Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BXT1080P06B | BRIDGELUX |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -60V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
BXT1080P06B | BRIDGELUX |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -60V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
BXT1100P02M | BRIDGELUX |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; Idm: -10A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -3A Case: SOT23 Gate-source voltage: ±10V Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: -10A On-state resistance: 0.11Ω Power dissipation: 1.25W Kind of package: reel |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
BXT1100P02M | BRIDGELUX |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; Idm: -10A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -3A Case: SOT23 Gate-source voltage: ±10V Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: -10A On-state resistance: 0.11Ω Power dissipation: 1.25W Kind of package: reel кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
BXT110P03E | BRIDGELUX |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -35A; PDFN33 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -35A Case: PDFN33 Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
BXT110P03E | BRIDGELUX |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -35A; PDFN33 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -35A Case: PDFN33 Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
![]() |
BXT1150N10D | BRIDGELUX |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12.8A; Idm: 64A; 78W; TO252 Case: TO252 Drain-source voltage: 100V Drain current: 12.8A On-state resistance: 135mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 78W Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 21nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 64A |
на замовлення 4505 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BXT1150N10D | BRIDGELUX |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12.8A; Idm: 64A; 78W; TO252 Case: TO252 Drain-source voltage: 100V Drain current: 12.8A On-state resistance: 135mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 78W Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 21nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 64A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4505 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BXT1150N10J | BRIDGELUX |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 32A; 2W; SOT89-3 Case: SOT89-3 Drain-source voltage: 100V Drain current: 5.6A On-state resistance: 135mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2W Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 21nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 32A |
на замовлення 3964 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BXT1150N10J | BRIDGELUX |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 32A; 2W; SOT89-3 Case: SOT89-3 Drain-source voltage: 100V Drain current: 5.6A On-state resistance: 135mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2W Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 21nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 32A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3964 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BXT1700P06M | BRIDGELUX |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.8A; Idm: -16A; 1.5W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -2.8A Pulsed drain current: -16A Power dissipation: 1.5W Case: SOT23-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.17Ω Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BXT1700P06M | BRIDGELUX |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.8A; Idm: -16A; 1.5W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -2.8A Pulsed drain current: -16A Power dissipation: 1.5W Case: SOT23-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.17Ω Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
BXT170N06D | BRIDGELUX |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 33A; Idm: 200A; 94W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 33A Power dissipation: 94W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25mΩ Mounting: SMD Gate charge: 49nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 200A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
BXT170N06D | BRIDGELUX |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 33A; Idm: 200A; 94W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 33A Power dissipation: 94W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25mΩ Mounting: SMD Gate charge: 49nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 200A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
![]() |
BXT210N02M | BRIDGELUX |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.8A; Idm: 27.2A; 1.6W; SOT23 Drain-source voltage: 20V Drain current: 6.8A On-state resistance: 21mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Gate charge: 12.1nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 27.2A Mounting: SMD Case: SOT23 |
на замовлення 11975 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BXT210N02M | BRIDGELUX |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.8A; Idm: 27.2A; 1.6W; SOT23 Drain-source voltage: 20V Drain current: 6.8A On-state resistance: 21mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Gate charge: 12.1nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 27.2A Mounting: SMD Case: SOT23 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 11975 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BXT230P03B | BRIDGELUX |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -40A; 3.9W; SOP8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -7A On-state resistance: 34mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 3.9W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 28nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -40A Mounting: SMD Case: SOP8 |
на замовлення 3106 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BXT230P03B | BRIDGELUX |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -40A; 3.9W; SOP8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -7A On-state resistance: 34mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 3.9W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 28nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -40A Mounting: SMD Case: SOP8 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3106 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
BXT250N03B | BRIDGELUX |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
BXT250N03B | BRIDGELUX |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
BXT250N03M | BRIDGELUX |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
BXT250N03M | BRIDGELUX |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
BXT270N02M | BRIDGELUX | BXT270N02M SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
BXT2800N10D | BRIDGELUX | BXT2800N10D SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
BXT2800N10M | BRIDGELUX | BXT2800N10M SMD N channel transistors |
на замовлення 5012 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
BXT280N02B | BRIDGELUX |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 4A; Idm: 24A; 1.6W; SOP8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.6W Case: SOP8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 38mΩ Gate charge: 5.5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 24A Drain-source voltage: 20V Drain current: 4A |
на замовлення 481 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BXT280N02B | BRIDGELUX |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 4A; Idm: 24A; 1.6W; SOP8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.6W Case: SOP8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 38mΩ Gate charge: 5.5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 24A Drain-source voltage: 20V Drain current: 4A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 481 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
BXT280N03M | BRIDGELUX | BXT280N03M SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
BXT2N7002BK | BRIDGELUX | BXT2N7002BK SMD N channel transistors |
на замовлення 13994 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BXT2N7002T | BRIDGELUX | BXT2N7002T SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
BXT2N7002T3 | BRIDGELUX | BXT2N7002T3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
BXT320N02D | BRIDGELUX | BXT320N02D SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
BXT330N02M | BRIDGELUX | BXT330N02M SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
BXT330N03M | BRIDGELUX |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.5A; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 4.5A Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
BXT330N03M | BRIDGELUX |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.5A; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 4.5A Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
BXT330N03N | BRIDGELUX |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
BXT330N03N | BRIDGELUX |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
![]() |
BXT330N06D | BRIDGELUX |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 80A; 27.8W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 14A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 27.8W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 24.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BXT330N06D | BRIDGELUX |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 80A; 27.8W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 14A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 27.8W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 24.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
BXT350P02M | BRIDGELUX | BXT350P02M SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
BXT3800P06M | BRIDGELUX | BXT3800P06M SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
BXT400N06N | BRIDGELUX | BXT400N06N SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
![]() |
BXT420N03M | BRIDGELUX |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; Idm: 16A; 1.1W; SOT23-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.6A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 1.1W Case: SOT23-3 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 70mΩ Mounting: SMD Gate charge: 2.7nC Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape |
на замовлення 11495 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BXT420N03M | BRIDGELUX |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; Idm: 16A; 1.1W; SOT23-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.6A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 1.1W Case: SOT23-3 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 70mΩ Mounting: SMD Gate charge: 2.7nC Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 11495 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
BXT500N02M | BRIDGELUX | BXT500N02M SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
BXT520P02M | BRIDGELUX | BXT520P02M SMD P channel transistors |
на замовлення 630 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
BXT600P03M | BRIDGELUX |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -16.4A; 1.51W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 6.8nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -16.4A Mounting: SMD Case: SOT23-3 Drain-source voltage: -30V Drain current: -2.7A On-state resistance: 85mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.51W |
на замовлення 2910 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BXT600P03M | BRIDGELUX |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -16.4A; 1.51W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 6.8nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -16.4A Mounting: SMD Case: SOT23-3 Drain-source voltage: -30V Drain current: -2.7A On-state resistance: 85mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.51W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2910 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BXT900P06D | BRIDGELUX |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; TO252 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Case: TO252 Drain-source voltage: -60V Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
![]() |
BXT900P06D | BRIDGELUX |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; TO252 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Case: TO252 Drain-source voltage: -60V Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
BXW10M1K2H | BRIDGELUX | BXW10M1K2H THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
BXW120R015H | BRIDGELUX |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 118A; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 118A Case: TO247 Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
BXW120R015H | BRIDGELUX |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 118A; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 118A Case: TO247 Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
BXW120R036H | BRIDGELUX | BXW120R036H THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
BXW120R036H4 | BRIDGELUX | BXW120R036H4 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
BXW18M1K2H | BRIDGELUX | BXW18M1K2H THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
BXW3M1K7H | BRIDGELUX | BXW3M1K7H THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
BXW60M1K2H | BRIDGELUX | BXW60M1K2H THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
BXW60M1K2J | BRIDGELUX | BXW60M1K2J THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
![]() |
OLMA-40C000-A01A-AA000 | Bridgelux |
![]() |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
BXT1080P06B |
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BXT1080P06B |
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BXT1100P02M |
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; Idm: -10A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -10A
On-state resistance: 0.11Ω
Power dissipation: 1.25W
Kind of package: reel
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; Idm: -10A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -10A
On-state resistance: 0.11Ω
Power dissipation: 1.25W
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BXT1100P02M |
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; Idm: -10A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -10A
On-state resistance: 0.11Ω
Power dissipation: 1.25W
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; Idm: -10A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -10A
On-state resistance: 0.11Ω
Power dissipation: 1.25W
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BXT110P03E |
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -35A; PDFN33
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -35A
Case: PDFN33
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -35A; PDFN33
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -35A
Case: PDFN33
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BXT110P03E |
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -35A; PDFN33
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -35A
Case: PDFN33
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -35A; PDFN33
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -35A
Case: PDFN33
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BXT1150N10D |
![]() |
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12.8A; Idm: 64A; 78W; TO252
Case: TO252
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12.8A
On-state resistance: 135mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 78W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 64A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12.8A; Idm: 64A; 78W; TO252
Case: TO252
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12.8A
On-state resistance: 135mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 78W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 64A
на замовлення 4505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
21+ | 19.76 грн |
25+ | 15.29 грн |
32+ | 12.23 грн |
100+ | 10.93 грн |
137+ | 6.57 грн |
377+ | 6.19 грн |
BXT1150N10D |
![]() |
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12.8A; Idm: 64A; 78W; TO252
Case: TO252
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12.8A
On-state resistance: 135mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 78W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 64A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12.8A; Idm: 64A; 78W; TO252
Case: TO252
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12.8A
On-state resistance: 135mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 78W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 64A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4505 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
13+ | 23.71 грн |
15+ | 19.05 грн |
25+ | 14.68 грн |
100+ | 13.12 грн |
137+ | 7.89 грн |
377+ | 7.43 грн |
BXT1150N10J |
![]() |
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 32A; 2W; SOT89-3
Case: SOT89-3
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.6A
On-state resistance: 135mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 32A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 32A; 2W; SOT89-3
Case: SOT89-3
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.6A
On-state resistance: 135mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 32A
на замовлення 3964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
36+ | 11.53 грн |
41+ | 9.33 грн |
52+ | 7.42 грн |
100+ | 6.65 грн |
236+ | 3.82 грн |
650+ | 3.59 грн |
BXT1150N10J |
![]() |
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 32A; 2W; SOT89-3
Case: SOT89-3
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.6A
On-state resistance: 135mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 32A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 32A; 2W; SOT89-3
Case: SOT89-3
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.6A
On-state resistance: 135mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 32A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3964 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
22+ | 13.83 грн |
25+ | 11.62 грн |
31+ | 8.90 грн |
100+ | 7.98 грн |
236+ | 4.59 грн |
650+ | 4.31 грн |
BXT1700P06M |
![]() |
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.8A; Idm: -16A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.8A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.8A; Idm: -16A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.8A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 411.65 грн |
BXT1700P06M |
![]() |
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.8A; Idm: -16A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.8A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.8A; Idm: -16A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.8A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 296.39 грн |
10+ | 28.58 грн |
25+ | 11.28 грн |
100+ | 10.09 грн |
166+ | 6.51 грн |
455+ | 6.15 грн |
3000+ | 6.05 грн |
BXT170N06D |
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 33A; Idm: 200A; 94W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 33A
Power dissipation: 94W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 33A; Idm: 200A; 94W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 33A
Power dissipation: 94W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BXT170N06D |
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 33A; Idm: 200A; 94W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 33A
Power dissipation: 94W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 33A; Idm: 200A; 94W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 33A
Power dissipation: 94W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BXT210N02M |
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.8A; Idm: 27.2A; 1.6W; SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.8A
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 12.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 27.2A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.8A; Idm: 27.2A; 1.6W; SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.8A
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 12.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 27.2A
Mounting: SMD
Case: SOT23
на замовлення 11975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 21.41 грн |
30+ | 13.15 грн |
59+ | 6.57 грн |
100+ | 3.94 грн |
250+ | 2.62 грн |
431+ | 2.08 грн |
1186+ | 1.96 грн |
3000+ | 1.90 грн |
BXT210N02M |
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.8A; Idm: 27.2A; 1.6W; SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.8A
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 12.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 27.2A
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.8A; Idm: 27.2A; 1.6W; SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.8A
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 12.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 27.2A
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11975 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 25.69 грн |
18+ | 16.39 грн |
35+ | 7.89 грн |
100+ | 4.72 грн |
250+ | 3.15 грн |
431+ | 2.50 грн |
1186+ | 2.36 грн |
BXT230P03B |
![]() |
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -40A; 3.9W; SOP8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
On-state resistance: 34mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 28nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Mounting: SMD
Case: SOP8
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -40A; 3.9W; SOP8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
On-state resistance: 34mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 28nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Mounting: SMD
Case: SOP8
на замовлення 3106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
17+ | 25.52 грн |
20+ | 19.49 грн |
25+ | 16.59 грн |
100+ | 13.30 грн |
122+ | 7.34 грн |
335+ | 6.96 грн |
BXT230P03B |
![]() |
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -40A; 3.9W; SOP8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
On-state resistance: 34mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 28nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Mounting: SMD
Case: SOP8
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -40A; 3.9W; SOP8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
On-state resistance: 34mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 28nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Mounting: SMD
Case: SOP8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3106 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 30.63 грн |
12+ | 24.29 грн |
25+ | 19.91 грн |
100+ | 15.96 грн |
122+ | 8.81 грн |
335+ | 8.35 грн |
BXT250N03B |
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BXT250N03B |
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BXT250N03M |
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BXT250N03M |
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BXT270N02M |
Виробник: BRIDGELUX
BXT270N02M SMD N channel transistors
BXT270N02M SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BXT2800N10D |
Виробник: BRIDGELUX
BXT2800N10D SMD N channel transistors
BXT2800N10D SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BXT2800N10M |
Виробник: BRIDGELUX
BXT2800N10M SMD N channel transistors
BXT2800N10M SMD N channel transistors
на замовлення 5012 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
33+ | 9.19 грн |
453+ | 2.37 грн |
1246+ | 2.24 грн |
BXT280N02B |
![]() |
Виробник: BRIDGELUX
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 4A; Idm: 24A; 1.6W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.6W
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 38mΩ
Gate charge: 5.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 24A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4A
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 4A; Idm: 24A; 1.6W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.6W
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 38mΩ
Gate charge: 5.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 24A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4A
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
28+ | 14.82 грн |
36+ | 10.86 грн |
42+ | 9.27 грн |
100+ | 7.39 грн |
220+ | 4.11 грн |
BXT280N02B |
![]() |
Виробник: BRIDGELUX
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 4A; Idm: 24A; 1.6W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.6W
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 38mΩ
Gate charge: 5.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 24A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 4A; Idm: 24A; 1.6W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.6W
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 38mΩ
Gate charge: 5.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 24A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 481 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
17+ | 17.78 грн |
22+ | 13.53 грн |
25+ | 11.12 грн |
100+ | 8.87 грн |
220+ | 4.93 грн |
603+ | 4.65 грн |
BXT280N03M |
Виробник: BRIDGELUX
BXT280N03M SMD N channel transistors
BXT280N03M SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BXT2N7002BK |
Виробник: BRIDGELUX
BXT2N7002BK SMD N channel transistors
BXT2N7002BK SMD N channel transistors
на замовлення 13994 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
34+ | 8.95 грн |
949+ | 1.13 грн |
2611+ | 1.07 грн |
BXT2N7002T |
Виробник: BRIDGELUX
BXT2N7002T SMD N channel transistors
BXT2N7002T SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BXT2N7002T3 |
Виробник: BRIDGELUX
BXT2N7002T3 SMD N channel transistors
BXT2N7002T3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BXT320N02D |
Виробник: BRIDGELUX
BXT320N02D SMD N channel transistors
BXT320N02D SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BXT330N02M |
Виробник: BRIDGELUX
BXT330N02M SMD N channel transistors
BXT330N02M SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BXT330N03M |
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.5A; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.5A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.5A; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.5A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BXT330N03M |
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.5A; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.5A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.5A; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.5A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BXT330N03N |
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BXT330N03N |
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BXT330N06D |
![]() |
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 80A; 27.8W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 27.8W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 80A; 27.8W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 27.8W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
21+ | 19.76 грн |
27+ | 14.30 грн |
34+ | 11.31 грн |
100+ | 10.24 грн |
153+ | 5.89 грн |
421+ | 5.58 грн |
BXT330N06D |
![]() |
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 80A; 27.8W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 27.8W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 80A; 27.8W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 27.8W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
13+ | 23.71 грн |
17+ | 17.81 грн |
25+ | 13.58 грн |
100+ | 12.29 грн |
153+ | 7.06 грн |
421+ | 6.70 грн |
BXT350P02M |
Виробник: BRIDGELUX
BXT350P02M SMD P channel transistors
BXT350P02M SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BXT3800P06M |
Виробник: BRIDGELUX
BXT3800P06M SMD P channel transistors
BXT3800P06M SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BXT400N06N |
Виробник: BRIDGELUX
BXT400N06N SMD N channel transistors
BXT400N06N SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BXT420N03M |
![]() |
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; Idm: 16A; 1.1W; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.7nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; Idm: 16A; 1.1W; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.7nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
на замовлення 11495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
36+ | 11.53 грн |
72+ | 5.35 грн |
102+ | 3.76 грн |
128+ | 3.00 грн |
250+ | 2.68 грн |
500+ | 2.25 грн |
546+ | 1.65 грн |
1500+ | 1.57 грн |
BXT420N03M |
![]() |
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; Idm: 16A; 1.1W; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.7nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; Idm: 16A; 1.1W; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.7nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11495 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
22+ | 13.83 грн |
43+ | 6.67 грн |
61+ | 4.51 грн |
100+ | 3.60 грн |
250+ | 3.22 грн |
500+ | 2.70 грн |
546+ | 1.98 грн |
BXT500N02M |
Виробник: BRIDGELUX
BXT500N02M SMD N channel transistors
BXT500N02M SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BXT520P02M |
Виробник: BRIDGELUX
BXT520P02M SMD P channel transistors
BXT520P02M SMD P channel transistors
на замовлення 630 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
18+ | 17.43 грн |
488+ | 2.20 грн |
1341+ | 2.08 грн |
BXT600P03M |
![]() |
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -16.4A; 1.51W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -16.4A
Mounting: SMD
Case: SOT23-3
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.51W
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -16.4A; 1.51W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -16.4A
Mounting: SMD
Case: SOT23-3
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.51W
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 16.47 грн |
52+ | 7.49 грн |
74+ | 5.23 грн |
100+ | 4.18 грн |
250+ | 3.74 грн |
385+ | 2.34 грн |
1057+ | 2.21 грн |
BXT600P03M |
![]() |
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -16.4A; 1.51W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -16.4A
Mounting: SMD
Case: SOT23-3
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.51W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -16.4A; 1.51W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -16.4A
Mounting: SMD
Case: SOT23-3
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.51W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
15+ | 19.76 грн |
31+ | 9.34 грн |
44+ | 6.27 грн |
100+ | 5.02 грн |
250+ | 4.49 грн |
385+ | 2.81 грн |
1057+ | 2.65 грн |
BXT900P06D |
![]() |
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; TO252
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: TO252
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; TO252
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: TO252
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BXT900P06D |
![]() |
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; TO252
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: TO252
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; TO252
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: TO252
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BXW10M1K2H |
Виробник: BRIDGELUX
BXW10M1K2H THT N channel transistors
BXW10M1K2H THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BXW120R015H |
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 118A; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 118A
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 118A; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 118A
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BXW120R015H |
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 118A; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 118A
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 118A; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 118A
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BXW120R036H |
Виробник: BRIDGELUX
BXW120R036H THT N channel transistors
BXW120R036H THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BXW120R036H4 |
Виробник: BRIDGELUX
BXW120R036H4 THT N channel transistors
BXW120R036H4 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BXW18M1K2H |
Виробник: BRIDGELUX
BXW18M1K2H THT N channel transistors
BXW18M1K2H THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BXW3M1K7H |
Виробник: BRIDGELUX
BXW3M1K7H THT N channel transistors
BXW3M1K7H THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BXW60M1K2H |
Виробник: BRIDGELUX
BXW60M1K2H THT N channel transistors
BXW60M1K2H THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BXW60M1K2J |
Виробник: BRIDGELUX
BXW60M1K2J THT N channel transistors
BXW60M1K2J THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
OLMA-40C000-A01A-AA000 |
![]() |
Виробник: Bridgelux
Description: LED MOD OLM 4000K 70CRI A01A
Description: LED MOD OLM 4000K 70CRI A01A
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.