030-M3 - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 60 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220AB, 3 Pin(s), 600 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Durchlassstoßstrom: 1.5kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 600mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+133.10 грн
10+128.67 грн
100+123.34 грн
500+110.41 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
VLIN3333-02GHE3-08 VLIN3333-02GHE3-08 VISHAY 3327294.pdf Description: VISHAY - VLIN3333-02GHE3-08 - ESD-Schutzbaustein, 57 V, SOD-323, 2 Pin(s), 33 V, 200 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 57V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 33V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+22.80 грн
59+15.26 грн
118+7.54 грн
500+5.93 грн
1000+3.12 грн
5000+2.89 грн
10000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
VLIN3333-02GHE3-08 VLIN3333-02GHE3-08 VISHAY 3327294.pdf Description: VISHAY - VLIN3333-02GHE3-08 - ESD-Schutzbaustein, 57 V, SOD-323, 2 Pin(s), 33 V, 200 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 57V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 33V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.93 грн
1000+3.12 грн
5000+2.89 грн
10000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MBB02070C4751FRP00 MBB02070C4751FRP00 VISHAY 3122648.pdf Description: VISHAY - MBB02070C4751FRP00 - METAL FILM RESISTOR, 4.75KOHM, 600mW, 1%
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial Leaded
Widerstandstechnologie: Metal Film
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 600mW
Widerstandstyp: General Purpose
Widerstand: 4.75kohm
usEccn: EAR99
Netzsteckertyp: 0
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 50ppm/C
Produktlänge: 6.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: MBB Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 300V
Produktdurchmesser: 2.5mm
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: -
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+10.20 грн
Мінімальне замовлення: 87
В кошику  од. на суму  грн.
VS-2EAH02HM3/H VS-2EAH02HM3/H VISHAY 4334696.pdf Description: VISHAY - VS-2EAH02HM3/H - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 10 ns, 54 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN3820A
Durchlassstoßstrom: 54A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 10ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: FRED Pt Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+47.47 грн
25+36.29 грн
100+19.52 грн
500+16.81 грн
1000+10.50 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
VS-2EAH02-M3/H VS-2EAH02-M3/H VISHAY 4334697.pdf Description: VISHAY - VS-2EAH02-M3/H - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 10 ns, 54 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN3820A
Durchlassstoßstrom: 54A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 10ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: FRED Pt Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+49.43 грн
24+37.09 грн
100+19.88 грн
500+17.14 грн
1000+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
ILQ1 ILQ1 VISHAY 2047194.pdf Description: VISHAY - ILQ1 - Optokoppler, Transistorausgang, 4 Kanäle, DIP, 16 Pin(s), 60 mA, 5.3 kV, 20 %
tariffCode: 85414900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
CTR, min.: 20%
Isolationsspannung: 5.3kV
euEccn: NLR
Durchlassstrom If, max.: 60mA
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+194.33 грн
10+130.44 грн
25+125.12 грн
50+110.41 грн
100+97.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW080547K0JNEAC CRCW080547K0JNEAC VISHAY 3937398.pdf Description: VISHAY - CRCW080547K0JNEAC - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 47 kohm, ± 5%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 47kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 5%
Temperaturkoeffizient: 200ppm/K
Produktlänge: 2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW_C e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 1.25mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 99430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
770+1.15 грн
1250+0.71 грн
1667+0.53 грн
2000+0.41 грн
2500+0.30 грн
5000+0.23 грн
Мінімальне замовлення: 770
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW0402220RFKED CRCW0402220RFKED VISHAY VISH-S-A0025774688-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - CRCW0402220RFKED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 220 ohm, ± 1%, 62.5 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 62.5mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 220ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.5mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+0.80 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
RCS0402220RFKED RCS0402220RFKED VISHAY 2848043.pdf Description: VISHAY - RCS0402220RFKED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 220 ohm, ± 1%, 200 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 200mW
Widerstandstyp: Hochleistung, überspannungsfest
Widerstand: 220ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: RCS e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.5mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
253+3.51 грн
472+1.88 грн
622+1.43 грн
Мінімальне замовлення: 253
В кошику  од. на суму  грн.
RCS0402220RFKED RCS0402220RFKED VISHAY 2848043.pdf Description: VISHAY - RCS0402220RFKED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 220 ohm, ± 1%, 200 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 200mW
Widerstandstyp: Hochleistung, überspannungsfest
Widerstand: 220ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: RCS e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.5mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+1.88 грн
622+1.43 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW0402510KFKED CRCW0402510KFKED VISHAY dcrcwe3.pdf Description: VISHAY - CRCW0402510KFKED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 510 kohm, ± 1%, 62.5 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 62.5mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 510kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.5mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 43540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.55 грн
690+1.29 грн
747+1.19 грн
2500+0.80 грн
5000+0.72 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
PR01000103301JR500. PR01000103301JR500. VISHAY Description: VISHAY - PR01000103301JR500. - METAL FILM RESISTOR, 3.3 KOHM, 1 W, 5%
tariffCode: 85331000
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial Leaded
Widerstandstechnologie: Metal Film
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 1W
Widerstandstyp: High Power
Widerstand: 3.3kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 250ppm/°C
Produktlänge: 8mm
euEccn: NLR
Produktpalette: PR01 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 350V
Produktdurchmesser: 2.5mm
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: -
directShipCharge: 25
на замовлення 3213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+24.93 грн
42+21.30 грн
60+14.82 грн
107+7.75 грн
250+5.75 грн
500+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
SI4103DY-T1-GE3 SI4103DY-T1-GE3 VISHAY si4103dy.pdf Description: VISHAY - SI4103DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 6700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 9044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.56 грн
500+24.22 грн
1000+20.31 грн
5000+16.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SISA35DN-T1-GE3 SISA35DN-T1-GE3 VISHAY sisa35dn.pdf Description: VISHAY - SISA35DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 0.015 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 9425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.30 грн
500+15.24 грн
1500+12.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
AC07000002209JAC00 AC07000002209JAC00 VISHAY ac_ac-at_ac-ni.pdf Description: VISHAY - AC07000002209JAC00 - Widerstand für Durchsteckmontage, 22 ohm, AC Series, 7 W, ± 5%, Axial bedrahtet, 12 V
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Drahtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 7W
Widerstandstyp: Hochleistung
Widerstand: 22ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 5%
Temperaturkoeffizient: -10ppm/K bis -80ppm/K
Produktlänge: 26mm
euEccn: NLR
Produktpalette: AC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 12V
Produktdurchmesser: 7.5mm
Betriebstemperatur, max.: 250°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+135.76 грн
13+72.76 грн
50+65.58 грн
100+54.22 грн
200+42.06 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
AC07000002209JAC00 AC07000002209JAC00 VISHAY ac_ac-at_ac-ni.pdf Description: VISHAY - AC07000002209JAC00 - Widerstand für Durchsteckmontage, 22 ohm, AC Series, 7 W, ± 5%, Axial bedrahtet, 12 V
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Drahtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 7W
Widerstandstyp: Hochleistung
Widerstand: 22ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 5%
Temperaturkoeffizient: -10ppm/K bis -80ppm/K
Produktlänge: 26mm
euEccn: NLR
Produktpalette: AC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 12V
Produktdurchmesser: 7.5mm
Betriebstemperatur, max.: 250°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+43.13 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MCT06030E7501BP100 MCT06030E7501BP100 VISHAY VISH-S-A0014726790-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - MCT06030E7501BP100 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 7.5 kohm, ± 0.1%, 100 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 100mW
Widerstandstyp: Schwefelbeständig
Widerstand: 7.5kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 0.1%
Temperaturkoeffizient: ± 15ppm/K
Produktlänge: 1.55mm
euEccn: NLR
Produktpalette: MCT Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.25 грн
250+30.49 грн
500+27.08 грн
1000+22.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW06037K50FKEAC CRCW06037K50FKEAC VISHAY VISH-S-A0003599164-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - CRCW06037K50FKEAC - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 7.5 kohm, ± 1%, 100 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 100mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 7.5kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 0
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW_C e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.8mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 83790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
658+1.35 грн
752+1.18 грн
1163+0.76 грн
1429+0.58 грн
2500+0.46 грн
5000+0.40 грн
Мінімальне замовлення: 658
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW06037K50FKEAC CRCW06037K50FKEAC VISHAY VISH-S-A0003599164-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - CRCW06037K50FKEAC - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 7.5 kohm, ± 1%, 100 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 100mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 7.5kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 0
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW_C e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.8mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 83790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
658+1.35 грн
752+1.18 грн
1163+0.76 грн
1429+0.58 грн
2500+0.46 грн
5000+0.40 грн
Мінімальне замовлення: 658
В кошику  од. на суму  грн.
TNPW06037K50BEEA TNPW06037K50BEEA VISHAY 3924229.pdf Description: VISHAY - TNPW06037K50BEEA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 7.5 kohm, ± 0.1%, 125 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Hohe Stabilität
Widerstand: 7.5kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 0.1%
Temperaturkoeffizient: 25ppm/K
Produktlänge: 1.55mm
euEccn: NLR
Produktpalette: TNPW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+19.08 грн
100+16.06 грн
500+12.16 грн
1000+9.97 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW06037K50FKTA CRCW06037K50FKTA VISHAY 3924201.pdf Description: VISHAY - CRCW06037K50FKTA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 7.5 kohm, ± 1%, 100 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: NO
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 100mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 7.5kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/C
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 19400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
179+4.97 грн
304+2.93 грн
500+2.57 грн
1000+2.06 грн
2500+1.83 грн
Мінімальне замовлення: 179
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF928DT-T1-GE3 SIZF928DT-T1-GE3 VISHAY sizf928dt.pdf Description: VISHAY - SIZF928DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 248 A, 248 A, 0.00053 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 248A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 248A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00053ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 74W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00053ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 74W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 11994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+75.42 грн
500+55.70 грн
1000+46.47 грн
5000+41.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF928DT-T1-GE3 SIZF928DT-T1-GE3 VISHAY sizf928dt.pdf Description: VISHAY - SIZF928DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 248 A, 248 A, 0.00053 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 248A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00053ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 74W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00053ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 74W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 11994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+141.98 грн
10+101.16 грн
100+75.42 грн
500+55.70 грн
1000+46.47 грн
5000+41.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2338DS-T1-GE3 SI2338DS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010613206-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2338DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.028 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 26229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+52.80 грн
50+39.31 грн
100+27.33 грн
500+19.45 грн
1500+16.12 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870ADP-T1-GE3 SIR870ADP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0024282187-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR870ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 6600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 36105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+212.96 грн
10+149.08 грн
100+109.14 грн
500+83.22 грн
1000+73.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826ADP-T1-GE3 SIR826ADP-T1-GE3 VISHAY sir826adp.pdf Description: VISHAY - SIR826ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 5500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+218.29 грн
10+162.39 грн
100+113.58 грн
500+87.34 грн
1000+79.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50034E_GE3 SQD50034E_GE3 VISHAY 2795472.pdf Description: VISHAY - SQD50034E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0039 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.96 грн
10+113.58 грн
100+80.39 грн
500+57.68 грн
1000+48.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ462ADP-T1-GE3 SIJ462ADP-T1-GE3 VISHAY sij462adp.pdf Description: VISHAY - SIJ462ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 39.3 A, 7200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+134.88 грн
10+103.82 грн
100+73.21 грн
500+54.05 грн
1000+46.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
P11H1F0GHFW10502KA P11H1F0GHFW10502KA VISHAY VISH-S-A0019155722-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - P11H1F0GHFW10502KA - Drehpotentiometer, Hohes Drehmoment, 5 kohm, 1 Umdrehung(en), Linear, 1 W, ± 10%, P11H Series
tariffCode: 85334090
Produkthöhe: 13.6mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: -
Anzahl der Umdrehungen: 1Umdrehung(en)
Widerstandstechnologie: Cermet
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Potentiometermontage: Panelmontage
Nennleistung: 1W
Einstellungsart: Drehschalter
isCanonical: Y
Bahnwiderstand: 5kohm
Widerstandsverlauf: Linear
usEccn: EAR99
Anzahl der Einbaustellen: 1
Wellendurchmesser: 6.35mm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 10%
Temperaturkoeffizient: ± 150ppm/°C
Produktlänge: 35.6mm
euEccn: NLR
Potentiometer: Modular
Länge der Welle: 9.65mm
Produktpalette: P11H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Potentiometeranschlüsse: Leiterplattenstift
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 12.8mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1864.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI3129DV-T1-GE3 SI3129DV-T1-GE3 VISHAY si3129dv.pdf Description: VISHAY - SI3129DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 5.4 A, 0.0689 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0689ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 5511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+68.59 грн
19+48.63 грн
100+33.19 грн
500+25.71 грн
1000+20.16 грн
5000+18.33 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ260DT-T1-GE3 SIZ260DT-T1-GE3 VISHAY siz260dt.pdf Description: VISHAY - SIZ260DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 24.7 A, 24.7 A, 0.0204 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 24.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0204ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0204ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 13613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+121.57 грн
50+73.30 грн
100+59.10 грн
500+46.14 грн
1500+37.04 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA86EP-T1_GE3 SQJA86EP-T1_GE3 VISHAY sqja86ep.pdf Description: VISHAY - SQJA86EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0155 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 11913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+100.27 грн
13+70.28 грн
100+54.75 грн
500+43.09 грн
1000+32.40 грн
5000+30.50 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826ADP-T1-GE3 SIR826ADP-T1-GE3 VISHAY sir826adp.pdf Description: VISHAY - SIR826ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 5500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+113.58 грн
500+87.34 грн
1000+79.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIJH800E-T1-GE3 SIJH800E-T1-GE3 VISHAY sijh800e.pdf Description: VISHAY - SIJH800E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 299 A, 0.00122 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 299A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00122ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+427.70 грн
10+310.57 грн
100+227.16 грн
500+179.63 грн
1000+158.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISS30DN-T1-GE3 SISS30DN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010924909-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SISS30DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 54.7 A, 8250 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8250µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 4493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+102.05 грн
13+70.54 грн
100+53.24 грн
500+36.83 грн
1000+30.96 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SISS30ADN-T1-GE3 SISS30ADN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0024456859-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SISS30ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 54.7 A, 8900 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8900µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 4295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+119.79 грн
12+75.07 грн
100+51.29 грн
500+41.94 грн
1000+35.82 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIS126DN-T1-GE3 SIS126DN-T1-GE3 VISHAY sis126dn.pdf Description: VISHAY - SIS126DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 45.1 A, 0.0085 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0085ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SISS32LDN-T1-GE3 SISS32LDN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0024456861-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SISS32LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 63 A, 7200 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 36429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.06 грн
500+38.73 грн
1000+32.55 грн
5000+27.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ478DP-T1-GE3 SIJ478DP-T1-GE3 VISHAY sij478dp.pdf Description: VISHAY - SIJ478DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 6400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 7366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+78.44 грн
500+59.57 грн
1000+51.72 грн
5000+44.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIJH800E-T1-GE3 SIJH800E-T1-GE3 VISHAY sijh800e.pdf Description: VISHAY - SIJH800E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 299 A, 0.00122 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 299A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 333W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00122ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00122ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+227.16 грн
500+179.63 грн
1000+158.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB80EP-T1_GE3 SQJB80EP-T1_GE3 VISHAY sqjb80ep.pdf Description: VISHAY - SQJB80EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 30 A, 30 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+123.34 грн
11+86.43 грн
100+67.79 грн
500+53.31 грн
1000+40.08 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ480E-T1_GE3 SQJQ480E-T1_GE3 VISHAY sqjq480e.pdf Description: VISHAY - SQJQ480E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 0.0024 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+312.35 грн
10+215.63 грн
100+157.95 грн
500+119.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQSA80ENW-T1_GE3 SQSA80ENW-T1_GE3 VISHAY sqsa80enw.pdf Description: VISHAY - SQSA80ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 18 A, 0.015 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 5617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.24 грн
500+42.85 грн
1500+34.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB80EP-T1_GE3 SQJB80EP-T1_GE3 VISHAY sqjb80ep.pdf Description: VISHAY - SQJB80EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 30 A, 30 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.79 грн
500+53.31 грн
1000+40.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQSA80ENW-T1_GE3 SQSA80ENW-T1_GE3 VISHAY sqsa80enw.pdf Description: VISHAY - SQSA80ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 18 A, 0.015 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 5617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+110.92 грн
50+73.56 грн
100+53.24 грн
500+42.85 грн
1500+34.68 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA86EP-T1_GE3 SQJA86EP-T1_GE3 VISHAY sqja86ep.pdf Description: VISHAY - SQJA86EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0155 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 11913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.75 грн
500+43.09 грн
1000+32.40 грн
5000+30.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ480E-T1_GE3 SQJQ480E-T1_GE3 VISHAY sqjq480e.pdf Description: VISHAY - SQJQ480E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 0.0024 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+157.95 грн
500+119.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIS128LDN-T1-GE3 SIS128LDN-T1-GE3 VISHAY sis128ldn.pdf Description: VISHAY - SIS128LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 33.7 A, 0.013 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 39W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.54 грн
500+35.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P08-28_GE3 SQD50P08-28_GE3 VISHAY sqd50p08.pdf Description: VISHAY - SQD50P08-28_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 48 A, 0.023 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 15528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+133.10 грн
500+95.58 грн
1000+76.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ478DP-T1-GE3 SIJ478DP-T1-GE3 VISHAY sij478dp.pdf Description: VISHAY - SIJ478DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 6400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 7366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+117.13 грн
10+96.72 грн
100+78.44 грн
500+59.57 грн
1000+51.72 грн
5000+44.72 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ184ER-T1_GE3 SQJQ184ER-T1_GE3 VISHAY sqjq184er.pdf Description: VISHAY - SQJQ184ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 430 A, 0.0012 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 430A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 600W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+184.57 грн
500+160.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ184ER-T1_GE3 SQJQ184ER-T1_GE3 VISHAY sqjq184er.pdf Description: VISHAY - SQJQ184ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 430 A, 0.0012 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 430A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+355.83 грн
10+254.67 грн
100+184.57 грн
500+160.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ186ER-T1_GE3 SQJQ186ER-T1_GE3 VISHAY sqjq186er.pdf Description: VISHAY - SQJQ186ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 329 A, 2300 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 329A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+138.43 грн
500+105.47 грн
1000+92.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ186ER-T1_GE3 SQJQ186ER-T1_GE3 VISHAY sqjq186er.pdf Description: VISHAY - SQJQ186ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 329 A, 2300 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 329A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+268.87 грн
10+196.99 грн
100+138.43 грн
500+105.47 грн
1000+92.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQS181ELNW-T1_GE3 SQS181ELNW-T1_GE3 VISHAY 3973110.pdf Description: VISHAY - SQS181ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0241 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0241ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+126.00 грн
11+81.99 грн
100+57.94 грн
500+42.85 грн
1000+35.60 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIJH5800E-T1-GE3 SIJH5800E-T1-GE3 VISHAY sijh5800e.pdf Description: VISHAY - SIJH5800E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 302 A, 1350 µohm, PowerPAK 8 x 8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 302A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+495.14 грн
10+396.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW0805169RFKEA. 2310790.pdf
CRCW0805169RFKEA.
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW0805169RFKEA. - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 169 ohm, ± 1%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 169ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: No
Nennspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 1.25mm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 20110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.13 грн
629+1.41 грн
747+1.19 грн
1000+0.90 грн
2500+0.81 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SIR638ADP-T1-UE3
SIR638ADP-T1-UE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR638ADP-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 730 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 730µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+146.41 грн
500+117.00 грн
1000+93.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR638ADP-T1-UE3
SIR638ADP-T1-UE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR638ADP-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 730 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 730µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+279.52 грн
10+203.20 грн
100+146.41 грн
500+117.00 грн
1000+93.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
VS-62CTQ030-M3 vs-62ctq030-m3.pdf
VS-62CTQ030-M3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VS-62CTQ030-M3 - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 60 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220AB, 3 Pin(s), 600 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Durchlassstoßstrom: 1.5kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 600mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+133.10 грн
10+128.67 грн
100+123.34 грн
500+110.41 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
VLIN3333-02GHE3-08 3327294.pdf
VLIN3333-02GHE3-08
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VLIN3333-02GHE3-08 - ESD-Schutzbaustein, 57 V, SOD-323, 2 Pin(s), 33 V, 200 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 57V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 33V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
39+22.80 грн
59+15.26 грн
118+7.54 грн
500+5.93 грн
1000+3.12 грн
5000+2.89 грн
10000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
VLIN3333-02GHE3-08 3327294.pdf
VLIN3333-02GHE3-08
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VLIN3333-02GHE3-08 - ESD-Schutzbaustein, 57 V, SOD-323, 2 Pin(s), 33 V, 200 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 57V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 33V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.93 грн
1000+3.12 грн
5000+2.89 грн
10000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MBB02070C4751FRP00 3122648.pdf
MBB02070C4751FRP00
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - MBB02070C4751FRP00 - METAL FILM RESISTOR, 4.75KOHM, 600mW, 1%
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial Leaded
Widerstandstechnologie: Metal Film
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 600mW
Widerstandstyp: General Purpose
Widerstand: 4.75kohm
usEccn: EAR99
Netzsteckertyp: 0
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 50ppm/C
Produktlänge: 6.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: MBB Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 300V
Produktdurchmesser: 2.5mm
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: -
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
87+10.20 грн
Мінімальне замовлення: 87
В кошику  од. на суму  грн.
VS-2EAH02HM3/H 4334696.pdf
VS-2EAH02HM3/H
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VS-2EAH02HM3/H - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 10 ns, 54 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN3820A
Durchlassstoßstrom: 54A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 10ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: FRED Pt Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+47.47 грн
25+36.29 грн
100+19.52 грн
500+16.81 грн
1000+10.50 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
VS-2EAH02-M3/H 4334697.pdf
VS-2EAH02-M3/H
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VS-2EAH02-M3/H - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 10 ns, 54 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN3820A
Durchlassstoßstrom: 54A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 10ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: FRED Pt Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+49.43 грн
24+37.09 грн
100+19.88 грн
500+17.14 грн
1000+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
ILQ1 2047194.pdf
ILQ1
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - ILQ1 - Optokoppler, Transistorausgang, 4 Kanäle, DIP, 16 Pin(s), 60 mA, 5.3 kV, 20 %
tariffCode: 85414900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
CTR, min.: 20%
Isolationsspannung: 5.3kV
euEccn: NLR
Durchlassstrom If, max.: 60mA
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+194.33 грн
10+130.44 грн
25+125.12 грн
50+110.41 грн
100+97.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW080547K0JNEAC 3937398.pdf
CRCW080547K0JNEAC
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW080547K0JNEAC - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 47 kohm, ± 5%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 47kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 5%
Temperaturkoeffizient: 200ppm/K
Produktlänge: 2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW_C e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 1.25mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 99430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
770+1.15 грн
1250+0.71 грн
1667+0.53 грн
2000+0.41 грн
2500+0.30 грн
5000+0.23 грн
Мінімальне замовлення: 770
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW0402220RFKED VISH-S-A0025774688-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CRCW0402220RFKED
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW0402220RFKED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 220 ohm, ± 1%, 62.5 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 62.5mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 220ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.5mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+0.80 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
RCS0402220RFKED 2848043.pdf
RCS0402220RFKED
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - RCS0402220RFKED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 220 ohm, ± 1%, 200 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 200mW
Widerstandstyp: Hochleistung, überspannungsfest
Widerstand: 220ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: RCS e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.5mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
253+3.51 грн
472+1.88 грн
622+1.43 грн
Мінімальне замовлення: 253
В кошику  од. на суму  грн.
RCS0402220RFKED 2848043.pdf
RCS0402220RFKED
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - RCS0402220RFKED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 220 ohm, ± 1%, 200 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 200mW
Widerstandstyp: Hochleistung, überspannungsfest
Widerstand: 220ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: RCS e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.5mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+1.88 грн
622+1.43 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW0402510KFKED dcrcwe3.pdf
CRCW0402510KFKED
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW0402510KFKED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 510 kohm, ± 1%, 62.5 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 62.5mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 510kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.5mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 43540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.55 грн
690+1.29 грн
747+1.19 грн
2500+0.80 грн
5000+0.72 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
PR01000103301JR500.
PR01000103301JR500.
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - PR01000103301JR500. - METAL FILM RESISTOR, 3.3 KOHM, 1 W, 5%
tariffCode: 85331000
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial Leaded
Widerstandstechnologie: Metal Film
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 1W
Widerstandstyp: High Power
Widerstand: 3.3kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 250ppm/°C
Produktlänge: 8mm
euEccn: NLR
Produktpalette: PR01 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 350V
Produktdurchmesser: 2.5mm
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: -
directShipCharge: 25
на замовлення 3213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
36+24.93 грн
42+21.30 грн
60+14.82 грн
107+7.75 грн
250+5.75 грн
500+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
SI4103DY-T1-GE3 si4103dy.pdf
SI4103DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4103DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 6700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 9044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+36.56 грн
500+24.22 грн
1000+20.31 грн
5000+16.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SISA35DN-T1-GE3 sisa35dn.pdf
SISA35DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISA35DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 0.015 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 9425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+17.30 грн
500+15.24 грн
1500+12.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
AC07000002209JAC00 ac_ac-at_ac-ni.pdf
AC07000002209JAC00
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - AC07000002209JAC00 - Widerstand für Durchsteckmontage, 22 ohm, AC Series, 7 W, ± 5%, Axial bedrahtet, 12 V
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Drahtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 7W
Widerstandstyp: Hochleistung
Widerstand: 22ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 5%
Temperaturkoeffizient: -10ppm/K bis -80ppm/K
Produktlänge: 26mm
euEccn: NLR
Produktpalette: AC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 12V
Produktdurchmesser: 7.5mm
Betriebstemperatur, max.: 250°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+135.76 грн
13+72.76 грн
50+65.58 грн
100+54.22 грн
200+42.06 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
AC07000002209JAC00 ac_ac-at_ac-ni.pdf
AC07000002209JAC00
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - AC07000002209JAC00 - Widerstand für Durchsteckmontage, 22 ohm, AC Series, 7 W, ± 5%, Axial bedrahtet, 12 V
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Drahtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 7W
Widerstandstyp: Hochleistung
Widerstand: 22ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 5%
Temperaturkoeffizient: -10ppm/K bis -80ppm/K
Produktlänge: 26mm
euEccn: NLR
Produktpalette: AC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 12V
Produktdurchmesser: 7.5mm
Betriebstemperatur, max.: 250°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+43.13 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MCT06030E7501BP100 VISH-S-A0014726790-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MCT06030E7501BP100
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - MCT06030E7501BP100 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 7.5 kohm, ± 0.1%, 100 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 100mW
Widerstandstyp: Schwefelbeständig
Widerstand: 7.5kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 0.1%
Temperaturkoeffizient: ± 15ppm/K
Produktlänge: 1.55mm
euEccn: NLR
Produktpalette: MCT Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+34.25 грн
250+30.49 грн
500+27.08 грн
1000+22.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW06037K50FKEAC VISH-S-A0003599164-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CRCW06037K50FKEAC
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW06037K50FKEAC - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 7.5 kohm, ± 1%, 100 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 100mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 7.5kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 0
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW_C e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.8mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 83790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
658+1.35 грн
752+1.18 грн
1163+0.76 грн
1429+0.58 грн
2500+0.46 грн
5000+0.40 грн
Мінімальне замовлення: 658
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW06037K50FKEAC VISH-S-A0003599164-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CRCW06037K50FKEAC
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW06037K50FKEAC - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 7.5 kohm, ± 1%, 100 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 100mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 7.5kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 0
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW_C e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.8mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 83790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
658+1.35 грн
752+1.18 грн
1163+0.76 грн
1429+0.58 грн
2500+0.46 грн
5000+0.40 грн
Мінімальне замовлення: 658
В кошику  од. на суму  грн.
TNPW06037K50BEEA 3924229.pdf
TNPW06037K50BEEA
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - TNPW06037K50BEEA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 7.5 kohm, ± 0.1%, 125 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Hohe Stabilität
Widerstand: 7.5kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 0.1%
Temperaturkoeffizient: 25ppm/K
Produktlänge: 1.55mm
euEccn: NLR
Produktpalette: TNPW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
47+19.08 грн
100+16.06 грн
500+12.16 грн
1000+9.97 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW06037K50FKTA 3924201.pdf
CRCW06037K50FKTA
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW06037K50FKTA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 7.5 kohm, ± 1%, 100 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: NO
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 100mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 7.5kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/C
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 19400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
179+4.97 грн
304+2.93 грн
500+2.57 грн
1000+2.06 грн
2500+1.83 грн
Мінімальне замовлення: 179
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF928DT-T1-GE3 sizf928dt.pdf
SIZF928DT-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIZF928DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 248 A, 248 A, 0.00053 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 248A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 248A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00053ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 74W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00053ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 74W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 11994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+75.42 грн
500+55.70 грн
1000+46.47 грн
5000+41.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF928DT-T1-GE3 sizf928dt.pdf
SIZF928DT-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIZF928DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 248 A, 248 A, 0.00053 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 248A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00053ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 74W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00053ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 74W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 11994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+141.98 грн
10+101.16 грн
100+75.42 грн
500+55.70 грн
1000+46.47 грн
5000+41.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2338DS-T1-GE3 VISH-S-A0010613206-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2338DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2338DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.028 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 26229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+52.80 грн
50+39.31 грн
100+27.33 грн
500+19.45 грн
1500+16.12 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870ADP-T1-GE3 VISH-S-A0024282187-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR870ADP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR870ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 6600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 36105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+212.96 грн
10+149.08 грн
100+109.14 грн
500+83.22 грн
1000+73.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826ADP-T1-GE3 sir826adp.pdf
SIR826ADP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR826ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 5500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+218.29 грн
10+162.39 грн
100+113.58 грн
500+87.34 грн
1000+79.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50034E_GE3 2795472.pdf
SQD50034E_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQD50034E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0039 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+149.96 грн
10+113.58 грн
100+80.39 грн
500+57.68 грн
1000+48.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ462ADP-T1-GE3 sij462adp.pdf
SIJ462ADP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIJ462ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 39.3 A, 7200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+134.88 грн
10+103.82 грн
100+73.21 грн
500+54.05 грн
1000+46.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
P11H1F0GHFW10502KA VISH-S-A0019155722-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
P11H1F0GHFW10502KA
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - P11H1F0GHFW10502KA - Drehpotentiometer, Hohes Drehmoment, 5 kohm, 1 Umdrehung(en), Linear, 1 W, ± 10%, P11H Series
tariffCode: 85334090
Produkthöhe: 13.6mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: -
Anzahl der Umdrehungen: 1Umdrehung(en)
Widerstandstechnologie: Cermet
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Potentiometermontage: Panelmontage
Nennleistung: 1W
Einstellungsart: Drehschalter
isCanonical: Y
Bahnwiderstand: 5kohm
Widerstandsverlauf: Linear
usEccn: EAR99
Anzahl der Einbaustellen: 1
Wellendurchmesser: 6.35mm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 10%
Temperaturkoeffizient: ± 150ppm/°C
Produktlänge: 35.6mm
euEccn: NLR
Potentiometer: Modular
Länge der Welle: 9.65mm
Produktpalette: P11H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Potentiometeranschlüsse: Leiterplattenstift
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 12.8mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1864.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI3129DV-T1-GE3 si3129dv.pdf
SI3129DV-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI3129DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 5.4 A, 0.0689 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0689ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 5511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+68.59 грн
19+48.63 грн
100+33.19 грн
500+25.71 грн
1000+20.16 грн
5000+18.33 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ260DT-T1-GE3 siz260dt.pdf
SIZ260DT-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIZ260DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 24.7 A, 24.7 A, 0.0204 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 24.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0204ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0204ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 13613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+121.57 грн
50+73.30 грн
100+59.10 грн
500+46.14 грн
1500+37.04 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA86EP-T1_GE3 sqja86ep.pdf
SQJA86EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJA86EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0155 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 11913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+100.27 грн
13+70.28 грн
100+54.75 грн
500+43.09 грн
1000+32.40 грн
5000+30.50 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826ADP-T1-GE3 sir826adp.pdf
SIR826ADP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR826ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 5500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+113.58 грн
500+87.34 грн
1000+79.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIJH800E-T1-GE3 sijh800e.pdf
SIJH800E-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIJH800E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 299 A, 0.00122 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 299A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00122ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+427.70 грн
10+310.57 грн
100+227.16 грн
500+179.63 грн
1000+158.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISS30DN-T1-GE3 VISH-S-A0010924909-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SISS30DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISS30DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 54.7 A, 8250 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8250µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 4493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+102.05 грн
13+70.54 грн
100+53.24 грн
500+36.83 грн
1000+30.96 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SISS30ADN-T1-GE3 VISH-S-A0024456859-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SISS30ADN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISS30ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 54.7 A, 8900 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8900µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 4295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+119.79 грн
12+75.07 грн
100+51.29 грн
500+41.94 грн
1000+35.82 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIS126DN-T1-GE3 sis126dn.pdf
SIS126DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIS126DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 45.1 A, 0.0085 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0085ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+49.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SISS32LDN-T1-GE3 VISH-S-A0024456861-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SISS32LDN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISS32LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 63 A, 7200 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 36429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+57.06 грн
500+38.73 грн
1000+32.55 грн
5000+27.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ478DP-T1-GE3 sij478dp.pdf
SIJ478DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIJ478DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 6400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 7366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+78.44 грн
500+59.57 грн
1000+51.72 грн
5000+44.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIJH800E-T1-GE3 sijh800e.pdf
SIJH800E-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIJH800E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 299 A, 0.00122 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 299A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 333W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00122ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00122ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+227.16 грн
500+179.63 грн
1000+158.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB80EP-T1_GE3 sqjb80ep.pdf
SQJB80EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJB80EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 30 A, 30 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+123.34 грн
11+86.43 грн
100+67.79 грн
500+53.31 грн
1000+40.08 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ480E-T1_GE3 sqjq480e.pdf
SQJQ480E-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ480E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 0.0024 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+312.35 грн
10+215.63 грн
100+157.95 грн
500+119.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQSA80ENW-T1_GE3 sqsa80enw.pdf
SQSA80ENW-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQSA80ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 18 A, 0.015 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 5617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+53.24 грн
500+42.85 грн
1500+34.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB80EP-T1_GE3 sqjb80ep.pdf
SQJB80EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJB80EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 30 A, 30 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+67.79 грн
500+53.31 грн
1000+40.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQSA80ENW-T1_GE3 sqsa80enw.pdf
SQSA80ENW-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQSA80ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 18 A, 0.015 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 5617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+110.92 грн
50+73.56 грн
100+53.24 грн
500+42.85 грн
1500+34.68 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA86EP-T1_GE3 sqja86ep.pdf
SQJA86EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJA86EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0155 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 11913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+54.75 грн
500+43.09 грн
1000+32.40 грн
5000+30.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ480E-T1_GE3 sqjq480e.pdf
SQJQ480E-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ480E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 0.0024 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+157.95 грн
500+119.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIS128LDN-T1-GE3 sis128ldn.pdf
SIS128LDN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIS128LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 33.7 A, 0.013 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 39W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+48.54 грн
500+35.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P08-28_GE3 sqd50p08.pdf
SQD50P08-28_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQD50P08-28_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 48 A, 0.023 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 15528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+133.10 грн
500+95.58 грн
1000+76.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ478DP-T1-GE3 sij478dp.pdf
SIJ478DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIJ478DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 6400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 7366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+117.13 грн
10+96.72 грн
100+78.44 грн
500+59.57 грн
1000+51.72 грн
5000+44.72 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ184ER-T1_GE3 sqjq184er.pdf
SQJQ184ER-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ184ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 430 A, 0.0012 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 430A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 600W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+184.57 грн
500+160.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ184ER-T1_GE3 sqjq184er.pdf
SQJQ184ER-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ184ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 430 A, 0.0012 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 430A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+355.83 грн
10+254.67 грн
100+184.57 грн
500+160.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ186ER-T1_GE3 sqjq186er.pdf
SQJQ186ER-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ186ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 329 A, 2300 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 329A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+138.43 грн
500+105.47 грн
1000+92.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ186ER-T1_GE3 sqjq186er.pdf
SQJQ186ER-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ186ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 329 A, 2300 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 329A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+268.87 грн
10+196.99 грн
100+138.43 грн
500+105.47 грн
1000+92.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQS181ELNW-T1_GE3 3973110.pdf
SQS181ELNW-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQS181ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0241 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0241ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+126.00 грн
11+81.99 грн
100+57.94 грн
500+42.85 грн
1000+35.60 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIJH5800E-T1-GE3 sijh5800e.pdf
SIJH5800E-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIJH5800E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 302 A, 1350 µohm, PowerPAK 8 x 8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 302A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+495.14 грн
10+396.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 597 1194 1791 2388 2985 3582 3715 3716 3717 3718 3719 3720 3721 3722 3723 3724 3725 4179 4776 5373 5970 5971  [ Наступна Сторінка >> ]