Продукція > ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR INC. > Всі товари виробника ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR INC. (3903) > Сторінка 14 з 66

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
AOB66518L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOB66518L.pdf Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66613L AOB66613L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOB66613L.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 44.5A/120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44.5A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 30 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+93.10 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66613L AOB66613L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOB66613L.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 44.5A/120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44.5A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 30 V
на замовлення 4894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+272.28 грн
10+172.62 грн
100+121.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66616L AOB66616L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOB66616L.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 38.5A/140A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.5A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 30 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+85.36 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66616L AOB66616L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOB66616L.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 38.5A/140A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.5A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 30 V
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+243.74 грн
10+153.16 грн
50+117.92 грн
100+100.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66620L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOB66620L.pdf Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66811L AOB66811L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOB66811L.pdf Description: FET N CHANNEL 80V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5750 pF @ 40 V
на замовлення 6706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+281.53 грн
10+178.11 грн
100+125.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66811L AOB66811L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOB66811L.pdf Description: FET N CHANNEL 80V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5750 pF @ 40 V
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+101.36 грн
1600+91.16 грн
2400+87.88 грн
4000+80.64 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66914L AOB66914L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOB66914L.pdf Description: N
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 6V
Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12500 pF @ 50 V
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+620.91 грн
10+407.92 грн
100+300.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66914L AOB66914L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOB66914L.pdf Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 6V
Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66916L AOB66916L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOB66916L.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 35.5/120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.5A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6180 pF @ 50 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+138.36 грн
1600+124.99 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66916L AOB66916L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOB66916L.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 35.5/120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.5A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6180 pF @ 50 V
на замовлення 2352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+369.46 грн
10+236.27 грн
100+168.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66918L AOB66918L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOB66918L.pdf Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66919L AOB66919L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOB66919L.pdf Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66920L AOB66920L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT66920L.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 22.5A/80A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66920L AOB66920L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT66920L.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 22.5A/80A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOB780A70L AOB780A70L Alpha & Omega Semiconductor Inc. Description: LINEAR IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOB7S60L AOB7S60L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOB7S60.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOB7S60L AOB7S60L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOB7S60.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB7S65L AOB7S65L Alpha & Omega Semiconductor Inc. TO263.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOB7S65L AOB7S65L Alpha & Omega Semiconductor Inc. TO263.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB9N70L AOB9N70L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOB9N70L.pdf Description: MOSFET N-CH 700V 9A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 236W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB9N70L AOB9N70L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOB9N70L.pdf Description: MOSFET N-CH 700V 9A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 236W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOBB150V120X2Q Alpha & Omega Semiconductor Inc. Description: WBG TO263_7L
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOC2401 AOC2401 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOC2401.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 3A 4ALPHADFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 550mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-AlphaDFN (1.57x1.57)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1327 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOC2403 AOC2403 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOC2403.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.8A 4ALPHADFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 450mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-AlphaDFN (0.97x0.97)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOC2403 AOC2403 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOC2403.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.8A 4ALPHADFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 450mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-AlphaDFN (0.97x0.97)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOC2411 AOC2411 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOC2411.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 3.4A 4WLCSP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOC2411 AOC2411 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOC2411.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 3.4A 4WLCSP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOC2411 AOC2411 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOC2411.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 3.4A 4WLCSP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOC2412 AOC2412 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOC2412.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A 4WLCSP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOC2413 AOC2413 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOC2413.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 3.5A 4ALPHADFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOC2414 AOC2414 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOC2414.pdf Description: MOSFET N-CH 8V 4.5A MCSP1.57
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOC2415 AOC2415 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOC2415.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A 4WLCSP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOC2417 AOC2417 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOC2417.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A 4WLCSP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOC2421 AOC2421 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOC2421.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 2.5A 4ALPHADFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 1.5A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-AlphaDFN (0.97x0.97)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 752 pF @ 4 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOC2422 AOC2422 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOC2422.pdf Description: MOSFET N-CH 8V 3.5A 4WLCSP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOC2423 AOC2423 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOC2423.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2A 4WLCSP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOC2800 AOC2800 Alpha & Omega Semiconductor Inc. Description: MOSFET 2N-CH 4WLCSP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOC2802 AOC2802 Alpha & Omega Semiconductor Inc. Description: MOSFET 2N-CH 4WLCSP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOC2802_001 Alpha & Omega Semiconductor Inc. Description: MOSFET 2N-CH 4WLCSP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOC2804 AOC2804 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOC2804.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V
на замовлення 3158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOC2804 AOC2804 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOC2804.pdf Description: MOSFET 2N-CH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOC2804B AOC2804B Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOC2804B.pdf Description: MOSFET 2 N-CHANNEL 4DFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOC2806 AOC2806 Alpha & Omega Semiconductor Inc. Description: MOSFET 2N-CH 20V 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5nC @ 4.5V
Supplier Device Package: 4-DFN (1.7x1.7)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOC2806 AOC2806 Alpha & Omega Semiconductor Inc. Description: MOSFET 2N-CH 20V 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5nC @ 4.5V
Supplier Device Package: 4-DFN (1.7x1.7)
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.85 грн
10+37.06 грн
100+25.40 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOC2870 AOC2870 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOC2870.pdf Description: MOSFET 2N-CH 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DFN (1.7x1.7)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOC2870 AOC2870 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOC2870.pdf Description: MOSFET 2N-CH 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DFN (1.7x1.7)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.56 грн
10+54.82 грн
100+37.98 грн
500+29.78 грн
1000+25.35 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOC3860A Alpha & Omega Semiconductor Inc. combine-support-documents?resources=1604 Description: MOSFET 2N-CH 12V 25A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-AlphaDFN (3.05x1.77)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOC3860C AOC3860C Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOC3860C.pdf Description: MOSFET 2N-CH 12V 25A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-AlphaDFN (3.05x1.77)
на замовлення 7893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.41 грн
10+75.32 грн
50+56.51 грн
100+47.34 грн
500+37.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOC3860C AOC3860C Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOC3860C.pdf Description: MOSFET 2N-CH 12V 25A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-AlphaDFN (3.05x1.77)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOC3862 Alpha & Omega Semiconductor Inc. Description: MOSFET 2N-CH 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (3.55x1.77)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOC3864 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOC3864.pdf Description: MOSFET 2 N-CHANNEL 6DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOC3870C Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOC3870C.pdf Description: MOSFET 2N-CH 12V 25A 10DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 10-AlphaDFN (3.01x1.52)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+23.93 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOC3870C Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOC3870C.pdf Description: MOSFET 2N-CH 12V 25A 10DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 10-AlphaDFN (3.01x1.52)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.39 грн
10+51.10 грн
25+48.52 грн
100+37.40 грн
250+34.95 грн
500+30.89 грн
1000+23.99 грн
2500+22.39 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOC3878 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOC3878.pdf Description: MOSFET 2N-CH 12V 35A 10DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 10-AlphaDFN (3.55x1.77)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOC4810 AOC4810 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOSGreenPolicy.pdf Description: MOSFET 2N-CH 8ALPHADFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-XFLGA Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: 8-AlphaDFN (3.2x2)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOC4810 AOC4810 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOSGreenPolicy.pdf Description: MOSFET 2N-CH 8ALPHADFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-XFLGA Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: 8-AlphaDFN (3.2x2)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOCA24106C Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOCA24106C.pdf Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A 6ALPHADFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.7W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-AlphaDFN (1.9x1.6)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+27.45 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOCA24106C Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOCA24106C.pdf Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A 6ALPHADFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.7W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-AlphaDFN (1.9x1.6)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.88 грн
10+58.60 грн
25+55.68 грн
100+42.90 грн
250+40.11 грн
500+35.44 грн
1000+27.52 грн
2500+25.69 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66518L AOB66518L.pdf
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 75 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66613L AOB66613L.pdf
AOB66613L
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 44.5A/120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44.5A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 30 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+93.10 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66613L AOB66613L.pdf
AOB66613L
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 44.5A/120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44.5A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 30 V
на замовлення 4894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+272.28 грн
10+172.62 грн
100+121.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66616L AOB66616L.pdf
AOB66616L
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 38.5A/140A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.5A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 30 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+85.36 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66616L AOB66616L.pdf
AOB66616L
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 38.5A/140A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.5A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 30 V
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+243.74 грн
10+153.16 грн
50+117.92 грн
100+100.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66620L AOB66620L.pdf
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66811L AOB66811L.pdf
AOB66811L
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: FET N CHANNEL 80V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5750 pF @ 40 V
на замовлення 6706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+281.53 грн
10+178.11 грн
100+125.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66811L AOB66811L.pdf
AOB66811L
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: FET N CHANNEL 80V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5750 pF @ 40 V
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+101.36 грн
1600+91.16 грн
2400+87.88 грн
4000+80.64 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66914L AOB66914L.pdf
AOB66914L
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: N
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 6V
Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12500 pF @ 50 V
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+620.91 грн
10+407.92 грн
100+300.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66914L AOB66914L.pdf
AOB66914L
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 6V
Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66916L AOB66916L.pdf
AOB66916L
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 35.5/120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.5A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6180 pF @ 50 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+138.36 грн
1600+124.99 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66916L AOB66916L.pdf
AOB66916L
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 35.5/120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.5A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6180 pF @ 50 V
на замовлення 2352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+369.46 грн
10+236.27 грн
100+168.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66918L AOB66918L.pdf
AOB66918L
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66919L AOB66919L.pdf
AOB66919L
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66920L AOT66920L.pdf
AOB66920L
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 22.5A/80A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66920L AOT66920L.pdf
AOB66920L
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 22.5A/80A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOB780A70L
AOB780A70L
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: LINEAR IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOB7S60L AOB7S60.pdf
AOB7S60L
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO263
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOB7S60L AOB7S60.pdf
AOB7S60L
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB7S65L TO263.pdf
AOB7S65L
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOB7S65L TO263.pdf
AOB7S65L
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB9N70L AOB9N70L.pdf
AOB9N70L
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 700V 9A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 236W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB9N70L AOB9N70L.pdf
AOB9N70L
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 700V 9A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 236W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOBB150V120X2Q
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: WBG TO263_7L
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOC2401 AOC2401.pdf
AOC2401
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET P-CH 30V 3A 4ALPHADFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 550mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-AlphaDFN (1.57x1.57)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1327 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOC2403 AOC2403.pdf
AOC2403
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 1.8A 4ALPHADFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 450mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-AlphaDFN (0.97x0.97)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOC2403 AOC2403.pdf
AOC2403
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 1.8A 4ALPHADFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 450mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-AlphaDFN (0.97x0.97)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOC2411 AOC2411.pdf
AOC2411
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET P-CH 30V 3.4A 4WLCSP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOC2411 AOC2411.pdf
AOC2411
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET P-CH 30V 3.4A 4WLCSP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOC2411 AOC2411.pdf
AOC2411
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET P-CH 30V 3.4A 4WLCSP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOC2412 AOC2412.pdf
AOC2412
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A 4WLCSP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOC2413 AOC2413.pdf
AOC2413
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET P-CH 8V 3.5A 4ALPHADFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOC2414 AOC2414.pdf
AOC2414
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 8V 4.5A MCSP1.57
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOC2415 AOC2415.pdf
AOC2415
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A 4WLCSP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOC2417 AOC2417.pdf
AOC2417
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A 4WLCSP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOC2421 AOC2421.pdf
AOC2421
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET P-CH 8V 2.5A 4ALPHADFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 1.5A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-AlphaDFN (0.97x0.97)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 752 pF @ 4 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOC2422 AOC2422.pdf
AOC2422
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 8V 3.5A 4WLCSP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOC2423 AOC2423.pdf
AOC2423
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 2A 4WLCSP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOC2800
AOC2800
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 4WLCSP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOC2802
AOC2802
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 4WLCSP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOC2802_001
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 4WLCSP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOC2804 AOC2804.pdf
AOC2804
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 20V
на замовлення 3158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOC2804 AOC2804.pdf
AOC2804
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET 2N-CH
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOC2804B AOC2804B.pdf
AOC2804B
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET 2 N-CHANNEL 4DFN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOC2806
AOC2806
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5nC @ 4.5V
Supplier Device Package: 4-DFN (1.7x1.7)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOC2806
AOC2806
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5nC @ 4.5V
Supplier Device Package: 4-DFN (1.7x1.7)
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+57.85 грн
10+37.06 грн
100+25.40 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOC2870 AOC2870.pdf
AOC2870
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DFN (1.7x1.7)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+24.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOC2870 AOC2870.pdf
AOC2870
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DFN (1.7x1.7)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+65.56 грн
10+54.82 грн
100+37.98 грн
500+29.78 грн
1000+25.35 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOC3860A combine-support-documents?resources=1604
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 12V 25A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-AlphaDFN (3.05x1.77)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOC3860C AOC3860C.pdf
AOC3860C
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 12V 25A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-AlphaDFN (3.05x1.77)
на замовлення 7893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+123.41 грн
10+75.32 грн
50+56.51 грн
100+47.34 грн
500+37.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOC3860C AOC3860C.pdf
AOC3860C
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 12V 25A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-AlphaDFN (3.05x1.77)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOC3862
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (3.55x1.77)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOC3864 AOC3864.pdf
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET 2 N-CHANNEL 6DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOC3870C AOC3870C.pdf
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 12V 25A 10DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 10-AlphaDFN (3.01x1.52)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+23.93 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOC3870C AOC3870C.pdf
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 12V 25A 10DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 10-AlphaDFN (3.01x1.52)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+59.39 грн
10+51.10 грн
25+48.52 грн
100+37.40 грн
250+34.95 грн
500+30.89 грн
1000+23.99 грн
2500+22.39 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOC3878 AOC3878.pdf
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 12V 35A 10DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 10-AlphaDFN (3.55x1.77)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOC4810 AOSGreenPolicy.pdf
AOC4810
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 8ALPHADFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-XFLGA Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: 8-AlphaDFN (3.2x2)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOC4810 AOSGreenPolicy.pdf
AOC4810
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 8ALPHADFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-XFLGA Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: 8-AlphaDFN (3.2x2)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOCA24106C AOCA24106C.pdf
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A 6ALPHADFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.7W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-AlphaDFN (1.9x1.6)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+27.45 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOCA24106C AOCA24106C.pdf
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A 6ALPHADFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.7W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-AlphaDFN (1.9x1.6)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+67.88 грн
10+58.60 грн
25+55.68 грн
100+42.90 грн
250+40.11 грн
500+35.44 грн
1000+27.52 грн
2500+25.69 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.